JP6096195B2 - タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム - Google Patents
タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6096195B2 JP6096195B2 JP2014528872A JP2014528872A JP6096195B2 JP 6096195 B2 JP6096195 B2 JP 6096195B2 JP 2014528872 A JP2014528872 A JP 2014528872A JP 2014528872 A JP2014528872 A JP 2014528872A JP 6096195 B2 JP6096195 B2 JP 6096195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- dielectric film
- containing dielectric
- transparent
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 179
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 165
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 137
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 136
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 69
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 169
- 230000008569 process Effects 0.000 description 51
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 16
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 12
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N [N].[Ar] Chemical compound [N].[Ar] PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G02B1/105—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/16—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements having an anti-static effect, e.g. electrically conducting coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Description
Claims (14)
- タッチパネルで使用される透明体(10)を製造する方法であって、
第1のケイ素含有誘電体膜(16)、第2のケイ素含有誘電体膜(18)、および第3のケイ素含有誘電体膜(20)を含む第1の透明層スタック(12)を基板(14)の上に堆積させることであり、前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が低い屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が高い屈折率を有し、前記基板(14)上に前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)が堆積され、前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)上に前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)が堆積され、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)上に第3のケイ素含有誘電体膜(20)が堆積される、堆積させることと、
前記第1の透明層スタック(12)および透明導電膜(22)が前記基板(14)の上にこの順序で配置されるように前記透明導電膜(22)を堆積させることと、
前記透明導電膜(22)をパターニングすること、を含み、
前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)、前記第3のケイ素含有誘電体膜(20)、または前記透明導電膜(22)のうちの少なくとも1つがターゲット(122、124、126、128、322、324、326、328)からのスパッタリングによって堆積される、方法。 - 前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が1.5未満の屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が少なくとも1.8の屈折率を有する、請求項1に記載の方法。
- 第1のケイ素含有誘電体膜(16)が、少なくとも90重量%のSiO2をもつSiO2層であり、第2のケイ素含有誘電体膜(18)が、少なくとも70重量%のSi3N4をもつSi3N4層であり、第3のケイ素含有誘電体膜(20)が、少なくとも90重量%のSiO2をもつSiO2層である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第2のケイ素含有誘電体膜が窒化ケイ素を含む、および/または、前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が酸化ケイ素を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の透明層スタック(12)を堆積させた後、および前記透明導電膜(22)を堆積させた後、技術的真空が維持され、その後、前記方法が少なくとも第2の透明層スタックの製造に切り替えることをさらに含み、前記方法が、
少なくともさらなる第1のケイ素含有誘電体膜を含む前記第2の透明層スタックを基板(14)の上に堆積させることと、
前記第2の透明層スタックおよび第2の透明導電膜が前記基板(14)の上にこの順序で配置されるように前記第2の透明導電膜を堆積させることと、を含み、
前記さらなる第1のケイ素含有誘電体膜および前記第2の透明導電膜の少なくとも一方がターゲットからのスパッタリングによって堆積される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2の透明層スタックが、SiO2含有層からなるスタック、SiO2含有層、Si3N4含有層、およびSiO2含有層からなるスタック、ならびにSi3N4含有層およびSiO2含有層からなるスタックからなる群から選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記ケイ素含有誘電体膜が、MFスパッタリングによってスパッタリングされ、前記透明導電膜が、DCスパッタリングによってスパッタリングされる、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- タッチパネルで使用される透明体(10)を製造するための堆積装置(100)であって、
第1のケイ素含有誘電体膜(16)、第2のケイ素含有誘電体膜(18)、および第3のケイ素含有誘電体膜(20)を含む第1の透明層スタック(12)を基板(14)の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリ(102)であり、前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が低い屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が高い屈折率を有し、前記基板(14)上に前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)が堆積されており、前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)上に前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)が堆積されており、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)上に第3のケイ素含有誘電体膜(20)が堆積されている、第1の堆積アセンブリ(102)と、
透明導電膜(22)を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリ(104)と、
前記透明導電膜(22)をパターニングするためのパターニングチャンバ(114)と、を備え、
前記第1の堆積アセンブリ(102)および前記第2の堆積アセンブリ(104)は、前記第1の透明層スタック(12)および前記透明導電膜(22)が前記基板(14)の上にこの順序で配置されるように配列され、
前記第1の堆積アセンブリ(102)または前記第2の堆積アセンブリの少なくとも一方がターゲット(122、124、126、128、322、324、326、328)に動作可能に結合されたスパッタリングシステム(120、123、125、127)を含み、前記スパッタリングシステムが前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)、前記第3のケイ素含有誘電体膜(20)、または前記透明導電膜(22)のうちの少なくとも1つを前記ターゲットからのスパッタリングによって堆積させるように構成される、装置。 - 前記第1の堆積アセンブリ(102)が、前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)、および前記第3のケイ素含有誘電体膜(20)を前記基板の上にこの順序で堆積させるように構成される、請求項8に記載の装置。
- 前記第1の堆積アセンブリ(102)および前記第2の堆積アセンブリ(104)が前記第1の透明層スタック(12)および前記透明導電膜(22)をマグネトロンスパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項8または9に記載の装置。
- 前記第1の透明層スタックの少なくとも1つの一部を形成する前記膜のうちの少なくとも1つまたは前記透明導電膜の光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム(138)をさらに備える、請求項8から10のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の堆積アセンブリ(102)が、前記第3のケイ素含有誘電体膜(20)を反応性スパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項8から11のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の堆積アセンブリ(102)および前記第2の堆積アセンブリ(104)は、前記第1のケイ素含有誘電体膜(16)、前記第2のケイ素含有誘電体膜(18)、前記第3のケイ素含有誘電体膜(20)、および前記透明導電膜(22)が回転ターゲットからのスパッタリングによって堆積され得るように構成された複数の回転ターゲット(122、124、126、128、322、324、326、328)を含む、請求項8から12のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の堆積アセンブリ(102)が、少なくとも4つの中央周波数ケイ素含有カソードを含み、前記第2の堆積アセンブリ(104)が、ITOのスパッタリングのための少なくとも1つの直流カソードを含む、請求項8から13のいずれか一項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2011/065478 WO2013034181A1 (en) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014532204A JP2014532204A (ja) | 2014-12-04 |
JP6096195B2 true JP6096195B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=44674767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014528872A Expired - Fee Related JP6096195B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9856554B2 (ja) |
EP (1) | EP2753960B1 (ja) |
JP (1) | JP6096195B2 (ja) |
KR (2) | KR20140074922A (ja) |
CN (1) | CN103782201B (ja) |
WO (1) | WO2013034181A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013143615A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Transparent body for use in a touch panel and its manufacturing method and apparatus |
CN104380229B (zh) * | 2012-07-02 | 2016-12-21 | 夏普株式会社 | 触摸面板和带触摸面板的显示装置 |
CN103395247B (zh) * | 2013-07-30 | 2015-05-13 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 盖板玻璃及其制备方法 |
EP2863291A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-22 | Applied Materials, Inc. | Transparent body for a touch panel manufacturing method and system for manufacturing a transparent body for a touch screen panel |
JP2015132005A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社アルバック | 成膜方法、および、スパッタ装置 |
JP5958476B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2016-08-02 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
JP6137066B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2017-05-31 | 住友金属鉱山株式会社 | ガス放出パイプ及びこれを具備する成膜装置並びにこの装置を用いた酸化物膜又は窒化物膜の成膜方法 |
JP2016091455A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
JP6116632B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-04-19 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用シリコンターゲット材及びそのターゲット材に割れ防止層を形成する方法 |
KR102136549B1 (ko) * | 2016-04-06 | 2020-07-22 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 필름의 제조 방법 |
JP6852987B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2021-03-31 | 日東電工株式会社 | 多層膜の成膜方法 |
JP6869648B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2021-05-12 | 日東電工株式会社 | 多層膜の成膜方法 |
CN107357454A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-11-17 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种带有ito消影膜的触控屏的生产工艺 |
WO2022225731A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Applied Materials, Inc. | Material deposition apparatus, method of depositing material on a substrate, and material deposition system |
CN113277741A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-20 | 长兴旗滨节能玻璃有限公司 | 镀膜玻璃及制备方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2509215B2 (ja) | 1987-04-24 | 1996-06-19 | ホ−ヤ株式会社 | 反射防止能を有する透明導電性フイルム |
JP2936276B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1999-08-23 | 日本真空技術株式会社 | 透明導電膜の製造方法およびその製造装置 |
US5521765A (en) * | 1994-07-07 | 1996-05-28 | The Boc Group, Inc. | Electrically-conductive, contrast-selectable, contrast-improving filter |
JPH11242102A (ja) | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止膜とその製造方法 |
US6365010B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-04-02 | Scivac | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
JP2003215309A (ja) * | 2001-04-17 | 2003-07-30 | Sony Corp | 反射防止フィルム及び反射防止層付きプラスチック基板 |
US6532112B2 (en) * | 2001-04-18 | 2003-03-11 | Applied Vacuum Coating Technologies Co., Ltd. | Anti-reflection conducting coating |
JP2003136625A (ja) | 2001-08-24 | 2003-05-14 | Sony Corp | 表示体用フィルム、タッチパネル及びこれらの製造方法 |
US8307549B2 (en) * | 2001-11-20 | 2012-11-13 | Touchsensor Technologies, Llc | Method of making an electrical circuit |
US20030100235A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-05-29 | N.V. Bekaert S.A. | Articles having low reflectance conductive coatings with conductive component outermost |
JP2004152727A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Toyo Metallizing Co Ltd | 透明導電膜 |
JP2004285412A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学機能性フィルムの製造方法及び製造装置 |
JP2005028821A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Sony Corp | 透明導電性基材およびタッチパネル |
DE102004006131B4 (de) | 2004-02-07 | 2005-12-15 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Bandbeschichtungsanlage mit einer Vakuumkammer und einer Beschichtungswalze |
DE502004009821D1 (de) | 2004-04-13 | 2009-09-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Führungsanordnung mit mindestens einer Führungswalze für die Führung von Bändern in Bandbehandlungsanlagen |
CN1728332A (zh) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | 胜华科技股份有限公司 | 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法 |
US20060159844A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process and apparatus for producing magnetic recording medium |
JP2006289901A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止フィルムおよびディスプレイ装置 |
CN100380418C (zh) * | 2005-06-09 | 2008-04-09 | 胜华科技股份有限公司 | 触控面板的制法 |
US8092657B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-01-10 | Bekaert Advanced Coatings | Module for coating both sides of a substrate in a single pass |
US7857907B2 (en) * | 2007-01-25 | 2010-12-28 | Au Optronics Corporation | Methods of forming silicon nanocrystals by laser annealing |
TW200923536A (en) * | 2007-11-23 | 2009-06-01 | Acrosense Technology Co Ltd | High transmittance touch panel |
CN101458416A (zh) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 胜华科技股份有限公司 | 触控面板及其制作方法 |
CN101566903B (zh) * | 2008-04-25 | 2012-01-18 | 联享光电股份有限公司 | 透明导电膜及应用其的具耐写性高穿透度电阻式触控面板 |
JP5160329B2 (ja) | 2008-07-24 | 2013-03-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム及びタッチパネル |
JP5297125B2 (ja) | 2008-09-09 | 2013-09-25 | グンゼ株式会社 | 透明導電膜付ガスバリアフィルムとこれを用いたタッチパネル |
FR2939240B1 (fr) | 2008-12-03 | 2011-02-18 | Saint Gobain | Element en couches et dispositif photovoltaique comprenant un tel element |
JP5463678B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2014-04-09 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性フィルム |
KR101030803B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2011-04-27 | 서피스텍 주식회사 | 고투명 전도성 적층체 |
CN101593785B (zh) * | 2009-07-03 | 2011-04-06 | 友达光电股份有限公司 | 光学感测元件、其制作方法及光学式触控装置 |
JP5549216B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-07-16 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル |
WO2013143615A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Transparent body for use in a touch panel and its manufacturing method and apparatus |
EP2863291A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-22 | Applied Materials, Inc. | Transparent body for a touch panel manufacturing method and system for manufacturing a transparent body for a touch screen panel |
-
2011
- 2011-09-07 WO PCT/EP2011/065478 patent/WO2013034181A1/en active Application Filing
- 2011-09-07 KR KR1020147009089A patent/KR20140074922A/ko active Application Filing
- 2011-09-07 EP EP11760431.4A patent/EP2753960B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-07 JP JP2014528872A patent/JP6096195B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-07 US US14/343,125 patent/US9856554B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-07 CN CN201180073335.0A patent/CN103782201B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-07 KR KR1020177033535A patent/KR20170131709A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2753960A1 (en) | 2014-07-16 |
CN103782201B (zh) | 2016-10-19 |
JP2014532204A (ja) | 2014-12-04 |
EP2753960B1 (en) | 2016-12-07 |
US20140216924A1 (en) | 2014-08-07 |
US9856554B2 (en) | 2018-01-02 |
KR20170131709A (ko) | 2017-11-29 |
WO2013034181A1 (en) | 2013-03-14 |
KR20140074922A (ko) | 2014-06-18 |
CN103782201A (zh) | 2014-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6096195B2 (ja) | タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム | |
JP5978206B2 (ja) | タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム | |
TWI606373B (zh) | 用於觸控面板之透明體及製造用於觸控螢幕面板之透明體的方法與系統 | |
JP6377735B2 (ja) | タッチパネル用透明体の製作方法及びタッチスクリーンパネル用透明体を製作するシステム | |
TWI595387B (zh) | 用於觸控螢幕面板之透明體、製造用於觸控螢幕面板之透明體的製造方法及系統 | |
TWI661070B (zh) | 串聯式沉積控制設備、具有其之真空沉積設備、及串聯式沉積控制之方法 | |
US10752985B2 (en) | Laminate film and electrode substrate film, and method of manufacturing the same | |
WO2015046208A1 (ja) | 透明導電性フィルムの製造方法 | |
JP6097117B2 (ja) | 積層体およびフイルム | |
TW202314343A (zh) | 光學積層體、及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160229 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161027 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6096195 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |