JPH04176866A - スパッタリング装置用成膜速度制御装置 - Google Patents
スパッタリング装置用成膜速度制御装置Info
- Publication number
- JPH04176866A JPH04176866A JP30340690A JP30340690A JPH04176866A JP H04176866 A JPH04176866 A JP H04176866A JP 30340690 A JP30340690 A JP 30340690A JP 30340690 A JP30340690 A JP 30340690A JP H04176866 A JPH04176866 A JP H04176866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- film
- sputter
- sputtering
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基板にスパッタリング成膜される膜厚の成膜
速度を調整する成膜速度制御装置に関する。
速度を調整する成膜速度制御装置に関する。
(従来の技術)
従来、例えば第1図に示したような真空室a内に基板す
を取り付けた基板ホルダCとターゲツト材dを固定した
スパッタ電極eとを対向して設けた形式のスパッタリン
グ装置に於いては、該基板すの成膜速度を制御するため
に、該基板ホルダCの近傍に水晶振動子fを設け、該水
晶振動子fを水晶膜厚コントローラーgを介してスパッ
タ電源りに接続した構成の成膜速度制御装置を設けるこ
とが行われている。該真空室a内を排気口1から10−
4〜10−’Torrに排気したのちガス導入口jから
Arガスを導入し、該室a内を10−2〜10−’To
rrに保ったのちスパッタ電源りから電力を供給すると
、Arプラズマか発生し、プラズマ中のイオンかターゲ
ツト材dをスパッタする。スパッタされた物質は、基板
すに堆積すると同時に水晶振動子fに堆積する。スパッ
タ物質の堆積で該水晶振動子fの固有振動数が変化する
ので、堆積するスパッタ物質の堆積速度は、水晶振動子
fに接続した水晶膜厚コントローラーgを読み取ること
により検出され、あらかじめ該コントローラーgに設定
した値になるよう、その条件を信号ケーブルkを介して
スパッタ電源りにフィードバックし、電源パワーを制御
する。
を取り付けた基板ホルダCとターゲツト材dを固定した
スパッタ電極eとを対向して設けた形式のスパッタリン
グ装置に於いては、該基板すの成膜速度を制御するため
に、該基板ホルダCの近傍に水晶振動子fを設け、該水
晶振動子fを水晶膜厚コントローラーgを介してスパッ
タ電源りに接続した構成の成膜速度制御装置を設けるこ
とが行われている。該真空室a内を排気口1から10−
4〜10−’Torrに排気したのちガス導入口jから
Arガスを導入し、該室a内を10−2〜10−’To
rrに保ったのちスパッタ電源りから電力を供給すると
、Arプラズマか発生し、プラズマ中のイオンかターゲ
ツト材dをスパッタする。スパッタされた物質は、基板
すに堆積すると同時に水晶振動子fに堆積する。スパッ
タ物質の堆積で該水晶振動子fの固有振動数が変化する
ので、堆積するスパッタ物質の堆積速度は、水晶振動子
fに接続した水晶膜厚コントローラーgを読み取ること
により検出され、あらかじめ該コントローラーgに設定
した値になるよう、その条件を信号ケーブルkを介して
スパッタ電源りにフィードバックし、電源パワーを制御
する。
(発明が解決しようとする課題)
従来の水晶振動子と水晶膜厚コントローラーか−ら成る
水晶式膜厚計て成膜速度を制御するものは、膜厚のみを
測定して堆積速度の増減に応じてスパッタ電源のパワー
が増減されるので、金属材のスパッタでは問題がないか
、光学膜のような誘電体材や透明膜(ITO,5i02
)を形成する各種酸化膜、フッ化膜の材料では、その材
料の屈折率がスパッタ中に変化するために、膜厚の測定
たけでは所望する屈折率の膜を得るように成膜速度を正
確に制御することか困難であった。
水晶式膜厚計て成膜速度を制御するものは、膜厚のみを
測定して堆積速度の増減に応じてスパッタ電源のパワー
が増減されるので、金属材のスパッタでは問題がないか
、光学膜のような誘電体材や透明膜(ITO,5i02
)を形成する各種酸化膜、フッ化膜の材料では、その材
料の屈折率がスパッタ中に変化するために、膜厚の測定
たけでは所望する屈折率の膜を得るように成膜速度を正
確に制御することか困難であった。
本発明は、光学膜や透明膜の成膜速度を正確に制御して
所望の屈折率に成膜することのできる成膜速度制御装置
を提供することを目的とするものである。
所望の屈折率に成膜することのできる成膜速度制御装置
を提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
・本発明では、スパッタリング装置内に設けられる基板
の近傍に、光学式膜厚計を設け、該光学式膜厚計で検出
される電気信号に基づきスパッタ電源のパワーを制御す
る膜厚コントローラーを設けることにより、上記目的を
達成するようにした。
の近傍に、光学式膜厚計を設け、該光学式膜厚計で検出
される電気信号に基づきスパッタ電源のパワーを制御す
る膜厚コントローラーを設けることにより、上記目的を
達成するようにした。
(作 用)
スパッタリング装置を作動させて基板にスパッタ物質の
膜を形成する時、該基板の近傍に設けた光学式膜厚計に
も同時にスパッタ物質か付着する。該光学式膜厚計は、
これに付着するスパッタ物質の膜厚と屈折率を同時に測
定し、その測定値は電気信号て膜厚コントローラーに伝
達され、さらにスパッタ電源にフィードバックされて電
源パワーか調整され、成膜速度が制御される。
膜を形成する時、該基板の近傍に設けた光学式膜厚計に
も同時にスパッタ物質か付着する。該光学式膜厚計は、
これに付着するスパッタ物質の膜厚と屈折率を同時に測
定し、その測定値は電気信号て膜厚コントローラーに伝
達され、さらにスパッタ電源にフィードバックされて電
源パワーか調整され、成膜速度が制御される。
(実施例)
本発明の実施例を図面第2図に基づき説明すると、同図
に於いて符号(1)は真空排気口(2)とガス導入口(
3)および真空計(4)を備えた真空室を示し、該真空
室(])の内部に基板(5)を取り付けた基板ホルダー
(6)とターゲツト材(7)を固定したスパッタ電極(
8)とか対向して設けられる。該基板(5)とターゲツ
ト材(7)の間には、移動自在にシャッター(9)か設
けられ、該基板ホルダー(6)の近傍に例えば2色測光
法の光学式膜厚計(10)が設けられる。該光学式膜厚
計(10)はその前面にモニタガラスを備えており、該
モニタガラスに付着するスパッタ膜に光を当て、その透
過光や反射光を分光モニターして膜厚と屈折率とを電気
信号で検出するもので、その電気信号は真空室(1)の
外部の膜厚コントローラー(11)に伝達される。該膜
厚コントローラー(11)は、スパッタ電極(8)へ電
力を供給するスパッタ電源(12)へ接続される。光学
式膜厚計(lO)から該膜厚コントローラー(11)に
膜厚の信号と屈折率の信号とが入力すると、これらの信
号を設定値と比較し、そのいずれか一方が設定値よりも
小さいときはスパッタ電源(12)のパワーを上げ、そ
の両方が設定値よりも大きいときはスパッタ電源(12
)のパワーを下げ、適正な成膜速度を維持するように制
御する。
に於いて符号(1)は真空排気口(2)とガス導入口(
3)および真空計(4)を備えた真空室を示し、該真空
室(])の内部に基板(5)を取り付けた基板ホルダー
(6)とターゲツト材(7)を固定したスパッタ電極(
8)とか対向して設けられる。該基板(5)とターゲツ
ト材(7)の間には、移動自在にシャッター(9)か設
けられ、該基板ホルダー(6)の近傍に例えば2色測光
法の光学式膜厚計(10)が設けられる。該光学式膜厚
計(10)はその前面にモニタガラスを備えており、該
モニタガラスに付着するスパッタ膜に光を当て、その透
過光や反射光を分光モニターして膜厚と屈折率とを電気
信号で検出するもので、その電気信号は真空室(1)の
外部の膜厚コントローラー(11)に伝達される。該膜
厚コントローラー(11)は、スパッタ電極(8)へ電
力を供給するスパッタ電源(12)へ接続される。光学
式膜厚計(lO)から該膜厚コントローラー(11)に
膜厚の信号と屈折率の信号とが入力すると、これらの信
号を設定値と比較し、そのいずれか一方が設定値よりも
小さいときはスパッタ電源(12)のパワーを上げ、そ
の両方が設定値よりも大きいときはスパッタ電源(12
)のパワーを下げ、適正な成膜速度を維持するように制
御する。
その作動を説明すると、まず、該真空室(1)の内部を
10−4〜10−’TorrO高真空に排気してからガ
ス導入口(3)を開いてArガスを導入し、該室(1)
内を10−2〜1O−3Torrに保った後、スパッタ
電極(8)にスパッタ電源(12)から電力を供給する
とArプラスマか発生する。該プラスマ中のイオンはタ
ーゲツト材(7)を衝撃し、スパッタされたターゲツト
材(7)が基板(5)および光学式膜厚計(10)に付
着する。該ターゲツト材(7)が誘電体の場合、膜厚の
みを測定しても正確な成膜速度を知ることかできないか
、光学式膜厚計(10)を設けることにより膜厚および
屈折率を測定できるので正確な成膜速度を検出できる。
10−4〜10−’TorrO高真空に排気してからガ
ス導入口(3)を開いてArガスを導入し、該室(1)
内を10−2〜1O−3Torrに保った後、スパッタ
電極(8)にスパッタ電源(12)から電力を供給する
とArプラスマか発生する。該プラスマ中のイオンはタ
ーゲツト材(7)を衝撃し、スパッタされたターゲツト
材(7)が基板(5)および光学式膜厚計(10)に付
着する。該ターゲツト材(7)が誘電体の場合、膜厚の
みを測定しても正確な成膜速度を知ることかできないか
、光学式膜厚計(10)を設けることにより膜厚および
屈折率を測定できるので正確な成膜速度を検出できる。
該光学式膜厚計(10)で検出した膜厚および屈折率の
電気信号は膜厚コントローラー(11)に入力し、そこ
で設定値との比較を行い、所定の成膜速度になるように
該膜厚コントローラー(11)からスパッタ電源(12
)のパワーを制御する信号を出力する。
電気信号は膜厚コントローラー(11)に入力し、そこ
で設定値との比較を行い、所定の成膜速度になるように
該膜厚コントローラー(11)からスパッタ電源(12
)のパワーを制御する信号を出力する。
スパッタリング装置の形式は図示のハツチ式の平行平板
型に限らす、カル−セル型、インライン型のものにも適
用できる。
型に限らす、カル−セル型、インライン型のものにも適
用できる。
(発明の効果)
以上のように、本発明によるときは、スパッタリング装
置内に設けられる基板の近傍に、光学式膜厚計を設け、
該光学式膜厚計て検出される電気信号に基づきスパッタ
電源のパワーを制御する膜厚コントローラーを設けたの
で、膜厚のみならす屈折率をも測定して成膜速度を制御
することができ、金属膜以外の透明膜等の成膜速度を正
確に制御することができる等の効果がある。
置内に設けられる基板の近傍に、光学式膜厚計を設け、
該光学式膜厚計て検出される電気信号に基づきスパッタ
電源のパワーを制御する膜厚コントローラーを設けたの
で、膜厚のみならす屈折率をも測定して成膜速度を制御
することができ、金属膜以外の透明膜等の成膜速度を正
確に制御することができる等の効果がある。
第1図は従来例の截断側面図、第2図は本発明の実施例
の截断側面図である。 (1)・・・真空室、(5)・・・基 板、(10)・
・・光学式膜厚計、(11)・・・膜厚コントローラー
、(12)・・・スパッタ電極。 特許出願人 株式会社 昭和真空−第1図
の截断側面図である。 (1)・・・真空室、(5)・・・基 板、(10)・
・・光学式膜厚計、(11)・・・膜厚コントローラー
、(12)・・・スパッタ電極。 特許出願人 株式会社 昭和真空−第1図
Claims (1)
- スパッタリング装置内に設けられる基板の近傍に、光
学式膜厚計を設け、該光学式膜厚計で検出される電気信
号に基づきスパッタ電源のパワーを制御する膜厚コント
ローラーを設けたことを特徴とするスパッタリング装置
用成膜速度制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30340690A JPH04176866A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | スパッタリング装置用成膜速度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30340690A JPH04176866A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | スパッタリング装置用成膜速度制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04176866A true JPH04176866A (ja) | 1992-06-24 |
Family
ID=17920643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30340690A Pending JPH04176866A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | スパッタリング装置用成膜速度制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04176866A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784445B2 (en) | 1999-06-28 | 2004-08-31 | Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. | Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method |
KR100890080B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2009-03-24 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 반응성 스퍼터링 방법 |
CN113539876A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-22 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 半导体器件表面薄膜折射率的测量方法 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30340690A patent/JPH04176866A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6784445B2 (en) | 1999-06-28 | 2004-08-31 | Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. | Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method |
KR100890080B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2009-03-24 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 반응성 스퍼터링 방법 |
CN113539876A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-22 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 半导体器件表面薄膜折射率的测量方法 |
CN113539876B (zh) * | 2021-07-16 | 2024-02-13 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 半导体器件表面薄膜折射率的测量方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5754297A (en) | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition | |
US4975168A (en) | Method of forming transparent conductive film and apparatus for forming the same | |
US4311725A (en) | Control of deposition of thin films | |
US6110337A (en) | Sputtering method and apparatus with optical monitoring | |
US20200190659A1 (en) | Apparatus and methods for depositing durable optical coatings | |
JPH0772307A (ja) | 薄膜形成方法及び装置 | |
JPH04176866A (ja) | スパッタリング装置用成膜速度制御装置 | |
EP0666337A1 (en) | Method and apparatus for measuring the deposition rate of opaque films | |
JP4530776B2 (ja) | 多層膜形成用スパッタリング装置及びその膜厚制御方法 | |
GB2029017A (en) | Control of deposition of thin films | |
US20040046969A1 (en) | System and method for monitoring thin film deposition on optical substrates | |
Thöny et al. | Innovative sputter system for high volume production of demanding optical interference coatings | |
JPH07109569A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4418179B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP3892961B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
JPH07180055A (ja) | 真空成膜装置 | |
JPH02171605A (ja) | 金属薄膜成長時の膜厚測定方法 | |
JPH02305962A (ja) | 成膜方法 | |
JP3292925B2 (ja) | 連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法 | |
JPH01240655A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH08239763A (ja) | スパッタ装置及びその調整方法 | |
JPS596376A (ja) | スパツタ装置 | |
JP4457566B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JPH01172569A (ja) | 蒸着膜厚制御方法 | |
List et al. | On-line control of the deposition of optical coatings by magnetron sputtering |