JPH1050508A - 抵抗値制御膜およびその製造方法 - Google Patents
抵抗値制御膜およびその製造方法Info
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- JPH1050508A JPH1050508A JP8198628A JP19862896A JPH1050508A JP H1050508 A JPH1050508 A JP H1050508A JP 8198628 A JP8198628 A JP 8198628A JP 19862896 A JP19862896 A JP 19862896A JP H1050508 A JPH1050508 A JP H1050508A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般的に抵抗値の大きい誘電体や絶縁体など
の膜において、この膜を製造する際、膜中にカーボンを
分散させることで、膜が有する本来の高い抵抗値を低下
させた抵抗値制御膜の製造方法の提供。 【解決手段】 真空中で基板上に誘電体や絶縁体などの
抵抗値の大きな膜を製造する方法において、膜の製造中
に炭化水素系ガスを導入し、プラズマまたは熱分解によ
り生成したカーボンを膜中に分散させて膜の抵抗値を低
下させた抵抗値制御膜の製造方法。
の膜において、この膜を製造する際、膜中にカーボンを
分散させることで、膜が有する本来の高い抵抗値を低下
させた抵抗値制御膜の製造方法の提供。 【解決手段】 真空中で基板上に誘電体や絶縁体などの
抵抗値の大きな膜を製造する方法において、膜の製造中
に炭化水素系ガスを導入し、プラズマまたは熱分解によ
り生成したカーボンを膜中に分散させて膜の抵抗値を低
下させた抵抗値制御膜の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗値制御膜および
その製造方法に関し、更に詳しくは、スパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法により誘電体や絶
縁体などの膜を基板上に製造する際、膜中にカーボンを
分散させて、抵抗値を低下させた抵抗値制御膜およびそ
の製造方法に関する。
その製造方法に関し、更に詳しくは、スパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法により誘電体や絶
縁体などの膜を基板上に製造する際、膜中にカーボンを
分散させて、抵抗値を低下させた抵抗値制御膜およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より誘電体や絶縁体などの抵抗値の
大きな膜としては、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2（酸化ケイ素）等の酸化物膜、Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケ
イ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の窒化物膜、Ｓ
ｉＯxＮy（酸窒化ケイ素）、ＡｌＯxＮy（酸窒化アルミ
ニウム）等の酸窒化物膜が知られている。
大きな膜としては、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、Ｓ
ｉＯ2（酸化ケイ素）等の酸化物膜、Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケ
イ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の窒化物膜、Ｓ
ｉＯxＮy（酸窒化ケイ素）、ＡｌＯxＮy（酸窒化アルミ
ニウム）等の酸窒化物膜が知られている。
【０００３】従来、これら高抵抗の抵抗値を制御するに
は、 1) ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法で膜を製造
する場合、膜製造中の真空圧力を制御することにより、
膜の密度をバルク状態と比較して小さくしたり、 2) 同じくＰＶＤ法で膜の製造中の真空雰囲気（例えば
酸素分圧、水蒸気分圧、窒素分圧等）を制御することに
より、膜中の組成を微小制御したり、 3) 同じくＰＶＤ法において、膜の製造中に、膜が堆積
していく過程の基板に対して熱、プラズマ、イオン、ラ
ジカル等でエネルギーや衝撃を加えることで、膜の組成
を微小制御したり、膜の構造を変化させることで可能で
あった。
は、 1) ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法で膜を製造
する場合、膜製造中の真空圧力を制御することにより、
膜の密度をバルク状態と比較して小さくしたり、 2) 同じくＰＶＤ法で膜の製造中の真空雰囲気（例えば
酸素分圧、水蒸気分圧、窒素分圧等）を制御することに
より、膜中の組成を微小制御したり、 3) 同じくＰＶＤ法において、膜の製造中に、膜が堆積
していく過程の基板に対して熱、プラズマ、イオン、ラ
ジカル等でエネルギーや衝撃を加えることで、膜の組成
を微小制御したり、膜の構造を変化させることで可能で
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、抵抗値
の制御範囲（バルクの値に対する抵抗値の変化量）が小
さく、例えば室温状態において、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミ
ニウム）の抵抗値を１０10Ωｃｍ〜１０9Ωｃｍまで小
さくすることは不可能であった。
の制御範囲（バルクの値に対する抵抗値の変化量）が小
さく、例えば室温状態において、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミ
ニウム）の抵抗値を１０10Ωｃｍ〜１０9Ωｃｍまで小
さくすることは不可能であった。
【０００５】 バルク、室温での抵抗値を下記に示す。 Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム） １０12Ωｃｍ〜１０14Ωｃｍ ＳｉＯ2（酸化ケイ素） １０11Ωｃｍ Ｓｉ3Ｎ4（窒化ケイ素） １０14Ωｃｍ ＡｌＮ（窒化アルミニウム） １０13Ωｃｍ ＳｉＯxＮy（酸窒化ケイ素） １０14Ωｃｍ ＡｌＯxＮy（酸窒化アルミニウム） １０13Ωｃｍ。
【０００６】また、真空の圧力を制御する場合、抵抗値
を小さくするには、膜の密度を小さくするため、膜の硬
度低下、耐電圧の低下、表面平滑性の悪化を引き起こし
てしまう。
を小さくするには、膜の密度を小さくするため、膜の硬
度低下、耐電圧の低下、表面平滑性の悪化を引き起こし
てしまう。
【０００７】また、真空の雰囲気を制御する場合、微量
のガス分圧制御を行わねばならず、その再現性を確保す
ることは困難である。
のガス分圧制御を行わねばならず、その再現性を確保す
ることは困難である。
【０００８】また、膜にエネルギー、衝撃を加えるため
には、特別な加熱源、プラズマ源を必要としたり、基板
を支持するホルダーの構造が特殊で複雑な構造が必要と
なる。
には、特別な加熱源、プラズマ源を必要としたり、基板
を支持するホルダーの構造が特殊で複雑な構造が必要と
なる。
【０００９】このように従来の抵抗値の大きな誘電体や
絶縁体の膜の抵抗値を容易に低下させることは困難であ
る。
絶縁体の膜の抵抗値を容易に低下させることは困難であ
る。
【００１０】本発明はかかる従来の問題点を解消し、抵
抗値を低下させた抵抗値制御膜およびその製造方法を提
供することを目的とする。
抗値を低下させた抵抗値制御膜およびその製造方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の抵抗値制御膜
は、誘電体や絶縁体などの抵抗値の大きな膜中にカーボ
ンを分散させて抵抗値を低下させたことを特徴とする。
は、誘電体や絶縁体などの抵抗値の大きな膜中にカーボ
ンを分散させて抵抗値を低下させたことを特徴とする。
【００１２】本発明の抵抗値制御膜の製造方法は、真空
中で基板上に誘電体や絶縁体などの抵抗値の大きな膜を
製造する方法において、膜の製造中に炭化水素系ガスを
導入し、プラズマまたは熱分解により生成したカーボン
を膜中に分散させて膜の抵抗値を低下させることを特徴
とする。
中で基板上に誘電体や絶縁体などの抵抗値の大きな膜を
製造する方法において、膜の製造中に炭化水素系ガスを
導入し、プラズマまたは熱分解により生成したカーボン
を膜中に分散させて膜の抵抗値を低下させることを特徴
とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】従来からの簡便で安価な、また、
装置構造が簡単で取り扱い容易なスパッタリング法また
は、蒸着法を用いることで、安く、短時間で製造するこ
とが出来、膜の抵抗値制御が可能である。
装置構造が簡単で取り扱い容易なスパッタリング法また
は、蒸着法を用いることで、安く、短時間で製造するこ
とが出来、膜の抵抗値制御が可能である。
【００１４】また、膜中に分散させるカーボンの供給源
として膜の製造中に炭化水素系ガスを導入する。
として膜の製造中に炭化水素系ガスを導入する。
【００１５】図１は本発明の抵抗値制御膜の製造方法を
実施するための装置の１例を示すものであり、スパッタ
リング法で基板上に抵抗値制御膜を製造するための装置
を示す。
実施するための装置の１例を示すものであり、スパッタ
リング法で基板上に抵抗値制御膜を製造するための装置
を示す。
【００１６】図中、１は成膜室を示し、成膜室１内を真
空ポンプ等の真空排気系２に排気バルブ３を介して接続
し、成膜室１内を所定の圧力に設定出来るようした。
空ポンプ等の真空排気系２に排気バルブ３を介して接続
し、成膜室１内を所定の圧力に設定出来るようした。
【００１７】また、成膜室１にガス導入系４を介してマ
スフローコントローラー５を備えるガス供給源（図示せ
ず）に接続し、該ガス導入系４よりスパッタリングガ
ス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを導入すると共に、成
膜室１にガス導入系６を介してマスフローコントローラ
ー７を備えるガス供給源（図示せず）に接続し、該ガス
導入系６より成膜中の膜にカーボンを分散させるための
炭化水素系ガス、例えばメタン（ＣＨ4）ガスを導入す
るようにした。
スフローコントローラー５を備えるガス供給源（図示せ
ず）に接続し、該ガス導入系４よりスパッタリングガ
ス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを導入すると共に、成
膜室１にガス導入系６を介してマスフローコントローラ
ー７を備えるガス供給源（図示せず）に接続し、該ガス
導入系６より成膜中の膜にカーボンを分散させるための
炭化水素系ガス、例えばメタン（ＣＨ4）ガスを導入す
るようにした。
【００１８】また、成膜室１内の上方に抵抗値制御膜を
成膜するための例えば抵抗値数Ω程度のＳｉウエハーか
ら成る基板８を配設し、成膜室１内の下方であって、基
板８に対向する位置に例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウ
ム）から成るターゲット９をカソード１０を介して配設
した。
成膜するための例えば抵抗値数Ω程度のＳｉウエハーか
ら成る基板８を配設し、成膜室１内の下方であって、基
板８に対向する位置に例えばＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウ
ム）から成るターゲット９をカソード１０を介して配設
した。
【００１９】そして、カソード１０にＲＦ電源１１より
電力を印加してターゲット９をスパッタリングするよう
にした。
電力を印加してターゲット９をスパッタリングするよう
にした。
【００２０】また、基板８とターゲット９との間にはシ
ャッター１２を配設した。
ャッター１２を配設した。
【００２１】尚、図中、１３はＲＦ電源１１のマッチン
グボックス、１４、１５はガス導入系のバルブを夫々示
す。
グボックス、１４、１５はガス導入系のバルブを夫々示
す。
【００２２】図２は本発明の抵抗値制御膜の製造方法を
実施するための装置の他の例を示すもので、蒸着法で基
板上に抵抗値制御膜を製造するための装置を示す。
実施するための装置の他の例を示すもので、蒸着法で基
板上に抵抗値制御膜を製造するための装置を示す。
【００２３】図中、２１は成膜室を示し、成膜室２１内
を真空ポンプ等の真空排気系２２に排気バルブ２３を介
して接続し、成膜室２１内を所定の圧力に設定出来るよ
うにした。
を真空ポンプ等の真空排気系２２に排気バルブ２３を介
して接続し、成膜室２１内を所定の圧力に設定出来るよ
うにした。
【００２４】また、成膜室２１にガス導入系２４を介し
てマスフローコントローラー２５を備えるガス供給源
（図示せず）に接続し、該ガス導入系２４より成膜中の
膜にカーボンを分散させるための炭化水素系ガス、例え
ばメタン（ＣＨ4）ガスを導入するようにした。
てマスフローコントローラー２５を備えるガス供給源
（図示せず）に接続し、該ガス導入系２４より成膜中の
膜にカーボンを分散させるための炭化水素系ガス、例え
ばメタン（ＣＨ4）ガスを導入するようにした。
【００２５】また、成膜室２１内の上方に抵抗値制御膜
を成膜するための例えば表面に金属膜電極を形成したガ
ラスから成る基板２６を配設し、基板２６の背後には基
板２６を加熱するための基板加熱ヒーター２７を配設し
た。
を成膜するための例えば表面に金属膜電極を形成したガ
ラスから成る基板２６を配設し、基板２６の背後には基
板２６を加熱するための基板加熱ヒーター２７を配設し
た。
【００２６】また、成膜室２１内の下方であって基板２
６に対向する位置に抵抗値膜の原料２８を蒸発させるた
めの蒸発源２９を配設した。
６に対向する位置に抵抗値膜の原料２８を蒸発させるた
めの蒸発源２９を配設した。
【００２７】そして、蒸発源２９内の原料２８をＥＢ電
源３０に連設せる電子銃３１よりの電子ビームで加熱す
るようにした。
源３０に連設せる電子銃３１よりの電子ビームで加熱す
るようにした。
【００２８】また、基板２６と蒸発源２９との間にはシ
ャッター３２を配設した。
ャッター３２を配設した。
【００２９】尚、図中、３３は基板加熱ヒーター２７の
リフレクター、３４はガス導入系のバルブを夫々示す。
リフレクター、３４はガス導入系のバルブを夫々示す。
【００３０】［作用］成膜室内へガス導入系より導入さ
れた炭化水素系ガスは、膜の成膜中に用いるプラズマや
熱によって分解され、生成されたカーボンが目的とする
基板上に堆積する膜中に分散されて抵抗値が低下した抵
抗値制御膜が形成される。
れた炭化水素系ガスは、膜の成膜中に用いるプラズマや
熱によって分解され、生成されたカーボンが目的とする
基板上に堆積する膜中に分散されて抵抗値が低下した抵
抗値制御膜が形成される。
【００３１】また、分散させるカーボンの量を制御する
ことで、膜の抵抗値を制御することが出来る。
ことで、膜の抵抗値を制御することが出来る。
【００３２】この膜は簡便な抵抗制御性があると共に、
例えば膜材が酸化アルミニウムの場合は、酸化アルミニ
ウム膜が本来有する絶縁耐圧性、膜の硬度、膜の耐磨耗
性、耐薬品性も兼ね備えるものである。
例えば膜材が酸化アルミニウムの場合は、酸化アルミニ
ウム膜が本来有する絶縁耐圧性、膜の硬度、膜の耐磨耗
性、耐薬品性も兼ね備えるものである。
【００３３】
【実施例】本発明の抵抗値制御膜の製造方法の具体的実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００３４】実施例１ 本実施例は前記図１に示す装置を用いてスパッタリング
法で酸化アルミニウム膜の成膜中にカーボンを分散させ
て抵抗値を低下させた抵抗値制御膜を製造する１例であ
る。
法で酸化アルミニウム膜の成膜中にカーボンを分散させ
て抵抗値を低下させた抵抗値制御膜を製造する１例であ
る。
【００３５】ターゲット９には大きさφ６インチ(150m
m)×ｔ５mmの酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いた。
m)×ｔ５mmの酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いた。
【００３６】また、基板８には大きさ40mm×40mm×厚さ
1mmのＳｉウエハーを用いた。
1mmのＳｉウエハーを用いた。
【００３７】スパッタリングガスには純度99.999％のア
ルゴン（Ａｒ）ガスを用い、また、炭化水素系ガスには
純度99.9％のメタン（ＣＨ4）ガスを用いた。
ルゴン（Ａｒ）ガスを用い、また、炭化水素系ガスには
純度99.9％のメタン（ＣＨ4）ガスを用いた。
【００３８】先ず、ターゲット９をカソード１０上に載
置した。また、基板８を成膜室１内の所定位置に保持し
た。尚、シャッター１２は閉じた状態とした。
置した。また、基板８を成膜室１内の所定位置に保持し
た。尚、シャッター１２は閉じた状態とした。
【００３９】次に、成膜室１内の圧力を真空排気系２に
より10-4Pa(10-6Torr)台まで真空排気した後、成膜室１
内にガス導入系４よりアルゴン（Ａｒ）ガスを60sccm、
また、ガス導入系６よりメタン（ＣＨ4）ガスを所定量
導入して、成膜室１内の圧力を0.67Pa(5×10-3Torr)に
した。
より10-4Pa(10-6Torr)台まで真空排気した後、成膜室１
内にガス導入系４よりアルゴン（Ａｒ）ガスを60sccm、
また、ガス導入系６よりメタン（ＣＨ4）ガスを所定量
導入して、成膜室１内の圧力を0.67Pa(5×10-3Torr)に
した。
【００４０】続いて、シャッター１２を開いた状態で、
カソード１０にＲＦ電力1.0kWを投入して、ターゲット
９にスパッタリングを行い、基板８上に成膜速度1.5μ
ｍ／分で膜厚5μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
を堆積させると共に、メタン（ＣＨ4）ガスがプラズマ
で分解して生成したカーボンを同時に基板８上の酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜中に分散させた。基板８上に
カーボンを分散させた酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
の成膜後、シャッター１２を閉じた。
カソード１０にＲＦ電力1.0kWを投入して、ターゲット
９にスパッタリングを行い、基板８上に成膜速度1.5μ
ｍ／分で膜厚5μｍの酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
を堆積させると共に、メタン（ＣＨ4）ガスがプラズマ
で分解して生成したカーボンを同時に基板８上の酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜中に分散させた。基板８上に
カーボンを分散させた酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
の成膜後、シャッター１２を閉じた。
【００４１】そして、スパッタリング中のメタン（ＣＨ
4）ガスの導入量(sccm)と、製造された酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2Ｏ3）膜の比抵抗値（Ωｃｍ）を調べたとこ
ろ、次の通りであった。
4）ガスの導入量(sccm)と、製造された酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2Ｏ3）膜の比抵抗値（Ωｃｍ）を調べたとこ
ろ、次の通りであった。
【００４２】 メタン（ＣＨ4）ガスの導入量(sccm) 比抵抗値（Ωｃｍ） ０ 2.8×1013 １ 9.3×1012 ６ 2.9×1010 また、スパッタリング中のメタン（ＣＨ4）ガスの導入
量(sccm)と、製造された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）
膜のビッカース硬度(Hv)を調べたところ、次の通りであ
った。
量(sccm)と、製造された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）
膜のビッカース硬度(Hv)を調べたところ、次の通りであ
った。
【００４３】 メタン（ＣＨ4）ガスの導入量(sccm) ビッカース硬度(Hv) ０ ７００ １ ４５０ ６ ３００ 前記スパッタリング中のメタン（ＣＨ4）ガスの導入量
(sccm)と、製造された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
の比抵抗値（Ωｃｍ）との関係、およびスパッタリング
中のメタン（ＣＨ4）ガスの導入量(sccm)と、製造され
た酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜のビッカース硬度(H
v)との関係から明らかなように、膜中へのカーボン混入
量が増加すると比抵抗値が小さくなり、膜の硬度も小さ
くなる傾向であることが分かる。
(sccm)と、製造された酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜
の比抵抗値（Ωｃｍ）との関係、およびスパッタリング
中のメタン（ＣＨ4）ガスの導入量(sccm)と、製造され
た酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜のビッカース硬度(H
v)との関係から明らかなように、膜中へのカーボン混入
量が増加すると比抵抗値が小さくなり、膜の硬度も小さ
くなる傾向であることが分かる。
【００４４】前記実施例では絶縁体である酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）膜をスパッタリング法を用いて製造す
る方法を示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、窒化物膜や酸窒化物膜でもよく、蒸着法やイオン
プレーティング法を用いてもよい。また、成膜中にメタ
ン（ＣＨ4）ガスを導入したが、炭化水素系ガスであれ
ばよく、例えばエチレン（Ｃ2Ｈ4）ガスでもよい。
ウム（Ａｌ2Ｏ3）膜をスパッタリング法を用いて製造す
る方法を示したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、窒化物膜や酸窒化物膜でもよく、蒸着法やイオン
プレーティング法を用いてもよい。また、成膜中にメタ
ン（ＣＨ4）ガスを導入したが、炭化水素系ガスであれ
ばよく、例えばエチレン（Ｃ2Ｈ4）ガスでもよい。
【００４５】
【発明の効果】本発明の抵抗値制御膜によるときは、抵
抗値が大きい誘電体や絶縁体などの膜中にカーボンを分
散させたので、膜が有する本来の高い抵抗値を低下させ
た抵抗値制御膜を提供することが出来る効果がある。
抗値が大きい誘電体や絶縁体などの膜中にカーボンを分
散させたので、膜が有する本来の高い抵抗値を低下させ
た抵抗値制御膜を提供することが出来る効果がある。
【００４６】本発明の抵抗値制御膜の製造方法によると
きは、膜の製造中に炭化水素系ガスを導入し、プラズマ
または熱分解により生成したカーボンを膜中に分散させ
るようにしたので、抵抗値が大きい膜の抵抗値を低下さ
せることが出来て、膜が有する本来の高い抵抗値を低下
させた抵抗値制御膜を容易に製造することが出来る効果
がある。また、分散させるカーボン量を制御することに
より、膜の抵抗値を制御することが出来る。
きは、膜の製造中に炭化水素系ガスを導入し、プラズマ
または熱分解により生成したカーボンを膜中に分散させ
るようにしたので、抵抗値が大きい膜の抵抗値を低下さ
せることが出来て、膜が有する本来の高い抵抗値を低下
させた抵抗値制御膜を容易に製造することが出来る効果
がある。また、分散させるカーボン量を制御することに
より、膜の抵抗値を制御することが出来る。
【図１】 本発明の抵抗値制御膜の製造方法を実施する
ための装置の１例を示す截断面図、
ための装置の１例を示す截断面図、
【図２】 本発明の抵抗値制御膜の製造方法を実施する
ための装置の他の例を示す截断面図。
ための装置の他の例を示す截断面図。
１ 成膜室、 ２ 真空排気系、 ３ 排気
バルブ、４、６ ガス導入系、 ５、７ マスフ
ローコントローラー、８ 基板、 ９ ターゲッ
ト、 １０ カソード、１１ ＲＦ電源、 １
２ シャッター、１３ マルチングボックス、
１４、１５ ガス導入系バルブ、２１ 成膜室、
２２ 真空排気系、 ２３ 排気バルブ、２４
ガス導入系、 ２５ マスフローコントローラ
ー、２６ 基板、 ２７ 加熱ヒーター、 ２
８ 原料、２９ 蒸発源、 ３０ ＥＢ電源、
３１ 電子銃、３２ シャッター、 ３３
リフレクター、３４ ガス導入バルブ。
バルブ、４、６ ガス導入系、 ５、７ マスフ
ローコントローラー、８ 基板、 ９ ターゲッ
ト、 １０ カソード、１１ ＲＦ電源、 １
２ シャッター、１３ マルチングボックス、
１４、１５ ガス導入系バルブ、２１ 成膜室、
２２ 真空排気系、 ２３ 排気バルブ、２４
ガス導入系、 ２５ マスフローコントローラ
ー、２６ 基板、 ２７ 加熱ヒーター、 ２
８ 原料、２９ 蒸発源、 ３０ ＥＢ電源、
３１ 電子銃、３２ シャッター、 ３３
リフレクター、３４ ガス導入バルブ。
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体や絶縁体などの抵抗値の大きな膜
中にカーボンを分散させて抵抗値を低下させたことを特
徴とする抵抗値制御膜。 - 【請求項２】 真空中で基板上に誘電体や絶縁体などの
抵抗値の大きな膜を製造する方法において、膜の製造中
に炭化水素系ガスを導入し、プラズマまたは熱分解によ
り生成したカーボンを膜中に分散させて膜の抵抗値を低
下させることを特徴とする抵抗値制御膜の製造方法。の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198628A JPH1050508A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 抵抗値制御膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8198628A JPH1050508A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 抵抗値制御膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050508A true JPH1050508A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16394368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8198628A Pending JPH1050508A (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 抵抗値制御膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050508A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238493A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 電気化学デバイス |
| JP2009238487A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 電気化学デバイス |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP8198628A patent/JPH1050508A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238493A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Tdk Corp | 電気化学デバイス |
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