KR20080010384A - 투명 평면체 및 투명 터치스위치 - Google Patents

투명 평면체 및 투명 터치스위치 Download PDF

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구니아키 사사키
슈지 후루카와
게이지 츠카모토
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군제 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 시인성을 향상시킬 수 있는 투명 평면체 및 투명 터치스위치를 제공한다. 본 발명은 투명기판(11)의 적어도 일측면에 패터닝된 투명도전막(12)을 구비하는 투명 평면체(1)로서, 투명기판(11)을 통해 투명도전막(12)이 형성되는 패턴형성영역을 투과한 빛의 투과스펙트럼과, 투명기판(11)을 통해 투명도전막(12)이 형성되지 않은 비패턴형성영역을 투과한 빛의 투과스펙트럼을 근사시키는 투과율 조절층을 포함하는 투명 평면체(1)에 의해 달성된다.
투명평면체, 터치스위치, 투명기판, 투명도전막, 스펙트럼, 투과율조절층

Description

투명 평면체 및 투명 터치스위치{TRANSPARENT PLANAR BODY AND TRANSPARENT TOUCH SWITCH}
본 발명은 투명 평면체 및 투명 터치스위치에 관한 것이다.
입력 위치를 검출하기 위한 투명 터치스위치의 구성은 종래부터 다양하게 검토되고 있지만, 일 예로서 정전용량식의 투명 터치스위치가 알려져 있다. 예를 들면, 일본 특허공개 제2003-173238호 공보(도 1, 도 5)에 제안된 투명 터치스위치는, 각각 소정의 패턴 형상을 갖는 투명도전막을 구비한 한 쌍의 투명 평면체 사이에 유전체층이 개재되어 구성되고, 손가락 등이 조작면에 접촉하면, 인체를 통해 접지되는 것에 의한 정전용량의 변화를 이용하여 터치 위치를 검출할 수 있다.
이러한 투명 터치스위치는, 액정표시장치나 CRT 등의 표면에 장착해서 사용할 수 있지만, 투명 평면체에 형성된 투명도전막의 패턴 형상이 눈에 두드러지게 되어(conspicuous) 시인성의 저하를 초래하였다.
또한 종래의 투명 평면체로서는, 일본 특허공개 제2003-197035호 공보(표 1)에서 제안된 투명 도전성 필름이 알려져 있다. 이 투명 도전성 필름은 도전층 형성 필름과 도전층 사이에 언더코팅층이 형성되어 있다. 언더코팅층은 굴절율이 다른 2개의 층으로 구성되어 있는 것으로, 구체적인 예로서, 도전층 형성 필름 측에 두께가 600Å을 갖는 고굴절율의 산화아연-산화주석계의 막을 배치하고, 도전층 측에 두께가 450Å을 갖는 저굴절율의 산화규소의 막을 배치한 구성을 개시하고 있다.
그러나 상기 투명 도전성 필름을 정전용량식의 투명 터치스위치에 이용한 경우, 역시 도전층의 패턴 형상이 눈에 두드러지게 되어 이 점에서의 개량의 여지가 있었다.
따라서 본 발명은 시인성을 향상시킬 수 있는 투명 평면체 및 투명 터치스위치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 투명기판의 적어도 일측면에 패터닝된 투명도전막을 갖는 투명 평면체로서, 상기 투명기판을 통해 상기 투명도전막이 형성되는 패턴형성영역을 투과한 빛의 투과 스펙트럼과, 상기 투명기판을 통해 상기 투명도전막이 형성되지 않은 비패턴형성영역을 투과한 빛의 투과 스펙트럼을 근사시키는 투과율 조절층을 구비하는 투명 평면체를 제공한다.
상기 투명 평면체에 있어서, 상기 투과율 조절층은 상기 투명기판의 일측면을 대략 균일한 두께로 덮는 오버코팅층을 구비하고, 상기 오버코팅층은 두께가 상기 투명도전막의 두께보다 크고, 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.
상기 오버코팅층은 실리콘주석 산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 오버코팅층은 두께가 70∼80nm인 것이 바람직하다.
상기 투명도전막의 굴절율과 상기 오버코팅층의 굴절율의 차이는 0.03∼0.4인 것이 바람직하다.
상기 투명기판과 상기 투명도전막 사이에는 언더코팅층이 개재되고, 상기 언더코팅층은 광굴절율이 다른 2 이상의 층의 적층체로 구성되고, 저굴절율층 측에 상기 투명도전막이 형성되는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치로서, 상기 점착층은 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 터치스위치를 제공한다.
상기 투명 터치스위치에 있어서, 표면 측에 직선편광판을 구비하는 것이 바람직하다.
또한 표면 측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면 측에 λ/4 위상차판을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 투명기판은 λ/4 위상차판인 것이 바람직하다.
상기 투명 평면체에 있어서, 상기 투과율 조절층은 저굴절율층 및 상기 저굴절율층보다 광굴절율이 높은 고굴절율층을 구비하는 적층체로 구성되는 언더코팅층을 포함하고, 상기 언더코팅층은 상기 저굴절율층 측에 상기 투명도전막이 형성되도록 상기 투명기판과 상기 투명도전막 사이에 개재되고, 상기 고굴절율층의 두께는 상기 저굴절율층의 두께보다 작은 것이 바람직하다.
상기 고굴절율층의 두께는 10∼25nm이며, 상기 저굴절율층의 두께는 25∼45nm인 것이 바람직하다.
또한 상기 고굴절율층은 실리콘주석 산화물로 이루어지고, 상기 저굴절율층은 산화규소로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 투명도전막의 두께는 10∼25nm인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하는 정전용량식의 투명 터치스위치로서, 상기 각 투명 평면체는 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 배치되고 점착층을 통해 점착되며, 상기 투명도전막의 두께는 20nm∼25nm이며, 상기 점착층의 굴절율은 1.6 이상인 정전용량식의 투명 터치스위치를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하는 정전용량식의 투명 터치스위치로서, 상기 각 투명 평면체는 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 배치되고 점착층을 통해 점착되며, 상기 투명도전막의 두께는 25nm∼30nm이며, 상기 점착층의 굴절율은 1.7 이상인 정전용량식의 투명 터치스위치를 제공한다.
이들 투명 터치스위치에 있어서, 표면 측에 직선편광판을 구비하는 것이 바람직하다.
또한 표면 측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면 측에 λ/4 위상차판을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 투명기판은 λ/4 위상차판인 것이 바람직하다.
또한 상기 투명 평면체에 있어서, 상기 투과율 조절층은 상기 투명기판의 일측면에 있어서 상기 투명도전막이 형성되지 않은 노출부를 덮는 피복층을 구비하고, 상기 피복층은 표면이 상기 투명도전막의 표면과 대략 동일 평면이 되도록 형성되며, 또한 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율과 동일한 것이 바람직하다.
상기 피복층은 실리콘주석 산화물로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 투명도전막은 카본 나노튜브 복합재로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 저굴절율층 및 상기 저굴절율층보다 광굴절율이 높은 고굴절율층을 구비하는 적층체로 구성된 언더코팅층을 더 포함한다. 상기 언더코팅층은 상기 저굴절율층 측에 상기 투명도전막 및 상기 피복층이 형성되도록 상기 투명도전막 및 상기 피복층과 상기 투명기판 사이에 개재되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 투명도전막 및 피복층의 표면을 덮는 오버코팅층을 더 포함하고, 상기 오버코팅층의 표면은 평탄하게 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 스페이서를 통해 소정간격을 갖고 배치된 저항막식의 투명 터치스위치를 제공한다.
이들 투명 터치스위치에 있어서, 표면 측에 직선편광판을 구비하는 것이 바람직하다.
또한 표면 측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면 측에 λ/4 위상차판을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 투명기판은 λ/4 위상차판인 것이 바람직하다.
상기 투명도전막은 간격을 두고 복수 배치되는 띠형상 투명도전부를 구비하고, 상기 투과율 조절층은 인접하는 상기 각 띠형상 투명도전부의 사이에 절연 슬릿을 통해 배치되는 띠형상 투명조정부를 구비하며, 상기 띠형상 투명조정부는 상기 띠형상 투명도전부와 동일재료로 이루어지고 복수의 저항 슬릿을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 복수의 저항 슬릿은 상기 각 띠형상 투명조정부에 인접하는 상기 절연 슬릿끼리를 접속하도록 구성되는 것이 바람직하다.
상기 절연 슬릿에 따라, 상기 각 띠형상 투명조정부를 분리하는 분리 슬릿을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 상기 띠형상 투명도전체가 서로 대향하도록 스페이서를 통해 소정간격을 두고 배치된 저항막식의 투명 터치스위치를 제공한다.
이들 투명 터치스위치에 있어서, 표면 측에 직선편광판을 구비하는 것이 바람직하다.
또한 표면 측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하며, 이면 측에 λ/4 위상차판을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 투명기판은 λ/4 위상차판인 것이 바람직하다.
[발명의 효과]
본 발명에 따르면, 시인성을 향상시킬 수 있는 투명 평면체 및 투명 터치스위치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제1 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에 나타낸 투명 터치스위치의 일부를 나타낸 평면도.
도 3은 도 1에 나타낸 투명 터치스위치의 다른 일부를 나타낸 평면도.
도 4는 도 1에 나타낸 투명 터치스위치의 변형 예의 일부를 나타낸 평면도.
도 5는 도 1에 나타낸 투명 터치스위치의 변형 예의 다른 일부를 나타낸 평면도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 관한 측정용 샘플의 개략적인 구성을 나타낸 단 면도.
도 7은 도 6에 나타낸 측정용 샘플의 분광 투과스펙트럼을 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 비교 예의 분광 투과스펙트럼을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제2 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 10은 투명도전막의 두께를 30nm로 했을 경우에 있어서의 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 11은 투명도전막의 두께를 15nm로 했을 경우에 있어서의 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 12는 투명도전막의 두께를 20nm로 했을 경우에 있어서의 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 13은 투명도전막의 두께를 25nm로 했을 경우에 있어서의 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 14는 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 15는 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 다른 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 16은 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 또 다른 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 17은 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 또 다른 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 18은 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제3 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 19는 드라이 코팅법을 채용한 피복층의 형성방법을 설명하는 설명도.
도 20은 도 18에 나타낸 투명 터치스위치의 변형 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 21은 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 22는 투명도전막의 유무에 의한 반사율차의 다른 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.
도 23은 도 18에 나타낸 투명 터치스위치의 변형 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 24는 본 발명에 관한 정전용량식의 터치스위치의 제4 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 25는 도 24에 나타낸 정전용량식의 터치스위치의 일부를 나타낸 평면도.
도 26은 도 24에 나타낸 정전용량식의 터치스위치의 다른 일부를 나타낸 평면도.
도 27은 도 24에 나타낸 정전용량식의 터치스위치의 변형 예의 일부를 나타낸 평면도.
도 28은 도 24에 나타낸 정전용량식의 터치스위치의 변형 예의 다른 일부를 나타낸 평면도.
도 29는 도 24에 나타낸 정전용량식의 터치스위치의 변형 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 30은 저항 슬릿의 다양한 변형 예를 나타낸 요부 확대 평면도.
도 31은 저항 슬릿의 다양한 변형 예를 나타낸 요부 확대 평면도.
도 32는 분리 슬릿의 다양한 변형 예를 나타낸 요부 확대 평면도.
도 33은 투명 평면체의 변형 예를 개략적으로 나타낸 단면도.
*부호의 설명*
101: 투명 터치스위치 1: 제1 투명 평면체
2: 제2 투명 평면체 11,21: 투명기판
12,22: 투명도전막 13,23: 언더코팅층
14,24: 오버코팅층 15: 점착층
16,26: 피복층 32,42: 띠형상 투명도전부
33,43: 띠형상 투명조정부 34,44: 절연 슬릿
35,45: 저항 슬릿 36,46: 분리 슬릿
(제1 실시 예)
이하 본 발명의 제1 실태 형태에 대해서 첨부된 도면을 참조해서 설명한다. 각 도면은 구성의 이해를 쉽게 하기 위하여 개략적으로 나타낸 것이며, 실제 스케 일이 아니라 부분적으로 확대 또는 축소된 것이다.
도 1은 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제1 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이 투명 터치스위치(101)는 정전용량식의 터치스위치이며, 투명기판(11)에 언더코팅층(13)을 통해 투명도전막(12)이 형성된 제1 투명 평면체(1), 및 투명기판(21)에 언더코팅층(23)을 통해 투명도전막(22)이 형성된 제2 투명 평면체(2)를 포함한다. 상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)는 각각의 투명도전막(12, 22)이 대향하도록 하고, 점착층(15)을 통해 점착된다.
상기 투명기판(11, 21)은 기재층(111, 211)의 표리면에 하드코팅층(112, 112; 212, 212)을 구비하여 구성된다. 상기 기재층(111, 211)은 투명성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하고, 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프타레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리아크릴(PAC), 에폭시 수지, 페놀수지, 지방족환상 폴리올레핀, 노보넨(norbornene)계의 열가소성 투명수지 등의 가요성 필름이나 이들 2종 이상의 적층체 또는 유리판 등을 예로 들 수 있다. 상기 기재층(111, 211)의 두께는 20∼500㎛정도가 바람직하고, 상기 하드코팅층(112, 212)의 두께는 3∼5㎛정도가 바람직하다. 상기 기재층(111, 211)은 강성을 부여하기 위한 지지체가 점착될 수 있다.
상기 언더코팅층(13, 23)은 광굴절율이 다른 2 이상의 층의 적층체로 구성되고, 저굴절율층 측에 투명도전막(12, 22)이 형성되도록 배치되어 투명성을 향상시킨다.
상기 언더코팅층(13, 23)의 적층체를 구성하는 각 층의 재료로서는 산화규소, 산화티탄, 산화주석 등을 예로 들 수 있고, 바람직한 조합으로서, 산화주석-산화하프늄계, 산화규소-산화주석계, 산화아연-산화주석계, 산화주석-산화티탄계 등을 예로 들 수 있다. 상기 언더코팅층(13, 23)은 스퍼터링(sputtering)법, 저항 증착법, 전자빔 증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 재료로서는, 인듐주석 산화물(ITO), 산화아연, 산화인듐, 안티몬(antimony)첨가 산화주석, 불소첨가 산화주석, 알루미늄첨가 산화아연, 칼륨첨가 산화아연, 실리콘첨가 산화아연이나, 산화아연-산화주석계, 산화인듐-산화주석계, 산화아연-산화인듐-산화마그네슘계 등의 금속산화물을 예로 들 수 있고, 이들 2종 이상을 복합하여 형성할 수도 있다. 상기 투명도전막(12, 22)의 형성방법은 스퍼터링법, 진공증착법, 이온도금법 등의 PVD법이나, CVD법, 도공법, 인쇄법 등을 예로 들 수 있다. 상기 투명도전막(12, 22)의 두께는 보통 10∼50nm정도이다.
상기 투명도전막(12, 22)은, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 평행하게 연장하는 복수의 띠형상 도전부(12a, 22a)의 집합체로 해서 각각 형성되고, 각 투명도전막(12, 22)의 띠형상 도전부(12a, 22a)는 서로 직교하도록 배치된다. 상기 투명도전막(12, 22)은 도전성 잉크 등으로 이루어지는 루트(route) 회로(미도시) 를 통해 외부의 구동회로(미도시)에 접속된다. 상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상은 본 실시 예의 것에 한정되지 않고, 손가락 등의 접촉 포인트를 검출가능한 한, 임의인 형상으로 할 수 있다. 예를 들면, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이 투명도 전막(12, 22)을 복수의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)가 직선 형태로 연결된 구성으로 하고, 각 투명도전막(12, 22)에 있어서의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)의 연결 방향이 서로 직교하며, 또한 평면에서 보았을 경우, 상하의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)가 겹치지 않도록 배치할 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 패터닝은, 투명기판(11, 21)에 언더코팅층(13, 23)을 통해 각각 형성된 투명도전막(12, 22)의 표면에, 소정의 패턴 형상을 갖는 마스크부를 형성하고, 노출 부분을 산액(acid liquid) 등으로 에칭 제거한 후, 알칼리액 등에 의해 마스크부를 용해시켜 실행할 수 있다. 이와 같이 투명도전막(12, 22)의 패터닝을 에칭에 의해 행하는 방법은, 불필요한 투명도전막(12, 22)이 제거될 수 있고, 언더코팅층(13, 23)은 모두 잔존시킬 수 있다. 다만, 패터닝의 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 공지의 방법으로 행할 수 있다. 또한 불필요한 투명도전막(12, 22)을 제거할 때, 언더코팅층(13, 23)도 병행해서 제거할 수 있다.
본 실시 예의 투명 터치스위치에 있어서의 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)는 각각의 대향면(투명도전막(12, 22)이 형성된 면)에 오버코팅층(14, 24)이 형성된다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 재료로서는, 산화규소, 산화티탄, 산화주석 등을 예로 들 수 있지만, 특히 실리콘주석 산화물(silicon-tin oxide)을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 두께는 보통 10∼500nm 정도이며, 굴절율은 1.3∼2.3 정도이다.
상기 제1 투명 평면체(1)에 있어서의 오버코팅층(14)의 두께는 투명도전막(12)의 두께보다 큰 것이 바람직하고, 상기 오버코팅층(14)의 굴절율은 투명도전 막(12)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다. 상기 제2 투명 평면체(2)에 있어서의 오버코팅층(24)에 대해서도 동일하게, 투명도전막(22)보다 두께가 크고, 또한 투명도전막(22)보다 굴절율이 작은 것이 바람직하다. 상기 오버코팅층(14)의 굴절율은, 예를 들면 실리콘주석 산화물로부터 이루어질 경우, 실리콘과 주석의 성분비를 변화시킴으로써 적절히 조정가능하다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 두께 및 굴절율을 상기한 바와 같이 설정함으로써, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)의 투과스펙트럼 및 반사스펙트럼의 형상을 투명도전막(12, 22)이 형성되어 있는 부분과 형성되어 있지 않은 부분에서 근사시킬 수 있고, 색조(명암) 차이를 작게 할 수 있다. 그 결과, 상기 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 있어서, 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상을 눈에 두드러지게 않게(inconspicuous) 할 수 있어 시인성을 향상시킬 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 투명도전막(12, 22)이 형성되지 않은 부분의 투과스펙트럼(또는 반사스펙트럼)의 형상은, 상기 오버코팅층(14, 24)의 두께가 증가함에 따라, 투명도전막(12, 22)이 형성되어 있는 부분의 투과스펙트럼(또는 반사스펙트럼)의 형상에 점점 근접해 간다. 따라서 양자의 스펙트럼 형상이 대략 일치하도록, 상기 오버코팅층(14, 24)의 두께를 적절히 설정함으로써, 양호한 시인성을 얻을 수 있다. 예를 들면 상기 오버코팅층(14, 24)이 실리콘주석 산화물(굴절율: 약 1.7)로 이루어질 경우, 후술하는 실험 결과에 나타낸 바와 같이 오버코팅층(14, 24)의 두께를 70∼80nm로 하는 것이 바람직하다.
또한 상기 오버코팅층(14, 24)의 굴절율은, 상기한 바와 같이 투명도전 막(12, 22)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하지만, 이 굴절율의 차이가 지나치게 작으면 오버코팅층(14, 24)을 구비한 효과를 충분히 얻을 수 없으며, 굴절율의 차이가 지나치게 크면, 계면에서의 반사가 커져 투과율이 저하되는 경향에 있기 때문에, 양자의 굴절율의 차이는 0.03∼0.4인 것이 바람직하고, 0.1∼0.3인 것이 보다 바람직하다.
상기 오버코팅층(14, 24)의 형성 방법으로서는 스퍼터링법, 저항증착법, 전자빔증착법 등의 드라이 코팅법을 예로 들 수 있고, 이에 의해 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 있어서의 언더코팅층(13, 23)의 노출면 및 투명도전막(12, 22)의 표면에, 오버코팅층(14, 24)을 대략 동일 두께로 형성할 수 있다.
상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)의 점착은, 공기층이 개재되지 않도록 점착층(15)을 전체에 개재시켜 실행하는 것이 바람직하다. 상기 점착층(15)은 에폭시계나 아크릴계 등, 일반적인 투명 접착제를 사용할 수 있고, 노보넨계 수지의 투명성 필름으로 이루어지는 심재를 포함할 수 있다. 상기 점착층(15)의 두께는 보통 25∼75㎛이며, 굴절율은 1.4∼1.6이다.
상기 점착층(15)의 굴절율은 오버코팅층(14, 24)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다. 이에 따라 상기 투명도전막(12)(또는 22), 오버코팅층(14)(또는 24)및 점착층(15)이 적층된 순서로, 굴절율이 점점 작아지도록 구성할 수 있고, 투명 터치스위치 전체의 투과스펙트럼 및 반사스펙트럼의 형상을, 투명도전막(12, 22)이 형성되어 있는 부분과 형성되어 있지 않은 부분에서 근사시켜, 색조(명암) 차이를 작게 할 수 있다. 그 결과, 상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상을 눈에 두드러지 게 않게 할 수 있어 시인성을 향상시킬 수 있다.
상기한 구성을 포함하는 투명 터치스위치에 있어서, 터치 위치의 검출 방법은 종래 정전용량식의 터치스위치와 동일한 것으로, 제1 투명 평면체(1)의 표면 측에 있어서의 임의인 위치를 손가락 등으로 접촉하면, 투명도전막(12, 22)은 접촉 위치에 있어서 인체의 정전용량을 거쳐 접지되고, 이때 상기 투명도전막(12, 22)을 흐르는 전류값을 검출함으로써, 접촉 위치의 좌표가 연산된다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 표면 저항치는 정전용량식 터치스위치로서 정상적으로 작동하는 절연성을 확보할 수 있게 충분히 큰 것이 바람직하고, 예를 들면 1×1012(Ω/□) 이상이다.
본 발명의 제1 실시 예의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 제1 투명 평면체(1)의 표면 측(투명도전막(12)이 형성된 면과 반대 측)에는 직선편광판을 구비할 수 있다. 상기 직선편광판을 구비한 경우에는, 투명기판(11, 21)을 광등방성(光等方性) 재료로 구성할 필요가 있다. 상기 직선편광판은 요오드(iodine)나 2색성 염료 등의 2색성 색소를 흡착 배향시킨 폴리비닐알코올(PVA)의 연신 필름을 예로 들 수 있고, 이 필름의 양면에는 보호 필름으로서의 트리아세테이트(TAC) 필름이 접착한 한 것을 사용할 수 있다. 광등방성 재료는 입사하는 모든 빛에 대하여 편광성을 갖지 않는 재료로서, 예를 들면 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아크릴(PAC), 비정질 폴리올레핀계 수지, 환상 폴리올레핀계 수지, 지방족환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성투명수지, 글래스 재료 등을 예로 들 수 있다.이들 재 료를 이용하여 투명기판(11, 21)을 형성하는 방법으로서는, 캐스팅(casting)이나 압출(extrusion)로 하는 방법을 이용할 수 있다.
이러한 구성에 의하여, 해당 직선편광판을 구비하지 않을 경우에 비해서, 터치스위치 내부로 입사되는 가시광선에 의해 기인하는 반사광량을 약 절반 이하로 억제할 수 있다. 또한 상기 투명도전막(12, 22)이 눈에 쉽게 두드러지게 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 상기 직선편광판과 λ/4 위상차판을 전면 점착하고, 터치스위치(101)의 반대면(제2 투명 평면체(2)의 이면측)에 λ/4 위상차판을 전면 점착함으로써, 원편광 구성을 형성할 수 있다. 상기 λ/4 위상차판은, 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리카보네이트(PC), 노보넨계의 열가소성수지, 환상 폴리올레핀수지 등의 필름을 연신해서 복굴곡성을 부여한 것을 예로 들 수 있다. 상기 직선편광판으로의 λ/4 위상차판의 점착에 있어서, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 또한 상기 제2 투명 평면체 이면측으로의 λ/4 위상차판의 점착에 대해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 λ/4 위상차판은, 일측의 λ/4 위상차판의 광학축이 타측의 λ/4 위상차판의 광학축에 대하여 직교하도록 배치되는 것이 바람직하다.
이와 같이 원편광 구성을 형성함으로써, 반사광을 원편광화하고, 2개의 λ/4 위상차판에 끼워진 부분의 터치스위치의 내면반사를 감소시켜 양호한 저반사성을 부여할 수 있다. 이에 따라 투명도전막(12, 22)이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편 투명기판(11, 21) 자체를 λ/4 위상차판으로 해서 이에 직선편광판을 적층한 구성으로 할 수도 있다.
실시 예
이하 실시 예 및 비교 예에 근거하여 본 발명을 상세히 설명한다. 본 발명은 이하의 실시 예에 한정되는 것은 아니다.
(실시 예)
먼저 실시 예로서, 도 1에 나타낸 구성의 투명 터치스위치에 있어서, 투명도전막(12)이 형성된 부분과 투명도전막(12)이 형성되지 않은 부분의 투과율의 차이를 평가하기 위하여 도6의 (a) 및 (b)에 나타낸 2종류의 측정용 샘플(사이즈:세로 5cm, 가로 7cm)을 제작했다. 도6의 (a)에 나타낸 샘플 A는, 투명기판(11), 언더코팅층(13), 오버코팅층(14) 및 점착층(15)이 순서대로 적층되며, 투명도전막을 구비하지 않는 적층체이다. 상기 투명기판(11)은 두께가 200㎛의 PET필름으로 이루어지는 기재층(111)의 표리면에 두께가 3∼5㎛의 하드코팅층(112, 112)이 형성된 것이다. 상기 언더코팅층(13)은 두께 30nm의 산화실리콘층과, 두께 70nm의 실리콘 주석 산화물층이 투명기판(11)에 이 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 상기 오버코팅층(14)은 실리콘주석 산화물을 스퍼터링법에 의해 두께가 70nm이 되도록 형성된 것이고, 굴절율은 1.7이다. 상기 점착층(15)은 린텍(Lintec)(주)제의 아크릴계 점착제 「P043FP」로 형성되며, 두께는 20∼30㎛이다.
한편, 도 6의 (b)에 나타낸 샘플 B는, 도 6의 (a)에 나타낸 샘플 A에 있어 서, 언더코팅층(13)과 오버코팅층(14) 사이에 ITO로 이루어지는 두께가 30nm의 투명도전막(12)이 형성된 것이다. 상기 투명도전막(12)의 굴절율은 1.95이다.
이들 2종류의 샘플 A, B에 대하여, 투명기판(11)의 표면 측에서 분광 투과 스펙트럼을 측정했다. 분광 투과율의 측정에는 (주)히타치제작소의 분광 광도계(U-3310)를 채용했다. 샘플 A 및 B의 분광 투과스펙트럼은 도7의 (a)에 나타낸 바와 같이 양자가 근사한 결과로 되었다.
또한 도 1에 나타낸 투명 터치스위치에 있어서, 오버코팅층(14)의 두께를 상기한 바와 같이 70nm로 해서 24W의 3파장형 형광등을 조사하고, 조사 각도를 변화시키면서 육안 검사를 실행한 바, 도전 패턴의 형상은 거의 시인할 수 없고, 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
다음으로 샘플 A, B에 있어서의 오버코팅층(14)의 두께를 80nm로 해서 상기와 동일한 시험을 행했다. 분광 투과스펙트럼은, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이 고파장측에서 약간의 차이가 있지만, 저파장측에서는 대략 일치하고 있어 시인성에 영향을 주기 쉬운 파장 550nm 부근에 있어서도 투과율의 차이는 작았다. 이 경우, 터치스위치에서의 육안 검사의 결과는 양호했다.
(비교 예)
상기 실시 예에 대한 비교 예로서, 도6의 (a) 및 (b)의 샘플 A, B의 구성에 있어서, 오버코팅층(14)을 구비하지 않는 샘플 C, D를 제작했다. 그리고, 상기 실시 예와 같이, 샘플 C, D의 분광 투과스펙트럼의 측정을 행했다. 투과스펙트럼의 형상은, 도 8에 나타낸 바와 같이 저파장측에서 특히 큰 차이가 발생하는 결과가 보였다.
또한 터치스위치에서의 육안 검사의 결과는, 투명도전막을 갖지 않는 샘플 C에 대하여, 투명도전막을 갖는 샘플 D는 보라색의 색조를 구비하고 있어 투명도전막의 유무가 반사광의 색조의 차이로서 분명히 인식되었다.
(제2 실시 예)
다음으로 본 발명의 제2 실태형태에 대해서 첨부된 도면을 참조해서 설명한다. 각 도면은 구성의 이해를 쉽게 하기 위해서 개략적으로 나타낸 것이며, 실제 스케일이 아니라 부분적으로 확대 또는 축소되어 있다.
도 9는 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제2 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 상기 투명 터치스위치(101)는 정전용량식의 터치스위치이며, 투명기판(11)에 언더코팅층(13)을 통해 투명도전막(12)이 형성된 제1 투명 평면체(1), 및 투명기판(21)에 언더코팅층(23)을 통해 투명도전막(22)이 형성된 제2 투명 평면체(2)를 포함한다. 상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)는 각각의 투명도전막(12, 22)이 대향하도록 하고, 점착층(15)을 통해 점착된다.
상기 투명기판(11, 21)은 기재층(111, 211)의 표리면에 하드코팅층(112, 112; 212, 212)을 구비하여 구성된다. 상기 기재층(111, 211)은 투명성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하고, 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프타레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리아크릴(PAC), 에폭시 수지, 페놀수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지, 실록산 가교형 아크릴 실리콘 수지 등의 가요성 필름이나 이들 2종 이상의 적층체 또는 유리판 등을 예로 들 수 있다. 상기 기재층(111, 211)의 두께는 20∼500㎛ 정도가 바람직하고, 상기 하드코팅층(112, 212)의 두께는 3∼5㎛ 정도가 바람직하다. 상기 기재층(111, 211)은 강성을 부여하기 위하여 지지체가 점착될 수 있다.
상기 하드코팅층(112, 212)은, 내구성 및 언더코팅층(13, 23)의 밀착성을 향상시키기 위하여 기재층(111, 211)의 표리면에 구비되는 것이 바람직하지만, 어느 한쪽 면에만 구비될 수 있고, 하드코팅층(112, 212)을 전혀 구비하지 않고 투명기판(11, 21)을 구성할 수도 있다.
상기 언더코팅층(13, 23)은 각각 저굴절율층(13a, 23a) 및 저굴절율층(13a, 23a)보다 광굴절율이 높은 고굴절율층(13b, 23b)의 적층체로 구성되고, 상기 저굴절율층(13a, 23a) 측에 투명도전막(12, 22)이 형성되도록 배치되어 투명성을 향상시킨다.
상기 언더코팅층(13, 23)의 적층체를 구성하는 각 층의 재료로서는, 산화규소, 산화티탄, 산화주석 등을 예로 들 수 있고, 바람직한 조합으로서, 산화주석-산화하프늄계, 산화규소-산화주석계, 산화아연-산화주석계, 산화주석-산화티탄계 등을 예로 들 수 있다. 시인성 향상의 관점에서 특히 바람직한 것은, 저굴절율층(13a, 23a)은 산화규소(SiOn, n=1.7∼2.0)로 이루어지고, 고굴절율층(13b, 23b)은 실리콘주석 산화물(silicon-tin oxide)로 이루어지는 조합이다. 상기 언더코팅층(13, 23)은 스퍼터링법, 저항증착법, 전자빔 증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
후술하는 본 발명자들의 시뮬레이션 결과에 따르면, 고굴절율층(13b, 23b)의 두께는 저굴절율층(13a, 23a)의 두께보다 작은 것이 바람직하고, 이에 따라 언더코팅층(13, 23)의 표면에 형성된 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 되어 시인성을 향상시킬 수 있다. 고굴절율층(13b, 23b)의 두께는 10∼25nm인 것이 바람직하고, 이 경우 저굴절율층(13a, 23a)의 두께는 25∼45nm인 것이 바람직하다.
상기 투명도전막(12, 22)의 재료로서는, 인듐주석 산화물(ITO), 산화아연, 산화인듐, 안티몬첨가 산화주석, 불소첨가 산화주석, 알루미늄첨가 산화아연, 칼륨첨가 산화아연, 실리콘첨가 산화아연이나, 산화아연-산화주석계, 산화인듐-산화주석계, 산화아연-산화인듐-산화마그네슘계 등의 금속산화물을 예로 들 수 있고, 이들의 2종 이상을 복합하여 형성할 수도 있다. 상기 투명도전막(12, 22)의 형성방법은 스퍼터링법, 진공증착법, 이온도금법 등의 PVD법이나, CVD법, 도공법, 인쇄법 등을 예로 들 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)은 상기 제1 실시 예의 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 평행하게 연장되는 복수의 띠형상 도전부(12a, 22a)의 집합체로서 각각 형성되고, 각 투명도전막(12, 22)의 띠형상 도전부(12a, 22a)는 서로 직교하도록 배치된다. 상기 투명도전막(12, 22)은 도전성 잉크 등으로 이루어지는 루틴 회로(미도시)를 통해 외부의 구동회로(미도시)에 접속된다. 상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상은, 본 실시 예의 패턴 형상에 한정되지 않고, 손가락 등의 접촉 포인트를 검출가능한 한, 임의인 형상으로 할 수 있다. 예를 들면 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 복수의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)가 직선 모양에 연결된 구성으로 투 명도전막(12, 22)을 형성하고, 각 투명도전막(12, 22)에 있어서의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)의 연결 방향이 서로 직교하고, 평면에서 볼 경우 상하의 다이아몬드형상 도전부(12b, 22b)가 겹치지 않도록 배치할 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 패터닝은, 투명기판(11, 21)에 언더코팅층(13, 23)을 통해 각각 형성된 투명도전막(12, 22)의 표면에 소정의 패턴 형상을 갖는 마스크부를 형성하고, 노출 부분을 산액(acid liquid) 등으로 에칭 제거한 후, 알칼리액 등에 의해 마스크부를 용해시켜 행할 수 있다. 이와 같이 투명도전막(12, 22)의 패터닝을 에칭에 의해 행하는 방법은, 불필요한 투명도전막(12, 22)을 제거할 수 있는 한편, 언더코팅층(13, 23)은 모두 잔존시킬 수 있다. 다만 패터닝의 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 공지의 방법으로 행할 수도 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 두께는 보통 10∼50nm 정도이다. 상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 하여 시인성을 향상시키는 관점에서는, 상기 투명도전막(12, 22)의 두께를 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하지만, 지나치게 작게 하면 막의 양호한 결정성이나 필요한 내구성, 내후성(weathering resistance)을 얻기가 곤란해지기 때문에, 10∼25nm 정도가 바람직하다.
상기 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)의 점착은, 공기층이 개재되지 않도록 점착층(15)을 전체에 개재시켜 행하는 것이 바람직하다. 상기 점착층(15)은 에폭시계나 아크릴계 등, 일반적인 투명접착제를 이용할 수 있고, 노보넨계 수지의 투명성 필름으로 이루어지는 심재를 포함할 수 있다. 상기 점착층(15)의 두께는 보통 25∼75㎛이며, 굴절율은 1.4∼1.6이다.
또한 본 발명자들의 시뮬레이션 결과에 따르면, 상기 점착층(15)의 굴절율을 적절히 변경함으로써, 투명 터치스위치(101)의 시인성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이러한 시뮬레이션에 대해서는 이하에서 설명한다. 상기 투명기판(11, 21)은 PET필름으로 이루어지는 기재층(두께:188㎛, 굴절율:1.65)의 표리면에 하드코팅층(각 두께:5㎛, 굴절율:1.52)으로 형성된 것으로 하고, 언더코팅층(13, 23)은 고굴절율층이 실리콘주석 산화물막(두께:25nm, 굴절율:1.7), 저굴절율층이 산화규소막(두께:30nm, 굴절율:1.43)으로 형성된 것으로 했다. 또한 투명도전막(12, 22)은 ITO막(두께:30nm, 굴절율:1.95)으로 형성했다. 상기 점착층(15)의 두께는 25㎛로 했다. 이 점착층(15)의 굴절율을 파라미터로 취하고, 그 값을 변화시켜 투명도전막(12, 22)이 형성된 부분과, 투명도전막(12, 22)이 형성되지 않은 부분(피복층(16, 26)이 형성되어 있는 부분)의 반사율(％)의 차이를 시뮬레이션에 의해 구했다. 반사율의 산출은 사이버넷 시스템(cybernet system)(주)제 박막설계 소프트웨어(OPTAS-FILM)를 이용해 행했다. 이 시뮬레이션에 의해 산출한 반사율(％)의 차이의 절대값을 도 10에 나타내었다. 또한 이 시뮬레이션에 있어서, 나도 오더(nano-order)의 두께를 갖는 언더코팅층(13, 23)이나 투명도전막(12, 22) 등에 비교하고, 두께가 매우 큰 부재인 투명기판(11, 21)이나 점착층(15) 등의 부재에 대해서는, 그 두께를 ∞（무한대)로 해서 반사율의 산출을 행했다.
상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 하는 것은, 투명도전막(12, 22)이 형성되어 있는 부분과 형성되지 않은 부분의 반사율차이 와 상관성을 갖고 있어, 가시영역 전체(파장: 약 400∼800nm)에 있어서의 반사율 차이의 절대값이 작을수록, 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 되어 시인성을 양호하게 할 수 있다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 반사율 차이의 절대값은 모두 점착층(15)의 굴절율이 높을수록 작아져, 시인성의 관점으로부터 볼 때 점착층(15)의 굴절율을 크게 할수록 좋은 것임을 알 수 있다.
또한 상기 투명도전막(12, 22)의 두께를 각각 15nm, 20nm 및 25nm로 했을 경우, 점착층(15)의 굴절율을 파라미터로 취하여 그 값을 변화시켜 투명도전막(12, 22)이 형성된 부분과, 투명도전막(12, 22)이 형성되지 않은 부분(피복층(16, 26)이 형성되어 있는 부분)의 반사율(％)의 차이의 절대값을 시뮬레이션에 의해 구했다. 이들의 시뮬레이션 결과를 도 11 내지 도 13에 나타내었다. 또한 도 11은 투명도전막(12, 22)의 두께를 15nm로 설정했을 경우의 결과, 도 12는 투명도전막의 두께를 20nm로 설정했을 경우, 도 13은 투명도전막의 두께를 25nm로 설정했을 경우에 있어서의 시뮬레이션 결과이다.
도 10 내지 도 13에 있어서 나타낸 각 시뮬레이션 결과에 있어서, 입력광파장 λ = 550nm에서의 점착층(15)의 각 굴절율에 있어서의 반사율 차이의 절대값을 추출한 것을 표 1에 나타내었다.
[표 1]
점착층의 굴절율 투명도전막의 두께
15nm 20nm 25nm 30nm
1.52 0.20 0.48 0.74 0.98
1.60 0.15 0.37 0.58 0.76
1.65 0.13 0.31 0.48 0.63
1.70 0.10 0.24 0.39 0.51
1.75 0.07 0.19 0.30 0.39
1.80 0.05 0.13 0.21 0.29
도 11 내지 도 13 및 표 1로부터, 투명도전막(12, 22)의 두께를 15nm, 20nm 또는 25nm로 했을 경우라도, 투명도전막(12, 22)의 두께가 30nm 경우의 시뮬레이션 결과와 같이, 반사율 차이의 절대값은 모두 점착층(15)의 굴절율이 높아질수록 작아져 시인성의 관점으로부터 점착층(15)의 굴절율을 크게 할수록 좋은 것임을 알 수 있다.
또한 표 1의 데이터로부터, 투명도전막(12, 22)의 두께가 20nm∼25nm일 경우에는, 굴절율이 1.6 이상의 점착층(15)을 사용함으로써, 반사율 차이의 절대값을 0.5 정도보다 작게 할 수 있는 것임을 알 수 있다. 따라서, 도 9에 나타낸 구성의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 투명도전막(12, 22)의 두께를 20nm∼25nm로 하고, 굴절율이 1.6 이상의 점착층(15)을 사용함으로써, 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 되어 시인성이 양호한 투명 터치스위치(101)를 얻을 수 있다.
또한 표 1의 데이터로부터, 투명도전막(12, 22)의 두께가, 내구성의 관점으로부터 바람직한 두께인 25nm∼30nm이더라도, 굴절율이 1.7이상의 점착층(15)을 사용함으로써, 반사율 차이의 절대값을 0.5 정도보다 작게 할 수 있는 것임을 알 수 있다. 따라서, 도 9에 나타낸 구성의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 투명도전막(12, 22)의 두께를 25nm∼30nm로 하고, 굴절율이 1.7이상의 점착층(15)을 사용함으로써, 투명도전막(12, 22)의 내구성을 확보하면서, 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 되어 시인성이 양호한 투명 터치스위치(101)를 얻을 수 있다.
이상의 구성을 구비하는 투명 터치스위치에 있어서, 터치 위치의 검출방법은, 종래의 정전용량식의 터치스위치와 같이, 제1 투명 평면체(1)의 표면측에 있어서의 임의의 위치를 손가락 등으로 접촉하면, 투명도전막(12, 22)은 접촉 위치에서 인체의 정전용량을 통해 접지되고, 이때 투명도전막(12, 22)을 흐르는 전류값을 검출함으로써 접촉 위치의 좌표가 연산된다.
본 발명의 제2 실시 예의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 제1 투명 평면체(1)의 표면측(투명도전막(12)이 형성된 면과 반대측)에는, 직선편광판을 구비할 수 있다. 직선편광판을 구비하는 경우에는, 투명기판(11, 21)을 광등방성 재료로 구성할 필요가 있다. 직선편광판은 요오드나 2색성 염료 등의 2색성 색소를 흡착 배향시킨 폴리비닐알코올(PVA)의 연신 필름을 예로 들 수 있고, 이 필름의 양면에 보호 필름으로서의 트리아세틸아세테이트(triacetyl acetate)(TAC) 필름을 부착시킨 것을 사용할 수 있다. 상기 광등방성 재료는, 입사하는 모든 빛에 대하여 편광성을 갖지 않는 재료로서, 예를 들면 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아크릴(PAC), 비정질 폴리올레핀계 수지, 환상 폴리올레핀계 수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지, 글래스 재료 등을 예로 들 수 있다. 이들 재료를 이용하여 투명기판(11, 21)을 형성하는 방법으로서는, 캐스팅이나 압출하는 방법을 이용할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 터치스위치 내부로 입사되는 가시광선에 의해 기인하는 반사광량을 해당 편광판을 구비하지 않는 경우에 비하여 약 절반 이하에 억제할 수 있다. 또한 투명도전막(12, 22)을 보다 눈에 두드러지게 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 직선평관판과 λ/4 위상차판을 전면 점착하고, 터치스위치(101)의 반대면(제2 투명 평면체(2)의 이면측)에 λ/4 위상차판을 전면 점착함으로써, 원형 편광 구성을 형성할 수 있다. 상기 λ/4 위상차판은, 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리카보네이트(PC), 노보넨계의 열가소성수지, 환상 폴리올레핀 수지 등의 필름을 연신해서 복굴곡성을 부여한 것을 예로 들 수 있다. 직선편광판으로의 λ/4 위상차판의 점착에 대해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해, 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 또한 제2 투명 평면체 이면측으로의 λ/4 위상차판의 점착에 대해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해, 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 λ/4 위상차판은 일측의 λ/4 위상차판의 광학축이 타측의 λ/4 위상차판의 광학축에 대하여 직교하도록 배치되는 것이 바람직하다.
이와 같이 원형 편광 구성을 형성하여 반사광을 원형 편광화하고, 2개의 λ/4 위상차판에 샌드위치된 부분의 터치스위치의 내면반사를 감소시켜 양호한 저반사성을 부여할 수 있다. 이에 따라 투명도전막(12, 22)을 보다 눈에 두드러지지 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편 투명기판(11, 21) 자체를 λ/4 위상차판으로 해서 이에 직선편광판을 적층한 구성으로 할 수 있다.
또한 본 발명의 제2 실시 예에 있어서는, 2개의 투명 평면체가 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치에 본 발명을 적용했을 경우에 관하여 설명했지만, 2개의 투명 평면체가 공기층을 통해 점착되는 저항막식의 매트릭스식 터 치스위치에 본 발명을 적용할 수 있다.
실시 예
이하 실시 예에 기초하여 본 발명을 상세히 설명한다. 본 발명은 이하의 실시 예에 한정되는 것은 아니다.
(시험 1)
먼저 투명도전막의 최적 두께를 결정하기 위해서, 투명기판에 언더코팅층을 구비하지 않고 직접 투명도전막을 형성한 구성에 있어서, 투명도전막이 형성된 부분과 투명도전막이 형성되지 않은 부분의 반사율(％)의 차이를 시뮬레이션에 의해 구했다.
투명기판은 PET필름으로 이루어지는 기재층(두께:188㎛, 굴절율:1.65)의 표리면에 하드코팅층(각 두께:5㎛, 굴절율:1.52)이 형성된 것으로 하고, 투명도전막은 ITO막(굴절율:1.95)으로 했다. 또한 투명기판에 있어서의 투명도전막 측에는 아크릴계 수지로 이루어지는 점착층(두께:25㎛, 굴절율:1.52)을 형성했다. 반사율의 산출은 사이버넷 시스템(주)제 박막설계 소프트웨어(OPTAS-FILM)를 이용해 행했다(다만 PET층 등에서의 흡수는 없는 것으로 가정하고 계산하였다). 이 구성에 있어서, 투명도전막의 두께를 파라미터로 해서 산출한 반사율(％)의 차이를 도 14에 나타내었다.
투명도전막의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않는 것은, 투명도전막이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분의 반사율 차이와 상관성을 갖고 있어, 가시영역 전체(파장: 약 400∼800nm)에 있어서의 반사율 차이의 절대값 및 변화율이 작을수 록, 패턴 형상이 쉽게 눈에 두드러지지 않게 되어 시인성을 양호하게 할 수 있다.도 14에 나타낸 같이 반사율 차이의 절대값 및 변화율은 모두 투명도전막의 두께가 얇을수록 작아져 시인성의 관점으로 볼 때, 투명도전막의 두께를 작게 할수록 바람직한 것임을 알 수 있다. 다만, 투명도전막의 결정성이나 내구성, 내후성을 높이기 위해서는, 어느 정도의 두께가 필요하기 때문에, 투명도전막의 두께는 10∼25nm이 바람직하고, 약 15nm로 하는 것이 보다 바람직하다.
(시험 2)
다음으로, 투명기판과 투명도전막 사이에 언더코팅층이 형성된 구성(도 9 참조)에 있어서, 언더코팅층을 구성하는 저굴절율층 및 고굴절율층의 최적 두께를 검토했다. 투명기판의 두께, 굴절율 및 투명도전막의 굴절율은 시험 1과 동일한 방법으로 해서 투명도전막의 두께는 시험 1의 결과로부터 15nm로 했다. 또한 투명도전막의 표면측에는 점착층을 형성하고, 이 점착층의 두께 및 굴절율도 시험 1과 동일한 방법으로 했다. 언더코팅층은 굴절율이 1.43의 산화규소로 이루어지는 저굴절율층과, 굴절율이 1.7의 실리콘주석 산화물로 이루어지는 고굴절율층의 적층체로 했다.
이 구성에 있어서, 우선 저굴절율층의 두께를 30nm로 설정하고, 고굴절율층의 두께를 파라미터로 해서, 투명도전막이 형성되지 않은 부분의 반사율의 차이를 시뮬레이션에 의해 구했다. 이 결과를 도 15에 나타내었다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 고굴절율층의 두께가 0인 경우 (즉 고굴절율층이 존재하지 않을 경우)에는, 가시영역의 저파장측(약 400∼500nm)에서 반사율 차이의 절대값 및 변화율이 커져 양호한 시인성을 얻을 수 없다. 이에 대하여 고굴절율층의 두께가 10∼20nm인 경우에는, 가시영역 전체에서 반사율 차이의 절대값 및 변화율이 모두 작아 양호한 시인성을 얻을 수 있다. 고굴절율층의 두께가 저굴절율층의 두께인 30nm보다 커지면, 반사율 차이의 절대값 및 변화율은 다시 증가하는 경향이 있어 시인성이 악화되는 경향이 있다.
다음으로 고굴절율층의 두께를 15nm로 설정하고, 저굴절율층의 두께를 파라미터로 해서 투명도전막이 형성되지 않은 부분과의 반사율의 차이를 시뮬레이션에 의해 구했다. 이 결과를 도 16에 나타내었다.
도 16에 나타낸 바와 같이, 저고굴절율층의 두께가 0인 경우(즉 저굴절율층이 존재하지 않을 경우)에는, 가시영역의 저파장측(약 400∼500nm)에서 반사율 차이의 절대값 및 변화율이 커져 양호한 시인성을 얻을 수 없다. 이에 대하여 저굴절율층의 두께가 커짐에 따라, 반사율 차이의 절대값 및 변화율은 작아지는 경향이 있어, 저굴절율층의 두께가 고굴절율층의 두께인 15nm보다 커지면, 반사율 차이의 절대값 및 변화율은 모두 충분히 작아져 양호한 시인성을 얻을 수 있다. 저굴절율층의 두께가 50nm이 되면, 반사율 차이의 절대값은 작아지는 한편, 가시영역의 저파장측에서의 반사율 차이의 변화율은 커져 시인성이 서서히 악화하는 경향이 있다.
이와 같은 시뮬레이션 결과로부터, 언더코팅층에 있어서의 고굴절율층의 두께는 저굴절율층의 두께보다 작은 것이 바람직한 것임을 알았다. 구체적으로, 고굴절율층의 두께는 10∼25nm인 것이 바람직하고, 이 경우, 저굴절율층의 두께는 25∼ 45nm인 것이 바람직하다.
이러한 시뮬레이션 결과에 근거하여, 고굴절율층의 두께를 15nm, 저굴절율층의 두께를 35nm로 하여 실제 투명 평면체를 시험 제작한 바, 도전층의 패턴형상을 시인 할 수 없어 양호한 시인성을 얻을 수 있었고, 상기 시뮬레이션 결과의 유효성을 확인했다.
(시험 3)
시험 2에서 구해진 언더코팅층에 있어서의 저굴절율층 및 고굴절율층의 바람직한 두께는, 언더코팅층 이외 다른 층의 두께 등이 변화되더라도, 거의 동일한 경향이 있다. 예를 들면 시험 2에서 투명도전막의 두께가 커지면, 저굴절율층 및 고굴절율층의 바람직한 두께의 수치범위는 거의 변화되지 않지만, 바람직한 조건으로부터 벗어난 경우의 시인성에서는 악화가 보다 현저하게 되었다. 일례로서, 시험 2의 구성(저굴절율층의 두께:30nm)에서, 투명도전막의 두께를 15nm로부터 20nm로 변화시켰을 경우, 고굴절율층의 두께를 파라미터로 한 반사율 차이를 도 17에 나타내었다.
또한 투명기판에서 기재층의 표리면에 형성한 하드코팅층의 일측 또는 양측을 구비하지 않은 구성의 경우, 언더코팅층에 있어서의 고굴절율층 및 저굴절율층의 바람직한 두께 범위는 시험 2에서의 수치범위보다 넓어지는 경향이 있었고, 예를 들면 고굴절율층을 구비하지 않고 저굴절율층만으로 언더코팅층을 구성한 경우에도 어느 정도의 시인성을 얻을 수 있었다.
(제3 실시 예)
다음으로, 본 발명의 제3 실태 형태에 대해서 첨부된 도면을 참조해서 설명한다. 각 도면은 구성의 이해를 쉽게 하기 위해서 개략적으로 나타낸 것이며, 실제 스케일이 아니라 부분적으로 확대 또는 축소되어 나타낸 것이다.
도 18은 본 발명에 관한 투명 터치스위치의 제3 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 상기 투명 터치스위치(101)는 정전용량식의 터치스위치이며, 투명기판(11)의 일측면에 패터닝된 투명도전막(12)이 형성된 제1 투명 평면체(1) 및 투명기판(21)의 일측면에 패터닝된 투명도전막(22)이 형성된 제2 투명평면체(2)를 구비한다. 상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)는, 각각의 투명도전막(12, 22)이 대향하도록 하고, 점착층(15)을 통해 점착된다.
상기 투명기판(11, 21)은 기재층(111, 211)의 표리면에 하드코팅층(112, 112; 212, 212)을 구비하여 구성된다. 상기 기재층(111, 211)은 투명성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하고, 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프타레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리아크릴(PAC), 에폭시수지, 페놀수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지 등의 가요성 필름이나 이들 2종 이상의 적층체 또는 유리판 등을 예로 들 수 있다. 상기 기재층(111, 211)의 두께는 20∼500㎛정도가 바람직하고, 하드코팅층(112, 212)의 두께는 3∼5㎛정도가 바람직하다. 상기 기재층(111, 2111)은 강성을 부여하기 위하여 지지체가 점착될 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 재료로서는, 인듐주석 산화물(ITO), 산화인듐, 안티몬첨가 산화주석, 불소첨가 산화주석, 알루미늄첨가 산화아연, 칼륨첨가 산화아연, 실리콘첨가 산화아연이나, 산화아연-산화 주석계, 산화인듐-산화 주석계, 산화아연-산화인듐-산화마그네슘계, 산화아연 등의 금속산화물을 예로 들 수 있고, 이들의 2종 이상을 복합하여 형성할 수도 있다.
또한 카본 나노튜브나 카본 나노혼(carbon nanohorn), 카본 나노와이어, 카본 나노파이버(carbon nanofiber), 그래파이트 피브릴(graphite fibril) 등의 극세 도전 탄소섬유를 바인더로서 기능하는 폴리머 재료에 분산시킨 복합재를 투명도전막(12, 22)의 재료로서 이용할 수 있다. 여기에서 폴리머 재료로서는, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polytiophene), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylene vinylene), 폴리페닐렌술파이드(polyphenylene sulfide), 폴리p-페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리 복소환 비닐렌(poly(heterocyclic vinylene)), PEDOT:poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 도전성 폴리머를 채용할 수 있다. 또한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프타레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리아크릴(PAC), 폴리이미드, 에폭시수지, 페놀수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지 등의 비도전성 폴리머를 채용할 수도 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 재료로서, 특히 카본 나노튜브를 비도전성 폴리머 재료에 분산시킨 카본 나노튜브 복합재를 채용했을 경우, 카본 나노튜브는 직경이 일반적으로 0.8nm∼1.4nm(1nm 전후)로 매우 가늘기 때문에, 1개 또는 1다발씩 비도전성 폴리머 재료 중에 분산시킴으로써 카본 나노튜브가 광투과를 저해하는 것을 감소시켜 투명도전막(12, 22)의 투명성을 확보함에 있어서 바람직하다.
상기 투명도전막(12, 22)의 형성 방법은 스퍼터링법, 진공증착법, 이온도금법 등의 PVD법이나, CVD법, 도공법, 인쇄법 등을 예로 들 수 있다. 투명도전막(12, 22)의 두께는 보통 10∼50nm 정도이다.
상기 투명도전막(12, 22)은, 상기한 제1 실시 예에서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 평행하게 연장되는 복수의 띠형상 도전부(12a, 22a)의 집합체로서 각각 형성되고, 각 투명도전막(12, 22)의 띠형상 도전부(12a, 22a)는 서로 직교하도록 배치된다. 상기 투명도전막(12, 22)은 도전성 잉크 등으로 루틴 회로(미도시)를 통해 외부의 구동회로(미도시)에 접속된다. 상기 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상은, 본 실시 예의 패턴 형상에 한정되지 않으며, 손가락 등의 접촉 포인트를 검출가능한 한, 임의인 형상으로 형성할 수 있다. 예를 들면 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 투명도전막(12, 22)을, 복수의 다이아몬드형 도전부(12b, 22b)가 직선 모양으로 연결된 구성으로 하여 각 투명도전막(12, 22)에 있어서의 다이아몬드형 도전부(12b, 22b)의 연결 방향이 서로 직교하고, 또한 평면에서 볼 경우, 상하의 다이아몬드형 도전부(12b, 22b)가 겹치지 않도록 배치할 수 있다.
상기 투명도전막(12, 22)의 패터닝은, 투명기판(11, 21)에 각각 형성된 투명도전막(12, 22)의 표면에 소정의 패턴 형상을 갖는 마스크부를 형성하고, 노출 부분을 산액 등으로 에칭 제거한 후, 알칼리액 등에 의해 마스크부를 용해시켜 행할 수 있다. 다만, 패너닝의 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 공지의 방법으 로 행할 수 있다.
본 발명의 제3 실시 예의 투명 터치스위치에 있어서의 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)의 투명기판(11, 21)의 일측면(투명도전막(12, 22)이 형성된 면)에 있어서, 투명도전막(12, 22)이 형성되지 않은 노출부(11a, 21a)에는 해당 노출부(11a, 21a)를 덮는 피복층(16, 26)이 구비된다. 상기 피복층(16, 26)은 표면이 투명도전막(12, 22)의 표면과 대략 동일 평면을 이루도록 형성된다. 상기 피복층(16, 26)의 재료로서는, 실리콘주석 산화물, 산화규소, 산화티탄, 산화주석, 산화세륨, 5산화니오브(niobium pentoxide), 5산화탄탈(tantalum pentoxide), 산화지르코늄, 또한 복합 산화물로서 산화지르코늄-산화규소, 산화지르코늄-산화주석, 산화지르코늄-2산화티탄 등을 예로 들 수 있지만, 특히 실리콘주석 산화물을 이용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 피복층(16, 26)의 굴절율은, 투명도전막(12, 22)의 굴절율과 동일하게 하고, 예를 들면 실리콘주석 산화물로 이루어질 경우, 실리콘과 주석의 성분비를 변화시킴으로써 적절히 조정할 수 있다. 여기에서, 상기 피복층(16, 26)과 투명도전막(12, 22)의 굴절율이 동일하다는 것은, 피복층(16, 26)과 투명도전막(12, 22)의 굴절율이 완전하게 일치할 경우뿐만 아니라, 투명도전막(12 ,22)의 패턴 형상이 눈에 두드러지지 않게 할 수 있는 범위에서, 상기 피복층(16, 26)과 투명도전막(12, 22)의 굴절율에 차이가 있을 경우도 포함하는 개념이다. 구체적으로, 예를 들면 피복층(16, 26)의 굴절율과 투명도전막(12, 22)의 굴절율 차이의 절대값은 0.08 이내인 것이 바람직하고, 0.03 이내인 것이 보다 바람직하다.
또한 상기 투명도전막(12, 22)의 재료로서, 카본 나노튜브 복합재를 선택했을 경우, 카본 나노튜브 복합재의 굴절율은, 인듐주석 산화물(ITO)의 굴절율보다 낮기 때문에(카본 나노튜브 복합재의 굴절율은 예를 들면 약 1.6 정도임에 반해, 인듐주석 산화물의 굴절율은 1.9∼2.0), 투명도전막(12, 22)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는 피복층(16, 26)의 재료의 선정이 용이하게 이루어진다.
상기 피복층(16, 26)의 형상 및 굴절율을 상기한 바와 같이 설정함으로써, 제1 투명평면체(1) 및 제2 투명평면체(2)의 투과스펙트럼 및 반사스펙트럼의 형상을, 투명도전막(12, 22)이 형성되어 있는 부분과 형성되지 않은 부분에서 대략 동일하게 할 수 있어 색조(명암)의 차이를 작게 할 수 있다. 그 결과, 상기 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 있어서, 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 두드러지지 않게 할 수 있어 시인성을 향상시킬 수 있다.
상기 피복층(16, 26)의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법, 저항증착법, 전자빔증착법 등의 드라이 코팅법을 예로 들 수 있다. 이 드라이 코팅법을 채용한 피복층(16, 26)의 형성 방법에 대해서 구체적으로 설명하면, 도 19의 (a)에 나타낸 바와 같이, 투명기판(11(21))에 형성된 투명도전막(12(22))의 표면에 소정의 패턴 형상을 갖는 마스크부(50)를 형성한다. 그리고, 마스크부(50)가 형성되지 않은 투명도전막(12(22))의 노출 부분(51)을 에칭 제거함으로써 노출부(11a(21a))를 형성한다(도 19의 (b)참조). 다음으로 피복층을 구성하는 재료를 드라이 코팅법에 의해, 노출부(11a(21a)) 및 마스크부(50) 상으로 코팅한다. 이때, 노출부(11a(21a)) 상에 코팅되는 피복층의 두께는 투명도전막(12(22))의 두께와 대략 동일하게 되도록 한 다(도 19의 (c)참조). 이후 마스크부(50)를 제거함으로써, 투명도전막(12(22))의 표면과 대략 동일 평면이 되는 피복층(16(26))을 노출부(11a(21a))에 형성할 수 있다(도 19의 (d)참조). 또한 스크린인쇄법, 그라비아인쇄법, 바 코팅법, 스핀 코팅법, 다이 코팅법, 스프레이 코팅법 등의 웨트 코팅법(wet coating)에 의해 투명도전막(12, 22) 및 노출부(11a, 21a)가 완전히 커버되도록 피복층의 재료로 코팅한 후, 에칭을 행하고, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 있어서의 피복층(16, 26)의 표면을 투명도전막(12, 22)의 표면과 대략 동일면이 되도록 형성할 수 있다.
상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)의 점착은 공기층이 개재되지 않도록 점착층(15)을 전체에 개재시켜 행하는 것이 바람직하다. 상기 점착층(15)은 에폭시계나 아크릴계 등, 일반적인 투명 접착제를 이용할 수 있고, 노보넨계 수지의 투명성 필름으로 이루어지는 심재를 포함할 수 있다. 상기 점착층(15)의 두께는 보통 25∼100㎛이다.
상기한 구성을 구비하는 투명 터치스위치에 있어서, 터치 위치의 검출방법은 종래의 정전용량식의 터치스위치와 동일하게, 제1 투명 평면체(1)의 표면측에 있어서의 임의인 위치를 손가락 등으로 접촉하면, 투명도전막(12, 22)은 접촉 위치에서 인체의 정전용량을 통해 접지되고, 이때 투명도전막(12, 22)을 흐르는 전류치를 검출함으로써 접촉 위치의 좌표가 연산된다. 피복층(16, 26)의 표면 저항값은 정전용량식 터치스위치로서 정상적으로 작동하는 절연성을 확보할 수 있게 충분히 큰 것 이 바람직하고, 예를 들면 1×1012(□/Ω) 이상이다.
상기에서는 본 발명에 관한 제3 실시 예에 관하여 설명했지만, 본 발명의 구체적인 양태는 상기 제3 실시 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 20에 나타낸 바와 같이, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 있어서, 각각 투명도전막(12, 22) 및 피복층(16, 26)의 표면을 덮는 오버코팅층(14, 24)을 더 구비하는 구성을 채용할 수 있다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 표면(14a, 24a)은 전체에 걸쳐 평탄하게 되도록 형성된다. 이러한 구성을 채용함으로써, 투명도전막(12, 22)의 패턴 형상이 눈에 두드러지지 하지 않는 효과를 유지하면서, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)의 투명도전막(12, 22)을 보호할 수 있다. 상기 오버코팅층(14, 24)의 표면 저항값은 정전용량식 터치스위치로서 정상적으로 작동하는 절연성을 확보할 수 있도록 충분히 큰 것이 바람직하고, 예를 들면 1×1012(□/Ω) 이상이다.
상기 오버코팅층(14, 24)의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법, 저항증착법, 전자빔증착법 등의 드라이 코팅법 또는 스크린인쇄법, 그라비아인쇄법, 바코팅법, 스핀코팅법, 다이코팅법, 스프레이코팅법 등의 웨트 코팅법을 예로 들 수 있다.
상기 오버코팅층(14, 24)의 재료로서, 예를 들면 피복층(16, 26)의 재료와 동일 재료를 사용할 경우, 스크린인쇄법 등에 의해 피복층(16, 26) 및 오버코팅층(14, 24)을 동시에 형성할 수 있어 투명 평면체(1, 2)를 효율적으로 제조할 수 있다. 또한 상기 오버코팅층(14, 24)의 재료로서, 피복층(16, 26)의 재료와 다른 재료를 사용할 수 있다.
본 발명자들의 시뮬레이션 결과에 따르면, 오버코팅층(14, 24)의 두께는 스퍼터(sputter) 박막으로서 형성할 경우에 있어서의 막 제조 조건으로서 현실적으로 가능한 하한 막두께인 10nm로부터 30nm정도 또는 1㎛정도인 것이 바람직하다. 이 시뮬레이션에 대해서는 이하에서 설명한다. 투명기판(11, 21)은 PET필름으로 이루어지는 기재층(두께:188㎛, 굴절율:1.65)의 표리면에 하드코팅층(각 두께:5㎛, 굴절율:1.52)이 형성된 것으로 했다. 투명도전막(12, 22)은 ITO막(두께:30nm, 굴절율:1.95)으로 하고, 피복층(16, 26)은 실리콘주석 산화물(두께:30nm, 굴절율:1.9)로 했다. 상기 점착층(15)은 아크릴계 수지(두께:25㎛, 굴절율:1.52)로 했다. 상기 오버코팅층의 굴절율은 1.9로 하고, 이 오버코팅층의 두께를 파라미터로 취하여 그 값을 변화시켜 투명도전막(12, 22)이 형성된 부분과 투명도전막(12, 22)이 형성되지 않은 부분(피복층(16, 26)이 형성되어 있는 부분)의 반사율(％)의 차이를 시뮬레이션에 의해 구했다. 반사율의 산출은 사이버넷 시스템(주)제 박막설계 소프트웨어(OPTAS-FILM)를 이용해 행했다. 이 시뮬레이션에 의해 산출한 반사율(％)의 차이를 도 21 및 도 22에 나타내었다. 도 21은 오버코팅층(14, 24)의 두께를 nm 오더(order)로 했을 경우, 도 22는 그 두께를 ㎛오더로 했을 경우의 결과이다.
투명도전막의 패턴 형상이 눈에 쉽게 두드러지지 않게 하는 것은, 투명도전막(12, 22)이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분의 반사율 차이와 상관성을 갖고 있어, 가시영역 전체(파장: 약 400∼800nm)에 있어서의 반사율 차이의 절대값 및 변화율이 작을 수록, 패턴 형상이 쉽게 눈에 두드러지지 않게 되어 시인성을 양호하게 할 수 있다. 또한 일반적으로, 반사율 차이의 절대값이 0.5 정도보다 작으면, 패턴 형상이 쉽게 눈에 두드러지지 않는다. 도 21에 있어서, 오버코팅층(14, 24)의 두께가 45nm 이상인 경우, 반사율 차이의 변화율이 크게 되는 것임에 반하여, 두께가 30nm의 경우에는 변화율이 작게 되는 것임을 알 수 있다. 이로부터, 오버코팅층(14, 24)의 두께를 30nm 이하로 하는 것이 시인성의 관점에서 볼 때 바람직한 것임을 알 수 있다.
또한 상기 오버코팅층(14, 24)의 두께가 ㎛ 오더의 경우의 결과를 나타낸 도면 22에 있어서, 오버코팅층(14, 24)의 두께가 1㎛ 이상이면, 반사율 차이의 절대값은 0.5 정도로 작아져 시인성의 관점에서 볼 때 바람직한 것임을 알 수 있다.
또한 본 실시 예에 있어서, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명평면체(2)를 점착층(15)을 통해 점착함으로써, 정전용량식의 투명 터치스위치(101)를 구성하고 있지만, 아래와 같이 해서 저항막식의 투명 터치스위치를 구성할 수도 있다. 즉, 각각의 투명도전막(12, 22)이 서로 대향하도록 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)를 스페이서를 통해 소정간격을 두고 배치함으로써 저항막식의 투명 터치스위치를 구성할 수 있다.
이 저항막식의 투명 터치스위치에 있어서의 터치 위치의 검출방법은, 종래의 저항막식의 터치스위치와 동일하게, 제1 투명 평면체(1)의 표면측에 있어서의 소정 위치를 손가락 등으로 가압함으로써 투명도전막(12, 22)은 접촉되고, 그 접점의 저항값을 가로방향과 세로방향으로 시분할적(time-sharing manner) 측정을 함으로써 접촉 위치의 좌표가 연산된다.
또한 본 실시 예에 있어서, 도 23에 나타낸 바와 같이 저굴절율층과, 이 저 굴절율층보다 광굴절율이 높은 고굴절율층을 포함하는 적층체로 구성된 언더코팅층(13, 23)을 더 구비하는 구성을 채용할 수 있다. 상기 언더코팅층(13, 23)은, 저굴절율층측에 투명도전막(12, 22) 및 피복층(16, 26)이 형성되도록 투명도전막(12, 22) 및 피복층(16, 26)과 투명기판(11, 21) 사이에 개재된다. 이러한 구성에 의해 투명 터치스위치(101)의 투명성을 향상시킬 수 있다.
상기 언더코팅층(13, 23)의 적층체를 구성하는 각 층의 재료로서는, 실리콘주석 산화막, 산화규소, 산화티탄, 산화주석 등을 예로 들 수 있고, 바람직한 조합으로서, 산화주석-산화하프늄계, 산화규소-산화주석계, 산화아연-산화주석계, 산화주석-산화티탄계 등을 예로 들 수 있다. 상기 언더코팅층(13, 23)은 스퍼터링법, 저항증착법, 전자빔증착법 등에 의해 형성할 수 있다.
또한 본 발명의 제3 실시 예의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 제1 투명평면체(1)의 표면측(투명도전막(12)이 형성된 면과 반대측)에는, 직선편광판을 구비할 수 있다. 직선편광판을 구비한 경우에는, 투명기판(11, 21)을 광등방성 재료로 구성할 필요가 있다. 직선편광판은 요오드나 2색성 염료 등의 2색성 색소를 흡착 배향시킨 폴리비닐알코올(PVA)의 연신 필름을 예로 들 수 있고, 이 필름의 양면에 보호 필름으로서의 트리아세틸아세테이트(TAC) 필름을 부착한 것을 사용할 수 있다. 광등방성 재료는 입사하는 모든 빛에 대하여 편광성을 갖지 않는 재료로서, 예를 들면 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아크릴(PAC), 비정질 폴리올레핀계 수지, 환상 폴리올레핀계 수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지, 글래스 재료 등을 예로 들 수 있다. 이들의 재료를 이용하여 투 명기판(11, 21)을 형성하는 방법으로서는, 캐스팅이나 압출하는 방법을 이용할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 터치스위치 내부로 입사되는 가시광선에 의해 기인하는 반사광량을 해당 편광판을 구비하지 않을 경우와 비교해서 약 절반 이하로 억제할 수 있다. 또한 투명도전막(12, 22)이 보다 더 쉽게 눈에 두드러지지 않게 될 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 직선편광판과 λ/4 위상차판을 전면 점착하고, 터치스위치(101)의 반대면(제2 투명 평면체(2)의 이면측)에 λ/4 위상차판을 전면 점착함으로써, 원형 편광 구성을 형성할 수 있다. 상기 λ/4 위상차판은 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리카보네이트(PC), 노보넨계의 열가소성수지, 환상 폴리올레핀 수지 등의 필름을 연신해서 복굴곡성을 부여한 것을 예로 들 수 있다. 직선편광판으로의 λ/4 위상차판의 점착에 대해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 또한 제2 투명 평면체 이면측으로의 λ/4 위상차판의 점착에 대해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 λ/4 위상차판은 일측의 λ/4 위상차판의 광학축이 타측의 λ/4 위상차판의 광학축에 대하여 직교하도록 배치되는 것이 바람직하다.
이와 같이 원형 편광 구성을 형성함으로써 반사광을 원형 편광화하고, 2개의 λ/4 위상차판에서 샌드위치된 부분의 터치스위치의 내면반사를 감소시켜 양호한 저반사성을 부여할 수 있다. 이에 따라 투명도전막(12, 22)이 보다 눈에 두드러지 지 않게 될 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편 투명기판(11, 21) 자체를 λ/4 위상차판으로 해서 이에 직선편광판을 적층한 구성으로 할 수도 있다.
(제4 실시 예)
다음으로 본 발명의 제4 실태 형태에 대해서 첨부된 도면을 참조해서 설명한다. 각 도면은 구성의 이해를 쉽게 하기 위하여 개략적으로 나타낸 것이며, 실제 스케일이 아니라 부분적으로 확대 또는 축소되어 나타낸 것이다.
도 24는 본 발명에 관한 터치스위치의 제4 실시 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이 투명 터치스위치(101)는 정전용량식의 터치스위치이며, 투명기판(11)의 일측면에 간격을 두고 복수 배치되는 띠형상 투명도전부(32)를 갖는 제1 투명 평면체(1), 및 투명기판(21)의 일측면에 간격을 두고 복수 배치되는 띠형상 투명도전부(42)를 갖는 제2 투명 평면체(2)를 구비한다. 상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)는 각각의 띠형상 투명도전부(32, 42)가 서로 대향하도록 하고, 점착층(15)을 통해 점착된다.
상기 투명기판(11, 21)은 투명성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하고, 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌나프타레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트(PC), 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드(PA), 폴리아크릴(PAC), 아크릴, 비정질 폴리올레핀계 수지, 환상 폴리올레핀계 수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지 등의 가요성 필름이나 이들 2종 이상의 적층체 또는 소다 글래스(soda-lime glass), 무알칼리 글래스, 붕규산 글래스(borosilicate glass), 석영 유리 등의 유리판 등을 예로 들 수 있다. 투명기판(11, 21)의 두께는 20∼500㎛ 정도가 바람직하다. 또한 투명기판(11, 21)의 일면 또는 양면에는, 펜이나 손가락이 상기 표면에 접촉하는 경우, 투명성, 내찰상성, 내마모성, 방현성(non-glare property) 등의 향상을 위하여 하드 코팅 가공을 실시할 수 있다.
또한 가요성을 갖는 재료로부터 투명기판(11, 21)을 형성했을 경우, 해당 투명기판(11, 21)에 강성을 부여하기 위하여 지지체를 점착할 수 있다. 지지체로서는, 유리판이나 글래스에 준하는 경도를 갖는 수지재료를 예로 들 수 있고, 그 두께는 100㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.2mm∼0.5mm인 것이 보다 바람직하다.
제1 및 제2 투명 평면체(1, 2)는, 각각 전술한 바와 같이 투명기판(11, 21)의 일측면에 간격을 두고 복수 배치되는 띠형상 투명도전부(32, 42)를 구비하고, 띠형상 투명도전부(32, 42)와 동일 재료로 이루어져, 각 띠형상 투명도전부(32, 42) 사이에 배치되는 띠형상 투명조정부(33, 43)를 구비한다. 이와 같이 제1 및 제2 투명 평면체(1, 2)에 있어서, 각 띠형상 투명도전부(32, 42) 사이에 띠형상 투명도전부(32, 42)가 동일 재료로 이루어지는 띠형상 투명조정부(33, 43)를 배치하고 있기 때문에, 띠형상 투명도전부(32, 42)의 형상이 눈에 두드러지지 않게 될 수 있어 시인성을 향상시킬 수 있다.
상기 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)는, 도 25 및 도 26의 평면도에 나타낸 바와 같이, 각각 사각형으로 형성되고, 투명기판(11, 21)이 노출하는 절연 슬릿(34, 44)을 개재시켜서 양자가 접촉하지 않고 교대에 인접하도록 배치된다. 상기 띠형상 투명도전부(32, 42)에는, 도전성 잉크 등으로 이루어 지는 루틴 회로(미도시)를 통해 외부의 구동회로(미도시)가 접속되어 전압이 인가된다. 제1 투명 평면체(1)의 띠형상 투명도전부(32)(띠형상 투명조정부(33))와 제2 투명 평면체(2)의 띠형상 투명도전부(42)(띠형상 투명조정부(43))는 서로 직교하도록 배치된다.
또한 각 띠형상 투명조정부(33, 43)는 띠형상 투명도전부(32, 42)와 띠형상 투명조정부(33, 43)의 인접 방향을 따라 연장하고, 인접하는 절연 슬릿(34, 44) 상호 간을 접속하는 복수의 저항 슬릿(35, 45)을 구비한다. 또한 각 띠형상 투명조정부(33, 43)는 절연 슬릿(34, 44)을 따라 각 띠형상 투명조정부(33, 43)를 분리하는 분리 슬릿(36, 46)을 구비한다.
상기 띠형상 투명도전부(32, 42)의 형상은 본 실시 예의 형상에 한정되지 않고, 손가락 등의 접촉 포인트를 검출가능한 한, 소정 형상으로 할 수 있다. 예를 들면, 도 27 및 도 28에 나타낸 바와 같이, 상기 띠형상 투명도전부(32, 42)는 복수의 다이아몬드형 도전부가 직선 형태로 연결되어 구성되고, 각 띠형상 투명도전부(32, 42)에 있어서의 다이아몬드형 도전부의 연결 방향이 서로 직교하고, 또한 평면에서 볼 경우, 상하의 다이아몬드형 도전부가 겹치지 않도록 배치할 수 있다. 또한 투명 터치스위치(101)의 분해능(分解能) 등의 동작 성능에 대해서는, 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)를 포갰을 경우에, 띠형상 투명도전부(32, 42)가 존재하지 않는 영역을 적게 하는 구성을 채용하는 쪽이 바람직하다. 이러한 관점으로부터, 띠형상 투명도전부(32, 42)의 형상으로서, 사각형의 구성보다 복수의 다이아몬드형 도전부가 직선 모양으로 연결된 구성 쪽이 바람직하다.
이와 같이 평면에서 바라볼 경우, 상하의 다이아몬드형 도전부가 겹치지 않도록 배치하고, 또한 도전부가 없는 부분을 적게 구성함으로써 투명 터치스위치(101)의 분해능 등의 성능을 향상시킬 수 있고, 보다 정밀도가 좋은 터치 위치를 검출할 수 있다. 또한 도 27 및 도 28에서는, 띠형상 투명조정부(33, 43)에 분리 슬릿(36, 46)을 형성하지 않는 형태를 나타내고 있다.
상기 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)의 재료로서는, 인듐주석 산화물(ITO), 산화인듐, 안티몬첨가 산화주석, 불소첨가 산화주석, 알루미늄첨가 산화아연, 칼륨첨가 산화아연, 실리콘첨가 산화아연이나, 산화아연-산화주석계, 산화인듐-산화주석계, 산화아연-산화인듐-산화마그네슘계, 산화아연, 주석산화막 등의 투명 도전재료 또는 주석, 동, 알루미늄, 니켈, 크롬 등의 금속재료, 금속산화물 재료를 예로 들 수 있고, 이들 2종 이상을 복합시켜 형성할 수도 있다. 또한 산이나 알칼리에 약한 단일 금속(simple metal)에서도 도전 재료로서 사용할 수 있다.
또한 산화아연(ZnO)은, 터치스위치나 액정용 투명 도전체 등에 있어서, 현재 가장 많이 사용되는 ITO에 비하여, 코스트가 낮은 관점으로부터, 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)의 재료로서 바람직하다. 특히, 정전용량식의 터치스위치에 사용할 경우, 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2) 사이에는 점착층(15)이 존재하고, 공기층이 개재되지 않기 때문에, 산화아연(ZnO)에 의해 구성된 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)가 직접 공기에 접촉하지 않는다. 이에 따라 산화아연(ZnO)이 산화 작용에 의해 열화되 는(deteriorate) 것을 방지할 수 있고, 저코스트로 제품(터치스위치)을 제조할 수 있다.
또한 카본 나노튜브나 카본 나노혼, 카본 나노와이어, 카본 나노파이버, 그래파이트 피브릴 등의 극세 탄소섬유를 비도전성 폴리머 재료에 분산시킨 복합재를 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)의 재료로서 이용할 수도 있다. 또한 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)를 형성하기 전에, 투명기판(11, 21)의 표면에 투명성이나 밀착성 등을 향상시키기 위한 언더코팅층을 구비할 수 있다.
상기 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)의 형성 방법에 대해서 설명한다. 먼저 상기의 재료를 이용하여, 투명기판(11, 21)의 일측면에 소정 두께의 도전막을 형성한다. 이 도전막의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법, 진공증착법, 이온도금법 등의 PVD법이나, CVD법, 도공법, 인쇄법 등을 예로 들 수 있다. 도전막의 두께는 보통 5∼100nm 정도이다.
다음으로 상기 투명기판(11, 21)에 각각 형성된 도전막의 표면에 레이저광을 조사하면서, 투명기판(11, 21) 또는 레이저광을 이동시키고, 도전막을 박리함으로써, 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)로 분리한다. 레이저광에 의해 도전막이 박리된 부분은 절연슬릿(34, 44)에 해당한다. 레이저광을 조사하는 장치로서 YAG레이저장치나 탄소 레이저 장치 등을 예로 들 수 있다. 이와 같이 레이저광에 의해 띠형상 투명도전부(32, 42)와 띠형상 투명조정부(33, 43)를 분리하는 절연 슬릿(34, 44)을 형성했을 경우, 상기 절연 슬릿(34, 44)의 폭을 예를 들면 5㎛∼400㎛로 할 수 있고, 띠형상 투명도전부(32, 42)와 띠형상 투명조정부(33, 43)의 경계는 눈에 두드러지지 않게 될 수 있어 시인성을 향상시킬 수 있다. 특히 상기 절연 슬릿(34, 44)의 폭을 예를 들면 20㎛ 이하로 형성함으로써, 육안으로 절연 슬릿(34, 44)을 식별하는 것이 곤란해지기 때문에, 시인성을 향상시키는 관점으로부터 볼 때 바람직하다.
또한 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)도, 상기와 같이 각 띠형상 투명조정부(33, 43)의 표면에 레이저광을 조사하여 도전막을 박리함으로써, 폭이 5㎛∼400㎛의 슬릿으로서 형성할 수 있다. 그 결과, 띠형상 투명조정부(33, 43)에 있어서, 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)이 형성되어 있는 부분과, 형성되지 않은 부분의 경계는 눈에 두드러지지 않게 될 수 있다. 또한 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)의 폭에 대해서도, 시인성을 향상시키는 관점으로부터 20㎛ 이하로 형성하는 것이 특히 바람직하다. 또한 후술과 같이, 띠향상 투명조정부(33, 43)를 고임피던스 상태로 하여 띠형상 투명조정부(33, 43)에 전류가 흐르기 어렵게 하는 관점으로부터, 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)의 수를 많게 형성하고, 띠형상 투명조정부(33, 43)를 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)으로부터 가늘게 분할하는 것이 바람직하다. 예를 들면 길이 방향의 길이가 60581.8㎛이며, 폭이 4880㎛의 띠형상 투명조정부(33, 43)에 대하여, 예를 들면 폭이 5㎛의 저항 슬릿을 5㎛ 간격으로 형성했을 경우, 최대 6058개의 저항 슬릿을 형성할 수 있다. 또한 저항 슬릿의 폭으로서는 9㎛으로 하고, 9개로부터 3366개의 저항 슬릿을 형성하는 것이 바람직하다. 또한 동일 치수의 띠형상 투명조정부(33, 43)에 대하여, 예를 들면 폭이 5㎛의 분리 슬릿을 5㎛간격으로 형성했을 경우, 최대 486개의 분리 슬릿을 형성할 수 있다. 또한 분리 슬릿의 폭으로서는 9㎛로 하고, 0개로부터 269개의 분리 슬릿을 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 6058개의 저항 슬릿을 형성하고, 486개의 분리 슬릿을 형성함으로써, 띠형상 투명조정부(33, 43)를 최대 2,949,759개의 영역으로 분할할 수 있다.또한, 띠형상 투명조정부(33, 43)를 8개로부터 908,550개의 영역으로 분할 하는 것이 바람직하다.
상기 제1 투명 평면체(1)와 제2 투명 평면체(2)의 점착은, 공기층이 개재되지 않도록, 점착층(15)을 전체에 개재시켜 행하는 것이 바람직하다. 점착층(15)은 에폭시계나 아크릴계 등, 일반적인 투명 접착제를 이용할 수 있고, 노보넨계 수지의 투명성 필름으로 이루어지는 심재를 포함하는 것일 수 있다. 상기 점착층(15)의 두께는 예를 들면 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 20㎛∼80㎛인 것이 바람직하다. 또한 50㎛∼80㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한 시트형 점착재를 복수매 포개어 점착층을 형성할 수 있고, 또한 복수 종류의 시트형 점착재를 포개어 형성할 수도 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 투명 터치스위치(101)에 있어서, 터치 위치의 검출 방법은 종래의 정전용량식의 터치스위치와 동일한 것으로, 제1 투명 평면체(1)의 표면측에 있어서의 임의 위치를 손가락 등으로 접촉하면, 띠형상 투명도전부(32, 42)는 접촉 위치에 있어서 인체의 정전용량을 통해 접지되어, 띠형상 투명도전부(32, 42)를 흐르는 전류값을 검출함으로써 접촉 위치의 좌표가 연산된다.
본 실시 예에 관한 투명 터치스위치(101)에 있어서, 띠형상 투명조정부(33, 43)는 복수의 저항 슬릿(35, 45)을 구비하기 때문에, 제1 투명 평면체(1)의 표면측으로의 터치 시에, 띠형상 투명도전부(32, 42)와 해당 띠형상 투명도전부(32, 42)에 인접하는 띠형상 투명조정부(33, 43) 사이에서 용량결합이 발생하고, 띠형상 투명조정부(33, 43)에 전류가 흐르더라도, 띠형상 투명조정부(33, 43) 도중에서 고임피던스가 되어 띠형상 투명조정부(33, 43)에 전류가 흐르기 어렵게 된다. 그 결과, 터치 위치의 검출에 이용되는 띠형상 투명도전부(32, 42)에 흐르는 전류량을 충분히 확보할 수 있기 때문에, 제1 투명 평면체(1)의 표면측으로의 손가락 등에 의한 터치 시와 비터치 시에 있어서의 띠형상 투명도전부(32, 42)를 흐르는 전류의 차이를 확실히 감지할 수 있고, 터치 위치의 좌표를 정밀도 있게 검출할 수 있다.
특히, 본 발명의 제4 실시 예에 있어서는, 저항 슬릿(35, 45)이 각 띠형상 투명조정부(33, 43)에 인접하는 절연 슬릿(34, 44) 상호 간을 접속하도록 구성되기 때문에, 띠형상 투명조정부(33, 43)의 길이 방향으로 전류가 흐르는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 이에 따라 띠형상 투명도전부(32, 42)에 흐르는 전류량을 보다 확보할 수 있기 때문에, 제1 투명 평면체(1)의 표면측으로의 터치 시와 비터치 시에 있어서의 띠형상 투명도전부(32, 42)를 흐르는 전류의 차이를 더 확실하게 감지할 수 있고, 터치 위치의 좌표를 정밀도 있게 검출할 수 있다.
또한 본 발명의 제4 실시 예에 있어서, 띠형상 투명조정부(33, 43)는 절연 슬릿(34, 44)을 따라 해당 띠형상 투명조정부(33, 43)를 분리하는 분리 슬릿(36, 46)을 구비하기 때문에, 띠형상 투명조정부(33, 43)에 있어서의 띠형상 투명도전 부(32, 42)와 띠형상 투명조정부(33, 43)의 인접 방향으로의 전류 흐름을 방지할 수 있고, 띠형상 투명조정부(33, 43)를 보다 고임피던스 상태로 할 수 있어 터치 위치를 정밀도 있게 검출할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시 예에 관하여 설명하였지만, 본 발명의 구체적인 양태는 상기 실시 예에 한정되지 않는다. 본 실시 예에서, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명평면체(2)에 있어서의 각각의 띠형상 투명조정부(33, 43)에 저항 슬릿(35, 45) 및 분리 슬릿(36, 46)을 형성하는 구성을 채용하고 있지만, 예를 들면 도 29에 나타낸 바와 같이 제2 투명 평면체(2)에 있어서의 띠형상 투명 조정체(23)에 저항 슬릿(25) 및 분리 슬릿(26)을 형성하는 것을 생략한 구성을 채용할 수도 있다. 이러한 구성이더라도, 손가락 등을 접촉할 수 있는 제1 투명 평면체(1)의 띠형상 투명 조정체(13)에 있어서, 저항 슬릿(15) 및 분리 슬릿(16)이 형성되기 때문에, 띠형상 투명 조정체(13)는 고임피던스 상태가 되고, 해당 띠형상 투명 조정체(13)에 전류가 흐르기 어렵게 된다. 그 결과, 터치 위치를 검출하기 위하여 이용되는 띠형상 투명도전부(32, 42)에 흐르는 전류량을 확보할 수 있고, 제1 투명 평면체(1)의 표면측으로의 손가락 등에 의한 터치 시와 비터치 시에 있어서의 띠형상 투명도전부(32, 42)를 흐르는 전류의 차이를 확실하게 감지할 수 있어 터치 위치의 좌표를 정밀도 있게 검출할 수 있다.
또한 본 발명의 제4 실시 예에 있어서의 저항 슬릿(35, 45)의 형상은, 상기한 형상에 특별히 한정되는 것은 아니며, 도 30의 (ａ)부터 (c) 또는 도 31의 (ａ) 또는 (b)의 요부 확대도에 나타낸 바와 같이, 여러 가지의 형상을 채용할 수 있다. 도 30에 있어서는, 띠형상 투명도전부(32, 42)를 사각형상으로 구성했을 경우를 나타내고 있고, 도 31에 있어서는, 띠형상 투명도전부(32, 42)를 복수의 다이아몬드형상 도전부가 직선 형태로 연결된 형상으로 구성했을 경우를 나타내고 있다.
또한 분리 슬릿(36, 46)의 형상도, 상기한 형상으로 특별히 한정되는 것은 아니며, 도 32의 (ａ) 또는 (b)의 요부 확대도에 나타낸 바와 같이 여러 가지의 형상을 채용할 수 있다. 도 32에 있어서는, 띠형상 투명도전부(32, 42)의 형상을 복수의 다이아몬드형상 도전부가 직선 형태로 연결된 형상으로 하고 있다. 또한 분리 슬릿(36, 46)을 형성하지 않는 구성을 채용할 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)를 점착층 (15)을 통해 점착함으로써, 정전용량식의 터치스위치(101)를 구성하고 있지만, 아래와 같은 저항막식의 터치스위치를 구성할 수 있다. 즉, 제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)를, 각각의 띠형상 투명도전부(32, 42)가 서로 대향하도록 스페이서를 통해 소정간격을 갖고 배치함으로써 저항막식의 터치스위치를 구성할 수 있다.
상기 저항막식의 터치스위치에 있어서의 터치 위치의 검출 방법은, 종래의 저항막식의 터치스위치와 동일한 것으로, 제1 투명 평면체(1)의 표면측에 있어서의 임의 위치를 손가락 등에서 가압함으로써 띠형상 투명도전부(32, 42)는 접촉하고, 그 접점의 저항값을 가로방향과 세로방향으로 시분할적 측정을 함으로써 접촉 위치의 좌표가 연산된다.
또한 본 발명의 제4 실시 예의 투명 터치스위치(101)에 있어서, 제1 투명 평 면체(1)의 표면측(띠형상 투명 도전체(12)가 형성된 면과 반대측)에는, 직선편광판을 구비할 수 있다. 직선편광판을 구비하는 경우, 투명기판(11, 21)을 광등방성 재료로 구성할 필요가 있다. 직선편광판은, 요오드나 2색성 염료 등의 2색성 색소를 흡착 배향시킨 폴리비닐알코올(PVA)의 연신 필름을 예로 들 수 있고, 이 필름의 양면에 보호 필름으로서의 트리아세테이트(TAC) 필름을 부착시킨 것을 사용할 수 있다. 광등방성 재료는, 입사하는 모든 빛에 대하여 편광성을 갖지 않는 재료로서, 예를 들면 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르설폰(PES), 폴리아크릴(PAC), 비정질 폴리올레핀계수지, 환상 폴리올레핀계 수지, 지방족 환상 폴리올레핀, 노보넨계의 열가소성 투명수지, 글래스 재료 등을 예로 들 수 있다. 이들 재료를 이용하여 투명기판(11, 21)을 형성하는 방법으로서는, 캐스팅이나 압출하는 방법을 이용할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 터치스위치 내부에 입사되는 가시광선에 의해 기인하는 반사 광량을 해당 편광판을 구비하지 않은 경우와 비교해서 약 절반 이하로 억제할 수 있다. 또한 띠형상 투명도전부를 보다 쉽게 눈에 두드러지지 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한 직선편광판과 λ/4 위상차판을 전면 점착하고, 터치스위치(101)의 반대면(제2 투명 평면체(2)의 이면측)에 λ/4 위상차판을 전면 점착함으로써, 원형 편광 구성을 형성할 수 있다. 상기 λ/4 위상차판은, 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리카보네이트(PC), 노보넨계의 열가소성수지, 환상 폴리올레핀 수지 등의 필름을 연신해서 복굴곡성을 부여한 것을 예로 들 수 있다. 직선편광판으로의 λ/4 위상차판 의 점착에 관해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행하여지는 것이 바람직하다. 또한 제2 투명 평면체 이면측으로의 λ/4 위상차판의 점착에 관해서도, 점착층(15)이 동일 재료로 이루어지는 점착층을 통해 공기층이 개재되지 않도록 전면 점착에 의해 행하여지는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 λ/4 위상차판은 일측의 λ/4 위상차판의 광학축이 타측의 λ/4 위상차판의 광학축에 대하여 직교하도록 배치되는 것이 바람직하다.
이와 같이 원형 편광 구성을 형성함으로써, 반사광을 원형 편광화하고, 2개의 λ/4 위상차판으로 샌드위치된 부분의 터치스위치의 내면 반사를 감소시켜 양호한 저반사성을 부여할 수 있다. 이에 따라 띠형상 투명도전부(32, 42)를 보다 더 눈에 두드러지지 않게 할 수 있어 시인성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편 투명기판(11, 21) 자체를 λ/4 위상차판으로 해서 이에 직선편광판을 적층한 구성으로 할 수도 있다.
또한 도 33의 개략적인 단면도에 나타낸 바와 같이, 하나의 투명기판(31)의 양면에 각각 소정간격을 두고 띠형상 투명도전부(32, 42)를 복수 배치하고, 복수의 저항 슬릿(35, 45) 및 복수의 분리 슬릿(36, 46)을 갖는 띠형상 투명조정부(33, 43)를 각 띠형상 투명도전부(32, 42) 사이에 배치하고, 띠형상 투명도전부(32, 42)와 띠형상 투명조정부(33, 43)가 절연 슬릿(34, 44)을 개재시켜 인접하도록 투명 평면체(30)를 구성할 수 있다. 투명기판(31)의 양면에 각각 형성되는 띠형상 투명도전부(32, 42) 및 띠형상 투명조정부(33, 43)는 그 길이 방향이 서로 직교하도록 배치된다. 이러한 구성의 투명 평면체(30)를 이용하여 정전용량식의 터치스위치를 형성했을 경우, 점착층(15)을 통해 2개의 투명 평면체(제1 투명 평면체(1) 및 제2 투명 평면체(2)에 상당)를 서로 점착시킬 필요가 없어져 제조상의 작업성을 높일 수 있다. 또한 터치스위치가 갖는 투명기판(31)은 한 장으로만 이루어지고, 점착층(15)을 필요로 하지 않기 때문에, 터치스위치의 두께를 얇게할 수 있다.
이러한 투명 평면체(30)를 형성하기 위해서는, 먼저 한 장의 투명기판(31)의 양면에 도전 막을 형성한다. 이후 투명기판(31)의 일측면에 레이저광을 조사하면서 도전막을 박리하고, 띠형상 투명도전부(32)와 띠형상 투명조정부(33)를 형성한다. 그리고, 투명기판(31)의 타측면에도 동일한 방법으로 레이저광을 조사하면서 도전막을 박리하고, 띠형상 투명도전부(42)와 띠형상 투명조정부(43)를 형성한다. 또한 투명기판(31)의 양면에 띠형상 투명도전부(32, 42) 등을 형성할 경우, 양면에 형성된 도전막을 손상시키지 않도록 막 형성 공정, 가공 공정에서의 투명기판의 취급에 주의할 필요가 있다.

Claims (38)

  1. 투명기판의 적어도 일측면에 패터닝된 투명도전막을 갖는 투명 평면체로서,
    상기 투명기판을 통해 상기 투명도전막이 형성되는 패턴형성영역을 투과한 빛의 투과스펙트럼과, 상기 투명기판을 통해 상기 투명도전막이 형성되지 않은 비패턴형성영역을 투과한 빛의 투과스펙트럼을 근사시키는 투과율 조절층을 구비하는
    투명 평면체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투과율 조절층은 상기 투명기판의 일측면을 대략 균일한 두께로 덮는 오버코팅층을 구비하고,
    상기 오버코팅층은 두께가 상기 투명도전막의 두께보다 크고, 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율보다 작은
    투명 평면체.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 오버코팅층은 실리콘주석 산화물로 이루어지는
    투명 평면체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 오버코팅층은 두께가 70∼80nm인
    투명 평면체.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명도전막의 굴절율과 상기 오버코팅층의 굴절율 차이는 0.03∼0.4인
    투명 평면체.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 투명도전막 사이에 언더코팅층이 개재되고,
    상기 언더코팅층은 광굴절율이 다른 2 이상의 층의 적층체로 구성되며, 저굴절율층 측에 상기 투명도전막이 형성되는
    투명 평면체.
  7. 청구항 2 내지 6 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고, 상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치로서,
    상기 점착층은 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율보다 작은
    투명 터치스위치.
  8. 제7항에 있어서,
    표면측에 직선편광판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  9. 제7항에 있어서,
    표면측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면측에 λ/4 위상차판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 투명기판은 λ/4 위상차판인
    투명 터치스위치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 투과율 조절층은, 저굴절율층 및 상기 저굴절율층보다 광굴절율이 높은 고굴절율층을 구비하는 적층체로 구성되는 언더코팅층을 포함하고,
    상기 언더코팅층은, 상기 저굴절율층 측에 상기 투명도전막이 형성되도록 상기 투명기판과 상기 투명도전막 사이에 개재되고,
    상기 고굴절율층의 두께는 상기 저굴절율층의 두께보다 작은
    투명 평면체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 고굴절율층의 두께는 10∼25nm이고,
    상기 저굴절율층의 두께는 25∼45nm인
    투명 평면체.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 고굴절율층은 실리콘주석 산화물로 이루어지고,
    상기 저굴절율층은 산화규소로 이루어지는
    투명 평면체.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명도전막의 두께는 10∼25nm인
    투명 평면체.
  15. 청구항 11 내지 14 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고,
    상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착된
    정전용량식의 투명 터치스위치.
  16. 청구항 11 내지 14 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하는 정전용량식의 투명 터치스위치로서,
    상기 각 투명 평면체는 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 배치되고, 점착층을 통해 점착되고,
    상기 투명도전막의 두께는 20nm∼25nm이며,
    상기 점착층의 굴절율은 1.6 이상인 정전용량식의 투명 터치스위치.
  17. 청구항 11 내지 14 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하는 정 전용량식의 투명 터치스위치로서,
    상기 각 투명 평면체는 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 배치되고, 점착층을 통해 점착되고,
    상기 투명도전막의 두께는 25nm∼30nm이며,
    상기 점착층의 굴절율은 1.7 이상인 정전용량식의 투명 터치스위치.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    표면측에 직선편광판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  19. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    표면측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면측에 λ/4 위상차판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 투명기판은 λ/4 위상차판인
    투명 터치스위치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 투과율 조절층은, 상기 투명기판의 일측면에서 상기 투명도전막이 형성되지 않은 노출부를 덮는 피복층을 구비하고,
    상기 피복층은 표면이 상기 투명도전막의 표면과 대략 동일면을 이루도록 형성되며, 굴절율이 상기 투명도전막의 굴절율과 동일한
    투명 평면체.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 피복층은 실리콘주석 산화물로 이루어지는
    투명 평면체.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 투명도전막은 카본 나노튜브 복합재로 이루어지는
    투명 평면체.
  24. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    저굴절율층 및 상기 저굴절율층보다 광굴절율이 높은 고굴절율층을 구비하는 적층체로 구성되는 언더코팅층을 더 포함하고,
    상기 언더코팅층은, 상기 저굴절율층 측에 상기 투명도전막 및 상기 피복층이 형성되도록 상기 투명도전막 및 상기 피복층과 상기 투명기판 사이에 개재되는
    투명 평면체.
  25. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명도전막 및 피복층의 표면을 덮는 오버코팅층을 더 포함하고,
    상기 오버코팅층의 표면은 평탄하게 형성되는
    투명 평면체.
  26. 청구항 21 내지 25 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고,
    상기 각 투명 평면체는, 점착층을 통해 점착된 정전용량식의 투명 터치스위치.
  27. 청구항 21 내지 24 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고,
    상기 각 투명 평면체는, 상기 투명도전막이 서로 대향하도록 스페이서를 통해 소정간격을 갖고 배치되는 저항막식의 투명 터치스위치.
  28. 제26항 또는 제27항에 있어서,
    표면측에 직선편광판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  29. 제26항 또는 제27항에 있어서,
    표면측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면측에 λ/4 위상차판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 투명기판은 λ/4 위상차판인
    투명 터치스위치.
  31. 제1항에 있어서,
    상기 투명도전막은 간격을 두고 복수 배치되는 띠형상 투명도전부를 구비하고,
    상기 투과율 조절층은 인접하는 상기 각 띠형상 투명도전부 사이에 절연 슬릿을 통해 배치되는 띠형상 투명조정부를 구비하며,
    상기 띠형상 투명조정부는 상기 띠형상 투명도전부와 동일 재료로 이루어지고, 복수의 저항 슬릿을 구비하는
    투명 평면체.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 복수의 저항 슬릿은 상기 각 띠형상 투명조정부에 인접하는 상기 절연 슬릿끼리를 접속하도록 구성되는
    투명 평면체.
  33. 제31항 또는 제32항에 있어서,
    상기 절연 슬릿을 따라 상기 각 띠형상 투명조정부를 분리하는 분리 슬릿을 더 구비하는
    투명 평면체.
  34. 청구항 31 내지 33 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고,
    상기 각 투명 평면체는 점착층을 통해 점착되는 정전용량식의 투명 터치스위치.
  35. 청구항 31 내지 33 중 어느 한 항의 기재의 투명 평면체를 복수 구비하고,
    상기 각 투명 평면체는, 상기 띠형상 투명 도전체가 서로 대향하도록 스페이서를 통해 소정간격을 갖고 배치되는 저항막식의 투명 터치스위치.
  36. 제34항 또는 제35항에 있어서,
    표면측에 직선편광판을 구비하는
    투명 터치스위치.
  37. 제34항 또는 제35항에 있어서,
    표면측에 직선편광판과 λ/4 위상차판을 구비하고, 이면측에 λ/4 위상차판 을 구비하는
    투명 터치스위치.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 투명기판은 λ/4 위상차판인
    투명 터치스위치.
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WO (1) WO2006126604A1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049182B1 (ko) * 2009-11-05 2011-07-14 한화엘앤씨 주식회사 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법
KR101372525B1 (ko) * 2013-12-03 2014-03-11 에스맥 (주) 감광성 금속 나노와이어를 이용한 터치스크린 패널의 제조 방법
KR101380102B1 (ko) * 2010-10-19 2014-04-02 주식회사 엘지화학 도전성 패턴을 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법
KR20140140197A (ko) * 2013-05-28 2014-12-09 엘지디스플레이 주식회사 터치센서를 구비한 표시장치
KR20150008918A (ko) * 2012-07-03 2015-01-23 후지필름 가부시키가이샤 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치
US9280221B2 (en) 2009-12-01 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Capacitance touch panel
US9632640B2 (en) 2012-07-03 2017-04-25 Fujifilm Corporation Transparent laminate, capacitance type input device, and image display device
KR20170072795A (ko) * 2015-12-17 2017-06-27 가부시키가이샤 와코무 터치 패널, 신호 처리 장치 및 커플링 방법
KR102490508B1 (ko) * 2022-07-18 2023-01-19 주식회사 루미디아 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판
KR102497891B1 (ko) * 2022-09-29 2023-02-09 주식회사 루미디아 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판
WO2023158274A1 (ko) * 2022-02-17 2023-08-24 주식회사 루미디아 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나

Families Citing this family (248)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9722766D0 (en) 1997-10-28 1997-12-24 British Telecomm Portable computers
JP4667471B2 (ja) * 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
JP4874145B2 (ja) * 2007-03-27 2012-02-15 グンゼ株式会社 透明面状体及び透明タッチスイッチ
TWI393938B (zh) * 2007-03-28 2013-04-21 Thin, high-visibility anti-reflective touch panel
JP4914309B2 (ja) * 2007-08-24 2012-04-11 グンゼ株式会社 基板製造方法及び基板を用いた静電容量式タッチパネル
CN101458600B (zh) * 2007-12-14 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458604B (zh) * 2007-12-12 2012-03-28 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458606B (zh) * 2007-12-12 2012-06-20 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458603B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101464763B (zh) 2007-12-21 2010-09-29 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101458596B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏及显示装置
CN101470558B (zh) * 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101655720B (zh) * 2008-08-22 2012-07-18 清华大学 个人数字助理
CN101676832B (zh) * 2008-09-19 2012-03-28 清华大学 台式电脑
CN101458594B (zh) * 2007-12-12 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458597B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101656769B (zh) * 2008-08-22 2012-10-10 清华大学 移动电话
CN101458599B (zh) 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101458602B (zh) * 2007-12-12 2011-12-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458608B (zh) * 2007-12-14 2011-09-28 清华大学 触摸屏的制备方法
CN101470566B (zh) * 2007-12-27 2011-06-08 清华大学 触摸式控制装置
CN101458605B (zh) 2007-12-12 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101419519B (zh) * 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101470560B (zh) * 2007-12-27 2012-01-25 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458595B (zh) * 2007-12-12 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458593B (zh) * 2007-12-12 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101620454A (zh) * 2008-07-04 2010-01-06 清华大学 便携式电脑
CN101419518B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458609B (zh) * 2007-12-14 2011-11-09 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101470559B (zh) * 2007-12-27 2012-11-21 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458598B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458975B (zh) * 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
CN101458601B (zh) * 2007-12-14 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464757A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458607B (zh) 2007-12-14 2010-12-29 清华大学 触摸屏及显示装置
US8574393B2 (en) 2007-12-21 2013-11-05 Tsinghua University Method for making touch panel
TWI412962B (zh) * 2007-12-21 2013-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸摸屏及顯示裝置
CN101464765B (zh) * 2007-12-21 2011-01-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 触摸屏及显示装置
CN101470565B (zh) * 2007-12-27 2011-08-24 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464766B (zh) 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101464764B (zh) * 2007-12-21 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
TWI374379B (en) 2007-12-24 2012-10-11 Wintek Corp Transparent capacitive touch panel and manufacturing method thereof
TW200928931A (en) * 2007-12-25 2009-07-01 Cando Corp Capacitive overcoat structure of touch panel and touch panel having the same
TWI408575B (zh) * 2007-12-31 2013-09-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸摸屏及顯示裝置
JP4945483B2 (ja) * 2008-02-27 2012-06-06 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネル
EP2257969B1 (en) 2008-02-28 2017-12-20 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a conductor on a substrate
CN102016768B (zh) 2008-02-28 2014-11-19 3M创新有限公司 具有变化的薄层电阻的触屏传感器
KR101080183B1 (ko) * 2008-04-04 2011-11-07 (주)멜파스 가장자리 위치 인식 특성이 개선된 접촉 감지 장치
EP2113827B8 (en) * 2008-04-30 2018-09-19 InnoLux Corporation Touch input device
TWI378377B (en) 2008-06-23 2012-12-01 Au Optronics Corp Capacitive touch panel and manufacturing method thereof
JP2010009456A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Micro Gijutsu Kenkyusho:Kk 静電容量型タッチパネル
JP5154316B2 (ja) * 2008-06-30 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト タッチパネル
US8237677B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
CN101620327B (zh) * 2008-07-04 2015-06-03 清华大学 触摸式液晶显示屏
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
KR20100006987A (ko) * 2008-07-11 2010-01-22 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
JP2010020730A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Fujitsu Component Ltd 入力検出回路、入力検出方法、入力検出プログラム、及び入力検出装置
JP4966924B2 (ja) * 2008-07-16 2012-07-04 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、透明導電性積層体及びタッチパネル、並びに透明導電性フィルムの製造方法
JP5160325B2 (ja) * 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP5788129B2 (ja) * 2008-07-18 2015-09-30 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
WO2010011779A2 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Flextronics Ap, Llc Integration design for capacitive touch panels and liquid crystal displays
JP5123774B2 (ja) * 2008-07-25 2013-01-23 株式会社ジャパンディスプレイイースト 入力装置、及びそれを備えた表示装置
US9128568B2 (en) 2008-07-30 2015-09-08 New Vision Display (Shenzhen) Co., Limited Capacitive touch panel with FPC connector electrically coupled to conductive traces of face-to-face ITO pattern structure in single plane
CN104635983B (zh) * 2008-07-31 2018-01-30 郡是株式会社 触摸开关
JP5174575B2 (ja) * 2008-07-31 2013-04-03 グンゼ株式会社 タッチパネル
JP5178379B2 (ja) * 2008-07-31 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP5253288B2 (ja) * 2009-05-08 2013-07-31 グンゼ株式会社 面状体及びタッチスイッチ
CN104282360B (zh) 2008-08-22 2017-11-03 日立化成株式会社 感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板
JP2010061425A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Hitachi Displays Ltd タッチパネル、及びこれを用いた表示装置
KR101248671B1 (ko) * 2008-09-23 2013-03-28 코오롱인더스트리 주식회사 투명전극
JP5305807B2 (ja) * 2008-09-25 2013-10-02 グンゼ株式会社 透明面状体及び透明タッチスイッチ
JP2010086684A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kuramoto Seisakusho Co Ltd 透明導電配線膜付き光学薄膜
JP5138529B2 (ja) * 2008-10-03 2013-02-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト タッチパネル
US20100117985A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-13 Bahar Wadia Capacitive touch screen and strategic geometry isolation patterning method for making touch screens
JP5133204B2 (ja) * 2008-11-06 2013-01-30 株式会社ジャパンディスプレイイースト タッチパネル
US9244568B2 (en) * 2008-11-15 2016-01-26 Atmel Corporation Touch screen sensor
US8209861B2 (en) 2008-12-05 2012-07-03 Flextronics Ap, Llc Method for manufacturing a touch screen sensor assembly
JP5287201B2 (ja) * 2008-12-12 2013-09-11 東洋紡株式会社 透明導電性積層フィルム
JP5315037B2 (ja) * 2008-12-17 2013-10-16 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量方式タッチパネル
US8274486B2 (en) 2008-12-22 2012-09-25 Flextronics Ap, Llc Diamond pattern on a single layer
JP5207958B2 (ja) * 2008-12-25 2013-06-12 日本写真印刷株式会社 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法
TW201025095A (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Giantplus Technology Co Ltd Touch-control LCD device
JP5207992B2 (ja) * 2009-01-13 2013-06-12 日本写真印刷株式会社 導電性ナノファイバーシート及びその製造方法
KR101048980B1 (ko) * 2009-01-16 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
JP5832065B2 (ja) * 2009-02-05 2015-12-16 凸版印刷株式会社 透明導電性フィルム
JP5521348B2 (ja) * 2009-02-17 2014-06-11 東レ株式会社 透明導電積層体
JP5396916B2 (ja) * 2009-03-03 2014-01-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102362245A (zh) 2009-03-04 2012-02-22 南东植 触摸屏传感器
JP5362397B2 (ja) * 2009-03-11 2013-12-11 グンゼ株式会社 透明面状体及び透明タッチスイッチ
CN101833184A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 宸鸿光电科技股份有限公司 电容式触控板与液晶显示面板的整合结构
EP2415591A4 (en) * 2009-03-31 2013-11-20 Teijin Ltd TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE AND TRANSPARENT TOUCH PANEL
JP4958020B2 (ja) * 2009-03-31 2012-06-20 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法
JP5222207B2 (ja) * 2009-04-13 2013-06-26 ポリマテック株式会社 タッチパッドおよびタッチパネル
KR101091744B1 (ko) * 2009-04-15 2011-12-08 한국과학기술연구원 메탈와이어를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
JP5335534B2 (ja) * 2009-04-22 2013-11-06 日本写真印刷株式会社 導電性成形品及びその製造方法
CN101924816B (zh) * 2009-06-12 2013-03-20 清华大学 柔性手机
US20120098791A1 (en) * 2009-06-30 2012-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panels, method for fabricating touch panels, display devices, and method for fabricating display devices
CN101943966B (zh) * 2009-07-08 2012-07-18 群康科技(深圳)有限公司 触控装置
US8237068B2 (en) * 2009-08-07 2012-08-07 OpeanPeak Inc. Projected capacitive touch-sensitive panel
CN101995990B (zh) * 2009-08-26 2013-01-09 群康科技(深圳)有限公司 触控面板及触控面板的触碰点定位方法
JP2011076932A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP5408075B2 (ja) * 2009-10-06 2014-02-05 日油株式会社 透明導電性フィルム
JP4640535B1 (ja) * 2009-10-19 2011-03-02 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル
JP4844692B2 (ja) * 2009-10-19 2011-12-28 東洋紡績株式会社 透明導電性積層フィルム
TWI397926B (zh) * 2009-10-20 2013-06-01 Toyo Boseki 透明導電性薄膜及使用它之觸控面板
WO2011065032A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体およびその製造方法ならびに静電容量式タッチパネル
JP5521535B2 (ja) * 2009-12-22 2014-06-18 日油株式会社 透明導電性フィルム
TWI477845B (zh) * 2009-12-25 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 觸控面板
JP5606093B2 (ja) * 2010-02-17 2014-10-15 アルプス電気株式会社 入力装置
JP5585143B2 (ja) * 2010-03-18 2014-09-10 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル
US20110240115A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Benyamin Buller Doped buffer layer
US9285929B2 (en) 2010-03-30 2016-03-15 New Vision Display (Shenzhen) Co., Limited Touchscreen system with simplified mechanical touchscreen design using capacitance and acoustic sensing technologies, and method therefor
US9031310B2 (en) * 2010-03-31 2015-05-12 Fujifilm Corporation Conductive film manufacturing method, conductive film, and recording medium
JP5866765B2 (ja) * 2010-04-28 2016-02-17 ソニー株式会社 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器
KR101785652B1 (ko) 2010-05-06 2017-10-16 엘지전자 주식회사 터치 패널 및 이를 포함하는 이동 단말기
KR101056264B1 (ko) * 2010-05-14 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101093651B1 (ko) * 2010-05-25 2011-12-15 전자부품연구원 금속박막을 이용한 터치패널 및 그 제조방법
WO2011148429A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 信越ポリマー株式会社 透明導電膜及びこれを用いた導電性基板
EP2592533A4 (en) 2010-07-05 2014-08-13 Dainippon Ink & Chemicals SUBSTRATE WITH A TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYER, PRODUCTION METHOD FOR THE SUBSTRATE, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMLAMINATE FOR USE IN A TOUCH PANEL AND TOUCH PANEL
JP5568398B2 (ja) * 2010-07-13 2014-08-06 株式会社カネカ 透明電極つき基板およびその製造方法
TWI425398B (zh) * 2010-07-23 2014-02-01 Elan Microelectronics Corp A transparent touchpad that improves the bonding process
KR20120010485A (ko) * 2010-07-26 2012-02-03 삼성전기주식회사 정전용량방식 터치패널
JP5659601B2 (ja) * 2010-07-26 2015-01-28 日油株式会社 透明導電性フィルム
KR20110118065A (ko) * 2010-07-27 2011-10-28 삼성전기주식회사 정전용량식 터치스크린
JP5997146B2 (ja) * 2010-07-30 2016-09-28 エルジー イノテック カンパニー リミテッド タッチパネル
JP5472858B2 (ja) * 2010-08-19 2014-04-16 グンゼ株式会社 タッチスイッチ
JP2012058956A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sony Corp 電極フィルム及び座標検出装置
JP5458443B2 (ja) * 2010-09-14 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置、および電子機器
JP5585349B2 (ja) * 2010-09-28 2014-09-10 凸版印刷株式会社 透明導電膜、ポインティングデバイス及び透明導電膜の製造方法
CN104461118B (zh) 2010-09-29 2018-10-16 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法
KR101224419B1 (ko) * 2010-10-26 2013-01-22 (주)삼원에스티 터치패널센서
JP2012093985A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Nitto Denko Corp タッチ入力機能を有する表示パネル装置と該表示パネル装置のための光学ユニット、並びにその製造方法
EP2634139A4 (en) * 2010-10-29 2017-06-07 Toray Industries, Inc. Method for manufacturing liquid dispersion of carbon-nanotube aggregates
JP2012097219A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Sony Corp 導電性インク、導電性インクの製造方法および透明導電膜の製造方法
JP5739742B2 (ja) 2010-11-04 2015-06-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5699352B2 (ja) 2010-11-11 2015-04-08 北川工業株式会社 透明導電フィルム
WO2012067444A2 (ko) * 2010-11-17 2012-05-24 주식회사 엘지화학 산화막이 형성된 도전성 필름 및 그 제조방법
TWI451317B (zh) * 2010-11-26 2014-09-01 Innolux Corp 觸摸屏
CN103238127A (zh) 2010-11-30 2013-08-07 日东电工株式会社 具有触摸输入功能的显示面板装置
WO2012074059A1 (ja) * 2010-12-02 2012-06-07 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5263277B2 (ja) * 2010-12-03 2013-08-14 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法
JP2012118936A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Dainippon Printing Co Ltd 透明シート付タッチパネルセンサ
JP5605708B2 (ja) * 2011-01-13 2014-10-15 大日本印刷株式会社 透明シート付タッチパネルセンサ
CN103984458B (zh) * 2011-01-18 2015-11-18 富士胶片株式会社 透明电极板、制造透明电极板的方法及使用该透明电极板的电容式触控面板
WO2012108068A1 (ja) 2011-02-07 2012-08-16 ソニー株式会社 透明導電性素子、入力装置、電子機器および透明導電性素子作製用原盤
WO2012111519A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 シャープ株式会社 タッチパネル及び該タッチパネルを備えた表示装置
CN102681707A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 智盛全球股份有限公司 应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法
JP5745037B2 (ja) * 2011-04-20 2015-07-08 積水ナノコートテクノロジー株式会社 光学調整フィルム及びそれを用いた透明導電性フィルム
EP2515217A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-24 Innovation & Infinity Global Corp. Transparent conductive structure applied to a touch panel and method of making the same
JP2013178593A (ja) * 2011-04-28 2013-09-09 Nissha Printing Co Ltd 相互静電容量方式タッチパネル
CN102789827A (zh) * 2011-05-19 2012-11-21 智盛全球股份有限公司 导电薄膜
JP5763417B2 (ja) * 2011-05-24 2015-08-12 ジオマテック株式会社 静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置
US20120313873A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 3M Innovative Properties Company Touch sensitive device with multilayer electrode and underlayer
JP5797025B2 (ja) * 2011-06-20 2015-10-21 日東電工株式会社 静電容量タッチパネル
KR101381817B1 (ko) * 2011-06-30 2014-04-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101304163B1 (ko) * 2011-07-04 2013-09-04 (주)엘지하우시스 시인성이 개선된 정전용량방식 터치패널
JP5542752B2 (ja) * 2011-07-06 2014-07-09 信越ポリマー株式会社 絶縁部形成方法及び導電パターン形成基板の製造方法
JP5808966B2 (ja) * 2011-07-11 2015-11-10 富士フイルム株式会社 導電性積層体、タッチパネル及び表示装置
KR20130010637A (ko) * 2011-07-19 2013-01-29 삼성전기주식회사 터치패널
EP2549305A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-23 Innovation & Infinity Global Corp. Conductive film
EP2549304A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-23 Innovation & Infinity Global Corp. Conductive film
EP2551756A1 (en) * 2011-07-26 2013-01-30 Innovation & Infinity Global Corp. Conductive film
JP5833863B2 (ja) 2011-08-24 2015-12-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP5706271B2 (ja) 2011-08-24 2015-04-22 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
TWI465796B (zh) * 2011-09-01 2014-12-21 Shih Hua Technology Ltd 觸摸屏面板
TWI465822B (zh) * 2011-09-02 2014-12-21 Shih Hua Technology Ltd 觸控式電子紙顯示器
JP5386686B2 (ja) * 2011-09-12 2014-01-15 信越ポリマー株式会社 透明導電膜及びその製造方法、導電性基板及びその製造方法
JP5757843B2 (ja) * 2011-10-21 2015-08-05 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
SG11201401965SA (en) * 2011-11-04 2014-09-26 Cambrios Technologies Corp Methods for reducing diffuse reflection of nanostructure-based transparent conductive films and touch panels made of the same
JP5264979B2 (ja) * 2011-11-25 2013-08-14 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
CN103975376A (zh) * 2011-12-01 2014-08-06 住友电木株式会社 图像显示装置
KR101284595B1 (ko) * 2011-12-23 2013-07-15 한국생산기술연구원 멀티 터치용 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법
TWI477860B (zh) * 2012-01-04 2015-03-21 Tpk Holding Co Ltd 觸控面板
US8525955B2 (en) 2012-01-31 2013-09-03 Multek Display (Hong Kong) Limited Heater for liquid crystal display
CN104093561A (zh) * 2012-02-03 2014-10-08 木本股份有限公司 附有透明导电膜的基材及触控面板
US9471185B2 (en) * 2012-02-21 2016-10-18 Atmel Corporation Flexible touch sensor input device
TWI475574B (zh) * 2012-02-29 2015-03-01 Far Eastern New Century Coprration 塗佈型透明導電膜結構及其應用
US20130221991A1 (en) * 2012-02-29 2013-08-29 Touchsensor Technologies, Llc User interface having universal sensing electrode structure
JP5889675B2 (ja) * 2012-03-05 2016-03-22 リンテック株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法
JP6095765B2 (ja) * 2012-03-30 2017-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体
WO2013143615A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Applied Materials, Inc. Transparent body for use in a touch panel and its manufacturing method and apparatus
JP5988671B2 (ja) * 2012-04-24 2016-09-07 グンゼ株式会社 導電性基板、タッチパネル、および導電性基板の製造方法
JP5292492B2 (ja) * 2012-04-24 2013-09-18 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネル、及びこれを用いた表示装置
JP5373938B2 (ja) * 2012-06-22 2013-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP5224203B1 (ja) 2012-07-11 2013-07-03 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
US9459744B2 (en) * 2012-07-31 2016-10-04 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel substrate and display device
TW201409092A (zh) * 2012-08-17 2014-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 偏光板及其觸控液晶面板和觸控顯示器
US20140049271A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-20 Matthew Trend Self-shielding co-planar touch sensor
JP5813598B2 (ja) * 2012-08-27 2015-11-17 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ基板およびタッチパネルセンサ基板の製造方法
WO2014033058A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Oc Oerlikon Balzers Ag Patterned conductor touch screen
TWI548908B (zh) 2012-08-31 2016-09-11 群創光電股份有限公司 觸控顯示裝置
CN103677386B (zh) * 2012-08-31 2017-06-20 群康科技(深圳)有限公司 导电基板及触控显示装置
US20140071533A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Ting-Ching Kuo Transparent Conductive FILM And Touch Panel Provided With Same
JP6170288B2 (ja) * 2012-09-11 2017-07-26 富士フイルム株式会社 転写材料、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
WO2014045595A1 (ja) * 2012-09-24 2014-03-27 凸版印刷株式会社 透明導電膜、透明導電膜の製造方法およびタッチパネル
JP6127251B2 (ja) * 2012-09-24 2017-05-17 グンゼ株式会社 タッチパネル
JP2014073642A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Nippon Electric Glass Co Ltd 透明導電性ガラス基板、及びタッチパネル
US9099222B2 (en) * 2012-10-10 2015-08-04 Carestream Health, Inc. Patterned films and methods
US8957322B2 (en) * 2012-12-07 2015-02-17 Cambrios Technologies Corporation Conductive films having low-visibility patterns and methods of producing the same
JP5754739B2 (ja) * 2012-12-17 2015-07-29 日本写真印刷株式会社 タッチセンサ
KR102111484B1 (ko) * 2013-01-28 2020-05-18 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 및 그 제조 방법
CN103187119B (zh) * 2013-02-06 2014-08-06 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜及其制备方法以及包含该导电膜的触摸屏
JP6674257B2 (ja) * 2013-02-27 2020-04-01 ミラエナノテック カンパニー リミテッド 静電容量方式タッチスクリーンのためのダミーパターンを使用するタッチパッドの構造
US10175829B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Transparent body with single substrate and anti-reflection and/or anti-fingerprint coating at an opposite side of the substrate from a structured transparent conductive film, and method of manufacturing thereof
US9201551B2 (en) * 2013-03-28 2015-12-01 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Capacitive touch screen
KR101879220B1 (ko) 2013-03-29 2018-07-17 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
US20140300831A1 (en) * 2013-04-08 2014-10-09 Young Fast Optoelectronics Co., Ltd. Transparent capacitive touch panel
JP5867446B2 (ja) * 2013-04-15 2016-02-24 デクセリアルズ株式会社 透明導電性素子、入力装置、電子機器および透明導電性素子作製用原盤
TWI483158B (zh) * 2013-05-14 2015-05-01 Innolux Corp 觸控面板及使用其之觸控顯示面板
KR101865685B1 (ko) 2013-05-23 2018-06-08 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
KR102077548B1 (ko) 2013-05-24 2020-04-07 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
JP5964273B2 (ja) * 2013-05-27 2016-08-03 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
JP6014551B2 (ja) * 2013-05-27 2016-10-25 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
JP5630774B1 (ja) * 2013-06-05 2014-11-26 グンゼ株式会社 透明面状体及び透明タッチパネル
JP6123125B2 (ja) * 2013-07-08 2017-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量方式タッチパネル
JP6081881B2 (ja) * 2013-07-22 2017-02-15 日本写真印刷株式会社 タッチパネル
KR101401050B1 (ko) * 2013-08-09 2014-06-27 동우 화인켐 주식회사 터치 감지 전극 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널
KR101443689B1 (ko) * 2013-08-23 2014-09-23 동우 화인켐 주식회사 편광판 일체형 터치 감지 전극
JP5669909B2 (ja) * 2013-09-19 2015-02-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
EP2863290B1 (en) * 2013-10-18 2017-12-06 Applied Materials, Inc. Layer stack for a touch panel and method for forming a layer stack
CN104637976B (zh) * 2013-11-12 2018-10-19 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管触控显示设备
JP2014038661A (ja) * 2013-11-15 2014-02-27 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するための積層体
KR101444132B1 (ko) * 2013-11-20 2014-11-04 동우 화인켐 주식회사 복합 편광판 일체형 터치 감지 전극 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
KR102262548B1 (ko) 2014-02-05 2021-06-09 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
WO2015125853A1 (ja) * 2014-02-19 2015-08-27 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、透明積層体、透明積層体の製造方法、静電容量型入力装置および画像表示装置
JP5549966B1 (ja) * 2014-03-18 2014-07-16 大日本印刷株式会社 導電性フィルム、およびタッチパネルセンサ
JP5859597B2 (ja) * 2014-04-24 2016-02-10 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
CN105659198B (zh) * 2014-04-30 2019-06-18 日东电工株式会社 透明导电性薄膜
KR102224824B1 (ko) * 2014-05-30 2021-03-08 삼성전자 주식회사 Ito 전극패턴을 포함하는 전자장치 및 그 전자장치의 제조방법
CN105260043A (zh) * 2014-06-13 2016-01-20 宸鸿科技(厦门)有限公司 具有指纹识别功能的触控面板
CN105468187A (zh) * 2014-06-18 2016-04-06 宸鸿科技(厦门)有限公司 具有指纹识别功能的触控面板
JP5683734B1 (ja) * 2014-07-01 2015-03-11 グンゼ株式会社 透明導電性積層体、タッチパネル、および透明導電性積層体の製造方法
JP5889975B2 (ja) * 2014-08-13 2016-03-22 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
CN104182110B (zh) * 2014-09-12 2017-10-24 业成光电（深圳）有限公司 电阻式触控面板
KR102218718B1 (ko) * 2014-10-10 2021-02-19 엘지전자 주식회사 전도성 필름 및 이의 제조 방법, 그리고 전도성 필름을 포함하는 터치 패널 및 디스플레이 장치
KR101942294B1 (ko) 2014-12-09 2019-01-25 동우 화인켐 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 구비하는 화상표시장치
JP2016153963A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 タッチパネル
JP6313255B2 (ja) 2015-03-20 2018-04-18 富士フイルム株式会社 タッチパネル部材、タッチパネル及びタッチパネル表示装置
CN104966551A (zh) * 2015-05-30 2015-10-07 汕头万顺包装材料股份有限公司 一种表面镀铜的ito导电膜
KR101728329B1 (ko) 2015-11-19 2017-05-02 현대자동차주식회사 터치 입력장치, 이를 포함하는 차량, 및 그 제조방법
CN106998201B (zh) * 2016-01-22 2020-06-09 清华大学 光识别开关装置
CN109076710B (zh) 2016-04-13 2020-12-18 塔科图特科有限责任公司 具有嵌入式多层电子器件的多层结构
TWI746603B (zh) * 2016-08-09 2021-11-21 南韓商東友精細化工有限公司 透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置
US10289889B2 (en) * 2017-05-19 2019-05-14 Semiconductor Components Industries, Llc Pattern layout of touch sensor
JP6921220B2 (ja) * 2017-10-16 2021-08-18 富士フイルム株式会社 転写材料、タッチセンサー及びその製造方法、並びに画像表示装置
US10860133B1 (en) * 2019-11-27 2020-12-08 Young Fast Optoelectronics Co., Ltd. Three-dimensional touch knob
KR20220022516A (ko) * 2020-08-18 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
JP7282117B2 (ja) * 2021-03-16 2023-05-26 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 静電容量式タッチパネル

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0230024A (ja) * 1988-06-25 1990-01-31 Gunze Ltd 透明タッチパネル
JPH04154647A (ja) 1990-10-16 1992-05-27 Asahi Glass Co Ltd 透明導電性積層体
JPH07242442A (ja) 1994-03-01 1995-09-19 Nippon Soda Co Ltd 透明導電膜付ガラスおよび透明導電膜の成膜方法
JP3590530B2 (ja) * 1998-09-10 2004-11-17 グンゼ株式会社 タッチパネル
JP2000238178A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
JP3626624B2 (ja) 1999-04-19 2005-03-09 帝人株式会社 透明導電性積層体および透明タブレット
JP2001324707A (ja) 2000-05-15 2001-11-22 Gunze Ltd 液晶デイスプレイ用タッチパネル
WO2002004997A1 (fr) 2000-07-07 2002-01-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plaque a differences de phase composee d'une feuille de film polymere
US20020086188A1 (en) * 2000-10-12 2002-07-04 Eugene Halsey Reduced contrast improved transmission conductively coated transparent substrate
CN1269142C (zh) * 2001-06-21 2006-08-09 东洋纺织株式会社 透明导电性薄膜卷及其制造方法、使用该薄膜卷的触摸屏
JP4217862B2 (ja) * 2001-06-27 2009-02-04 日本ゼオン株式会社 積層体及び光反射シート
JP2003173238A (ja) 2001-12-05 2003-06-20 Sharp Corp タッチセンサおよびタッチセンサ付き表示装置
JP2003136625A (ja) * 2001-08-24 2003-05-14 Sony Corp 表示体用フィルム、タッチパネル及びこれらの製造方法
EP1426174B1 (en) * 2001-09-03 2014-06-18 Teijin Limited Transparent conductive laminate
JP3922109B2 (ja) 2001-10-17 2007-05-30 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムロールの製造方法
JP4517218B2 (ja) 2002-05-31 2010-08-04 グンゼ株式会社 タッチパネル
US20040071889A1 (en) * 2002-08-07 2004-04-15 Hoya Corporation Method of producing an antireflection-coated substrate
JP3859569B2 (ja) 2002-09-24 2006-12-20 グンゼ株式会社 透明導電性フィルム
JP2004152727A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Toyo Metallizing Co Ltd 透明導電膜
US8068186B2 (en) * 2003-10-15 2011-11-29 3M Innovative Properties Company Patterned conductor touch screen having improved optics

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049182B1 (ko) * 2009-11-05 2011-07-14 한화엘앤씨 주식회사 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법
US9280221B2 (en) 2009-12-01 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Capacitance touch panel
KR101380102B1 (ko) * 2010-10-19 2014-04-02 주식회사 엘지화학 도전성 패턴을 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법
KR20150008918A (ko) * 2012-07-03 2015-01-23 후지필름 가부시키가이샤 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치
US9632639B2 (en) 2012-07-03 2017-04-25 Fujifilm Corporation Transparent laminate, capacitance type input device, and image display device
US9632640B2 (en) 2012-07-03 2017-04-25 Fujifilm Corporation Transparent laminate, capacitance type input device, and image display device
KR20140140197A (ko) * 2013-05-28 2014-12-09 엘지디스플레이 주식회사 터치센서를 구비한 표시장치
KR101372525B1 (ko) * 2013-12-03 2014-03-11 에스맥 (주) 감광성 금속 나노와이어를 이용한 터치스크린 패널의 제조 방법
KR20170072795A (ko) * 2015-12-17 2017-06-27 가부시키가이샤 와코무 터치 패널, 신호 처리 장치 및 커플링 방법
WO2023158274A1 (ko) * 2022-02-17 2023-08-24 주식회사 루미디아 투명 안테나 기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 안테나
KR102490508B1 (ko) * 2022-07-18 2023-01-19 주식회사 루미디아 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판
KR102497891B1 (ko) * 2022-09-29 2023-02-09 주식회사 루미디아 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판

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