KR101049182B1 - 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 기재층 위에 코팅되는 무기물 언더코팅층들의 굴절율과 두께를 최적화하여 가시광선의 모든 파장 대역에서 패턴부와 비패턴부의 반사율의 차이를 최소화함으로써, 패턴 형상이 시각적으로 드러나 터치 패널의 외관이 손상되는 것을 방지해 주는 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법을 제공하는데 주된 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술구성은, 투명 기재층(10), 상기 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30) 및 상기 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층(40)을 포함하고; 상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만인 것을 특징으로 한다.
투명 도전성 기재, 중굴절 언더코팅층, 저굴절 언더코팅층, 투명 도전체층

Description

터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBTRATE FOR TOUCH PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 도전성 기재의 패턴부와 비패턴부의 반사율 차이를 최소화하여 시각적인 외관 성능을 크게 향상시킨 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 그에 따른 보조 장치들도 함께 개발되고 있다. 이 중 키보드와 마우스는 외부 데이터를 컴퓨터로 입력하는 데 사용되는 장치로서, 키보드는 키들을 타이핑하여 데이터를 입력하는 것이고 마우스는 화면상에서 커서 또는 다른 물체를 이동시킬 때 사용하는 입력 장치이다. 그런데, 보다 효과적이고 간편한 방법은 사용자가 컴퓨터에 연결된 모니터의 스크린을 터치함에 따라 데이터를 컴퓨터로 입력하여 명령을 내리는 것이다.
예컨대, 컴퓨터를 이용하여 그래픽을 처리할 때, 키보드나 마우스를 사용하여 작업하는 것에 비해 사용자가 직접 펜을 사용하여 종이에 그래픽을 그리는 것이 훨씬 용이하기 때문에 사람들이 컴퓨터를 이용하여 그래픽을 처리하는데 있어서 많 은 불편을 겪고 있다. 그러나 터치 펜을 사용하여 터치 패널의 화면에서 직접 그래픽을 처리하게 되면 마치 종이에 직접 그림을 그리는 것과 같은 원리이기 때문에 그래픽 작업을 매우 쉽고 정교하게 처리할 수 있다. 이에 따라, 최근에는 터치 패널이 구비된 휴대용 장치들이 많이 보급되고 있는 실정이다.
이러한 터치 패널을 구현하는 방식에는 위치 검출의 방법에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등이 있다.
저항막 방식은 투명 전극층(ITO막)이 코팅되어 있는 두 장의 기판을 도트 스페이서(Dot Spacer)를 사이에 두고 투명 전극층이 서로 마주보게 합착시키는 구조로 이루어진다. 손가락이나 펜 등에 의해 상부 기판을 접촉하였을 때 위치 검출을 위한 신호가 인가되며, 하부 기판의 투명 전극층과 접촉되었을 때 전기적 신호를 검출하여 위치를 결정한다. 이 방식은 응답속도와 경제성이 높은 반면에 내구성이 저하되고 파손의 위험이 큰 단점이 있다.
정전용량 방식은 터치 화면 센서를 구성하는 기재 필름의 일면에 전도성 금속 물질을 코팅 처리하여 투명 전극을 형성하고 일정량의 전류를 유리표면에 흐르게 한다. 사용자가 화면을 터치하였을 때 인체 내 정전용량을 이용하여 전류의 양이 변경된 부분을 인식하고 크기를 계산하여 위치를 결정한다. 내구성과 투과율이 우수한 반면에 인체의 정전용량을 이용하므로 펜이나 장갑 등을 낀 손에 의해서는 동작이 어렵다는 단점이 있다.
초음파 방식은 압전 효과를 응용한 압전소자를 사용하여 터치 패널 접촉시에 발생되는 표면파를 X와 Y 방향으로 교대로 발생시켜 각각의 입력점까지 거리를 계 산하여 위치를 결정한다. 해상도와 광 투과율이 높지만 센서의 오염과 액체에 취약하다는 단점이 있다.
적외선 방식은 발광소자와 수광소자를 패널 주위에 다수 배치하여 매트릭스 구조로 만든다. 사용자에 의해 광선을 차단하게 되면 그 차단된 부분에 대한 X,Y 좌표를 얻어 입력좌표를 판단하게 된다. 광 투과율이 높고 외부충격이나 긁힘에 대한 강한 내구성을 갖는 반면, 부피가 크고 부정확한 터치에 대한 식별성이 낮고 응답속도 또한 느린 단점이 있다.
이 중에서 최근에 가장 많이 사용되고 있는 것이 저항막 방식과 정전용량 방식이다. 이들 방식에는 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)과 같은 투명 도전성 박막이 코팅된 유리 또는 고분자 필름 기재가 재료로 사용된다. 이 때, ITO 박막과 기판 사이에서 가시광선의 반사율이 높기 때문에 디스플레이 소자로서의 인식성이 저하된다. 따라서, ITO 박막과 기판 사이에서의 가시광선의 투과율을 높이기 위하여 AR(Anti-Reflection) 코팅 기능을 부가한다. 공지된 AR 코팅은 유리 또는 고분자 필름으로 된 투명 기재 위에 고굴절을 가진 무기물층과 저굴절을 갖는 무기물 층을 번갈아 코팅하는 방법이다. 저굴절 언더코팅층은 굴절율 1.45 전후의 SiOx, MgF2 등이 많이 사용되고, 고굴절 언더코팅층은 굴절율 2.3 전후의 TiO2, Nb2O5 등의 물질이 많이 사용된다.
따라서, 투명 기재층, AR 코팅을 위한 무기물 언더코팅층, 투명 도전체층 등에 의해 발현되는 기재의 물성이 터치 패널의 최종 품질에 큰 영향을 미치게 되는 데, 현재까지 개발된 투명 도전성 기재가 가지는 한 가지 문제점은 투명 도전체층의 패턴부가 시각적으로 드러나 외관이 손상된다는 것이다.
터치 패널용 투명 도전성 기재는 터치된 위치의 식별성을 높이기 위하여 투명 도전체층을 패턴화하는 경우가 있다. 투명 도전체층을 패턴화한다는 것은 투명 도전체층의 일부를 규칙적으로 제거함으로써, 투명 도전체층이 제거된 부분과 제거되지 않은 부분이 일정한 모양으로 반복되는 연속 패턴을 형성하는 것이다. 그리고, 터치를 인식할 때 터치된 지점이 속하는 한 개의 패턴 구역 전체를 인식함으로써 식별성을 향상시킬 수 있다.
그러나, 투명 도전체층을 패턴화함에 있어서 패턴부와 비패턴부의 평균 반사율의 차이가 증가하게 되면 패턴의 형태가 시각적으로 드러나게 되어 디스플레이 소자로서의 외관이 악화된다. 특히, 정전용량 방식의 터치 패널에 있어서는 투명 도전체층이 입사 표면층으로 사용되기 때문에 투명 도전체층을 패턴화하였을 경우에 그 외관이 양호할 것이 요구된다. 따라서, 터치 패널용 투명 도전성 기재의 패턴화에 따른 외관 저하의 문제점을 해결하기 위한 다양한 연구 개발이 이루어지고 있다.
본 발명은 앞서 설명한 투명 도전성 기재의 패턴화에 따른 외관 손상의 문제점을 해결하기 위하여 개발된 것으로서, 투명 기재층 위에 코팅되는 무기물 언더코팅층들의 굴절율과 두께를 최적화하여 가시광선의 모든 파장 대역에서 패턴부와 비패턴부의 반사율의 차이를 최소화함으로써, 패턴부가 시각적으로 드러나 터치 패널의 외관이 손상되는 것을 방지해 주는 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법을 제공하는데 주된 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 터치 패널용 투명 도전성 기재는, 투명 기재층, 상기 투명 기재층의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층, 상기 중굴절 언더코팅층 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층 및 상기 저굴절 언더코팅층 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층을 포함하고; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만으로 구성된다.
한편, 본 발명에 따른 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법은, 유리로 된 투명 기재층의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1 이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층, 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층을 차례로 코팅하는 단계; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 상기 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부를 형성하는 단계; 및 250 ~ 350℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층을 결정화하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 또 다른 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법은, PET 필름으로 된 투명 기재층의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층, 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층을 차례로 코팅하는 단계; 상기 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 상기 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부를 형성하는 단계; 및 100 ~ 150℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층을 결정화하는 단계를 포함한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법에 따르면, 터치 패널용 투명 도전성 기재를 육안으로 관찰할 때 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부의 경계가 시각적으로 드러나지 않는 매우 양호한 외관을 제공해 준다.
더욱이, 본 발명에 따르면 모든 가시광선의 파장 대역, 다시 말해 청색 대역과 적색 대역 모두에 있어서 균일하게 반사율의 차이를 감소시켜 줌으로써 디스플 레이 소자로서의 색감을 향상시켜 줄 뿐만 아니라, 반사방지 효과까지 더해져서 투과도가 높아지므로 터치 패널의 품질을 향상시켜 준다.
또한, 본 발명은 고강도의 화학강화유리를 사용하므로 내충격성이 요구되는 디스플레이부에 사용할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 저항막 방식이나 정전용량 방식의 터치 패널에 사용되는 투명 도전성 기재는 터치의 식별성을 향상시키기 위하여 최상층인 투명 도전체층을 부분적으로 제거하여 규칙적인 패턴을 가지도록 구성된다. 이 때, 시각적으로 패턴 형상이 인식되면 외관이 불량한 것으로 간주된다. 패턴 형상이 시각적으로 인식되는 이유는 투명 도전체층이 제거된 패턴부와 투명 도전체층이 제거되지 않은 비패턴부 간에 가시광선 반사율(굴절율)의 차이가 드러나기 때문이다.
즉, 가시광선의 투과율을 높이기 위하여 AR 코팅을 시행한 경우 비패턴부인 [투명 도전체층 + 저굴절 언더코팅층 + 고굴절 언더코팅층 + 투명 기재층] 부분과 패턴부인 [저굴절 언더코팅층 + 고굴절 언더코팅층 + 투명 기재층] 부분의 굴절율의 차이로 인해 시각적으로 패턴 형상이 인식되는 것이다. 따라서, AR 코팅을 한 투명 도전성 기재는 상기 투명 도전체층, 저굴절 언더코팅층, 고굴절 언더코팅층의 굴절율 및 두께를 조절하여 패턴 형상이 인식되지 않도록 하는 것이 중요하다. 더욱이, AR 코팅은 가시광선의 모든 파장 대역, 다시 말해 450㎚ 파장 부근의 청색 반사율과 650㎚ 파장 부근의 적색 반사율 모두를 균일하게 조절하여야만 디스플레이 소자의 색 재현과 색감을 높이는데 기여할 수 있다.
Nb2O5 박막은 가시광선의 모든 파장 대역에서 반사율을 감소시킬 수 있어 AR 코팅의 고굴절 언더코팅층 재료로 많이 사용되고 있다. 그러나, 이 Nb2O5 박막은 자체 굴절율(약 2.3)이 높은 관계로 인접하는 저굴절 언더코팅층 및 투명 도전체층 간에 굴절율의 조절이 어려웠고, 이러한 물성은 패턴부와 비패턴부 간의 반사율 차이를 크게 만드는 원인이 되었다.
본 발명은 중굴절 언더코팅층을 도입하여 상기한 종래의 투명 도전성 기재의 문제점을 해결한 것인 바, 이하에서 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 구체적인 구성을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 가장 기본적인 적층 구조를 나타낸다.
본 발명에 따른 투명 도전성 기재는 투명 기재층(10), 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)으로 구성된다.
상기 투명 기재층(10)은 베이스 기판의 기능을 하는 것으로, 유리, 화학강화유리 또는 PET(Polyethylenen Terephthalate) 필름으로 구성된다. 유리는 ATM 기기, 컴퓨터 모니터, 휴대폰 등과 같은 리지드 디스플레이부(Rigid display unit)를 구성하는데 사용되며, PET 필름은 플렉시블 디스플레이부(Flexible display unit) 등을 구성하는데 사용된다. PET 필름은 현재 터치 패널에 가장 많이 사용되고 있는 고분자 필름이므로, 이와 균등한 물성을 가진 다른 고분자 필름을 사용하는 것도 가능하다 할 것이다.
유리는 통상 1mm 이하의 두께를 사용하며, 투과율이 높은 소다 석회(soda-lime) 또는 무알칼리 계통인 알루미노실리케이트(Aluminoslicate) 재질을 사용한다. 유리를 사용하면 플라스틱 소재가 가지는 투과도, 장기 내구성, 터치감 등의 문제점을 해결해 주는 물성을 가지지만, 충격에 약한 단점이 있다. 터치 패널은 각종 기기의 디스플레이부에 부착되는데, 특히 크기가 작고 얇은 휴대폰 등에 부착될 때에는 외부 충격에 대한 내구성이 보장될 수 있는 강도를 가져야 한다. 소다 석회 유리는 일반적으로 무알칼리 계통의 유리보다 강도가 낮지만 성분 중에서 나트륨(Na)을 칼륨(K)으로 치환하는 화학 처리를 통해서 강도를 높일 수 있다. 이를 화학강화유리라고 하며, 터치 패널용 베이스 기판으로 많이 사용된다.
상기 중굴절 언더코팅층(20)은 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 중굴절 언더코팅층(20)으로는 유리의 굴절율(약 1.5)보다 높은 물질 중에서 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO, 굴절율 약 1.5) 또는 이트륨 산화물(Y2O3, 굴절율 약 1.79)이 사용되는 것이 바람직하다. 이 중굴절 언더코팅층(20)은 본 발명에 따라 종래의 Nb2O5 등으로 된 고굴절 언더코팅층을 대체하여 사용된 것으로 저굴절 언더코팅층(30), 투명 도전체층(40)과 함께 패턴부의 형상이 시각적으로 드러나지 않게 해줄 뿐만 아니라, 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 균일한 반사율 차이를 가지도록 해주는 것으로 가장 특징적인 기술구성으로 이룬다.
상기 저굴절 언더코팅층(3)은 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 저굴절 언더코팅층(30)으로는 규소 산화물(SiOx, SiO2) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)이 사용되는 것이 바람직하다. 이 저굴절 언더코팅층(3)은 AR 코팅을 위한 2가지 무기물층 중의 하나로서 투명 기재층(10)과 투명 도전체층(40) 사이에서의 가시광선의 반사율을 감소시켜 디스플레이 소자로서의 인식성을 향상시켜준다.
상기 투명 도전체층(40)은 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 코팅 형성된다. 이러한 투명 도전체층(10)으로는 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)이 사용되는 것이 바람직하다. 투명 도전체층(40)은 표면저항이 500 Ω/㎠ 이하인 것을 사용하며, 막 두께에 따른 표면 저항이나 광학 특성의 변화를 줄이기 위해서는 막 두께를 10 ~ 20nm 내로 하는 것이 더욱 바람직하다.
이상에서의 같이, 투명 기재층(10) 위에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(30)을 코팅 형성하는 방법은 공지된 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 시행될 수 있다.
코팅이 완료된 투명 도전체층(40)은 에칭 공정을 통해 일정한 패턴을 형성한다. 먼저 투명 도전체층(40) 위에 드라이필름포토레지스트를 라미네이션한 다음 일정한 패턴이 연속적으로 교차된 패턴필름을 올려 놓는다. 그 후 자외선을 조사하여 드라이필름포토레지스트 영역을 현상하고 산성 또는 알칼리성 에칭 용액을 이용하여 자외선이 조사된 드라이필름포토레지스트 영역만을 박리시킴으로써 이를 패턴화 한다. 그 결과, 도 1에 도시된 바와 같이 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)가 형성된다.
패턴 형성이 완료된 후에는 일정 온도에서의 어닐링 열처리를 통해 투명 도전체층(40)을 결정화시킴으로써, 투과도와 내구성을 더욱 향상시켜 준다. 상기 결정화 단계는 투명 기재층(10)으로 유리를 사용하는 경우에는 250 ~ 350℃에서 행하고, PET 필름과 같은 고분자 필름을 사용하는 경우에는 내열성이 약하므로 100 ~ 150℃에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 패턴화 공정과 어닐링 열처리 공정은 조업 조건에 따라 순서가 바뀔 수도 있으나, 투명 도전체층(40)을 결정화하면 에칭이 어려워지는 경우가 있으므로 어닐링 열처리를 패턴화 공정 이후에 실시하는 것이 바람직하다.
상술한 공정을 통해 제조된 투명 도전성 기재는 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만을 나타낸다.
이와 같이, 본 발명자는 여러 번의 실험을 통해 베이스 기판인 투명 기재층(10) 위에 코팅되는 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)의 굴절율 및 두께를 상기한 바와 같이 최적화하여 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 가시광선 반사율의 차이를 최소화한 것이다. 실험 결과, 투명 도전체 층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율이 유사하거나 동일한 경우가 우수한 광학적 성능을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 투명 도전체층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율 차이는 0.3 이하인 것이 바람직하고, 저굴절 언더코팅층(30)의 굴절율은 적어도 0.3 많게는 0.5 정도 차이 나는 것이 바람직하다. 당연히 투명 도전체층(40)과 중굴절 언더코팅층(20)의 굴절율은 저굴절 언더코팅층(30)보다 높아야 한다.
일 예로, 투명 도전체층(40)의 두께가 50nm 미만일 때, 투명 도전체층(40)과의 굴절율의 차이가 0.5 이상이 되는 저굴절 언더코팅층(30)의 두께는 50 ~ 200nm 이하로 하고, 투명 도전체층(40)과의 굴절율과의 차이가 0.3 미만인 중굴절 코팅층(20)의 두께는 50nm 미만으로 한 다음 투명 도전체층(40)을 패턴화하면 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 평균 가시광선 반사율 차이가 0.1% 미만을 나타내어 패턴 형상을 인식하기 어려워진다.
이와 같이, 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 가시광선 평균 반사율의 차이를 0.1% 미만이 되면 시각적으로 패턴의 형상을 완전히 구별할 수 없게 된다. 이에 따라, 종래에 가시광선의 평균 반사율의 차이를 2.0% 미만으로 관리함으로써 발생하였던 민감한 소비자들에 의해 패턴 형상이 드러난다는 불만을 해결할 수 있다.
한편, 패턴부(a)와 비패턴부(b)의 평균적인 반사율 차이도 중요하지만, 디스플레이 소자의 색감을 높이기 위해서는 가시광선의 파장별 반사율 차이도 중요하다. 본 발명에 따르면, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 청색 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 650㎚ 파장에서의 적색 반사율의 차이가 1.0% 미만이 되도록 하는 것이 바람직하다. 청색 파장 대역의 반사율의 차이가 높아지면 청색에 대한 색감이 높아져 고유 색상이 발현되지 아니하고, 적색 파장 대역의 반사율의 차이가 높아지면 적색에 대한 민감도가 높아져 눈의 피로도가 커진다.
종래와 같이 Nb2O5 박막을 AR 코팅의 고굴절 언더코팅층 재료로 사용하는 때에는 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 적색 반사율의 차이가 증가하여 터치 패널의 품질을 저하시키는 주요 원인이 되었는 바, 이에 대한 상세한 설명은 도 7 내지 도 10을 참조로 후술하기로 한다.
도 1 내지 도 6을 참조로 본 발명에 따른 여러 가지 형태의 적층 구조를 간단히 설명한다.
상술한 바와 같이, 도 1은 본 발명에 따른 기본 구조로서, 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)이 차례로 적층된 단면 구조로서, 상기 중굴절 언더코팅층(20)으로 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)을 사용한 예를 나타낸다. 도 2는 도 1과 동일한 단면 구조에서 중굴절 언더코팅층(20)으로 이트륨 산화물(Y2O3)을 사용한 예를 나타낸다.
도 3은 도 1의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 도 1과 동일하게 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)이 차례로 적 층된 양면 구조의 예를 나타낸다. 도 4는 도 2의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 도 1과 동일하게 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30) 및 투명 도전체층(40)이 차례로 코팅된 양면 구조의 예를 나타낸다.
도 5는 도 1의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30)이 차례로 코팅된 적층 구조의 예를 나타낸다. 도 6은 도 2의 기본 구조에서 투명 기재층(10)의 반대면에 중굴절 언더코팅층(20), 저굴절 언더코팅층(30)이 차례로 코팅된 적층 구조의 예를 나타낸다.
이하에서 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 기술적 효과를 알아보기 위해 다음과 같은 실험을 실시하였다.
[ 실시예 1]
1. 투명 기재층 형성 단계
화학강화유리 기판은 칼륨(K) 용융염에 담가서 표면의 나트륨(Na) 성분이 이온 교환 반응으로 치환된 0.7 mm 두께의 소다 석회 유리이며, 기판의 크기는 370 mm x 470 mm x 0.7 mm 이다.
2. 중굴절 언더코팅층 형성 단계
산화인듐 90 중량%, 산화주석 10 중량%의 타겟 재료를 사용하여 아르곤 99%, 산소 1%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께 15nm의 ITO 막(굴절율 2.05)을 형성하여 중굴절 언더코팅층을 갖는 박막을 제조하 였다.
3. 저굴절 언더코팅층 형성 단계
보론(B)이 도핑된 비저항값이 0.01 Ω/cm 이하인 실리콘(Si) 타겟 재료를 사용하여 아르곤 60%, 산소 40%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 반응성 스퍼터링법에 의해서 막두께 80nm의 SiO2막(굴절율 1.46)을 제조하였다.
4. 투명 도전체층 형성 단계
중굴절 언더코팅율을 형성하는 것과 동일한 방법으로 산화인듐 90 중량%, 산화주석 10 중량%의 타겟 재료를 사용하여 아르곤 99%, 산소 1%를 도입하여 공정압력 3mTorr에서, 두께 15nm의 ITO막(굴절율 2.05)을 형성하여 투명 도전성 유리를 제조하였다.
5. 투명 도전체층의 패턴화 단계
투명 도전성 유리 위에 일명 드라이필름을 라미네이팅한 후, 패턴 마스크필름을 이용하여 노광하고, 염산 18.3%, 질산 4.5%의 에칭액을 이용하여 40℃에서 에칭을 한 후에 수산화나트륨으로 드라이필름을 제거하였다.패턴은 일정한 간격(50㎛)의 선폭을 갖는 스트라이프 모양이다.
6. 투명 도전체층의 결정화 단계
상온에서 ITO(중굴절율층), SiO2(저굴절율층), ITO(투명 도전체층)을 연속적으로 코팅한 후, ITO 막의 내구성 향상 및 결정화를 위하여 진공오븐(Vacuum oven)에서 300℃, 60분간 어닐링 열처리를 실시하여 ITO 막을 결정화시켰다.
[ 실시예 2]
실시예 1과 비교하여, 중굴절 언더코팅층의 재료로서 ITO 대신에 Y2O3 타겟 재료를 사용하였다. 즉, 아르곤 99%, 산소 1% 미만을 도입하여 공정압력 5mTorr에서, 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께 25 nm의 Y2O3 막(굴절율 1.79)을 형성하여, 중굴절 언더코팅층을 갖는 투명 도전성 유리를 제조하였다. 투명 기재인 유리의 양면에 각층을 동일한 구조로 형성하고, 한쪽 면에 있는 ITO 막(투명 도전체층)을 동일하게 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
[ 실시예 3]
투명 기재층으로 고분자 필름인 PET 필름을 사용하였다 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하다. 고분자 필름을 사용하였으므로 결정화를 위한 어닐링 열처리를 150 ℃에서 실시하였다.
[ 비교예 1]
중굴절 언더코팅층을 형성하지 않고, 저굴절 언더코팅층인 SiO2층의 막두께는 30nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
[ 비교예 2]
중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
[ 비교예 3]
중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
[ 비교예 4]
중굴절 언더코팅층에 고굴절율 재료인 Nb2O5 막(굴절율 2.3)을 막두께 18nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
[비교예 5]
투명 기재층에 화학강화 처리를 하지 않은 일반 소다 석회 유리를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 ITO 막(투명 도전체층)을 패턴화한 투명 도전성 유리를 제조하였다.
상술한 방법으로 제조된 각각의 실시예 및 비교예의 투명 도전성 기재의 구성 및 두께를 정리해 보면 다음 [표 1]과 같다.

 구성 두께(nm)
비패턴부 패턴부
실시예1 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/화학강화유리 SiO2(80nm)/ITO(15nm)/화학강화유리
실시예2 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Y2O3(25nm)/화학강화유리/Y2O3(25nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm) SiO2(80nm)/Y2O3(25nm)/화학강화유리/Y2O3(25nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)
실시예3 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/PET SiO2(80nm)/ITO(15nm)/PET
비교예1 ITO(15nm)/SiO2(30nm)/화학강화유리 SiO2(30nm)/화학강화유리
비교예2 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리 SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리
비교예3 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리/Nb2O5(18nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm) SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/화학강화유리/Nb2O5(18nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)
비교예4 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/PET SiO2(80nm)/Nb2O5(18nm)/PET
비교예5 ITO(15nm)/SiO2(80nm)/ITO(15nm)/일반유리 SiO2(80nm)/ITO(15nm)/일반유리
각각의 실시예와 비교예로 제조된 투명 도전성 기재에 대하여 아래와 같은 방법으로 평가를 실시한 후, 그 결과를 [표 2] 내지 [표 5]로 나타내었다.
<450 ~ 650 nm 의 평균투과율, 평균반사율>
일본 ㈜미놀타 사의 분광 광도계 CM-3600D를 사용하여 가시광선의 450 ~ 650nm 파장 대역에 걸쳐 평균투과율, 평균반사율을 측정하였고, 450, 550, 650nm 파장 대역에서의 반사율을 별도로 측정하였다. 비패턴부와 패턴부 각각에 대하여 측정하여, 비패턴부의 광학물성, 패턴부의 광학물성, 비패턴부와 패턴부의 광학물성 차이를 각각 [표 2] 내지 [표 4]에 나타내었다.
<외관 평가>
외관평가는 평평한 검은 판 상에서 투명 도전체층이 위로 가도록 하고 육안에 의해 비패턴부와 패턴부를 식별할 수 있는지 여부를 하기와 같은 기준으로 평가하였고, 그 결과를 [표 4]에 나타내었다.
◎ : 비패턴부와 패턴부의 식별이 곤란하다.
○ : 비패턴부와 패턴부를 약간 식별할 수 있다.
× : 비패턴부와 패턴부를 명확하게 식별할 수 있다.
비패턴부의 광학물성
450~650nm
평균투과율(%)		 450~650nm
평균반사율(%)		 450nm에서의
반사율(%) 		550nm에서의
반사율(%) 		650nm에서의
반사율(%)
실시예1 91.48 7.74 8.57 7.54 7.84
실시예2 92.42 5.84 6.32 5.28 5.48
실시예3 90.35 8.15 9.25 7.90 8.22
비교예1 89.48 9.94 11.74 9.77 8.77
비교예2 92.58 6.29 5.39 6.15 8.09
비교예3 93.87 5.54 3.95 4.38 6.04
비교예4 91.50 6.70 6.07 6.51 8.47
패턴부의 광학물성
450~650nm
평균투과율(%)		 450~650nm
평균반사율(%)		 450nm에서의
반사율(%) 		550nm에서의
반사율(%) 		650nm에서의
반사율(%)
실시예1 91.59 7.76 6.73 7.95 8.07
실시예2 92.94 5.66 4.40 4.75 5.14
실시예3 90.51 8.17 7.41 8.31 8.45
비교예1 91.63 7.92 8.03 7.91 7.85
비교예2 90.41 8.87 6.67 9.17 10.1
비교예3 90.45 8.66 9.18 9.69 9.96
비교예4 89.33 9.27 7.35 9.53 10.48
비패턴부와 패턴부의 광학물성 차이
450~650nm
△평균투과율
(%)		 450~650nm
△평균반사율
(%)		 450nm에서의
△반사율(%) 		550nm에서의
△반사율(%) 		650nm에서의
△반사율(%) 		외관평가
실시예1 0.16 0.02 1.84 0.41 0.23 ◎
실시예2 0.52 0.08 1.92 0.53 0.34 ○
실시예3 0.16 0.02 1.84 0.41 0.23 ◎
비교예1 2.16 2.02 3.71 1.86 0.92 ×
비교예2 2.17 2.58 1.28 3.02 2.01 ×
비교예3 3.42 3.12 2.51 5.32 3.92 ×
비교예4 2.17 2.58 1.28 3.02 2.01 ×
위 [표 4]에서 보듯이 본 발명에 따른 실시예 1 내지 3의 경우에는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율 차이가 0.02, 0.08, 0.02를 가지므로, 모두 0.1% 미만을 나타낸다. 또한, 가시광선 중 450nm인 청색 파장 대역에서의 반사율 차이는 1.84, 1.92, 1.84를 가지므로, 모두 2% 미만을 나타내었다. 또한, 가시광선 중 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이는 0.23, 0.34, 0.23을 가지므로, 모두 1% 미만을 나타내었다. 그 결과, 비패턴부와 패턴부가 식별되지 않아 양호한 외관평가 결과를 얻었다.
이에 반해, 비교예 1은 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.02%로 높을 뿐만 아니라, 450nm인 청색 파장 대역에서의 반사율 차이가 3.71%로 매우 높게 나타났다. 비교예 2는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.58%로 높을 뿐만 아니라, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 2.01%로 매우 높게 나타났다. 비교예 3은 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 3.12%로 높을 뿐만 아니라, 450nm인 청색 파장 대역에 서의 반사율 차이가 2.51%, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 3.92%로 양쪽 모두 매우 높게 나타났다. 비교예 4는 가시광선의 모든 파장 대역에 있어서 평균 반사율의 차이가 2.58%로 높을 뿐만 아니라, 650nm인 적색 파장 대역에서의 반사율 차이가 2.01%로 매우 높게 나타났다. 이와 같이, 모든 비교예 경우 본 발명에 따른 반사율 차이 조건을 적어도 하나 이상 만족하지 못하므로 외관평가 결과 비패턴부와 패턴부가 식별되는 것으로 나타났다.
<굽힘 강도>
굽힘 강도는 3점 굽힘 측정 시험기에서 실시예1 및 비교예 5의 투명 도전성 유리가 파괴되는 하중을 측정하여 비교하였고, 그 결과를 다음 [표 5]에 나타내었다. 실험 조건은 시험기의 지간 거리는 75mm, 시편 폭 50mm , 지지 모루의 지름 5mm, 변형 속도는 10 mm/min이었다.
실시예 1 비교예 5
파괴 하중 11.8kgf ± 3.0% 4.5kgf ± 3.5%
위 [표 5]에서 보듯이 화학강화유리를 사용하는 경우에 일반 소다 석회 유리를 사용하는 경우보다 파괴 하중이 2배 이상 높게 나타나므로, 높은 내충격성이 요구되는 휴대폰 등의 터치 패널용 투명 도전성 유리로서 사용하기에 적합하다.
마지막으로, 도 7 내지 도 10은 위 [표 4]에 기재된 실시예 1, 실시예 3, 비교예 2, 비교예 4에 있어서 가시광선의 각 파장 대역별로 비패턴부와 패턴부의 반사율 값을 도시한 그래프를 나타낸다.
도 7 및 도 8에서 보듯이 본 발명에 따른 투명 도전성 기재에 따르면, 화학강화유리로 된 것(실시예1)과 PET 필름으로 된 것(실시예3) 모두 450nm의 청색 파장 대역(반사율 차이 1.84%)을 제외한 모든 파장 대역에서 비패턴부와 패턴부가 거의 동일한 반사율을 나타낸다. 그 결과, 비팬턴부와 패턴부의 평균 반사율 차이가 0.1% 미만을 나타내어 양호한 외관 성능을 가진다.
도 9 및 도 10에서 보듯이 본 발명이 아닌 투명 도전성 기재에 따르면, 비록 화학강화유리로 된 것(비교예2)과 PET 필름으로 된 것(비교예4) 모두 450nm의 청색 파장 대역에서의 반사율 차이는 1.28%로서 상기 실시예 1 및 3의 경우보다 낮게 나타났으나, 그 외의 나머지 파장 대역에서 비패턴부와 패턴부의 반사율 차이가 커져서 평균 반사율의 차이가 2.58%로서 매우 높게 나타났다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있음은 당업계에 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제1 적층 구조를 나타낸 도면
도 2는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제2 적층 구조를 나타낸 도면
도 3은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제3 적층 구조를 나타낸 도면
도 4는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제4 적층 구조를 나타낸 도면
도 5는 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제5 적층 구조를 나타낸 도면
도 6은 본 발명에 따른 투명 도전성 기재의 제6 적층 구조를 나타낸 도면
도 7은 본 발명에 따른 실시예 1의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프
도 8은 본 발명에 따른 실시예 3의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프
도 9는 종래 비교예 2의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프
도 10은 종래 비교예 4의 파장별 반사율 차이를 나타낸 그래프
※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※
1: 투명 기재층 2: ITO 층(중굴절 코팅층)
2': Y2O3층(중굴절 코팅층) 3: 저굴절 코팅층
4: 투명 도전체층 a: 패턴부
b: 비패턴부

Claims (15)

  1. 투명 기재층(10), 상기 투명 기재층(10)의 일면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30) 및 상기 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층(40)을 포함하고;
    상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)에 대해 가시광선의 평균 반사율의 차이가 0.1% 미만이고, 가시광선 중 450㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 2.0% 미만이며, 가시광선 중 650㎚ 파장에서의 반사율의 차이가 1.0% 미만인 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30) 및 상기 저굴절 언더코팅층(30) 위에 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm가 되도록 형성된 투명 도전체층(40)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚가 되도록 형성된 중굴절 언더코팅층(20), 상기 중굴절 언더코팅층(20) 위에 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚가 되도록 형성된 저굴절 언더코팅층(30)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 기재층(10)은 유리, 화학강화유리, PET 필름 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 중굴절 언더코팅층(20)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO) 또는 이트륨 산화물(Y2O3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 저굴절 언더코팅층(30)은 규소 산화물(SiOx) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 도전체층(40)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재.
  8. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 의해 정의된 투명 도전성 기재로 제조되어 정전용량 방식으로 사용되는 터치 패널.
  9. 유리로 된 투명 기재층(10)의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계;
    상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 상기 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)를 형성하는 단계; 및
    250 ~ 350℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층(40)을 결정화하는 단계를 포함하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  10. PET 필름으로 된 투명 기재층(10)의 일면에 스퍼터링법 또는 진공증착법에 의해 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율 이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계;
    상기 투명 도전체층(40)이 제거된 패턴부(a)와 상기 투명 도전체층(40)이 제거되지 않은 비패턴부(b)를 형성하는 단계; 및
    100 ~ 150℃의 온도로 어닐링 열처리를 하여 상기 투명 도전체층(40)을 결정화하는 단계를 포함하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  11. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 코팅 단계는 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30) 및 굴절율이 1.9 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 30nm인 투명 도전체층(40)을 차례로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  12. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 코팅 단계는 상기 투명 기재층(10)의 반대면에 굴절율이 1.75 ~ 2.1이고 두께가 10 ~ 22㎚인 중굴절 언더코팅층(20), 굴절율이 1.4 ~ 1.5이고 두께가 70 ~ 80㎚인 저굴절 언더코팅층(30)을 차례로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  13. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 중굴절 언더코팅층(20)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO) 또는 이트륨 산화물(Y2O3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  14. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 저굴절 언더코팅층(30)은 규소 산화물(SiOx) 또는 마그네슘 플루오라이드(MgF2)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
  15. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 투명 도전체층(40)은 SnO2의 함량이 3 ~ 15 중량%인 인듐주석 산화물(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치 패널용 투명 도전성 기재의 제조방법.
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