JP4418926B2 - 光学薄膜形成用装置及び方法 - Google Patents
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基板ドーム(5)中心に取り付けられた成膜基板(6)は、基板内膜厚分布の均一化を図るため、図示しない高速回転機構により基板ドーム(5)と共に1000rpmで回転し(特願2002-207355号)、基板加熱用シースヒーター(7)及びハロゲンヒーター(21)により加熱される。
また、成膜基板(6)の温度は放射型温度計(17)を用いて測定し、実測データは温度調節器(18)に入力され、温度調節器(18)は、予め設定された温度と実測温度を比較・演算し、その結果を基に、成膜基板(6)が電子ビームからの輻射熱やプラズマ発生時の熱を受けても基板温度が常に一定となるようハロゲンヒーター用電力調整器(19)を制御する(特願2002-229025号)。
電子ビーム蒸発源(2)による成膜中、高周波電源(22)より出力される高周波電力(周波数:13.56MHz)を直接基板ドーム(5)に印加すると、基板ドーム(5)と蒸発源(2)との空間にグロー放電が発生しプラズマ状態になり、基板ドーム(5)に取り付けられた成膜基板(6)表面には自己誘起された負の直流電界が生じ、その高いエネルギーで高充填密度な薄膜が形成される(特開2001-73136号)。マッチングボックス(23)は高周波電源(22)の出力インピーダンスと負荷である基板ドーム(5)を含む放電機構のインピーダンスの整合をとるものである。
水晶膜厚センサ(4)は蒸発速度を検出し、図示していないが電子ビームコントローラに検出信号をフィードバックし成膜速度を一定に制御している。
各層の膜厚制御は、単色測光法と分光特性測定法を適宜選択する。
Lは、蒸発源距離:P[mm],ドーム高さ:H[mm],シミュレーションポイント(基板中心からの距離):R[mm]及びドーム回転角度:Φ[rad]により次式で表される。
(4)式より基板面内分布は、蒸発係数:n(蒸発源から蒸発物質がどの程度の広がりを持って蒸発するかを表す)及び基板と蒸発源の幾何学的配置(H:基板高さ、P:蒸発源偏心距離)に依存することが判る。
電子ビーム蒸発源の電子ビーム照射位置及び照射幅、蒸発物質溶融部分の位置及び形状を常時監視し、予め決められた幅、位置、高さとの間にずれが生じた場合、修正を行う。
2.膜厚分布測定機構
成膜過程に於ける成膜基板の面内膜厚分布を測定し、基板の面内膜厚分布にずれが生じた場合、 補正を行う。
3.蒸発源位置調整機構
蒸発物質溶融面の高さ及び基板面内膜厚分布にずれが生じた場合、最適な膜厚分布が得られる位置に蒸発源を移動する。
4.水晶膜厚センサ角度調整機構
蒸発源位置が移動しても良好な蒸発速度監視が出来るよう水晶膜厚センサの取り付け角度を可変する。
上記4項目の手段により、従来問題となっていた成膜基板の面内分膜厚布の悪化を飛躍的に向上させることが可能となる。
図5を参照に本発明の実施例を説明する。
図2に示す従来装置と同様のものには同一符号を付して説明を省略する。
同図に示す装置は、蒸発源監視機構である蒸発源カメラ(37)及びコンピュータ(45)と、膜厚分布測定機構である出射筒(14)及び受光器(25)及びコンピュータ(46)と、蒸発源位置を可変する蒸発源位置調整機構(41)と、蒸発物質に照射する電子ビームの照射位置及び照射幅を制御する電子ビームコントローラ(47)と、電子ビーム蒸発源(2)の蒸発速度を監視する水晶膜厚センサ(42)と、蒸発源の制御装置(48)とを具備する。
電子ビーム蒸発源(2)は、電子ビームを照射することにより蒸発物質を溶融させ蒸散させるものである。蒸発源カメラ(37)は、蒸発物質の溶融による発光部分を光学的に観測し、コンピュータ(45)に輝度分布を出力する。輝度分布は3次元的に出力し、コンピュータ(45)は溶融部分の位置及び形状を輝度分布から演算する。更に、一定値以上の輝度を有する部分のみを監視することにより、電子ビームの照射位置及び照射幅を演算する。
蒸発源カメラ(37)の光学的観測手段は、光検出機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、本実施例では固体撮像素子を用いている。
図5に示す装置では、測定光の光路上に反射鏡を設け、単色測光用受光器(15)と分光特性測定用受光器(25)にそれぞれ測定光を入射させる構成としている。膜厚分布の測定には、分光特性測定用受光器(25)を用いるが、単色測光用受光器(15)を併せ備えることにより分光特性測定法と単色測光法を適宜選択可能となる。分光特性の測定には、本願出願人の先の発明である特願2003-126404号記載の方法を用いればよい。
同図に示す装置では、上下のステージ(39,40)に出射筒(14)と受光器(25)を搭載して透過率を測定しているが、出射筒と受光器とを同一のステージ上に搭載し、成膜基板に対して所定角度をもって測定光を投光し、反射率を測定してもよい。反射率を測定する場合も、ステージを移動させて成膜基板面に対する測定光の照射位置を移動させ、基板の面内膜厚分布を測定する構成は変わらない。
本実施例では、本願出願人の先の発明である特願2003-195899号に示す蒸発源移動機構を用いるが、所定の真空度を保ったまま蒸発源位置を変更できる構成であれば特願2003-195899号に示す構成に限られるものではない。
その構成は、両面に電極を取り付けた水晶振動子と、水晶振動子の電極に交流電圧をかけ圧電効果によって水晶振動子に固有振動を生じさせる発振回路と、固有振動周波数を検出する周波数測定機構と、検出した固有振動数の変化から蒸発源の蒸発速度を算出する計算処理機構とよりなる。
ここで、電子ビーム蒸発源(2)から蒸散する蒸発物質は、Cosnθに近似される分布をする。電子ビーム蒸発源(2)の中心に対して水晶振動子板面の角度が異なると、水晶振動子に堆積する蒸発物質の質量が異なり条件が変わってしまうため、電子ビーム蒸発源(2)に対する水晶振動子板面の角度は測定中常に一定に保つ必要がある。
水晶膜厚センサ(42)は、角度調整機構を備え、電子ビーム蒸発源(2)位置が変更されても電子ビーム蒸発源(2)の位置変更に連動して角度を変更可能な構成とする。角度調整機構は、電子ビーム蒸発源(2)に対する水晶板面の角度が常に一定となるように水晶膜厚センサ(42)を制御する。具体的には、電子ビーム蒸発源(2)位置が変更しても常に水晶膜厚センサ(42)が電子ビーム蒸発源(2)の中心に向くようにすればよい。
制御装置(48)は、蒸発源監視機構及び膜厚測定装置から入力したデータをもとに、電子ビームコントローラ(47)及び蒸発源位置調整機構(41)を操作し、ビーム照射位置、電子ビーム照射幅及び蒸発源位置を変更することを特徴とする。
蒸発源監視機構のコンピュータ(45)は、算出した電子ビーム照射幅及び照射位置、蒸発物質溶融部分の位置及び形状を制御装置(48)に出力する。制御装置(48)は、予め決められた電子ビーム照射幅及び位置との間にずれが生じた場合、電子ビームコントローラ(47)を操作してずれを修正する。また、蒸発物質溶融面の高さにずれが生じた場合、蒸発源位置調整機構(41)で蒸発物質溶融面の高さの修正を行う。修正は、成膜基板(6)と電子ビーム蒸発源(2)との垂直距離(基板の高さ:H)を調整することにより行う。
従来装置では、成膜工程中に蒸発物質溶融面の位置及び形状が変化してしまうという問題があったが、本発明蒸発源監視機構により蒸発物質溶融部分を3次元的に観測することと、制御装置(48)により溶融部分を制御することで、成膜工程中の蒸発係数を極めて安定化することが可能となった。あるいは蒸発係数の変化に合わせて蒸発源位置を変化させ、成膜基板面内における膜厚分布を良好に保つことも可能である。本発明蒸発源カメラ(37)により電子ビーム蒸発源(2)を常時監視し、制御装置(48)により電子ビーム照射条件及び蒸発源位置を操作することで、成膜工程中に所望の成膜条件を得ることが可能となり、成膜基板の面内膜厚分布を向上させることが可能になった。
本発明で基板の面内膜厚分布を蒸発源位置にフィードバックして膜厚制御を行うことにより、高精度な膜厚分布を得ることが可能となる。
前記した実施例を基に電子ビーム蒸発源位置を可変し、高・低屈折率の各蒸発物質(高:H[Ta2O5]、低:L[SiO2])の単層成膜時に於ける基板面内膜厚分布を測定したデータを得た。この測定データに基いて前述の3次元的観測結果に従い蒸発源位置調整機構を操作する。成膜条件を表1に、結果を図6〜9に示す。膜厚及び屈折率の測定には、分光エリプソメータを使用した。図は、横軸に蒸発源偏心距離(P)を縦軸に膜厚分布及び屈折率分布を示す。
図6及び図7より、膜厚・屈折率分布は共に蒸発源偏心距離:350〜430mm間で0.5%以下の良好な結果が得られ、なかでも蒸発源偏心距離:430mm近傍が最も分布が良くなっていると考えられる。蒸発源・基板間高さの違いによる影響は、測定誤差等を考えるとほとんど差違は認められない。
図8に低屈折率物質であるSiO2を成膜した際の膜厚分布を、図9に屈折率分布を示す。
図8及び図9より、偏心距離:430mmで最も良好となり、蒸発源・基板間高さの違いでは、650mmで最も分布が良好となっていることが判る。
基板/[HL]7H8LH[LH]7L[HL]7H8LH[LH]7/大気
の63層とした(各層の光学膜厚をλ/4とし、それぞれをH,Lとする)。
中心波長分布の結果を図10にまた、比較対照用に従来の中心波長分布を図11に示す。従来の中心波長分布はΦ54内で±2.1nmであるのに対して、本実施例ではΦ60内で±0.2nmと1/10以下の極めて良好な結果が得られた。
また、上記実施例では電子ビーム蒸発源を用いたが他の蒸発源を用いることも可能である。
2 電子ビーム蒸発源
3 シャッタ
4 水晶膜厚センサ
5 基板ドーム
6 成膜基板
7 基板加熱用シースヒーター
8 下部覗き窓
9 上部覗き窓
10 コントローラ
11 波長可変レーザー
12 デポラライザー
13 光ファイバ
14 出射筒
15 単色測光用受光器
16 覗き窓
17 放射型温度計
18 温度調節器
19 ハロゲンヒーター用電力調整器
20 低圧導入電極
21 ハロゲンヒーター
22 高周波電源
23 マッチングボックス
24 高圧導入電極
25 分光特性測定用受光器
26 半透明鏡
27 光パワーメータ
28 パーソナルコンピュータ
29 外乱光カットフィルタ
30 基板
31 高屈折率物質
32 低屈折率物質
33 反射帯層
34 スペーサ層
35 結合層
36 キャビティー
37 蒸発源監視カメラ
38 蒸発源監視カメラ取付用フランジ
39 下部ステージ
40 上部ステージ
41 蒸発源位置調整機構
42 角度可変式水晶膜厚センサ
43 半透明鏡ボックス
44 高速回転機構
45 コンピュータ
46 コンピュータ
47 電子ビームコントローラ
48 制御装置
Claims (6)
- 電子ビーム蒸発源からの電子ビームの蒸発物質への照射により蒸発物質を溶融して蒸発させ、回転する成膜基板に該蒸発物質を堆積させる光学薄膜形成用装置において、
該蒸発物質溶融部分の位置と形状を観測する蒸発源監視機構と、該電子ビームの照射位置及び照射幅を調整するよう該電子ビーム蒸発源を制御する電子ビームコントローラと、制御装置とを備え、
該制御装置は、該蒸発源監視機構より出力される該蒸発物質溶融部分の位置と形状に基づいて電子ビームコントローラを制御して、電子ビーム照射位置と電子ビーム照射幅を調整することを特徴とする光学薄膜形成用装置。 - 前記蒸発源監視機構は、光検出器を用いて前記蒸発物質溶融部分における発光を検知することを特徴とする請求項1記載の光学薄膜形成用装置。
- 前記蒸発源監視機構は、設定値以上の輝度を有する部分のみを監視して電子ビームの照射位置及び照射幅を検知していることを特徴とする請求項2記載の光学薄膜形成用装置。
- 前記蒸発源監視機構は、該蒸発物質溶融部分を3次元的に観測し、該観測結果に基き該制御装置は該成膜基板に対する蒸発源位置を可変する蒸発源位置調整機構により該蒸発源の高さを調整している請求項1、2又は3に記載の光学薄膜形成装置。
- 膜厚分布測定機構を備える請求項4記載の光学薄膜形成用装置。
- 蒸発源偏心距離Pと基板高さHとを変化させながら基板面内分布をデータとして測定しておき、該測定データに基いて該3次元的観測に従って蒸発源偏心距離Pと基板高さHに対し、蒸発源位置調整機構を操作する請求項5記載の光学薄膜形成用装置。
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