JPH08315432A - 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体の製造装置及び製造方法Info
- Publication number
- JPH08315432A JPH08315432A JP7116058A JP11605895A JPH08315432A JP H08315432 A JPH08315432 A JP H08315432A JP 7116058 A JP7116058 A JP 7116058A JP 11605895 A JP11605895 A JP 11605895A JP H08315432 A JPH08315432 A JP H08315432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film thickness
- film
- light
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の上に形成される膜の膜厚を精度良く検
出し、膜厚精度が高い光情報記録媒体を製造する。 【構成】 投光器７から基板ホルダー３に取付けられた
モニター基板５に光を照射し、モニター基板５で反射し
た光を受光器１０で検出する。膜厚コントローラには、
受光器１０で検出された光のエネルギー反射率と、モニ
ター基板５の上に形成される膜の膜厚との関係が記憶さ
れており、上記エネルギー反射率を求めることにより、
モニター基板５上に形成された膜の膜厚を求めることが
できるようになっている。このように、光を直接膜に照
射して膜厚を求めることができるため、膜厚を精度良く
検出することができる。したがって、膜厚精度が高い光
情報記録媒体を製造することができる。
出し、膜厚精度が高い光情報記録媒体を製造する。 【構成】 投光器７から基板ホルダー３に取付けられた
モニター基板５に光を照射し、モニター基板５で反射し
た光を受光器１０で検出する。膜厚コントローラには、
受光器１０で検出された光のエネルギー反射率と、モニ
ター基板５の上に形成される膜の膜厚との関係が記憶さ
れており、上記エネルギー反射率を求めることにより、
モニター基板５上に形成された膜の膜厚を求めることが
できるようになっている。このように、光を直接膜に照
射して膜厚を求めることができるため、膜厚を精度良く
検出することができる。したがって、膜厚精度が高い光
情報記録媒体を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録媒体の製造
装置および製造方法に関する。
装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、再生専用型（ＲＯＭ型）、追記
型、書換型の光情報記録媒体が開発されている。これら
の光情報記録媒体は、電子ビーム、イオンプレーティン
グ、イオンアシストなどの真空蒸着法やスパッタリング
法などの手法を用い、基板上に複数の膜を所定の膜厚で
積層形成する装置により製造される。
型、書換型の光情報記録媒体が開発されている。これら
の光情報記録媒体は、電子ビーム、イオンプレーティン
グ、イオンアシストなどの真空蒸着法やスパッタリング
法などの手法を用い、基板上に複数の膜を所定の膜厚で
積層形成する装置により製造される。
【０００３】上記製造装置において、各膜の膜厚制御
は、水晶片に電極を取付けた水晶振動子をターゲット材
料または蒸着源のイオンが飛ぶ軌道上に位置するように
ターゲット近傍に設け、その水晶振動子にイオンが衝突
して発生する振動の数を計測してターゲットから基板へ
飛んだイオンの量を求め、そのイオン量から基板上に形
成された膜の膜厚を推定することにより行われる。
は、水晶片に電極を取付けた水晶振動子をターゲット材
料または蒸着源のイオンが飛ぶ軌道上に位置するように
ターゲット近傍に設け、その水晶振動子にイオンが衝突
して発生する振動の数を計測してターゲットから基板へ
飛んだイオンの量を求め、そのイオン量から基板上に形
成された膜の膜厚を推定することにより行われる。
【０００４】また、スパッタリング法を用いるものにお
いては、スパッタリング時間と膜厚との関係を予め求め
ておき、スパッタリング時間を測定することにより膜厚
を推定するものもある。
いては、スパッタリング時間と膜厚との関係を予め求め
ておき、スパッタリング時間を測定することにより膜厚
を推定するものもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、水晶振動子を
用いるものは、水晶振動子にイオンが堆積して振動数が
変化するため、膜厚の検出精度が低いという問題があ
る。しかも、ターゲットまたは蒸着源の交換を行うため
に水晶振動子を取り外し、再度、水晶振動子を取付ける
場合に、その取付位置がずれてしまうと、膜厚の検出精
度が低くなるという問題もある。
用いるものは、水晶振動子にイオンが堆積して振動数が
変化するため、膜厚の検出精度が低いという問題があ
る。しかも、ターゲットまたは蒸着源の交換を行うため
に水晶振動子を取り外し、再度、水晶振動子を取付ける
場合に、その取付位置がずれてしまうと、膜厚の検出精
度が低くなるという問題もある。
【０００６】また、スパッタリング時間を測定するもの
は、チャンバー内の清掃やターゲット材料の交換などに
より、最初に設定された成膜条件がずれてくるため、や
はり膜厚の検出精度が低いという問題がある。そこで本
発明は、光情報記録媒体の製造において、膜厚の検出精
度を高めることを目的とする。
は、チャンバー内の清掃やターゲット材料の交換などに
より、最初に設定された成膜条件がずれてくるため、や
はり膜厚の検出精度が低いという問題がある。そこで本
発明は、光情報記録媒体の製造において、膜厚の検出精
度を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的を達
成するため、請求項１に記載の発明では、光情報記録媒
体（４０）を構成する基板（４）を基板取付手段（３）
の一の面に取付けて回転させ、前記基板（４）上に形成
される膜（４２〜４６）の材料（２）の粒子を前記基板
（４）上に堆積させることにより、前記基板（４）上に
膜（４２〜４６）を形成する光情報記録媒体（４０）の
製造装置であって、前記基板取付手段（３）の一の面に
取付けられるモニター基板（５）と、前記モニター基板
（５）に光を照射する光照射手段（７）と、前記光照射
手段（７、８）から前記モニター基板（５）に照射さ
れ、前記モニター基板（５）にて変化された光を検出す
る光検出手段（９、１０）と、前記光検出手段（９、１
０）により検出された光に基づいて、前記基板（４）上
に形成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算するととも
に、この演算された膜厚に基づいて前記材料（２）の粒
子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上への
堆積量を調整する堆積量調整手段（１２、ステップＳ１
〜Ｓ５）とを備えるという技術的手段を採用する。
成するため、請求項１に記載の発明では、光情報記録媒
体（４０）を構成する基板（４）を基板取付手段（３）
の一の面に取付けて回転させ、前記基板（４）上に形成
される膜（４２〜４６）の材料（２）の粒子を前記基板
（４）上に堆積させることにより、前記基板（４）上に
膜（４２〜４６）を形成する光情報記録媒体（４０）の
製造装置であって、前記基板取付手段（３）の一の面に
取付けられるモニター基板（５）と、前記モニター基板
（５）に光を照射する光照射手段（７）と、前記光照射
手段（７、８）から前記モニター基板（５）に照射さ
れ、前記モニター基板（５）にて変化された光を検出す
る光検出手段（９、１０）と、前記光検出手段（９、１
０）により検出された光に基づいて、前記基板（４）上
に形成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算するととも
に、この演算された膜厚に基づいて前記材料（２）の粒
子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上への
堆積量を調整する堆積量調整手段（１２、ステップＳ１
〜Ｓ５）とを備えるという技術的手段を採用する。
【０００８】請求項２に記載の発明では、光情報記録媒
体（４０）を構成する膜（４２〜４６）が上に形成され
る基板（４）と、前記基板（４）を一の面に取付ける基
板取付手段（３）と、前記基板取付手段（３）の一の面
に取付けられ、前記膜（４２〜４６）が上に形成される
モニター基板（５）と、前記基板取付手段（３）を回転
させる回転手段（１３）と、前記膜（４２〜４６）の材
料源（２）と、前記材料源（２）の粒子を前記基板
（４）およびモニター基板（５）の上に堆積させて前記
膜（４２〜４６）を形成する成膜手段（１、６、１１、
１６）と、前記モニター基板（５）上に光を照射する光
照射手段（７）と、前記光照射手段（７）から前記モニ
ター基板（５）に照射され、前記モニター基板（５）に
て変化された光を検出する光検出手段（９、１０）と、
前記光検出手段（９、１０）により検出された光に基づ
いて、前記基板（４）上に形成された膜（４２〜４６）
の膜厚を演算するとともに、前記演算された膜厚に基づ
いて前記成膜手段（１、６、１１、１６）による前記材
料源（２）の粒子の前記基板（４）およびモニター基板
（５）の上への堆積量を調整する堆積量調整手段（１
２、ステップＳ１〜Ｓ５）と、を備えたという技術的手
段を採用する。
体（４０）を構成する膜（４２〜４６）が上に形成され
る基板（４）と、前記基板（４）を一の面に取付ける基
板取付手段（３）と、前記基板取付手段（３）の一の面
に取付けられ、前記膜（４２〜４６）が上に形成される
モニター基板（５）と、前記基板取付手段（３）を回転
させる回転手段（１３）と、前記膜（４２〜４６）の材
料源（２）と、前記材料源（２）の粒子を前記基板
（４）およびモニター基板（５）の上に堆積させて前記
膜（４２〜４６）を形成する成膜手段（１、６、１１、
１６）と、前記モニター基板（５）上に光を照射する光
照射手段（７）と、前記光照射手段（７）から前記モニ
ター基板（５）に照射され、前記モニター基板（５）に
て変化された光を検出する光検出手段（９、１０）と、
前記光検出手段（９、１０）により検出された光に基づ
いて、前記基板（４）上に形成された膜（４２〜４６）
の膜厚を演算するとともに、前記演算された膜厚に基づ
いて前記成膜手段（１、６、１１、１６）による前記材
料源（２）の粒子の前記基板（４）およびモニター基板
（５）の上への堆積量を調整する堆積量調整手段（１
２、ステップＳ１〜Ｓ５）と、を備えたという技術的手
段を採用する。
【０００９】請求項３に記載の発明では、請求項２に記
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記成膜手段
（１、６、１１、１６）は、前記材料源（２）をスパッ
タリングすることにより前記材料源（２）の粒子を前記
基板（４）およびモニター基板（５）の上に堆積して成
膜するものであるという技術的手段を採用する。請求項
４に記載の発明では、請求項２に記載の光情報記録媒体
の製造装置において、前記成膜手段（１、６、１１、１
６）は、前記材料源（２）の粒子を前記基板（４）およ
びモニター基板（５）の上に真空蒸着させて成膜するも
のであるという技術的手段を採用する。
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記成膜手段
（１、６、１１、１６）は、前記材料源（２）をスパッ
タリングすることにより前記材料源（２）の粒子を前記
基板（４）およびモニター基板（５）の上に堆積して成
膜するものであるという技術的手段を採用する。請求項
４に記載の発明では、請求項２に記載の光情報記録媒体
の製造装置において、前記成膜手段（１、６、１１、１
６）は、前記材料源（２）の粒子を前記基板（４）およ
びモニター基板（５）の上に真空蒸着させて成膜するも
のであるという技術的手段を採用する。
【００１０】請求項５に記載の発明では、請求項１ない
し４のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装置
において、前記回転手段（１３）により、前記基板取付
手段（３）が回転されたときに、前記光照射手段（７）
から照射された光が前記モニター基板（５）に照射され
るタイミングを検出するタイミング検出手段（１３、Ｓ
１）が備えられており、前記堆積量調整手段（１２、ス
テップＳ１〜Ｓ５）は、前記タイミング検出手段（１
３、Ｓ１）により検出されたタイミングに応じて前記演
算および堆積量の調整を行うものであるという技術的手
段を採用する。
し４のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装置
において、前記回転手段（１３）により、前記基板取付
手段（３）が回転されたときに、前記光照射手段（７）
から照射された光が前記モニター基板（５）に照射され
るタイミングを検出するタイミング検出手段（１３、Ｓ
１）が備えられており、前記堆積量調整手段（１２、ス
テップＳ１〜Ｓ５）は、前記タイミング検出手段（１
３、Ｓ１）により検出されたタイミングに応じて前記演
算および堆積量の調整を行うものであるという技術的手
段を採用する。
【００１１】請求項６に記載の発明では、請求項１ない
し５のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装置
において、前記光検出手段（９、１０）は、前記光照射
手段（７）から前記モニター基板（５）へ照射されて前
記モニター基板（５）にて反射された反射光を検出する
ものであるという技術的手段を採用する。請求項７に記
載の発明では、請求項１ないし５のいずれか１つに記載
の光情報記録媒体の製造装置において、前記光検出手段
（９、１０）は、前記光照射手段（７）から前記モニタ
ー基板（５）へ照射されて前記モニター基板（５）を透
過した透過光を検出するものであるという技術的手段を
採用する。
し５のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装置
において、前記光検出手段（９、１０）は、前記光照射
手段（７）から前記モニター基板（５）へ照射されて前
記モニター基板（５）にて反射された反射光を検出する
ものであるという技術的手段を採用する。請求項７に記
載の発明では、請求項１ないし５のいずれか１つに記載
の光情報記録媒体の製造装置において、前記光検出手段
（９、１０）は、前記光照射手段（７）から前記モニタ
ー基板（５）へ照射されて前記モニター基板（５）を透
過した透過光を検出するものであるという技術的手段を
採用する。
【００１２】請求項８に記載の発明では、請求項６に記
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調
整手段（１２、ステップＳ１〜Ｓ５）は、前記光検出手
段（９、１０）により検出された反射光に基づいて前記
光照射手段（７）から照射された光の前記モニター基板
（５）に対するエネルギー反射率を演算するとともに、
そのエネルギー反射率に基づいて前記基板（４）上に形
成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算し、前記演算さ
れた膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源（２）
の粒子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上
への堆積量を調整するものであるという技術的手段を採
用する。
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調
整手段（１２、ステップＳ１〜Ｓ５）は、前記光検出手
段（９、１０）により検出された反射光に基づいて前記
光照射手段（７）から照射された光の前記モニター基板
（５）に対するエネルギー反射率を演算するとともに、
そのエネルギー反射率に基づいて前記基板（４）上に形
成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算し、前記演算さ
れた膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源（２）
の粒子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上
への堆積量を調整するものであるという技術的手段を採
用する。
【００１３】請求項９に記載の発明では、請求項６に記
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調
整手段（１２、ステップＳ１〜Ｓ５）は、前記光検出手
段（９、１０）により検出された透過光に基づいて前記
光照射手段（７）から照射された光の前記モニター基板
（５）に対するエネルギー透過率を演算するとともに、
そのエネルギー透過率に基づいて前記基板（４）上に形
成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算し、前記演算さ
れた膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源（２）
の粒子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上
への堆積量を調整するものであるという技術的手段を採
用する。
載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調
整手段（１２、ステップＳ１〜Ｓ５）は、前記光検出手
段（９、１０）により検出された透過光に基づいて前記
光照射手段（７）から照射された光の前記モニター基板
（５）に対するエネルギー透過率を演算するとともに、
そのエネルギー透過率に基づいて前記基板（４）上に形
成された膜（４２〜４６）の膜厚を演算し、前記演算さ
れた膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源（２）
の粒子の前記基板（４）およびモニター基板（５）の上
への堆積量を調整するものであるという技術的手段を採
用する。
【００１４】請求項１０に記載の発明では、請求項１な
いし９のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装
置において、前記堆積量調整手段（１２、ステップＳ１
〜Ｓ５）は、前記演算された膜厚が、所定の膜厚に達し
たことを判定する判定手段（Ｓ４）を備えており、前記
判定手段（Ｓ４）による判定結果が、前記演算された膜
厚が前記所定の膜厚に達したという判定結果である場合
に、前記材料源（２）の粒子の前記基板（４）およびモ
ニター基板（５）の上への堆積を停止するものであると
いう技術的手段を採用する。
いし９のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装
置において、前記堆積量調整手段（１２、ステップＳ１
〜Ｓ５）は、前記演算された膜厚が、所定の膜厚に達し
たことを判定する判定手段（Ｓ４）を備えており、前記
判定手段（Ｓ４）による判定結果が、前記演算された膜
厚が前記所定の膜厚に達したという判定結果である場合
に、前記材料源（２）の粒子の前記基板（４）およびモ
ニター基板（５）の上への堆積を停止するものであると
いう技術的手段を採用する。
【００１５】請求項１１に記載の発明では、光情報記録
媒体（４０）を構成する膜（４２〜４６）を形成する材
料（２）の粒子を基板（４）上に所定の成膜条件下で堆
積して膜を形成する成膜工程（工程１００〜５００）
と、前記基板上に形成した膜に光を照射するとともに、
前記膜にて変化した光を検出し、前記検出した光に基づ
いて前記基板上に形成する膜を所定の膜厚に制御する膜
厚制御工程（工程６００、７００）と、を備え、前記各
工程（１００〜７００）を前記基板（４）上に形成され
る複数膜（４２〜４６）のそれぞれの膜に対応する成膜
条件下で繰り返すことにより（工程８００）、前記基板
（４）上に複数の膜（４２〜４６）を積層形成するとい
う技術的手段を採用する。
媒体（４０）を構成する膜（４２〜４６）を形成する材
料（２）の粒子を基板（４）上に所定の成膜条件下で堆
積して膜を形成する成膜工程（工程１００〜５００）
と、前記基板上に形成した膜に光を照射するとともに、
前記膜にて変化した光を検出し、前記検出した光に基づ
いて前記基板上に形成する膜を所定の膜厚に制御する膜
厚制御工程（工程６００、７００）と、を備え、前記各
工程（１００〜７００）を前記基板（４）上に形成され
る複数膜（４２〜４６）のそれぞれの膜に対応する成膜
条件下で繰り返すことにより（工程８００）、前記基板
（４）上に複数の膜（４２〜４６）を積層形成するとい
う技術的手段を採用する。
【００１６】請求項１２に記載の発明では、請求項１１
に記載の光情報記録媒体の製造方法において、前記成膜
工程（工程１００〜５００）は、材料源（２）をスパッ
タリングすることにより前記材料源（２）の粒子を前記
基板（４）上に堆積して成膜するものであるという技術
的手段を採用する。請求項１３に記載の発明では、請求
項１１に記載の光情報記録媒体の製造方法において、前
記成膜工程（工程１００〜５００）は、材料源（２）の
粒子を前記基板（４）上に真空蒸着させて成膜するもの
であるという技術的手段を採用する。
に記載の光情報記録媒体の製造方法において、前記成膜
工程（工程１００〜５００）は、材料源（２）をスパッ
タリングすることにより前記材料源（２）の粒子を前記
基板（４）上に堆積して成膜するものであるという技術
的手段を採用する。請求項１３に記載の発明では、請求
項１１に記載の光情報記録媒体の製造方法において、前
記成膜工程（工程１００〜５００）は、材料源（２）の
粒子を前記基板（４）上に真空蒸着させて成膜するもの
であるという技術的手段を採用する。
【００１７】請求項１４に記載の発明では、請求項１１
乃至１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜より検出した光の反射率が予めプログラ
ムされている反射率の膜厚依存性と比較することによ
り、前記膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料
（２）の粒子の前記基板（４）上への堆積量を調整する
ものであるという技術的手段を採用する。
乃至１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜より検出した光の反射率が予めプログラ
ムされている反射率の膜厚依存性と比較することによ
り、前記膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料
（２）の粒子の前記基板（４）上への堆積量を調整する
ものであるという技術的手段を採用する。
【００１８】請求項１５に記載の発明では、請求項１１
乃至１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜より検出した光の透過率が予めプログラ
ムされている透過率の膜厚依存性と比較することによ
り、前記膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料
（２）の粒子の前記基板（４）上への堆積量を調整する
ものであるという技術的手段を採用する。
乃至１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜より検出した光の透過率が予めプログラ
ムされている透過率の膜厚依存性と比較することによ
り、前記膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料
（２）の粒子の前記基板（４）上への堆積量を調整する
ものであるという技術的手段を採用する。
【００１９】請求項１６に記載の発明では、請求項１１
乃至１５のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜厚が、所定の膜厚に達したことを判定す
る判定工程（Ｓ４）を備えており、前記判定工程（Ｓ
４）による判定結果が、前記膜厚が前記所定の膜厚に達
したという判定結果である場合に、前記材料（２）の粒
子が前記基板（４）上への堆積を停止するものであると
いう技術的手段を採用する。
乃至１５のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
方法において、前記膜厚制御工程（工程６００、７０
０）は、前記膜厚が、所定の膜厚に達したことを判定す
る判定工程（Ｓ４）を備えており、前記判定工程（Ｓ
４）による判定結果が、前記膜厚が前記所定の膜厚に達
したという判定結果である場合に、前記材料（２）の粒
子が前記基板（４）上への堆積を停止するものであると
いう技術的手段を採用する。
【００２０】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施例に記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
する実施例に記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
【００２１】
【発明の作用効果】請求項１ないし１０に記載の発明に
よれば、光照射手段により照射された光がモニター基板
に照射されるようになっており、そのモニター基板にて
変化した光を光検出手段により検出することができる。
つまり、上記光検出手段により検出される光と上記基板
の上に形成される膜の膜厚との関係を予め求めておけ
ば、上記光を検出することにより上記基板上に形成され
た膜の膜厚を演算することができる。
よれば、光照射手段により照射された光がモニター基板
に照射されるようになっており、そのモニター基板にて
変化した光を光検出手段により検出することができる。
つまり、上記光検出手段により検出される光と上記基板
の上に形成される膜の膜厚との関係を予め求めておけ
ば、上記光を検出することにより上記基板上に形成され
た膜の膜厚を演算することができる。
【００２２】そして、堆積量調整手段により、上記演算
された膜厚が所定の膜厚になったときに上記膜を形成す
る材料源の粒子の上記基板およびモニター基板の上への
堆積量を調整することにより、上記膜を所定の膜厚に制
御することができる。上述のように、請求項１ないし１
０に記載の発明によれば、モニター基板に光を照射し、
そのモニター基板（基板）にて変化された光に基づいて
直接的に膜厚を求めることができ、上記従来のように、
水晶振動子に付着したイオンや成膜条件の変化による影
響を受けることがないため、膜厚の検出精度を高めるこ
とができる。
された膜厚が所定の膜厚になったときに上記膜を形成す
る材料源の粒子の上記基板およびモニター基板の上への
堆積量を調整することにより、上記膜を所定の膜厚に制
御することができる。上述のように、請求項１ないし１
０に記載の発明によれば、モニター基板に光を照射し、
そのモニター基板（基板）にて変化された光に基づいて
直接的に膜厚を求めることができ、上記従来のように、
水晶振動子に付着したイオンや成膜条件の変化による影
響を受けることがないため、膜厚の検出精度を高めるこ
とができる。
【００２３】請求項１１ないし１６に記載の発明によれ
ば、上記したような製造装置を用いて、精度の高い膜厚
を有する光情報記録媒体を製造することができる。
ば、上記したような製造装置を用いて、精度の高い膜厚
を有する光情報記録媒体を製造することができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１に基づいて
説明する。図１は、第１実施例の光情報記録媒体の製造
装置（以下、製造装置と略す）の主要構成を示す説明図
である。なお、本実施例ではスパッタリング法を用いた
製造装置を代表に説明する。
説明する。図１は、第１実施例の光情報記録媒体の製造
装置（以下、製造装置と略す）の主要構成を示す説明図
である。なお、本実施例ではスパッタリング法を用いた
製造装置を代表に説明する。
【００２５】真空チャンバー（以下、チャンバーと略
す）１の排気口６には、排気口６の開閉を行う真空バル
ブ（図示しない）が設けられており、その真空バルブに
はチャンバー１内の排気を行うロータリポンプ、クライ
オポンプ、拡散ポンプ、あるいはターボ分子ポンプ（図
示しない）が接続されている。チャンバー１のガス供給
口１１には、ガス供給口１１の開閉を行う真空バルブ
（図示しない）が設けられており、その真空バルブには
チャンバー１内へＡｒガス、Ｎ2 ガスなどを供給するガ
スボンベ（図示しない）が接続されている。
す）１の排気口６には、排気口６の開閉を行う真空バル
ブ（図示しない）が設けられており、その真空バルブに
はチャンバー１内の排気を行うロータリポンプ、クライ
オポンプ、拡散ポンプ、あるいはターボ分子ポンプ（図
示しない）が接続されている。チャンバー１のガス供給
口１１には、ガス供給口１１の開閉を行う真空バルブ
（図示しない）が設けられており、その真空バルブには
チャンバー１内へＡｒガス、Ｎ2 ガスなどを供給するガ
スボンベ（図示しない）が接続されている。
【００２６】チャンバー１の外部上方には、ロータリエ
ンコーダを備えたモータ１３が設けられている。そのモ
ータ１３の回転軸１３ａは、チャンバー１内に突出され
ており、その回転軸１３ａには回転軸１３ａを中心とす
る円盤形状の基板ホルダー３が取り付けられている。基
板ホルダー３の下面には、光情報記録媒体を構成する基
板４が複数取り付けられている。各基板４は、基板ホル
ダー３の下面に同じ軌道を公転するように水平姿勢で取
り付けられている。各基板４は、ガラスやプラスチック
などの材料で形成されている。
ンコーダを備えたモータ１３が設けられている。そのモ
ータ１３の回転軸１３ａは、チャンバー１内に突出され
ており、その回転軸１３ａには回転軸１３ａを中心とす
る円盤形状の基板ホルダー３が取り付けられている。基
板ホルダー３の下面には、光情報記録媒体を構成する基
板４が複数取り付けられている。各基板４は、基板ホル
ダー３の下面に同じ軌道を公転するように水平姿勢で取
り付けられている。各基板４は、ガラスやプラスチック
などの材料で形成されている。
【００２７】基板ホルダー３の下面の基板４と４の間に
は、シリコンやガラスなどの材料で形成された１枚のモ
ニター基板５が基板４と同じ姿勢で取り付けられてお
り、基板４および基板ホルダー５は、回転軸１３ａを中
心として自公転するようになっている。つまり、基板４
と同じ条件で取り付けられているモニター基板５の上に
形成された膜の膜厚を測定することにより、基板４の上
に形成された膜の膜厚を推定できるようになっている。
は、シリコンやガラスなどの材料で形成された１枚のモ
ニター基板５が基板４と同じ姿勢で取り付けられてお
り、基板４および基板ホルダー５は、回転軸１３ａを中
心として自公転するようになっている。つまり、基板４
と同じ条件で取り付けられているモニター基板５の上に
形成された膜の膜厚を測定することにより、基板４の上
に形成された膜の膜厚を推定できるようになっている。
【００２８】チャンバー１の内部底面であって基板４と
対向する位置には、スパッタ源である成膜材料としての
円盤形状のターゲット（以下、ターゲットと略す）２が
設けられている。ターゲット２の上面と基板４の下面と
は平行になっている。チャンバー１の外部下方には、上
記基板４の下面に形成された膜の膜厚を測定する光学式
膜厚計１４が設けられている。光学式膜厚計１４には、
膜厚測定用のレーザ光を出射する半導体レーザを備え
た、光照射手段としての投光器７が設けられており、投
光器７のレーザ光の出射方向には逆Ｖ字型のミラー８が
設けられている。ミラー８の上方であって、チャンバー
１の底部には、ミラー８で反射されたレーザ光とモニタ
ー基板５で反射されたレーザ光とが透過する検出窓１５
が設けられている。
対向する位置には、スパッタ源である成膜材料としての
円盤形状のターゲット（以下、ターゲットと略す）２が
設けられている。ターゲット２の上面と基板４の下面と
は平行になっている。チャンバー１の外部下方には、上
記基板４の下面に形成された膜の膜厚を測定する光学式
膜厚計１４が設けられている。光学式膜厚計１４には、
膜厚測定用のレーザ光を出射する半導体レーザを備え
た、光照射手段としての投光器７が設けられており、投
光器７のレーザ光の出射方向には逆Ｖ字型のミラー８が
設けられている。ミラー８の上方であって、チャンバー
１の底部には、ミラー８で反射されたレーザ光とモニタ
ー基板５で反射されたレーザ光とが透過する検出窓１５
が設けられている。
【００２９】ミラー８は、外面に反射コーティングが施
された反射面８ａおよび８ｂが形成されており、反射面
８ａは、投光器７から出射されたレーザ光を反射して、
その反射光を検出窓１５の鉛直方向に位置するモニター
基板５の下面に導く角度に設定されている。反射面８ｂ
は、上記モニター基板５で反射されたレーザ光を反射し
て光検出手段としてのフィルター９へ導く角度に設定さ
れている。
された反射面８ａおよび８ｂが形成されており、反射面
８ａは、投光器７から出射されたレーザ光を反射して、
その反射光を検出窓１５の鉛直方向に位置するモニター
基板５の下面に導く角度に設定されている。反射面８ｂ
は、上記モニター基板５で反射されたレーザ光を反射し
て光検出手段としてのフィルター９へ導く角度に設定さ
れている。
【００３０】フィルター９は、ミラー８の反射面８ｂで
反射された光を入射して、その入射された光のうちの余
分な光を濾過して測定精度を高める作用をする。フィル
ター９を通ったレーザ光の進行方向の光路上には、フィ
ルター９を通った光を入射し、その入射された光の光パ
ワーをその光パワーに応じた電気信号に変換する、光検
出手段としての受光器１０が設けられている。受光器１
０としては、モノクロメータ、半導体検出器、フォトマ
ルなどが用いられる。
反射された光を入射して、その入射された光のうちの余
分な光を濾過して測定精度を高める作用をする。フィル
ター９を通ったレーザ光の進行方向の光路上には、フィ
ルター９を通った光を入射し、その入射された光の光パ
ワーをその光パワーに応じた電気信号に変換する、光検
出手段としての受光器１０が設けられている。受光器１
０としては、モノクロメータ、半導体検出器、フォトマ
ルなどが用いられる。
【００３１】受光器１０と上記モータ１３のロータリエ
ンコーダとは、コンピュータを備えた膜厚コントローラ
１２に接続されており、膜厚コントローラ１２には受光
器１０により検出された光パワー信号と、上記ロータリ
エンコーダにより検出されたタイミング信号とが入力さ
れるようになっている。図２は上記コンピュータが行う
処理を示すフローチャートである。膜厚コントローラ１
２は、タイミング信号が入力されたときに（ステップＳ
１）、上記光パワー信号に基づいて上記モニター基板５
の上に形成された膜のエネルギー反射率（以下、反射率
と略す）を演算する（Ｓ２）。
ンコーダとは、コンピュータを備えた膜厚コントローラ
１２に接続されており、膜厚コントローラ１２には受光
器１０により検出された光パワー信号と、上記ロータリ
エンコーダにより検出されたタイミング信号とが入力さ
れるようになっている。図２は上記コンピュータが行う
処理を示すフローチャートである。膜厚コントローラ１
２は、タイミング信号が入力されたときに（ステップＳ
１）、上記光パワー信号に基づいて上記モニター基板５
の上に形成された膜のエネルギー反射率（以下、反射率
と略す）を演算する（Ｓ２）。
【００３２】上記反射率と上記膜の膜厚との関係は、図
４に示すように、最大の反射率（％）を示すときの膜厚
は（２ｎ−１）λ／４であり（ｎ：整数、λ：モニター
基板５に照射された光の波長）、最小の反射率（反射率
０）を示すときの膜厚はｎλ／２である。なお、図４に
示す反射率と膜厚との関係の周期は、膜の屈折率によっ
て変化しないが、グラフの曲線の勾配は、膜の屈折率に
よって変化する。
４に示すように、最大の反射率（％）を示すときの膜厚
は（２ｎ−１）λ／４であり（ｎ：整数、λ：モニター
基板５に照射された光の波長）、最小の反射率（反射率
０）を示すときの膜厚はｎλ／２である。なお、図４に
示す反射率と膜厚との関係の周期は、膜の屈折率によっ
て変化しないが、グラフの曲線の勾配は、膜の屈折率に
よって変化する。
【００３３】上記関係は膜厚コントローラ１２のコンピ
ュータにマップとして記憶されている。上記コンピュー
タは、上記演算された反射率に対応する膜厚のデータを
上記マップから抽出する（Ｓ３）。また、上記コンピュ
ータは、上記抽出された膜厚が予め記憶された指定の膜
厚であるか否かを判定し（Ｓ４）、指定の膜厚であると
判定したときに上記電源１６へ電源遮断信号を出力する
（Ｓ５）。
ュータにマップとして記憶されている。上記コンピュー
タは、上記演算された反射率に対応する膜厚のデータを
上記マップから抽出する（Ｓ３）。また、上記コンピュ
ータは、上記抽出された膜厚が予め記憶された指定の膜
厚であるか否かを判定し（Ｓ４）、指定の膜厚であると
判定したときに上記電源１６へ電源遮断信号を出力する
（Ｓ５）。
【００３４】基板ホルダー３とターゲット２には、スパ
ッタ用の電源１６が接続されており、基板ホルダー３と
ターゲット２との間に高周波、あるいはＤＣバイアスが
かかるようになっている。次に、上記構成の製造装置を
用いて光情報記録媒体を製造する方法について、図２な
いし図５に基づいて説明する。
ッタ用の電源１６が接続されており、基板ホルダー３と
ターゲット２との間に高周波、あるいはＤＣバイアスが
かかるようになっている。次に、上記構成の製造装置を
用いて光情報記録媒体を製造する方法について、図２な
いし図５に基づいて説明する。
【００３５】図３は光情報記録媒体の製造工程を示す工
程図、図５は製造すべき光情報記録媒体の部分断面を示
す模式図である。まず、投光器７から出射された光がミ
ラー８で反射され、モニター基板５に照射されるタイミ
ングと、モニター基板５に照射された光を検出するタイ
ミングとを一致させるために、モータ１３のロータリエ
ンコーダから出力されるパルス信号を膜厚コントローラ
１２に入力して上記タイミングを膜厚コントローラ１２
に設定する。
程図、図５は製造すべき光情報記録媒体の部分断面を示
す模式図である。まず、投光器７から出射された光がミ
ラー８で反射され、モニター基板５に照射されるタイミ
ングと、モニター基板５に照射された光を検出するタイ
ミングとを一致させるために、モータ１３のロータリエ
ンコーダから出力されるパルス信号を膜厚コントローラ
１２に入力して上記タイミングを膜厚コントローラ１２
に設定する。
【００３６】また、図５に示す光情報記録媒体４０の各
膜４２〜４６の指定膜厚（下層保護膜４２ａは８０ｎ
ｍ、下層保護膜４２ｂは１１０ｎｍ、下層保護膜４２ｃ
は２６０ｎｍ、下層保護膜４２ｄは２５０ｎｍ、記録膜
４３は５０ｎｍ、上層保護膜４４は２００ｎｍ、反射膜
４５は１００ｎｍ、反射防止膜４６ａは２０ｎｍ、反射
防止膜４６ｂは１８０ｎｍ）を膜厚コントローラ１２に
設定する。
膜４２〜４６の指定膜厚（下層保護膜４２ａは８０ｎ
ｍ、下層保護膜４２ｂは１１０ｎｍ、下層保護膜４２ｃ
は２６０ｎｍ、下層保護膜４２ｄは２５０ｎｍ、記録膜
４３は５０ｎｍ、上層保護膜４４は２００ｎｍ、反射膜
４５は１００ｎｍ、反射防止膜４６ａは２０ｎｍ、反射
防止膜４６ｂは１８０ｎｍ）を膜厚コントローラ１２に
設定する。
【００３７】次に、図１のチャンバー１を開けて基板４
を基板ホルダー３に取付け、成膜材料であるＴｉＯ2 で
形成されたターゲット２をチャンバー１の底部所定箇所
にセットする（図３の工程１００）。続いて排気口６の
真空バルブを開けてポンプを作動させ、チャンバー１内
を真空にする（工程２００）。続いてチャンバー１内の
圧力が５×１０Ｐａ以下になったらガス供給口１１の真
空バルブを開けてＡｒガスをチャンバー１内へ供給し、
チャンバー１内の圧力を１×１０Ｐａにする（工程３０
０）。
を基板ホルダー３に取付け、成膜材料であるＴｉＯ2 で
形成されたターゲット２をチャンバー１の底部所定箇所
にセットする（図３の工程１００）。続いて排気口６の
真空バルブを開けてポンプを作動させ、チャンバー１内
を真空にする（工程２００）。続いてチャンバー１内の
圧力が５×１０Ｐａ以下になったらガス供給口１１の真
空バルブを開けてＡｒガスをチャンバー１内へ供給し、
チャンバー１内の圧力を１×１０Ｐａにする（工程３０
０）。
【００３８】次に、ターゲット２の表面上の汚れなどを
取り除くためにＡｒガスをターゲット２の表面に吹きつ
けてプリスパッタリングを行う（工程４００）。続い
て、モータ１３を駆動させて基板ホルダー３を回転し、
光学式膜厚計１４を駆動させてレーザ光を基板ホルダー
３へ向けて照射させる。続いて、電源１６をＯＮし、基
板４およびモニター基板５とターゲット２との間に電圧
を印加してターゲット２のＴｉＯ2 を放電溶解させる。
そして、Ａｒガスをターゲット２の表面に吹きつけると
（スパッタリング）、ターゲット２からＴｉＯ2 のイオ
ンが飛び出して基板４の表面に付着する（工程５０
０）。
取り除くためにＡｒガスをターゲット２の表面に吹きつ
けてプリスパッタリングを行う（工程４００）。続い
て、モータ１３を駆動させて基板ホルダー３を回転し、
光学式膜厚計１４を駆動させてレーザ光を基板ホルダー
３へ向けて照射させる。続いて、電源１６をＯＮし、基
板４およびモニター基板５とターゲット２との間に電圧
を印加してターゲット２のＴｉＯ2 を放電溶解させる。
そして、Ａｒガスをターゲット２の表面に吹きつけると
（スパッタリング）、ターゲット２からＴｉＯ2 のイオ
ンが飛び出して基板４の表面に付着する（工程５０
０）。
【００３９】次に、膜厚コントローラ１２がロータリエ
ンコーダから出力される信号を入力して、膜厚コントロ
ーラ１２のコンピュータが、モニター基板５が検出窓１
５の鉛直方向を通過するタイミング、つまり、ミラー８
で反射された光がモニター基板５に照射されるタイミン
グであるか否かを判定する（ステップＳ１）。そして、
通過するタイミングであると判定されると、膜厚コント
ローラ１２は、受光器１０から入力された信号に基づい
て、モニター基板５の上に形成された膜に対するレーザ
光の反射率が演算され（Ｓ２）、その反射率に対応する
膜厚がマップから抽出される（Ｓ３）。
ンコーダから出力される信号を入力して、膜厚コントロ
ーラ１２のコンピュータが、モニター基板５が検出窓１
５の鉛直方向を通過するタイミング、つまり、ミラー８
で反射された光がモニター基板５に照射されるタイミン
グであるか否かを判定する（ステップＳ１）。そして、
通過するタイミングであると判定されると、膜厚コント
ローラ１２は、受光器１０から入力された信号に基づい
て、モニター基板５の上に形成された膜に対するレーザ
光の反射率が演算され（Ｓ２）、その反射率に対応する
膜厚がマップから抽出される（Ｓ３）。
【００４０】続いてその抽出された膜厚のデータと予め
設定記憶されている指定膜厚８０ｎｍとを比較し、上記
抽出された膜厚が指定膜厚に達したか否かが判定される
（Ｓ４、工程６００）。ここで、指定膜厚に達していな
いと判定された場合は、上記ステップＳ１へ戻り、上記
ステップＳ１〜Ｓ４が実行される。上記ステップＳ１〜
Ｓ４は、基板４の表面に形成された膜の膜厚が指定膜厚
に達するまで繰り返され、ステップＳ４において、指定
膜厚に達したと判定されると、膜厚コントローラ１２か
ら電源遮断信号が電源１６へ出力され、電源１６が遮断
される。そして、モータ１３および光学式膜厚計１４の
駆動が停止されて下層保護膜４２ａの成膜が終了する
（工程７００）。
設定記憶されている指定膜厚８０ｎｍとを比較し、上記
抽出された膜厚が指定膜厚に達したか否かが判定される
（Ｓ４、工程６００）。ここで、指定膜厚に達していな
いと判定された場合は、上記ステップＳ１へ戻り、上記
ステップＳ１〜Ｓ４が実行される。上記ステップＳ１〜
Ｓ４は、基板４の表面に形成された膜の膜厚が指定膜厚
に達するまで繰り返され、ステップＳ４において、指定
膜厚に達したと判定されると、膜厚コントローラ１２か
ら電源遮断信号が電源１６へ出力され、電源１６が遮断
される。そして、モータ１３および光学式膜厚計１４の
駆動が停止されて下層保護膜４２ａの成膜が終了する
（工程７００）。
【００４１】次に、ターゲット２の材料をＳｉＯ2 に交
換して上記工程およびステップを実行し、上記成膜され
た下層保護膜４２ａの上に下層保護膜４２ｂを膜厚１１
０ｎｍで積層形成する。以後、上記同様の工程およびス
テップを実行し、ＴｉＯ2 により下層保護膜４２ｃを膜
厚２６０ｎｍで、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 により下層保護膜４
２ｄを膜厚２５０ｎｍで、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅにより記録
膜４３を膜厚５０ｎｍで、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 により上層
保護膜４４を膜厚２００ｎｍで、Ａｕにより反射膜４５
を膜厚１００ｎｍで順次下層保護膜４２ｂの上に積層形
成する（工程８００）。
換して上記工程およびステップを実行し、上記成膜され
た下層保護膜４２ａの上に下層保護膜４２ｂを膜厚１１
０ｎｍで積層形成する。以後、上記同様の工程およびス
テップを実行し、ＴｉＯ2 により下層保護膜４２ｃを膜
厚２６０ｎｍで、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 により下層保護膜４
２ｄを膜厚２５０ｎｍで、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅにより記録
膜４３を膜厚５０ｎｍで、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 により上層
保護膜４４を膜厚２００ｎｍで、Ａｕにより反射膜４５
を膜厚１００ｎｍで順次下層保護膜４２ｂの上に積層形
成する（工程８００）。
【００４２】次に、上記積層形成されたものを反射膜４
５側を上に基板４をターゲット２の方に向けて基板ホル
ダー３に取付ける。そして、ターゲット２の材料として
ＴｉＯ2 を用い、上記同様の工程およびステップを実行
して基板１の表面に反射防止膜４６ａを膜厚２０ｎｍで
形成し、続いてＭｇＦ2 により、反射防止膜４６ａの上
に反射防止膜４６ｂを膜厚１８０ｎｍで積層形成する。
５側を上に基板４をターゲット２の方に向けて基板ホル
ダー３に取付ける。そして、ターゲット２の材料として
ＴｉＯ2 を用い、上記同様の工程およびステップを実行
して基板１の表面に反射防止膜４６ａを膜厚２０ｎｍで
形成し、続いてＭｇＦ2 により、反射防止膜４６ａの上
に反射防止膜４６ｂを膜厚１８０ｎｍで積層形成する。
【００４３】そして、チャンバー１内を大気圧にして基
板ホルダー３から上記形成されたものを取り外す（工程
９００）。そして、紫外線硬化樹脂をスピンコートする
とともに、紫外線照射により硬化させ（工程１００
０）、光情報記録媒体４０が完成する。上述のように、
本第１実施例の製造装置によれば、モニター基板５に照
射されたレーザ光の反射率を演算することにより、モニ
ター基板５上に形成された膜の膜厚を演算することがで
きる。つまり、モニター基板５上に形成される膜の膜厚
と、その膜の反射率とは直接的に影響し合う関係にある
ため、その反射率を求めることにより、正確な膜厚を求
めることができる。
板ホルダー３から上記形成されたものを取り外す（工程
９００）。そして、紫外線硬化樹脂をスピンコートする
とともに、紫外線照射により硬化させ（工程１００
０）、光情報記録媒体４０が完成する。上述のように、
本第１実施例の製造装置によれば、モニター基板５に照
射されたレーザ光の反射率を演算することにより、モニ
ター基板５上に形成された膜の膜厚を演算することがで
きる。つまり、モニター基板５上に形成される膜の膜厚
と、その膜の反射率とは直接的に影響し合う関係にある
ため、その反射率を求めることにより、正確な膜厚を求
めることができる。
【００４４】したがって、本第１実施例の製造装置を用
いれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目
標とする反射率（光吸収率）などの特性を有する光情報
記録媒体を精度良く製造することができる。なお、上記
ミラー８に代えてプリズムを用いてもよいし、ハーフミ
ラー、ビームスプリッタ、１／４波長板、偏光ビームス
プリッタなどを組み合わせたものを用いてもよい。
いれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目
標とする反射率（光吸収率）などの特性を有する光情報
記録媒体を精度良く製造することができる。なお、上記
ミラー８に代えてプリズムを用いてもよいし、ハーフミ
ラー、ビームスプリッタ、１／４波長板、偏光ビームス
プリッタなどを組み合わせたものを用いてもよい。
【００４５】次に、本発明の第２実施例を図６および図
７に基づいて説明する。本実施例の製造装置は、モニタ
ー基板５を透過した光の透過率を測定し、その透過率に
基づいて膜厚を測定することを特徴とする。図６に示す
ように、基板ホルダー３のモニター基板５が取付けられ
た部分は、円筒形状の空洞になっており、投光器７から
出射されてモニター基板５を透過した光が通過できるよ
うになっている。その通過した光の進行方向であって、
チャンバー１の上部には、検出窓１５が設けられてい
る。検出窓１５には、フィルター９を介して受光器１０
が設けられており、受光器１０の出力側は膜厚コントロ
ーラ１２に接続されている。また、ロータリエンコーダ
を備えたモータ１３も膜厚コントローラ１２に接続され
ている。
７に基づいて説明する。本実施例の製造装置は、モニタ
ー基板５を透過した光の透過率を測定し、その透過率に
基づいて膜厚を測定することを特徴とする。図６に示す
ように、基板ホルダー３のモニター基板５が取付けられ
た部分は、円筒形状の空洞になっており、投光器７から
出射されてモニター基板５を透過した光が通過できるよ
うになっている。その通過した光の進行方向であって、
チャンバー１の上部には、検出窓１５が設けられてい
る。検出窓１５には、フィルター９を介して受光器１０
が設けられており、受光器１０の出力側は膜厚コントロ
ーラ１２に接続されている。また、ロータリエンコーダ
を備えたモータ１３も膜厚コントローラ１２に接続され
ている。
【００４６】次に、上記構成の製造装置を用いて、上記
光情報記録媒体４０を製造する方法を説明する。基板ホ
ルダー３が回転してモニター基板５が、窓１７の鉛直方
向に位置するタイミングは、上記第１実施例の製造装置
と同じように、モータ１３に備えられたロータリエンコ
ーダから出力される信号が膜厚コントローラ１２に備え
られたコンピュータに入力されて検出される（図２のＳ
１）。なお、スパッタリングを開始するまでのチャンバ
ー１内の準備は上記第１実施例と同じであるため説明は
省略する。
光情報記録媒体４０を製造する方法を説明する。基板ホ
ルダー３が回転してモニター基板５が、窓１７の鉛直方
向に位置するタイミングは、上記第１実施例の製造装置
と同じように、モータ１３に備えられたロータリエンコ
ーダから出力される信号が膜厚コントローラ１２に備え
られたコンピュータに入力されて検出される（図２のＳ
１）。なお、スパッタリングを開始するまでのチャンバ
ー１内の準備は上記第１実施例と同じであるため説明は
省略する。
【００４７】投光器７から出射されたレーザ光は、窓１
７を透過してモニター基板５の表面に照射され、モニタ
ー基板５を透過する。モニター基板５を透過した光は、
検出窓１５を透過してフィルター９により余分な光が濾
過され、受光器１０へ入射される。その受光器１０に入
射された光は、受光器１０により電気信号に変換され、
膜厚コントローラ１２に入力される。そして、膜厚コン
トローラ１２のコンピュータにより、上記電気信号の大
きさに基づいて透過率が演算される。
７を透過してモニター基板５の表面に照射され、モニタ
ー基板５を透過する。モニター基板５を透過した光は、
検出窓１５を透過してフィルター９により余分な光が濾
過され、受光器１０へ入射される。その受光器１０に入
射された光は、受光器１０により電気信号に変換され、
膜厚コントローラ１２に入力される。そして、膜厚コン
トローラ１２のコンピュータにより、上記電気信号の大
きさに基づいて透過率が演算される。
【００４８】膜厚と透過率との関係は、図７に示すよう
に、最小の透過率を示すときの膜厚は（２ｎ−１）λ／
４となり（ｎ：整数、λ：モニター基板５に照射された
光の波長）、最大の透過率（反射率０）を示すときの膜
厚はｎλ／２となる関係である。それらの関係は、膜厚
コントローラ１２のコンピュータにマップとして記憶さ
れており、そのマップから上記コンピュータにより演算
された透過率に対応する膜厚のデータが抽出される。
に、最小の透過率を示すときの膜厚は（２ｎ−１）λ／
４となり（ｎ：整数、λ：モニター基板５に照射された
光の波長）、最大の透過率（反射率０）を示すときの膜
厚はｎλ／２となる関係である。それらの関係は、膜厚
コントローラ１２のコンピュータにマップとして記憶さ
れており、そのマップから上記コンピュータにより演算
された透過率に対応する膜厚のデータが抽出される。
【００４９】続いて、その抽出された膜厚のデータが、
指定膜厚として記憶されている膜厚と比較され、指定膜
厚に達したと判断されるまで、上記膜厚のデータの抽出
と比較とが実行される。そして、指定膜厚に達した時点
で成膜が終了する。以後、上記第１実施例の製造方法と
同様に、各膜４２〜４６の成膜が行われ、光情報記録媒
体４０が完成される。
指定膜厚として記憶されている膜厚と比較され、指定膜
厚に達したと判断されるまで、上記膜厚のデータの抽出
と比較とが実行される。そして、指定膜厚に達した時点
で成膜が終了する。以後、上記第１実施例の製造方法と
同様に、各膜４２〜４６の成膜が行われ、光情報記録媒
体４０が完成される。
【００５０】上述のように、本第２実施例の製造装置に
よれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目
標とする反射率（光吸収率）などの特性を有する光情報
記録媒体を製造することができる。次に、本発明の第３
実施例を図８に基づいて説明する。本第３実施例の製造
装置は、スパッタリングにより飛んだイオンが検出窓１
５に付着して検出精度が低下することを防止できること
を特徴とする。
よれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目
標とする反射率（光吸収率）などの特性を有する光情報
記録媒体を製造することができる。次に、本発明の第３
実施例を図８に基づいて説明する。本第３実施例の製造
装置は、スパッタリングにより飛んだイオンが検出窓１
５に付着して検出精度が低下することを防止できること
を特徴とする。
【００５１】図８は上記製造装置の主要構成を示す説明
図である。図８に示すように、上記第１実施例で示した
製造装置（図１参照）における検出窓１５をチャンバー
１の底部の下方に下げた構造となっている。検出窓１５
とチャンバー１の底部との間は、円筒形状の部材で形成
された光通路Ａが設けられている。その光通路Ａの外側
には、一対の電極１８、１８が相対向して設けられてお
り、両電極１８は、それぞれ電源１９に接続されてい
る。
図である。図８に示すように、上記第１実施例で示した
製造装置（図１参照）における検出窓１５をチャンバー
１の底部の下方に下げた構造となっている。検出窓１５
とチャンバー１の底部との間は、円筒形状の部材で形成
された光通路Ａが設けられている。その光通路Ａの外側
には、一対の電極１８、１８が相対向して設けられてお
り、両電極１８は、それぞれ電源１９に接続されてい
る。
【００５２】そして、上記両電極１８に負（−）の電圧
を印加して、光通路Ａ内に負（−）の電界を作る。これ
により、スパッタリングして基板４の表面に到達しなか
ったターゲット材料の正（＋）イオンであって、検出窓
１５の上に落下しようとするイオンは、光通路Ａ内の負
（−）の電界によって引き寄せられて光通路Ａの内壁に
付着する。
を印加して、光通路Ａ内に負（−）の電界を作る。これ
により、スパッタリングして基板４の表面に到達しなか
ったターゲット材料の正（＋）イオンであって、検出窓
１５の上に落下しようとするイオンは、光通路Ａ内の負
（−）の電界によって引き寄せられて光通路Ａの内壁に
付着する。
【００５３】したがって、ターゲット材料のイオンが検
出窓１５の表面に付着して、光学式膜厚計２０による膜
厚測定の精度が低下するのを防止することができる。な
お、上記各実施例に記載の製造装置は、スパッタリング
法を用いて成膜するものであるが、蒸着法を用いて製造
することもできる。上記蒸着法を用いる場合は、基板ホ
ルダー３の中心にモニター基板５が取付けられ、上記光
学式膜厚計１４（２０）は、検出窓１５がモニター基板
５の真下に位置するように設けられる。また、蒸着源
は、上記検出窓１５の近傍に設けられる。そして、上記
第１実施例または第３実施例と同様に、モニター基板５
に光を照射し、その反射光の光パワーを検出することに
より行われる。
出窓１５の表面に付着して、光学式膜厚計２０による膜
厚測定の精度が低下するのを防止することができる。な
お、上記各実施例に記載の製造装置は、スパッタリング
法を用いて成膜するものであるが、蒸着法を用いて製造
することもできる。上記蒸着法を用いる場合は、基板ホ
ルダー３の中心にモニター基板５が取付けられ、上記光
学式膜厚計１４（２０）は、検出窓１５がモニター基板
５の真下に位置するように設けられる。また、蒸着源
は、上記検出窓１５の近傍に設けられる。そして、上記
第１実施例または第３実施例と同様に、モニター基板５
に光を照射し、その反射光の光パワーを検出することに
より行われる。
【００５４】上述のように、蒸着法を用いた製造装置の
場合は、蒸着源が基板ホルダー３の中心のほぼ真下に位
置するため、蒸着源から基板４および基板ホルダー５ま
での距離がほぼ同じとなる。したがって、モニター基板
５の膜厚と基板４の膜厚との誤差を上記スパッタリング
法を用いた製造装置よりも小さくすることができる。
場合は、蒸着源が基板ホルダー３の中心のほぼ真下に位
置するため、蒸着源から基板４および基板ホルダー５ま
での距離がほぼ同じとなる。したがって、モニター基板
５の膜厚と基板４の膜厚との誤差を上記スパッタリング
法を用いた製造装置よりも小さくすることができる。
【図１】本発明第１実施例の製造装置の構成図である。
【図２】膜厚コントローラ１２に備えられたコンピュー
タの処理を示すフローチャートである。
タの処理を示すフローチャートである。
【図３】光情報記録媒体の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図４】膜厚と反射率との関係を示すグラフである。
【図５】光情報記録媒体の一部断面構造を示す模式図で
ある。
ある。
【図６】本発明第２実施例の製造装置の構成図である。
【図７】膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図８】本発明第３実施例の製造装置の構成図である。
１・・チャンバー、２・・ターゲット、３・・基板ホル
ダー、４・・基板、５・・モニター基板、６・・排気
口、７・・投光器、８・・ミラー、９・・フィルター、
１０・・受光器、１１・・ガス供給口、１２・・膜厚コ
ントローラ、１３・・モータ、１４、２０・・光学式膜
厚計、１５・・検出窓、１６・・電源、１７・・窓、１
８・・電極、１９・・電源。
ダー、４・・基板、５・・モニター基板、６・・排気
口、７・・投光器、８・・ミラー、９・・フィルター、
１０・・受光器、１１・・ガス供給口、１２・・膜厚コ
ントローラ、１３・・モータ、１４、２０・・光学式膜
厚計、１５・・検出窓、１６・・電源、１７・・窓、１
８・・電極、１９・・電源。
Claims (16)
- 【請求項１】 光情報記録媒体を構成する基板を基板取
付手段の一の面に取付けて回転させ、前記基板上に形成
される膜の材料の粒子を前記基板上に堆積させることに
より、前記基板上に膜を形成する光情報記録媒体の製造
装置であって、 前記基板取付手段の一の面に取付けられるモニター基板
と、 前記モニター基板に光を照射する光照射手段と、 前記光照射手段から前記モニター基板に照射され、前記
モニター基板にて変化された光を検出する光検出手段
と、 前記光検出手段により検出された光に基づいて、前記基
板上に形成された膜の膜厚を演算するとともに、この演
算された膜厚に基づいて前記材料の粒子の前記基板およ
びモニター基板の上への堆積量を調整する堆積量調整手
段と、 を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。 - 【請求項２】 光情報記録媒体を構成する膜が上に形成
される基板と、 前記基板を一の面に取付ける基板取付手段と、 前記基板取付手段の一の面に取付けられ、前記膜が上に
形成されるモニター基板と、 前記基板取付手段を回転させる回転手段と、 前記膜の材料源と、 前記材料源の粒子を前記基板およびモニター基板の上に
堆積させて前記膜を形成する成膜手段と、 前記モニター基板上に光を照射する光照射手段と、 前記光照射手段から前記モニター基板に照射され、前記
モニター基板にて変化された光を検出する光検出手段
と、 前記光検出手段により検出された光に基づいて、前記基
板上に形成された膜の膜厚を演算するとともに、前記演
算された膜厚に基づいて前記成膜手段による前記材料源
の粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を
調整する堆積量調整手段と、 を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。 - 【請求項３】 前記成膜手段は、前記材料源をスパッタ
リングすることにより前記材料源の粒子を前記基板およ
びモニター基板の上に堆積して成膜するものであること
を特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体の製造装
置。 - 【請求項４】 前記成膜手段は、前記材料源の粒子を前
記基板およびモニター基板の上に真空蒸着させて成膜す
るものであることを特徴とする請求項２に記載の光情報
記録媒体の製造装置。 - 【請求項５】 前記回転手段により、前記基板取付手段
が回転されたときに、前記光照射手段から照射された光
が前記モニター基板に照射されるタイミングを検出する
タイミング検出手段が備えられており、 前記堆積量調整手段は、前記タイミング検出手段により
検出されたタイミングに応じて前記演算および堆積量の
調整を行うものであることを特徴とする請求項１ないし
４のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造装置。 - 【請求項６】 前記光検出手段は、前記光照射手段から
前記モニター基板へ照射されて前記モニター基板にて反
射された反射光を検出するものであることを特徴とする
請求項１ないし５のいずれか１つに記載の光情報記録媒
体の製造装置。 - 【請求項７】 前記光検出手段は、前記光照射手段から
前記モニター基板へ照射されて前記モニター基板を透過
した透過光を検出するものであることを特徴とする請求
項１ないし５のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の
製造装置。 - 【請求項８】 前記堆積量調整手段は、前記光検出手段
により検出された反射光に基づいて前記光照射手段から
照射された光の前記モニター基板に対するエネルギー反
射率を演算するとともに、そのエネルギー反射率に基づ
いて前記基板上に形成された膜の膜厚を演算し、前記演
算された膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源の
粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を調
整するものであることを特徴とする請求項６に記載の光
情報記録媒体の製造装置。 - 【請求項９】 前記堆積量調整手段は、前記光検出手段
により検出された透過光に基づいて前記光照射手段から
照射された光の前記モニター基板に対するエネルギー透
過率を演算するとともに、そのエネルギー透過率に基づ
いて前記基板上に形成された膜の膜厚を演算し、前記演
算された膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源の
粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を調
整するものであることを特徴とする請求項７に記載の光
情報記録媒体の製造装置。 - 【請求項１０】 前記堆積量調整手段は、前記演算され
た膜厚が、所定の膜厚に達したことを判定する判定手段
を備えており、 前記判定手段による判定結果が、前記演算された膜厚が
前記所定の膜厚に達したという判定結果である場合に、
前記材料源の粒子の前記基板およびモニター基板の上へ
の堆積を停止するものであることを特徴とする請求項１
ないし９のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造
装置。 - 【請求項１１】 光情報記録媒体を構成する膜を形成す
る材料の粒子を基板上に所定の成膜条件下で堆積して膜
を形成する成膜工程と、 前記基板上の膜に光を照射するとともに、前記膜にて変
化した光を検出し、前記検出した光に基づいて前記膜の
膜厚を制御する膜厚制御工程と、 を備え、 前記各工程を前記基板上に形成される複数膜のそれぞれ
の膜に対応する成膜条件下で繰り返すことにより、前記
基板上に複数の膜を積層形成することを特徴とする光情
報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記成膜工程は、前記材料源をスパッ
タリングすることにより材料源の粒子を前記基板上に堆
積して成膜するものであることを特徴とする請求項１１
に記載の光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 前記成膜工程は、材料源の粒子を前記
基板上に真空蒸着させて成膜するものであることを特徴
とする請求項１１に記載の光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記膜厚制御工程は、前記膜より検出
した光の反射率が予めプログラムされている反射率の膜
厚依存性と比較することにより、前記膜厚が所定の膜厚
になったときに前記材料の粒子の前記基板上への堆積量
を調整するものであることを特徴とする請求項１１乃至
１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記膜厚制御工程は、前記膜より検出
した光の透過率が予めプログラムされている透過率の膜
厚依存性と比較することにより、前記膜厚が所定の膜厚
になったときに前記材料の粒子の前記基板上への堆積量
を調整するものであることを特徴とする請求項１１乃至
１３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記膜厚制御工程は、前記膜厚が、所
定の膜厚に達したことを判定する判定工程を備えてお
り、 前記判定工程による判定結果が、前記膜厚が前記所定の
膜厚に達したという判定結果である場合に、前記材料の
粒子が前記基板上への堆積を停止するものであることを
特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１つに記載の
光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11605895A JP3745790B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11605895A JP3745790B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08315432A true JPH08315432A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3745790B2 JP3745790B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=14677670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11605895A Expired - Fee Related JP3745790B2 (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3745790B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11246968A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法 |
| JP2001123269A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-05-08 | Hoya Corp | 薄膜形成方法及び装置 |
| JP2001518558A (ja) * | 1997-09-29 | 2001-10-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 改良された物理蒸着方法及び物理蒸着装置 |
| US6361438B1 (en) | 1997-07-25 | 2002-03-26 | Konami Co., Ltd. | Video game transparency control system for images |
| JP2007107053A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2007522342A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-09 | デポジッション サイエンス インク | 堆積工程中に薄膜の光学的特性を監視する方法および装置 |
| JP2007211311A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| WO2009154196A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社シンクロン | バイアススパッタ装置 |
| JP5189711B1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-04-24 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計測装置及び光学式膜厚計測装置を用いた薄膜形成装置 |
| WO2015004755A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計，薄膜形成装置及び膜厚測定方法 |
| JP2015096641A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 株式会社オプトラン | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559543A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 | Fujitsu Ltd | Antireflecting film formation control unit |
| JPS59192904A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 膜厚測定装置 |
| JPS62142766A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS6328862A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 膜厚制御方法 |
| JPH01287274A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 成膜装置および方法 |
| JPH0242061U (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-23 | ||
| JPH02118069A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的特性測定装置 |
| JPH0416704A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
| JPH04325944A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法とその製造装置 |
| JPH0525631A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Toyota Motor Corp | 蒸着装置用窓 |
| JPH0533132A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Nec Home Electron Ltd | 金属膜の成膜方法及びその装置 |
| JPH05106040A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式膜厚モニター |
| JPH05117853A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-14 | Toyota Motor Corp | Ｐｖｄ装置 |
| JPH0734247A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法 |
| JPH0770751A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH0790584A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-04 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
| JPH0790583A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-04 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
| JPH07109569A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP11605895A patent/JP3745790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559543A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 | Fujitsu Ltd | Antireflecting film formation control unit |
| JPS59192904A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 膜厚測定装置 |
| JPS62142766A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS6328862A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 膜厚制御方法 |
| JPH01287274A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 成膜装置および方法 |
| JPH0242061U (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-23 | ||
| JPH02118069A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-05-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的特性測定装置 |
| JPH0416704A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
| JPH04325944A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法とその製造装置 |
| JPH0525631A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Toyota Motor Corp | 蒸着装置用窓 |
| JPH0533132A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Nec Home Electron Ltd | 金属膜の成膜方法及びその装置 |
| JPH05106040A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式膜厚モニター |
| JPH05117853A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-14 | Toyota Motor Corp | Ｐｖｄ装置 |
| JPH0734247A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層膜の成膜装置並びに光学特性の測定方法及び成膜方法 |
| JPH0770751A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH0790584A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-04 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
| JPH0790583A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-04 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
| JPH07109569A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361438B1 (en) | 1997-07-25 | 2002-03-26 | Konami Co., Ltd. | Video game transparency control system for images |
| JP2001518558A (ja) * | 1997-09-29 | 2001-10-16 | ラム リサーチ コーポレーション | 改良された物理蒸着方法及び物理蒸着装置 |
| JPH11246968A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法 |
| JP2001123269A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-05-08 | Hoya Corp | 薄膜形成方法及び装置 |
| JP4904165B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2012-03-28 | デポジッション サイエンス インク | 堆積工程中に薄膜の光学的特性を監視する方法および装置 |
| JP2007522342A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-09 | デポジッション サイエンス インク | 堆積工程中に薄膜の光学的特性を監視する方法および装置 |
| JP2007107053A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2007211311A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| JP4503702B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2010-07-14 | 株式会社シンクロン | バイアススパッタ装置 |
| JPWO2009154196A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-12-01 | 株式会社シンクロン | バイアススパッタ装置 |
| WO2009154196A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社シンクロン | バイアススパッタ装置 |
| JP5189711B1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-04-24 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計測装置及び光学式膜厚計測装置を用いた薄膜形成装置 |
| WO2015004755A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計，薄膜形成装置及び膜厚測定方法 |
| JPWO2015004755A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2017-02-23 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計，薄膜形成装置及び膜厚測定方法 |
| JP2015096641A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 株式会社オプトラン | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3745790B2 (ja) | 2006-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7008518B2 (en) | Method and apparatus for monitoring optical characteristics of thin films in a deposition process | |
| JPWO2002063064A1 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ成膜方法 | |
| JPH08315432A (ja) | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 | |
| JP6793647B2 (ja) | 堆積のモニタリングシステム及びその操作方法 | |
| CH634424A5 (fr) | Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine. | |
| JP2001509910A (ja) | 光学基材からの反射を抑制するためのコーティング、方法および装置 | |
| US5151295A (en) | Process for manufacturing an optical recording medium | |
| US8200448B2 (en) | Optical monitor for rugate filter deposition | |
| WO2003052468A1 (fr) | Dispositif de formation de film et procede de production d'un element optique | |
| JP3892525B2 (ja) | 膜厚モニタ装置ならびに真空蒸着方法および真空蒸着装置 | |
| EP1148149B1 (en) | Method for the production of multi-layer systems | |
| JP2021031693A (ja) | 光学膜厚制御装置、薄膜形成装置、光学膜厚制御方法および薄膜形成方法 | |
| JPS6338579A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2023069782A (ja) | 成膜制御装置、成膜装置及び成膜方法 | |
| JPH11162954A (ja) | 光学的手段による薄膜測定方法及び装置並びに成膜装置 | |
| JP2000171630A (ja) | 光学多層薄膜の形成方法 | |
| JP2000171602A (ja) | 光学多層薄膜の形成方法および光学多層薄膜の形成装置 | |
| JP3528955B2 (ja) | 光学素子の設計方法及び製造方法並びに光学素子 | |
| JP3892961B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JPH01306560A (ja) | 蒸着膜厚制御方法 | |
| JPH01320408A (ja) | レーザーを使った膜厚モニター及び膜厚測定方法 | |
| JPH1062129A (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPH0721406B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2003082462A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JP2970020B2 (ja) | コーティング薄膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040219 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040318 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040409 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051118 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |