KR20140084686A - 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 구비한 터치 패널 - Google Patents

투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 구비한 터치 패널 Download PDF

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KR20140084686A
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Abstract

본 발명은 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 터치패널에 사용되는 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치패널에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 유리 기판; 상기 유리 기판 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 2.2 ~ 2.7이고 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층; 상기 제 1 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층; 및 상기 제 2 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.8 ~ 2.0인 투명도전성 물질로 이루어지고 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재를 제공한다.

Description

투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 구비한 터치 패널{TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND TOUCH PANEL HAVING THE SAME}
본 발명은 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 터치패널에 사용되는 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치패널에 관한 것이다.
일반적으로 터치 패널이라 함은 CRT, LCD, PDP, EL(electroluminescence) 등과 같은 디스플레이 장치의 표면에 설치되어, 사용자가 디스플레이 장치를 보면서 손가락 또는 스타일러스(stylus) 등의 입력 장치로 터치 패널을 터치하면 신호를 출력할 수 있게 만든 장치로서, 최근 들어 개인 휴대 정보 단말기 (PDA: personal digital assistants), 노트북 컴퓨터, OA 기기, 의료기기 또는 카 네비게이션 시스템 등의 다양한 전자기기에 널리 이용되고 있다.
이러한 터치 패널을 구현하는 방식에는 위치 검출의 방법에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등이 있다.
저항막 방식은 투명 전극층(ITO막)이 코팅되어 있는 두 장의 기판을 도트 스페이서(Dot Spacer)를 사이에 두고 투명 전극층이 서로 마주보게 합착시키는 구조로 이루어진다. 손가락이나 펜 등에 의해 상부 기판을 접촉하였을때 위치 검출을 위한 신호가 인가되며, 하부 기판의 투명 전극층과 접촉되었을 때 전기적 신호를 검출하여 위치를 결정한다. 이 방식은 응답속도와 경제성이 높은 반면에 내구성이 저하되고 파손의 위험이 큰 단점이 있다.
정전용량 방식은 터치 화면 센서를 구성하는 기재 필름의 일면에 전도성 금속 물질을 코팅 처리하여 투명 전극을 형성하고 일정량의 전류를 유리표면에 흐르게 한다. 사용자가 화면을 터치하였을 때 인체 내 정전용량을 이용하여 전류의 양이 변경된 부분을 인식하고 크기를 계산하여 위치를 결정한다. 내구성과 투과율이 우수한 반면에 인체의 정전용량을 이용하므로 펜이나 장갑 등을 낀 손에 의해서는 동작이 어렵다는 단점이 있다.
초음파 방식은 압전 효과를 응용한 압전소자를 사용하여 터치 패널 접촉시에 발생되는 표면파를 X와 Y 방향으로 교대로 발생시켜 각각의 입력점까지 거리를 계산하여 위치를 결정한다. 해상도와 광 투과율이 높지만 센서의 오염과 액체에 취약하다는 단점이 있다.
적외선 방식은 발광소자와 수광소자를 패널 주위에 다수 배치하여 매트릭스 구조로 만든다. 사용자에 의해 광선을 차단하게 되면 그 차단된 부분에 대한 X,Y 좌표를 얻어 입력좌표를 판단하게 된다. 광 투과율이 높고 외부충격이나 긁힘에 대한 강한 내구성을 갖는 반면, 부피가 크고 부정확한 터치에 대한 식별성이 낮고 응답속도 또한 느린 단점이 있다.
이 중에서 최근에 가장 많이 사용되고 있는 것은 저항막 방식 또는 정전용량 방식으로, 이들 방식에는 터치 위치의 검출을 위해 기판 상에 산화인듐주석(ITO: Indium Tin Oxide)과 같은 투명 도전막이 코팅된 투명 도전성 기재가 사용되고 있다.
이와 같은, 투명 도전성 기재에는 투과율을 향상시키고 투명 도전막의 패터닝에 의한 패턴의 형태가 시각적으로 드러나지 않도록 하기 위해 기판과 투명 도전막 사이에 중굴절 박막층 및 저굴절 박막층으로 이루어진 인덱스 매칭 레이어(index matching layer)를 삽입하고 있다.
이와 같은 인덱스 매칭 레이어에 관한 기술은 대한민국 공개특허 제10-2011-0049553호(2011.05.12)에 기재되어 있다.
한편, 투명 도전막에 형성되는 패턴의 폭을 줄이기 위해서는 투명 도전막이 낮은 비저항을 가져야 한다. 그러나, 낮은 비저항을 갖기 위해서는 투명 도전막의 두께를 두껍게 해야 하는데, 이에 의하는 경우 투과율이 저하된다는 문제가 발생한다. 또한, 인덱스 매칭 레이어 상에 두꺼운 투명 도전막을 형성하는 경우 투명 도전성 기재의 전체적인 두께가 두꺼워지고 이에 의해 터치 패널의 두께도 두꺼워진다는 단점을 갖는다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 광학특성 및 전기적 특성이 최적화된 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치 패널을 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은 유리 기판; 상기 유리 기판 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 2.2 ~ 2.7이고 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층; 상기 제 1 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층; 및 상기 제 2 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.8 ~ 2.0인 투명도전성 물질로 이루어지고 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재를 제공한다.
여기서, 상기 제 1 박막층은 Nb2O5 로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 2 박막층은 SiO2 로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 투명도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 투명도전막은 상기 투명도전성 물질이 제거된 패턴부와 상기 투명도전성 물질이 제거되지 않은 비패턴부로 이루어질 수 있다.
그리고, 400 ~ 700㎚ 파장에서 상기 패턴부와 상기 비패턴부의 평균 반사율 차이가 1% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 유리 기판은 플렉서블(flexible) 유리로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 투명도전막의 면저항은 50Ω/□ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 플렉서블 유리 기판 상에 Nb2O5 로 이루어지되, 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층을 형성하는 단계; 상기 제 1 박막층 상에 SiO2 로 이루어지되, 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 박막층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지되, 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 박막층, 제 2 박막층, 및 투명도전막은 롤투롤 스퍼터링 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 투명도전막을 형성하는 단계 후, 상기 투명도전막을 어닐링하여 결정화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 투명도전막을 형성하는 단계 후, 결정화하는 단계 전, 상기 투명도전막을 상기 투명도전막이 제거된 패턴부와 상기 투명도전막이 제거되지 않은 비패턴부로 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 투명 도전성 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다.
본 발명에 따르면, 투명 도전성 기재가 550㎚에서의 투과율이 87.5% 이상이고, 400 ~ 700㎚에서의 평균 투과율이 87% 이상이며, CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 1 이하인 값을 같고, 투명 도전막을 패터닝하는 경우 400 ~ 700㎚의 파장에 대해 패턴부와 비패턴부에서의 평균 반사율 차이가 1% 이하인 값을 갖는다.
또한, 본 발명에 따르면, 롤투롤 스퍼터링 설비에 의해 제 1 박막층, 제 2 박막층, 투명도전막을 플렉서블 유리 기판 상에 연속적으로 형성함으로써, 투명 도전성 기재의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 개략적인 단면도.
도 2 내지 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 투과율 및 반사율 스펙트럼을 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재 제조방법의 개략적인 흐름도.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 투명 도전성 기재, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 터치 패널에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재는 유리 기판(100), 제 1 박막층(200), 제 2 박막층(300), 및 투명도전막(400)을 포함하여 이루어질 수 있다.
유리 기판(100)은 베이스 기판으로, 바람직하게는 터치 패널의 커버기판으로 사용된다.
일반적으로, 유리 기판(100)은 1mm 이하의 두께를 사용하며, 투과율이 높은 소다 석회(soda-lime) 또는 무알칼리 계통인 알루미노실리케이트(Aluminoslicate) 재질로 이루어진다. 글라스는 플라스틱 소재가 가지는 투과도, 장기 내구성, 터치감 등의 문제점을 해결해 주는 물성을 가지지만, 충격에 약한 단점이 있다. 터치 패널은 각종 기기의 디스플레이부에 부착되는데, 특히 크기가 작고 얇은 휴대폰 등에 부착될 때에는 외부 충격에 대한 내구성이 보장될 수 있는 강도를 가져야 한다. 이에 소다 석회 계통의 글라스에서 나트륨(Na) 성분을 칼륨(K)으로 치환하는 화학 처리를 통해서 강도를 높인 화학강화 글라스를 사용하는 것이 바람직하다. 바람직하게 유리 기판은 플렉서블(flexible) 유리로 이루어질 수 있다.
제 1 박막층(200)은 유리 기판(100) 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 2.2 ~ 2.7이고 7.6 ~ 9.4㎚의 두께를 가진다.
바람직하게, 제 1 박막층(200)은 Nb2O5 로 이루어질 수 있으며, 8.5㎚의 두께를 가질 것이다.
제 2 박막층(300)은 제 1 박막층(200) 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 37 ~ 46.2㎚의 두께를 가진다.
바람직하게, 제 2 박막층(300)은 SiO2 로 이루어질 수 있으며, 40㎚의 두께를 가질 것이다.
제 1 박막층(200) 및 제 2 박막층(300)은 인덱스 매칭 레이어를 형성하여 후술할 투명도전막(400)이 식각되어 형성되는 패턴이 시각적으로 드러나는 것을 방지할 수 있다.
투명도전막(400)은 제 2 박막층(300) 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.8 ~ 2.0인 투명도전성 물질로 이루어지고 24 ~ 38.5㎚의 두께를 가진다.
투명도전막(400)의 면저항은 50Ω/□ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 투명도전막(400)은 높은 전도율과 투과성을 갖는 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 이 경우 투명도전막(400)의 두께는 35㎚인 것이 바람직하다.
투명도전막(400)은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재가 터치 패널에 사용될 경우, 터치 위치 검출을 위한 전극 역할을 수행하며, 이를 위해 투명도전성 물질이 제거된 패턴부와 투명도전성 물질이 제거되지 않은 비패턴부로 패터닝될 수 있다.
이 경우, 400 ~ 700㎚에서 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율 차이가 1% 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 유리 기판(100)상에 Nb2O5 로 이루어지고 7.6 ~ 9.4㎚의 두께를 갖는 제 1 박막층(200), SiO2 로 이루어지고 37 ~ 46.2㎚의 두께를 갖는 제 2 박막층(300), 및 ITO로 이루어지고 24 ~ 38.5㎚의 두께를 갖는 투명도전막(400)이 차례로 적층된 투명 도전성 기재는 550㎚에서의 투과율이 87.5% 이상이고, 400 ~ 700㎚에서의 평균 투과율이 87% 이상이며, CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 1 이하인 값을 갖는다. 또한, 투명 도전막을 패터닝하는 경우 400 ~ 700㎚의 파장에 대해 패턴부와 비패턴부에서의 평균 반사율 차이가 1% 이하를 갖는다.
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의거하여 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 한정하지는 않는다.
실시예 1
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 유리 기판(100)상에 Nb2O5 로 이루어지고 8.5㎚의 두께를 갖는 제 1 박막층(200), SiO2 로 이루어지고 40㎚의 두께를 갖는 제 2 박막층(300), 및 ITO로 이루어지고 35㎚의 두께를 갖는 투명도전막(400)이 차례로 적층된 투명 도전성 기재의 투과율 및 반사율 스펙트럼을 나타낸 그래프이다. 도 2에서 IML-R은 투명도전막(400)이 제거된 패턴부의 반사율을 나타내고, ITO-R은 투명도전막(400)이 제거되지 않은 비패턴부의 반사율을 나타내며, ITO-T는 투명도전막(400)이 제거되지 않은 비패턴부의 투과율을 나타낸다.
도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재는 550㎚에서의 투과율이 88.01% 이상이고, 400 ~ 700㎚에서의 평균 투과율이 87.85% 이상이며, 400 ~ 700㎚의 파장에 대해 패턴부와 비패턴부에서의 평균 반사율 차이가 0.6% 이하인 값을 가질 수 있음을 확인할 수 있다. 또한, 이와 같은 투명 도전성 기재는 CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 0.65 이하인 값을 갖는다
실시예 2
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재에서 ITO의 두께 변화에 따른 광학 특성을 알아보기 위해 실시예 2와 같은 실험을 진행하였다
[표 1]은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 적층 구조를 나타낸 표이고, [표 2]는 이와 같은 투명 도전성 기재의 광학 특성을 나타낸 값이다.
또한, 도 3(a) 및 도 3(b)는 샘플 1과 2에 따른 투명 도전성 기재의 반사율 및 투과율 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
샘플 1 샘플 2
ITO 24.0㎚ 38.5㎚
SiO2 40㎚ 40㎚
Nb2O5 8.5㎚ 8.5㎚
Glass - -
샘플 1 샘플 2
400 ~ 700㎚ 파장에서 패턴부와
비패턴부의 평균 반사율 차		 0.99 0.46
550㎚에서의 투과율 88.47 87.82
b*(D65)의 투과율 -0.0576 0.9977
400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율 88.68 87.50
[표 1], [표 2], 및 도 3(a), (b)를 참조하면, ITO의 두께가 두꺼울수록 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율 차는 작아지는 반면, 400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율은 감소한다. 또한, CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 커짐을 알 수 있다.
실시예 3
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재에서 Nb2O5의 두께 변화에 따른 광학 특성을 알아보기 위해 실시예 3과 같은 실험을 진행하였다
[표 3]은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 적층 구조를 나타낸 표이고, [표 4]는 이와 같은 투명 도전성 기재의 광학 특성을 나타낸 값이다.
또한, 도 4(a) 및 도 4(b)는 샘플 3과 4에 따른 투명 도전성 기재의 반사율 및 투과율 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
샘플 3 샘플 4
ITO 35.0㎚ 35.0㎚
SiO2 40㎚ 40㎚
Nb2O5 7.6㎚ 9.4㎚
Glass - -
샘플 3 샘플 4
400 ~ 700㎚ 파장에서 패턴부와
비패턴부의 평균 반사율 차		 0.71 0.98
550㎚에서의 투과율 87.88 88.14
b*(D65)의 투과율 0.9972 0.3257
400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율 87.64 88.06
[표 3], [표 4], 및 도 4(a), (b)를 참조하면, Nb2O5의 두께가 두꺼울수록 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율 차가 커지는 반면, 400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율은 증가한다. 또한, CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 작아짐을 알 수 있다.
실시예 4
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재에서 SiO2의 두께 변화에 따른 광학 특성을 알아보기 위해 실시예 4와 같은 실험을 진행하였다
[표 5]은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 적층 구조를 나타낸 표이고, [표 6]는 이와 같은 투명 도전성 기재의 광학 특성을 나타낸 값이다.
또한, 도 5(a) 및 도 5(b)는 샘플 5과 6에 따른 투명 도전성 기재의 반사율 및 투과율 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
샘플 5 샘플 6
ITO 35.0㎚ 35.0㎚
SiO2 37.5㎚ 46.2㎚
Nb2O5 8.5㎚ 8.5㎚
Glass - -
샘플 5 샘플 6
400 ~ 700㎚ 파장에서 패턴부와
비패턴부의 평균 반사율 차		 0.80 0.46
550㎚에서의 투과율 87.51 88.95
b*(D65)의 투과율 0.6067 0.9982
400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율 87.47 88.46
[표 5], [표 6], 및 도 5(a), (b)를 참조하면, SiO2의 두께가 두꺼울수록 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율 차는 작아지고, 400 ~ 700㎚ 파장에서의 평균 투과율은 증가한다. 또한, CIE Lab 값에서 b*(D65)의 투과율이 커짐을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재 제조방법의 개략적인 흐름도이다.
본 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재 제조방법은 플렉서블 유리 기판 상에 Nb2O5 로 이루어지되, 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층을 형성하는 단계(S100), 제 1 박막층 상에 SiO2 로 이루어지되, 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층을 형성하는 단계(S200), 제 2 박막층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지되, 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 형성하는 단계(S300)를 포함하여 이루어지되, 제 1 박막층, 제 2 박막층, 및 투명도전막은 롤투롤 스터터일 증착법에 의해 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재는 언와인더 롤(unwinder roll), 와인더 롤(winder roll), 복수 개의 가이드 롤, 스퍼터링부를 포함하는 롤투롤 스퍼터링 설비에 의해 이루어질 수 있다.
언와인더 롤 및 와이더 롤은 상호 간의 회전운동에 의해 플렉서블 유리 기판을 풀거나(unwinding), 감는다(winding). 복수 개의 가이드 롤은 일정 간격으로 배열되어 고분자 박막 필름이 롤링(rolling)될 때 장력 제어를 원할 하게 한다. 스퍼터링부에서는 스퍼터링 증착법에 의해 플렉서블 유리 기판에 투명도전막을 형성하는 공정이 진행되며, 제 1 박막층, 제 2 박막층, 및 투명도전막을 형성하는 물질로 이루어진 각각의 타겟과 각 타겟의 구성 원자를 방출시키기 위한 전원인 캐소드를 포함하는 스퍼터로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라 투명 도전성 기재를 제조하기 위해, 상술한 롤투롤 설비를 이용하여 우선 플렉서블 유리 기판의 일면에 스퍼터링 증착법에 의해 Nb2O5 로 이루어지되 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층을 형성한다(S100). 이후, 제 1 박막층 상에 SiO2 로 이루어지되, 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층을 형성한다(S200). 마지막으로 제 2 박막층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지되, 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 형성한다(S300).
제 1 박막층 형성 단계(S100)와 제 2 박막층 형성 단계(S200)는 투명도전막 형성 단계(S300)보다 저온에서 이루어질 수 있다. 바람직하게, 제 1 박막층 형성 단계(S100)와 제 2 박막층 형성 단계(S200)는 150℃ 이하의 온도에서 스퍼터링 증착되며, 투명도전막 형성 단계(S300)는 250℃ 이상의 온도에서 스퍼터링 증착될 것이다.
이와 같이, 롤투롤 스퍼터링 설비에 의해 제 1 박막층, 제 2 박막층, 투명도전막을 플렉서블 유리 기판 상에 연속적으로 형성함으로써, 투명 도전성 기재의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 스퍼터링 증착법을 이용함으로써 부착력이 강한 박막을 용이하게 얻을 수 있고, 막 두께도 용이하게 제어할 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 제조방법은 투명도전막을 형성하는 단계(S300) 후, 투명 도전막을 어닐링하여 결정화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 투명도전막의 결정화 단계에 의해 투명도전막의 투과도 및 내구성을 향상시킬 수 있다. 결정화 단계는 250 ~ 350℃의 온도에서 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 기재의 제조방법은 투명도전막을 형성하는 단계(S300) 후, 결정화하는 단계 전에 투명도전막을 투명도전막이 제거된 패턴부와 투명도전막이 제거되지 않은 비패턴부로 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 패터닝 공정은 코팅이 완료된 투명도전막 위에 드라이필름포토레지스트를 라미네이션한 다음 일정한 패턴이 연속적으로 교차된 패턴필름을 올려 놓은 후, 자외선을 조사하여 드라이필름포토레지스트 영역을 현상하고 산성 또는 알칼리성 에칭 용액을 이용하여 자외선이 조사된 드라이필름포토레지스트 영역만을 박리시킴으로써 이루어질 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 유리 기판 200: 제 1 박막층
300: 제 2 박막층 400: 투명도전막

Claims (12)

  1. 유리 기판;
    상기 유리 기판 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 2.2 ~ 2.7이고 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층;
    상기 제 1 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층; 및
    상기 제 2 박막층 상에 형성되며, 550㎚ 파장에서의 굴절률이 1.8 ~ 2.0인 투명도전성 물질로 이루어지고 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 박막층은 Nb2O5 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제 2 박막층은 SiO2 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막은 상기 투명도전성 물질이 제거된 패턴부와 상기 투명도전성 물질이 제거되지 않은 비패턴부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  6. 제5항에 있어서,
    400 ~ 700㎚ 파장에서 상기 패턴부와 상기 비패턴부의 평균 반사율 차이가 1% 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유리 기판은 플렉서블(flexible) 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막의 면저항은 50Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재.
  9. 플렉서블 유리 기판 상에 Nb2O5 로 이루어지되, 두께가 7.6 ~ 9.4㎚인 제 1 박막층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 박막층 상에 SiO2 로 이루어지되, 두께가 37 ~ 46.2㎚인 제 2 박막층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 박막층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지되, 두께가 24 ~ 38.5㎚인 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 박막층, 제 2 박막층, 및 투명도전막은 롤투롤 스퍼터링 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 투명도전막을 형성하는 단계 후, 상기 투명도전막을 어닐링하여 결정화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 투명도전막을 형성하는 단계 후, 결정화하는 단계 전, 상기 투명도전막을 상기 투명도전막이 제거된 패턴부와 상기 투명도전막이 제거되지 않은 비패턴부로 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 기재 제조방법.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 투명 도전성 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널.
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