JP5978206B2 - タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、タッチパネルで使用される透明体を製造するためのプロセスおよびシステム、ならびにこれらのプロセスに従って製作される透明体に関する。

タッチパネルは、表示区域内のタッチを検知し、位置を特定することができる特定の種類の電子視覚表示器である。一般に、タッチパネルは、スクリーンの上に配置されタッチを感知するように設定された透明体を含む。そのような透明体は実質的に透明であり、その結果、スクリーンによって放出された可視スペクトルの光は透明体を通って送出され得る。少なくともいくつかの既知のタッチパネルは、基板の上に順に形成されたバリアおよび透明導体によって構成された透明体を含む。そのようなパネルの表示区域にタッチすると、一般に、透明体のある領域内でキャパシタンスの測定可能な変化が生じる。キャパシタンスの変化は様々な技術を使用して測定することができ、その結果、タッチの位置を決定することができる。

タッチパネルで使用するための透明体はいくつかの特定の要件で制約される。特に、１つの重要な要件は、スクリーンに対する多数の接触および厳しい条件に耐えるのに十分なだけ透明体が安定であり、その結果、タッチスクリーンの信頼性がある期間にわたって損なわれないことである。しかし、タッチスクリーンに含まれる少なくともいくつかの既知の透明体は、例えば、透明体を形成する層の厚さ、組成、および構造に起因して透明体を通る光の適切な透過を強く妨げると考えられる。さらに、例えば、均一で欠陥のないバリアをもつ高品質のそのような安定した透明体を製作することは困難である。

したがって、透明体が可視スペクトルの光の適切な透過を損なうことなく基板の上に安定して形成されるように、タッチパネルで使用される高品質の透明体を形成するためのプロセスおよび装置が望ましい。

１つの態様では、タッチパネルで使用される透明体を製造するプロセスが提供される。このプロセスは、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜をもつ第１の透明層スタックを基板の上に堆積させるステップを含む。第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有し、第２の誘電体膜は高い屈折率を有する。このプロセスは、第１の透明層スタックおよび透明導電膜が基板の上にこの順序で配置されるように透明導電膜を堆積させるステップをさらに含む。第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、または透明導電膜のうちの少なくとも１つは回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。

別の態様では、タッチパネルで使用される透明体を製造するための堆積装置が提供される。この装置には、第１の透明層スタックを基板の上に堆積させるように構成された第１の堆積アセンブリであり、第１の透明層スタックは、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜を含み、第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有し、第２の誘電体膜は高い屈折率を有する、第１の堆積アセンブリと、透明導電膜を堆積させるように構成された第２の堆積アセンブリとが含まれる。第１の堆積アセンブリおよび第２の堆積アセンブリは、第１の透明層スタックおよび透明導電膜が基板の上にこの順序で配置されるように配列される。第１の堆積アセンブリまたは第２の堆積アセンブリの少なくとも一方は、回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。スパッタリングシステムは、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、または透明導電膜のうちの少なくとも１つを回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるように構成される。

さらなる別の態様によれば、本開示によるプロセスで製造される透明体が提供される。透明体には、基板の上の第１の透明層スタックであり、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜を含む、第１の透明層スタックと、透明導電膜とが含まれる。第１の透明層スタックおよび透明導電膜は基板の上にこの順序で配置される。第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有し、第２の誘電体膜は高い屈折率を有する。

驚くべきことに、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体と比較して追加の誘電体膜を有する本開示の実施形態に従って堆積され、屈折率の特有の組合せをもち、膜のうちの少なくとも１つが回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される誘電体膜の組合せは、光の適切な透過をもたらすだけでなく、ある期間にわたり安定した性能をもたらす高品質の透明体の製造を可能にする。

本発明のさらなる態様、利点、および特徴は、従属請求項、説明、および添付図面から明らかである。

実施形態は、さらに、開示するプロセスを実行するための装置であり、説明するプロセスステップを行うための装置部分を含む装置を対象とする。さらに、実施形態は、説明する装置が動作する方法、または説明する装置が製造される方法も対象とする。この方法は、装置の機能を実行するため、または装置の一部を製造するための方法ステップを含むことができる。方法ステップは、ハードウェア構成要素、ファームウェア、ソフトウェア、適正なソフトウェアでプログラムされたコンピュータによって、それらの任意の組合せによって、または他の方法で行うことができる。

当業者を対象とした、本発明の最良の形態を含む完全で実施可能な開示は、添付の図の参照を含めて明細書の残りの部分でより詳細に記載される。

本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される例示の透明体の概略図である。 本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための例示の堆積装置の概略図である。 本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための別の例示の堆積装置の概略図である。 タッチパネルで使用される既知の透明体の反射率を図示するグラフである。 本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される例示の透明体の反射率を図示するグラフである。 図４および５に示した反射率の直接比較によるグラフである。 図４の既知の透明体の構造をもつ透明体および図５の例示の透明体の構造をもつ透明体のｂ^＊値を図示するグラフである。 図５の例示の透明体の構造をもつ透明体のｂ^＊値を図示するグラフである。 本明細書の実施形態に従って製造された透明体の安定した性能を示す様々なグラフである。 好適なタッチパネルで使用される透明体を製造するための例示のプロセスを図示する流れ図である。

次に、様々な実施形態が詳細に説明され、それらの１つまたは複数の例が図で示される。各例は説明のために提供され、本発明の限定を意味するものではない。１つの実施形態の要素は、さらなる記述なしに、他の実施形態で有利に利用することができることが意図される。

本明細書で説明する実施形態は、タッチパネルで使用される透明体を製造するプロセスを含む。特に、本開示の実施形態は、タッチパネルのバリアとなるように構成された第１の透明スタックと、タッチパネルの透明導体となるように構成された透明導電膜とを含む透明体を含む。それによって、本明細書の実施形態による透明体は、タッチパネルに実装されたときタッチ感知を可能にする。

本明細書の実施形態によれば、第１の透明層スタック１２は、図１に示されるように、基板１４の上に堆積される。本明細書で使用される「基板」という用語は、インフレキシブル基板、例えば、ウエハまたはガラス板と、ウエブまたはフォイルなどのフレキシブル基板とを包含するものとする。本明細書で使用される「透明な」という用語は、比較的低い散乱で光を送出し、その結果、例えば、構造を通って送出される光を実質的に明瞭に見ることができるような構造の機能を特に含むものとする。フレキシブル基板の場合には、基板１４はその上に形成されたハードコート２４を有することが一般的である。

典型的な実施形態によれば、層スタックは、積み重ねて形成された（例えば、堆積によって）いくつかの膜によって構成される。特に、本明細書の実施形態は、複数の誘電体膜、すなわち、実質的に電気を伝導しない膜によって構成されてもよい第１の透明層スタックの堆積を含む。特に、図１に例示的に示されるように、第１の透明層スタック１２は第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、および第３の誘電体膜２０を含むことができる。それによって、第１の透明層スタックは、タッチパネルで使用されるバリアを構成することができる。典型的な実施形態によれば、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、および第３の誘電体膜２０は、この順序で積み重ねて堆積される。

本明細書で説明する実施形態によれば、第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有し、第２の誘電体膜は高い屈折率を有する。より具体的には、本明細書の実施形態によれば、第１の透明層スタックの材料は、第１および第３の誘電体膜が低い屈折率を有し、第２の誘電体膜が高い屈折率を有するように選ばれる。例えば、第１および第３の誘電体膜はＳｉＯ_２などの酸化ケイ素で構成することができ、第２の誘電体膜はＴｉＯ_２などの酸化チタンまたはＮｂ_２Ｏ_５などの酸化ニオブで構成することができる。

より具体的には、本明細書の実施形態によれば、第１および第３の誘電体膜は第２の誘電体膜よりも低い屈折率を有する。本明細書の実施形態に従って製造された透明体の第１の透明層スタックは、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体と比較して誘電体膜を追加することと、異なる屈折率をもつ膜を独特に組み合わせることとを考慮して、透明体を通る光の適切な透過を可能にするバリアを形成する。

本明細書で使用するとき、低い屈折率とは、特定の透明体がその特定用途にとって充分であるように光を送出できるようにするのに十分な低さの屈折率である。本明細書で使用するとき、高い屈折率とは、特定の透明体がその特定用途にとって充分であるように光を送出できるようにするのに十分な高さの屈折率である。いくつかの実施形態によれば、低い屈折率は１．５０未満の屈折率である。いくつかの実施形態によれば、高い屈折率は少なくとも１．８０の屈折率である。一般に、第１の透明層スタックの誘電体膜の屈折率は、光が本開示の実施形態による透明体を通して送出されるように選ばれる。例えば、第１および第３の誘電体膜は、１．５０よりも低い、またはより具体的には１．４７、またはさらにより具体的には１．４５の低い屈折率を有することができ、第２の誘電体膜は少なくとも１．８０、またはより具体的には２．１０、またはさらにより具体的には２．４０の屈折率を有することができる。本開示に列記された屈折率の値は、５１５ｎｍの波長の緑色光の屈折を指す。

本明細書で説明する実施形態によれば、透明体１０は、限定はしないが、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、特に、結晶性ＩＴＯまたは４００オーム／スクエアのシート抵抗をもつＩＴＯなどの透明導電膜２２を含む。典型的な実施形態によれば、図１に例示的に示されるように、堆積は、第１の透明層スタック１２および透明導電膜２２が基板１４の上にこの順序で配置されて透明体を形成するように行われる。すなわち、第１の透明層スタックを基板の上に形成し、導電膜をその上に形成することができる。

図１は、構造化した（例えば、パターニングによって）透明導電膜２２を示す。本明細書の実施形態は構造化してない（例えば、非パターン化または実質的に均一な膜の）透明導電膜２２をさらに含むことに留意されたい。典型的な実施形態では、透明層スタックの構造のおかげで、透明体を通る光の最適透過に導電膜が害を与えないことが可能になる。特に、本明細書の実施形態による透明層スタックは、導電膜、さらに、構造化された導電膜が以下でさらに説明するように反射色の中性（ｎｅｕｔｒａｌｉｔｙ）に影響を与えないことに役立つ。

典型的な実施形態によれば、堆積は１つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングで行われる。より具体的には、本明細書の実施形態によれば、上述した膜のうちの少なくとも１つは回転ターゲットのスパッタリングによって堆積され、その結果、安定した透明体の高品質での形成が可能になる。例えば、本明細書の実施形態によれば、より高い均一性を有し、欠陥および汚染粒子の密度の低い膜を堆積させることができる。それによって、光の適切な透過がもたらされるだけでなく、ある期間にわたって安定な性能がもたらされる高品質の透明体の製造が可能になる。その上、１つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングを含む製造プロセスは、さらに、他の堆積方法と比較してより高い製造速度と、より少数の汚染物質粒子の生成とを可能にすることができる。

いくつかの実施形態によれば、透明体１０の製造は透明導電膜２２のパターニングをさらに含む。それによって、投影型容量性タッチを実装するタッチパネルのための透明体の形成が可能になる。

しかし、パターン化透明導電膜２２は、さらに、タッチパネルで使用される透明体を通る光の適切な透過を損なうことがある。例えば、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体は、２つの層、すなわち、ＳｉＯ_２層（バリアを形成する）と、透明ＩＴＯ層（透明導体、すなわち、電気伝導性コーティングを形成する）とで被覆される。場合によっては、透明ＩＴＯ層はエッチングで部分的に除去される。それによって、光学的性質、特に反射率および透過率が未変更の堆積ＩＴＯ層をもつ透明体と比較して変更される。特に、ＳｉＯ_２／ＩＴＯ層の反射率／透過率はＳｉＯ_２層の反射率／透過率と異なる。結果として生じるコントラスト／色差（例えば、１９７６年に国際照明委員会（ＣＩＥ）によって定義されたようなｂ^＊値）が見えることがあり、ユーザーにとって悩ましいことがある。この影響が図４に例示される。

図４は、タッチパネルで使用される既知の透明体４１６の反射率を図示するグラフ４１８を示す。既知の透明体４１６は、ＰＥＴ基板４０４、ＰＥＴ基板４０４上に形成されたハードコート４０６、ハードコート４０６上に形成された酸化ケイ素膜４０８、および酸化ケイ素膜４０８上に形成されたパターン化ＩＴＯ膜４１０を含む。ＩＴＯ膜４１０は、１５ｎｍの典型的な厚さおよび４００オーム／スクエアのシート抵抗を有することができる。酸化ケイ素膜４０８は１５ｎｍの典型的な厚さを有することができる。図４には、酸化ケイ素膜４０８上の反射光４１２およびパターン化ＩＴＯ膜４１０上の反射光４１４がさらに図示される。グラフ４１８は、ハードコートされたＰＥＴ膜上の酸化ケイ素およびパターン化ＩＴＯの算出した反射率を図示する。特に、グラフ４１８は、酸化ケイ素の反射率４００（酸化ケイ素膜４０８の反射光４１２に対応する）と、酸化ケイ素およびＩＴＯの反射率４０２（パターン化ＩＴＯ膜４１０の反射光４１４に対応する）とを含む。

グラフ４１８から、６６０ｎｍから４００ｎｍまでパターン化ＩＴＯ膜４１０の反射光４１４の反射率の増加があり、この増加は、酸化ケイ素膜４０８の反射光４１２の実質的に中性の（すなわち、一定の）反射率と比較してわずかに「青い」反射を生成することを理解することができる。反射のこの増加は、ＩＴＯのパターン化領域にわずかな黄色の外観がもたらされるようなパターン化ＩＴＯ膜４１０の透過率の減少に対応する。この増加と対照的に、酸化ケイ素膜４０８の反射／透過色は実質的に中性である。すなわち、パターン化導電層は「見える」ようになる。しかし、パターン化ＩＴＯ膜４１０と酸化ケイ素膜４０８との間の反射率／透過率のこの差を最小化することが望ましいことになる。言い換えれば、透明体の安定性および品質を損なうことなく導電層が見えない透明体を設計することが望ましいことになる。

膜のうちの少なくとも１つが回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される本開示の実施形態に従って堆積された誘電体膜を組み合わせることによって、透明体の色中性はパターン化導電層を含む場合でさえ可能になる。すなわち、バリアに２つの追加の層を使用すると、一般に、透明導電膜が上部層である透明体の区域と誘電体膜が上部層である区域との間のコントラストを著しく減少させることが可能になる。言い換えれば、本明細書の実施形態に従って製造された透明体はコントラスト／色差を「見えなく」することが可能である。

図５は、本開示の実施形態による透明体５１６の酸化ケイ素の反射率５００を示すグラフ５１８を図示する。例示の透明体５１６は、ＰＥＴ基板５０４、ＰＥＴ基板５０４上に形成されたハードコート５０６、ハードコート５０６上に形成された酸化ケイ素（例えば、ＳｉＯ_２）膜５０８ａ、酸化ケイ素膜５０８ａ上に形成された酸化チタンまたは酸化ニオブ（例えば、ＴｉＯ_２またはＮｂ_２Ｏ_５）膜５０８ｂ、酸化チタン膜５０８ｂ上に形成された酸化ケイ素（例えば、ＳｉＯ_２）膜５０８ｃ、および酸化ケイ素膜５０８ｃ上に形成されたパターン化ＩＴＯ膜５１０（１５ｎｍの厚さを有する酸化ケイ素膜５０８ａ、１５ｎｍの厚さを有する酸化チタン膜５０８ｂ、４０ｎｍと６０ｎｍとの間の厚さを有する酸化ケイ素膜５０８ｃ、および１５ｎｍの厚さを有するパターン化ＩＴＯ膜５１０）を含む。

図５は、さらに、パターン化ＩＴＯ膜５１０の反射光５１４を図示する。すなわち、グラフ５１８は、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２−ＩＴＯ構造で構成することができ、ＩＴＯがパターニングされている層スタックと比較して、ハードコートされたＰＥＴ上のＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２で構成することができる層スタックの算出した反射率を図示する。特に、グラフ５１８は、酸化ケイ素の反射率５００（パターン化ＩＴＯ膜５１０なしの透明体５１６などの透明体の反射光に対応する）と、酸化ケイ素およびＩＴＯの反射率５０２（パターン化ＩＴＯ膜５１０の反射光５１４に対応する）とを含む。

グラフ５１８から、反射率曲線がほとんど同一であり、その結果、導電膜のエッチングされた部分とエッチングされなかった部分との間に目に見える差が実質的に存在しないことを理解することができる。すなわち、一体化した導電層、この場合、ＩＴＯをもつ透明体の反射率は、パターン化導電層（例えば、エッチングプロセスによって部分的に除去された）をもつ透明体の反射率とほとんど同一である。透過率（図示せず）は対応する挙動を示す。図４のＳｉＯ_２−ＩＴＯ構造などのタッチパネル用の少なくともいくつかの既知の透明体の反射率とは対照的に、透明体５１６の反射／透過色は実質的に中性（すなわち、０に近いｂ^＊値）である。驚くべきことに、グラフ５１８は、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体に対して、２つの追加の膜をもつ透明体の透過率のわずかな増加を示すことに留意されたい。

図６は、図４からの酸化ケイ素およびＩＴＯの反射率４０２と図５からの酸化ケイ素およびＩＴＯの反射率５０２とを直接比較するグラフ６１８を示す。この図から、「２層」システムと比較して、本明細書の実施形態による「４層」システムは、透明体の反射率を可視スペクトルの青色領域で増加させないのに役立つことをさらに理解することができる。すなわち、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、一般に、色中性の改善に役立つ。

いくつかの実施形態によれば、透明層スタックおよび透明導電膜は、製造した透明体のｂ^＊値が１．５未満、または特に１、またはより具体的には０．７、またはさらにより具体的には０．２となるように堆積される。特に、本明細書の実施形態によれば、第１の透明層スタックおよび透明導電膜によって単に形成され、実質的に透明な基板の上に載置された構造のｂ^＊値は、これらの値を採ることができる。

いくつかの実施形態によれば、第１の透明層スタックおよび透明導電膜に含まれる膜の厚さおよび／または屈折率は、製造した透明体のｂ^＊値が１．５未満、または特に１、またはより具体的には０．７、またはさらにより具体的には０．２となるように選ぶことができる。例示の透明体の膜の厚さの値は以下で説明される。透明導電膜の異なる厚さまたは組成では、特定のｂ^＊値を達成するのに透明体の他の膜の厚さを相対的に適応させることが必要であることがあることに特に留意されたい。

図７は、パターン化ＩＴＯ膜４１０およびパターン化ＩＴＯ膜５１０の異なる厚さの場合の図４の既知の透明体と同様の構造をもつ透明体のｂ^＊値７０４（グラフ７００）、および図５の例示の透明体と同様の構造をもつ透明体のｂ^＊値７０６（グラフ７０２）とを図示する２つのグラフ７００、７０２を示す。図７から、図４の既知の「２層」透明体４１６の色は約−４．５の算出したｂ^＊値（反射率）を有することを認識することができる。透明体４１６と対照的に、本明細書の実施形態に従って堆積された例示の透明体５１６はゼロに近いｂ^＊値を有する。

さらに、グラフ７００とグラフ７０２との間の比較によれば、本明細書の実施形態に従って堆積された透明体は、少なくともいくつかの既知の透明体の「２層」構造と比較して、導電膜（本例では、パターン化ＩＴＯ膜５１０）の厚さの変動に対するｂ^＊値の敏感さを著しく弱めるのに役立つことが示されている。したがって、本明細書の実施形態に従って堆積された透明体は、特に、導電層の厚さなどの製造パラメータのあり得る変動の観点から、ｂ^＊値などの透明体の光学的性質をより良く制御するのに役立つ。

図８は、図５の例示の透明体の構造をもつ透明体のｂ^＊値８０２を示すグラフ８００を図示する。グラフ８００から、例示の透明体５１６、すなわち、１５ｎｍのＩＴＯ層厚をもつ本明細書の実施形態に従って堆積され透明体は、その上の導電膜の有無にかかわらず実質的に中性の反射率を有することをさらに理解することができる。したがって、本明細書の実施形態のうちの少なくともいくつかに従って堆積された透明体は、製造した膜の安定性を損なうことなく実質的に中性の反射色をもつタッチパネルで使用される透明体の製造を可能にする。

本開示の実施形態は、光の適切な透過をもたらすだけでなく、図９で示すようにある期間にわたって安定性能をもたらす製造プロセスを提供する。特に、図９は、本明細書の実施形態に従って製造された透明体の安定性能を示す２つのグラフ９００、９０２を示す。

グラフ９００は、本明細書の実施形態に従って透明体の一部を形成するＩＴＯ膜の耐候試験の前の抵抗（Ｒ）と、ＩＴＯ膜の耐候試験の後の抵抗（Ｒ０）と間の比（Ｒ／Ｒ０）の変動を示す。グラフ９００から、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい気候条件の下でさえ、ある期間にわたり導電膜の安定した抵抗を可能にすることを理解することができる。グラフ９０２は、耐候試験の間の経時的なｂ^＊値の変動を示す。グラフ９０２から、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい気候条件の下でさえ、ある期間にわたり安定したｂ^＊値を可能にすることを理解することができる。

したがって、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい条件の下でさえ、タッチパネルの適切で安定した光学性能を可能にする。

図２は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための堆積装置１００の一例を概略的に図示する。例示の装置は、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、および第３の誘電体膜２０を含む第１の透明層スタック１２を基板１４の上に堆積させるように構成された第１の堆積アセンブリ１０２を含む。典型的な実施形態によれば、層スタック１２の各膜は個別の堆積チャンバ内で堆積される。特に、例示の堆積装置１００は、第１の誘電体膜１６を堆積させるように構成された第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６、第２の誘電体膜１８を堆積させるように構成された第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８、および第３の誘電体膜２０を堆積させるように構成された第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０を含む。例示の堆積装置１００は、透明導電膜２２を堆積させるように構成された第２の堆積アセンブリ１０４をさらに含む。特に、例示の堆積装置１００は、透明導電膜２２を堆積させるように構成された導電膜堆積チャンバ１１２を含む。

本明細書の実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２および第２の堆積アセンブリ１０４は、第１の透明層スタック１２および透明導電膜２２が基板１４の上にこの順序で配置されるように配列される。例示の実施形態では、基板１４は堆積経路に沿って堆積方向１４０にコンベヤシステム（図示せず）によってチャンバを通って搬送される。例示の実施形態では、第１の堆積アセンブリ１０２は、第２の堆積アセンブリ１０４に対して上流に配列され、その結果、透明導電膜２２は第１の透明スタック１２の上に堆積される。

典型的な実施形態によれば、堆積装置１００は、低い屈折率を有する第１および第３の誘電体膜と、高い屈折率を有する第２の誘電体膜とを堆積させるように構成される。例えば、第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６および第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０は酸化ケイ素を堆積させるように構成することができ、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８は、限定はしないが、酸化チタンまたは酸化ニオブなどの金属酸化物または金属窒化物を堆積させるように構成することができる。

典型的な実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２は第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、および第３の誘電体膜２０を基板の上にこの順序で堆積させるように構成される。例示の実施形態では、第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８、および第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０はこの順序で堆積経路に沿って配置され、その結果、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、および第３の誘電体膜２０が基板１４の上にこの順序で、特に、積み重ねて堆積される。

堆積チャンバは、堆積装置１００が本開示の実施形態に従って透明体を堆積させることができるようにする任意の好適な構造、構成、配列、および／または構成要素を含むことができる。例えば、限定はしないが、堆積チャンバは、コーティング源、電源、個別の圧力制御、堆積制御システム、および温度制御を含む好適な堆積システムを含むことができる。典型的な実施形態によれば、チャンバは個別のガス供給源を備える。チャンバは、典型的には、良好なガス分離を行うために互いに分離される。例えば、堆積チャンバは、特定のチャンバに直接供給されるガスに対する他のチャンバから特定のチャンバに広がるガスの比が少なくとも１から１００であるように互いに分離することができる。本明細書の実施形態による堆積装置１００は堆積チャンバの数に制限がない。例えば、限定はしないが、堆積装置１００は３個、６個、または１２個の堆積チャンバを含むことができる。

典型的な実施形態によれば、堆積装置１００の膜堆積チャンバのいずれもマグネトロンスパッタリングなどのスパッタリングによって堆積を行うように構成することができる。特に、第１の堆積アセンブリ１０２はマグネトロンスパッタリングによって第１の透明スタック１２を堆積させるように構成することができ、かつ／または第２の堆積アセンブリ１０４はマグネトロンスパッタリングによって堆積を行うように構成することができる。

本明細書で使用する「マグネトロンスパッタリング」は、磁石アセンブリ、すなわち、磁界を生成することができるユニットを使用して行われるスパッタリングを指す。典型的には、そのような磁石アセンブリは永久磁石で構成される。この永久磁石は、典型的には、回転ターゲット表面より下で発生した発生磁界内部に自由電子がトラップされるように回転ターゲット内部に配置されるか、または平面ターゲットに結合される。そのような磁石アセンブリは平面カソードに結合されるように配列することもできる。

マグネトロンスパッタリングは、限定はしないが、ＴｗｉｎＭａｇ（商標）カソードアセンブリなどのダブルマグネトロンカソードによって実現することもできる。典型的な実施形態によれば、堆積チャンバ内のカソードは交換可能とすることができる。それによって、装置のモジュール設計が行われ、それにより、特定の製造要求条件に対して装置を最適化することが可能になる。典型的な実施形態によれば、スパッタリング堆積用のチャンバ内のカソードの数は、堆積装置の最適生産性を最適化するように選ばれる。

いくつかの実施形態によれば、チャンバのうちの１つまたはいくつかはマグネトロンアセンブリなしでスパッタリングを行うように構成することができる。特に、チャンバのうちの１つまたはいくつかは、限定はしないが、化学気相堆積またはパルスレーザ堆積などの他の方法によって堆積を行うように構成することができる。

典型的な実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２または第２の堆積アセンブリ１０４の少なくとも一方は回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。これらの実施形態によれば、スパッタリングシステムは第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、第３の誘電体膜２０、または透明導電膜２２のうちの少なくとも１つを回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるように構成される。特定の実施形態によれば、第２の堆積アセンブリ１０４は、透明導電膜２２を回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステム１２７を含む。

いくつかの実施形態によれば、少なくとも第１の堆積アセンブリ１０２は、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、または第３の誘電体膜２０のうちの少なくとも１つを回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。いくつかの実施形態によれば、少なくとも第１の堆積アセンブリ１０２は、少なくとも第１の誘電体膜１６および第２の誘電体膜１８を回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。いくつかの実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２および第２の堆積アセンブリ１０４は、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、第３の誘電体膜２０、および透明導電膜２２を回転ターゲットのスパッタによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。

いくつかの実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２および第２の堆積アセンブリ１０４は複数のターゲットを含み、ターゲットのうちの１つ、いくつか、またはすべては回転可能であり、第１の誘電体膜１６、第２の誘電体膜１８、第３の誘電体膜２０、および透明導電膜２２がターゲットのスパッタリングによって堆積され得るように構成することができる。例示の実施形態では、堆積装置１００の堆積チャンバの各々はスパッタリングシステムを含む。特に、第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６はスパッタリングシステム１２０を備え、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８はスパッタリングシステム１２３を備え、第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０はスパッタリングシステム１２５を備え、導電膜堆積チャンバ１１２はスパッタリングシステム１２７を備える。

特に、いくつかの実施形態によれば、堆積装置１００の堆積システムの各々はそれぞれの膜の堆積のためにそれぞれの回転ターゲットに動作可能に結合される。例示の実施形態では、スパッタリングシステム１２０はターゲット１２２（例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２３はターゲット１２４（例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２５は回転ターゲット１２６（代替として、例えば、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２７はターゲット１２８（例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合される。典型的な実施形態によれば、回転ターゲットは、基板１４の上に膜を堆積させるように適切に配列された１つまたは複数の円筒状ターゲットによって形成される。

典型的な実施形態によれば、スパッタリングは直接スパッタリングによって行うことができる。直接スパッタリングは、堆積されるべき材料を反応した形態で含むターゲットをスパッタリングすることを含むプロセスを意味する。例えば、スパッタリングは、酸化ケイ素を基板の上に堆積させるために酸化ケイ素を含むターゲットをスパッタリングすることを含むことができる。直接スパッタリングは、反応性成分ガスをもはや必要としないので、堆積システムのあまり複雑でない構造を可能にする。代替として、スパッタリングは、限定はしないが、反応性スパッタリングなどの他のスパッタリング方法によって行うことができる。

いくつかの実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２は、第２の誘電体膜１８を誘電体材料の直接スパッタリングによって堆積させるように構成される。特定の実施形態によれば、第１の堆積アセンブリ１０２は回転ターゲット、例えば回転ターゲット１２４を含み、そのターゲットは酸化ニオブを含み、第１の堆積アセンブリ１０２は酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５などの）を含む回転ターゲットの直接スパッタリングによって第２の誘電体膜１８を堆積させるように構成される。第２の誘電体膜１８のそのような堆積は、本明細書の実施形態に従って透明体を製造する際に特に良好な結果をもたらすのに役立つ。例えば、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８は、スパッタ材料、この場合には酸化ニオブを堆積させるために不活性ガス雰囲気を用意することができる。

典型的な実施形態によれば、堆積装置１００は、第１の透明層スタック１２の一部を形成する膜のうちの少なくとも１つまたは透明導電膜２２の光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム１３８を含む。例えば、堆積装置１００は膜の堆積の間インライン光学分光光度測定を実行することができる。それによって、堆積プロセスのオンラインモニタリングが可能になる。

堆積装置１００は、第１の透明層スタック１２の少なくとも１つの一部を形成する膜のうちの少なくとも１つまたは透明導電膜の堆積を閉ループ制御するために測定システム１３８に動作可能に結合された制御システム１４２を含むことができる。それによって、各層の堆積は個別に制御することができ、その結果、膜厚、組成、または光学的性質を高精度で制御することができる。膜の性質の個別制御により、最適化された光透過率を有する安定した透明体の形成が可能になる。

典型的な実施形態によれば、堆積装置１００は、堆積経路の異なる区域、または前処理モジュールもしくは後処理モジュールなどの堆積装置１００の他のモジュールの温度を制御するための温度制御システム（図示せず）を含む。さらに、いくつかの実施形態によれば、そのような温度制御システムは堆積チャンバにおける基板１４の温度を個別に制御することができる。

図２の例示の実施形態は、堆積に先立って基板１４の前処理を行うために前処理チャンバ１３６をさらに含むことができる。例えば、前処理チャンバ１３６は、１ｋＷまたは３ｋＷの間の電力（基板速度に応じて）で基板１４のＤＣおよび／またはＭＦ前処理を行うように構成することができる。さらに、前処理チャンバ１３６は、アルゴンおよび／または酸素雰囲気で基板１４の前処理を行うように構成することができ、その結果、例えば、酸素リッチ前処理（ｏｘｙｇｅｎ ｒｉｃｈ ｐｒｅ−ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を行うことができる。

いくつかの実施形態によれば、堆積装置１００は、透明体１０のパターニングを行うためにパターニングチャンバ１１４を含むことができる。特に、パターニングチャンバ１１４は、透明導電膜２２を、例えば、透明導電膜２２をエッチングすることによってパターニングするためのスパッタリングシステム１３０を含むことができる。それによって、透明体１０は、投影型容量性タッチを実装するタッチパネルに好適となるように製作され得る。典型的な実施形態では、パターニングチャンバ１１４は、透明導電膜２２のパターニング（例えば、エッチング）によってＸ−Ｙ格子を形成し、その結果、電極の格子パターンが基板１４の上に形成されるように構成することができる。この場合、本明細書の実施形態による透明体１０は、パターン化導電層に起因する表示区域の上の反射率の変動の補正が前述のように透明体の安定性および品質を損なうことなく可能になるので特に有利である。

典型的な実施形態によれば、基板１４はハードコートされたＰＥＴフォイルなどのフレキシブル基板で構成され、堆積装置１００は、堆積に先立つ基板１４の巻き出し、および本明細書の実施形態による透明体の形成の後の基板１４の巻き取りのために巻出しローラ１３２および巻返しローラ１３４を含むことができる。堆積装置１００は、様々な処理チャンバを通して基板１４を移行させるためにローラシステム（図示せず）を含むことができる。特に、本明細書の実施形態による堆積装置は、プラスチックフィルム上のロールツーロール堆積のためのスパッタロールコーターとして構成され得る。

図面の以下の説明の中では、同じ参照番号は同様の構成要素を表す。一般に、個々の実施形態に関する差のみが説明される。図３は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための例示の堆積装置３００の概略図である。例示の堆積装置３００は、巻出しモジュール３０２、巻取りモジュール３０４、およびそれらの間に配置されたプロセスモジュール３０８を含むロールツーロールシステムとして構成される。プロセスモジュール３０８は、図２に関して説明したものに同様の第１の誘電体膜堆積チャンバ１０６、第２の誘電体膜堆積チャンバ１０８、第３の誘電体膜堆積チャンバ１１０、および導電膜堆積チャンバ１１２を含むが、処理ドラム３０６のまわりに放射状に配置される。

プロセスモジュール３０８は、基板１４を処理ドラム３０６に適切に送り込み、かつ処理済み基板１４’をプロセスモジュール３０８から巻取りモジュール３０４に送り込むのを可能にするために補助ローラ３１０、３１２をさらに含むことができる。堆積装置３００は、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓによって製造され、本開示の実施形態に従って透明体を製造するのに適合するＳｍａｒｆＷｅｂ（商標）とすることができる。本明細書の実施形態に従って適合させることができるロールツーロール堆積装置の例は、２００４年２月１８日に出願され、公開番号ＥＰ１５６１８３７Ａ１の下で公開された「Ｓｔｒｉｐ ｃｏａｔｉｎｇ ｉｎｓｔａｌｌａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ａ ｖａｃｕｕｍ ｃｈａｍｂｅｒ ａｎｄ ａ ｃｏａｔｉｎｇ ｃｙｌｉｎｄｅｒ」という名称の欧州特許出願ＥＰ２００４０００３５７４に記載されており、その出願は、本開示と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる。

いくつかの実施形態によれば、堆積装置３００は、基板１４または処理済み基板１４’に追加の処理を行うために追加の処理モジュールをさらに含む。さらに、本明細書の実施形態による透明体の生産性を拡大するために複数の堆積装置３００を直列に配置することができる。本明細書の実施形態に従って適合させることができる拡大可能な堆積システムの例は、２００４年４月１３日に出願され、公開番号ＥＰ１５８９１３０Ａ１の下で公開された「Ｇｕｉｄｅ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ ｇｕｉｄｅ ｒｏｌｌ ｆｏｒ ｇｕｉｄｉｎｇ ｗｅｂｓ ｉｎ ｗｅｂ ｔｒｅａｔｉｎｇ ａｐｐａｒａｔｕｓｅｓ」という名称の欧州特許出願ＥＰ２００４０００８６９９に記載されており、その出願は、本開示と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる。

図３の例示の実施形態では、スパッタリングシステム１２０は回転ターゲット３２２（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２３は回転ターゲット３２４（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２５は回転ターゲット３２６（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合され、スパッタリングシステム１２７は回転ターゲット３２８（代替として、平面カソードに適合することができる）に動作可能に結合される。

図１０は、例示の透明体１０などの透明体を製造するための例示のプロセス２００を図示する流れ図である。そのようなプロセスは、例えば、図２または図３の例示の装置のいずれでも行うことができる。

例示のプロセス２００は第１の透明層スタックを基板の上に堆積させるステップ２０２を含み、第１の透明層スタックは、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜を含み、第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有し、第２の誘電体膜は高い屈折率を有する。いくつかの実施形態によれば、堆積２０２は、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜が基板の上にこの順序で、最終的には積み重ねて配置されるように行われる。

いくつかの実施形態によれば、第１の誘電体膜および／または第３の誘電体膜は酸化ケイ素（特に、ＳｉＯ_２）を含むか、または構成される。代替として、第１の誘電体膜および／または第３の誘電体膜はフッ化マグネシウム（特に、ＭｇＦ_２）を含むか、または構成することができる。いくつかの実施形態によれば、第２の誘電体膜は金属酸化物膜を含むか、または構成される。代替として、第２の誘電体膜は金属窒化物膜を含むか、または構成することができる。特に、第２の誘電体膜は、酸化チタン（特に、ＴｉＯ_２）、酸化ニオブ（特に、Ｎｂ_２Ｏ_５）、窒化チタン（特に、Ｔｉ_３Ｎ_４）、窒化ニオブ（特に、Ｎｂ_３Ｎ_５）、または酸窒化チタン（特に、ＴｉＮ_ｘＯ_ｙ）もしくは酸窒化ニオブ（特に、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ）などの金属酸窒化物を含むか、または構成することができる。上述のように、典型的な実施形態によれば、第１および第３の誘電体膜は１．５未満の屈折率を有する誘電体材料を含み、かつ／または第２の誘電体膜は少なくとも１．８の屈折率を有する誘電体材料を含む。

例示のプロセス２００は、第１の透明層スタックおよび透明導電膜が基板の上にこの順序で配置されるように透明導電膜を堆積させるステップ２０４をさらに含む。

例示のプロセス２００において、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、または透明導電膜のうちの少なくとも１つは回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。特定の実施形態では、第２の誘電体膜および第３の誘電体膜は回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態では、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、および第３の誘電体膜のうちの少なくとも１つは回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態では、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、および透明導電膜は回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態によれば、少なくとも透明導電膜。それによって、透明体の製造の際に透明体の特定用途にとって特に良好な結果が達成され得る。

特定の実施形態によれば、第１の透明層スタックおよび透明導電膜はマグネトロンスパッタリングによって堆積される。いくつかの実施形態によれば、第２の誘電体膜は誘電体材料の直接スパッタリングによって堆積される。特に、第２の誘電体膜は酸化ニオブ（特に、Ｎｂ_２Ｏ_５）の直接スパッタリングによって堆積させることができる。それによって、透明体の製造に際に特に良好な結果が達成され得る。

例示のプロセス２００は、透明導電膜をパターニングするステップ２０６をさらに含むことができる。例えば、堆積した透明導電膜の一部はエッチングすることができる。いくつかの実施形態によれば、少なくとも透明導電膜は、透明体が投影型容量性タッチパネルに実装されるように構成されるようにパターニングされる。特定の実施形態では、透明導電膜は、透明体がタッチパネルの相互容量性センサ（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｅｎｓｏｒ）に実装されるように構成されるようにパターニングされる。

いくつかの実施形態によれば、例示のプロセス２００は、堆積に先立って基板のガス抜きを行うための基板の加熱処理を含む。例えば、基板は、基板速度に応じて６０℃と２００℃との間の温度で加熱することができる。いくつかの実施形態によれば、例示のプロセス２００は、１ｋＷまたは３ｋＷの間の電力（基板速度に応じて）で基板のＤＣおよび／または中間周波数（ＭＦ）前処理を行うステップを含むことができる。さらに、例示のプロセス２００は、例えば、酸素リッチ前処理などのアルゴンおよび／または酸素雰囲気で基板の前処理を行うステップを含むことができる。本明細書の実施形態によれば、中間周波数は、５ｋＨｚから１００ｋＨｚの範囲、例えば、３０ｋＨｚから５０ｋＨｚの範囲の周波数である。

例示の堆積装置または本明細書の実施形態による装置のスパッタコーティング源は、平面ターゲット（限定はしないが、セラミックＩＴＯおよびセラミックＮｂ_２Ｏ_５など）をもつＤＣカソード、平面ターゲット（限定はしないが、ＳｉＯ_２を堆積させるためのドープトシリコンターゲットなど）をもつＭＦカソード、円筒状ターゲット（限定はしないが、ＩＴＯまたはＮｂ_２Ｏ_５ターゲットなど）をもつＤＣカソード（限定はしないが、ＲＯＴカソードなど）、または円筒状ターゲット（特に、ＳｉＯ_２を堆積させるために溶射されたドープトシリコンターゲットなど）をもつＭＦカソード（限定はしないが、ＲＯＴカソードなど）とすることができる。典型的な実施形態によれば、透明体の膜は１つの連続運転で堆積される。特に、膜は個々の堆積チャンバにおいて様々なガス分圧（例えば、Ｏ_２分圧）で堆積させることができる。

典型的な実施形態によれば、第１の誘電体膜はドープトシリコンをもつ平面カソードを使用してスパッタリングされる。代替として、ドープトシリコンをもつ円筒状カソードを使用することができる。さらに、第１の誘電体膜はＭＦ電源を使用してスパッタリングすることができる。さらに、第１の誘電体膜は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とがある状態で反応性スパッタリングによってスパッタリングすることができる。さらに、第１の誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は２×１０^−３ｍｂａｒと８×１０^−３ｍｂａｒとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎと２０ｎｍ／ｍｉｎとの間とすることができ、または円筒状カソードが使用される場合２０ｎｍ／ｍｉｎと３０ｎｍ／ｍｉｎとの間とすることができる。

典型的な実施形態によれば、セラミックＮｂ_２Ｏ_５をもつ円筒状カソードを使用することができる。代替として、第２の誘電体膜はセラミックＮｂ_２Ｏ_５をもつ平面カソードを使用してスパッタリングすることができる。さらに、第１の層は連続的（ＤＣ）電源を使用してスパッタリングすることができる。さらに、第２の誘電体膜は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスがある状態で直接スパッタリングによってスパッタリングすることができる。さらに、第２の誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は２×１０^−３ｍｂａｒと８×１０^−３ｍｂａｒとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎと２０ｎｍ／ｍｉｎとの間（平面カソードが使用される場合）、または２０ｎｍ／ｍｉｎと３０ｎｍ／ｍｉｎとの間（円筒状カソードが使用される場合）とすることができる。

典型的な実施形態によれば、第３の誘電体膜はドープトシリコンをもつ円筒状カソードを使用してスパッタリングされる。代替として、ドープトシリコンをもつ平面カソードを使用することができる。さらに、第３の誘電体膜は中間周波数（ＭＦ）電源を使用してスパッタリングすることができる。さらに、第３の誘電体膜は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とがある状態で反応性スパッタリングによってスパッタリングすることができる。さらに、第３の誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は２×１０^−３ｍｂａｒと８×１０^−３ｍｂａｒとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は２０ｎｍ／ｍｉｎと４０ｎｍ／ｍｉｎとの間（平面カソードが使用される場合）、または３０ｎｍ／ｍｉｎと６０ｎｍ／ｍｉｎとの間（円筒状カソードが使用される場合）とすることができる。

典型的な実施形態によれば、透明導電膜は、ＩＴＯ、例えば、９０％酸化インジウムおよび１０％二酸化スズによる典型的な（Ｉｎ_２Ｏ_３／ＳｎＯ_２）をもつ円筒状カソードを使用してスパッタリングされる。代替として、ＩＴＯをもつ平面カソードを使用することができる。さらに、透明導電膜は連続的（ＤＣ）電源を使用してスパッタリングすることができる。さらに、透明導電膜は、例えば、アルゴンなどの不活性ガスおよび酸素、または特定の堆積チャンバに供給される唯一のガスとしてのアルゴンなどの不活性ガスがある状態で、直接または反応性スパッタリングによってスパッタリングすることができる。さらに、透明導電膜のための典型的なプロセス圧力は２×１０^−３ｍｂａｒと８×１０^−３ｍｂａｒとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は１０ｎｍ／ｍｉｎと２０ｎｍ／ｍｉｎとの間（平面カソードが使用される場合）、または２０ｎｍ／ｍｉｎと３０ｎｍ／ｍｉｎとの間（円筒状カソードが使用される場合）とすることができる。

上記で詳述したように、膜の各々を堆積させるためのカソードの数は、一般に、最適生産性に向けて最適化される。特に、カソードの数は、３個、６個、または１２個の区画をもつスパッタウエブ機械（ｓｐｕｔｔｅｒ ｗｅｂ ｍａｃｈｉｎｅ）用に最適化することができる。

本開示の実施形態は、本明細書の実施形態によるプロセスによって製造された透明体をさらに含む。透明体は基板の上の第１の透明層スタックを含むことができる。第１の透明層スタックは、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、第３の誘電体膜、および透明導電膜を含むことができる。第１の透明層スタックおよび透明導電膜は基板の上にこの順序で配置することができ、第１および第３の誘電体膜は低い屈折率を有することができ、第２の誘電体膜は高い屈折率を有することができる。特に、第１および第３の誘電体膜は第２の誘電体膜よりも低い屈折率を有することができる。

本開示の実施形態は、本明細書の実施形態による透明体を含むタッチパネルをさらに含む。本開示の実施形態は、本明細書の実施形態による透明体を含むタッチパネルをさらに含み、透明体はマルチタッチ検出機能を備えるように構成される。例えば、透明導電膜はＸ−Ｙグリッドとして構成することができる。特に、透明体は投影型容量性タッチ（ＰＣＴ）感知を実行するように構成することができる。さらに、透明体は相互容量性センサとして使用されるように構成することができる。

図４のグラフ４１８および図５のグラフ５１８の反射率を算出するのに、裏側反射があり、外側基板がなく、ビーム反転がないＰＥＴ基板（屈折率１．６０）、空気媒体（屈折率１．００）、および０度の光入射角が仮定されていたことに留意されたい。さらに、図７および８のｂ^＊値は、図に示されたように、２度および光源Ｄ６５による反射を表す。

本明細書は、最良の形態を含む本発明を開示し、当業者が本発明を実行および使用できるようにするために例を使用している。本発明が様々な特定の実施形態に関して説明されているが、当業者は特許請求の範囲の趣旨および範囲内で変形して本発明を実施することができることを認識するであろう。上述の実施形態の例および実施形態またはその変形形態の相互非排他的特徴は互いに組み合わせることができる。例えば、第１の堆積アセンブリおよび／または第２の堆積アセンブリはマグネトロンスパッタリングによって第１の透明スタックおよび／または透明導電膜を堆積させるように構成することができる。本明細書の実施形態に従って製造された透明体はガラス基板に適用可能とすることができることに留意されたい。さらに、いくつかの実施形態によれば、限定はしないが、ＩＴＯ膜などの、透明体の少なくとも透明導電膜は回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される。

本発明の特許の範囲は特許請求の範囲によって定義され、当業者が思いつく他の例を含むことができる。そのような他の例は特許請求の範囲内にあるものである。

前述は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (11)

1. タッチパネルで使用される透明体（１０）を製造するプロセスであって、
   第１の透明層スタック（１２）を基板（１４）の上に堆積させるステップであり、前記第１の透明層スタック（１２）が第１の誘電体膜（１６）、第２の誘電体膜（１８）、および第３の誘電体膜（２０）を含み、前記第１および前記第３の誘電体膜が１．５未満の屈折率を有し、前記第２の誘電体膜が少なくとも１．８の屈折率を有する、ステップと、
   前記第１の透明層スタック（１２）および透明導電膜（２２）が前記基板（１４）の上にこの順序で配置されるように前記透明導電膜（２２）を堆積させるステップであって、前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、前記第３の誘電体膜（２０）、または前記透明導電膜（２２）のうちの少なくとも１つが回転ターゲット（１２２、１２４、１２６、１２８、３２２、３２４、３２６、３２８）のスパッタリングによって堆積される、ステップと、
   前記透明導電膜（２２）をパターニングするステップとを含み、
   製造した前記透明体（１０）のｂ^＊値が１．５未満である、プロセス。
2. 前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、および前記第３の誘電体膜（２０）が前記基板の上にこの順序で配置される、請求項１に記載のプロセス。
3. 前記透明体（５１６）が：
   前記基板としてＰＥＴ基板（５０４）；
   前記ＰＥＴ基板（５０４）上に形成されたハードコート（５０６）；
   前記第１の誘電体膜として、前記ハードコート（５０６）上に形成された第１の酸化ケイ素膜（５０８ａ）；
   前記第２の誘電体膜として、前記第１の酸化ケイ素膜（５０８ａ）上に形成された酸化チタンまたは酸化ニオブ膜（５０８ｂ）；
   前記第３の誘電体膜として、前記酸化チタンまたは酸化ニオブ膜（５０８ｂ）上に形成された第２の酸化ケイ素膜（５０８ｃ）；および
   前記透明導電膜として、前記第２の酸化ケイ素膜（５０８ｃ）上に形成されたパターン化ＩＴＯ膜（５１０）を含む、請求項１または２に記載のプロセス。
4. 前記第１の誘電体膜または前記第３の誘電体膜の少なくとも一方が酸化ケイ素またはフッ化マグネシウムを含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプロセス。
5. 前記第２の誘電体膜が金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のプロセス。
6. 前記第２の誘電体膜が誘電体材料の直接スパッタリングによって堆積される、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のプロセス。
7. タッチパネルで使用される透明体（１０）を製造するための堆積装置（１００）であって、
   第１の透明層スタック（１２）を基板（１４）の上に堆積させるように構成された第１の堆積アセンブリ（１０２）であり、前記第１の透明層スタック（１２）が第１の誘電体膜（１６）、第２の誘電体膜（１８）、および第３の誘電体膜（２０）を含み、前記第１および前記第３の誘電体膜が１．５未満の屈折率を有し、前記第２の誘電体膜が少なくとも１．８の屈折率を有する、第１の堆積アセンブリ（１０２）と、
   透明導電膜（２２）を堆積させるように構成された第２の堆積アセンブリ（１０４）と
   を備え、
   前記第１の堆積アセンブリ（１０２）および前記第２の堆積アセンブリ（１０４）は、前記第１の透明層スタック（１２）および前記透明導電膜（２２）が前記基板（１４）の上にこの順序で配置されるように配列され、
   前記第１の堆積アセンブリ（１０２）または前記第２の堆積アセンブリの少なくとも一方が回転ターゲット（１２２、１２４、１２６、１２８、３２２、３２４、３２６、３２８）に動作可能に結合されたスパッタリングシステム（１２０、１２３、１２５、１２７）を含み、前記スパッタリングシステムが前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、前記第３の誘電体膜（２０）、または前記透明導電膜（２２）のうちの少なくとも１つを前記回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるように構成され、
   前記透明導電膜（２２）をパターニングするためのパターニングチャンバ（１１４）をさらに備え、
   前記透明体（１０）のｂ^＊値を１．５未満にするように構成される、装置であって、
   前記第１の透明層スタックの少なくとも１つの一部を形成する前記膜のうちの少なくとも１つまたは前記透明導電膜の光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム（１３８）と、
   前記第１の透明層スタックの少なくとも１つの一部を形成する前記膜のうちの少なくとも１つまたは前記透明導電膜の堆積を閉ループ制御するために前記測定システムに動作可能に結合された制御システムと、をさらに含む装置。
8. 前記第１の堆積アセンブリ（１０２）が、前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、および前記第３の誘電体膜（２０）を前記基板の上にこの順序で堆積させるように構成される、請求項７に記載の装置。
9. 前記第１の堆積アセンブリ（１０２）および前記第２の堆積アセンブリ（１０４）が前記第１の透明層スタック（１２）および前記透明導電膜（２２）をマグネトロンスパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項７または８に記載の装置。
10. 前記第１の堆積アセンブリ（１０２）が、前記第２の誘電体膜（１８）を誘電体材料の直接スパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項７ないし９のいずれか一項に記載の装置。
11. 前記第１の堆積アセンブリ（１０２）および前記第２の堆積アセンブリ（１０４）は、前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、前記第３の誘電体膜（２０）、および前記透明導電膜（２２）が前記回転ターゲットのスパッタリングによって堆積され得るように構成された複数の回転ターゲット（１２２、１２４、１２６、１２８、３２２、３２４、３２６、３２８）を含む、請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の装置。

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