JPH09125240A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH09125240A JPH09125240A JP7320396A JP32039695A JPH09125240A JP H09125240 A JPH09125240 A JP H09125240A JP 7320396 A JP7320396 A JP 7320396A JP 32039695 A JP32039695 A JP 32039695A JP H09125240 A JPH09125240 A JP H09125240A
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- plate
- film thickness
- thickness distribution
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一枚の膜厚分布修正板で種々のスパッタ成膜
に対応し、薄膜の膜厚を均一化することが可能であり、
製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることを可能
とする。 【解決手段】 基板５に成膜される薄膜の膜厚を均一化
するための膜厚分布修正板４を、各々独立に矢印Ｍで示
す前後方向に移動自在とされる複数の可動片２１が支持
板２２上に配されてなる一対の可動片群２３，２４を設
け、当該各可動片群２３，２４を所定間隔をもって対向
配置して構成する。
に対応し、薄膜の膜厚を均一化することが可能であり、
製品の歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることを可能
とする。 【解決手段】 基板５に成膜される薄膜の膜厚を均一化
するための膜厚分布修正板４を、各々独立に矢印Ｍで示
す前後方向に移動自在とされる複数の可動片２１が支持
板２２上に配されてなる一対の可動片群２３，２４を設
け、当該各可動片群２３，２４を所定間隔をもって対向
配置して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カソードであるタ
ーゲット板をイオン化したスパッタガスがスパッタリン
グし、ターゲット板から飛び出した原子や分子によりア
ノードである基板上に薄膜を形成するスパッタリング装
置に関する。
ーゲット板をイオン化したスパッタガスがスパッタリン
グし、ターゲット板から飛び出した原子や分子によりア
ノードである基板上に薄膜を形成するスパッタリング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、スパッタリング装置は、グロー
放電によりカソードに設置されたターゲット板をイオン
化したＡｒガス等がスパッタリングし、ターゲット板か
ら飛び出した原子等によりアノードに設置された基板上
に所定の薄膜を形成する装置である。
放電によりカソードに設置されたターゲット板をイオン
化したＡｒガス等がスパッタリングし、ターゲット板か
ら飛び出した原子等によりアノードに設置された基板上
に所定の薄膜を形成する装置である。
【０００３】すなわち、上記スパッタリング装置におい
ては、高真空チャンバー内を１×１０-4Ｐａ程度以下の
圧力とし、当該高真空チャンバー内にスパッタガスとし
てＡｒガスを導入して、カソード、即ちターゲット板に
所定の負電位を印加する。すると一対の電極であるカソ
ード−アノード間に電界が生じ、グロー放電が起こって
イオン化したＡｒガスがターゲット板をスパッタリング
する。その結果、ターゲット板からターゲット材が原子
等の状態となって叩き出され、このターゲット材料がタ
ーゲット板と対向して配置されたアノード表面に設置さ
れた基板上に堆積して薄膜が形成される。
ては、高真空チャンバー内を１×１０-4Ｐａ程度以下の
圧力とし、当該高真空チャンバー内にスパッタガスとし
てＡｒガスを導入して、カソード、即ちターゲット板に
所定の負電位を印加する。すると一対の電極であるカソ
ード−アノード間に電界が生じ、グロー放電が起こって
イオン化したＡｒガスがターゲット板をスパッタリング
する。その結果、ターゲット板からターゲット材が原子
等の状態となって叩き出され、このターゲット材料がタ
ーゲット板と対向して配置されたアノード表面に設置さ
れた基板上に堆積して薄膜が形成される。
【０００４】ここで、ターゲット板から発散するターゲ
ット材はその発散の仕方が不均一となりがちであり、そ
の結果として、上記基板に対する分布に偏りが生じて当
該基板に成膜される薄膜の膜厚が不均一となることが多
い。したがって、上記基板に飛来するターゲット材の分
布を均一化するために、ターゲット板と基板との間に膜
厚分布修正板を配してスパッタリングを行う。
ット材はその発散の仕方が不均一となりがちであり、そ
の結果として、上記基板に対する分布に偏りが生じて当
該基板に成膜される薄膜の膜厚が不均一となることが多
い。したがって、上記基板に飛来するターゲット材の分
布を均一化するために、ターゲット板と基板との間に膜
厚分布修正板を配してスパッタリングを行う。
【０００５】この膜厚分布修正板１１１は、図６に示す
ように、一対の削設板１０１，１０２からなり、これら
削設板１０１，１０２はそれぞれ一側部に所定の削設部
１０１ａ，１０２ａが形成されている。そして、これら
削設板１０１，１０２が各削設部１０１ａ，１０２ａを
対向させて配されることにより上記基板に対してターゲ
ット板１０３の一部が遮蔽され、当該基板に成膜される
薄膜の膜厚が最も均一となるような開口状態とされて膜
厚分布修正板１１１が構成されている。
ように、一対の削設板１０１，１０２からなり、これら
削設板１０１，１０２はそれぞれ一側部に所定の削設部
１０１ａ，１０２ａが形成されている。そして、これら
削設板１０１，１０２が各削設部１０１ａ，１０２ａを
対向させて配されることにより上記基板に対してターゲ
ット板１０３の一部が遮蔽され、当該基板に成膜される
薄膜の膜厚が最も均一となるような開口状態とされて膜
厚分布修正板１１１が構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、膜厚分布修
正板１１１を作製するに際しては、削設板１０１，１０
２の各一側部を所定量削ってはスパッタリング装置に配
して上記基板に成膜される薄膜の膜厚分布を確認し、そ
の膜厚分布の状況に応じて再び上記各一側部を所定量削
るという作業を繰り返し行って最適な開口状態となるよ
うに一対の削設板１０１，１０２を作製する。
正板１１１を作製するに際しては、削設板１０１，１０
２の各一側部を所定量削ってはスパッタリング装置に配
して上記基板に成膜される薄膜の膜厚分布を確認し、そ
の膜厚分布の状況に応じて再び上記各一側部を所定量削
るという作業を繰り返し行って最適な開口状態となるよ
うに一対の削設板１０１，１０２を作製する。
【０００７】したがって、上記薄膜の膜厚分布に合わせ
て逐次各削設板１０１，１０２の削設作業を行う必要が
あり極めて手間がかかるとともに、例えば削設板１０
１，１０２を削り過ぎた場合などに対処するには、新た
に削設板１０１，１０２を作製し直さなければならず、
多数の膜厚分布修正板１１１を作製することが必要とな
るために非常に煩雑である。
て逐次各削設板１０１，１０２の削設作業を行う必要が
あり極めて手間がかかるとともに、例えば削設板１０
１，１０２を削り過ぎた場合などに対処するには、新た
に削設板１０１，１０２を作製し直さなければならず、
多数の膜厚分布修正板１１１を作製することが必要とな
るために非常に煩雑である。
【０００８】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、一枚の膜厚分布修
正板で種々のスパッタ成膜に対応し、薄膜の膜厚を均一
化することが可能であり、製品の歩溜り及び信頼性の大
幅な向上を図ることを可能とするスパッタリング装置を
提供することにある。
のであり、その目的とするところは、一枚の膜厚分布修
正板で種々のスパッタ成膜に対応し、薄膜の膜厚を均一
化することが可能であり、製品の歩溜り及び信頼性の大
幅な向上を図ることを可能とするスパッタリング装置を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、薄膜の材料であるターゲット材の供給源であるター
ゲット板と、このターゲット板と対向配置され上記ター
ゲット材が堆積して薄膜が当該ターゲット板との対向面
に成膜される基板とを有するスパッタリング装置であ
る。
は、薄膜の材料であるターゲット材の供給源であるター
ゲット板と、このターゲット板と対向配置され上記ター
ゲット材が堆積して薄膜が当該ターゲット板との対向面
に成膜される基板とを有するスパッタリング装置であ
る。
【００１０】本発明のスパッタリング装置は、上記基板
と上記ターゲット板との間に当該基板に成膜される薄膜
の膜厚を成膜領域全域に亘って均一化するための膜厚分
布修正板を備え、当該膜厚分布修正板が、各々独立に移
動自在とされる複数の可動片を有し、各可動片をそれぞ
れ移動調節することにより上記基板に対して上記ターゲ
ット板の一部が遮蔽されて当該基板に対するターゲット
板の開口状態が調節されるようになされたものである。
と上記ターゲット板との間に当該基板に成膜される薄膜
の膜厚を成膜領域全域に亘って均一化するための膜厚分
布修正板を備え、当該膜厚分布修正板が、各々独立に移
動自在とされる複数の可動片を有し、各可動片をそれぞ
れ移動調節することにより上記基板に対して上記ターゲ
ット板の一部が遮蔽されて当該基板に対するターゲット
板の開口状態が調節されるようになされたものである。
【００１１】この場合、具体的には、膜厚分布修正板を
前後方向に移動自在とされる複数の可動片が支持板上に
配されてなる一対の可動片群から構成し、当該可動片群
を所定間隔をもって対向配置することが好適である。
前後方向に移動自在とされる複数の可動片が支持板上に
配されてなる一対の可動片群から構成し、当該可動片群
を所定間隔をもって対向配置することが好適である。
【００１２】このように、本発明のスパッタリング装置
においては、上記基板と上記ターゲット板との間に配さ
れる膜厚分布修正板に設けられた各可動片を各々独立に
移動調整することにより基板に対するターゲット板の開
口状態を所望の状態に調節することができるため、一枚
の膜厚分布修正板により種々のスパッタ成膜に適合させ
て上記基板に成膜される薄膜の膜厚分布を簡便且つ正確
に均一化させることが可能である。
においては、上記基板と上記ターゲット板との間に配さ
れる膜厚分布修正板に設けられた各可動片を各々独立に
移動調整することにより基板に対するターゲット板の開
口状態を所望の状態に調節することができるため、一枚
の膜厚分布修正板により種々のスパッタ成膜に適合させ
て上記基板に成膜される薄膜の膜厚分布を簡便且つ正確
に均一化させることが可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るスパッタリン
グ装置の具体的な実施の形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
グ装置の具体的な実施の形態について図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
【００１４】このスパッタリング装置は、グロー放電に
よりカソードに設置されたターゲット板をイオン化した
Ａｒガス等のスパッタガスがスパッタリングし、ターゲ
ット板から飛び出したターゲット材である原子や分子が
アノードに設置された基板上に堆積して所定の薄膜を形
成する装置である。
よりカソードに設置されたターゲット板をイオン化した
Ａｒガス等のスパッタガスがスパッタリングし、ターゲ
ット板から飛び出したターゲット材である原子や分子が
アノードに設置された基板上に堆積して所定の薄膜を形
成する装置である。
【００１５】具体的に、スパッタリング装置は、図１に
示すように、成膜室である高真空チャンバー１と、この
高真空チャンバー１内の真空状態を制御する真空制御部
と、プラズマ放電用の電源（共に図示を省略する。）
と、この電源と電源ラインにて接続されているスパッタ
リングカソード部２と、このスパッタリングカソード部
２と所定距離をもって対向配置されているアノード３
と、スパッタリングカソード部２とアノード３との間に
配されている膜厚分布修正板４と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部（図示を省略する。）とから構成されてい
る。
示すように、成膜室である高真空チャンバー１と、この
高真空チャンバー１内の真空状態を制御する真空制御部
と、プラズマ放電用の電源（共に図示を省略する。）
と、この電源と電源ラインにて接続されているスパッタ
リングカソード部２と、このスパッタリングカソード部
２と所定距離をもって対向配置されているアノード３
と、スパッタリングカソード部２とアノード３との間に
配されている膜厚分布修正板４と、スパッタガスである
Ａｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのスパッタ
ガス供給部（図示を省略する。）とから構成されてい
る。
【００１６】ここで、スパッタリングカソード部２の構
成要素であるカソードとして機能するターゲット板１１
と上記アノード３とにより一対の電極が構成され、アノ
ード３上にはスパッタリングカソード部２と対向して被
成膜体である基板５が設置されている。
成要素であるカソードとして機能するターゲット板１１
と上記アノード３とにより一対の電極が構成され、アノ
ード３上にはスパッタリングカソード部２と対向して被
成膜体である基板５が設置されている。
【００１７】膜厚分布修正板４は、基板５に成膜される
薄膜の膜厚を均一化するための部材であり、図２に示す
ように、各々独立に図２中矢印Ｍで示す前後方向に移動
自在とされる複数の可動片２１が支持板２２上に配され
てなる一対の可動片群２３，２４からなり、当該各可動
片群２３，２４が所定間隔をもって対向配置され構成さ
れている。
薄膜の膜厚を均一化するための部材であり、図２に示す
ように、各々独立に図２中矢印Ｍで示す前後方向に移動
自在とされる複数の可動片２１が支持板２２上に配され
てなる一対の可動片群２３，２４からなり、当該各可動
片群２３，２４が所定間隔をもって対向配置され構成さ
れている。
【００１８】各可動片群２３，２４は、図３（ここでは
可動片群２３のみを示す。）及び図４に示すように、数
個（図示の例では５個）の係止ネジ３１を有してなる係
止ネジ列３２が等間隔をもって設けられた支持板２２
と、当該支持板２２上を移動自在で任意の係止ネジ３１
と係合孔３３により係止固定される各可動片２１とから
構成されている。これら可動片群２３，２４は、各可動
片２１がそれぞれ移動して対向面２３，２４から突出す
るようになされており、各対向面２３，２４を対向させ
て配され膜厚分布修正板４が構成される。
可動片群２３のみを示す。）及び図４に示すように、数
個（図示の例では５個）の係止ネジ３１を有してなる係
止ネジ列３２が等間隔をもって設けられた支持板２２
と、当該支持板２２上を移動自在で任意の係止ネジ３１
と係合孔３３により係止固定される各可動片２１とから
構成されている。これら可動片群２３，２４は、各可動
片２１がそれぞれ移動して対向面２３，２４から突出す
るようになされており、各対向面２３，２４を対向させ
て配され膜厚分布修正板４が構成される。
【００１９】この膜厚分布修正板４においては、可動片
群２３，２４の各可動片２１をそれぞれ移動調節するこ
とにより、基板５に対してターゲット板１２の一部が遮
蔽されて当該基板５に対するターゲット板１１の開口状
態が調節される。
群２３，２４の各可動片２１をそれぞれ移動調節するこ
とにより、基板５に対してターゲット板１２の一部が遮
蔽されて当該基板５に対するターゲット板１１の開口状
態が調節される。
【００２０】上記スパッタリング装置を用いて薄膜形
成、例えば磁気ヘッドのギャップを形成するギャップ膜
の成膜を行うに際しては、非磁性材料、例えばＳｉＯ2
等よりなるターゲット板１１を用いる。そして先ず、膜
厚分布修正板４の可動片群２３，２４の各可動片２１を
それぞれ移動させ係止ネジ３１により所定位置で固定し
て基板５に対するターゲット板１１の開口状態を調節す
る。そして、高真空チャンバー１内を上記真空制御部に
より排気孔６から排気して十分な高真空状態、例えば１
×１０-4Ｐａ以下とする。その後、上記スパッタガス供
給部より高真空チャンバー１内にスパッタガス、例えば
Ａｒを所要の圧力となるまで導入する。
成、例えば磁気ヘッドのギャップを形成するギャップ膜
の成膜を行うに際しては、非磁性材料、例えばＳｉＯ2
等よりなるターゲット板１１を用いる。そして先ず、膜
厚分布修正板４の可動片群２３，２４の各可動片２１を
それぞれ移動させ係止ネジ３１により所定位置で固定し
て基板５に対するターゲット板１１の開口状態を調節す
る。そして、高真空チャンバー１内を上記真空制御部に
より排気孔６から排気して十分な高真空状態、例えば１
×１０-4Ｐａ以下とする。その後、上記スパッタガス供
給部より高真空チャンバー１内にスパッタガス、例えば
Ａｒを所要の圧力となるまで導入する。
【００２１】次いで、この状態にて上記電源よりターゲ
ット板１１に所定の負電位を印加する。すると一対の電
極であるターゲット板１１と基板５との間に電界が生
じ、グロー放電が発生してイオン化したＡｒガスがター
ゲット板１１をスパッタリングする。その結果、上記タ
ーゲット板１１からＳｉＯ2 等のターゲット材が分子の
状態となって叩き出され、このターゲット材がターゲッ
ト板１１と対向して配置されたアノード３表面に設置さ
れた上記基板５の表面に堆積して薄膜が形成される。
ット板１１に所定の負電位を印加する。すると一対の電
極であるターゲット板１１と基板５との間に電界が生
じ、グロー放電が発生してイオン化したＡｒガスがター
ゲット板１１をスパッタリングする。その結果、上記タ
ーゲット板１１からＳｉＯ2 等のターゲット材が分子の
状態となって叩き出され、このターゲット材がターゲッ
ト板１１と対向して配置されたアノード３表面に設置さ
れた上記基板５の表面に堆積して薄膜が形成される。
【００２２】このとき、ターゲット板１１と基板５との
間に配された膜厚分布修正板４は、当該基板５に対する
ターゲット板１１の開口状態が所定形状及び所定面積に
調節され最適化されているために、基板５に成膜される
薄膜の膜厚が当該基板５の成膜領域全域に亘って均一化
されることになる。
間に配された膜厚分布修正板４は、当該基板５に対する
ターゲット板１１の開口状態が所定形状及び所定面積に
調節され最適化されているために、基板５に成膜される
薄膜の膜厚が当該基板５の成膜領域全域に亘って均一化
されることになる。
【００２３】このように、本実施の形態におけるスパッ
タリング装置においては、膜厚分布修正板４の可動片２
１を各々独立に移動調整することにより基板５に対する
ターゲット板１１の開口状態を所望の状態に調節するこ
とができるため、一枚の膜厚分布修正板４により種々の
スパッタ成膜に適合させて上記基板５に成膜される薄膜
の膜厚分布を簡便且つ正確に均一化させることが可能と
なる。
タリング装置においては、膜厚分布修正板４の可動片２
１を各々独立に移動調整することにより基板５に対する
ターゲット板１１の開口状態を所望の状態に調節するこ
とができるため、一枚の膜厚分布修正板４により種々の
スパッタ成膜に適合させて上記基板５に成膜される薄膜
の膜厚分布を簡便且つ正確に均一化させることが可能と
なる。
【００２４】したがって、従来のように各々のスパッタ
成膜を行う度に膜厚分布修正板を作製する必要がなく、
また随時に上記開口状態を微調節することもできるため
に、従来のように多数の膜厚分布修正板を用いることが
必要な場合に比して省資源及び低コストとなり、製品の
歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
成膜を行う度に膜厚分布修正板を作製する必要がなく、
また随時に上記開口状態を微調節することもできるため
に、従来のように多数の膜厚分布修正板を用いることが
必要な場合に比して省資源及び低コストとなり、製品の
歩溜り及び信頼性の大幅な向上を図ることが可能とな
る。
【００２５】
【実施例】以下、膜厚分布修正板４を備えた上記スパッ
タリング装置を用いて、基板５上に薄膜を成膜したとき
の膜厚分布を、膜厚分布修正板４を有しないスパッタリ
ング装置により薄膜を成膜した場合（比較例）との比較
に基づいて調べた結果について説明する。
タリング装置を用いて、基板５上に薄膜を成膜したとき
の膜厚分布を、膜厚分布修正板４を有しないスパッタリ
ング装置により薄膜を成膜した場合（比較例）との比較
に基づいて調べた結果について説明する。
【００２６】ここでは、基板５としてはＳｉよりなる４
インチサイズのものを使用し、当該基板５上にＳｉＯ2
の薄膜（磁気ヘッドのギャップ膜）を成膜した。また、
膜厚分布修正板４としては、具体的には各可動片群２
３，２４にはそれぞれ１８片の可動片２１を設けたもの
を用いた。そして、対向配置された各可動片群２３，２
４の対向する各可動片２１間の離間距離、すなわち対向
する各可動片２１間の開口寸法を以下の表１に示す値に
設定した。なお、この表１においては、各可動片群２
３，２４の一端の可動片２１から他端の可動片２１にか
けて番号を付した。
インチサイズのものを使用し、当該基板５上にＳｉＯ2
の薄膜（磁気ヘッドのギャップ膜）を成膜した。また、
膜厚分布修正板４としては、具体的には各可動片群２
３，２４にはそれぞれ１８片の可動片２１を設けたもの
を用いた。そして、対向配置された各可動片群２３，２
４の対向する各可動片２１間の離間距離、すなわち対向
する各可動片２１間の開口寸法を以下の表１に示す値に
設定した。なお、この表１においては、各可動片群２
３，２４の一端の可動片２１から他端の可動片２１にか
けて番号を付した。
【００２７】
【表１】
【００２８】膜厚分布修正板４の各開口寸法を上記の如
く設定し、基板５の中心位置（０ｍｍ）から±１００ｍ
ｍの位置まで薄膜の成膜速度（Ａ／分）を測定した結果
（サンプル１）及び同一の測定範囲内にて比較例におい
て測定した結果（サンプル２）をそれぞれ図５に示す。
く設定し、基板５の中心位置（０ｍｍ）から±１００ｍ
ｍの位置まで薄膜の成膜速度（Ａ／分）を測定した結果
（サンプル１）及び同一の測定範囲内にて比較例におい
て測定した結果（サンプル２）をそれぞれ図５に示す。
【００２９】このように、サンプル２に比してサンプル
１では成膜速度が略々一定値を示している。したがっ
て、膜厚分布修正板４を備えた上記スパッタリング装置
を用いることにより、成膜された薄膜が略々均一な膜厚
分布をもつことが分かる。
１では成膜速度が略々一定値を示している。したがっ
て、膜厚分布修正板４を備えた上記スパッタリング装置
を用いることにより、成膜された薄膜が略々均一な膜厚
分布をもつことが分かる。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係るスパッタリング装置によれ
ば、上記基板と上記ターゲット板との間に配される膜厚
分布修正板に設けられた各可動片を各々独立に移動調整
することにより基板に対するターゲット板の開口状態を
所望の状態に調節することができるため、一枚の膜厚分
布修正板により種々のスパッタ成膜に適合させて上記基
板に成膜される薄膜の膜厚分布を簡便且つ正確に均一化
させることが可能であり、製品の歩溜り及び信頼性の大
幅な向上を図ることができる。
ば、上記基板と上記ターゲット板との間に配される膜厚
分布修正板に設けられた各可動片を各々独立に移動調整
することにより基板に対するターゲット板の開口状態を
所望の状態に調節することができるため、一枚の膜厚分
布修正板により種々のスパッタ成膜に適合させて上記基
板に成膜される薄膜の膜厚分布を簡便且つ正確に均一化
させることが可能であり、製品の歩溜り及び信頼性の大
幅な向上を図ることができる。
【図１】実施の形態におけるスパッタリング装置を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】上記スパッタリング装置の構成要素である膜厚
分布修正板を模式的に示す平面図である。
分布修正板を模式的に示す平面図である。
【図３】上記膜厚分布修正板の構成要素である可動片群
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図４】上記膜厚分布修正板の構成要素である可動片群
を模式的に示す側面図である。
を模式的に示す側面図である。
【図５】膜厚分布修正板の測定位置と成膜速度との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図６】従来のスパッタリング装置に設けられる膜厚分
布修正板を模式的に示す平面図である。
布修正板を模式的に示す平面図である。
１ 真空チャンバー ２ スパッタリングカソード部 ３ アノード ４ 膜厚分布修正板 ５ 基板 １１ ターゲット板 ２１ 可動片 ２２ 支持板 ２３，２４ 可動片群 ３１ 係止ネジ ３２ 係止ネジ列 ３３ 係合孔
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜の材料であるターゲット材の供給源
であるターゲット板と、このターゲット板と対向配置さ
れ上記ターゲット材が堆積して薄膜が当該ターゲット板
との対向面に成膜される基板とを有するスパッタリング
装置であって、 上記基板と上記ターゲット板との間に当該基板に成膜さ
れる薄膜の膜厚を成膜領域全域に亘って均一化するため
の膜厚分布修正板を備え、 上記膜厚分布修正板は、各々独立に移動自在とされる複
数の可動片を有し、各可動片をそれぞれ移動調節するこ
とにより上記基板に対して上記ターゲット板の一部が遮
蔽されて当該基板に対するターゲット板の開口状態が調
節されるようになされたことを特徴とするスパッタリン
グ装置。 - 【請求項２】 膜厚分布修正板が前後方向に移動自在と
される複数の可動片が支持板上に配されてなる一対の可
動片群から構成され、当該可動片群が所定間隔をもって
対向配置されてなることを特徴とする請求項１記載のス
パッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320396A JPH09125240A (ja) | 1995-08-31 | 1995-12-08 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-246940 | 1995-08-31 | ||
| JP24694095 | 1995-08-31 | ||
| JP7320396A JPH09125240A (ja) | 1995-08-31 | 1995-12-08 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09125240A true JPH09125240A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=26537987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7320396A Withdrawn JPH09125240A (ja) | 1995-08-31 | 1995-12-08 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09125240A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6592729B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | In-line sputtering apparatus |
| KR100922487B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2009-10-20 | 가부시키가이샤 알박 | 박막 형성 장치 및 방법 |
| CN102312223A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜修正板及包括该镀膜修正板的镀膜装置 |
| CN108914067A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-11-30 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种手机后盖pvd渐变色镀膜工艺 |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP7320396A patent/JPH09125240A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6592729B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | In-line sputtering apparatus |
| KR100922487B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2009-10-20 | 가부시키가이샤 알박 | 박막 형성 장치 및 방법 |
| CN102312223A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜修正板及包括该镀膜修正板的镀膜装置 |
| CN108914067A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-11-30 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种手机后盖pvd渐变色镀膜工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |