JP2902048B2 - 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 - Google Patents
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置Info
- Publication number
- JP2902048B2 JP2902048B2 JP2121479A JP12147990A JP2902048B2 JP 2902048 B2 JP2902048 B2 JP 2902048B2 JP 2121479 A JP2121479 A JP 2121479A JP 12147990 A JP12147990 A JP 12147990A JP 2902048 B2 JP2902048 B2 JP 2902048B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film thickness
- optical path
- optical
- thickness monitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光記録簿膜、光学レンズのコーティング膜等
の作成時に、光学的な膜厚を厳密に測定することができ
る光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング
装置に関するものである。
の作成時に、光学的な膜厚を厳密に測定することができ
る光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング
装置に関するものである。
従来の技術 光学薄膜の製造装置として、近年、スパッタリング装
置が広く用いられるようになった。このスパッタリング
装置における成膜速度のコントロールする方法として
は、スパッタターゲットと基板との間の電圧を変える方
法や、プラズマを作るためにチャンバー内に導入するガ
スの流量を変える方法等がある。そして、所定膜厚の薄
膜を形成する場合には、予め種々の条件でスパッタリン
グを行って膜厚を測定してスパッタリング条件と成膜速
度との関係を求めておき、そのスパッタリング速度から
算出した時間で成膜を終了させるという方法が一般的で
あった。
置が広く用いられるようになった。このスパッタリング
装置における成膜速度のコントロールする方法として
は、スパッタターゲットと基板との間の電圧を変える方
法や、プラズマを作るためにチャンバー内に導入するガ
スの流量を変える方法等がある。そして、所定膜厚の薄
膜を形成する場合には、予め種々の条件でスパッタリン
グを行って膜厚を測定してスパッタリング条件と成膜速
度との関係を求めておき、そのスパッタリング速度から
算出した時間で成膜を終了させるという方法が一般的で
あった。
発明が解決しようとする課題 ここで、形成する薄膜が例えば金属の酸化物薄膜のよ
うに安定なものである場合には、従来の方法で膜厚（光
学的な厚さを含む）の制御が可能である。
うに安定なものである場合には、従来の方法で膜厚（光
学的な厚さを含む）の制御が可能である。
しかしながら、例えばスパッタリングガスとして酸素
ガスや窒素ガスを導入し、このようなガスとターゲット
材料とを反応させながら基板上に堆積させる所謂反応性
スパッタリングの場合、或いは複数のターゲットから同
一基板上にアモルファス合金膜、若しくは積層膜を形成
しようとする場合には、膜厚の絶対的な厚さは制御でき
ても光学的な厚さを制御することが困難であった。例え
ば、混合スパッタリングでアモルファス合金薄膜を形成
する場合には、その光学定数（屈折率、消衰係数）は条
件（例えば、各ターゲットの差異）によって変動するこ
とが知られており、膜厚の絶対値が同じであっても光学
的な厚さは異るという課題を有していた。
ガスや窒素ガスを導入し、このようなガスとターゲット
材料とを反応させながら基板上に堆積させる所謂反応性
スパッタリングの場合、或いは複数のターゲットから同
一基板上にアモルファス合金膜、若しくは積層膜を形成
しようとする場合には、膜厚の絶対的な厚さは制御でき
ても光学的な厚さを制御することが困難であった。例え
ば、混合スパッタリングでアモルファス合金薄膜を形成
する場合には、その光学定数（屈折率、消衰係数）は条
件（例えば、各ターゲットの差異）によって変動するこ
とが知られており、膜厚の絶対値が同じであっても光学
的な厚さは異るという課題を有していた。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、ス
パッタリング中に光学的な厚さを計測することができる
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装
置を提供することを目的とする。
パッタリング中に光学的な厚さを計測することができる
光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装
置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するために、単色光線を放射
する光源と、上記光源からの照射光を略平行光線にする
光線平行化手段と、上記平行光線の光路を変更して、表
面に薄膜が形成されるべき基板に略垂直に入射するよう
に導く第１光路変更手段と、上記基板からの反射光の光
路を変更する第２光路変更手段と、上記第２光路変更手
段により光路変更された反射光を集束させる光線集束化
手段と、上記光線集束化手段で集束された集束光を検出
して、これを電気信号に変換する光電変換手段とを有
し、上記光源の発光面と上記光電変換手段の受光面とを
同一平面上に備え、上記光線平行化手段と上記光線集束
化手段とを同一部材で構成し、上記第１光路変更手段と
上記第２光路変更手段とを同一部材で構成し、これら全
ての手段を一体化したことを特徽とする。
する光源と、上記光源からの照射光を略平行光線にする
光線平行化手段と、上記平行光線の光路を変更して、表
面に薄膜が形成されるべき基板に略垂直に入射するよう
に導く第１光路変更手段と、上記基板からの反射光の光
路を変更する第２光路変更手段と、上記第２光路変更手
段により光路変更された反射光を集束させる光線集束化
手段と、上記光線集束化手段で集束された集束光を検出
して、これを電気信号に変換する光電変換手段とを有
し、上記光源の発光面と上記光電変換手段の受光面とを
同一平面上に備え、上記光線平行化手段と上記光線集束
化手段とを同一部材で構成し、上記第１光路変更手段と
上記第２光路変更手段とを同一部材で構成し、これら全
ての手段を一体化したことを特徽とする。
また本発明は、請求項１記載の光学的膜厚モニターを
チャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、上
記光学的膜厚モニターと基板の膜形成面との距離が、ス
パッタリングターゲットと上記膜形成面との距離よりも
大きくなるように、光学的膜厚モニターを設置したこと
を特徴とする。
チャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、上
記光学的膜厚モニターと基板の膜形成面との距離が、ス
パッタリングターゲットと上記膜形成面との距離よりも
大きくなるように、光学的膜厚モニターを設置したこと
を特徴とする。
更に本発明は、請求項１記載の光学的膜厚モニターを
チャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、ス
パッタリング時に前記光瀕及び前記光電変換手段がプラ
ズマ領域の十分外側に位置するよう、光源及び光電変換
手段と前記両光路変更手段との距離を十分長く設定した
ことを特徴とする。
チャンバー内に備えたスパッタリング装置であって、ス
パッタリング時に前記光瀕及び前記光電変換手段がプラ
ズマ領域の十分外側に位置するよう、光源及び光電変換
手段と前記両光路変更手段との距離を十分長く設定した
ことを特徴とする。
作用 上記第１発明の光学的膜厚モニターであれば、干渉に
より反射光の強度変化が変化し、これを時間的変化とし
て観察するこが可能となる。したがって、スパッタリン
グ中に成膜されつつある薄膜の光学的な厚さを検出する
ことができる。また、上記光源の発光面と上記光電変換
手段の受光面とを同一平面上に備え、上記光線平行化手
段と上記光線集束化手段とを同一部材で構成し、上記第
１光路変更手段と上記第２光路変更手段とを同一部材で
構成し、光源と、光電変換手段と、光学系とを一体化し
ているので、光学的膜厚モニターの構成をコンパクトに
でき、且つ光軸の調整を容易に行うことができると共
に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリング装置内
に設置することが可能となる。
より反射光の強度変化が変化し、これを時間的変化とし
て観察するこが可能となる。したがって、スパッタリン
グ中に成膜されつつある薄膜の光学的な厚さを検出する
ことができる。また、上記光源の発光面と上記光電変換
手段の受光面とを同一平面上に備え、上記光線平行化手
段と上記光線集束化手段とを同一部材で構成し、上記第
１光路変更手段と上記第２光路変更手段とを同一部材で
構成し、光源と、光電変換手段と、光学系とを一体化し
ているので、光学的膜厚モニターの構成をコンパクトに
でき、且つ光軸の調整を容易に行うことができると共
に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリング装置内
に設置することが可能となる。
また、本第２発明のスパッタリング装置であれば、プ
ラズマの形状に悪影響を及ぼすことがないので、精度良
く成膜でき、且つ光学的膜厚モニター（特に、温度影響
を受けやすい光源や光電変換手段）の温度上昇を抑制す
ることができるので、測定誤差を低減することが可能と
なる。
ラズマの形状に悪影響を及ぼすことがないので、精度良
く成膜でき、且つ光学的膜厚モニター（特に、温度影響
を受けやすい光源や光電変換手段）の温度上昇を抑制す
ることができるので、測定誤差を低減することが可能と
なる。
更に、本第３発明のスパッタリング装置であれば、光
源や光電変換手段をプラズマ領域外に配置することがで
きるので、光源等が昇温するのを抑制することが可能と
なる。
源や光電変換手段をプラズマ領域外に配置することがで
きるので、光源等が昇温するのを抑制することが可能と
なる。
実施例 本発明の一実施例を、第１図〜第３図に基づいて、以
下に説明する。
下に説明する。
第１図は本発明の光学的膜厚モニターの一実施例を示
す構成図であって、ステンレスから成るモニター箱８内
の一端には、略単色の光線を照射する光源１と、反射光
16を検出してこれを電気信号に変換する検出器７とが固
定されている。上記光源１は半導体レーザ或いはLEDか
ら成り、また上記検出器７はフォトダイオード、フォト
セル等の光を検出するデバイスから成る。更に、光源１
と検出器７とは、その発光面と受光面とが同一面となる
ように構成される。
す構成図であって、ステンレスから成るモニター箱８内
の一端には、略単色の光線を照射する光源１と、反射光
16を検出してこれを電気信号に変換する検出器７とが固
定されている。上記光源１は半導体レーザ或いはLEDか
ら成り、また上記検出器７はフォトダイオード、フォト
セル等の光を検出するデバイスから成る。更に、光源１
と検出器７とは、その発光面と受光面とが同一面となる
ように構成される。
上記光源１の光照射方向下流側には、光照射方向に移
動可能なレンズ２が設けられている。この移動は、例え
ば、レンズ２を保持するホルダ（図示せず）の外周面に
雄捻子を形成する一方、雌捻子が形成されたリング状部
材を前記モニター箱８の内面に固定し、上記雄捻子と雌
捻子との螺合位置を変えることによって行う。
動可能なレンズ２が設けられている。この移動は、例え
ば、レンズ２を保持するホルダ（図示せず）の外周面に
雄捻子を形成する一方、雌捻子が形成されたリング状部
材を前記モニター箱８の内面に固定し、上記雄捻子と雌
捻子との螺合位置を変えることによって行う。
一方、モニター箱８の他端側上璧には、上記光源１か
らの照射光15を後述の基板18に導くと共に基板18からの
反射光16をモニター箱８内に導くための窓20が形成され
ている。この窓20の下方には、上記照射光15と反射光16
との光路を変換させるためのミラー６が固定されてい
る。このミラー６と上記光源１及び検出器７との距離l3
は、光源１等がプラズマ領域内に位置するのを防止すべ
く十分大きくなるように構成されている。
らの照射光15を後述の基板18に導くと共に基板18からの
反射光16をモニター箱８内に導くための窓20が形成され
ている。この窓20の下方には、上記照射光15と反射光16
との光路を変換させるためのミラー６が固定されてい
る。このミラー６と上記光源１及び検出器７との距離l3
は、光源１等がプラズマ領域内に位置するのを防止すべ
く十分大きくなるように構成されている。
第２図は３つのターゲット11〜13を有するスパッタリ
ング装置のチャンバー９内に本発明の光学的膜厚モニタ
ー14を配備した時の機略図を示すものである。上記光学
的膜厚モニター14は、ターゲットホルダ21のターゲット
11、12間に形成された凹溝21a内に埋設されている。上
記凹溝21aの探さl1は、モニター箱８の高さl2よりも若
干深くなるように構成されており、これにより、光学的
膜厚モニター14がプラズマ領域内に位置するのを防止す
ることができる。前記ターゲットホルダ21の上方には基
板示ルダを兼用する電極10が設けられており、この電極
10と上記ターゲットホルダ21との間に電圧を印加してス
パッタリングを行う。また、上記電極10と凹溝21aの底
面とは平行になるように形成されており、これによっ
て、光学的膜厚モニター14と電極10とは平行状態となっ
ている。
ング装置のチャンバー９内に本発明の光学的膜厚モニタ
ー14を配備した時の機略図を示すものである。上記光学
的膜厚モニター14は、ターゲットホルダ21のターゲット
11、12間に形成された凹溝21a内に埋設されている。上
記凹溝21aの探さl1は、モニター箱８の高さl2よりも若
干深くなるように構成されており、これにより、光学的
膜厚モニター14がプラズマ領域内に位置するのを防止す
ることができる。前記ターゲットホルダ21の上方には基
板示ルダを兼用する電極10が設けられており、この電極
10と上記ターゲットホルダ21との間に電圧を印加してス
パッタリングを行う。また、上記電極10と凹溝21aの底
面とは平行になるように形成されており、これによっ
て、光学的膜厚モニター14と電極10とは平行状態となっ
ている。
ところで、上記構造の光学的膜厚モニター14を用い
て、基板の光学的膜厚を側定する際には、以下のように
して行う。
て、基板の光学的膜厚を側定する際には、以下のように
して行う。
先ず、光源１から単色光が照射されると、この照射光
15はレンズ２によって疑似平行光線となった後ミラー６
によって略90°屈折され、基板18のスパッタリング面19
に略垂直に入射する。この後、スパッタリング面19で反
射した反射光16は再度ミラー６によって90°屈折され、
レンズ２に入射して検出器７に集光される。検出器７で
は光電変換されて、電気信号が、例えばペンレコーダー
（図示せず）に出力される。これにより、反射光16の光
量の時間的変化を測定することができるので、生成膜の
光学的膜厚をスパッタリング中に測定することが可能と
なる。
15はレンズ２によって疑似平行光線となった後ミラー６
によって略90°屈折され、基板18のスパッタリング面19
に略垂直に入射する。この後、スパッタリング面19で反
射した反射光16は再度ミラー６によって90°屈折され、
レンズ２に入射して検出器７に集光される。検出器７で
は光電変換されて、電気信号が、例えばペンレコーダー
（図示せず）に出力される。これにより、反射光16の光
量の時間的変化を測定することができるので、生成膜の
光学的膜厚をスパッタリング中に測定することが可能と
なる。
上記構成の如く、モニター箱８内に光源１と、レンズ
２と、ミラー６と、検出器７とを一体的に取り付けれ
ば、光学的膜厚モニター14の構成をコンパクトにできる
と共に、光軸の調整が容易となる。加えて、光学的膜厚
モニター14を簡単にスパッタリング装置内に設置するこ
とができる。
２と、ミラー６と、検出器７とを一体的に取り付けれ
ば、光学的膜厚モニター14の構成をコンパクトにできる
と共に、光軸の調整が容易となる。加えて、光学的膜厚
モニター14を簡単にスパッタリング装置内に設置するこ
とができる。
また、光学的膜厚モニター14を埋設するための凹溝21
aの深さl2は、モニター箱８の高さl2よりも若干深くな
るように構成されているので、モニター箱８の上面はタ
ーゲット11〜13の表面よりも下方に位置する。したがっ
て、電極10とターゲットホルダ21との間に生じるプラズ
マの形状に悪影響を及ぼすことがない。加えて、モニタ
ー箱８の温度が上昇しないので、測定誤差を低減するこ
とができる。
aの深さl2は、モニター箱８の高さl2よりも若干深くな
るように構成されているので、モニター箱８の上面はタ
ーゲット11〜13の表面よりも下方に位置する。したがっ
て、電極10とターゲットホルダ21との間に生じるプラズ
マの形状に悪影響を及ぼすことがない。加えて、モニタ
ー箱８の温度が上昇しないので、測定誤差を低減するこ
とができる。
更に、窓20に臨むのはミラー６だけなので、ミラー６
だけしか露出せず、レンズ２や比較的熱で変動しやすい
光源１や検出器７がスパッタリングされたり昇温したり
するのを防止することができる。加えて、光源１とミラ
ー６との長さl3は十分大きく設定されているので、光源
１や検出器７をプラズマ領域外に配置することができ、
これによっても光源１等が昇温するのを防止することが
できる。
だけしか露出せず、レンズ２や比較的熱で変動しやすい
光源１や検出器７がスパッタリングされたり昇温したり
するのを防止することができる。加えて、光源１とミラ
ー６との長さl3は十分大きく設定されているので、光源
１や検出器７をプラズマ領域外に配置することができ、
これによっても光源１等が昇温するのを防止することが
できる。
尚、モニター箱８の材料としてはステンレスに限定す
るものではなく、金属（例えば、アルミニウム、銅等）
であればいかなるものであっても良い。但し、ステンレ
スはガスを発生しないので、ステンレスを用いるのが望
ましい。
るものではなく、金属（例えば、アルミニウム、銅等）
であればいかなるものであっても良い。但し、ステンレ
スはガスを発生しないので、ステンレスを用いるのが望
ましい。
また、ミラー６は経時劣化するため、交換可能な構成
とするのが望ましい。また、光路変換手段としてはミラ
ーに限定するものではなく、プリズムであってもよい。
とするのが望ましい。また、光路変換手段としてはミラ
ーに限定するものではなく、プリズムであってもよい。
上記構成のスパッタリング装置を用いて、薄膜の光学
的膜厚を測定しつつ薄膜形成を行った。
的膜厚を測定しつつ薄膜形成を行った。
（実験条件） 光学的膜厚モニター14を３個用い、それぞれの照射光
15が基板18（ディスク）のスパッタリング面19における
Φ120、Φ85、Φ50の位置に照射されるようモニター14
をチャンバー９内に配置し、３つの位置の光学的情報を
同時に得ることができるような構成としている。
15が基板18（ディスク）のスパッタリング面19における
Φ120、Φ85、Φ50の位置に照射されるようモニター14
をチャンバー９内に配置し、３つの位置の光学的情報を
同時に得ることができるような構成としている。
また、ターゲット11〜13,検出器７等については、以
下のような構成である。
下のような構成である。
ターゲット…ZnS 検出器…波長830nm付近（半値幅30nm）に中心を持つLED レンズの焦点距離…30mm 電極の回転数…120rpm 上記の構成のスパッタリング装置を用いて、基板（厚
さ1.2mm、外経130nm,センター穴15mmのポリカーボネイ
ト円盤であって光ディスクに用いる）上にZnSをλ/4n
〔n:薄膜の屈折率（2.4）、λ：光源の披長（83nm）〕
の厚さだけスパッタリングした。成膜時間はΦ85のモニ
ターの情報を優先し反射光量が最大となる時間で終了し
た。
さ1.2mm、外経130nm,センター穴15mmのポリカーボネイ
ト円盤であって光ディスクに用いる）上にZnSをλ/4n
〔n:薄膜の屈折率（2.4）、λ：光源の披長（83nm）〕
の厚さだけスパッタリングした。成膜時間はΦ85のモニ
ターの情報を優先し反射光量が最大となる時間で終了し
た。
尚、このように反射光量が最大となる時間で終了させ
るのは、以下の理由による。
るのは、以下の理由による。
即ち、上記光学的膜厚モニター14における換算路程差
x1は下記（１）式によって示される。
x1は下記（１）式によって示される。
x1＝2dn（d:膜厚） ＝２×λ/4n×ｎ ＝λ/2…（１） ところが、形成されたZnS膜の屈折率は約2.1であるの
に対して、基板の屈折率は約1.5であるため、基板で屈
折する光線はλ/2だけ位相が変化する。したがって、光
格差x2は下記（２）式によって示される。
に対して、基板の屈折率は約1.5であるため、基板で屈
折する光線はλ/2だけ位相が変化する。したがって、光
格差x2は下記（２）式によって示される。
x2＝λ/2＋λ/2 ＝λ…（２） したがって、上記の如く反射光量が最大となる時間で
終了させれば、ZnSの膜厚がλ/4nとなる。
終了させれば、ZnSの膜厚がλ/4nとなる。
（実験結果） 光学モニターからの出力をペンレーコーダーで描かせ
たので、その結果を第３図に示す。
たので、その結果を第３図に示す。
第３図から明らかなように、照射位置がΦ85とΦ120
との部位では反射光16の位相が揃っていることが認めら
れるが、Φ50の部位ではΦ85等の部位より位相が進んで
いることが認められる。
との部位では反射光16の位相が揃っていることが認めら
れるが、Φ50の部位ではΦ85等の部位より位相が進んで
いることが認められる。
そこで、実際の膜厚を繰り返し干渉膜厚計で測定した
ところ、Φ85〜Φ120の部位では膜厚がおよそ86nmであ
って、上記設定植（λ/4n）に一致していたが、Φ120の
部位では膜厚が92nmと設定値よりも厚くなっていること
が認められた。これにより、光学的膜厚モニター19は正
確に作動していることが確認された。
ところ、Φ85〜Φ120の部位では膜厚がおよそ86nmであ
って、上記設定植（λ/4n）に一致していたが、Φ120の
部位では膜厚が92nmと設定値よりも厚くなっていること
が認められた。これにより、光学的膜厚モニター19は正
確に作動していることが確認された。
尚、上記実験ではΦ120、Φ85、Φ50の位置に光学的
膜厚モニター14を設けているが、効率よく膜厚を測定す
るためには、基板の回転中心から半径方向の直線上を等
分する位置に各光線を入射させるように光学的膜厚モニ
ター14を配置するのが好ましい。
膜厚モニター14を設けているが、効率よく膜厚を測定す
るためには、基板の回転中心から半径方向の直線上を等
分する位置に各光線を入射させるように光学的膜厚モニ
ター14を配置するのが好ましい。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、スパッタリング
中に薄膜の光学的な厚さを検出することができると共
に、光学的膜厚モニターの構成をコンパクトにでき、且
つ光軸の調整を容易に行うことができる。
中に薄膜の光学的な厚さを検出することができると共
に、光学的膜厚モニターの構成をコンパクトにでき、且
つ光軸の調整を容易に行うことができる。
更に、光学的膜厚モニターを容易にスパッタリング装
置内に設置することが可能となると共に、プラズマの形
状に悪影響を及ぼすこともない。
置内に設置することが可能となると共に、プラズマの形
状に悪影響を及ぼすこともない。
加えて、光源等の温度上昇を抑制することができるの
で、側定誤差を低減することが可能になる等の効果を奏
する。
で、側定誤差を低減することが可能になる等の効果を奏
する。
第１図は本発明の一実施例の光学的膜厚モニターの断面
図、第２図は本発明の光学的膜厚モニターを用いたスパ
ッタリング装置のチャンバー内の構成を示す説明図、第
３図は本発明のスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングしたときのモニターからの出力例を示すグラフであ
る。 １……光源、２……レンズ、４……スパッタ面、６……
ミラー、７……検出器、８……モニター箱、９……チャ
ンバー、11〜13……ターゲット、14…光学的膜厚モニタ
ー、15……照射光、16……反射光、18……基板、20……
窓。
図、第２図は本発明の光学的膜厚モニターを用いたスパ
ッタリング装置のチャンバー内の構成を示す説明図、第
３図は本発明のスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングしたときのモニターからの出力例を示すグラフであ
る。 １……光源、２……レンズ、４……スパッタ面、６……
ミラー、７……検出器、８……モニター箱、９……チャ
ンバー、11〜13……ターゲット、14…光学的膜厚モニタ
ー、15……照射光、16……反射光、18……基板、20……
窓。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−192904（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−52004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225113（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−44204（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−10606（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 C23C 14/00 - 14/58 G11B 7/26 - 7/26 531
Claims (3)
- 【請求項１】単色光線を放射する光源と、 上記光源からの照射光を略平行光線にする光線平行化手
段と、 上記平行光線の光路を変更して、表面に薄膜が形成され
るべき基板に略垂直に入射するように導く第１光路変更
手段と、 上記基板からの反射光の光路を変更する第２光路変更手
段と、 上記第２光路変更手段により光路変更された反射光を集
束させる光線集束化手段と、 上記光線集束化手段で集束された集束光を検出して、こ
れを電気信号に変換する光電変換手段と、を有し、 上記光源の発光面と上記光電変換手段の受光面とを同一
平面上に備え、上記光線平行化手段と上記光線集束化手
段とを同一部材で構成し、上記第１光路変更手段と上記
第２光路変更手段とを同一部材で構成し、これら全ての
手段を一体化したことを特徴とする光学的膜厚モニタ
ー。 - 【請求項２】請求項１記載の光学的膜厚モニターをチャ
ンバー内に備えたスパッタリング装置であって、 上記光学的膜厚モニターと基板の膜形成面との距離が、
スパッタリングターゲットと上記膜形成面との距離より
も大きくなるように、光学的膜厚モニターを設置したこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項３】請求項１記載の光学的膜厚モニターをチャ
ンバー内に備えたスパッタリング装置であって、 スパッタリング時に前記光源及び前記光電変換手段がプ
ラズマ領域の十分外側に位置するよう、光源及び光電変
換手段と前記両光路変更手段との距離を十分長く設定し
たことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121479A JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2121479A JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416704A JPH0416704A (ja) | 1992-01-21 |
| JP2902048B2 true JP2902048B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14812172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2121479A Expired - Fee Related JP2902048B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902048B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824158A (en) * | 1993-06-30 | 1998-10-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor |
| JP3223661B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2001-10-29 | ソニー株式会社 | プラズマ堆積方法 |
| JP3745790B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2006-02-15 | 株式会社デンソー | 光情報記録媒体の製造装置及び製造方法 |
| JP2013001947A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Ulvac Japan Ltd | アライメント装置 |
| WO2015004755A1 (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 株式会社シンクロン | 光学式膜厚計，薄膜形成装置及び膜厚測定方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192904A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 膜厚測定装置 |
| JPS6352004A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 測定装置 |
| JPS6410606U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2121479A patent/JP2902048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416704A (ja) | 1992-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6537832B2 (en) | Measuring apparatus and film formation method | |
| EP0084871B1 (en) | Method and apparatus for reducing semiconductor laser optical noise | |
| US5208645A (en) | Method and apparatus for optically measuring the thickness of a coating | |
| US5131744A (en) | Mirror rotation angle detection mechanism | |
| JPS59134830A (ja) | ２つのクロ−ズアツプ平面上のパタ−ンの光学的配列方法およびその装置 | |
| JPS6127682B2 (ja) | ||
| EP0858664A1 (en) | X-ray thickness gauge | |
| CN113403601B (zh) | 一种镀膜厚度光学控制装置和方法 | |
| JP2902048B2 (ja) | 光学的膜厚モニター及びこれを用いたスパッタリング装置 | |
| US4812638A (en) | Focusing error detector and optical data detecting device incorporating the focusing error detector | |
| GB2172700A (en) | Micro-displacement measuring apparatus | |
| US5392173A (en) | Method and apparatus for controlling a small spacing between a magnetic head and a magnetic recording medium | |
| JP4358583B2 (ja) | スケールの製造方法 | |
| KR20000010871A (ko) | 광 데이터 캐리어에서의 복굴절 측정 장치 및방법 | |
| US5291364A (en) | Magnetic head position measuring device | |
| JPS6328862A (ja) | 膜厚制御方法 | |
| US6847459B2 (en) | Method and apparatus for dynamically measuring the full flying state of a slider | |
| JPH0517528B2 (ja) | ||
| JPH11185271A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JP2970020B2 (ja) | コーティング薄膜の形成方法 | |
| JPS58162805A (ja) | 光学的蒸着膜厚モニタ−方法 | |
| JP2000131446A (ja) | Ｘ線検出器 | |
| JPS619575A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
| JPH11246968A (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JPH05215574A (ja) | 光学式位置検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |