JPH02118069A - 光学的特性測定装置 - Google Patents
光学的特性測定装置Info
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- JPH02118069A JPH02118069A JP63270043A JP27004388A JPH02118069A JP H02118069 A JPH02118069 A JP H02118069A JP 63270043 A JP63270043 A JP 63270043A JP 27004388 A JP27004388 A JP 27004388A JP H02118069 A JPH02118069 A JP H02118069A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空蒸着やスパッタ等の薄膜化技術に係り、
特に被成膜物の光学的特性を測定する装：びに関する。
特に被成膜物の光学的特性を測定する装：びに関する。
（従来の技術）
真空蒸着及びスパッタ等により、金属膜や誘電膜等を成
膜するさい、例えば光ディスク等の様に、形成された膜
の反射率等の光学的特性が非常に問題となる場合に従来
はレーザー光干渉法を用いた光学的特性測定装置や光フ
アイバー導入法を用いた光学的特性測定装置などかあっ
な。
膜するさい、例えば光ディスク等の様に、形成された膜
の反射率等の光学的特性が非常に問題となる場合に従来
はレーザー光干渉法を用いた光学的特性測定装置や光フ
アイバー導入法を用いた光学的特性測定装置などかあっ
な。
第４［２Ｉは従来の光学的特性測定装置１０の概略図で
ある。この光学的特性測定装置１０はレーザー光干渉法
を用いたものであり、同図において、７１はチャンバー
、１２は基板、１３はビューイングボート、１４は発光
部、１５はＨｅ −Ｎ ｅレーザー光、１６はハーフミ
ラ−１１７は受光部（フォトセル）である。
ある。この光学的特性測定装置１０はレーザー光干渉法
を用いたものであり、同図において、７１はチャンバー
、１２は基板、１３はビューイングボート、１４は発光
部、１５はＨｅ −Ｎ ｅレーザー光、１６はハーフミ
ラ−１１７は受光部（フォトセル）である。
この様なレーザー光干渉法を用いた光学的特性１ｌＦＩ
定装置１０では、発光部１４より発せられたＨ ｅＮｅ
レーザー１５をハーフミラ−１６を介して透明な材質で
できたビューイングボート１３からチャンバー１１内に
導入し、例えば基板１２の表面に形成され図示しない膜
面を照射する。）膜面より反射した反射光はビューイン
クボート１３を通り外部に配置したハーフミラ−１６を
介して受光部１７（フォトセル）に入射され、膜の反射
率が測定される。
定装置１０では、発光部１４より発せられたＨ ｅＮｅ
レーザー１５をハーフミラ−１６を介して透明な材質で
できたビューイングボート１３からチャンバー１１内に
導入し、例えば基板１２の表面に形成され図示しない膜
面を照射する。）膜面より反射した反射光はビューイン
クボート１３を通り外部に配置したハーフミラ−１６を
介して受光部１７（フォトセル）に入射され、膜の反射
率が測定される。
この様にレーザー光干渉法を用いた従来の光学的特性Ｊ
ＦＩ定装置１０においては、発光部１４も受光部１７も
外部に設置されていた。
ＦＩ定装置１０においては、発光部１４も受光部１７も
外部に設置されていた。
また、光フアイバー導入法を用いた光学的特性測定装置
においては、外部の発光部より発せられた光を光ファイ
バーを用いてチャンバー内に導入し、反射光、透過光共
に光ファイバーを経てチャンバー外部の受光部に送ると
いう方法がとられていた。
においては、外部の発光部より発せられた光を光ファイ
バーを用いてチャンバー内に導入し、反射光、透過光共
に光ファイバーを経てチャンバー外部の受光部に送ると
いう方法がとられていた。
（発明が解決しようとする課Ｕ）
上述の様に、第７１図に示した従来の光学的特性測定装
置１０では、チャンバー１１の外部においてレーザー光
１５を発光、受光しているので、被成膜物に対し発光部
１４、受光部１７共に離れているので、光軸を合せるの
が難しく、基板に面振れがある場合に反射光や透過光を
正確に受光部に導くことはできなかった。
置１０では、チャンバー１１の外部においてレーザー光
１５を発光、受光しているので、被成膜物に対し発光部
１４、受光部１７共に離れているので、光軸を合せるの
が難しく、基板に面振れがある場合に反射光や透過光を
正確に受光部に導くことはできなかった。
また、前記した光フアイバー用いた方法ではチャンバー
外部から導入した光をチャンバー内部で回転させながら
発光及び受光することは困難であり、チャンバー内で被
成膜物が自公転している様な場合には使用することはで
きなかった。
外部から導入した光をチャンバー内部で回転させながら
発光及び受光することは困難であり、チャンバー内で被
成膜物が自公転している様な場合には使用することはで
きなかった。
そのため、光ディスク等の面精度を要する基板の成膜時
に、光学的特性を測定することは上記の方法では不十分
であった。
に、光学的特性を測定することは上記の方法では不十分
であった。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
りチャンバー内において、被成膜物を回転させ、蒸着又
はスパツタリングによって、前記被成膜物に金属及び誘
電体等からなる膜を成膜する装置のチャンバー内に、前
記被成ｆＰ：８．物至近距離に発光部及び反射光受光部
及び、又は透過光受光部を設け、チャンバー外部に反射
率及び、又は透過率表示装置を設けたことを特徴とする
光学的特性Ｊ！１１定装置全装置しようとするものであ
る。
りチャンバー内において、被成膜物を回転させ、蒸着又
はスパツタリングによって、前記被成膜物に金属及び誘
電体等からなる膜を成膜する装置のチャンバー内に、前
記被成ｆＰ：８．物至近距離に発光部及び反射光受光部
及び、又は透過光受光部を設け、チャンバー外部に反射
率及び、又は透過率表示装置を設けたことを特徴とする
光学的特性Ｊ！１１定装置全装置しようとするものであ
る。
（実施例）
実施例１
第１図は、本発明になる光学的特性測定装置の一実施例
２０を示す断面図である。同図において、２１はチャン
バーであり高度な真空状態（例えば１０−’＋ｏｒｒ程
度）で蒸着を行なう真空蒸着室などを形成するものであ
る。２２は例えば透明な材質でできた光デイスク基板（
ディスク基板）、２３は成膜物質を蒸着させるための蒸
着源であり、例えばＴｅ、Ｇｅ、ＺｎＳ、５ｉ０７なビ
が用いられる。２４は回転軸であり、この回転軸２４を
刊用して光デイスク基板２２が回転可能に収り付けられ
る。また、光デイスク基板２２の下には蒸着ａ２３がら
の蒸着粒子を防ぐためのマスク２５が設けられ、このマ
スク２５には光デイスク基板の半径と略等しい鰻大径を
有する開口部２５ａが形成されその開口部２５ａの下方
には開閉自在な開口部のシャッター２６を介して蒸着源
２３か配置される。
２０を示す断面図である。同図において、２１はチャン
バーであり高度な真空状態（例えば１０−’＋ｏｒｒ程
度）で蒸着を行なう真空蒸着室などを形成するものであ
る。２２は例えば透明な材質でできた光デイスク基板（
ディスク基板）、２３は成膜物質を蒸着させるための蒸
着源であり、例えばＴｅ、Ｇｅ、ＺｎＳ、５ｉ０７なビ
が用いられる。２４は回転軸であり、この回転軸２４を
刊用して光デイスク基板２２が回転可能に収り付けられ
る。また、光デイスク基板２２の下には蒸着ａ２３がら
の蒸着粒子を防ぐためのマスク２５が設けられ、このマ
スク２５には光デイスク基板の半径と略等しい鰻大径を
有する開口部２５ａが形成されその開口部２５ａの下方
には開閉自在な開口部のシャッター２６を介して蒸着源
２３か配置される。
２７と２８はそれぞれ発光部及び反射光受光部と、透過
光受光部であり、発光部及び反射光受光部２７はマスク
２５に設けられた透過光受光部２８と光デイスク基板２
２を介して至近距離で対向する様にチャンバー２１に設
けられている。２つは電流導入子であり発光部及び反射
光受光部２７や透過光受光部２８により検出された光信
号を配線２９ａを介してチャンバー２１の外部へ伝送す
るためのものである。またＡは受光信号増幅器、Ｂは記
録装置である。
光受光部であり、発光部及び反射光受光部２７はマスク
２５に設けられた透過光受光部２８と光デイスク基板２
２を介して至近距離で対向する様にチャンバー２１に設
けられている。２つは電流導入子であり発光部及び反射
光受光部２７や透過光受光部２８により検出された光信
号を配線２９ａを介してチャンバー２１の外部へ伝送す
るためのものである。またＡは受光信号増幅器、Ｂは記
録装置である。
使用に際して、Ｘ６源２３を抵抗加熱法や電子ビーム加
熱法により蒸発させると共に、シャッター２６を開き、
回転する光デイスク基板２２に所望の膜２３ａを成１漠
する。発光部及び反射光受光部２７により介せられた光
は、透明な光デイスク基板２２を通り、１１２３ａによ
り反射する反射光と、１ｌＱ２３ａを透過する透過光に
分れるから、この反射光は、発光部及び反射光受光部２
７で検出され、透過光は透過光受光部２８によって検出
される。
熱法により蒸発させると共に、シャッター２６を開き、
回転する光デイスク基板２２に所望の膜２３ａを成１漠
する。発光部及び反射光受光部２７により介せられた光
は、透明な光デイスク基板２２を通り、１１２３ａによ
り反射する反射光と、１ｌＱ２３ａを透過する透過光に
分れるから、この反射光は、発光部及び反射光受光部２
７で検出され、透過光は透過光受光部２８によって検出
される。
検出された反射光、透過光の信号は電流導入子２７を通
してチャンバー外部に送られ、受光信号増幅３ Ａを通
して記録装置Ｂに送られる。この際の出力例を第２図に
示した。第２図は蒸着時間による反射率及び透過率の変
化を示す図であり、縦軸に反射率（透過率）をとり、横
軸に蒸着時間をとっである。同図において実線は反射率
を示し、点線は透過率を示す。一般に、膜厚は蒸着時間
に比例するから、反射率または透過率は膜厚によって周
期的に極大値と極小値を示す、この理由は、発光部２８
より発せられる光の波長をλとし、膜２３ａの屈折率を
ｎとすると、干渉作用により膜２３ａの膜厚が（２１−
１）λ／４ｎ （１Ｍ＝１．２，３．・）のとき反射
率が外大値をとり、膜厚が２１１λ／４ｎ （ｎ＝１
．２．３・・）のとき反射率が極小値をとるためである
。
してチャンバー外部に送られ、受光信号増幅３ Ａを通
して記録装置Ｂに送られる。この際の出力例を第２図に
示した。第２図は蒸着時間による反射率及び透過率の変
化を示す図であり、縦軸に反射率（透過率）をとり、横
軸に蒸着時間をとっである。同図において実線は反射率
を示し、点線は透過率を示す。一般に、膜厚は蒸着時間
に比例するから、反射率または透過率は膜厚によって周
期的に極大値と極小値を示す、この理由は、発光部２８
より発せられる光の波長をλとし、膜２３ａの屈折率を
ｎとすると、干渉作用により膜２３ａの膜厚が（２１−
１）λ／４ｎ （１Ｍ＝１．２，３．・）のとき反射
率が外大値をとり、膜厚が２１１λ／４ｎ （ｎ＝１
．２．３・・）のとき反射率が極小値をとるためである
。
この様に、回転する光デイスク基板に成膜された膜２３
ａの膜厚を連続的に測定できるから、所定の反射率に達
した時にシャッター２６を閉じることができ、また至近
距離から反射率の測定を行なうために、バラツキの少な
い、一定の反射率の製品を得ることができる。
ａの膜厚を連続的に測定できるから、所定の反射率に達
した時にシャッター２６を閉じることができ、また至近
距離から反射率の測定を行なうために、バラツキの少な
い、一定の反射率の製品を得ることができる。
実施例２
第３図は本発明になる光学的特性測定装置の他の実施例
３０を示す断面図である。同図において、実施例１と同
じ構成要素については同符号を付し説明を省略する。
３０を示す断面図である。同図において、実施例１と同
じ構成要素については同符号を付し説明を省略する。
本実施例においては、回転軸２４を利用して回転台３１
が回転可能に取り付けられている。この回転台３１には
歯ＪＴｊ３２を備えた複数の回転軸３３が設けられてい
る。また、回転軸２４の下方のマスク２５上には、回転
軸２４の中心線の延長上に軸３４か固定され、この軸３
４に歯車３５が複数の歯車３２と噛み合うように取り付
けられている。また、回転軸３３上には光デイスク基板
が取り付けられている。前記回転台３１には、発光部及
び反射光受光部２７が各ディスク基板上方に配設されて
いる。３６は回転電流導入子であり発光部及び反射光受
光部２７により検出された光信号を配線２９ａを介して
チャンバー外部に回転しながら伝送することを可能とし
たちのである９便用に際して、回転軸２４を回転させる
と、この固定されたｌ！ｌ＋３４に設けられた歯車３５
と歯車３２が噛み合うことによって回転ＩＩ［ｉ３３上
の光デイスク基板２２は自公転することが可能になる。
が回転可能に取り付けられている。この回転台３１には
歯ＪＴｊ３２を備えた複数の回転軸３３が設けられてい
る。また、回転軸２４の下方のマスク２５上には、回転
軸２４の中心線の延長上に軸３４か固定され、この軸３
４に歯車３５が複数の歯車３２と噛み合うように取り付
けられている。また、回転軸３３上には光デイスク基板
が取り付けられている。前記回転台３１には、発光部及
び反射光受光部２７が各ディスク基板上方に配設されて
いる。３６は回転電流導入子であり発光部及び反射光受
光部２７により検出された光信号を配線２９ａを介して
チャンバー外部に回転しながら伝送することを可能とし
たちのである９便用に際して、回転軸２４を回転させる
と、この固定されたｌ！ｌ＋３４に設けられた歯車３５
と歯車３２が噛み合うことによって回転ＩＩ［ｉ３３上
の光デイスク基板２２は自公転することが可能になる。
この際、本実施例では、回転台３１より光デイスク基板
２２を見ると、光デイスク基板２２だけが自転しており
、前記実施例１と同じ粂件となる。即ち、回転台３１に
取り付けられた発光部及び反射光受光部２７を用いて反
射率の検出を行なうことができるが、実施例１と異なり
チャンバー２１から見ると発光部及び反射光受光部２７
が回転しているので、回転伝送が可能な回転電流導入子
３６を用いることによって、チャンバー外部に受光信号
を送出することか可能である。この実施例においてら検
出された信号は実施（９ｊ１と同様に第２図の様なデー
タを与えるので。
２２を見ると、光デイスク基板２２だけが自転しており
、前記実施例１と同じ粂件となる。即ち、回転台３１に
取り付けられた発光部及び反射光受光部２７を用いて反
射率の検出を行なうことができるが、実施例１と異なり
チャンバー２１から見ると発光部及び反射光受光部２７
が回転しているので、回転伝送が可能な回転電流導入子
３６を用いることによって、チャンバー外部に受光信号
を送出することか可能である。この実施例においてら検
出された信号は実施（９ｊ１と同様に第２図の様なデー
タを与えるので。
上述の様に、より均一な製品を得るために光デイスク基
板に自公転機能を鍋えた装置にも前記同様使用でき、バ
ラツキの少ない一定の反射率を有する製品を得ることが
できる。
板に自公転機能を鍋えた装置にも前記同様使用でき、バ
ラツキの少ない一定の反射率を有する製品を得ることが
できる。
（発明の効果）
上述の様に、本発明ではチャンバー内において、被成膜
物を回転させ、蒸着又はスパッタリングによって、前記
被成膜物に金属及び誘電体等からなる膜を成膜する装置
のチャンバー内に、前記被成膜１勿至近距Ｍに発光部及
び反射光受光部及び、又は透過光受光部を設け、チャン
バー外部に反射率及び、又は透過率表示装置を設けたた
め、成膜中のディスクの反射率及び、又は透過率を連続
的に測定することが可能であり、至近距離から反射率の
測定を行なう為にバラツキの少ない一定の反射率で成膜
を終了させることが可能な光学的特性測定装置の提供を
可能とするしのである。
物を回転させ、蒸着又はスパッタリングによって、前記
被成膜物に金属及び誘電体等からなる膜を成膜する装置
のチャンバー内に、前記被成膜１勿至近距Ｍに発光部及
び反射光受光部及び、又は透過光受光部を設け、チャン
バー外部に反射率及び、又は透過率表示装置を設けたた
め、成膜中のディスクの反射率及び、又は透過率を連続
的に測定することが可能であり、至近距離から反射率の
測定を行なう為にバラツキの少ない一定の反射率で成膜
を終了させることが可能な光学的特性測定装置の提供を
可能とするしのである。
第１図、第３図は本発明になる光学的特性ＪＱＩ定装置
の一実施例を示す１ｔｌｉ面図、第２図は蒸着時間によ
る反射率及び透過率の変化を示す図、第４図はｆｅ ＊
の光学的特性測定装置のｌＦｔ略図である。 ２０．３０・・・光学的特性測定！Ａ置、２１・・・チ
ャンバー２２・・・光デイスク基板、２３・・・′７：
着源、２４．３３・・・回転軸、２５・・・マスク、２
５・・・開口部、２６・・・シャッター２７・・・発光
部及び反射光受光部、２８・・・透過光受光部、２つ・
・・電流導入子、３１・・・回転台、３２．３５・・・
歯車、３４・・・軸、３Ｇ・・・回転電流導入子。 特許出頭人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木 邦人 ヂ１図
の一実施例を示す１ｔｌｉ面図、第２図は蒸着時間によ
る反射率及び透過率の変化を示す図、第４図はｆｅ ＊
の光学的特性測定装置のｌＦｔ略図である。 ２０．３０・・・光学的特性測定！Ａ置、２１・・・チ
ャンバー２２・・・光デイスク基板、２３・・・′７：
着源、２４．３３・・・回転軸、２５・・・マスク、２
５・・・開口部、２６・・・シャッター２７・・・発光
部及び反射光受光部、２８・・・透過光受光部、２つ・
・・電流導入子、３１・・・回転台、３２．３５・・・
歯車、３４・・・軸、３Ｇ・・・回転電流導入子。 特許出頭人 日本ビクター株式会社 代表者 垣木 邦人 ヂ１図
Claims (1)
- チャンバー内において、被成膜物を回転させ、蒸着又は
スパッタリングによって、前記被成膜物に金属及び誘電
体等からなる膜を成膜する装置のチャンバー内に、前記
被成膜物至近距離に発光部及び反射光受光部及び、又は
透過光受光部を設け、チャンバー外部に反射率及び、又
は透過率表示装置を設けたことを特徴とする光学的特性
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270043A JPH02118069A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光学的特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270043A JPH02118069A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光学的特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118069A true JPH02118069A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=17480735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270043A Pending JPH02118069A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光学的特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118069A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310260A (en) * | 1990-04-10 | 1994-05-10 | Luxtron Corporation | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions |
| US5318362A (en) * | 1990-04-10 | 1994-06-07 | Luxtron Corporation | Non-contact techniques for measuring temperature of radiation-heated objects |
| JPH08315432A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Nippondenso Co Ltd | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| US5769540A (en) * | 1990-04-10 | 1998-06-23 | Luxtron Corporation | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions |
| JP2002129326A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Anelva Corp | 基板加熱機構付シャッタを有する成膜装置及び成膜方法 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270043A patent/JPH02118069A/ja active Pending
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