JPS6145702B2 - - Google Patents
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- JPS6145702B2 JPS6145702B2 JP56044457A JP4445781A JPS6145702B2 JP S6145702 B2 JPS6145702 B2 JP S6145702B2 JP 56044457 A JP56044457 A JP 56044457A JP 4445781 A JP4445781 A JP 4445781A JP S6145702 B2 JPS6145702 B2 JP S6145702B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着膜の膜厚制御方法、及びそ
の製造装置に関するものである。
の製造装置に関するものである。
従来の光学的膜厚制御方法は、単色膜厚制御方
法及び、２波長膜厚制御方法が一般的である。こ
こに単色膜厚制御方法とは、測定光として単色光
を用い、蒸着中のモニターからの膜厚に応じた反
射率の変化をとらえて膜厚を制御する方法であ
る。又２波長膜厚制御方法とは、測定光として２
色光を用い蒸着中のモニターからの膜厚に応じた
各波長の反射率の差の変化をとらえ膜厚を制御す
る方法である。
法及び、２波長膜厚制御方法が一般的である。こ
こに単色膜厚制御方法とは、測定光として単色光
を用い、蒸着中のモニターからの膜厚に応じた反
射率の変化をとらえて膜厚を制御する方法であ
る。又２波長膜厚制御方法とは、測定光として２
色光を用い蒸着中のモニターからの膜厚に応じた
各波長の反射率の差の変化をとらえ膜厚を制御す
る方法である。
単色膜厚制御方法は、通常、膜厚が単色光の波
長の1/4の整数倍に相当する、反射率の出力変化
の山又は谷の所で制御される。しかし、この極値
の近傍は、膜厚の変化に対して反射率の変化が鈍
感であり制御された膜厚は所定の膜厚からの誤差
を含むことが多く、従つて、この方法は再現性が
悪いという欠点を有する。
長の1/4の整数倍に相当する、反射率の出力変化
の山又は谷の所で制御される。しかし、この極値
の近傍は、膜厚の変化に対して反射率の変化が鈍
感であり制御された膜厚は所定の膜厚からの誤差
を含むことが多く、従つて、この方法は再現性が
悪いという欠点を有する。
一方、従来より行なわれている二波長膜厚制御
方法は同一の膜厚が付着しているモニターを異な
る二つの波長で観察することにより膜厚を制御す
る方法である。即ち、設計波長λ０の１／４の整数倍 の膜厚を制御する場合、２／λ０＝１／λ１＋１／λ２
の関係式 を満足するλ０より短い波長λ１とλ０より長い
波長λ２を選べばλ０／４の整数倍の膜厚の時に各波 長λ１，λ２での反射率が等しくなることを利用
し、各波長の反射率の差の出力の零点を観察し、
蒸着膜厚の膜厚を制御する。この零点近傍は、膜
厚の変化に対して反射率の差の出力変化が敏感で
あり、従つて再現性はよい。しかし、この零点が
制御波長λ０の1/4膜厚に相当するのは、被制御
膜が屈折率の分散を含まない場合であり、被制御
膜が高分散を有する高屈折率膜の場合には零点で
制御された膜厚は目標値よりも厚くなる。すなわ
ち高屈折率膜と低屈折率膜からなるλ０／４の整数膜 構成の交互多層膜を形成する場合、高屈折率膜と
低屈折率膜の膜厚比が整数とならない欠点を有す
る。
方法は同一の膜厚が付着しているモニターを異な
る二つの波長で観察することにより膜厚を制御す
る方法である。即ち、設計波長λ０の１／４の整数倍 の膜厚を制御する場合、２／λ０＝１／λ１＋１／λ２
の関係式 を満足するλ０より短い波長λ１とλ０より長い
波長λ２を選べばλ０／４の整数倍の膜厚の時に各波 長λ１，λ２での反射率が等しくなることを利用
し、各波長の反射率の差の出力の零点を観察し、
蒸着膜厚の膜厚を制御する。この零点近傍は、膜
厚の変化に対して反射率の差の出力変化が敏感で
あり、従つて再現性はよい。しかし、この零点が
制御波長λ０の1/4膜厚に相当するのは、被制御
膜が屈折率の分散を含まない場合であり、被制御
膜が高分散を有する高屈折率膜の場合には零点で
制御された膜厚は目標値よりも厚くなる。すなわ
ち高屈折率膜と低屈折率膜からなるλ０／４の整数膜 構成の交互多層膜を形成する場合、高屈折率膜と
低屈折率膜の膜厚比が整数とならない欠点を有す
る。
本発明の目的は、蒸着膜厚の再現性の秀れた膜
厚制御方法及びその装置を提供することにある。
厚制御方法及びその装置を提供することにある。
本発明の更なる目的は、被制御膜の物質が屈折
率の分散を有するものに対しても、所望の膜厚が
得られる様な膜厚制御方法、及びその装置を提供
することにある。
率の分散を有するものに対しても、所望の膜厚が
得られる様な膜厚制御方法、及びその装置を提供
することにある。
本発明に係る膜厚制御方法に於いては、従来の
二波長膜厚制御方法が同一膜厚のモニターに異な
る二つの波長のモニタービームを照射することに
より、各々のモニタービーム間の位相差を得てい
るのに対し、モニタービームが単一の波長であつ
てもそれぞれのビームがモニターする蒸着膜の厚
さを異ならせることにより各々のモニタービーム
間で位相差を生じさせ、従来の二波長膜厚制御方
法と全く同じ効果を得ているものである。
二波長膜厚制御方法が同一膜厚のモニターに異な
る二つの波長のモニタービームを照射することに
より、各々のモニタービーム間の位相差を得てい
るのに対し、モニタービームが単一の波長であつ
てもそれぞれのビームがモニターする蒸着膜の厚
さを異ならせることにより各々のモニタービーム
間で位相差を生じさせ、従来の二波長膜厚制御方
法と全く同じ効果を得ているものである。
本発明に係る膜厚制御方法に於いては、蒸着槽
内に異なる所定の蒸着速度で蒸着される第１のモ
ニターと第２のモニターを設け、各々のモニター
を同じ波長の光束で観察することにより上記目的
を達成せんとするものである。この蒸着速度とは
単位時間当りにモニター上に積設される蒸着膜の
厚さを指すもので、蒸着速度が大きいと言うは単
位時間当りに積設される蒸着膜の膜厚が大きいと
言うことである。
内に異なる所定の蒸着速度で蒸着される第１のモ
ニターと第２のモニターを設け、各々のモニター
を同じ波長の光束で観察することにより上記目的
を達成せんとするものである。この蒸着速度とは
単位時間当りにモニター上に積設される蒸着膜の
厚さを指すもので、蒸着速度が大きいと言うは単
位時間当りに積設される蒸着膜の膜厚が大きいと
言うことである。
本発明に係る膜厚制御装置に於いては、蒸着槽
内部に設けられた第１のモニターと第２のモニタ
ー上に単位時間当りに蒸着される膜の厚さを異な
らせる手段、この第１のモニターと第２のモニタ
ーに同一の波長の光束を供給する光源手段、第１
のモニターと第２のモニターとから反射される光
束を検出し、該検出信号により蒸着膜が所定の状
態にあるかどうかを判別する検知手段を備えるも
のである。以下、本発明を詳述する。
内部に設けられた第１のモニターと第２のモニタ
ー上に単位時間当りに蒸着される膜の厚さを異な
らせる手段、この第１のモニターと第２のモニタ
ーに同一の波長の光束を供給する光源手段、第１
のモニターと第２のモニターとから反射される光
束を検出し、該検出信号により蒸着膜が所定の状
態にあるかどうかを判別する検知手段を備えるも
のである。以下、本発明を詳述する。
第１図は、本発明に係る膜厚制御装置を備えた
蒸着装置の一実施例を示す図である。第１図に示
す蒸着装置は、真空蒸着槽１の中に、蒸発源２と
蒸着を受ける基板３をマツトするための傘４を有
し、さらに蒸着膜厚を制御するための傘４の回転
中心近傍に配置された高さの異なる２枚のモニタ
ー５ａ，５ｂを有し、さらにモニター５ａ，５ｂ
を上下動回転させることによりモニター交換を可
能とするモニター機構６を有し、蒸着槽の外に単
色光源７とモニターからの反射光量を測るための
デイテクター８等からなる膜厚監視装置を有す
る。
蒸着装置の一実施例を示す図である。第１図に示
す蒸着装置は、真空蒸着槽１の中に、蒸発源２と
蒸着を受ける基板３をマツトするための傘４を有
し、さらに蒸着膜厚を制御するための傘４の回転
中心近傍に配置された高さの異なる２枚のモニタ
ー５ａ，５ｂを有し、さらにモニター５ａ，５ｂ
を上下動回転させることによりモニター交換を可
能とするモニター機構６を有し、蒸着槽の外に単
色光源７とモニターからの反射光量を測るための
デイテクター８等からなる膜厚監視装置を有す
る。
第１図は本発明に係る蒸着膜の膜厚制御装置の
一実施例を示す図である。
一実施例を示す図である。
第１図に於いて、モニタービームの波長をλ
０、仮想のモニター上に蒸着される蒸着膜の目標
膜厚をnd0とする。この仮想モニターとは実際に
設けられるものではなく、後述する様に、もしそ
の位置にモニターが存在すればと言う意味で用い
られているものである。そして、本願ではこの仮
想のモニター上に蒸着される膜厚を目標値として
制御することにより、サンプル上の蒸着膜が所望
の値になる様にしている。即ち仮想のモニター上
の膜厚がnd0となつたとき、モニター５ａの膜厚
nd1が nd1＝nd0×λ０／λ１ ………(1) モニター５ｂの膜厚nd2が nd2＝nd0×λ０／λ２ ………(2) となる様にモニター５ａの高さh1、モニター５ｂ
の高さh2を設定する。この時膜厚がnd0となる様
な仮想のモニターの高さをh0（h1＜h0＜h2）とす
る。又(1)式及び(2)式に於けるλ１，λ２は二波長
膜厚制御方法に用いる波長と同じ波長である。
０、仮想のモニター上に蒸着される蒸着膜の目標
膜厚をnd0とする。この仮想モニターとは実際に
設けられるものではなく、後述する様に、もしそ
の位置にモニターが存在すればと言う意味で用い
られているものである。そして、本願ではこの仮
想のモニター上に蒸着される膜厚を目標値として
制御することにより、サンプル上の蒸着膜が所望
の値になる様にしている。即ち仮想のモニター上
の膜厚がnd0となつたとき、モニター５ａの膜厚
nd1が nd1＝nd0×λ０／λ１ ………(1) モニター５ｂの膜厚nd2が nd2＝nd0×λ０／λ２ ………(2) となる様にモニター５ａの高さh1、モニター５ｂ
の高さh2を設定する。この時膜厚がnd0となる様
な仮想のモニターの高さをh0（h1＜h0＜h2）とす
る。又(1)式及び(2)式に於けるλ１，λ２は二波長
膜厚制御方法に用いる波長と同じ波長である。
このとき、モニター５ａ上の膜の位相変化δ
１、モニター５ｂ上の膜の位相変化δ２、及び仮
想のモニター上の膜の位相変化δ０は δ１＝４π／λ０nd1 δ２＝４π／λ０nd2 ………(3) δ０＝４π／λ０nd0 で表わされる。又モニター５ａ，５ｂの仮想モニ
ターに対する位相の進み又は遅れをαとすると、 δ１＝δ０＋∝ ………(4) δ２＝δ０−∝ と表わされる。(3)式及び(4)式より 2nd0＝nd1＋nd2 ………(5) が成立する。即ち、高さh0に置かれていると想定
されている仮想のモニターにnd0の厚みで蒸着膜
が蒸着された時、モニター５ａの膜厚nd1、モニ
ター５ｂの膜厚nd2が(5)式を満足する様な位置に
モニター５ａ，５ｂの位置h1，h2を設定すること
により、各モニターで反射される光束の反射率が
等しくなつた時に、高さh0の仮想モニター上に目
標膜厚nd0を得ることが出来る。従つて、本発明
に係る方法に於いても、モニター５ａ，５ｂの
各々のモニターで反射される光束の反射率を測定
し、各々の反射率が等しくなる所、即ち両モニタ
ーの反射率の差が零となる所で膜厚を制御するこ
とが出来る。
１、モニター５ｂ上の膜の位相変化δ２、及び仮
想のモニター上の膜の位相変化δ０は δ１＝４π／λ０nd1 δ２＝４π／λ０nd2 ………(3) δ０＝４π／λ０nd0 で表わされる。又モニター５ａ，５ｂの仮想モニ
ターに対する位相の進み又は遅れをαとすると、 δ１＝δ０＋∝ ………(4) δ２＝δ０−∝ と表わされる。(3)式及び(4)式より 2nd0＝nd1＋nd2 ………(5) が成立する。即ち、高さh0に置かれていると想定
されている仮想のモニターにnd0の厚みで蒸着膜
が蒸着された時、モニター５ａの膜厚nd1、モニ
ター５ｂの膜厚nd2が(5)式を満足する様な位置に
モニター５ａ，５ｂの位置h1，h2を設定すること
により、各モニターで反射される光束の反射率が
等しくなつた時に、高さh0の仮想モニター上に目
標膜厚nd0を得ることが出来る。従つて、本発明
に係る方法に於いても、モニター５ａ，５ｂの
各々のモニターで反射される光束の反射率を測定
し、各々の反射率が等しくなる所、即ち両モニタ
ーの反射率の差が零となる所で膜厚を制御するこ
とが出来る。
実際に蒸着を行う基板３上の蒸着膜厚と仮想の
モニター上での蒸着膜厚との膜厚比を予め知るこ
とにより、基板３上の膜厚は仮想モニター上の膜
厚に比例定数を掛けた形で正確に求まる。従つ
て、基板３と仮想モニターの膜厚の対応をかえれ
ば、例えばモニター５ａ，５ｂの間隔を保つたま
まで高さを変化させれば、基板３上の目標膜厚を
自由に選択できる。ちなみに本願の方法による膜
厚監視位置h1，h2を傘４のつら位置から＋ −100mmの
範囲で動かせば、λ０＝480nm、傘４のつら位置
の高さ700mm、蒸着源の傘回転中心からの距離100
mmにおいて、基板上の目標膜厚を100〜150mmの範
囲（波長範囲で400〜600nm）で自由に得ること
が出来る。
モニター上での蒸着膜厚との膜厚比を予め知るこ
とにより、基板３上の膜厚は仮想モニター上の膜
厚に比例定数を掛けた形で正確に求まる。従つ
て、基板３と仮想モニターの膜厚の対応をかえれ
ば、例えばモニター５ａ，５ｂの間隔を保つたま
まで高さを変化させれば、基板３上の目標膜厚を
自由に選択できる。ちなみに本願の方法による膜
厚監視位置h1，h2を傘４のつら位置から＋ −100mmの
範囲で動かせば、λ０＝480nm、傘４のつら位置
の高さ700mm、蒸着源の傘回転中心からの距離100
mmにおいて、基板上の目標膜厚を100〜150mmの範
囲（波長範囲で400〜600nm）で自由に得ること
が出来る。
第２図は本発明に係る膜厚制御方法による検知
手段からの検出出力の変化の様子を示し、第３図
は従来の２波長膜厚制御方法による検出出力の変
化を示す。ここで述べた検知手段とは、２つのモ
ニター５ａ，５ｂ間の反射率の差を検出する手段
であり、この手段としては従来の２波長膜厚制御
方法の検知手段がそのまま適用出来るので、ここ
では記載を省略する。尚、第２図及び第３図は縦
軸に反射率の差を横軸に基板上に蒸着される膜厚
を示す。第３図に示す２つの波長はλ１＝
410nm，λ２＝580nmであり、本発明に於ける(1)
式、(2)式の膜厚を与える波長λ１＝410nm，λ２
＝580nmに対応する値を選んである。Ｈは硫化亜
鉛膜でその屈折率ｎはｎ＝2.12＋59.4／（λ−
274）の分散式に従うものとし、Ｌは氷晶石膜で
その屈折率はｎ＝1.36である。モニター５ａ，５
ｂの膜反射率Rh1，Rh2は基準波長480nmにおけ
るものであり、同一のものであるから分散の影響
は全くなく、第２図に示す如く目標膜厚120nmを
得ることが出来る。さらに層数を重ねることによ
り何ら条件は変化しないので、ＨとＬの膜厚比が
１対１のλ０／４膜厚の交互層を得ることが出来
る。
手段からの検出出力の変化の様子を示し、第３図
は従来の２波長膜厚制御方法による検出出力の変
化を示す。ここで述べた検知手段とは、２つのモ
ニター５ａ，５ｂ間の反射率の差を検出する手段
であり、この手段としては従来の２波長膜厚制御
方法の検知手段がそのまま適用出来るので、ここ
では記載を省略する。尚、第２図及び第３図は縦
軸に反射率の差を横軸に基板上に蒸着される膜厚
を示す。第３図に示す２つの波長はλ１＝
410nm，λ２＝580nmであり、本発明に於ける(1)
式、(2)式の膜厚を与える波長λ１＝410nm，λ２
＝580nmに対応する値を選んである。Ｈは硫化亜
鉛膜でその屈折率ｎはｎ＝2.12＋59.4／（λ−
274）の分散式に従うものとし、Ｌは氷晶石膜で
その屈折率はｎ＝1.36である。モニター５ａ，５
ｂの膜反射率Rh1，Rh2は基準波長480nmにおけ
るものであり、同一のものであるから分散の影響
は全くなく、第２図に示す如く目標膜厚120nmを
得ることが出来る。さらに層数を重ねることによ
り何ら条件は変化しないので、ＨとＬの膜厚比が
１対１のλ０／４膜厚の交互層を得ることが出来
る。
一方、第３図に示す如く、従来の制御方法であ
る二波長制御方法に於いては分散の影響を受ける
ので高屈折率の膜は予定の膜厚より厚く、低屈折
率膜の膜は予定の膜厚より薄く蒸着される。
る二波長制御方法に於いては分散の影響を受ける
ので高屈折率の膜は予定の膜厚より厚く、低屈折
率膜の膜は予定の膜厚より薄く蒸着される。
第４図は、第１図に示す膜厚制御装置のモニタ
ー機構６の詳細図で、このモニター機構によりモ
ニター５ａ，５ｂ上に蒸着される蒸着膜の蒸着速
度を調整する。図中モニター５ａ，５ｂは円板１
０ａ，１０ｂ上の光軸調整用モニターホルダー１
１ａ，１１ｂにそれぞれセツトされる。ここに光
軸調整用モニターホルダーはネジのしめ加減によ
りモニターからの反射光が正しくデイテクター８
に入るように角度を調整するためのものである。
円板１０ａ，１０ｂはシヤフト９ａ，９ｂに連結
されており、シヤフト９ａをあげることによりシ
ヤフト９ｂもストツパー１３の働きにより同時に
上げられ、シヤフト９ａを回転するとシヤフト９
ｂも同様に回転し、シヤフト９ａはシヤフト９ｂ
とともにストツパー１５がつきあたるところまで
下がる。さらにストツパー１４のつきあたる位置
を調整することによりモニター５ａ，５ｂの高さ
の差を調整でき、このようにモニター５ａ，５ｂ
の上下動、回転、高さの差の調整、モニター交換
を可能とするモニター機構である。
ー機構６の詳細図で、このモニター機構によりモ
ニター５ａ，５ｂ上に蒸着される蒸着膜の蒸着速
度を調整する。図中モニター５ａ，５ｂは円板１
０ａ，１０ｂ上の光軸調整用モニターホルダー１
１ａ，１１ｂにそれぞれセツトされる。ここに光
軸調整用モニターホルダーはネジのしめ加減によ
りモニターからの反射光が正しくデイテクター８
に入るように角度を調整するためのものである。
円板１０ａ，１０ｂはシヤフト９ａ，９ｂに連結
されており、シヤフト９ａをあげることによりシ
ヤフト９ｂもストツパー１３の働きにより同時に
上げられ、シヤフト９ａを回転するとシヤフト９
ｂも同様に回転し、シヤフト９ａはシヤフト９ｂ
とともにストツパー１５がつきあたるところまで
下がる。さらにストツパー１４のつきあたる位置
を調整することによりモニター５ａ，５ｂの高さ
の差を調整でき、このようにモニター５ａ，５ｂ
の上下動、回転、高さの差の調整、モニター交換
を可能とするモニター機構である。
第１図に示す実施例では各々のモニターに蒸着
される蒸着速度を異ならせる為の手段として各々
のモニター５ａ，５ｂの高さを変えたが、他の手
段としては、第５図に示す様に同じ高さのモニタ
ーを用いても各モニターの蒸着速度を異ならせる
ことが出来る。第５図に示す様に、同じ高さのモ
ニター５ｃ，５ｄを用いて外部駆動モーター１６
に直結するチヨツパー１７を回転することによ
り、モニター５ａの膜厚だけを減少させることが
出来る。
される蒸着速度を異ならせる為の手段として各々
のモニター５ａ，５ｂの高さを変えたが、他の手
段としては、第５図に示す様に同じ高さのモニタ
ーを用いても各モニターの蒸着速度を異ならせる
ことが出来る。第５図に示す様に、同じ高さのモ
ニター５ｃ，５ｄを用いて外部駆動モーター１６
に直結するチヨツパー１７を回転することによ
り、モニター５ａの膜厚だけを減少させることが
出来る。
又、第１図と第５図に示す膜厚制御装置を組み
合わせ、高さの異なる二枚のモニターの一方の膜
厚をチヨツパーを用いて減少させることにより、
一つの単色光源だけで全波長域に渡つて膜厚の制
御を行うことは容易である。
合わせ、高さの異なる二枚のモニターの一方の膜
厚をチヨツパーを用いて減少させることにより、
一つの単色光源だけで全波長域に渡つて膜厚の制
御を行うことは容易である。
本発明に於いては、蒸着膜厚の異なるモニター
を単一波長で照射し、各モニターからの反射率の
差をとらえて膜厚制御するものであるから従来の
様に異なる２波長を得る為の干渉フイルターが不
必要となり、光学系が簡素化され、又光軸調整も
容易となる。更に、光源部として波長488nmのア
ルゴンフレーザー、波長633nmのヘリウムネオン
レーザーの２種類の単色光源を用意すれば400nm
〜750nmの波長域に於いて、膜厚の制御を行うこ
とが可能である。
を単一波長で照射し、各モニターからの反射率の
差をとらえて膜厚制御するものであるから従来の
様に異なる２波長を得る為の干渉フイルターが不
必要となり、光学系が簡素化され、又光軸調整も
容易となる。更に、光源部として波長488nmのア
ルゴンフレーザー、波長633nmのヘリウムネオン
レーザーの２種類の単色光源を用意すれば400nm
〜750nmの波長域に於いて、膜厚の制御を行うこ
とが可能である。
以上述べた如く、本発明に係る膜厚制御方法に
於いては、単色光を用いるにもかかわらず、二波
長膜厚制御方法と同様の制御膜厚の再現性を有
し、更に単色光の波長で膜厚制御を行うために被
制御膜の屈折率の分散の影響を受けず目標通りの
膜厚を得ることが出来ると言う優れた効果を有す
るものである。
於いては、単色光を用いるにもかかわらず、二波
長膜厚制御方法と同様の制御膜厚の再現性を有
し、更に単色光の波長で膜厚制御を行うために被
制御膜の屈折率の分散の影響を受けず目標通りの
膜厚を得ることが出来ると言う優れた効果を有す
るものである。
第１図は本発明に係る膜厚制御方法を用いた蒸
着装置の一実施例を示す図、第２図は本発明に係
る膜厚制御方法を用いた場合の制御検知手段から
の出力波形を示す図、第３図は従来の二波長膜厚
制御方法を用いた場合の制御検知手段からの出力
波形を示す図、第４図は第１図に示す装置に於け
るモニター機構の詳細な構成を示す図、第５図は
本発明に係る膜厚制御方法を用いた蒸着装置の他
の実施例を示す図。 １……蒸着槽、２……蒸発源、３……基板、４
……傘、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ……モニター、
６……モニター機構、７……単色光源、８……デ
イテクター、１６……モーター、１７……チヨツ
パー。
着装置の一実施例を示す図、第２図は本発明に係
る膜厚制御方法を用いた場合の制御検知手段から
の出力波形を示す図、第３図は従来の二波長膜厚
制御方法を用いた場合の制御検知手段からの出力
波形を示す図、第４図は第１図に示す装置に於け
るモニター機構の詳細な構成を示す図、第５図は
本発明に係る膜厚制御方法を用いた蒸着装置の他
の実施例を示す図。 １……蒸着槽、２……蒸発源、３……基板、４
……傘、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ……モニター、
６……モニター機構、７……単色光源、８……デ
イテクター、１６……モーター、１７……チヨツ
パー。
Claims (1)
- １ 蒸着槽内に設けられた第１のモニター及び該
第１のモニターと異なる蒸着速度で蒸着される第
２のモニター、前記第１のモニターと第２のモニ
ターに同一の波長の光束を照射する光束供給手
段、前記各々のモニターで反射された光束の光量
を検知する検知手段、該検知手段からの信号によ
り蒸着膜を形成すべき物体面上での膜厚が所定の
状態にあるか否かを判別する手段とを備えた事を
特徴とする膜厚制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56044457A JPS57158373A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Method and device for controlling film thickness of vacuum deposited film |
| US06/359,481 US4531838A (en) | 1981-03-26 | 1982-03-18 | Method and device for controlling the film thickness of evaporated film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56044457A JPS57158373A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Method and device for controlling film thickness of vacuum deposited film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57158373A JPS57158373A (en) | 1982-09-30 |
| JPS6145702B2 true JPS6145702B2 (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=12692012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56044457A Granted JPS57158373A (en) | 1981-03-26 | 1981-03-26 | Method and device for controlling film thickness of vacuum deposited film |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4531838A (ja) |
| JP (1) | JPS57158373A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3309101B2 (ja) * | 1992-08-31 | 2002-07-29 | 株式会社シンクロン | 薄膜の屈折率測定方法および装置 |
| US5416594A (en) * | 1993-07-20 | 1995-05-16 | Tencor Instruments | Surface scanner with thin film gauge |
| US6611378B1 (en) | 2001-12-20 | 2003-08-26 | Semrock, Inc. | Thin-film interference filter with quarter-wavelength unit sub-layers arranged in a generalized pattern |
| KR100794672B1 (ko) | 2006-07-06 | 2008-01-14 | (주)인텍 | 진공 증착기 |
| CN101538699B (zh) * | 2008-03-17 | 2012-06-20 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置及其所使用的镀膜伞架遮罩 |
| CN101597747B (zh) * | 2008-06-05 | 2012-06-20 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光学镀膜装置 |
| JP6550101B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2019-07-24 | Ｊｆｅテクノリサーチ株式会社 | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
| CN110793942B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-02-08 | 天津大学 | 基于彩色相机的二维材料形貌快速表征系统和方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3645623A (en) * | 1970-09-25 | 1972-02-29 | Raymond A Patten | Apparatus for monitoring film thickness by reflecting a light beam from the film surface |
| US3737237A (en) * | 1971-11-18 | 1973-06-05 | Nasa | Monitoring deposition of films |
| US3869211A (en) * | 1972-06-29 | 1975-03-04 | Canon Kk | Instrument for measuring thickness of thin film |
-
1981
- 1981-03-26 JP JP56044457A patent/JPS57158373A/ja active Granted
-
1982
- 1982-03-18 US US06/359,481 patent/US4531838A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57158373A (en) | 1982-09-30 |
| US4531838A (en) | 1985-07-30 |
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