JPH07109569A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH07109569A JPH07109569A JP27760193A JP27760193A JPH07109569A JP H07109569 A JPH07109569 A JP H07109569A JP 27760193 A JP27760193 A JP 27760193A JP 27760193 A JP27760193 A JP 27760193A JP H07109569 A JPH07109569 A JP H07109569A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 第１の蒸発源２１上に薄膜の膜厚を検知する
第１の膜厚センサ４３を設け、第２の蒸発源２３上に薄
膜の膜厚を検知する第２の膜厚センサ４３を設け、第１
と第２の膜厚センサの中間位置に、薄膜の膜厚を検知す
る第３の膜厚センサ４５を設け、これら各膜厚センサか
らの測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向
における薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上
に形成される最終膜厚を制御する。 【効果】 薄膜堆積ゾーン内で基板を連続的に移送しつ
つ、中間点で基板の幅方向での膜厚分布を測定して、形
成される最終膜厚をフィードバック制御することによ
り、大型基板または大量移送基板の幅方向での均一性を
保ち安定して薄膜形成することができ、特に、大型パネ
ル、フラットパネル等への薄膜形成に好適である。
第１の膜厚センサ４３を設け、第２の蒸発源２３上に薄
膜の膜厚を検知する第２の膜厚センサ４３を設け、第１
と第２の膜厚センサの中間位置に、薄膜の膜厚を検知す
る第３の膜厚センサ４５を設け、これら各膜厚センサか
らの測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向
における薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上
に形成される最終膜厚を制御する。 【効果】 薄膜堆積ゾーン内で基板を連続的に移送しつ
つ、中間点で基板の幅方向での膜厚分布を測定して、形
成される最終膜厚をフィードバック制御することによ
り、大型基板または大量移送基板の幅方向での均一性を
保ち安定して薄膜形成することができ、特に、大型パネ
ル、フラットパネル等への薄膜形成に好適である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、連続量産薄膜形成装
置、大型基板への薄膜形成、長尺シートないしはフィル
ムへの薄膜形成等に応用される薄膜形成方法に関し、特
に、形成される薄膜の膜厚制御方法に関する。
置、大型基板への薄膜形成、長尺シートないしはフィル
ムへの薄膜形成等に応用される薄膜形成方法に関し、特
に、形成される薄膜の膜厚制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空蒸着、スパッタリング等により基板
上に種々の機能薄膜、例えば反射防止膜、表面保護膜、
透明導電膜等を形成することは従来から幅広い分野で行
われている。従来は、ガラス、プラスチック等の基板を
ホルダーで支持し、ホルダーを回転（公転）させつつ蒸
着ないしはスパッタリングすることにより、基板上に薄
膜を形成しており、この結果、ホルダー上の基板にはほ
ぼ均一の膜厚の薄膜が形成されていた。また、膜厚の均
一化を図るために、ホルダーをドーム状にし蒸発源から
の距離を均等化したり、蒸発源と基板との間に補正板
（じゃま板）を配設し、蒸発源から基板に飛翔・到達す
る蒸着物質の量を制御していた。さらに、多層反射防止
膜のように各層の膜厚の精度が最終特性にシビアな影響
を与えるものについては、光学的膜厚監視装置を用い、
光学的膜厚がλ／４となる毎に透過率または反射率が極
大値あるいは極小値を示すことを利用して、高精度の膜
厚制御が行われていた。
上に種々の機能薄膜、例えば反射防止膜、表面保護膜、
透明導電膜等を形成することは従来から幅広い分野で行
われている。従来は、ガラス、プラスチック等の基板を
ホルダーで支持し、ホルダーを回転（公転）させつつ蒸
着ないしはスパッタリングすることにより、基板上に薄
膜を形成しており、この結果、ホルダー上の基板にはほ
ぼ均一の膜厚の薄膜が形成されていた。また、膜厚の均
一化を図るために、ホルダーをドーム状にし蒸発源から
の距離を均等化したり、蒸発源と基板との間に補正板
（じゃま板）を配設し、蒸発源から基板に飛翔・到達す
る蒸着物質の量を制御していた。さらに、多層反射防止
膜のように各層の膜厚の精度が最終特性にシビアな影響
を与えるものについては、光学的膜厚監視装置を用い、
光学的膜厚がλ／４となる毎に透過率または反射率が極
大値あるいは極小値を示すことを利用して、高精度の膜
厚制御が行われていた。
【０００３】一方、連続薄膜形成装置の開発も進められ
ており、予備排気加熱室−薄膜形成室（一槽の場合も多
槽の場合もある）−後処理室（徐冷、取出室）を連設
し、各室間にゲートバルブを設け、薄膜形成室の真空雰
囲気を破ることなく連続して多層反射防止膜等の高精度
の機能薄膜を形成している。薄膜形成室の蒸発源として
は、電子銃等の加熱蒸発源、スパッタリングターゲット
等が用いられているが、いずれの場合にも基板は薄膜形
成室内で一旦停止、あるいはホルダーに搭載・回転され
て薄膜が形成されている。したがって、１ロットの基板
上には均一な薄膜が堆積されていくので、基板の任意の
一点あるいは別途のモニター基板上に形成されていく薄
膜の膜厚を光学式膜厚監視装置等により検知することに
よって、膜厚の制御を行うことができた。
ており、予備排気加熱室−薄膜形成室（一槽の場合も多
槽の場合もある）−後処理室（徐冷、取出室）を連設
し、各室間にゲートバルブを設け、薄膜形成室の真空雰
囲気を破ることなく連続して多層反射防止膜等の高精度
の機能薄膜を形成している。薄膜形成室の蒸発源として
は、電子銃等の加熱蒸発源、スパッタリングターゲット
等が用いられているが、いずれの場合にも基板は薄膜形
成室内で一旦停止、あるいはホルダーに搭載・回転され
て薄膜が形成されている。したがって、１ロットの基板
上には均一な薄膜が堆積されていくので、基板の任意の
一点あるいは別途のモニター基板上に形成されていく薄
膜の膜厚を光学式膜厚監視装置等により検知することに
よって、膜厚の制御を行うことができた。
【０００４】しかしながら、液晶ディスプレイの前面パ
ネルに多層反射防止膜を形成する等、大型基板に対して
高精度に膜厚管理された単層ないし多層薄膜を形成する
要求が近年増大している。これら大型基板を従来のよう
にドーム状のホルダーに搭載し、回転させて薄膜を形成
することは可能であるが、装置の大型化を招き、生産効
率が悪くなる。また、液晶ディスプレイの前面パネルの
ような角形の基板を、回転する円錐形のホルダーに搭載
すると、どうしても無駄になる部分が増加してくる。
基板を連続的に薄膜形成ゾーンに搬送しつつ、基板上に
薄膜を形成することは、連続プラスチックフィルム上に
アルミニウム薄膜を形成する分野において行われてい
る。しかしながら、この場合の膜厚管理はラフであり、
多層反射防止膜等の光学薄膜のように高精度な膜厚管理
が要求される分野においては、そのまま適用することが
できない。
ネルに多層反射防止膜を形成する等、大型基板に対して
高精度に膜厚管理された単層ないし多層薄膜を形成する
要求が近年増大している。これら大型基板を従来のよう
にドーム状のホルダーに搭載し、回転させて薄膜を形成
することは可能であるが、装置の大型化を招き、生産効
率が悪くなる。また、液晶ディスプレイの前面パネルの
ような角形の基板を、回転する円錐形のホルダーに搭載
すると、どうしても無駄になる部分が増加してくる。
基板を連続的に薄膜形成ゾーンに搬送しつつ、基板上に
薄膜を形成することは、連続プラスチックフィルム上に
アルミニウム薄膜を形成する分野において行われてい
る。しかしながら、この場合の膜厚管理はラフであり、
多層反射防止膜等の光学薄膜のように高精度な膜厚管理
が要求される分野においては、そのまま適用することが
できない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、薄膜堆積ゾ
ーン内で基板を移送しつつ連続的に基板に対して均一な
膜厚の薄膜を形成することを目的とし、特に基板の移送
方向と直交する方向における薄膜の膜厚分布をとること
を目的とする。
ーン内で基板を移送しつつ連続的に基板に対して均一な
膜厚の薄膜を形成することを目的とし、特に基板の移送
方向と直交する方向における薄膜の膜厚分布をとること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、薄膜堆積ゾーン内で基板を該ゾーンの出発点から終
点に向けて移送しつつ、蒸発源から薄膜形成物質を基板
上に飛翔せしめて、基板上に薄膜を堆積させ、該出発点
と終点との間の中間測定点で基板上に堆積した薄膜の膜
厚を検知して測定し、この測定値に基づいて、薄膜堆積
ゾーンの終点までに形成される基板上の薄膜の膜厚を制
御する薄膜形成方法であって基板の移送方向と直交する
方向に離間せしめ、基板と対向するように第１および第
２の蒸発源を設け、主に第１の蒸発源から薄膜形成物質
が飛翔する基板の通過位置に、基板に形成された薄膜の
膜厚を検知する第１の膜厚センサを設け、主に第２の蒸
発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通過位置に、基
板に形成された薄膜の膜厚を検知する第２の膜厚センサ
を設け、上記第１と第２の膜厚センサの中間位置に、基
板に形成された薄膜の膜厚を検知する第３の膜厚センサ
を設け、これら第１、第２および第３の膜厚センサから
の測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向に
おける薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上に
形成される最終膜厚を制御することを特徴とする。
は、薄膜堆積ゾーン内で基板を該ゾーンの出発点から終
点に向けて移送しつつ、蒸発源から薄膜形成物質を基板
上に飛翔せしめて、基板上に薄膜を堆積させ、該出発点
と終点との間の中間測定点で基板上に堆積した薄膜の膜
厚を検知して測定し、この測定値に基づいて、薄膜堆積
ゾーンの終点までに形成される基板上の薄膜の膜厚を制
御する薄膜形成方法であって基板の移送方向と直交する
方向に離間せしめ、基板と対向するように第１および第
２の蒸発源を設け、主に第１の蒸発源から薄膜形成物質
が飛翔する基板の通過位置に、基板に形成された薄膜の
膜厚を検知する第１の膜厚センサを設け、主に第２の蒸
発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通過位置に、基
板に形成された薄膜の膜厚を検知する第２の膜厚センサ
を設け、上記第１と第２の膜厚センサの中間位置に、基
板に形成された薄膜の膜厚を検知する第３の膜厚センサ
を設け、これら第１、第２および第３の膜厚センサから
の測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向に
おける薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上に
形成される最終膜厚を制御することを特徴とする。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の実施例を示す説明図であ
り、真空蒸着法により薄膜を形成する場合を示してい
る。図２は、図１の上面図であり、基板７１と、蒸発源
２１，２３、受光素子４１，４３，４５（膜厚セン
サ）、最終膜厚規制板１９（１９ａ〜１９ｆの集合体）
の関係のみを示している。また、図３は図１の矢視Ａ方
向から見た説明図であり、基板７１、蒸発源２１，２
３、発光素子３１，３３，３５、受光素子４１，４３，
４５との関係のみを示している。
り、真空蒸着法により薄膜を形成する場合を示してい
る。図２は、図１の上面図であり、基板７１と、蒸発源
２１，２３、受光素子４１，４３，４５（膜厚セン
サ）、最終膜厚規制板１９（１９ａ〜１９ｆの集合体）
の関係のみを示している。また、図３は図１の矢視Ａ方
向から見た説明図であり、基板７１、蒸発源２１，２
３、発光素子３１，３３，３５、受光素子４１，４３，
４５との関係のみを示している。
【０００８】真空排気された蒸着室１１内には、基板ホ
ルダ（図示せず）に支持された大型で角形の基板７１が
連続的に移送され、蒸着室１１内で停止することなく、
蒸着室１１内を左から右方向に所定速度で移動する。基
板７１は、次々と順次蒸着室１１に送り込まれ、大量の
基板７１に連続的に薄膜を形成する。基板７１として
は、ガラス、プラスチック等の透明基板が好適である。
なお、図１では基板７１を１枚毎に移送する場合を想定
して示しているが、多数の基板を１つのホルダーに搭載
し、ホルダー単位で移送してもよく、また。プラスチッ
クシートないしはフィルムの場合は、ホルダーを用いる
ことなくそれ自体を搬送してもよい。
ルダ（図示せず）に支持された大型で角形の基板７１が
連続的に移送され、蒸着室１１内で停止することなく、
蒸着室１１内を左から右方向に所定速度で移動する。基
板７１は、次々と順次蒸着室１１に送り込まれ、大量の
基板７１に連続的に薄膜を形成する。基板７１として
は、ガラス、プラスチック等の透明基板が好適である。
なお、図１では基板７１を１枚毎に移送する場合を想定
して示しているが、多数の基板を１つのホルダーに搭載
し、ホルダー単位で移送してもよく、また。プラスチッ
クシートないしはフィルムの場合は、ホルダーを用いる
ことなくそれ自体を搬送してもよい。
【０００９】蒸着室１１内には、第１の蒸発源２１、第
２の蒸発源２３、水晶発振子１５、固定膜厚規制板１
７、最終膜厚補正板１９が設けられ、また、発光素子３
１〜３５、受光素子４１〜４５および透過型膜厚検出装
置５１が設けられている。なお、これに替え、反射型膜
厚検出装置およびそのための発光・受光素子、あるいは
他の原理の膜厚検出装置を用いることもできる。
２の蒸発源２３、水晶発振子１５、固定膜厚規制板１
７、最終膜厚補正板１９が設けられ、また、発光素子３
１〜３５、受光素子４１〜４５および透過型膜厚検出装
置５１が設けられている。なお、これに替え、反射型膜
厚検出装置およびそのための発光・受光素子、あるいは
他の原理の膜厚検出装置を用いることもできる。
【００１０】蒸発源２１，２３としては、電子銃による
加熱のものを図１では想定して示しているが、抵抗加熱
型蒸発源、誘導加熱型蒸発源、スパッタリング用ターゲ
ット等いずれでもよい。水晶発振子１５は、蒸発源２
１，２３からの薄膜形成物質の蒸発速度を検知するもの
であり、制御装置６１によりこの速度を制御する。蒸発
源２１，２３からは、ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｚ
ｒＯ2等の薄膜形成物質が間断なく連続的に蒸発され、
基板７１が固定補正板１７と最終膜厚補正板１９との間
を移送される時に、基板７１上に薄膜が堆積される。す
なわち、固定補正板１７の右端と、最終膜厚補正板１９
の左端との間が薄膜堆積ゾーンを形成する。
加熱のものを図１では想定して示しているが、抵抗加熱
型蒸発源、誘導加熱型蒸発源、スパッタリング用ターゲ
ット等いずれでもよい。水晶発振子１５は、蒸発源２
１，２３からの薄膜形成物質の蒸発速度を検知するもの
であり、制御装置６１によりこの速度を制御する。蒸発
源２１，２３からは、ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｚ
ｒＯ2等の薄膜形成物質が間断なく連続的に蒸発され、
基板７１が固定補正板１７と最終膜厚補正板１９との間
を移送される時に、基板７１上に薄膜が堆積される。す
なわち、固定補正板１７の右端と、最終膜厚補正板１９
の左端との間が薄膜堆積ゾーンを形成する。
【００１１】蒸着室１１内には、基板７１の移送方向と
直交する方向（以下、基板の幅方向と呼ぶ）に、基板７
１と対向するようにして第１の蒸発源２１および第２の
蒸発源２３が設けられている。基板７１の移送方向をＹ
軸、基板７１の幅方向をＸ軸としたＸ−Ｙ座標を想定す
ると、同じＸ座標上に第１および第２の蒸発源２１，２
３が配設され、膜厚センサである第１、第２および第３
の受光素子４１，４３，４５が同一Ｘ座標上に、また第
１、第２および第３の発光素子３１，３３，３５も同一
Ｘ座標上に配置されている。
直交する方向（以下、基板の幅方向と呼ぶ）に、基板７
１と対向するようにして第１の蒸発源２１および第２の
蒸発源２３が設けられている。基板７１の移送方向をＹ
軸、基板７１の幅方向をＸ軸としたＸ−Ｙ座標を想定す
ると、同じＸ座標上に第１および第２の蒸発源２１，２
３が配設され、膜厚センサである第１、第２および第３
の受光素子４１，４３，４５が同一Ｘ座標上に、また第
１、第２および第３の発光素子３１，３３，３５も同一
Ｘ座標上に配置されている。
【００１２】図１〜３では、第１の蒸発源２１と第１の
受光素子４１（膜厚監視ポイント）を同一Ｙ座標上に、
また、第２の蒸発源２３と第２の受光素子４３とを同一
のＹ座標上に設けている場合を示しているが、これに限
定されず、第１〜第３の受光素子４１〜４５による膜厚
測定により、基板７１の幅方向における膜厚分布を検出
できれば、いずれでもよい。基本的には、第１、第２お
よび第３の受光素子４１，４３および４５を同一Ｘ軸上
に配設し、第１の蒸発源２１と第１の受光素子４１との
Ｙ座標距離と、第２の蒸発源２３と第２の受光素子４３
とのＹ座標距離とを略均等とすればよい。一方、第３の
受光素子４５（膜厚センサ）は、第１および第２の受光
素子４１，４３の中間に配設される。
受光素子４１（膜厚監視ポイント）を同一Ｙ座標上に、
また、第２の蒸発源２３と第２の受光素子４３とを同一
のＹ座標上に設けている場合を示しているが、これに限
定されず、第１〜第３の受光素子４１〜４５による膜厚
測定により、基板７１の幅方向における膜厚分布を検出
できれば、いずれでもよい。基本的には、第１、第２お
よび第３の受光素子４１，４３および４５を同一Ｘ軸上
に配設し、第１の蒸発源２１と第１の受光素子４１との
Ｙ座標距離と、第２の蒸発源２３と第２の受光素子４３
とのＹ座標距離とを略均等とすればよい。一方、第３の
受光素子４５（膜厚センサ）は、第１および第２の受光
素子４１，４３の中間に配設される。
【００１３】光ファイバーの先端部等からなる発光素子
３１，３３，３５から、特定波長の光を、薄膜の形成さ
れた基板７１に照射し、これを受光素子４１，４３，４
５で受光し、透過型膜厚監視装置５１で透過率を測定す
る。基板７１と形成される薄膜の屈折率は既値であるの
で、形成された薄膜の光学的膜厚を、透過率から求める
ことができる。また、測定点が固定されており、一方、
基板７１は順次移送されてくるので初期設定条件に変動
がなければ、常に同じ膜厚（透過率）が測定されるはず
である。しかし実際には変動は避けられない。そこで実
際に測定された膜厚値を制御装置６１で、予め設定され
た基準値と比較し、基準値よりも小さければその差分に
応じて最終膜厚補正板１９を開き、薄膜形成ゾーンの距
離を大きくする。逆に、形成された薄膜の膜厚が基準値
よりも小さい場合は、最終膜厚補正板１９を閉じる方向
に回動させる。
３１，３３，３５から、特定波長の光を、薄膜の形成さ
れた基板７１に照射し、これを受光素子４１，４３，４
５で受光し、透過型膜厚監視装置５１で透過率を測定す
る。基板７１と形成される薄膜の屈折率は既値であるの
で、形成された薄膜の光学的膜厚を、透過率から求める
ことができる。また、測定点が固定されており、一方、
基板７１は順次移送されてくるので初期設定条件に変動
がなければ、常に同じ膜厚（透過率）が測定されるはず
である。しかし実際には変動は避けられない。そこで実
際に測定された膜厚値を制御装置６１で、予め設定され
た基準値と比較し、基準値よりも小さければその差分に
応じて最終膜厚補正板１９を開き、薄膜形成ゾーンの距
離を大きくする。逆に、形成された薄膜の膜厚が基準値
よりも小さい場合は、最終膜厚補正板１９を閉じる方向
に回動させる。
【００１４】具体的には、基板７１の幅方向の３点の測
点ポイントで得られた膜厚をあらかじめシュミレーショ
ンしてある基準的な膜厚分布と比較し、その差分を検出
する。そして、この差分に応じて、基板７１の幅方向で
均一な薄膜が形成され、かつ、最終的に形成される最終
膜厚が所定範囲となるように制御される。最終膜厚補正
板１９は、基板７１の幅方向に１９ａ〜１９ｆと６分割
されており、これを個別に制御して、基板７１の幅方向
で薄膜堆積ゾーンの長さを別個に制御することにより、
基板７１の幅方向での膜厚分布および最終膜厚を制御で
きる。
点ポイントで得られた膜厚をあらかじめシュミレーショ
ンしてある基準的な膜厚分布と比較し、その差分を検出
する。そして、この差分に応じて、基板７１の幅方向で
均一な薄膜が形成され、かつ、最終的に形成される最終
膜厚が所定範囲となるように制御される。最終膜厚補正
板１９は、基板７１の幅方向に１９ａ〜１９ｆと６分割
されており、これを個別に制御して、基板７１の幅方向
で薄膜堆積ゾーンの長さを別個に制御することにより、
基板７１の幅方向での膜厚分布および最終膜厚を制御で
きる。
【００１５】なお、最終膜厚補正板１９の機構は、図１
に示した回動タイプに限定されず、例えば図１で左右方
向に伸長←→短縮するスライドタイプのものでもよい。
また、薄膜形成ゾーンの距離を変更する以外に、蒸発源
２１，２３からの薄膜形成物質の蒸発速度を個別に制御
することによっても、基板の幅方向での膜厚分布および
最終膜厚を調整することができる。また、中間での膜厚
測定を１つのＹ座標上で行なう場合を示したが、複数の
Ｙ座標上で薄膜の膜厚を検知してもよい。
に示した回動タイプに限定されず、例えば図１で左右方
向に伸長←→短縮するスライドタイプのものでもよい。
また、薄膜形成ゾーンの距離を変更する以外に、蒸発源
２１，２３からの薄膜形成物質の蒸発速度を個別に制御
することによっても、基板の幅方向での膜厚分布および
最終膜厚を調整することができる。また、中間での膜厚
測定を１つのＹ座標上で行なう場合を示したが、複数の
Ｙ座標上で薄膜の膜厚を検知してもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜堆積ゾーン内で基
板を連続的に移送しつつ、中間点で基板の幅方向での膜
厚分布を測定して、形成される最終膜厚をフィードバッ
ク制御することにより、大型基板または大量移送基板の
幅方向での均一性を保ち安定して薄膜形成することがで
き、特に、大型パネル、フラットパネル等への薄膜形成
に好適である。
板を連続的に移送しつつ、中間点で基板の幅方向での膜
厚分布を測定して、形成される最終膜厚をフィードバッ
ク制御することにより、大型基板または大量移送基板の
幅方向での均一性を保ち安定して薄膜形成することがで
き、特に、大型パネル、フラットパネル等への薄膜形成
に好適である。
【図１】本発明の薄膜形成方法の実施例を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】図１の一部構成部材の関係を示す上面図であ
る。
る。
【図３】図１の矢視Ａ方向から見た一部構成部材の関係
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１１ 蒸着室 １５ 水晶発振子 １７ 固定補正板 １９ 最終膜厚補正板 ２１，２３ 蒸発源 ３１，３３，３５ 発光素子 ４１，４３，４５ 受光素子 ５１ 透過型膜厚監視装置 ６１ 制御装置 ７１ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜堆積ゾーン内で基板を該ゾーンの出
発点から終点に向けて移送しつつ、蒸発源から薄膜形成
物質を基板上に飛翔せしめて、基板上に薄膜を堆積さ
せ、 該出発点と終点との間の中間測定点で基板上に堆積した
薄膜の膜厚を検知して測定し、 この測定値に基づいて、薄膜堆積ゾーンの終点までに形
成される基板上の薄膜の膜厚を制御する薄膜形成方法で
あって基板の移送方向と直交する方向に離間せしめ、基
板と対向するように第１および第２の蒸発源を設け、 主に第１の蒸発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通
過位置に、基板に形成された薄膜の膜厚を検知する第１
の膜厚センサを設け、 主に第２の蒸発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通
過位置に、基板に形成された薄膜の膜厚を検知する第２
の膜厚センサを設け、 上記第１と第２の膜厚センサの中間位置に、基板に形成
された薄膜の膜厚を検知する第３の膜厚センサを設け、 これら第１、第２および第３の膜厚センサからの測定値
に基づいて、基板の移送方向と直交する方向における薄
膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上に形成され
る最終膜厚を制御することを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 蒸発源と基板との間を遮り、蒸発源から
の薄膜形成物質の飛翔を制限する最終膜厚補正部材の制
限位置を、基板の移送方向の直交方向で変化させること
により、薄膜堆積ゾーンの終点位置を、基板の移送方向
の直交方向で個別に調整して膜厚分布および最終膜厚を
制御する請求項１に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 単位時間当たりに蒸発源から飛翔する薄
膜形成物質の量を、第１および第２の蒸発源で個別に調
整することにより、膜厚分布および最終膜厚を制御する
請求項１または２に記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27760193A JPH07109569A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27760193A JPH07109569A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07109569A true JPH07109569A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17585711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27760193A Pending JPH07109569A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08315432A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nippondenso Co Ltd | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| WO2002061166A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de pulverisation |
| WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
| KR101470729B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-12-09 | 주식회사 야스 | 선형 증착율 센서 |
| CN115537760A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及蒸发源单元 |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP27760193A patent/JPH07109569A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08315432A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nippondenso Co Ltd | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| WO2002061166A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de pulverisation |
| WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| US6863785B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-03-08 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering apparatus and sputter film deposition method |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
| KR101470729B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2014-12-09 | 주식회사 야스 | 선형 증착율 센서 |
| CN115537760A (zh) * | 2021-06-30 | 2022-12-30 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、成膜方法及蒸发源单元 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |