JP3745790B2 - 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、光情報記録媒体の製造装置および製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、再生専用型(ROM型)、追記型、書換型の光情報記録媒体が開発されている。これらの光情報記録媒体は、電子ビーム、イオンプレーティング、イオンアシストなどの真空蒸着法やスパッタリング法などの手法を用い、基板上に複数の膜を所定の膜厚で積層形成する装置により製造される。
【0003】
上記製造装置において、各膜の膜厚制御は、水晶片に電極を取付けた水晶振動子をターゲット材料または蒸着源のイオンが飛ぶ軌道上に位置するようにターゲット近傍に設け、その水晶振動子にイオンが衝突して発生する振動の数を計測してターゲットから基板へ飛んだイオンの量を求め、そのイオン量から基板上に形成された膜の膜厚を推定することにより行われる。
【0004】
また、スパッタリング法を用いるものにおいては、スパッタリング時間と膜厚との関係を予め求めておき、スパッタリング時間を測定することにより膜厚を推定するものもある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、水晶振動子を用いるものは、水晶振動子にイオンが堆積して振動数が変化するため、膜厚の検出精度が低いという問題がある。しかも、ターゲットまたは蒸着源の交換を行うために水晶振動子を取り外し、再度、水晶振動子を取付ける場合に、その取付位置がずれてしまうと、膜厚の検出精度が低くなるという問題もある。
【0006】
また、スパッタリング時間を測定するものは、チャンバー内の清掃やターゲット材料の交換などにより、最初に設定された成膜条件がずれてくるため、やはり膜厚の検出精度が低いという問題がある。
そこで本発明は、光情報記録媒体の製造において、膜厚の検出精度を高めることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、光情報記録媒体(40)を構成する基板(4)を、真空チャンバー(1)内に配置された基板取付手段(3)の一の面に取付けて回転させ、前記基板(4)上に形成される膜(42〜46)の材料(2)の粒子をスパッタリング法または真空蒸着法を用いて前記基板(4)上に堆積させることにより、前記基板(4)上に膜(42〜46)を形成する光情報記録媒体(40)の製造装置であって、前記基板取付手段(3)の一の面に取付けられるモニター基板(5)と、前記真空チャンバーに設けられた検出窓(15)と、前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記モニター基板(5)に光を照射する光照射手段(7)と、前記光照射手段(7、8)から前記モニター基板(5)に照射され、前記モニター基板(5)にて変化された光を前記検出窓を透過して検出する光検出手段(9、10)と、前記光検出手段(9、10)により検出された光に基づいて、前記基板(4)上に形成された膜(42〜46)の膜厚を演算するとともに、この演算された膜厚に基づいて前記材料(2)の粒子の前記基板(4)およびモニター基板(5)の上への堆積量を調整する堆積量調整手段(12、ステップS1〜S5)と、前記検出窓の前方に形成された光通路(A)と、前記光通路の外側に相対向して設けられ、かつ前記真空チャンバーの外部に配置された一対の電極(18)と、前記一対の電極に接続された電源(19)と、を備えるという技術的手段を採用する。
【0008】
請求項2に記載の発明では、真空チャンバー(1)内に配置されており、光情報記録媒体(40)を構成する膜(42〜46)が上に形成される基板(4)と、前記基板(4)を一の面に取付ける基板取付手段(3)と、前記基板取付手段(3)の一の面に取付けられ、前記膜(42〜46)が上に形成されるモニター基板(5)と、前記基板取付手段(3)を回転させる回転手段(13)と、前記膜(42〜46)の材料源(2)と、前記材料源(2)の粒子をスパッタリング法または真空蒸着法を用いて前記基板(4)およびモニター基板(5)の上に堆積させて前記膜(42〜46)を形成する成膜手段(1、6、11、16)と、前記真空チャンバーに設けられた検出窓(15)と、前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記モニター基板(5)上に光を照射する光照射手段(7)と、前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記検出窓を透過して前記光照射手段(7)から前記モニター基板(5)に照射され、前記モニター基板(5)にて変化された光を検出する光検出手段(9、10)と、前記光検出手段(9、10)により検出された光に基づいて、前記基板(4)上に形成された膜(42〜46)の膜厚を演算するとともに、前記演算された膜厚に基づいて前記成膜手段(1、6、11、16)による前記材料源(2)の粒子の前記基板(4)およびモニター基板(5)の上への堆積量を調整する堆積量調整手段(12、ステップS1〜S5)と、前記検出窓の前方に形成された光通路(A)と、前記光通路の外側に相対向して設けられ、かつ前記真空チャンバーの外部に配置された一対の電極(18)と、前記一対の電極に接続された電源(19)と、を備えたという技術的手段を採用する。
【0009】
請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記成膜手段(1、6、11、16)は、前記材料源(2)をスパッタリングすることにより前記材料源(2)の粒子を前記基板(4)およびモニター基板(5)の上に堆積して成膜するものであるという技術的手段を採用する。
請求項4に記載の発明では、請求項2に記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記成膜手段(1、6、11、16)は、前記材料源(2)の粒子を前記基板(4)およびモニター基板(5)の上に真空蒸着させて成膜するものであるという技術的手段を採用する。
【0010】
請求項5に記載の発明では、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記回転手段(13)により、前記基板取付手段(3)が回転されたときに、前記光照射手段(7)から照射された光が前記モニター基板(5)に照射されるタイミングを検出するタイミング検出手段(13、S1)が備えられており、
前記堆積量調整手段(12、ステップS1〜S5)は、前記タイミング検出手段(13、S1)により検出されたタイミングに応じて前記演算および堆積量の調整を行うものであるという技術的手段を採用する。
【0011】
請求項6に記載の発明では、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記光検出手段(9、10)は、前記光照射手段(7)から前記モニター基板(5)へ照射されて前記モニター基板(5)にて反射された反射光を検出するものであるという技術的手段を採用する。
【0012】
請求項7に記載の発明では、請求項6に記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調整手段(12、ステップS1〜S5)は、前記光検出手段(9、10)により検出された反射光に基づいて前記光照射手段(7)から照射された光の前記モニター基板(5)に対するエネルギー反射率を演算するとともに、そのエネルギー反射率に基づいて前記基板(4)上に形成された膜(42〜46)の膜厚を演算し、前記演算された膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源(2)の粒子の前記基板(4)およびモニター基板(5)の上への堆積量を調整するものであるという技術的手段を採用する。
【0014】
請求項8に記載の発明では、請求項1ないし7のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置において、前記堆積量調整手段(12、ステップS1〜S5)は、前記演算された膜厚が、所定の膜厚に達したことを判定する判定手段(S4)を備えており、前記判定手段(S4)による判定結果が、前記演算された膜厚が前記所定の膜厚に達したという判定結果である場合に、前記材料源(2)の粒子の前記基板(4)およびモニター基板(5)の上への堆積を停止するものであるという技術的手段を採用する。
【0020】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施例に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0021】
【発明の作用効果】
請求項1ないし9に記載の発明によれば、光照射手段により照射された光がモニター基板に照射されるようになっており、そのモニター基板にて変化した光を光検出手段により検出することができる。つまり、上記光検出手段により検出される光と上記基板の上に形成される膜の膜厚との関係を予め求めておけば、上記光を検出することにより上記基板上に形成された膜の膜厚を演算することができる。
【0022】
そして、堆積量調整手段により、上記演算された膜厚が所定の膜厚になったときに上記膜を形成する材料源の粒子の上記基板およびモニター基板の上への堆積量を調整することにより、上記膜を所定の膜厚に制御することができる。上述のように、請求項1ないし9に記載の発明によれば、モニター基板に光を照射し、そのモニター基板(基板)にて変化された光に基づいて直接的に膜厚を求めることができ、上記従来のように、水晶振動子に付着したイオンや成膜条件の変化による影響を受けることがないため、膜厚の検出精度を高めることができる。
【0023】
請求項1ないし9に記載の発明によれば、検出窓の前方の光通路の外側に一対の電極を相対向して設け、この電極を電源に接続したから、検出窓に材料が付着して検出制度が低下することを防止できる。
【0024】
【実施例】
以下、本発明の第1実施例を図1に基づいて説明する。
図1は、第1実施例の光情報記録媒体の製造装置(以下、製造装置と略す)の主要構成を示す説明図である。なお、本実施例ではスパッタリング法を用いた製造装置を代表に説明する。
【0025】
真空チャンバー(以下、チャンバーと略す)1の排気口6には、排気口6の開閉を行う真空バルブ(図示しない)が設けられており、その真空バルブにはチャンバー1内の排気を行うロータリポンプ、クライオポンプ、拡散ポンプ、あるいはターボ分子ポンプ(図示しない)が接続されている。
チャンバー1のガス供給口11には、ガス供給口11の開閉を行う真空バルブ(図示しない)が設けられており、その真空バルブにはチャンバー1内へArガス、N2 ガスなどを供給するガスボンベ(図示しない)が接続されている。
【0026】
チャンバー1の外部上方には、ロータリエンコーダを備えたモータ13が設けられている。そのモータ13の回転軸13aは、チャンバー1内に突出されており、その回転軸13aには回転軸13aを中心とする円盤形状の基板ホルダー3が取り付けられている。基板ホルダー3の下面には、光情報記録媒体を構成する基板4が複数取り付けられている。各基板4は、基板ホルダー3の下面に同じ軌道を公転するように水平姿勢で取り付けられている。各基板4は、ガラスやプラスチックなどの材料で形成されている。
【0027】
基板ホルダー3の下面の基板4と4の間には、シリコンやガラスなどの材料で形成された1枚のモニター基板5が基板4と同じ姿勢で取り付けられており、基板4および基板ホルダー5は、回転軸13aを中心として自公転するようになっている。
つまり、基板4と同じ条件で取り付けられているモニター基板5の上に形成された膜の膜厚を測定することにより、基板4の上に形成された膜の膜厚を推定できるようになっている。
【0028】
チャンバー1の内部底面であって基板4と対向する位置には、スパッタ源である成膜材料としての円盤形状のターゲット(以下、ターゲットと略す)2が設けられている。ターゲット2の上面と基板4の下面とは平行になっている。
チャンバー1の外部下方には、上記基板4の下面に形成された膜の膜厚を測定する光学式膜厚計14が設けられている。光学式膜厚計14には、膜厚測定用のレーザ光を出射する半導体レーザを備えた、光照射手段としての投光器7が設けられており、投光器7のレーザ光の出射方向には逆V字型のミラー8が設けられている。ミラー8の上方であって、チャンバー1の底部には、ミラー8で反射されたレーザ光とモニター基板5で反射されたレーザ光とが透過する検出窓15が設けられている。
【0029】
ミラー8は、外面に反射コーティングが施された反射面8aおよび8bが形成されており、反射面8aは、投光器7から出射されたレーザ光を反射して、その反射光を検出窓15の鉛直方向に位置するモニター基板5の下面に導く角度に設定されている。反射面8bは、上記モニター基板5で反射されたレーザ光を反射して光検出手段としてのフィルター9へ導く角度に設定されている。
【0030】
フィルター9は、ミラー8の反射面8bで反射された光を入射して、その入射された光のうちの余分な光を濾過して測定精度を高める作用をする。フィルター9を通ったレーザ光の進行方向の光路上には、フィルター9を通った光を入射し、その入射された光の光パワーをその光パワーに応じた電気信号に変換する、光検出手段としての受光器10が設けられている。受光器10としては、モノクロメータ、半導体検出器、フォトマルなどが用いられる。
【0031】
受光器10と上記モータ13のロータリエンコーダとは、コンピュータを備えた膜厚コントローラ12に接続されており、膜厚コントローラ12には受光器10により検出された光パワー信号と、上記ロータリエンコーダにより検出されたタイミング信号とが入力されるようになっている。
図2は上記コンピュータが行う処理を示すフローチャートである。膜厚コントローラ12は、タイミング信号が入力されたときに(ステップS1)、上記光パワー信号に基づいて上記モニター基板5の上に形成された膜のエネルギー反射率(以下、反射率と略す)を演算する(S2)。
【0032】
上記反射率と上記膜の膜厚との関係は、図4に示すように、最大の反射率(%)を示すときの膜厚は(2n−1)λ/4であり(n:整数、λ:モニター基板5に照射された光の波長)、最小の反射率(反射率0)を示すときの膜厚はnλ/2である。なお、図4に示す反射率と膜厚との関係の周期は、膜の屈折率によって変化しないが、グラフの曲線の勾配は、膜の屈折率によって変化する。
【0033】
上記関係は膜厚コントローラ12のコンピュータにマップとして記憶されている。上記コンピュータは、上記演算された反射率に対応する膜厚のデータを上記マップから抽出する(S3)。また、上記コンピュータは、上記抽出された膜厚が予め記憶された指定の膜厚であるか否かを判定し(S4)、指定の膜厚であると判定したときに上記電源16へ電源遮断信号を出力する(S5)。
【0034】
基板ホルダー3とターゲット2には、スパッタ用の電源16が接続されており、基板ホルダー3とターゲット2との間に高周波、あるいはDCバイアスがかかるようになっている。
次に、上記構成の製造装置を用いて光情報記録媒体を製造する方法について、図2ないし図5に基づいて説明する。
【0035】
図3は光情報記録媒体の製造工程を示す工程図、図5は製造すべき光情報記録媒体の部分断面を示す模式図である。
まず、投光器7から出射された光がミラー8で反射され、モニター基板5に照射されるタイミングと、モニター基板5に照射された光を検出するタイミングとを一致させるために、モータ13のロータリエンコーダから出力されるパルス信号を膜厚コントローラ12に入力して上記タイミングを膜厚コントローラ12に設定する。
【0036】
また、図5に示す光情報記録媒体40の各膜42〜46の指定膜厚(下層保護膜42aは80nm、下層保護膜42bは110nm、下層保護膜42cは260nm、下層保護膜42dは250nm、記録膜43は50nm、上層保護膜44は200nm、反射膜45は100nm、反射防止膜46aは20nm、反射防止膜46bは180nm)を膜厚コントローラ12に設定する。
【0037】
次に、図1のチャンバー1を開けて基板4を基板ホルダー3に取付け、成膜材料であるTiO2 で形成されたターゲット2をチャンバー1の底部所定箇所にセットする(図3の工程100)。続いて排気口6の真空バルブを開けてポンプを作動させ、チャンバー1内を真空にする(工程200)。続いてチャンバー1内の圧力が5×10Pa以下になったらガス供給口11の真空バルブを開けてArガスをチャンバー1内へ供給し、チャンバー1内の圧力を1×10Paにする(工程300)。
【0038】
次に、ターゲット2の表面上の汚れなどを取り除くためにArガスをターゲット2の表面に吹きつけてプリスパッタリングを行う(工程400)。
続いて、モータ13を駆動させて基板ホルダー3を回転し、光学式膜厚計14を駆動させてレーザ光を基板ホルダー3へ向けて照射させる。続いて、電源16をONし、基板4およびモニター基板5とターゲット2との間に電圧を印加してターゲット2のTiO2 を放電溶解させる。そして、Arガスをターゲット2の表面に吹きつけると(スパッタリング)、ターゲット2からTiO2 のイオンが飛び出して基板4の表面に付着する(工程500)。
【0039】
次に、膜厚コントローラ12がロータリエンコーダから出力される信号を入力して、膜厚コントローラ12のコンピュータが、モニター基板5が検出窓15の鉛直方向を通過するタイミング、つまり、ミラー8で反射された光がモニター基板5に照射されるタイミングであるか否かを判定する(ステップS1)。そして、通過するタイミングであると判定されると、膜厚コントローラ12は、受光器10から入力された信号に基づいて、モニター基板5の上に形成された膜に対するレーザ光の反射率が演算され(S2)、その反射率に対応する膜厚がマップから抽出される(S3)。
【0040】
続いてその抽出された膜厚のデータと予め設定記憶されている指定膜厚80nmとを比較し、上記抽出された膜厚が指定膜厚に達したか否かが判定される(S4、工程600)。ここで、指定膜厚に達していないと判定された場合は、上記ステップS1へ戻り、上記ステップS1〜S4が実行される。
上記ステップS1〜S4は、基板4の表面に形成された膜の膜厚が指定膜厚に達するまで繰り返され、ステップS4において、指定膜厚に達したと判定されると、膜厚コントローラ12から電源遮断信号が電源16へ出力され、電源16が遮断される。そして、モータ13および光学式膜厚計14の駆動が停止されて下層保護膜42aの成膜が終了する(工程700)。
【0041】
次に、ターゲット2の材料をSiO2 に交換して上記工程およびステップを実行し、上記成膜された下層保護膜42aの上に下層保護膜42bを膜厚110nmで積層形成する。以後、上記同様の工程およびステップを実行し、TiO2 により下層保護膜42cを膜厚260nmで、ZnS−SiO2 により下層保護膜42dを膜厚250nmで、Ge−Sb−Teにより記録膜43を膜厚50nmで、ZnS−SiO2 により上層保護膜44を膜厚200nmで、Auにより反射膜45を膜厚100nmで順次下層保護膜42bの上に積層形成する(工程800)。
【0042】
次に、上記積層形成されたものを反射膜45側を上に基板4をターゲット2の方に向けて基板ホルダー3に取付ける。そして、ターゲット2の材料としてTiO2 を用い、上記同様の工程およびステップを実行して基板1の表面に反射防止膜46aを膜厚20nmで形成し、続いてMgF2 により、反射防止膜46aの上に反射防止膜46bを膜厚180nmで積層形成する。
【0043】
そして、チャンバー1内を大気圧にして基板ホルダー3から上記形成されたものを取り外す(工程900)。そして、紫外線硬化樹脂をスピンコートするとともに、紫外線照射により硬化させ(工程1000)、光情報記録媒体40が完成する。
上述のように、本第1実施例の製造装置によれば、モニター基板5に照射されたレーザ光の反射率を演算することにより、モニター基板5上に形成された膜の膜厚を演算することができる。つまり、モニター基板5上に形成される膜の膜厚と、その膜の反射率とは直接的に影響し合う関係にあるため、その反射率を求めることにより、正確な膜厚を求めることができる。
【0044】
したがって、本第1実施例の製造装置を用いれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目標とする反射率(光吸収率)などの特性を有する光情報記録媒体を精度良く製造することができる。
なお、上記ミラー8に代えてプリズムを用いてもよいし、ハーフミラー、ビームスプリッタ、1/4波長板、偏光ビームスプリッタなどを組み合わせたものを用いてもよい。
【0045】
次に、本発明の第2実施例を図6および図7に基づいて説明する。
本実施例の製造装置は、モニター基板5を透過した光の透過率を測定し、その透過率に基づいて膜厚を測定することを特徴とする。
図6に示すように、基板ホルダー3のモニター基板5が取付けられた部分は、円筒形状の空洞になっており、投光器7から出射されてモニター基板5を透過した光が通過できるようになっている。その通過した光の進行方向であって、チャンバー1の上部には、検出窓15が設けられている。検出窓15には、フィルター9を介して受光器10が設けられており、受光器10の出力側は膜厚コントローラ12に接続されている。また、ロータリエンコーダを備えたモータ13も膜厚コントローラ12に接続されている。
【0046】
次に、上記構成の製造装置を用いて、上記光情報記録媒体40を製造する方法を説明する。
基板ホルダー3が回転してモニター基板5が、窓17の鉛直方向に位置するタイミングは、上記第1実施例の製造装置と同じように、モータ13に備えられたロータリエンコーダから出力される信号が膜厚コントローラ12に備えられたコンピュータに入力されて検出される(図2のS1)。なお、スパッタリングを開始するまでのチャンバー1内の準備は上記第1実施例と同じであるため説明は省略する。
【0047】
投光器7から出射されたレーザ光は、窓17を透過してモニター基板5の表面に照射され、モニター基板5を透過する。モニター基板5を透過した光は、検出窓15を透過してフィルター9により余分な光が濾過され、受光器10へ入射される。その受光器10に入射された光は、受光器10により電気信号に変換され、膜厚コントローラ12に入力される。そして、膜厚コントローラ12のコンピュータにより、上記電気信号の大きさに基づいて透過率が演算される。
【0048】
膜厚と透過率との関係は、図7に示すように、最小の透過率を示すときの膜厚は(2n−1)λ/4となり(n:整数、λ:モニター基板5に照射された光の波長)、最大の透過率(反射率0)を示すときの膜厚はnλ/2となる関係である。それらの関係は、膜厚コントローラ12のコンピュータにマップとして記憶されており、そのマップから上記コンピュータにより演算された透過率に対応する膜厚のデータが抽出される。
【0049】
続いて、その抽出された膜厚のデータが、指定膜厚として記憶されている膜厚と比較され、指定膜厚に達したと判断されるまで、上記膜厚のデータの抽出と比較とが実行される。そして、指定膜厚に達した時点で成膜が終了する。
以後、上記第1実施例の製造方法と同様に、各膜42〜46の成膜が行われ、光情報記録媒体40が完成される。
【0050】
上述のように、本第2実施例の製造装置によれば、精度良く膜厚を制御することができるため、目標とする反射率(光吸収率)などの特性を有する光情報記録媒体を製造することができる。
次に、本発明の第3実施例を図8に基づいて説明する。
本第3実施例の製造装置は、スパッタリングにより飛んだイオンが検出窓15に付着して検出精度が低下することを防止できることを特徴とする。
【0051】
図8は上記製造装置の主要構成を示す説明図である。図8に示すように、上記第1実施例で示した製造装置(図1参照)における検出窓15をチャンバー1の底部の下方に下げた構造となっている。検出窓15とチャンバー1の底部との間は、円筒形状の部材で形成された光通路Aが設けられている。その光通路Aの外側には、一対の電極18、18が相対向して設けられており、両電極18は、それぞれ電源19に接続されている。
【0052】
そして、上記両電極18に負(−)の電圧を印加して、光通路A内に負(−)の電界を作る。これにより、スパッタリングして基板4の表面に到達しなかったターゲット材料の正(+)イオンであって、検出窓15の上に落下しようとするイオンは、光通路A内の負(−)の電界によって引き寄せられて光通路Aの内壁に付着する。
【0053】
したがって、ターゲット材料のイオンが検出窓15の表面に付着して、光学式膜厚計20による膜厚測定の精度が低下するのを防止することができる。
なお、上記各実施例に記載の製造装置は、スパッタリング法を用いて成膜するものであるが、蒸着法を用いて製造することもできる。
上記蒸着法を用いる場合は、基板ホルダー3の中心にモニター基板5が取付けられ、上記光学式膜厚計14(20)は、検出窓15がモニター基板5の真下に位置するように設けられる。また、蒸着源は、上記検出窓15の近傍に設けられる。そして、上記第1実施例または第3実施例と同様に、モニター基板5に光を照射し、その反射光の光パワーを検出することにより行われる。
【0054】
上述のように、蒸着法を用いた製造装置の場合は、蒸着源が基板ホルダー3の中心のほぼ真下に位置するため、蒸着源から基板4および基板ホルダー5までの距離がほぼ同じとなる。
したがって、モニター基板5の膜厚と基板4の膜厚との誤差を上記スパッタリング法を用いた製造装置よりも小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1実施例の製造装置の構成図である。
【図2】膜厚コントローラ12に備えられたコンピュータの処理を示すフローチャートである。
【図3】光情報記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図4】膜厚と反射率との関係を示すグラフである。
【図5】光情報記録媒体の一部断面構造を示す模式図である。
【図6】本発明第2実施例の製造装置の構成図である。
【図7】膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図8】本発明第3実施例の製造装置の構成図である。
【符号の説明】
1・・チャンバー、2・・ターゲット、3・・基板ホルダー、4・・基板、
5・・モニター基板、6・・排気口、7・・投光器、8・・ミラー、
9・・フィルター、10・・受光器、11・・ガス供給口、
12・・膜厚コントローラ、13・・モータ、14、20・・光学式膜厚計、
15・・検出窓、16・・電源、17・・窓、18・・電極、19・・電源。
Claims (9)
- 光情報記録媒体を構成する基板を、真空チャンバー内に配置された基板取付手段の一の面に取付けて回転させ、前記基板上に形成される膜の材料の粒子をスパッタリング法または真空蒸着法を用いて前記基板上に堆積させることにより、前記基板上に膜を形成する光情報記録媒体の製造装置であって、
前記基板取付手段の一の面に取付けられるモニター基板と、
前記真空チャンバーに設けられた検出窓と、
前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記検出窓を透過して前記モニター基板に光を照射する光照射手段と、
前記真空チャンバーの外部に設けられ、該チャンバーに設けられた検出窓を透過して前記前記光照射手段から前記モニター基板に照射され、前記モニター基板にて変化された光を前記検出窓を透過して検出する光検出手段と、
前記光検出手段により検出された光に基づいて、前記基板上に形成された膜の膜厚を演算するとともに、この演算された膜厚に基づいて前記材料の粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を調整する堆積量調整手段と、
前記検出窓の前方に形成された光通路と、
前記光通路の外側に相対向して設けられ、かつ前記真空チャンバーの外部に配置された一対の電極と、
前記一対の電極に接続された電源と、
を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。 - 真空チャンバー内に配置されており、光情報記録媒体を構成する膜が上に形成される基板と、
前記基板を一の面に取付ける基板取付手段と、
前記基板取付手段の一の面に取付けられ、前記膜が上に形成されるモニター基板と、
前記基板取付手段を回転させる回転手段と、
前記膜の材料源と、
前記材料源の粒子をスパッタリング法または真空蒸着法を用いて前記基板およびモニター基板の上に堆積させて前記膜を形成する成膜手段と、
前記真空チャンバーに設けられた検出窓と、
前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記モニター基板上に光を照射する光照射手段と、
前記真空チャンバーの外部に設けられ、前記検出窓を透過して前記光照射手段から前記モニター基板に照射され、前記モニター基板にて変化された光を検出する光検出手段と、
前記光検出手段により検出された光に基づいて、前記基板上に形成された膜の膜厚を演算するとともに、前記演算された膜厚に基づいて前記成膜手段による前記材料源の粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を調整する堆積量調整手段と、
前記検出窓の前方に形成された光通路と、
前記光通路の外側に相対向して設けられ、かつ前記真空チャンバーの外部に配置された一対の電極と、
前記一対の電極に接続された電源と、
を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。 - 前記成膜手段は、前記材料源をスパッタリングすることにより前記材料源の粒子を前記基板およびモニター基板の上に堆積して成膜するものであることを特徴とする請求項2に記載の光情報記録媒体の製造装置。
- 前記成膜手段は、前記材料源の粒子を前記基板およびモニター基板の上に真空蒸着させて成膜するものであることを特徴とする請求項2に記載の光情報記録媒体の製造装置。
- 前記回転手段により、前記基板取付手段が回転されたときに、前記光照射手段から照射された光が前記モニター基板に照射されるタイミングを検出するタイミング検出手段が備えられており、
前記堆積量調整手段は、前記タイミング検出手段により検出されたタイミングに応じて前記演算および堆積量の調整を行うものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置。 - 前記光検出手段は、前記光照射手段から前記モニター基板へ照射されて前記モニター基板にて反射された反射光を検出するものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置。
- 前記堆積量調整手段は、前記光検出手段により検出された反射光に基づいて前記光照射手段から照射された光の前記モニター基板に対するエネルギー反射率を演算するとともに、そのエネルギー反射率に基づいて前記基板上に形成された膜の膜厚を演算し、前記演算された膜厚が所定の膜厚になったときに前記材料源の粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積量を調整するものであることを特徴とする請求項6に記載の光情報記録媒体の製造装置。
- 前記堆積量調整手段は、前記演算された膜厚が、所定の膜厚に達したことを判定する判定手段を備えており、
前記判定手段による判定結果が、前記演算された膜厚が前記所定の膜厚に達したという判定結果である場合に、前記材料源の粒子の前記基板およびモニター基板の上への堆積を停止するものであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置。 - 前記光通路は、前記検出窓と該真空チャンバーの前記底部との間に設けられた円筒状の部材で形成されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載の光情報記録媒体の製造装置。
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