JP2633575B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、光ディスク等の光学的記録媒体となる基板
に記録膜又は当該記録膜を保護するための保護膜等の薄
膜を成膜する成膜装置に関するものである。
に記録膜又は当該記録膜を保護するための保護膜等の薄
膜を成膜する成膜装置に関するものである。
(従来の技術) 近年においてはデジタルデータ等を記録する光ディス
ク等の光学的記録媒体の研究、開発が目覚ましく、この
ようなデジタルデータを記録するための記録膜を例えば
スパッタリング等により光学的記録媒体の基板に成膜す
るようにしている。
ク等の光学的記録媒体の研究、開発が目覚ましく、この
ようなデジタルデータを記録するための記録膜を例えば
スパッタリング等により光学的記録媒体の基板に成膜す
るようにしている。
このような光ディスク等の光学的記録媒体の基板に記
録膜等を成膜する成膜装置としては第6図に示すような
ものが知られている。
録膜等を成膜する成膜装置としては第6図に示すような
ものが知られている。
第6図に示す従来例では基板1とターゲット5を成膜
真空槽8内に配置し、電磁弁16、コンダクタンスバルブ
18を開放してロータリーポンプ15で排気し、成膜真空槽
8内の圧力を例えば5×10-2Torr程度に粗引きする。そ
の後、電磁弁11を開放してメインクライオポンプ6を駆
動して排気し、成膜真空槽8内の圧力を例えば5×10-5
Torr以下に設定する。次に電磁弁12を開放するとともに
マスフローコントローラ7の開度を調整してボンベ10よ
りアルゴンガスを所定流量だけ成膜真空槽8へ供給し、
いわゆる成膜用ガスの圧力コントロールを実行する。即
ち、電磁弁11を開放した状態で、制御部9の制御指令に
基づいてコンダクタンスバルブ18の開度を調整し、成膜
真空槽8内の圧力を例えば5×10-3Torrに設定する。こ
のときの成膜真空槽8内の圧力はイオンゲージ2で監視
される。以上の成膜用ガスの圧力コントロールが終了す
ると、スパッタを開始し、ターゲット5から放出された
テルル(Te)の微粒子が基板1に蒸着され、このTeの薄
膜による記録膜が基板1に成膜される。このスパッタに
よりターゲット5から放出されたテルル(Te)の微粒子
のうち蒸着に関与しない残余の微粒子及び前述のボンベ
10から供給されるアルゴンガス等の成膜用物質はメイン
クライオポンプ6を介して排気される。このとき、コン
ダクタンスバルブ18の開度を調整して成膜真空槽8内の
圧力はイオンゲージ2の測定値に基づいて規定の圧力に
維持される。
真空槽8内に配置し、電磁弁16、コンダクタンスバルブ
18を開放してロータリーポンプ15で排気し、成膜真空槽
8内の圧力を例えば5×10-2Torr程度に粗引きする。そ
の後、電磁弁11を開放してメインクライオポンプ6を駆
動して排気し、成膜真空槽8内の圧力を例えば5×10-5
Torr以下に設定する。次に電磁弁12を開放するとともに
マスフローコントローラ7の開度を調整してボンベ10よ
りアルゴンガスを所定流量だけ成膜真空槽8へ供給し、
いわゆる成膜用ガスの圧力コントロールを実行する。即
ち、電磁弁11を開放した状態で、制御部9の制御指令に
基づいてコンダクタンスバルブ18の開度を調整し、成膜
真空槽8内の圧力を例えば5×10-3Torrに設定する。こ
のときの成膜真空槽8内の圧力はイオンゲージ2で監視
される。以上の成膜用ガスの圧力コントロールが終了す
ると、スパッタを開始し、ターゲット5から放出された
テルル(Te)の微粒子が基板1に蒸着され、このTeの薄
膜による記録膜が基板1に成膜される。このスパッタに
よりターゲット5から放出されたテルル(Te)の微粒子
のうち蒸着に関与しない残余の微粒子及び前述のボンベ
10から供給されるアルゴンガス等の成膜用物質はメイン
クライオポンプ6を介して排気される。このとき、コン
ダクタンスバルブ18の開度を調整して成膜真空槽8内の
圧力はイオンゲージ2の測定値に基づいて規定の圧力に
維持される。
また、従来の他の成膜装置として光学的記録媒体の基
板に形成した記録膜を保護するための保護膜を成膜する
装置においては、第6図に示すターゲット5としてシリ
コン(Si)を放出するターゲットを用いるとともに、ボ
ンベ10から酸素ガス又は酸素ガスとアルゴンガスの混合
ガスを成膜真空槽8へ供給している。従って、ターゲッ
ト5から放出されたシリコン(Si)の微粒子は酸素ガス
の雰囲気中で酸化されてSiO2を形成する。また成膜真空
槽8内の作業空間8aでの放電によりSiO2の微粒子がイオ
ン化され、このイオン化された微粒子が基板1の表面に
蒸着される。このときターゲット5から放出されたシリ
コン(Si)の微粒子のうち蒸着に関与しない残余の微粒
子及びボンベ10から供給される酸素ガス等の成膜用物質
はメインクライオポンプ6を介して排気される。また、
前述と同様に成膜時における成膜真空槽8内の圧力はイ
オンゲージ2の計測値に基づいて規定の圧力に設定され
る。
板に形成した記録膜を保護するための保護膜を成膜する
装置においては、第6図に示すターゲット5としてシリ
コン(Si)を放出するターゲットを用いるとともに、ボ
ンベ10から酸素ガス又は酸素ガスとアルゴンガスの混合
ガスを成膜真空槽8へ供給している。従って、ターゲッ
ト5から放出されたシリコン(Si)の微粒子は酸素ガス
の雰囲気中で酸化されてSiO2を形成する。また成膜真空
槽8内の作業空間8aでの放電によりSiO2の微粒子がイオ
ン化され、このイオン化された微粒子が基板1の表面に
蒸着される。このときターゲット5から放出されたシリ
コン(Si)の微粒子のうち蒸着に関与しない残余の微粒
子及びボンベ10から供給される酸素ガス等の成膜用物質
はメインクライオポンプ6を介して排気される。また、
前述と同様に成膜時における成膜真空槽8内の圧力はイ
オンゲージ2の計測値に基づいて規定の圧力に設定され
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、前述の従来例では成膜真空槽8内の真
空度を計測する計測手段として気体分子をイオン化して
生じるイオン電流に基づいて真空度を計測する熱陰極電
離真空計である1個のイオンゲージ2を設けており、成
膜用ガスの圧力コントロール時はもちろん、この成膜用
ガスの圧力コントロールの終了後、即ち成膜工程におい
ても、成膜真空槽8内の真空度を前述のイオンゲージ2
で監視しているため、イオンゲージ2の電流が成膜用物
質により腐食され、成膜工程がくり返されるに応じてイ
オンゲージ2が劣化し、真空度の計測値の再現性が悪く
なる。
空度を計測する計測手段として気体分子をイオン化して
生じるイオン電流に基づいて真空度を計測する熱陰極電
離真空計である1個のイオンゲージ2を設けており、成
膜用ガスの圧力コントロール時はもちろん、この成膜用
ガスの圧力コントロールの終了後、即ち成膜工程におい
ても、成膜真空槽8内の真空度を前述のイオンゲージ2
で監視しているため、イオンゲージ2の電流が成膜用物
質により腐食され、成膜工程がくり返されるに応じてイ
オンゲージ2が劣化し、真空度の計測値の再現性が悪く
なる。
例えば、イオンゲージ2の指示値は規定の真空度に達
していないにもかかわらず、実際の成膜真空槽8内は規
定の真空度以下に達している場合、若しくは逆の場合即
ち、イオンゲージ2の指示値は規定の真空度以下である
にもかわらず、実際の成膜真空槽8内は規定の真空度に
達していない場合が生ずる。
していないにもかかわらず、実際の成膜真空槽8内は規
定の真空度以下に達している場合、若しくは逆の場合即
ち、イオンゲージ2の指示値は規定の真空度以下である
にもかわらず、実際の成膜真空槽8内は規定の真空度に
達していない場合が生ずる。
ところが、制御部9は成膜真空槽8内の真空度をイオ
ンゲージ2の計測値に基づいて制御しており、特に成膜
時に成膜真空槽8内の実際の真空度が変動する場合に
は、薄膜の成膜速度、薄膜の物性即ち、薄膜の膜圧及び
性質等に重大な悪影響を及ぼす。また、成膜工程の終了
後、即ち排気工程において、成膜真空槽8内の実際の真
空度とイオンゲージ2の指示値とのあいだにずれを生じ
ている場合には、成膜真空槽8を規定の高真空に排気す
るまでに時間を要したり、又は逆に成膜真空槽8が規定
の真空度以下に達していないにもかかわらず、次の成膜
工程がスタートしてしまうという問題があった。
ンゲージ2の計測値に基づいて制御しており、特に成膜
時に成膜真空槽8内の実際の真空度が変動する場合に
は、薄膜の成膜速度、薄膜の物性即ち、薄膜の膜圧及び
性質等に重大な悪影響を及ぼす。また、成膜工程の終了
後、即ち排気工程において、成膜真空槽8内の実際の真
空度とイオンゲージ2の指示値とのあいだにずれを生じ
ている場合には、成膜真空槽8を規定の高真空に排気す
るまでに時間を要したり、又は逆に成膜真空槽8が規定
の真空度以下に達していないにもかかわらず、次の成膜
工程がスタートしてしまうという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、成膜真
空槽内の真空度を高精度に制御し、薄膜を均一に成膜す
ることのできる成膜装置を提供することを目的とする。
空槽内の真空度を高精度に制御し、薄膜を均一に成膜す
ることのできる成膜装置を提供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するために本発明が提供する手段は、
成膜真空槽内を所定の圧力に保持して、この成膜真空槽
内の成膜用物質を基材に成膜せしめる装置において、前
記成膜真空槽内の真空度を測定する第1の計測手段と、
前記成膜真空槽内の真空度を測定し、成膜時には前記成
膜真空槽内の雰囲気とは隔離される第2の計測手段と、
この第2の計測手段を、成膜時前の処理工程において非
隔離状態とし、成膜時の工程において隔離状態にする手
段と、を有し、前記第1の計測手段は、前記隔離状態に
する手段により第2の計測手段を隔離状態にして、前記
成膜時前の処理工程の非隔離状態として計測した前記第
1及び第2の計測手段の計測値に基づいて計測値を較正
するようにしたことを特徴とする。
成膜真空槽内を所定の圧力に保持して、この成膜真空槽
内の成膜用物質を基材に成膜せしめる装置において、前
記成膜真空槽内の真空度を測定する第1の計測手段と、
前記成膜真空槽内の真空度を測定し、成膜時には前記成
膜真空槽内の雰囲気とは隔離される第2の計測手段と、
この第2の計測手段を、成膜時前の処理工程において非
隔離状態とし、成膜時の工程において隔離状態にする手
段と、を有し、前記第1の計測手段は、前記隔離状態に
する手段により第2の計測手段を隔離状態にして、前記
成膜時前の処理工程の非隔離状態として計測した前記第
1及び第2の計測手段の計測値に基づいて計測値を較正
するようにしたことを特徴とする。
(作用) 本発明は、第1の計測手段の計測値に基づいて成膜真
空槽内を一定の真空度に保持しつつ成膜用物質を成膜真
空槽の作業空間へ供給して薄膜を成膜する。この第1の
計測手段は、成膜を開始する前に、隔離状態にされた第
2の計測手段の計測値に基づいて較正される。
空槽内を一定の真空度に保持しつつ成膜用物質を成膜真
空槽の作業空間へ供給して薄膜を成膜する。この第1の
計測手段は、成膜を開始する前に、隔離状態にされた第
2の計測手段の計測値に基づいて較正される。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明に係る実施例を光ディスク等の光学的
記録媒体の記録膜を保護するための保護膜としてSiO2膜
の薄膜を成膜する成膜装置を例にとって示したブロック
図である。
記録媒体の記録膜を保護するための保護膜としてSiO2膜
の薄膜を成膜する成膜装置を例にとって示したブロック
図である。
第1図に示すように基板1とシリコン(Si)を放射す
るためのターゲット5を成膜真空槽8内に配置してい
る。ロータリーポンプ19は粗引き用の排気手段であり、
電磁弁34を開放してロータリーポンプ19を駆動し、成膜
真空槽8内の圧力を例えば10-2Torr程度に粗引きする。
その後排気工程へ移行する。即ち、第2図に示すよう
に、黒く示した電磁弁12,13,17,34を閉鎖するととも
に、他の電磁弁11,16,33を開放し、且つコンダクタンス
バルブ31を全開にしてメインクライオポンプ6を駆動し
て更に排気し、成膜真空槽8内の圧力を例えば10-5Torr
以下に設定する。この成膜真空槽8内の圧力が10-5Torr
以下に達したか否かは熱陰極電離真空計であるイオンゲ
ージ32で確認される。
るためのターゲット5を成膜真空槽8内に配置してい
る。ロータリーポンプ19は粗引き用の排気手段であり、
電磁弁34を開放してロータリーポンプ19を駆動し、成膜
真空槽8内の圧力を例えば10-2Torr程度に粗引きする。
その後排気工程へ移行する。即ち、第2図に示すよう
に、黒く示した電磁弁12,13,17,34を閉鎖するととも
に、他の電磁弁11,16,33を開放し、且つコンダクタンス
バルブ31を全開にしてメインクライオポンプ6を駆動し
て更に排気し、成膜真空槽8内の圧力を例えば10-5Torr
以下に設定する。この成膜真空槽8内の圧力が10-5Torr
以下に達したか否かは熱陰極電離真空計であるイオンゲ
ージ32で確認される。
以上に説明した排気工程が終了すると、ガスコントロ
ールI,ガスコントロールIIの各行程へ順次移行する。
ールI,ガスコントロールIIの各行程へ順次移行する。
まずガスコントロールIを説明すると、第3図に黒く
示した電磁弁13,16,34を閉鎖するとともに、他の電磁弁
11,12,17,23を開放する。このとき、制御部9からの制
御指令に基づいてマスフローコントローラ7の開度を調
整し、ボンベ10より酸素ガスを所定の流量だけ成膜真空
槽8へ供給して、いわゆる成膜用ガスの圧力コントロー
ルを実行する。即ち、第2の計測手段であるダイヤフラ
ム形圧力計35が成膜真空槽8内の圧力を監視しており、
このダイヤフラム形圧力計35の監視情報に基づく制御部
9からの制御指令によりコンダクタンスバルブ31の開度
を調整し、成膜真空槽8内の圧力を例えば5×10-3Torr
に設定する。また、制御部9ではダイヤフラム形圧力計
35から得られた複数回の計測値,例えば10回の計測値の
平均値を演算し、この演算した平均値が(5±0.2)×1
0-3Torrの範囲内であることを確認する。また同時に制
御部9は、第1の計測手段であるイオンゲージ2から得
られた複数回の計測値、例えば10回の計測値の平均値を
演算し、この演算した平均値xTorrを内蔵した記憶部に
格納する。
示した電磁弁13,16,34を閉鎖するとともに、他の電磁弁
11,12,17,23を開放する。このとき、制御部9からの制
御指令に基づいてマスフローコントローラ7の開度を調
整し、ボンベ10より酸素ガスを所定の流量だけ成膜真空
槽8へ供給して、いわゆる成膜用ガスの圧力コントロー
ルを実行する。即ち、第2の計測手段であるダイヤフラ
ム形圧力計35が成膜真空槽8内の圧力を監視しており、
このダイヤフラム形圧力計35の監視情報に基づく制御部
9からの制御指令によりコンダクタンスバルブ31の開度
を調整し、成膜真空槽8内の圧力を例えば5×10-3Torr
に設定する。また、制御部9ではダイヤフラム形圧力計
35から得られた複数回の計測値,例えば10回の計測値の
平均値を演算し、この演算した平均値が(5±0.2)×1
0-3Torrの範囲内であることを確認する。また同時に制
御部9は、第1の計測手段であるイオンゲージ2から得
られた複数回の計測値、例えば10回の計測値の平均値を
演算し、この演算した平均値xTorrを内蔵した記憶部に
格納する。
尚、ボンベ10から供給するガスとしては酸素ガスとア
ルゴンガスの混合ガスを供給するようにしてもよい。
ルゴンガスの混合ガスを供給するようにしてもよい。
また、上述した第2の計測手段であるダイヤフラム形
圧力計35は、電磁弁33を介して成膜真空槽8と連通する
被測定用チャンバーと、この被測定用チャンバーとはダ
イヤフラムで隔離された基準チャンバーとを備えた防蝕
構造の計測手段であり、例えば酸素ガス等の腐蝕性ガス
が被測定用チャンバーへ流入したとしても、基準チャン
バーは何ら影響を受けることがなく、腐蝕性ガス等に対
しても正確に圧力を計測することができる。また、前記
電磁弁33は後で説明する成膜時において成膜真空槽8と
ダイヤフラム形圧力計35との通路を遮断するための遮断
手段である。
圧力計35は、電磁弁33を介して成膜真空槽8と連通する
被測定用チャンバーと、この被測定用チャンバーとはダ
イヤフラムで隔離された基準チャンバーとを備えた防蝕
構造の計測手段であり、例えば酸素ガス等の腐蝕性ガス
が被測定用チャンバーへ流入したとしても、基準チャン
バーは何ら影響を受けることがなく、腐蝕性ガス等に対
しても正確に圧力を計測することができる。また、前記
電磁弁33は後で説明する成膜時において成膜真空槽8と
ダイヤフラム形圧力計35との通路を遮断するための遮断
手段である。
次にガスコントロールIIについて説明する。第4図に
黒く示すように電磁弁13,16,33,34を閉鎖するとともに
他の電磁弁11,12,17を開放する。制御部9では電磁弁33
が閉鎖されたことに伴ない、成膜真空槽8内の圧力監視
をダイヤフラム形圧力計35からイオンゲージ2へ切換え
る。このイオンゲージ2は成膜真空槽8内の気体分子を
イオン化して生じるイオン電流に基づいて成膜真空槽8
内の真空度を計測する熱陰極電離真空計である。次に制
御部9は第2の計測手段であるダイヤフラム形圧力計35
の計測値に基づいて、第1の計測手段であるイオンゲー
ジ2の計測値を較正する。即ち、イオンゲージ2の計測
値が前回のガスコントロールIにおいて記憶部に格納し
た平均値xTorrとなるように、コンダクタンスバルブ31
の開度を微調整する。
黒く示すように電磁弁13,16,33,34を閉鎖するとともに
他の電磁弁11,12,17を開放する。制御部9では電磁弁33
が閉鎖されたことに伴ない、成膜真空槽8内の圧力監視
をダイヤフラム形圧力計35からイオンゲージ2へ切換え
る。このイオンゲージ2は成膜真空槽8内の気体分子を
イオン化して生じるイオン電流に基づいて成膜真空槽8
内の真空度を計測する熱陰極電離真空計である。次に制
御部9は第2の計測手段であるダイヤフラム形圧力計35
の計測値に基づいて、第1の計測手段であるイオンゲー
ジ2の計測値を較正する。即ち、イオンゲージ2の計測
値が前回のガスコントロールIにおいて記憶部に格納し
た平均値xTorrとなるように、コンダクタンスバルブ31
の開度を微調整する。
このようにガスコントロールI及びIIによる成膜真空
槽8内の圧力制御が終了すると、成膜行程へ移行する。
即ち、第1の計測手段であるイオンゲージ2の計測値に
基づいて成膜真空槽8内を規定の真空度に保持しつつ、
成膜用物質即ち、ボンベ10からの酸素ガス及びターゲッ
ト5からのシリコン(Si)の微粒子を成膜真空槽8内の
作業空間8aに供給して薄膜の成膜を実行する。
槽8内の圧力制御が終了すると、成膜行程へ移行する。
即ち、第1の計測手段であるイオンゲージ2の計測値に
基づいて成膜真空槽8内を規定の真空度に保持しつつ、
成膜用物質即ち、ボンベ10からの酸素ガス及びターゲッ
ト5からのシリコン(Si)の微粒子を成膜真空槽8内の
作業空間8aに供給して薄膜の成膜を実行する。
再び第1図を参照して薄膜の成膜行程について説明す
る。前述したようにボンベ10から酸素ガスが成膜真空槽
8へ供給されるとともに、スイッチSを閉じることによ
りターゲット5へ所定電圧Eが印加され、ターゲット5
からシリコン(Si)の微粒子が成膜真空槽8の作業空間
8aへ供給される。ターゲット5から放出されたシリコン
(Si)の微粒子は酸素ガスの雰囲気中で酸化されてSiO2
を形成する。次に図示しない一対の電極間に高電圧が印
加され、作業空間8aで放電が開始されると、この放電に
よりSiO2の微粒子がイオン化され、基板1の表面に蒸着
される。このとき、基板1を回転させて蒸着による薄膜
の形成を均一化させる。ここで成膜時においては電磁弁
33が閉鎖されることから、蒸着に関与しない残余の微粒
子等はダイヤフラム形圧力計35へ流入することなく、メ
インクライオポンプ6を介して排気される。
る。前述したようにボンベ10から酸素ガスが成膜真空槽
8へ供給されるとともに、スイッチSを閉じることによ
りターゲット5へ所定電圧Eが印加され、ターゲット5
からシリコン(Si)の微粒子が成膜真空槽8の作業空間
8aへ供給される。ターゲット5から放出されたシリコン
(Si)の微粒子は酸素ガスの雰囲気中で酸化されてSiO2
を形成する。次に図示しない一対の電極間に高電圧が印
加され、作業空間8aで放電が開始されると、この放電に
よりSiO2の微粒子がイオン化され、基板1の表面に蒸着
される。このとき、基板1を回転させて蒸着による薄膜
の形成を均一化させる。ここで成膜時においては電磁弁
33が閉鎖されることから、蒸着に関与しない残余の微粒
子等はダイヤフラム形圧力計35へ流入することなく、メ
インクライオポンプ6を介して排気される。
上述した薄膜の成膜処理が終了すると、再度前述した
排気工程に移行し、最終的にはリーク工程へ移行する。
このリーク工程では第5図に黒く示すように、電磁弁1
1,12,16,33,34を閉鎖するとともに、他の電磁弁13,17を
開放していわゆるリーク状態に設定する。即ち外部から
の空気が電磁弁13を介して成膜真空槽8内へ流入し、成
膜真空槽8内が大気圧に設定される。これにより基板1
を外部へ取り出すことができる。
排気工程に移行し、最終的にはリーク工程へ移行する。
このリーク工程では第5図に黒く示すように、電磁弁1
1,12,16,33,34を閉鎖するとともに、他の電磁弁13,17を
開放していわゆるリーク状態に設定する。即ち外部から
の空気が電磁弁13を介して成膜真空槽8内へ流入し、成
膜真空槽8内が大気圧に設定される。これにより基板1
を外部へ取り出すことができる。
次に本発明の作用を説明する。第3図及び第4図に示
したガスコントロール時においては、第2の計測手段で
あるダイヤフラム形圧力計35の計測値に基づいて第1の
計測手段であるイオンゲージ2の計測値を較正する。こ
の較正されたイオンゲージ2の計測値に基づいてコンダ
クタンスバルブ31の開度を調整して成膜真空槽8内を規
定の真空度に保持しつつ、所定の成膜用物質を成膜真空
槽8の作業空間8aへ供給して薄膜の成膜処理を実行す
る。成膜処理時においては電磁弁33を閉鎖して成膜用物
質、即ちボンベ10からの酸素ガス及びターゲット5から
のシリコン(Si)の微粒子等がダイヤフラム形圧力計35
へ流入するのを阻止する。
したガスコントロール時においては、第2の計測手段で
あるダイヤフラム形圧力計35の計測値に基づいて第1の
計測手段であるイオンゲージ2の計測値を較正する。こ
の較正されたイオンゲージ2の計測値に基づいてコンダ
クタンスバルブ31の開度を調整して成膜真空槽8内を規
定の真空度に保持しつつ、所定の成膜用物質を成膜真空
槽8の作業空間8aへ供給して薄膜の成膜処理を実行す
る。成膜処理時においては電磁弁33を閉鎖して成膜用物
質、即ちボンベ10からの酸素ガス及びターゲット5から
のシリコン(Si)の微粒子等がダイヤフラム形圧力計35
へ流入するのを阻止する。
尚、第1図に示した実施例では、光ディスク等の光学
的記録媒体の基板に記録膜を保護するための保護膜を成
膜する成膜装置を例にとって示したが、本発明はこれに
限定されることなく記録膜等適宜の成膜装置に適用する
ことができる。
的記録媒体の基板に記録膜を保護するための保護膜を成
膜する成膜装置を例にとって示したが、本発明はこれに
限定されることなく記録膜等適宜の成膜装置に適用する
ことができる。
また、成膜を開始する前にダイヤフラム形圧力計35の
計測値に基づいてイオンゲージの計測値を較正するよう
にしたことから、成膜真空槽8内の真空度を正確に監視
制御することができる。
計測値に基づいてイオンゲージの計測値を較正するよう
にしたことから、成膜真空槽8内の真空度を正確に監視
制御することができる。
また、前述のダイヤフラム形圧力計35は防蝕構造の計
測手段を用いたことにより、酸素ガス等の反応性ガス等
により劣化することなく、基準の圧力計として成膜真空
槽8内の真空度を高精度に計測することができる。
測手段を用いたことにより、酸素ガス等の反応性ガス等
により劣化することなく、基準の圧力計として成膜真空
槽8内の真空度を高精度に計測することができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、成膜時において
成膜真空槽内の真空度を計測するための第2の計測手段
と成膜真空槽とのあいだを隔離するようにしたことか
ら、成膜時の成膜用物質が第2の計測手段へ流入するの
を禁止して第2の計測手段の劣化を確実に防止すること
ができる。
成膜真空槽内の真空度を計測するための第2の計測手段
と成膜真空槽とのあいだを隔離するようにしたことか
ら、成膜時の成膜用物質が第2の計測手段へ流入するの
を禁止して第2の計測手段の劣化を確実に防止すること
ができる。
従って、成膜真空槽内の真空度を高精度に制御して薄
膜を均一に成膜することができ、さらに当該計測手段の
保守作業間隔を長くして作業効率を改善することができ
る等の効果を奏する。
膜を均一に成膜することができ、さらに当該計測手段の
保守作業間隔を長くして作業効率を改善することができ
る等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示したブロック図、第2図
は第1図の排気工程における各電磁弁の開閉状態を示し
た説明図、第3図は第1図のガスコントロールIの工程
における各電磁弁の開閉状態を示した説明図、第4図は
第1図のガスコントロールIIの工程における各電磁弁の
開閉状態を示した説明図、第5図は第1図のリーク工程
における各電磁弁の開閉状態を示した説明図、第6図は
従来例を示したブロック図である。 2、32……イオンゲージ、8……成膜真空槽 33……電磁弁、35……ダイヤフラム形圧力計
は第1図の排気工程における各電磁弁の開閉状態を示し
た説明図、第3図は第1図のガスコントロールIの工程
における各電磁弁の開閉状態を示した説明図、第4図は
第1図のガスコントロールIIの工程における各電磁弁の
開閉状態を示した説明図、第5図は第1図のリーク工程
における各電磁弁の開閉状態を示した説明図、第6図は
従来例を示したブロック図である。 2、32……イオンゲージ、8……成膜真空槽 33……電磁弁、35……ダイヤフラム形圧力計
Claims (2)
- 【請求項1】成膜真空槽内を所定の圧力に保持して、こ
の成膜真空槽内の成膜用物質を基材に成膜せしめる装置
において、 前記成膜真空槽内の真空度を測定する第1の計測手段
と、 前記成膜真空槽内の真空度を測定し、成膜時には前記成
膜真空槽内の雰囲気とは隔離される第2の計測手段と、 この第2の計測手段を、成膜時前の処理工程において非
隔離状態とし、成膜時の工程において隔離状態にする手
段と、 を有し、前記第1の計測手段は、前記隔離状態にする手
段により第2の計測手段を隔離状態にして、前記成膜時
前の処理工程の非隔離状態として計測した前記第1及び
第2の計測手段の計測値に基づいて計測値を較正するよ
うにしたことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項2】前記第2の計測手段はダイヤフラム形圧力
計であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62222142A JP2633575B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62222142A JP2633575B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6465256A JPS6465256A (en) | 1989-03-10 |
JP2633575B2 true JP2633575B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16777834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62222142A Expired - Fee Related JP2633575B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2633575B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58128978U (ja) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | 株式会社日立製作所 | 真空装置 |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP62222142A patent/JP2633575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6465256A (en) | 1989-03-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |