JP3354591B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング方法Info
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- JP3354591B2 JP3354591B2 JP14914492A JP14914492A JP3354591B2 JP 3354591 B2 JP3354591 B2 JP 3354591B2 JP 14914492 A JP14914492 A JP 14914492A JP 14914492 A JP14914492 A JP 14914492A JP 3354591 B2 JP3354591 B2 JP 3354591B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、スパッタリング装置は光磁気ディ
スク、光ディスク、ビデオヘッドの記録膜等の成膜に多
く利用されている。
スク、光ディスク、ビデオヘッドの記録膜等の成膜に多
く利用されている。
【０００３】以下、図２を参照しながら従来のスパッタ
リング装置の一例について説明する。図２において、２
１はカソードであり、その下面にターゲット２１ａが固
定されている。２２はカソード２１と対向して配置さ
れ、スパッタにより膜が堆積される基板、２３は基板２
２を保持する基板ホルダーである。２４はカソード２１
に電圧を印加し、カソード２１の表面でプラズマを発生
させるための電源である。２５はカソード２１と基板２
２の間の空間に配置されたシャッターである。２６は反
応室チャンバー２９内を減圧雰囲気にするための第１の
真空排気ポンプ、２７は反応室チャンバー２９内にスパ
ッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給
系、２８は反応室チャンバー２９内の真空度を調圧する
調圧弁である。３０は予備室チャンバー３１内を減圧雰
囲気にする第２の真空排気ポンプである。３２は予備室
チャンバー３１と大気を接続する第１のゲート弁、３３
は反応室チャンバー２９と予備室チャンバー３１を接続
する第２のゲート弁である。
リング装置の一例について説明する。図２において、２
１はカソードであり、その下面にターゲット２１ａが固
定されている。２２はカソード２１と対向して配置さ
れ、スパッタにより膜が堆積される基板、２３は基板２
２を保持する基板ホルダーである。２４はカソード２１
に電圧を印加し、カソード２１の表面でプラズマを発生
させるための電源である。２５はカソード２１と基板２
２の間の空間に配置されたシャッターである。２６は反
応室チャンバー２９内を減圧雰囲気にするための第１の
真空排気ポンプ、２７は反応室チャンバー２９内にスパ
ッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給
系、２８は反応室チャンバー２９内の真空度を調圧する
調圧弁である。３０は予備室チャンバー３１内を減圧雰
囲気にする第２の真空排気ポンプである。３２は予備室
チャンバー３１と大気を接続する第１のゲート弁、３３
は反応室チャンバー２９と予備室チャンバー３１を接続
する第２のゲート弁である。
【０００４】次に、以上の構成のスパッタリング装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【０００５】まず、反応室チャンバー２９内部を第１の
真空排気ポンプ２６で、予備室チャンバー３１内部を第
２の真空排気ポンプ３０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。次に、減圧雰囲気である予備室チ
ャンバー３１を大気圧に戻し、第１のゲート弁３２を開
き、基板２２を予備室チャンバー３１内に移載し、再び
第１のゲート弁３２を閉じる。
真空排気ポンプ２６で、予備室チャンバー３１内部を第
２の真空排気ポンプ３０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。次に、減圧雰囲気である予備室チ
ャンバー３１を大気圧に戻し、第１のゲート弁３２を開
き、基板２２を予備室チャンバー３１内に移載し、再び
第１のゲート弁３２を閉じる。
【０００６】この状態から、第２の真空排気ポンプ３０
により予備室チャンバー３１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、第２のゲート弁３３を開
き、基板２２を反応室チャンバー２９内に移載し、基板
ホルダー２３に保持させ、第２のゲート弁３３を再び閉
じる。その後、反応室チャンバー２９内部に、アルゴン
ガスを導入し、調圧弁２８により５×１０-3Ｔｏｒｒ程
度の真空度に設定し、電源２４によりカソード２１に直
流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバー２９
の内部にプラズマを発生させる。そしてシャッター２５
を開き、基板２２に所定の膜を堆積する。その後シャッ
ター２５を閉じ、プラズマを停止し、アルゴンガスの導
入を停止する。そして、第２のゲート弁３３を開き、基
板２２を予備室チャンバー３１に移載し、第２のゲート
弁３３を再び閉じる。次に予備室チャンバー３１を大気
圧に戻し、第１のゲート弁３２を開き、基板２２を予備
室チャンバー３１の外へ移載し、異なる基板２２を予備
室チャンバー３１内に移載し、再び第１のゲート弁３２
を閉じ、以上の動作を繰り返す。
により予備室チャンバー３１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、第２のゲート弁３３を開
き、基板２２を反応室チャンバー２９内に移載し、基板
ホルダー２３に保持させ、第２のゲート弁３３を再び閉
じる。その後、反応室チャンバー２９内部に、アルゴン
ガスを導入し、調圧弁２８により５×１０-3Ｔｏｒｒ程
度の真空度に設定し、電源２４によりカソード２１に直
流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバー２９
の内部にプラズマを発生させる。そしてシャッター２５
を開き、基板２２に所定の膜を堆積する。その後シャッ
ター２５を閉じ、プラズマを停止し、アルゴンガスの導
入を停止する。そして、第２のゲート弁３３を開き、基
板２２を予備室チャンバー３１に移載し、第２のゲート
弁３３を再び閉じる。次に予備室チャンバー３１を大気
圧に戻し、第１のゲート弁３２を開き、基板２２を予備
室チャンバー３１の外へ移載し、異なる基板２２を予備
室チャンバー３１内に移載し、再び第１のゲート弁３２
を閉じ、以上の動作を繰り返す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、成膜が終了すると、放電を停止し、ア
ルゴンガスの導入を停止するために、連続成膜の場合ア
ルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソードへの電圧印
加による放電発生工程が毎回必要となり、そのために成
膜タクトが長くなり、またターゲット表面組成が変化
し、基板に堆積される膜の組成が安定しないという問題
があった。
ような構成では、成膜が終了すると、放電を停止し、ア
ルゴンガスの導入を停止するために、連続成膜の場合ア
ルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソードへの電圧印
加による放電発生工程が毎回必要となり、そのために成
膜タクトが長くなり、またターゲット表面組成が変化
し、基板に堆積される膜の組成が安定しないという問題
があった。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に鑑み、連続成
膜の場合に放電を停止せず、放電発生工程を無くすこと
により、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性の向上を
図ることを目的とする。
膜の場合に放電を停止せず、放電発生工程を無くすこと
により、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性の向上を
図ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタリン
グガスが供給された反応室チャンバー内を、所定のスパ
ッタ圧に調圧しながら、基板を載置する基板ホルダーに
対向するカソードに電圧を印加することでプラズマを発
生させ、前記基板に膜形成処理を行うスパッタリング方
法において、予備室チャンバーを所定の真空度まで真空
排気した後スパッタリングガスを導入し、前記スパッタ
圧に至った段階で、予備室チャンバーと前記反応室チャ
ンバーとの間のゲート弁を開き、予備室チャンバー内の
基板を反応室チャンバーの基板ホルダー上に移載し、前
記ゲート弁を閉じた後、反応室チャンバーにおいて膜形
成処理を行い、膜形成処理後、前記カソードに印加する
電圧を低下させたうえで、前記ゲート弁を再び開き、前
記基板を反応室チャンバーから前記スパッタ圧に維持さ
れた予備室チャンバーに移載して戻すことを特徴とす
る。
グガスが供給された反応室チャンバー内を、所定のスパ
ッタ圧に調圧しながら、基板を載置する基板ホルダーに
対向するカソードに電圧を印加することでプラズマを発
生させ、前記基板に膜形成処理を行うスパッタリング方
法において、予備室チャンバーを所定の真空度まで真空
排気した後スパッタリングガスを導入し、前記スパッタ
圧に至った段階で、予備室チャンバーと前記反応室チャ
ンバーとの間のゲート弁を開き、予備室チャンバー内の
基板を反応室チャンバーの基板ホルダー上に移載し、前
記ゲート弁を閉じた後、反応室チャンバーにおいて膜形
成処理を行い、膜形成処理後、前記カソードに印加する
電圧を低下させたうえで、前記ゲート弁を再び開き、前
記基板を反応室チャンバーから前記スパッタ圧に維持さ
れた予備室チャンバーに移載して戻すことを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】本発明の上記構成によれば、予備室チャンバー
内のガス雰囲気と真空度を、反応室チャンバー内の成膜
時と等しくした状態でゲート弁を開くことができるた
め、連続成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行うこと
ができ、アルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソード
への電圧印加による放電発生工程を無くすことができ、
その結果成膜タクトを向上することができる。
内のガス雰囲気と真空度を、反応室チャンバー内の成膜
時と等しくした状態でゲート弁を開くことができるた
め、連続成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行うこと
ができ、アルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソード
への電圧印加による放電発生工程を無くすことができ、
その結果成膜タクトを向上することができる。
【００１１】また、放電を停止せず、カソードに印加す
る電圧を低下させるにとどめ、常時予備スパッタしてい
る状態となっているため、ターゲット表面組成が変化せ
ず、基板に堆積する膜の組成が安定することになる。
る電圧を低下させるにとどめ、常時予備スパッタしてい
る状態となっているため、ターゲット表面組成が変化せ
ず、基板に堆積する膜の組成が安定することになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置について図１を参照しながら説明する。
置について図１を参照しながら説明する。
【００１３】図１において、１はカソードであり、その
下面にターゲット１ａが固定されている。２はカソード
１と対向して配置され、スパッタにより膜が堆積される
基板、３は基板２を保持する基板ホルダーである。４は
カソード１に電圧を印加し、カソード１の表面でプラズ
マを発生させるための電源である。５はカソード１と基
板２の間の空間に配置されたシャッターである。６は反
応室チャンバー９内を減圧雰囲気にするための第１の真
空排気ポンプ、７は反応室チャンバー９内にスパッタリ
ングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供給
系、８は反応室チャンバー９内の真空度を調圧する第１
の調圧弁である。１０は予備室チャンバー１１内を減圧
雰囲気にする第２の真空排気ポンプである。１４は予備
室チャンバー１１内にスパッタリングガスを流量調整し
ながら供給する第２のガス供給系、１５は予備室チャン
バー１１内の真空度を調圧する第２の調圧弁、１２は予
備室チャンバー１１と大気を接続する第１のゲート弁、
１３は反応室チャンバー９と予備室チャンバー１１を接
続する第２のゲート弁である。
下面にターゲット１ａが固定されている。２はカソード
１と対向して配置され、スパッタにより膜が堆積される
基板、３は基板２を保持する基板ホルダーである。４は
カソード１に電圧を印加し、カソード１の表面でプラズ
マを発生させるための電源である。５はカソード１と基
板２の間の空間に配置されたシャッターである。６は反
応室チャンバー９内を減圧雰囲気にするための第１の真
空排気ポンプ、７は反応室チャンバー９内にスパッタリ
ングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供給
系、８は反応室チャンバー９内の真空度を調圧する第１
の調圧弁である。１０は予備室チャンバー１１内を減圧
雰囲気にする第２の真空排気ポンプである。１４は予備
室チャンバー１１内にスパッタリングガスを流量調整し
ながら供給する第２のガス供給系、１５は予備室チャン
バー１１内の真空度を調圧する第２の調圧弁、１２は予
備室チャンバー１１と大気を接続する第１のゲート弁、
１３は反応室チャンバー９と予備室チャンバー１１を接
続する第２のゲート弁である。
【００１４】次に、以上の構成のスパッタリング装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【００１５】まず、反応室チャンバー９内部を第１の真
空排気ポンプ６で、予備室チャンバー１１内部を第２の
真空排気ポンプ１０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空度ま
で真空排気する。次に、反応室チャンバー９内部に、ア
ルゴンガスを導入し、第１の調圧弁８により５×１０-3
Ｔｏｒｒ程度の真空度（スパッタ圧）に設定し、電源４
によりカソード１に直流または高周波の電圧を印加し、
反応室チャンバー９の内部にプラズマを発生させる。こ
のとき、シャッター５は閉じておき、カソード１に印加
している電圧を放電が消えない最小のパワーまで低下さ
せる。次に、減圧雰囲気である予備室チャンバー１１を
大気圧に戻し、第１のゲート弁１２を開き、基板２を予
備室チャンバー１１内に移載し、再び第１のゲート弁１
２を閉じる。
空排気ポンプ６で、予備室チャンバー１１内部を第２の
真空排気ポンプ１０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空度ま
で真空排気する。次に、反応室チャンバー９内部に、ア
ルゴンガスを導入し、第１の調圧弁８により５×１０-3
Ｔｏｒｒ程度の真空度（スパッタ圧）に設定し、電源４
によりカソード１に直流または高周波の電圧を印加し、
反応室チャンバー９の内部にプラズマを発生させる。こ
のとき、シャッター５は閉じておき、カソード１に印加
している電圧を放電が消えない最小のパワーまで低下さ
せる。次に、減圧雰囲気である予備室チャンバー１１を
大気圧に戻し、第１のゲート弁１２を開き、基板２を予
備室チャンバー１１内に移載し、再び第１のゲート弁１
２を閉じる。
【００１６】この状態から、第２の真空排気ポンプ１０
により予備室チャンバー１１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、予備室チャンバー１１内
部にアルゴンガスを導入し、第２の調圧弁１５により５
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度（スパッタ圧）に設定し
た後、第２のゲート弁１３を開き、基板２を反応室チャ
ンバー９内に移載し、基板ホルダー３に保持させ、第２
のゲート弁１３を再び閉じる。そして、カソード１に印
加している電圧を成膜パワーまで上昇させ、シャッター
５を開き、基板２に所定の膜を堆積する。その後、シャ
ッター５を閉じ、カソード１に印加している電圧を放電
が消えない最小パワーまで低下させる。そして、第２の
ゲート弁１３を開き、基板２を予備室チャンバー１１に
移載し、第２のゲート弁１３を再び閉じる。そして予備
室チャンバー１１へのアルゴンガスの導入を停止し、予
備室チャンバー１１を大気圧に戻し、第１のゲート弁１
２を開き、基板２を予備室チャンバー１１の外に移載
し、異なる基板２を予備室チャンバー１１内に移載し、
再び第１のゲート弁１２を閉じ、以上の動作を繰り返
す。
により予備室チャンバー１１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、予備室チャンバー１１内
部にアルゴンガスを導入し、第２の調圧弁１５により５
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度（スパッタ圧）に設定し
た後、第２のゲート弁１３を開き、基板２を反応室チャ
ンバー９内に移載し、基板ホルダー３に保持させ、第２
のゲート弁１３を再び閉じる。そして、カソード１に印
加している電圧を成膜パワーまで上昇させ、シャッター
５を開き、基板２に所定の膜を堆積する。その後、シャ
ッター５を閉じ、カソード１に印加している電圧を放電
が消えない最小パワーまで低下させる。そして、第２の
ゲート弁１３を開き、基板２を予備室チャンバー１１に
移載し、第２のゲート弁１３を再び閉じる。そして予備
室チャンバー１１へのアルゴンガスの導入を停止し、予
備室チャンバー１１を大気圧に戻し、第１のゲート弁１
２を開き、基板２を予備室チャンバー１１の外に移載
し、異なる基板２を予備室チャンバー１１内に移載し、
再び第１のゲート弁１２を閉じ、以上の動作を繰り返
す。
【００１７】以上のように、本実施例によれば、予備室
チャンバー１１内の真空度を、反応室チャンバー９内の
成膜時のガス雰囲気及び真空度と等しくした状態で第２
のゲート弁１３を開くことができるため、連続成膜の場
合、放電を停止せずに成膜を行うことができ、アルゴン
ガスの導入、真空度の調圧、カソード１への電圧印加に
よる放電発生工程を無くすことができる。その結果、成
膜タクトを向上することができる。
チャンバー１１内の真空度を、反応室チャンバー９内の
成膜時のガス雰囲気及び真空度と等しくした状態で第２
のゲート弁１３を開くことができるため、連続成膜の場
合、放電を停止せずに成膜を行うことができ、アルゴン
ガスの導入、真空度の調圧、カソード１への電圧印加に
よる放電発生工程を無くすことができる。その結果、成
膜タクトを向上することができる。
【００１８】また、放電を停止しないために、常時、予
備スパッタしている状態となっているため、ターゲット
１ａの表面組成が変化せず、基板２に堆積する膜の組成
が安定することとなる。
備スパッタしている状態となっているため、ターゲット
１ａの表面組成が変化せず、基板２に堆積する膜の組成
が安定することとなる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、連続成膜の場合に放電
を停止せずに成膜を行うことができ、放電発生工程を無
くし、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性を向上する
ことができる。
を停止せずに成膜を行うことができ、放電発生工程を無
くし、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性を向上する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例のスパッタリング装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】従来例のスパッタリング装置の概略構成図であ
る。
る。
１ カソード ３ 基板ホルダー ６ 第１の真空ポンプ ７ 第１のガス供給系 ８ 第１の調圧弁 ９ 反応室チャンバー １０ 第２の真空ポンプ １１ 予備室チャンバー １２ 第１のゲート弁 １３ 第２のゲート弁 １４ 第２のガス供給系 １５ 第２の調圧弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−124270（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−25231（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタリングガスが供給された反応室
チャンバー内を、所定のスパッタ圧に調圧しながら、基
板を載置する基板ホルダーに対向するカソードに電圧を
印加することでプラズマを発生させ、前記基板に膜形成
処理を行うスパッタリング方法において、予備室チャン
バーを所定の真空度まで真空排気した後スパッタリング
ガスを導入し、前記スパッタ圧に至った段階で、予備室
チャンバーと前記反応室チャンバーとの間のゲート弁を
開き、予備室チャンバー内の基板を反応室チャンバーの
基板ホルダー上に移載し、前記ゲート弁を閉じた後、反
応室チャンバーにおいて膜形成処理を行い、膜形成処理
後、前記カソードに印加する電圧を低下させたうえで、
前記ゲート弁を再び開き、前記基板を反応室チャンバー
から前記スパッタ圧に維持された予備室チャンバーに移
載して戻すことを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項２】 膜形成処理後のカソードに印加する電圧
の低下は、放電が消えない最小のパワーまでの電圧の低
下である請求項１記載のスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914492A JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914492A JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339722A JPH05339722A (ja) | 1993-12-21 |
| JP3354591B2 true JP3354591B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=15468733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914492A Expired - Fee Related JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3354591B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5095242B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-12-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| JP2011144450A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14914492A patent/JP3354591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05339722A (ja) | 1993-12-21 |
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