JPH08165569A - 反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置 - Google Patents
反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置Info
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- JPH08165569A JPH08165569A JP30750094A JP30750094A JPH08165569A JP H08165569 A JPH08165569 A JP H08165569A JP 30750094 A JP30750094 A JP 30750094A JP 30750094 A JP30750094 A JP 30750094A JP H08165569 A JPH08165569 A JP H08165569A
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- Japan
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- film
- film forming
- magnet unit
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット７の下方位置に配設した磁石ユニ
ット１９を移動させてターゲット７の全面にエロージョ
ン領域を形成させながら基板１４に成膜する反応性マグ
ネトロンスパッタリング成膜装置において、ターゲット
７と基板１４との間のターゲット７上方に、所定の開口
部１５を備えた規制部材９を磁石ユニット１９と同期し
て基板１４の成膜面１４ａに平行移動するように設け
た。 【効果】 プラズマイオンをターゲット７の全面にスパ
ッタすることができる。規制部材９の開口部１５を通過
したスパッタ粒子が反応化合物を形成し基板１４の全面
に所望の組成膜が得られる。
ット１９を移動させてターゲット７の全面にエロージョ
ン領域を形成させながら基板１４に成膜する反応性マグ
ネトロンスパッタリング成膜装置において、ターゲット
７と基板１４との間のターゲット７上方に、所定の開口
部１５を備えた規制部材９を磁石ユニット１９と同期し
て基板１４の成膜面１４ａに平行移動するように設け
た。 【効果】 プラズマイオンをターゲット７の全面にスパ
ッタすることができる。規制部材９の開口部１５を通過
したスパッタ粒子が反応化合物を形成し基板１４の全面
に所望の組成膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理材料に均質な膜を
成膜する反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置に
関する。
成膜する反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反応性マグネトロンスパッタリン
グ成膜装置として、図４に示す成膜装置５０が知られて
いる。この成膜装置５０は、チャンバー５１内に基板支
持部５２、ターゲット５４および電極部５５を配置して
構成してある。そして、上記電極部５５の内部にはター
ゲット５４表面上に磁場Ｂを形成させる磁石ユニット５
６が設けてあり、ターゲット５４近傍の電子密度及び放
電ガスイオンの電離確率を大きくしている。
グ成膜装置として、図４に示す成膜装置５０が知られて
いる。この成膜装置５０は、チャンバー５１内に基板支
持部５２、ターゲット５４および電極部５５を配置して
構成してある。そして、上記電極部５５の内部にはター
ゲット５４表面上に磁場Ｂを形成させる磁石ユニット５
６が設けてあり、ターゲット５４近傍の電子密度及び放
電ガスイオンの電離確率を大きくしている。
【０００３】上記成膜装置５０は、電極部５５にマイナ
スの直流電圧５７を印加し、チャンバー５１はアース５
８に接地されるとともに、上記チャンバー５１内には放
電ガスと反応ガスが供給される。なお、上記放電ガスと
反応ガスは図示しない流量制御装置によりその流量が制
御される。
スの直流電圧５７を印加し、チャンバー５１はアース５
８に接地されるとともに、上記チャンバー５１内には放
電ガスと反応ガスが供給される。なお、上記放電ガスと
反応ガスは図示しない流量制御装置によりその流量が制
御される。
【０００４】上記成膜装置５０では、マグネトロン放電
によって発生したプラズマイオンをターゲット５４に衝
突させてスパッタ粒子を叩き出し、このスパッタ粒子を
反応ガスと反応させ、基板支持部５２に保持された基板
５３の成膜面５３ａ上に反応化合物を成膜する。
によって発生したプラズマイオンをターゲット５４に衝
突させてスパッタ粒子を叩き出し、このスパッタ粒子を
反応ガスと反応させ、基板支持部５２に保持された基板
５３の成膜面５３ａ上に反応化合物を成膜する。
【０００５】上記成膜装置５０では、上記磁場Ｂの磁力
線は所定位置でループを形成し、プラズマ領域を特定の
位置でのみ発生させるため、ターゲット５４の非エロー
ジョン領域に反応化合物が堆積し、異常放電が発生し、
安定してスパッタ処理されないという問題点があった。
また、ターゲット５４は、エロージョン領域が特定の位
置でのみ形成されるので、その使用効率が悪いという問
題点があった。
線は所定位置でループを形成し、プラズマ領域を特定の
位置でのみ発生させるため、ターゲット５４の非エロー
ジョン領域に反応化合物が堆積し、異常放電が発生し、
安定してスパッタ処理されないという問題点があった。
また、ターゲット５４は、エロージョン領域が特定の位
置でのみ形成されるので、その使用効率が悪いという問
題点があった。
【０００６】上記問題点を解決すべく、図５に示すよう
に、磁石ユニット６１をトラック形状に配置した磁石体
６２と、その中央に配置した磁石体６３とで構成し（図
６参照。）、この磁石ユニット６１をモータ６５により
ターゲット５４の長辺方向に沿って移動するようにした
成膜装置６０が提案されている。なお、上記成膜装置５
０と同一構成部分については同一符号を付して構成の説
明を省略する。
に、磁石ユニット６１をトラック形状に配置した磁石体
６２と、その中央に配置した磁石体６３とで構成し（図
６参照。）、この磁石ユニット６１をモータ６５により
ターゲット５４の長辺方向に沿って移動するようにした
成膜装置６０が提案されている。なお、上記成膜装置５
０と同一構成部分については同一符号を付して構成の説
明を省略する。
【０００７】この成膜装置６０では、磁石ユニット６１
が移動するため、その磁場Ｂの移動につれてターゲット
５４のエロージョン領域も移動し、ターゲット５４の全
面をスパッタするため、ターゲット５４に非スパッタ領
域は発生しないことから、異常放電の発生を防止するこ
とができ、安定して基板５３に成膜が行われ、また、タ
ーゲット５４の使用効率を向上させることができる。
が移動するため、その磁場Ｂの移動につれてターゲット
５４のエロージョン領域も移動し、ターゲット５４の全
面をスパッタするため、ターゲット５４に非スパッタ領
域は発生しないことから、異常放電の発生を防止するこ
とができ、安定して基板５３に成膜が行われ、また、タ
ーゲット５４の使用効率を向上させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記両
成膜装置５０、６０における磁場Ｂの分布は、中央部で
最大となるため、膜の生成速度が両端部と中央部で異な
り、そのため膜の組成は生成速度の相違から生じる反応
度の差により基板５３には組成の異なる膜が混在して形
成されるという問題点があった。
成膜装置５０、６０における磁場Ｂの分布は、中央部で
最大となるため、膜の生成速度が両端部と中央部で異な
り、そのため膜の組成は生成速度の相違から生じる反応
度の差により基板５３には組成の異なる膜が混在して形
成されるという問題点があった。
【０００９】ここで、上記反応性スパッタ時に生じる基
板５３に生成される膜の組成の不均一性を具体的に説明
する。例えば、表−１に示すプロセス条件によれば、Ｓ
ｉとＮとの反応化合物を成膜した場合、膜の組成（Ｓｉ
とＮとの比）は各部位における屈折率の変化によって評
価することができる。下記に示すプロセス条件にて基板
に生成した膜の屈折率をエリプソメータ（Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザ、λ＝０．６３２８μｍ）にて測定したものを図７
（ａ），（ｂ）に示す。基板５３に生成される膜の厚
さ、即ち、膜の生成速度の違いにより屈折率が変化して
いることがわかる。
板５３に生成される膜の組成の不均一性を具体的に説明
する。例えば、表−１に示すプロセス条件によれば、Ｓ
ｉとＮとの反応化合物を成膜した場合、膜の組成（Ｓｉ
とＮとの比）は各部位における屈折率の変化によって評
価することができる。下記に示すプロセス条件にて基板
に生成した膜の屈折率をエリプソメータ（Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザ、λ＝０．６３２８μｍ）にて測定したものを図７
（ａ），（ｂ）に示す。基板５３に生成される膜の厚
さ、即ち、膜の生成速度の違いにより屈折率が変化して
いることがわかる。
【００１０】
【表１】ターゲット材：Ｓｉ（Ｂドープ） ターゲットサイズ：６００ｍｍ×３００ｍｍ 基板−ターゲット間距離：６０ｍｍ 放電電力：４ｋｗ Ａｒガス流量：１００ ＳＣＣＭ Ｎ2（反応）ガス流量：７０ ＳＣＣＭ 静止対向状態 放電圧力：１０ ｍＴｏｒｒ
【００１１】反応性スパッタにおける化合物の生成は大
半が基板５３側で生じることは一般に知られているが、
図７における屈折率の分布は、成膜速度の低い部分では
Ｓｉの単位時間当たりの到達量が中心付近と比べて低い
ために、基板５３近傍で均一に存在するＮ2ガスと反応
した場合、基板５３の中心付近と比較してＮ2過剰の反
応になっている。
半が基板５３側で生じることは一般に知られているが、
図７における屈折率の分布は、成膜速度の低い部分では
Ｓｉの単位時間当たりの到達量が中心付近と比べて低い
ために、基板５３近傍で均一に存在するＮ2ガスと反応
した場合、基板５３の中心付近と比較してＮ2過剰の反
応になっている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は上
記問題点を解決するために、ターゲットの下方位置に配
設した磁石ユニットを移動させて上記ターゲットの全面
にエロージョン領域を形成させながら処理材料に成膜す
る反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置におい
て、上記ターゲットと処理材料との間のターゲット上方
に、所定の開口部を備えた規制部材を上記磁石ユニット
と同期して上記処理材料の成膜面に平行移動するように
設けたことを特徴としている。
記問題点を解決するために、ターゲットの下方位置に配
設した磁石ユニットを移動させて上記ターゲットの全面
にエロージョン領域を形成させながら処理材料に成膜す
る反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置におい
て、上記ターゲットと処理材料との間のターゲット上方
に、所定の開口部を備えた規制部材を上記磁石ユニット
と同期して上記処理材料の成膜面に平行移動するように
設けたことを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記構成からなる反応性マグネトロンスパッタ
リング成膜装置では、上記磁石ユニットと上記規制部材
とが同期して上記処理材料の成膜面と上記ターゲットと
の間を平行に往復動する。上記磁石ユニットが往復動す
ると、磁場の変化によりプラズマの発生位置が変化して
プラズマイオンがターゲットの全面をスパッタするが、
スパッタによりターゲットから叩き出されたスパッタ粒
子の中で許容範囲内組成の膜を形成する範囲のスパッタ
粒子のみが規制部材の開口部を通過して処理材料の全面
に付着し成膜する。
リング成膜装置では、上記磁石ユニットと上記規制部材
とが同期して上記処理材料の成膜面と上記ターゲットと
の間を平行に往復動する。上記磁石ユニットが往復動す
ると、磁場の変化によりプラズマの発生位置が変化して
プラズマイオンがターゲットの全面をスパッタするが、
スパッタによりターゲットから叩き出されたスパッタ粒
子の中で許容範囲内組成の膜を形成する範囲のスパッタ
粒子のみが規制部材の開口部を通過して処理材料の全面
に付着し成膜する。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。図１に示すように、本発明に係る反応
性マグネトロンスパッタリング成膜装置１は、チャンバ
ー２と、このチャンバー２の下方に絶縁体３を介して設
けた電極部４とから構成してある。上記チャンバー２の
底面には開口部５が設けてあり、電極部４の上面６に載
置されたターゲット７がチャンバー２の内部に面するよ
うになっている。また、上記ターゲット７と上記開口部
５の隙間はチャンバー２の底面に設けたシールド８によ
って覆われている。
ついて説明する。図１に示すように、本発明に係る反応
性マグネトロンスパッタリング成膜装置１は、チャンバ
ー２と、このチャンバー２の下方に絶縁体３を介して設
けた電極部４とから構成してある。上記チャンバー２の
底面には開口部５が設けてあり、電極部４の上面６に載
置されたターゲット７がチャンバー２の内部に面するよ
うになっている。また、上記ターゲット７と上記開口部
５の隙間はチャンバー２の底面に設けたシールド８によ
って覆われている。
【００１５】さらに、上記ターゲット７の上方には開口
部１５を備えた板形状の規制部材９が設けてある。この
規制部材９は、図２に示すように、サポート１０，１１
に支持されたボールスクリュー１２に取り付けられてお
り、チャンバー２の外部にシール部１２ａを介して突出
したボールスクリュー１２の端部に接続したモータ１３
の回転に基づいて、基板１４と平行に、かつこの基板１
４の長辺方向に往復動するようになっている。なお、上
記開口部１５の大きさについては後に説明する。
部１５を備えた板形状の規制部材９が設けてある。この
規制部材９は、図２に示すように、サポート１０，１１
に支持されたボールスクリュー１２に取り付けられてお
り、チャンバー２の外部にシール部１２ａを介して突出
したボールスクリュー１２の端部に接続したモータ１３
の回転に基づいて、基板１４と平行に、かつこの基板１
４の長辺方向に往復動するようになっている。なお、上
記開口部１５の大きさについては後に説明する。
【００１６】上記基板１４は、上記チャンバー２の内部
上方に設けられた基板支持部１６に上記ターゲット７と
平行に取り付けられている。また、チャンバー２はアー
ス１７に接地されるとともに、図示しない真空排気装置
により真空排気され、同じく図示しないガス供給装置に
より放電ガスと反応ガスが供給されている。
上方に設けられた基板支持部１６に上記ターゲット７と
平行に取り付けられている。また、チャンバー２はアー
ス１７に接地されるとともに、図示しない真空排気装置
により真空排気され、同じく図示しないガス供給装置に
より放電ガスと反応ガスが供給されている。
【００１７】上記電極部４にはマイナスの直流電圧１８
が印加され、内部にはトラック状に配置した磁石と、該
磁石の中央部に配置した磁石とからなる磁石ユニット１
９が、サポート２１，２２に支持されたボールスクリュ
ー２３に取り付けられた移動台２４に設けてある。ま
た、電極部４の外部にシール部２３ａを介して突出した
ボールスクリュー２３の端部にはモータ２５が接続して
あり、このモータ２５の回転に基づいて上記移動台２４
をターゲット７に平行に、かつ上記ターゲット７の長辺
方向に沿って往復動できるように設けてある。これによ
り、磁石ユニット１９によって磁場Ｂをターゲット７の
全面に移動させることができる。なお、放電電圧はパル
ス電圧あるいはパルス重畳直流電圧でもよい。
が印加され、内部にはトラック状に配置した磁石と、該
磁石の中央部に配置した磁石とからなる磁石ユニット１
９が、サポート２１，２２に支持されたボールスクリュ
ー２３に取り付けられた移動台２４に設けてある。ま
た、電極部４の外部にシール部２３ａを介して突出した
ボールスクリュー２３の端部にはモータ２５が接続して
あり、このモータ２５の回転に基づいて上記移動台２４
をターゲット７に平行に、かつ上記ターゲット７の長辺
方向に沿って往復動できるように設けてある。これによ
り、磁石ユニット１９によって磁場Ｂをターゲット７の
全面に移動させることができる。なお、放電電圧はパル
ス電圧あるいはパルス重畳直流電圧でもよい。
【００１８】また、上記モータ１３と２５は、それぞれ
サーボモータドライバ２６と２７に接続してあり、これ
らサーボモータドライバ２６と２７はパルス発生器２８
に接続してある。したがって、上記パルス発生器２８は
上記サーボモータドライバ２６と２７に信号を出力して
上記モータ１３と２５を同期して駆動させ、上記規制部
材９と移動台２４を同期して往復動させる。
サーボモータドライバ２６と２７に接続してあり、これ
らサーボモータドライバ２６と２７はパルス発生器２８
に接続してある。したがって、上記パルス発生器２８は
上記サーボモータドライバ２６と２７に信号を出力して
上記モータ１３と２５を同期して駆動させ、上記規制部
材９と移動台２４を同期して往復動させる。
【００１９】ここで、規制部材９の開口部１５について
説明する。開口部１５は、この開口部１５を通過したス
パッタ粒子によって基板上に形成される膜の組成が許容
設定範囲内になるように形成される。基板１４上に形成
される膜の組成は、反応性ガス量が同一であれば膜の生
成速度によって決定されるので、膜の厚みが均一に形成
される部分はその組成も均一に形成される。同一プロセ
ス条件で成膜する場合、膜厚を制御することにより、膜
組成を制御することができる。すなわち、上記開口部１
５の大きさは膜の厚みが許容設定範囲内になるように設
けられる。なお、許容設定範囲は、固定的なものでなく
膜の用途等により異なるものである。
説明する。開口部１５は、この開口部１５を通過したス
パッタ粒子によって基板上に形成される膜の組成が許容
設定範囲内になるように形成される。基板１４上に形成
される膜の組成は、反応性ガス量が同一であれば膜の生
成速度によって決定されるので、膜の厚みが均一に形成
される部分はその組成も均一に形成される。同一プロセ
ス条件で成膜する場合、膜厚を制御することにより、膜
組成を制御することができる。すなわち、上記開口部１
５の大きさは膜の厚みが許容設定範囲内になるように設
けられる。なお、許容設定範囲は、固定的なものでなく
膜の用途等により異なるものである。
【００２０】例えば、図３（ａ）に示すように、長辺ｘ
1、短辺ｙ1からなる基板３２の中心位置Ｃに対向して磁
石ユニット１９の中心位置を配置してこの基板３２を成
膜すると、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、長辺ｘ1
と短辺ｙ1ではともに膜の厚みが端部に向かうにつれて
薄くなっている。ここで、膜の厚みＴに対して厚みの変
動幅が±ｔ％であれば膜の組成が許容設定範囲内である
とすると、長辺ｘ1と短辺ｙ1においてはそれぞれ膜の厚
みが±ｔ％を越える領域をカットした長辺ｘと短辺ｙが
所望の組成を得ることが可能な領域となる。したがっ
て、規制部材９の開口部１５は長辺ｘと短辺ｙで囲まれ
た領域３１すなわち、±ｔ％の膜厚分布を得る領域の大
きさとなる。なお、規制部材９自体の大きさは、上記開
口部１５を通過しないスパッタ粒子による基板１４上へ
の成膜を防止するに十分な大きさに形成されている。本
実施例では、上記規制部材９と磁石ユニット１９を同期
して基板１４の長辺ｘ方向に沿って往復動し、プラズマ
イオンをターゲット７の全面にスパッタするようにして
あるので、上記開口部１５の長辺は、その往復動距離を
考慮して上記基板１４の長辺の約１／３の長さに設けて
ある。また、上記開口部１５の大きさは基板１４と規制
部材９との距離等を考慮して適宜変更される。
1、短辺ｙ1からなる基板３２の中心位置Ｃに対向して磁
石ユニット１９の中心位置を配置してこの基板３２を成
膜すると、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、長辺ｘ1
と短辺ｙ1ではともに膜の厚みが端部に向かうにつれて
薄くなっている。ここで、膜の厚みＴに対して厚みの変
動幅が±ｔ％であれば膜の組成が許容設定範囲内である
とすると、長辺ｘ1と短辺ｙ1においてはそれぞれ膜の厚
みが±ｔ％を越える領域をカットした長辺ｘと短辺ｙが
所望の組成を得ることが可能な領域となる。したがっ
て、規制部材９の開口部１５は長辺ｘと短辺ｙで囲まれ
た領域３１すなわち、±ｔ％の膜厚分布を得る領域の大
きさとなる。なお、規制部材９自体の大きさは、上記開
口部１５を通過しないスパッタ粒子による基板１４上へ
の成膜を防止するに十分な大きさに形成されている。本
実施例では、上記規制部材９と磁石ユニット１９を同期
して基板１４の長辺ｘ方向に沿って往復動し、プラズマ
イオンをターゲット７の全面にスパッタするようにして
あるので、上記開口部１５の長辺は、その往復動距離を
考慮して上記基板１４の長辺の約１／３の長さに設けて
ある。また、上記開口部１５の大きさは基板１４と規制
部材９との距離等を考慮して適宜変更される。
【００２１】上記構成からなるマグネトロンスパッタリ
ング成膜装置１では、パルス発生器２８の信号に基づい
て、モータ１３と２５を同期して駆動させ、規制部材９
と移動台２４を同期して基板１４及びターゲット７の長
辺方向に所定速度で往復動させる。これにより、基板１
４の成膜面１４ａの近傍に磁石ユニット１９によって発
生した磁場Ｂもターゲット７の長辺方向に沿って移動
し、プラズマイオンがターゲット７の全面をスパッタす
る。
ング成膜装置１では、パルス発生器２８の信号に基づい
て、モータ１３と２５を同期して駆動させ、規制部材９
と移動台２４を同期して基板１４及びターゲット７の長
辺方向に所定速度で往復動させる。これにより、基板１
４の成膜面１４ａの近傍に磁石ユニット１９によって発
生した磁場Ｂもターゲット７の長辺方向に沿って移動
し、プラズマイオンがターゲット７の全面をスパッタす
る。
【００２２】チャンバー２内の反応性ガス雰囲気中でス
パッタされてターゲット７から叩き出されたスパッタ粒
子は、往復動する規制部材９の開口部１５を通過して成
膜面１４ａに化合物膜として成膜する。このように、成
膜面１４ａには開口部１５を通過したスパッタ粒子のみ
が成膜するので、成膜面１４ａの全面には組成が均一
（許容範囲内）な膜が形成される。したがって、光学膜
等を成膜した場合、屈折率が均一な膜が得られることに
なる。
パッタされてターゲット７から叩き出されたスパッタ粒
子は、往復動する規制部材９の開口部１５を通過して成
膜面１４ａに化合物膜として成膜する。このように、成
膜面１４ａには開口部１５を通過したスパッタ粒子のみ
が成膜するので、成膜面１４ａの全面には組成が均一
（許容範囲内）な膜が形成される。したがって、光学膜
等を成膜した場合、屈折率が均一な膜が得られることに
なる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置は、
ターゲット上方に所定の開口部を備えた規制部材が磁石
ユニットと同期して移動するように配設されているの
で、反応性ガス雰囲気中でプラズマイオンをターゲット
に衝突させて発生したスパッタ粒子のうち、許容範囲内
の組成膜を形成するスパッタ粒子のみが上記開口部を通
過して処理材料の全面に許容範囲内の均一組成膜を形成
する。
に係る反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置は、
ターゲット上方に所定の開口部を備えた規制部材が磁石
ユニットと同期して移動するように配設されているの
で、反応性ガス雰囲気中でプラズマイオンをターゲット
に衝突させて発生したスパッタ粒子のうち、許容範囲内
の組成膜を形成するスパッタ粒子のみが上記開口部を通
過して処理材料の全面に許容範囲内の均一組成膜を形成
する。
【００２４】また、磁石ユニットと規制部材とが同期し
て処理材料の成膜面とターゲットに平行に往復動するの
で、プラズマイオンをターゲットの全面にスパッタする
ことができる。したがって、ターゲットを効率よく消費
させることができるとともに、反応生成物のターゲット
上への堆積を防止することができ、放電が安定する。
て処理材料の成膜面とターゲットに平行に往復動するの
で、プラズマイオンをターゲットの全面にスパッタする
ことができる。したがって、ターゲットを効率よく消費
させることができるとともに、反応生成物のターゲット
上への堆積を防止することができ、放電が安定する。
【図１】 本発明に係るマグネトロンスパッタリング成
膜装置の断面図である。
膜装置の断面図である。
【図２】 図１のII−II線部分断面図である。
【図３】 規制部材の開口部を説明する図である。
【図４】 従来のマグネトロンスパッタリング成膜装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】 磁石ユニットを移動可能に設けた従来のマグ
ネトロンスパッタリング成膜装置の断面図である。
ネトロンスパッタリング成膜装置の断面図である。
【図６】 磁石ユニットの移動を説明する図である。
【図７】 基板表面の屈折率を測定したグラフである。
１…マグネトロンスパッタリング成膜装置、４…電極
部、７…ターゲット、９…規制部材、１４…基板（処理
材料）、１４ａ…成膜面、１５…開口部、１９…磁石ユ
ニット、１３，２５…モータ、２８…パルス発生器。
部、７…ターゲット、９…規制部材、１４…基板（処理
材料）、１４ａ…成膜面、１５…開口部、１９…磁石ユ
ニット、１３，２５…モータ、２８…パルス発生器。
Claims (1)
- 【請求項１】 ターゲットの下方位置に配設した磁石ユ
ニットを移動させて上記ターゲットの全面にエロージョ
ン領域を形成させながら処理材料に成膜する反応性マグ
ネトロンスパッタリング成膜装置において、上記ターゲ
ットと処理材料との間のターゲット上方に、所定の開口
部を備えた規制部材を上記磁石ユニットと同期して上記
処理材料の成膜面に平行移動するように設けたことを特
徴とする反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30750094A JPH08165569A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30750094A JPH08165569A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08165569A true JPH08165569A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=17969836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30750094A Pending JPH08165569A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 反応性マグネトロンスパッタリング成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08165569A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012012633A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
| RU173348U1 (ru) * | 2016-10-17 | 2017-08-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий |
| JP2019137895A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法 |
| CN110885965A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备 |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30750094A patent/JPH08165569A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012012633A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
| RU173348U1 (ru) * | 2016-10-17 | 2017-08-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Устройство для нанесения тонкопленочных покрытий |
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| KR20210008550A (ko) * | 2018-02-13 | 2021-01-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 시스템 및 기판 상에 막을 형성하는 방법 |
| US11542592B2 (en) | 2018-02-13 | 2023-01-03 | Tokyo Electron Limited | Film forming system and method for forming film on substrate |
| CN110885965A (zh) * | 2019-11-04 | 2020-03-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备 |
| WO2021088658A1 (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备 |
| CN110885965B (zh) * | 2019-11-04 | 2021-07-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备 |
| US11732346B2 (en) | 2019-11-04 | 2023-08-22 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Physical vapor deposition chamber and physical vapor deposition apparatus |
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