JPH09143743A

JPH09143743A - プラズマｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH09143743A
Application number: JP7310761A
Authority: JP
Inventors: Tadahiko Saito; 忠彦斉藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-11-29
Filing date: 1995-11-29
Publication date: 1997-06-03

Abstract

(57)【要約】【課題】対象物に薄膜を均一に形成しながら、薄膜の膜
厚を直接測定することができるプラズマＣＶＤ装置を提
供する。【解決手段】反応炉４に平行に設けられた基板保持電極
２、高周波電極３と、対象物１を保持した基板保持電極
２を回転させる回転機構７と、対象物１に形成される薄
膜に測定光を照射すると共に、薄膜の膜厚に応じて変化
する前記測定光の反射光を受光するモニター装置６とを
備え、高周波電極３は、前記測定光及び前記反射光を遮
らないように配置され、回転機構７は、対象物１を保持
した基板保持電極２を回転させることで、薄膜が形成さ
れる領域の各点を、基板保持電極２と高周波電極３とに
挾まれた空間と、基板保持電極２と高周波電極３とに挾
まれない空間に交互に通す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応炉内に平行に
設けられた電極Ａ、Ｂの間にプラズマを発生させ、前記
電極Ａに保持されている対象物に薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高真空中で薄膜材料を加熱蒸発させ、こ
の蒸発粒子を目的の対象物に沈着させて薄膜を形成する
成膜方法は、一般的に真空蒸着法と呼ばれており、現在
様々な分野で実用化されている。例えば、レンズやミラ
ーに施される表面処理用の光学薄膜の形成にも用いられ
ている。

【０００３】真空蒸着装置の一例は、図５に示されてい
る。図面の煩雑化を避けるため、ここでは、装置本体の
一部のみが示されている。レンズ１０１は、薄膜が形成
される対象物であり、それぞれ、真空槽１０２の内部で
回転するレンズ保持部材（以下、レンズドームと呼ぶ）
１０３に着脱可能に装着されている。真空槽１０２の内
部は、真空ポンプ（図示省略）によって真空状態に保た
れており、各レンズへ薄膜コーティングを施す場合に
は、レンズドーム１０３の下方に設けられたヒーター
（図示省略）で薄膜材料を加熱蒸発させる。同図では、
真空槽１０２に形成された貫通孔が示されているが、実
際には、ここに窓ガラスが嵌め込まれる。

【０００４】各レンズへ成膜されていく薄膜の膜厚は、
モニター装置（具体的には、光学式膜厚計）１１０によ
って把握する。光学式膜厚計１１０は、光源１１１と、
光源１１１から発せられた光から、波長λの単色光を取
り出す干渉フィルター１１２と、この単色光を、レンズ
ドーム１０３の中央部に嵌め込まれたガラス材１０４に
向けて反射する反射鏡１１３と、ガラス材１０４で反射
した光を検出器１１５に導く反射鏡１１４を含んで構成
されている。ガラス材１０４の下面には、各レンズと同
様、蒸発粒子が徐々に堆積して薄膜が形成され、反射鏡
１１３からの単色光の一部は、この薄膜の表面と、薄膜
とガラス材１０４との境界面の両方で反射される。この
２つの光は、相互に干渉し、その干渉光が検出器１１５
で検出される。検出器１１５から出力された、検出結果
を示す電気信号は、その後、膜厚の測定値を示すデータ
として用いられる。膜厚が所定値に達したら、成膜を停
止する。真空蒸着装置においては、原理上、各レンズの
成膜速度を一定とみなすことができるので、ガラス材１
０４に形成された薄膜の膜厚を代表的に観測しておけ
ば、各レンズへ成膜された薄膜の膜厚も同時に把握する
ことができる。

【０００５】このような光学式膜厚計の構成は、既によ
く知られているが、基本的な原理は、次の通りである。

【０００６】いま、透明基板（屈折率ｎ）上の透明薄膜
（屈折率ｎ₁）に媒体（屈折率ｎ₀）から光線が垂直に
（α＝０°で）入射する場合を考える（図６参照）。

【０００７】この場合の反射率Ｒは、フレネルの公式よ
り（式１）で与えられる。δは、薄膜表面での反射光Ｒ
₁と、薄膜と基板との界面での反射光Ｒ₂の位相差であ
り、具体的には、（式２）で表される。ｄは、薄膜の形
状膜厚であり、λは、入射する光の波長である。

【０００８】

【数１】

【０００９】

【数２】

【００１０】そして、薄膜が成長して膜厚ｄが増加する
と、位相差δもこれに伴って変化する。この際、ｃｏｓ
δ＝１またはｃｏｓδ＝−１の条件が満たされると、反
射率Ｒは、極小又は極大となる。すなわち、ｃｏｓδ＝
１、つまり、δ＝２ｍπ（ｍは整数）のとき、（式２）
より、薄膜の光学膜厚ｎ₁ｄは、ｍλ／２となる。同様
に、ｃｏｓδ＝−１のとき、薄膜の光学膜厚ｎ₁ｄは、
ｍλ／２＋λ／４となる。光学薄膜の設計に重要なλ／
４単位の光学膜厚は、このように反射率Ｒの極小点又は
極大点を検出することで測定することができる。

【００１１】また、薄膜の膜厚の観測には、このような
光学式膜厚計以外に、例えば水晶式膜厚計も用いられ
る。

【００１２】水晶式膜厚計は、普通、水晶板が組み込ま
れたセンサヘッドを有する。このセンサヘッドは、蒸発
源に対向した状態で対象物の近傍に配置される。センサ
ヘッドの水晶板表面に膜が付着していくと、その重量に
よって水晶振動子の共振周波数が低下する。この共振周
波数を計測すれば、対象物の膜の厚さをモニターするこ
とができる。

【００１３】さて、以上説明したような真空蒸着法は、
手軽に実施するできるという利点がある反面、対象物表
面での蒸着粒子のエネルギーが低いために、薄膜の充填
密度があまり高くならないという欠点を持つ。

【００１４】したがって、蒸着膜をコーティングされた
対象物を実際に使用する際に、周囲の環境の変化によっ
て膜中の細孔に水分が可逆的に凝縮し、その出入りの為
に膜の屈折率が変動してしまうという問題がある。特
に、人工衛星用カメラなど、宇宙空間に曝される装置に
組み込まれる光学素子の場合、その使用環境が大きく変
化するため、これを見越した膜設計が必要となる。

【００１５】一方、プラズマＣＶＤ法によって作製され
た膜は、充填密度がバルクに近く、吸水率や水蒸気透過
率が非常に小さいことが知られている。すなわち、プラ
ズマＣＶＤ法によって成膜された光学部品においては、
環境変化による光学特性の変動が小さくなる。

【００１６】プラズマＣＶＤ装置は、例えば、図７に示
すように構成される。同図において、薄膜を形成する対
象物である凸レンズ２０１は、電極２０２に保持されて
いる。電極２０２に対向する電極２０３には、高周波電
源２０５が接続されている。反応炉２０４の内部は、高
真空状態に保たれている。この装置は、電極２０２、２
０３の間に反応ガスを供給しつつ、高周波電源２０５を
用いてこれら２つの電極間にプラズマを発生させ、凸レ
ンズ２０１に薄膜を形成する。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマＣＶＤ装置においては、薄膜の膜厚を観測する
モニター方法にこれといった決め手がないという問題が
あった。

【００１８】例えば、光学式膜厚計を設置して、膜厚を
測定するための測定光を図７に示すように照射しても、
その反射光は、電極２０３に当たってしまう。対象物が
板状部材ならば、このようなことはないが、今度は、測
定光と反射光の為す角度α（図６参照）が大きくなって
しまい、正確な膜厚を測定することができないという問
題が生じる。

【００１９】反射防止膜やバンドパスフィルターなどの
光学薄膜の製造においては、膜厚の精度が重要であり、
例えば、透過帯の中心が波長５００ナノメートルに設計
された多層膜バンドパスフィルターにおいて中心波長の
製造誤差を±５ナノメーターに抑えるためには、各層の
膜厚を±１％の誤差範囲に収める必要がある。なお、こ
こでいう膜厚は、光学膜厚を指す。光学膜厚は、幾何学
的な形状膜厚ｄに屈折率ｎを掛けたｎｄで表される。一
般に薄膜は、成長するにしたがって、その構造が徐々に
粗になるため、膜厚の積層方向において屈折率が異なる
ことが知られている。このため、目的の分光透過率特性
（または分光反射率特性）の薄膜を得るためには、形状
膜厚をモニターするだけでは不十分で、屈折率情報を含
んだ光学膜厚を制御する必要があるなお、図７で説明した光路に関する不具合を解消するた
め、例えば、図８及び図９に示すような構成も考えられ
る。ここでは、電極３０３の中央部に貫通孔を形成し、
そこに、モニター装置３０５から発せられた測定光と、
薄膜からの反射光を通している。反射光は、モニタ装置
３０５に取り込まれる。反応炉３０４の内部は、高真空
状態に保たれている。レンズ３０１に薄膜を形成する場
合には、電極３０３から反応ガスを供給しつつ、電極３
０３に高周波電力を与え、電極３０２、３０３の間にプ
ラズマを発生させる。電極３０２は、この状態でレンズ
３０１を回転させる。

【００２０】しかしながら、このような構成では、レン
ズ３０１の中央部の真上に電極が存在しないことにな
り、反応場の中央付近のプラズマ密度が低くなってしま
う。プラズマ密度が低下すれば、その部分の成膜速度が
遅くなり、その結果、レンズ表面において膜厚が均一に
ならないという問題が生じる。

【００２１】また、水晶式膜厚計を用いた膜厚測定も考
えられなくはないが、この場合、対象物に形成される薄
膜の膜厚を直接測定することができない。もちろん、水
晶式膜厚計のセンサヘッドを２枚の電極の間に配置する
わけにはいかないので、これ以外の領域に当該センサヘ
ッドが位置することになる。センサヘッドが薄膜から離
れる程、それぞれの環境の違いは大きくなり、測定誤差
が増大する。

【００２２】反射防止膜やバンドパスフィルタ等の光学
薄膜を形成する場合には、前述したように、高い精度が
要求され、このような測定誤差は厳禁である。

【００２３】以上のような問題点を鑑み、本発明の目的
は、対象物に薄膜を均一に形成しつつ、薄膜の膜厚を直
接測定可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することにあ
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第１の態様によれば、反応炉内に平行に設け
られた電極Ａ、Ｂの間にプラズマを発生させ、前記電極
Ａに保持されている対象物に薄膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ装置において、前記対象物を保持した前記電極Ａを
回転させる回転機構と、前記薄膜に測定光を照射すると
共に、前記薄膜の膜厚に応じて変化する前記測定光の反
射光を受光するモニター装置とを備え、前記電極Ｂは、
前記測定光及び前記反射光を遮らないように配置され、
前記回転機構は、前記対象物を保持した前記電極Ａを回
転させることで、前記薄膜が形成される領域の各点を、
前記電極Ａと前記電極Ｂとに挾まれた空間と、前記電極
Ａと前記電極Ｂとに挾まれない空間に交互に通すことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置が提供される。

【００２５】上記目的を達成するための本発明の第２の
態様によれば、第１の態様において、前記電極Ｂは、前
記回転機構の回転軸を含む仮想平面により２分された前
記反応炉の一方の内部空間に配置され、前記モニター装
置は、前記電極Ｂが存在しない、前記仮想平面により２
分された前記反応炉の他方の内部空間に配置されている
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置が提供される。

【００２６】上記目的を達成するための本発明の第３の
態様によれば、第１または第２の態様において、前記電
極Ａは、円形の板状部材であり、前記電極Ｂは、前記回
転機構の回転軸上に中心点が存在し、かつ、前記円形と
半径がほぼ等しい扇形の板状部材であることを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置が提供される。

【００２７】上記目的を達成するための本発明の第４の
態様によれば、第３の態様において、前記扇形の中心角
は、１８０°であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置が提供される。

【００２８】上記目的を達成するための本発明の第５の
態様によれば、第１、第２、第３または第４において、
前記モニター装置は、前記薄膜が形成される領域の、予
め定めた目標点における法線に対して略平行に前記測定
光を照射することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置が提
供される。

【００２９】上記目的を達成するための本発明の第６の
態様によれば、第１、第２、第３、第４または第５の態
様において、前記薄膜が形成される領域を横切る仮想平
面に沿って前記モニター装置を揺動可能な揺動機構をさ
らに備えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置が提供
される。

【００３０】上記目的を達成するための本発明の第７の
態様によれば、第１、第２、第３、第４、第５または第
６の態様において、前記薄膜が形成される領域は、曲面
であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置が提供され
る。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る一実施形態と
してのプラズマＣＶＤ装置を図面を参照しながら説明す
る。

【００３２】図１には、第１の実施形態のプラズマＣＶ
Ｄ装置が示されている。このプラズマＣＶＤ装置は、反
応炉４の内部に平行に設けられた２つの電極（基板保持
電極２、高周波電極３）と、モニター装置６と、回転機
構７とを含んで構成されている。対象物１は、凸レンズ
であり、薄膜が形成される領域が曲面になっている。本
発明の対象物は、このような形状の対象物に限定される
わけでなく、ＬＳＩ等に用いられる板状の基板でも構わ
ない。凸レンズ１は、基板保持電極２にホルダー９を介
して保持されている。基板保持電極２は、回転機構７に
連結した支持軸８に支持されており、回転機構７から与
えられた駆動力によって回転する。高周波電極３は、高
周波電源５に接続している。本実施形態において、高周
波電源５の周波数は１３．５６ＭＨｚに設定されてい
る。基板保持電極２、高周波電極３、支持軸８、及び、
反応炉４のそれぞれは、金属（例えばステンレス）で形
成されており、このうち、基板保持電極２、支持軸８、
及び、反応炉４が接地されている。もちろん、これらの
構成は、本発明の一例に過ぎない。モニター装置６は、
対象物１に形成される薄膜に測定光を照射すると共に、
薄膜の膜厚に応じて変化する前記測定光の反射光を受光
する。モニター装置６からは、反射光に応じた電気信号
が出力される。モニター装置６には、図５で示したモニ
ター装置１１０の各構成部品が内蔵されており、その測
定原理は、図６を用いて説明した通りである。

【００３３】そして、本実施形態の高周波電極３は、前
述の測定光及び反射光を遮らないように配置されてい
る。具体的には、高周波電極３は、回転機構７の回転軸
７ａを含む仮想平面により２分された反応炉４の一方の
内部空間（右向きの矢印が示す空間）に配置されてい
る。モニター装置６は、高周波電極３が存在しない、前
記仮想平面により２分された反応炉４の他方の内部空間
（左向きの矢印が示す空間）に配置されている。図２
は、高周波電極３の上面図である。同図には、参考まで
に、基板保持電極２の上面も示されている。このよう
に、基板保持電極２は円形であり、高周波電極３は、回
転軸７ａ上に中心点が存在し、かつ、前記円形と半径が
ほぼ等しい扇形の部材である。当該扇形の中心角は、１
８０°である。

【００３４】本プラズマＣＶＤ装置を用いて凸レンズ１
に薄膜を形成する場合には、反応炉４内を真空状態に保
ちながら基板保持電極２及び高周波電極３の間に反応ガ
スを供給し、高周波電源５を用いて高周波電極３に高周
波電力を与え、これら２枚の電極間にプラズマを発生さ
せる。このとき、回転機構７は、凸レンズ１を保持した
基板保持電極２を回転させることで、薄膜が形成される
領域の各点を、２枚の電極に挾まれた空間と、２枚の電
極に挾まれない空間に交互に通す。このように、薄膜が
形成される領域（本実施形態では、凸レンズ１の片面
（上面））の各点は、２枚の電極に挾まれた空間を必ず
通過するので、薄膜の膜厚が均一化される。

【００３５】凸レンズ１の上面に形成されていく薄膜の
膜厚は、モニター装置６を用いて測定する。モニター装
置６は、薄膜が形成される領域の、予め定めた目標点に
おける法線に対して略平行に測定光を照射すると共に、
薄膜の膜厚に応じて変化する前記測定光の反射光を受光
する。モニター装置６からは、反射光に応じたアナログ
信号が出力されるので、このアナログ信号を直接用いる
か、または、アナログ信号をデジタル変換して数値デー
タを生成し、薄膜の膜厚を把握する。薄膜が所定の膜厚
に達したら、成膜を停止する。

【００３６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、対象物に形成された均一な薄膜の膜厚を直接測定す
ることができる。また、測定光は、対象物表面の或る法
線に対して略平行に照射されるので、その反射光の光路
が、対象物に到達するまでの前記測定光の光路と略同一
となる。入射光と反射光が成す角度が小さければ、薄膜
の積層方向（図６の矢印Ａ参照）の膜厚を正確に測定す
ることができる。

【００３７】図３及び図４には、第２の実施形態のプラ
ズマＣＶＤ装置が示されている。このプラズマＣＶＤ装
置は、第１の実施形態と同様、反応炉１４の内部に平行
に設けられた２つの電極（基板保持電極１２、高周波電
極１３）と、モニター装置１５と、回転機構（図示省
略）とを含んで構成されているが、高周波電極１３の形
状、及び、モニター装置１５の構造が第１の実施形態と
異なる。図３の反応炉１４については、図面を簡略化す
るため、側壁のみが示されている。対象物１１は、表が
凹面、裏が凹面のレンズである。

【００３８】高周波電極１３は、両図に示すように、前
記回転機構の回転軸上に中心点が存在し、かつ、基板保
持電極１２と半径がほぼ等しい扇形の板状部材であり、
その中心角は、２４０°になっている。なお、高周波電
極１３は、いわゆるガスシャワー電極であり、反応ガス
を矢印のように送出することができる。

【００３９】モニター装置１５は、測定光を発する発光
素子や反射光を受光する受光素子をはじめ、各種電子部
品を内蔵した本体部１５ｃと、本体部１５ｃに光ファイ
バーを介して接続した可動部（照射ユニット１５ａ及び
受光ユニット１５ｂ）とを有する。可動部は、反応炉４
の内部に配置されている。また、本体部１５ｃは、反応
炉４の外部に配置されている。

【００４０】照射ユニット１５ａ及び受光ユニット１５
ｂのそれぞれの光ファイバーは、特に図示しないが、反
応炉４の側壁を貫通しており、その先が装置本体１５ｃ
に接続している。照射ユニット１５ａには、光ファイバ
ーの内部を通過した測定光を外部に照射するためのレン
ズ素子が内蔵されており、受光ユニット１５ｂには、反
射光を光ファイバーの内部に導くためのレンズ素子が内
蔵されている。

【００４１】また、前述の２つのユニットは、一体化さ
れた状態で保持部材１６に保持されている。具体的に
は、保持部材１６の図示しない止めネジを緩めると、２
つのユニットが垂直方向に揺動可能となり、前記止めネ
ジを締め付けると２つのユニットの姿勢が定まるように
なっている。保持部材１６は、反応炉１４の内壁に、水
平方向（紙面に垂直な方向）の移動ができるように取付
けられている。レンズ１１に薄膜を形成する場合には、
保持部材１６を用いて、２つのユニットの水平位置と俯
角を調節し、測定光が、薄膜が形成される領域の、予め
定めた目標点における法線に対して略平行に照射される
ようにする。

【００４２】本実施形態では、２つのユニットが一体化
されているが、各ユニットの水平位置と俯角を独立に設
定できるように構成しても構わない。少なくとも、薄膜
が形成される領域を横切る仮想平面に沿って前記２つの
ユニットを揺動できれば、特に限定されない。遠隔操作
によって自動制御可能なものでもよい。

【００４３】本プラズマＣＶＤ装置を用いてレンズ１１
に薄膜を形成する場合には、第１の実施形態と同様、反
応炉１４内を真空状態に保ちながら基板保持電極２及び
高周波電極３の間に反応ガスを供給し、高周波電源（図
示省略）を用いて高周波電極１３に高周波電力を与え、
これら２枚の電極間にプラズマを発生させる。このと
き、回転機構（図示省略）は、レンズ１１を保持した基
板保持電極１２を回転させることで、薄膜が形成される
領域の各点を、２枚の電極に挾まれた空間と、２枚の電
極に挾まれない空間に交互に通す。

【００４４】本実施形態によれば、モニター装置１５の
本体部１５ｃが反応炉１４の外部に配置されているた
め、装置本体が反応炉の内部環境の影響を全く受けず、
より精度の高い測定を行うことができる。

【００４５】なお、本体部１５ｃに加えて照射ユニット
１５ａ及び受光ユニット１５ｂのそれぞれも反応炉の外
部に設けるようにしてもよい。この場合、反応炉に側壁
に窓ガラスを嵌込み、ここに測定光及び反射光を通せば
よい。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、対象物に薄膜を均一に
形成しながら、薄膜の膜厚を直接測定することができ
る。

【００４７】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のプラズマＣＶＤ装置
の概略を示す構成図。

【図２】図１のプラズマＣＶＤ装置の高周波電極の上面
図。

【図３】本発明の第２の実施形態のプラズマＣＶＤ装置
の概略を示す構成図。

【図４】図１のプラズマＣＶＤ装置を上方から見た場合
の様子を示す構成図。

【図５】従来の真空蒸着装置の一部を示した説明図。

【図６】薄膜に入射する光の反射率に関する説明図。

【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略を示す構成
図。

【図８】高周波電極の中央部に貫通孔が形成されたプラ
ズマＣＶＤ装置の概略を示す構成図。

【図９】図８のプラズマＣＶＤ装置を上方から見た場合
の様子を示す構成図。

【符号の説明】

１、１１、１０１、２０１、３０１：レンズ、２、
３、１２、１３、２０２、２０３、３０２、３０３：電
極、４、１４、２０４、３０４：反応炉、５、２０
５：高周波電源、６、１５、１１０、３０５：モニタ
ー装置、７：回転機構、８：支持軸、９：ホルダ
ー、１６：保持部材、１０２：真空槽、１０３：
レンズドーム、１０４：ガラス材、１１１：光源、
１１２：干渉フィルター、１１３、１１４：反射
鏡、１１５：検出器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応炉内に平行に設けられた電極Ａ、Ｂの
間にプラズマを発生させ、前記電極Ａに保持されている
対象物に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記対象物を保持した前記電極Ａを回転させる回転機構
と、前記薄膜に測定光を照射すると共に、前記薄膜の膜厚に
応じて変化する前記測定光の反射光を受光するモニター
装置とを備え、前記電極Ｂは、前記測定光及び前記反射光を遮らないように配置され、前記回転機構は、前記対象物を保持した前記電極Ａを回転させることで、
前記薄膜が形成される領域の各点を、前記電極Ａと前記
電極Ｂとに挾まれた空間と、前記電極Ａと前記電極Ｂと
に挾まれない空間に交互に通すことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
【請求項２】請求項１において、前記電極Ｂは、前記回転機構の回転軸を含む仮想平面に
より２分された前記反応炉の一方の内部空間に配置さ
れ、前記モニター装置は、前記電極Ｂが存在しない、前記仮
想平面により２分された前記反応炉の他方の内部空間に
配置されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】請求項１または２において、前記電極Ａは、円形の板状部材であり、前記電極Ｂは、前記回転機構の回転軸上に中心点が存在
し、かつ、前記円形と半径がほぼ等しい扇形の板状部材
であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】請求項３において、前記扇形の中心角は、１８０°であることを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】請求項１、２、３または４において、前記モニター装置は、前記薄膜が形成される領域の、予
め定めた目標点における法線に対して略平行に前記測定
光を照射することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】請求項１、２、３、４または５において、前記薄膜が形成される領域を横切る仮想平面に沿って前
記モニター装置を揺動可能な揺動機構をさらに備えるこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】請求項１、２、３、４、５または６におい
て、前記薄膜が形成される領域は、曲面であることを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。