JPS58162805A - 光学的蒸着膜厚モニタ−方法 - Google Patents
光学的蒸着膜厚モニタ−方法Info
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- JPS58162805A JPS58162805A JP4459182A JP4459182A JPS58162805A JP S58162805 A JPS58162805 A JP S58162805A JP 4459182 A JP4459182 A JP 4459182A JP 4459182 A JP4459182 A JP 4459182A JP S58162805 A JPS58162805 A JP S58162805A
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- reflected
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜を形成するのに用いられる装置、たとえ
ば蒸着装置、スパッタ装置、イオンブレーティング装置
、気相反応装置などに関するものである。
ば蒸着装置、スパッタ装置、イオンブレーティング装置
、気相反応装置などに関するものである。
従来の蒸着中の膜厚測定は、特公昭５５−３７６８１に
述べられているように透過率のみ、るるいは反射率のみ
の測定によって行っていたため、膜厚のみしか知ること
ができなかった。１７’Ｃ，従来の反射率の測定法では
、西独□ｆｆｅｎｌｅｇｕｎｇｓｓｈｒｉｆｔ２５２２
９２８のｐ：ｇ、ａのように、基板に対して斜めに光を
入射させていたので、薄膜が形成される基板が回転など
の運動に伴って上下に振扛る場合、その影醤が大きかっ
た。また、周囲温度による光源の輝度変動のために＃ｊ
足積度が悪かった。
述べられているように透過率のみ、るるいは反射率のみ
の測定によって行っていたため、膜厚のみしか知ること
ができなかった。１７’Ｃ，従来の反射率の測定法では
、西独□ｆｆｅｎｌｅｇｕｎｇｓｓｈｒｉｆｔ２５２２
９２８のｐ：ｇ、ａのように、基板に対して斜めに光を
入射させていたので、薄膜が形成される基板が回転など
の運動に伴って上下に振扛る場合、その影醤が大きかっ
た。また、周囲温度による光源の輝度変動のために＃ｊ
足積度が悪かった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を除去し、
蒸着中の薄膜の膜厚を安定にかつ正確にモニターできる
方法を提供することにるる。
蒸着中の薄膜の膜厚を安定にかつ正確にモニターできる
方法を提供することにるる。
上記の目的を達成するために、本発明では光源から出た
光束をレンズで集光し、ハーフゼラーに入射させる。そ
うするとめる一定の光量は透過し、ある一定の光量はハ
ーフミラ−で入射光に対して（０°以外の）−足の角度
を持つ方向に反射される。
光束をレンズで集光し、ハーフゼラーに入射させる。そ
うするとめる一定の光量は透過し、ある一定の光量はハ
ーフミラ−で入射光に対して（０°以外の）−足の角度
を持つ方向に反射される。
上記の、入射光に対して一定の角度を持つ方向に反射し
てきた光量を４１１変動モニター用のディテクタに入れ
る。このディテクタで周囲温度による光源の輝度変動ｔ
モニターするのでおる。
てきた光量を４１１変動モニター用のディテクタに入れ
る。このディテクタで周囲温度による光源の輝度変動ｔ
モニターするのでおる。
ハーフミラ−を透過してきた光融け、蒸着されようとす
る基板にほぼ垂直に入射する。すると、ある一定の光量
はそのまま透過し透過牟測足用のディテクタに入り、あ
る一定の光量は基板で反射する。反射した光量は、入射
してきた光路を再び通シ、ハーフミラ−で光源輝度変動
モニター用のディテクタと１８０°反対側に反射し、反
射率測定用のディテクタに入る。このようにして各ディ
テクタに入った出力を増幅器で個々に増幅する。そして
光源の輝度変動分會除云するために、まず割算器を用い
て透過率測定用ディテクタの出力を光源輝度変動モニタ
ー用ディテクタの出力で割る。
る基板にほぼ垂直に入射する。すると、ある一定の光量
はそのまま透過し透過牟測足用のディテクタに入り、あ
る一定の光量は基板で反射する。反射した光量は、入射
してきた光路を再び通シ、ハーフミラ−で光源輝度変動
モニター用のディテクタと１８０°反対側に反射し、反
射率測定用のディテクタに入る。このようにして各ディ
テクタに入った出力を増幅器で個々に増幅する。そして
光源の輝度変動分會除云するために、まず割算器を用い
て透過率測定用ディテクタの出力を光源輝度変動モニタ
ー用ディテクタの出力で割る。
ここで得られた出力を透過率（相対値）とする。
測定に際してはまず未蒸着の基板に対して光源から光線
を投射し、増幅器の利得を１１１ｊｇ、シて指示計の指
ｔＬ′ｆｔたとえば１００とする。ｌた、割算器を用い
て反射率測定用ディテクタの出力を光源輝度変動モニタ
ー用ディテクタの出力で割る。ここで得られた出力を反
射率（相対１［）とする。もちろん反射率の絶対値を示
すように調整してもよい。
を投射し、増幅器の利得を１１１ｊｇ、シて指示計の指
ｔＬ′ｆｔたとえば１００とする。ｌた、割算器を用い
て反射率測定用ディテクタの出力を光源輝度変動モニタ
ー用ディテクタの出力で割る。ここで得られた出力を反
射率（相対１［）とする。もちろん反射率の絶対値を示
すように調整してもよい。
測定に際してはまず未蒸着の基板に対して光源から光−
を投射し、増幅器の利得を調歪して指示計の指度をたと
えば４とする。
を投射し、増幅器の利得を調歪して指示計の指度をたと
えば４とする。
未蒸着の基板に対しての透過率９反射率をそれぞれ適当
な値に設定する。基板を回転させながら、単−元本の蒸
着を開始するとその膜厚に従って指示針が振れる。ここ
で、所望の透過率の値に達した時に蒸着を停止すれば、
基板上に所要膜厚の蒸着腰が得られることになる。ある
いは、透過率のかわりに反射率を用いても膜厚制御は行
なえる。
な値に設定する。基板を回転させながら、単−元本の蒸
着を開始するとその膜厚に従って指示針が振れる。ここ
で、所望の透過率の値に達した時に蒸着を停止すれば、
基板上に所要膜厚の蒸着腰が得られることになる。ある
いは、透過率のかわりに反射率を用いても膜厚制御は行
なえる。
三元素のｔｋｆＦの場合、膜厚、膜組成によって透過率
１反射率がかわってくる。従って測定波長における膜厚
と反射率、透過率の関係が組成をパラメータとしてわか
っていれば、これらのグラフから、透過率と反射単を測
定すれば膜厚と膜組成がわかる。
１反射率がかわってくる。従って測定波長における膜厚
と反射率、透過率の関係が組成をパラメータとしてわか
っていれば、これらのグラフから、透過率と反射単を測
定すれば膜厚と膜組成がわかる。
三元系以上の蒸着の場合は、元Ｘ数よシ１つ少ない波長
の違う光源を用いれば、各波長での透過率９反射率から
膜厚、膜組成がわかる。各波長の光は、少なくとも途中
から同一光路を通って上記のハーフミラ−に入射するよ
うに、光源自体の波長を変えたり、複数の光源から光を
別のハーフミ２−やプリズムでまとめるようにするのが
好ましい。これらのハーフミラ−の代わプにノ１−７プ
リズムなど、類似の憬能′Ｉｔ狩つ九他の光字素子を用
いて吃よい。蒸着中に透過率９反射率を同時にモニター
しながらフィードバックすれば、所要の膜厚と膜組成が
得られる。
の違う光源を用いれば、各波長での透過率９反射率から
膜厚、膜組成がわかる。各波長の光は、少なくとも途中
から同一光路を通って上記のハーフミラ−に入射するよ
うに、光源自体の波長を変えたり、複数の光源から光を
別のハーフミ２−やプリズムでまとめるようにするのが
好ましい。これらのハーフミラ−の代わプにノ１−７プ
リズムなど、類似の憬能′Ｉｔ狩つ九他の光字素子を用
いて吃よい。蒸着中に透過率９反射率を同時にモニター
しながらフィードバックすれば、所要の膜厚と膜組成が
得られる。
上記の光源としては、発光ダイオード（以下ＬＥＤと呼
ぶ）、半導体レーザ、ガスレーザ、白熱電球が好ましく
、時にＬＥＤが好ましい。これらの光源の波長は、記録
または再生に用いる光源（たとえば半導体レーザ）の波
長と同一であるのが好ましいが、別の波長のものも用、
いることができる。波長が異なる場合、透過率や反射単
の波長依存性をあらかじめ測定しておき、記録または再
生用光源の波長における透過率や反射単に決算して表示
するのが時に好ましい。
ぶ）、半導体レーザ、ガスレーザ、白熱電球が好ましく
、時にＬＥＤが好ましい。これらの光源の波長は、記録
または再生に用いる光源（たとえば半導体レーザ）の波
長と同一であるのが好ましいが、別の波長のものも用、
いることができる。波長が異なる場合、透過率や反射単
の波長依存性をあらかじめ測定しておき、記録または再
生用光源の波長における透過率や反射単に決算して表示
するのが時に好ましい。
上記のハーフミラ−は、たとえばガラス板にＡ Ｌ 、
Ａ ｕなどを蒸着したものであり、その膜厚會かえる
ことにより、透過する光量とノー−７ミラーで入射光に
対して一定の角度（たとえば９０°）を持つ方向に反射
する光ａｔ自由にかえることができる。ノ・−フミラー
のかｖＤに、プリズムを用いてもよい。
Ａ ｕなどを蒸着したものであり、その膜厚會かえる
ことにより、透過する光量とノー−７ミラーで入射光に
対して一定の角度（たとえば９０°）を持つ方向に反射
する光ａｔ自由にかえることができる。ノ・−フミラー
のかｖＤに、プリズムを用いてもよい。
上記のディテクタとしては、フォトトランジスタ、フォ
トダイオード、光電子増倍管、光電管などが好ましい。
トダイオード、光電子増倍管、光電管などが好ましい。
特に、フォトトランジスタが好ましい。
上記の基板として、ガラス、プラスチック、酸化物、金
属、これらの複合体などめらゆるものが使える。
属、これらの複合体などめらゆるものが使える。
本発明の基板上に形成する薄膜としてＡ／Ｉ１．。
Ａｕ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｂｈなどの金属、Ｂｔ、ｔどの半金
属、Ｔｅなどの半導体、これらの酸化物、およぴパラフ
ィンなどの肩愼物よシなる群より遺ばれた少なくとも一
者を主成分とする膜など、透過。
属、Ｔｅなどの半導体、これらの酸化物、およぴパラフ
ィンなどの肩愼物よシなる群より遺ばれた少なくとも一
者を主成分とする膜など、透過。
反射する膜ならほとんどあらゆるものを用いることがで
きる。
きる。
本発明で用いる光源やディテクタは、蒸着槽の内部に入
れても使用できる。しかし、蒸着源が近くにあるため、
輻射熱による温度変化が激しい。
れても使用できる。しかし、蒸着源が近くにあるため、
輻射熱による温度変化が激しい。
このために光源ｅディテクタの特性がかわってしまうこ
とがある。その時は、輻射熱を防ぐ一つの対策として遮
へい板を設ければよい。
とがある。その時は、輻射熱を防ぐ一つの対策として遮
へい板を設ければよい。
ディテクタで検出する光量が迷光に大きく影響される場
合は、光源に直流電源を用いないで、パルス電源、高周
波電源、低周波電源などを用い、光源の周期と同じ周期
金もつ成分だけとれば迷光は除去できる。
合は、光源に直流電源を用いないで、パルス電源、高周
波電源、低周波電源などを用い、光源の周期と同じ周期
金もつ成分だけとれば迷光は除去できる。
以下、本発明の一芙−施例を峰細に説明する。
第１図は本発明に係る測定方法を示す図でるる。
ＬＥＤＩからの光束を凸レンズ２で来光し、ハーフミラ
−３で、ある一定の光量全光源輝度ｆＷ／Ｉｂモニター
用フォトトランジスタ４の方向に反射させる。バー７ミ
２〜３を透過してきた光−は、蒸着されているガラス基
板５に入射する。ガラス基板５は回転している。ここで
、ある一定の光量はそのままガラス基板５を透過し透過
率測定用フォトトランジスタ６に入る。また蒸着膜７で
反射してきたある一定の光量は、入射してきた光路を再
び通り、ハーフミラ−３で直角方向に反射される。
−３で、ある一定の光量全光源輝度ｆＷ／Ｉｂモニター
用フォトトランジスタ４の方向に反射させる。バー７ミ
２〜３を透過してきた光−は、蒸着されているガラス基
板５に入射する。ガラス基板５は回転している。ここで
、ある一定の光量はそのままガラス基板５を透過し透過
率測定用フォトトランジスタ６に入る。また蒸着膜７で
反射してきたある一定の光量は、入射してきた光路を再
び通り、ハーフミラ−３で直角方向に反射される。
反射された光量は反射率測定用フォトトランジスタ８に
入る。このようにして各フォトトランジスタに入ってき
た光量を増幅器９，１０．１１で別個に増幅し、ＬＥＤ
ｌの輝度変動分を除去するために、透過率測定用フォト
トランジスタ６、反射率１１１１Ｊ足用フォトトランジ
スタ８の各出力を光源輝ｆｆ動モニター用フォトトラン
ジスタ４の出力で割算器１２．１３を用いて割算を行っ
た。ここで得られて各出力を透過率９反射率とし、電圧
計１４．１５、レコーダ１６．１７に表示させた。
入る。このようにして各フォトトランジスタに入ってき
た光量を増幅器９，１０．１１で別個に増幅し、ＬＥＤ
ｌの輝度変動分を除去するために、透過率測定用フォト
トランジスタ６、反射率１１１１Ｊ足用フォトトランジ
スタ８の各出力を光源輝ｆｆ動モニター用フォトトラン
ジスタ４の出力で割算器１２．１３を用いて割算を行っ
た。ここで得られて各出力を透過率９反射率とし、電圧
計１４．１５、レコーダ１６．１７に表示させた。
ここで、Ｔｅを蒸着した時の電圧計の振れｔを第２図に
示す。この図よシ透過率９反射率のどちらの値を用いて
もＴｅの蒸ｆＦ展厚を制御できた。たとえば、Ｔｅの蒸
着膜を３０（ｎｍ）の膜厚に形成しだい場合、透過率な
ら１３〔％〕、反射率なら４４〔％〕の時点で蒸着を停
止すればよい。
示す。この図よシ透過率９反射率のどちらの値を用いて
もＴｅの蒸ｆＦ展厚を制御できた。たとえば、Ｔｅの蒸
着膜を３０（ｎｍ）の膜厚に形成しだい場合、透過率な
ら１３〔％〕、反射率なら４４〔％〕の時点で蒸着を停
止すればよい。
また、ＴｅＳｅを蒸着した場合の電圧計の振れ量を第３
図に示す。図中の％はＢｅ含有量である。
図に示す。図中の％はＢｅ含有量である。
このグラフのようにＳｅの含ｖｔをパラメータとして何
本も測定して用意しておけば、そｎらから膜厚、膜組成
がわかる。蒸着中に透過率と反射率を同時にモニターし
ながらフィードバックすることによシ、所要の膜厚と膜
組成が得られた。
本も測定して用意しておけば、そｎらから膜厚、膜組成
がわかる。蒸着中に透過率と反射率を同時にモニターし
ながらフィードバックすることによシ、所要の膜厚と膜
組成が得られた。
また、ＡＳＴｅＳｅ７蒸着した場合は、ＬＥＤＩと波長
の違うＬＥＤＩ’を用い、それぞれの光線をシャッタ１
９で父互に開閉させ、ノ１−フミ７３’で同一光路を逼
ってハーフミラ−３に入射するようにした。そして、各
波長での透過率９反射率を測定することにより、膜厚と
膜組成がわかった。
の違うＬＥＤＩ’を用い、それぞれの光線をシャッタ１
９で父互に開閉させ、ノ１−フミ７３’で同一光路を逼
ってハーフミラ−３に入射するようにした。そして、各
波長での透過率９反射率を測定することにより、膜厚と
膜組成がわかった。
この実施例の＃ｈ会、ＬＥＤＩ、１’と各フォトトラン
ジスタ４，６．８を真空蒸着槽の内部に入れてあり、蒸
着源１８０近くにめったため、そのままでは輻射熱によ
る＠度変化が激しかった。そこで、輻射熱を防ぐために
蒸着源と光学系との間に遁へい板を設け、遮へい板で吸
収された熱は熱伝導によって遠くに逃がすようにした。
ジスタ４，６．８を真空蒸着槽の内部に入れてあり、蒸
着源１８０近くにめったため、そのままでは輻射熱によ
る＠度変化が激しかった。そこで、輻射熱を防ぐために
蒸着源と光学系との間に遁へい板を設け、遮へい板で吸
収された熱は熱伝導によって遠くに逃がすようにした。
こうすることにより、ＬＥＤＩ、１’の輝度変ＩＩｔｂ
をおさえ、各フォトトランジスタ４，６．８の暗電流を
少なくすることができ、安定した出力が得られた。
をおさえ、各フォトトランジスタ４，６．８の暗電流を
少なくすることができ、安定した出力が得られた。
ＬＥＤＩ、１’の電源として直流電源のかわりに、パル
ス電源、低周波゛成源、高周波電源のうちの１者を用い
、測定値から電源の周波数と同一周波数の成分を抽出す
れば、外部からの迷光の影響を除去でき、測定積置が向
上した。
ス電源、低周波゛成源、高周波電源のうちの１者を用い
、測定値から電源の周波数と同一周波数の成分を抽出す
れば、外部からの迷光の影響を除去でき、測定積置が向
上した。
本夷鬼例によれば、簡単な測定装置でろυながら、蒸着
中の膜厚測定が透過率１反射率のどちらの（［ｋ用いて
も行え、外部の温度変化、外部からの迷光の影響を除去
でき、安定でかつ正確な膜厚制御が行なえる。
中の膜厚測定が透過率１反射率のどちらの（［ｋ用いて
も行え、外部の温度変化、外部からの迷光の影響を除去
でき、安定でかつ正確な膜厚制御が行なえる。
本発明によれば、ハーフミラ−を用いているため、基板
で反射してきた光線が同じ光路を通り、ハーフミラ−で
直角方向に反射させてディテクタに入射させることがで
きるので、基板の上下ぶれによる影参が少なくてすむ。
で反射してきた光線が同じ光路を通り、ハーフミラ−で
直角方向に反射させてディテクタに入射させることがで
きるので、基板の上下ぶれによる影参が少なくてすむ。
また、ノ・−７ミラーで光量を２つにわけているため、
光源からの入射光を直角方向に反射させた光量の変動で
光源の変動分がモニターできる。従って光源の輝度変動
や外部光の影響が除去できる。また、透過率と反射率を
同時に測定できるので膜厚はもちろん、膜組成によって
はその膜組成の確認もできる。この測定装置は、蒸涜装
置に限らず、スパッタ装置、イオンブレーティング装置
、気相反応装置など薄膜金形成する装置すべてに使用で
きる。
光源からの入射光を直角方向に反射させた光量の変動で
光源の変動分がモニターできる。従って光源の輝度変動
や外部光の影響が除去できる。また、透過率と反射率を
同時に測定できるので膜厚はもちろん、膜組成によって
はその膜組成の確認もできる。この測定装置は、蒸涜装
置に限らず、スパッタ装置、イオンブレーティング装置
、気相反応装置など薄膜金形成する装置すべてに使用で
きる。
第１図は、本発明の実施例おける測定方法を示す図、第
２図は、本発明の実施例におけるＴｅを蒸着した場合の
電圧計の振れを示す図、第３図は、本発明の実施例にお
ける’ｌ’ｅ５ｅを蒸着した場合の８Ｃ含有蓋の違いに
よる電圧針の振れの変化を示す図である。 １．１′・・・ＬＥＤ、２・・・凸レンズ、３．３’・
・・ハーフミラ−１４，６，８・・・フォトトランジス
タ、５・・・ガラス基板、７・・・蒸着膜、９，１０．
１１・・・増ｔｍ器、１２．１３・・・割算器、１４．
１５・・・電圧針、１６．１７・・・レコーダ、１８・
・・蒸着源、１９￥Ｉ １ 図 第２ 口 θ ／θ ２θ ３θ ＃ ９巣
厚勧γう 第１３ 口 膜厚（スリ
２図は、本発明の実施例におけるＴｅを蒸着した場合の
電圧計の振れを示す図、第３図は、本発明の実施例にお
ける’ｌ’ｅ５ｅを蒸着した場合の８Ｃ含有蓋の違いに
よる電圧針の振れの変化を示す図である。 １．１′・・・ＬＥＤ、２・・・凸レンズ、３．３’・
・・ハーフミラ−１４，６，８・・・フォトトランジス
タ、５・・・ガラス基板、７・・・蒸着膜、９，１０．
１１・・・増ｔｍ器、１２．１３・・・割算器、１４．
１５・・・電圧針、１６．１７・・・レコーダ、１８・
・・蒸着源、１９￥Ｉ １ 図 第２ 口 θ ／θ ２θ ３θ ＃ ９巣
厚勧γう 第１３ 口 膜厚（スリ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、蒸着中の薄膜に光−’ｔｒよぼ垂直に入射させ、そ
の薄膜で反射した光線をハーフミラ−で入射光に対して
一定の角度を持つ方向に反射させ、その強度を検出する
ことを特徴とする光学的蒸着膜厚モニタ一方法。 ２ 上記薄膜に入射させる光ｄｋ、薄膜に入射させる前
に、ハーフミ２−でるる一定の光量を入射光に対して一
定の角度を持つ方向に反射させその光量をモニターする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光字的蒸
着膜厚モニタ一方法。 ＆ 蒸着中の透過率１反射率を同時にモニターしながら
フィードバックさせることによシ、所要の膜厚、膜組成
が得られることを特徴とする光学的黒ｙＩＩ膜厚モニタ
一方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4459182A JPS58162805A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光学的蒸着膜厚モニタ−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4459182A JPS58162805A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光学的蒸着膜厚モニタ−方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162805A true JPS58162805A (ja) | 1983-09-27 |
Family
ID=12695712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4459182A Pending JPS58162805A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光学的蒸着膜厚モニタ−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162805A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0345773A2 (en) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Microspectroscope |
| JP2002107116A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Susumu Nakatani | 平坦度等測定装置 |
| JP2006300811A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi Displays Ltd | 薄膜の膜厚測定方法、多結晶半導体薄膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法、およびその製造装置、並びに画像表示装置の製造方法 |
| JP2019144217A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 国立大学法人千葉大学 | 膜厚測定装置、これを用いた蒸着装置及び膜特性評価装置 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4459182A patent/JPS58162805A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0345773A2 (en) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Microspectroscope |
| JP2002107116A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Susumu Nakatani | 平坦度等測定装置 |
| JP2006300811A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi Displays Ltd | 薄膜の膜厚測定方法、多結晶半導体薄膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法、およびその製造装置、並びに画像表示装置の製造方法 |
| JP2019144217A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 国立大学法人千葉大学 | 膜厚測定装置、これを用いた蒸着装置及び膜特性評価装置 |
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