JP3292925B2 - 連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法 - Google Patents

連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法

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JP3292925B2
JP3292925B2 JP03627891A JP3627891A JP3292925B2 JP 3292925 B2 JP3292925 B2 JP 3292925B2 JP 03627891 A JP03627891 A JP 03627891A JP 3627891 A JP3627891 A JP 3627891A JP 3292925 B2 JP3292925 B2 JP 3292925B2
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亨 伊井
理 高橋
一彦 浜島
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株式会社昭和真空
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、連続式スパッタ装置に
於いて基板に成膜された膜厚を確認する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、連続的スパッタ装置として、例え
ば図1及び図2に示すように、真空の仕込室aに基板b
を組み込んだトレーcを複数枚用意し、該トレーcを仕
切バルブdを介して順次にスパッタ電極eを設けた成膜
室f内へ駆動機構gにより送り込んで該基板bに薄膜を
堆積させたのち、仕切バルブhを介して取出室iから該
トレーcを取出すようにしたものが知られている。該成
膜室f内は、排気口jから10- 4〜10- 7Torrの
高真空に排気したのちガス導入口kからArガスを導入
して10- 2〜10- 3Torrに保ち、スパッタ電極e
へスパッタ電源mから電力を供給してArガスプラズマ
を発生させておき、プラズマ中のイオンがスパッタ電極
eに固定したターゲットnをスパッタする状態に予め調
整され、トレーcと共に成膜室f内に送り込まれた基板
bが該スパッタ電極eの前方を通過する時に薄膜が堆積
する。該基板bに所定の厚さの薄膜が成膜されたかどう
かを確認するために、該スパッタ電極eの側方には水晶
振動子oが設けられ、該水晶振動子oに同時に堆積する
膜厚を膜厚コントローラーpで読取り、その読取値に基
ずき該基板bに堆積した薄膜の膜厚を推定している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記水晶振動子oは、
基板bに向かうスパッタ物質を妨げないようにスパッタ
電極eから離れた位置に設けられるため、基板bに堆積
する膜厚と水晶振動子oに堆積する膜厚が異なり、その
ため何がしかの補正値を該膜厚コントローラーpに予め
入力しておく必要があった。この補正値は成膜状態によ
り変更するを要するので、その入力が煩わしい。また、
水晶振動子o自体に寿命があり、これを多数の基板bに
成膜する連続式スパッタ装置に組み込んだ場合、水晶振
動子oを長くもたせるための工夫が必要で、その分測定
の精度が悪くなる欠点があった。
【0004】本発明は、膜厚コントローラーの補正の必
要がなく、水晶振動子の寿命による基板処理の制限を受
けない膜厚確認方法を提供することを目的とするもので
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の目的
を達成するため、スパッタ電極を設けた成膜室内へ基板
を取付けたトレーを順次に送り込んで該基板に薄膜を堆
積させ、該基板に堆積した薄膜の膜厚を水晶振動子に堆
した膜厚で確認しながら連続的に各トレーの基板に
次にスパッタ成膜するようにしたものに於いて、該基板
を取り付けたトレーに水晶振動子を取付け、該スパッタ
電極を通過したとき該水晶振動子に膜厚コントローラー
から延びる接触子を接触させて該水晶振動子に堆積した
膜厚を測定することにより該基板の膜厚を確認するよう
にした。
【0006】
【作用】スパッタ作動状態にある成膜室に、トレーによ
り基板が送り込まれ、スパッタ電極の前方を通過すると
きに該基板に成膜が行われるが、水晶振動子が該トレー
に取付けられているので、基板の成膜と同時に水晶振動
子にも同等の膜厚で成膜される。そしてスパッタ電極を
通過した位置で該水晶振動子と膜厚コントローラーの接
触子とが接触し、該水晶振動子の膜厚が膜厚コントロー
ラーで測定される。
【0007】該水晶振動子と基板の膜厚は略同厚になる
ので、特に膜厚コントローラーに補正値を入力して測定
する煩わしさがなくなり、水晶振動子はトレーと共に成
膜室の外部に取出されるので、寿命の来た水晶振動子を
交換することができ、水晶振動子の寿命により連続成膜
が中断することもない。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図3及び図4に於いて符号1はガス導入口2と排気口3
を備えた成膜室、4は該成膜室1内に設けられたスパッ
タ電極を示し、該成膜室1の左右には仕切バルブ5、5
を介して真空圧と大気圧に変更自在の仕込室6と取出室
7とが設けられる。該仕込室6には基板8を組み込んだ
板状のトレー9が例えば複数枚収容され、該トレー9は
仕切バルブ5を介して順次にスパッタ電極4を設けた成
膜室1内へ駆動機構11により送り込まれる。
【0009】12はスパッタ電極4へ電力を供給するス
パッタ電源、13は駆動機構11を駆動する動力源であ
る。該トレー9は該成膜室1から仕切バルブ5を介して
取出室7へと送り出されるが、該トレー9がスパッタ電
極4の前方を通過するときに、スパッタ電極4に固定し
たターゲット14からのスパッタ物質が基板8に薄膜状
に堆積する。該基板8は、これに所定の厚さに薄膜が堆
積しているかどうかを該成膜室1の外部の膜厚コントロ
ーラー15により確認したのち、バルブ5を介して取出
室7から該トレー9と共に取出される。
【0010】該トレー9のスパッタ電極4と対向する側
の面には、水晶振動子16或いは水晶板が組み込まれ、
該スパッタ電極4を通過したトレー9の通過経路に、成
膜室1の外部に用意した膜厚コントローラー15から導
入された固定或いは可動の接触子18を設け、該接触子
18がトレー9に設けた該水晶振動子16等から延びる
リード線19に接触するようにした。該膜厚コントロー
ラー15は、例えば発振器と演算回路を備えた公知のも
ので構成され、該水晶振動子16等に薄膜が付着するこ
とにより変化する振動数を検出してその膜厚を算出し、
必要ならばその膜厚を制御するためにスパッタ電極4へ
接続され、該スパッタ電極4の電力が制御される。
【0011】該成膜室1に導入したトレー9がスパッタ
電極4の前方を通過するとき、これに取り付けた基板8
へ成膜され、同時に該トレー9に組み込んだ水晶振動子
16にも該基板8の成膜条件と同条件で薄膜が付着す
る。そしてその成膜を終えて該トレー9がさらに移動す
ると、該水晶振動子16から延びるリード線19に接触
子18が接触し、膜厚コントローラー15で該水晶振動
子16に形成された膜厚が測定される。該水晶振動子1
6は基板8と同様にスパッタ電極4の前方を通過するの
で、基板8と略同厚の膜が形成され、その形成後にトレ
ー9を真空中に位置させたまま水晶振動子16の膜厚を
正確に測定することができ、基板8の膜厚を確認した後
大気中に取出される。トレー9を繰り返して使用するこ
とにより、水晶振動子16が寿命に達すると、該トレー
9を装置外の大気中に取出したときに該水晶振動子16
を自在に交換でき、その寿命を延ばすための特別の工夫
が不要で精度の良い膜厚測定が可能になる。
【0012】該成膜室1内は、例えば排気口3から10
- 4〜10- 7Torrの高真空に排気したのちガス導入
口2からArガスを導入して10- 2〜10- 3Torr
に保たれ、スパッタ電極4へスパッタ電源12から電力
を供給してArガスプラズマを発生させておき、プラズ
マ中のイオンがスパッタ電極4に固定したターゲット1
4をスパッタする状態に予め調整され、トレー9と共に
成膜室1内に送り込まれた基板8が該スパッタ電極4の
前方を通過する時に従来の場合と同様に薄膜が堆積す
る。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、成膜室内
のスパッタ電極で順次送り込まれるトレーに取り付けた
基板に薄膜を堆積させる連続式成膜装置に於いて、該ト
レーに水晶振動子を取付け、該スパッタ電極を通過した
とき該水晶振動子に膜厚コントローラーから延びる接触
子を接触させて該水晶振動子に堆積した膜厚を測定する
ようにしたので、基板に堆積する膜厚と水晶振動子に堆
積する膜厚が略同厚になり、膜厚コントローラーに補正
値を入力することなく基板の膜厚を正確に測定でき、補
正値入力の煩わしさがなくなり、水晶振動子の交換はト
レーを外部に取出したときに自由に行え、従来のように
水晶振動子を長くもたせるための工夫の結果測定の精度
が悪くなる不都合もない等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来例の一部截断側面図
【図2】図1の要部の截断平面図
【図3】本発明の実施例の一部截断側面図
【図4】図3の要部の截断平面図
【符号の説明】
1 成膜室 4 スパッタ電極 8 基板 9 トレー 15 膜厚コントローラー 16
水晶振動子 18 接触子 19 リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−248042(JP,A) 特開 昭63−121663(JP,A) 特開 昭53−75887(JP,A) 特開 昭63−45364(JP,A) 特公 昭55−27624(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スパッタ電極を設けた成膜室内へ基板を
    取付けたトレーを順次に送り込んで該基板に薄膜を堆積
    させ、該基板に堆積した薄膜の膜厚を水晶振動子に堆積
    した膜厚で確認しながら連続的に各トレーの基板に順次
    にスパッタ成膜するようにしたものに於いて、該基板を
    取り付けたトレーに水晶振動子を取付け、該スパッタ電
    極を通過したとき該水晶振動子に膜厚コントローラーか
    ら延びる接触子を接触させて該水晶振動子に堆積した膜
    厚を測定することにより該基板の膜厚を確認することを
    特徴とする連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法。
  2. 【請求項2】 上記接触子は上記水晶振動子から延びる
    リード線に接触することを特徴とする請求項1に記載の
    連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法。
JP03627891A 1991-03-01 1991-03-01 連続式スパッタ装置に於ける膜厚確認方法 Expired - Lifetime JP3292925B2 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52113379A (en) * 1976-03-19 1977-09-22 Hitachi Ltd Vacuum evaporation
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JP2737993B2 (ja) * 1989-03-22 1998-04-08 日本電気株式会社 ドライエッチング装置

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