JP6095765B2 - タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体 - Google Patents

タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体 Download PDF

Info

Publication number
JP6095765B2
JP6095765B2 JP2015502111A JP2015502111A JP6095765B2 JP 6095765 B2 JP6095765 B2 JP 6095765B2 JP 2015502111 A JP2015502111 A JP 2015502111A JP 2015502111 A JP2015502111 A JP 2015502111A JP 6095765 B2 JP6095765 B2 JP 6095765B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent
refractive index
conductive film
transparent conductive
layer stack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015502111A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015518596A5 (ja
JP2015518596A (ja
Inventor
トーマス ウェルナー ジルバウアー,
トーマス ウェルナー ジルバウアー,
ユルゲン グリルマイヤー,
ユルゲン グリルマイヤー,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2015518596A publication Critical patent/JP2015518596A/ja
Publication of JP2015518596A5 publication Critical patent/JP2015518596A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6095765B2 publication Critical patent/JP6095765B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0091Apparatus for coating printed circuits using liquid non-metallic coating compositions
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108Transparent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Description

本開示の実施形態は、タッチスクリーンパネルで使用される透明体を製作するためのプロセスおよびシステム、ならびにこれらのプロセスにより製造される透明体に関する。
タッチパネルまたはタッチスクリーンパネルは、表示区域内のタッチを検出し、位置を特定することができる特定の種類の電子視覚ディスプレイである。通例、タッチパネルは、スクリーンの上に配置され、タッチを感知するように構成された透明体を含む。そのような透明体は実質的に透明であり、その結果、スクリーンによって放出される可視スペクトルの光は透明体を通して送出されうる。少なくともいくつかの既知のタッチパネルは、基板の上に順に形成されたバリアおよび透明導体によって構成された透明体を含む。そのようなパネルの表示区域にタッチすると、通例、透明体の領域のキャパシタンスの測定可能な変化がもたらされる。キャパシタンスの変化は様々な技術を使用して測定することができ、その結果、タッチの位置を決定することができる。
タッチパネルで使用される透明体はいくつかの特定の要件に制約される。特に、1つの重要な要件は、透明体がスクリーンへの多数の接触および厳しい条件に耐えるために十分に安定であり、その結果、タッチスクリーンの信頼性がある期間にわたって損なわれないことである。しかし、頑健であると見なされるタッチスクリーンに含まれる少なくともいくつかの既知の透明体は、例えば透明体を形成する層の厚さ、組成物、および構造に起因して、透明体を通る光の適切な透過を妨げる。その上、例えば均一で欠陥のないバリアをもつ高品質のそのような安定な透明体を製造することは困難である。
さらに、タッチパネル用の様々なタイプの透明体があることが考慮されるべきである。キャパシタンスの変化を測定するための導電層が構造化導電層である透明体では、光学特性、例えばユーザへの見栄えに関する特定の考慮がなされなければならない。
考慮すべきさらなる側面はディスプレイの着実に増加しているサイズであり、上述の光学特性以上に、さらに、電気的特性がますます注目されている。それに関して、不可視物体を備え、導電率に関してパターン化され(タッチセンサ構造体のように)、従来の構造体と比較して強化された光学および電気性能を示す薄膜ベースフラットパネルディスプレイの設計およびタッチスクリーン技術が望まれる。
それ故に、可視スペクトルの光の適切な透過および改善された電気特性を損なうことなしに透明体が基板の上に安定に形成されるように、タッチパネルで使用される高品質透明体を形成するプロセスおよび装置が望ましい。
上述に照らして、独立請求項1に記載の方法、独立請求項6に記載のデバイス、および独立請求項14に記載の装置が提供される。本発明のさらなる態様、利点、および特徴は、従属請求項、説明、および添付図面から明らかである。
1つの実施形態によれば、タッチスクリーンパネルまたはディスプレイパネルで使用される透明体を製作するプロセスが提供される。このプロセスは、第1の透明層スタックを透明基板の上に堆積させることであって、前記第1の透明層スタックが、第1の屈折率をもつ少なくとも第1の誘電体膜と、第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜とを含む、堆積させることと、構造化された透明導電膜を設けることであって、構造化された透明導電膜が100オーム/スクエア以下のシート抵抗に対応する、設けることと、タッチスクリーンパネルまたはディスプレイパネルの隣接する構成要素に層スタックを取り付けるように構成された透明接着剤を構造化された透明導電膜の上に施すこととを含む。代替実施形態によれば、第1の透明層スタックは、上述の第1の透明層スタックの代わりに、第1の屈折率から第2の屈折率までの傾斜した屈折率をもつ第1の誘電体膜を含む第1の透明層スタックとすることができる。
別の実施形態によれば、タッチスクリーンパネルまたはディスプレイパネルで使用するように構成された透明体が提供される。透明体は、透明基板と、透明基板の上に堆積された透明層スタックであって、第1の屈折率をもつ少なくとも第1の誘電体膜、および第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜を含む透明層スタックと、透明基板の上に堆積された透明導電膜であって、構造化された透明導電膜が100オーム/スクエア以下のシート抵抗に対応する、透明導電膜と、透明導電膜の上に堆積された透明接着剤であって、タッチスクリーンパネルまたはディスプレイの隣接する構成要素に透明体を取り付けるように構成された、透明接着剤とを含む。代替実施形態によれば、透明層スタックは、上述の透明層スタックの代わりに、第1の屈折率から第2の屈折率までの傾斜した屈折率をもつ第1の誘電体膜を含む透明層スタックとすることができる。
別の実施形態によれば、タッチパネルで使用される透明体を製作するための堆積装置が提供される。この装置は、第1の透明層スタックを基板の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリであって、前記第1の透明層スタックが、第1の屈折率をもつ少なくとも第1の誘電体膜、および第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜を含む、第1の堆積アセンブリと、透明導電膜を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリとを含み、第1の堆積アセンブリまたは第2の堆積アセンブリのうちの少なくとも1つが、ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含み、前記スパッタリングシステムが、ターゲットのスパッタリングによって、第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、または透明導電膜のうちの少なくとも1つを堆積させるように構成される。
驚くべきことに、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体と比較して追加の誘電体膜を有し、透明接着剤と組み合わせた屈折率の特性組合せをもち、本開示の実施形態に従って堆積され、膜のうちの少なくとも1つがターゲットのスパッタリングによって堆積される誘電体膜の組合せは、光の適切な透過をもたらすだけでなくある期間にわたって安定な性能をもたらす高品質透明体の製作を促進する。さらに、タッチパネルの既存の「不可視」透明体と比較して、抵抗を減少させることができ、それは、例えば、大面積タッチパネルに有用である。
実施形態は、さらに、開示するプロセスを実行し、説明するプロセスステップを行うための装置部品を含む装置に関する。その上、実施形態は、さらに、説明する装置が動作する、または説明する装置が製作される方法に関する。この方法は、装置の機能を実行するか、または装置の一部を製作するための方法ステップを含むことができる。方法ステップは、ハードウェア構成要素、ファームウェア、ソフトウェア、適切なソフトウェアでプログラムされたコンピュータによって、それらの任意の組合せによって、または任意の他の方法で行うことができる。
当業者向けの、本発明の最良の形態を含む、完全で実施可能な開示が、添付図の参照を含めて、本明細書の残りの部分により詳細には記載される。
本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用される例示的な透明体の概略図である。 本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用される例示的な透明体の概略図である。 本明細書の実施形態による、透明体が結合されるタッチパネルおよび光電子装置で使用されるさらなる例示的な透明体の概略図である。 本明細書の実施形態による、透明体が接合されるタッチパネルおよび光電子装置で使用されるさらなる例示的な透明体の概略図である。 、及び 本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用される例示的な透明体の製作の概略図である。 、及び 本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用されるさらなる例示的な透明体の概略図である。 本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用される例示的な透明体を堆積させるための装置の一部の概略図である。 本明細書の実施形態による、タッチパネルで使用される透明体を製作する方法を示す流れ図である。
次に、様々な実施形態が詳細に参照され、それらの1つまたは複数の例が図に示される。各例は、説明のために提供され、本発明の限定を意味しない。1つの実施形態の要素は、有利には、さらなる詳述なしに他の実施形態で利用することができると考えられる。
本明細書の実施形態によれば、第1の透明層スタック12が、図1Aに示すように、基板14の上に堆積される。本明細書で使用する「基板」という用語は、インフレキシブル基板、例えば、ウエハ、またはサファイアなどのような透明結晶の薄片、またはガラス板と、ウエブまたはフォイルなどのフレキシブル基板との両方を包含するものとする。本明細書で使用する「透明な」という用語は、比較的低い散乱で光を透過し、その結果、例えば、構造体を通して透過される光を実質的に明瞭に見ることができるような構造体の性能を特に含むものとする。フレキシブル基板の場合には、基板14はその上に形成される硬化被覆15を有することが一般的である。
典型的な実施形態によれば、層スタックは、積み重ねて形成された(例えば、堆積によって)いくつかの膜で構成される。特に、本明細書の実施形態は、複数の誘電体膜、すなわち、電気を実質的に伝導しない膜で構成することができる第1の透明層スタックを堆積させることを含む。特に、図1Aに例示的に示すように、第1の透明層スタック12は、第1の誘電体膜16と、第2の誘電体膜18と、第3の誘電体膜20とを含むことができる。それによって、第1の透明層スタックは、タッチパネルで使用されるバリアを構成することができる。
図1Aに示すように、構造化透明導電性酸化物(TCO)膜22が、透明層スタックの上に設けられる。典型的な実施形態によれば、構造化TCO層は、構造化TCO層を設けるために、TCO層を堆積させ、TCO層をパターン化することによって設けることができる。代替として、構造化TCO層を堆積させるために、マスクおよび/またはフォトレジストを設けることができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、透明導電性酸化物層は、インジウムスズ酸化物(ITO)層、ドープITO層、不純物ドープZnO、In、SnO、およびCdO、ITO(In:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO(ZnO:Ga)、多成分酸化物(ZnO、In、およびSnOの組合せを含むかまたはそれらからなる)、少なくともITO層と金属層とからの層スタック、例えば、ITO/金属/ITOスタック、または金属/ITO/金属スタックとすることができる。
タッチパネル用の従来の層スタックまたは透明体は、機能スクリーン(タッチスクリーンのような)をもたらすことができる。しかし、日光可読性の劣等と、下にあるディスプレイからの生成された画像に関するスクリーンの発色(反射率)および色変化と、機能スクリーンの構造化コア層(例えば、パターン化透明導電性酸化物、TCO)からの可視パターンの過不足とが多くの場合に得られる。さらに、導電率が、大面積タッチパネル、例えば、7インチ以上の対角線をもつタッチパネル、特に、20インチを超える対角線をもつタッチスクリーンで十分でないことがある。
透明層スタックの構造のために、透明体を通る光の最適透過を導電膜が損なわないことが促進される。特に、本明細書の実施形態による透明層スタックは、以下でさらに論じるように、導電膜、さらに構造化導電膜が反射色の中性に影響を与えないことを支援する。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、構造化TCO層のシート抵抗は、100オーム/スクエア以下、例えば、10から50オーム/スクエアである。一般に、シート抵抗はこの文脈において参照される物理量であるけれども、この値は十分に大きい面積をもつ、すなわち、小さいパターンでない層の抵抗を表す。構造化TCOパターン、例えば、ラインは、オーム単位の線抵抗に対応する。しかし、シート抵抗は、関連パラメータであり、試験区域の堆積によって決定することができ、またはパターン化構造体の抵抗および構造体形状寸法に基づいて決定もしくは計算することができる。それ故に、構造体層のシート抵抗を直接に(さらに間接的に)決定することができず、むしろ非構造化層の抵抗を参照するとしても、当業者は、構造化層の値に対応するシート抵抗にかかわることになる。
様々な実施形態によれば、TCO膜、例えばITOは、比較的高い温度で、または代替としてより低い温度で堆積させることができ、後者の場合、シート抵抗などの所望の層特性を達成するために、堆積後のアニーリングステップを行うことができる。
それによって、例えば、20nm以上、30nm以上、40nm以上、例えば50nmから150nmのTCO層厚を利用することができる。追加としてまたは代替として、バルクITOで130〜450μΩcm、すなわち、優れた電気特性である、様々なプロセス方式で生成されるITOの一般的な抵抗範囲よりも低い固有抵抗をもつが、劣った光学特性をもつ透明導電性酸化物が使用されることがある。例えば、構造化TCO層が厚いほど容易に見える傾向があるので、シート抵抗の減少および/またはTCO層厚の増加は層スタックまたは透明体のさらなる改善への要望をもたらす。
本明細書で説明する実施形態によれば、そのような不可視物体、例えば、タッチセンサを製作する強化された構造体および方法が、パターン化TCO厚およびその導電率への制限を越えるために提供される。ディスプレイなどに設けられる、本明細書で説明するような層スタックまたは透明体は、空気(屈折率1)の環境に置かれたときに不可視と見なされ、ITO(「不可視」ITO)などのTCO層をもつ区域とTCO層をもたない区域との間の光学的外観の差はごくわずかである。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、少なくとも物体の1つの側で隣接する媒体が1と異なる屈折率、例えば1.3から1.7を有するような方法で、例えば、ディスプレイに一体化されるかまたは装着される不可視物体のための様々なスタックおよび装着方式が提供される。この手段により、不可視スタックは20オーム/スクエア以下のシート抵抗を支持することができ、それは、以前の構想と比較して光学的性能を損なうことなしに10倍の改善である。
図1Aに示すように、透明接着剤24がTCO層22の上に施される。典型的なオプションの実施態様によれば、透明接着剤は、1.3から1.7の屈折率、例えば、ガラス(1.48)またはPMMA(1.6)の屈折率に近い屈折率、したがって、さらなる例として、1.48と1.6との間の範囲の屈折率をもつ光透過性接着剤ラミネートまたは液体光透過性接着剤とすることができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明接着剤24は、95%以上、97%以上、またはさらに99%以上の視覚透過率を有することができ、例えば、3%以下、2%以下、またはさらに1%以下の低いヘイズを有することができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、透明接着剤は、層スタックまたは透明体をタッチパネルまたはディスプレイパネル、例えば、透明体を利用することができる光電子装置(タッチスクリーン、タッチパネル、ディスプレイ、ディスプレイパネルなど)のいずれかの隣接する構成要素に取り付けるように構成することができる。
特に、より厚いTCO層をもつ層スタックまたは透明体の場合に空隙を設けていたタッチパネルディスプレイの以前の設計と比較して、本明細書で説明する実施形態は、少なくとも屈折率整合層スタック、例えば1つまたは複数の誘電体膜と、100オーム/スクエア以下のシート抵抗を有する、屈折率整合層スタックの上のTCO層と、TCO層上に設けられた、すなわち、TCO層に接触する透明接着剤とを有する層スタックまたは透明体を提供する。それによって、本実施形態は、低抵抗をさらに可能にする「不可視」タッチパネル構造体を提供する。低抵抗「不可視」TCOパターンに対する解決策を得るための光学的接合は、TCO層を上に有する構造体であって、この構造体タッチスクリーンディスプレイの隣接する構成要素上に透明接着剤で接合される、例えば、光学的に接合される前の構造体を指す。透明接着剤を利用することによって、TCOパターンの最終パターン「不可視性」を達成することができる。
本明細書の実施形態によれば、構造化透明導電性酸化物膜22は、図1Bに示すように、基板14の上に堆積される。フレキシブル基板の場合には、基板14はその上に形成された硬化被覆24を有することが一般的である。典型的な実施形態によれば、構造化TCO層は、構造化TCO層を設けるために、TCO層を堆積させ、TCO層をパターン化することによって設けることができる。代替として、構造化TCO層を堆積させるために、マスクおよび/またはフォトレジストを設けることができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、透明導電性酸化物層は、インジウムスズ酸化物(ITO)層、ドープITO層、不純物ドープZnO、In、SnO、およびCdO、ITO(In:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO(ZnO:Ga)、多成分酸化物(ZnO、In、およびSnOの組合せを含むかまたはそれらからなる)、少なくともITO層と金属層とからの層スタック、例えば、ITO/金属/ITOスタック、または金属/ITO/金属スタックとすることができる。
屈折率整合層スタックなどの層スタックが、TCO膜22の上に設けられる。典型的な実施形態によれば、層スタックは、積み重ねて形成された(例えば、堆積によって)いくつかの膜で構成される。特に、本明細書の実施形態は、複数の誘電体膜、すなわち、電気を実質的に伝導しない膜で構成することができる第1の透明層スタックを堆積させることを含む。特に、第1の透明層スタック12は、図1Bに例示的に示し、図1Aに関してより詳細に説明したように、第1の誘電体膜16と、第1の誘電体膜16と、第3の誘電体膜20とを含むことができる。それによって、第1の透明層スタックは、タッチパネルで使用される構造化TCO膜のためのパッシベーションを構成することができる。
図1Bに示すように、透明接着剤24が透明層スタック12の上に設けられる。典型的なオプションの実施態様によれば、透明接着剤は、1.3から1.7の屈折率、例えば、ガラス(1.48)またはPMMA(1.6)の屈折率に近い屈折率、したがって、さらなる例として、1.48と1.6との間の範囲の屈折率をもつ光透過性接着剤ラミネートまたは液体光透過性接着剤とすることができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明接着剤24は、95%以上、97%以上、またはさらに99%以上の視覚透過率を有することができ、例えば、3%以下、2%以下、またはさらに1%以下の低いヘイズを有することができる。
さらなる実施形態によれば、構造化TCO膜および誘電体膜を、上述の図1Aに関して説明したのと同様に設けることができる。本明細書で説明する実施形態によれば、透明層スタックおよび構造化された透明導電膜は共に基板の上で基板と透明接着剤との間に設けられる。その上、屈折率整合スタックおよび透明導電膜の順序を入れ換えることができる。しかし、典型的な実施形態によれば、透明導電膜は、基板、または硬化被覆などで被覆された基板に、すなわち、誘電体膜なしに設けられるが、それは、そのようにすると、透明導電膜の構造化を簡単化できるからである。
図2Aに示すように、透明接着剤24は、例えば、基板14、層スタック12、および構造化TCO層22を有するタッチパネル層スタックをディスプレイに接合するために設けられる。図2Aにおいて、ディスプレイは、色フィルタ32およびピクセルアレイまたはディスプレイ34によって例示的に示される。それに関して、透明体10は、図1Aと比較して反転して示されている。それ故に、基板14は、例えば、タッチパネルディスプレイのカバーレンズとすることができる。カバーレンズという用語は、一般に、タッチパネルの一番上のガラスとして使用される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明体10は、色フィルタガラスに、ディスプレイ構造体の偏光板に、または液晶ディスプレイ構造体自体に透明接着剤、例えばOCA(光透過性接着剤)で接合させることができる。
図2Bに示すように、透明接着剤24は、例えば、基板14、構造化TCO層22、および層スタック12を有するタッチパネル層スタックをディスプレイに接合させるために施される。図2Bにおいて、ディスプレイは、色フィルタ32およびピクセルアレイまたはディスプレイ34によって例示的に示される。それによって、透明体10は、図1Aおよび1Bと比較して反転して示されている。それ故に、基板14は、例えば、タッチパネルディスプレイのカバーレンズとすることができる。カバーレンズという用語は、一般に、タッチパネルの一番上のガラスとして使用される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明体10は、色フィルタガラスに、ディスプレイ構造体の偏光板に、または液晶ディスプレイ構造体自体に透明接着剤、例えばOCA(光透過性接着剤)で接合させることができる。
本発明による実施形態は、基板、例えばカバーガラスと、多層のスタックとで構成され、ディスプレイの上に透過性接着剤で、すなわち、空隙なしに、装着される層スタックまたは透明体に関する。層スタックは、高い屈折率および低い屈折率をもつ透明絶縁材料(SiO、TiO、NbO、SiN、SiO、AlO、AlO、MgFおよびTaOのような)と、透明導電性酸化物、例えば、ITOのような透明導電性材料とを含む。実施態様によれば、層被覆または層堆積の方法は化学気相堆積または物理的気相堆積とすることができる。
様々な例によれば、層スタックまたは透明体は以下のように製作することができ、最終TSP(タッチスクリーンパネル)/ディスプレイ製品内の改善された視覚不可視性、透過率、および耐変色性と、減少した電気抵抗とを提供することができる。基板、例えば、0.1mm以上、例えば0.5mmから0.7mm、または約0.3mmの厚さを有するガラスなどのカバーレンズ上に層が続いて堆積される通りに、層は番号付けされる。層1:100〜500nm厚のSiO、例えば、290nmのSiO。層2:5〜50nm厚のNbO、例えば、7.5nm厚のNb。層3:100〜600nm厚のSiO、例えば、330nm厚のSiO。層4:30〜300nm厚(パターニングの前)、例えば145nmのITO、ここで、中間階段が、ITOパターニングによって、例えば、ITOが完全に除去される場所をもたらすフォトリソグラフィによって設けられる。スタックは、ディスプレイの上に、例えば、色フィルタガラス、もしくはLCDの色フィルタガラスの偏光板の上に、またはディスプレイの最終外側ガラスの上にラミネートされる。これは、例えば、380nmと780nmとの間の範囲においておよそ1.4から1.6、例えば1.45〜1.50の屈折率をもつ透明接着剤、例えば光透過性接着剤(OCA)またはラミネーションフォイルを使用することによって達成される。それによって、最終タッチスクリーンディスプレイ(一緒に装着されたタッチスクリーンおよびディスプレイ)の性能は改善される。
別の例によれば、層スタックまたは透明体は以下のように製作することができ、最終TSP(タッチスクリーンパネル)/ディスプレイ製品内の改善された視覚不可視性、透過率、および耐変色性と、減少した電気抵抗とを提供することができる。基板、例えば、0.1mm以上、例えば0.5mmから0.7mm、または約0.3mmの厚さを有するガラスなどのカバーレンズ上に層が続いて堆積される通りに、層は番号付けされる。層1:3〜15nm厚のNbO、例えば、6.5nm厚のNb。層2:30〜100nm厚のSiO、例えば、46nm厚のSiO。層3:5〜20nm厚のNbO、例えば、9nm厚のNb。層4:50〜300nm厚(パターニングの前)、例えば107nmのITO、ここで、中間階段が、ITOパターニングによって、例えば、ITOが完全に除去される場所をもたらすフォトリソグラフィによって設けられる。スタックは、ディスプレイの上に、例えば、色フィルタガラス、もしくはLCDの色フィルタガラスの偏光板の上に、またはディスプレイの最終外側ガラスの上にラミネートされる。これは、例えば、380nmと780nmとの間の範囲においておよそ1.4から1.6、例えば1.45〜1.50の屈折率をもつ透明接着剤、例えば光透過性接着剤(OCA)またはラミネーションフォイルを使用することによって達成される。それによって、最終タッチスクリーンディスプレイ(一緒に装着されたタッチスクリーンおよびディスプレイ)の性能は改善される。
別の例によれば、層スタックまたは透明体は以下のように製作することができ、最終TSP(タッチスクリーンパネル)/ディスプレイ製品内の改善された視覚不可視性、透過率、および耐変色性と、減少した電気抵抗とを提供することができる。基板、例えば、0.1mm以上、例えば0.5mmから0.7mm、または約0.3mmの厚さを有するガラスなどのカバーレンズ上に層が続いて堆積される通りに、層は番号付けされる。層1:50〜300nm厚(パターニングの前)、例えば103nmのITO、ここで、中間階段が、ITOパターニングによって、例えば、ITOが完全に除去される場所をもたらすフォトリソグラフィによって設けられる。層2:5〜20nm厚のNbO、例えば、9nm厚のNb。層3:30〜100nm厚のSiO、例えば、46nm厚のSiO。層4:3〜15nm厚のNbO、例えば、6.5nm厚のNb。スタックは、ディスプレイの上に、例えば、色フィルタガラス、もしくはLCDの色フィルタガラスの偏光板の上に、またはディスプレイの最終外側ガラスの上にラミネートされる。これは、例えば、380nmと780nmとの間の範囲においておよそ1.4から1.6、例えば1.45〜1.50の屈折率をもつ透明接着剤、例えば光透過性接着剤(OCA)またはラミネーションフォイルを使用することによって達成される。それによって、最終タッチスクリーンディスプレイ(一緒に装着されたタッチスクリーンおよびディスプレイ)の性能は改善される。
さらなる別の例によれば、層スタックまたは透明体は以下のように製作することができ、最終TSP(タッチスクリーンパネル)/ディスプレイ製品内の改善された視覚不可視性、透過率、および耐変色性と、減少した電気抵抗とを提供することができる。基板、例えば、0.1mm以上、例えば0.5mmから0.7mm、または約0.3mmの厚さを有するガラスなどのカバーレンズ上に層が続いて堆積される通りに、層は番号付けされる。層1:3〜15nm厚のNbO、例えば、6nm厚のNb。層2:30〜100nm厚のSiO、例えば、46nm厚のSiO。層3:5〜20nm厚のNbO、例えば、9nm厚のNb。層4:50〜300nm厚(パターニングの前)、例えば101nmのITO、ここで、中間階段が、ITOパターニングによって、例えば、ITOが完全に除去される場所をもたらすフォトリソグラフィによって設けられる。層5:150〜300nm厚のSiO、例えば、170nmのSiO。スタックは、ディスプレイの上に、例えば、色フィルタガラス、もしくはLCDの色フィルタガラスの偏光板の上に、またはディスプレイの最終外側ガラスの上にラミネートされる。これは、例えば、380nmと780nmとの間の範囲においておよそ1.4から1.6、例えば1.45〜1.50の屈折率をもつ透明接着剤、例えば光透過性接着剤(OCA)またはラミネーションフォイルを使用することによって達成される。それによって、最終タッチスクリーンディスプレイ(一緒に装着されたタッチスクリーンおよびディスプレイ)の性能は改善される。
例えば、タッチセンサで使用されるITO厚は、20オーム/スクエア以下、またはさらに15オーム/スクエアの非常に低いシート抵抗を可能にする。そのように装着されたタッチスクリーンディスプレイの典型的な視覚反射率は、y<6%、またはさらにy<5.5%で記述することができ、ITOのない区域と145nmITOをもつ区域との差は、0.2%未満、またはさらに0.1%未満である。このシステムの色値は、絶対値としてほぼ1.0以下、またはさらに0.3以下であるa、bとすることができ、ITOのない区域と145nmITOをもつ区域との間の差は0.3未満である。タッチスクリーンの背後のディスプレイから生じる光が視聴者に達する透過率値も非常に良好な値を示し、|a|および|b|<0.5(ITOをもつ区域とITOのない区域との間の色差が<0.5であるa、b)を示し、視覚透過率は、Y>93%、またはさらにY>95%とすることができ、ITOをもつ区域とITOのない区域との間のY差は<3%である。一般に、厚いパターン化ITO、誘電体層、および透過性接着剤をもつこれらのスタックは、スタックおよび一体化設計により、さらに、140°の観視範囲(垂直の通常観視方向に対して±70°)までのITOパターン不可視性が可能になるとともに、この範囲内で視覚反射率が常に3%未満であるようにすることができる。ITOをもつ区域とITOのない区域との間の色差は、aおよびb値が負で、|a|および|b|が依然として2未満である場合に60°までの観視範囲で視覚的に無視できる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、基板に堆積される第1の誘電体膜は、一般に、例えば少なくとも1.8の屈折率をもつ高屈折率層でありうる。例えば、ニオブ酸化物含有膜は、第1の誘電体膜として基板に堆積させることができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、145nm未満、例えば、75nmなどの30nmから130nmのTCO厚は、上述の値のようにさらにより良好な光学的性能および不可視性特性をもたらすことになる。
さらなる典型的な実施形態によれば、誘電体膜16、18、および20は、酸化物、窒化物、または酸窒化物を含む層とすることができ、それぞれの酸化物、窒化物、または酸窒化物は、少なくとも70重量%、一般的には少なくとも90重量%のそれぞれの酸化物化合物、窒化物化合物、または酸窒化物化合物を含む。それによって、以下で説明するように、高い透明度の層構造体または改善された透過特性をもつ層構造体のいずれかを提供することができる。
より具体的には、本明細書の実施形態によれば、第1の、オプションとして、第3の誘電体膜、またはさらなる誘電体膜は、Nb、Siなどからなる第2の誘電体膜よりも低い屈折率を有する、例えばSiOからなる膜とすることができる。しかし、低い屈折率膜からの開始は、いくつかの特定の場合にのみ有益なオプションとなりうる。上述のように、一般に、基板上に設けられる第1の誘電体層は高い屈折率を有する。本明細書の実施形態に従って製作された透明体の第1の透明層スタック、例えば3層タイプスタックは、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体と比較しての追加の誘電体膜と、異なる屈折率をもつ膜の独特な組合せとを考慮して、透明体を通る光の適切な透過を容易にするバリアを提供する。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、例えば1.50よりも低い、またはより具体的には1.47よりも低い、またはさらにより具体的には1.45よりも低いより低い屈折率をもつ誘電体膜と、例えば、少なくとも1.80、またはより具体的には少なくとも2.10、またはさらにより具体的には少なくとも2.40のより高い屈折率をもつ誘電体膜とが、交互に設けられる。それに関して、より低い屈折率を有する膜は、SiO、MgF、SiOなどを含む膜によって設けることができる。例えば、より高い屈折率を有する膜は、NbO、SiN、SiO、AlO、AlO、TiO、TaOなどを含む膜によって設けることができる。
本明細書で説明する実施形態によれば、透明体10は、限定はしないが、インジウムスズ酸化物(ITO)、特に、結晶性ITOまたは100オーム/スクエア以下のシート抵抗をもつITOなどの透明導電膜22を含む。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる様々な実施形態によれば、一般に、結晶性ITOでは組成物97%Inおよび3%SnOをもつITO、および/または非結晶性ITOでは組成物90%Inおよび10%SnOをもつITOを使用することができる。
図3は、例えば、タッチパネルディスプレイで使用することができる透明層スタックまたは透明体の製作を示す。図3Aに示すように、層スタック12が透明基板14の上に設けられる。様々な実施形態によれば、透明基板は、フレキシブル基板もしくは剛体基板、有機基板または無機基板とすることができ、ガラスまたはフォイルとすることができ、直線または円偏光、四分の一波長リターダ(lambda quarter retarder)、または非偏光であるような他の特性を有することができる。一般に、透明基板は、380nmから780nmの可視範囲で高度の透明度を有することができる。
さらなる例によれば、透明基板14は、ガラス(フレキシブルまたは剛体)およびプラスチック(フレキシブルまたは剛体)を含むことができ、それらはさらに、薄膜層、硬化被覆もしくはラッカー、直線もしくは円偏光板材料、または四分の一波長リターダで既に覆っていてもよい。特に、ガラス基板では、ガラス基板への堆積プロセスおよび製作方法は、プラスチック基板と比較してより高い温度で行うことができる。例えば、150℃以上の温度、またはさらに300℃などの200℃以上の温度を、ガラス基板上にタッチパネルディスプレイ用透明体を製作するのに利用することができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、層スタック12は、一般に、少なくとも第1および第2の誘電体膜を有する屈折率整合層スタックであり、第1の屈折率は第1の誘電体膜によって与えられ、第2の屈折率は第2の誘電体膜によって与えられ、第2の屈折率は第1の屈折率とは異なる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる例示的な実施態様によれば、屈折率の連続的変化、または準連続的(例えば、小さい階段をもつ階段様)変化を透明層スタック12に発生させることができるように、第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、および複数のさらなる誘電体膜を堆積させることができる。これは、屈折率が傾斜した1つの誘電体層と呼ばれることもある。典型的な実施態様によれば、誘電体膜は、化学気相堆積または物理的気相堆積、例えば、スパッタリングもしくは蒸発によって製作することができる。代表例は、高い屈折率および低い屈折率をもつ絶縁材料、例えば、SiO、TiO、NbO、SiN、SiO、AlO、AlO、TaO、およびそれらの組合せとすることができる。
図3Aに示すように、透明導電性酸化物層322が層スタック12の上に堆積される。本明細書で説明する実施形態によれば、透明導電層スタックは、層厚の増加または層材料の固有抵抗の減少を行うことによって増加した導電率を有する。それによって、例えば、40nm以上、例えば50nmから150nmのTCO層厚を利用することができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明導電性酸化物層は、1つまたは複数の透明導電性酸化物膜を有する透明導電性酸化物層スタックとして設けることもできる。製作の間、透明導電性酸化物膜または透明導電膜スタックは、堆積の間または後、例えば、熱加熱によって、またはRTPフラッシュライトによって加熱することができる。一般に、透明導電性酸化物は、80℃以上の温度に加熱することができる。透明導電性酸化物膜の製作は、化学気相堆積または物理的気相堆積、例えばスパッタリングもしくは蒸発で行うことができる。製作の高い歩留を与えるために、例えば、回転可能なターゲットからの透明導電性酸化物層のDCスパッタリングを行うことができる。透明導電性酸化物または透明導電性酸化物(TCO)層スタックの代表例は、ITO、ドープITO、不純物ドープZnO、In、SnO、およびCdO、ITO(In:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO(ZnO:Ga)、多成分酸化物(ZnO、In、およびSnOの組合せを含むかまたはそれらからなる)、少なくともITO層と金属層とからの層スタック、例えば、ITO/金属/ITOスタック、または金属/ITO/金属スタックとすることができる。
図3Bに示すように、透明導電性酸化物層322(図3Aを参照)を構造化して、構造化透明導電性酸化物層22を設ける。構造化TCO層は、構造化TCO層を設けるためにTCO層を堆積させ、TCO層をパターン化することによって設けることができる。さらに、構造化TCO層を堆積させるために、マスクおよび/またはフォトレジストを設けることができる。
図3Cおよび3Dは、透明体がディスプレイ34に接合されたときに透明層スタック12とともに構造化透明導電性酸化物層22の不可視性を実現するための光透過性接着剤などの透明接着剤24を示す。様々な実施形態によれば、透明接着剤は、第2の基板または偏光板、すなわち、ディスプレイ34の基板または偏光板に近い屈折率をもつ光透過性接着剤ラミネートまたは液体光透過性接着剤とすることができる。例えば、屈折率は、例えば1.48と1.6との間の範囲のガラスの屈折率(1.48)またはPMMAの屈折率(1.6)に近くすることができる。さらなる実施形態によれば、透明接着剤は、95%以上、97%以上、またはさらに99%以上の視覚透過率および/または3%以下、2%以下、またはさらに1%以下の低いヘイズを有することができる。
本明細書で説明する実施形態によれば、構造化TCO層、例えばITO層と、屈折率整合層と、ディスプレイ、色フィルタ、電気−光学装置などに接合させるように構成された透明接着剤とは、屈折率整合層と透明接着剤とがTCOの構造体の不可視性を本質的に実現するように設けられる。したがって、層スタックまたは透明体、例えばタッチパネル層スタックは、改善された視覚および電気特性を伴ってディスプレイ装置に接合するかまたは一体化することができる。
図4は、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態を示す。図4に示すように、例えばタッチパネルで使用することができる透明体の基板が提供される。基板は、例えば、透明タッチ本体がディスプレイなどのような電気−光学装置に結合された後、カバーレンズとすることができる。図4に関して説明する実施形態は、透明層スタックを形成する4つの誘電体16、18、20、および416を含む。透明層スタックの上に、構造化された透明導電膜22が設けられる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、透明導電性酸化物膜は、DCスパッタリングによって回転可能なターゲットから堆積されるTCO層とすることができる。しかし、他の堆積技法を適用することもできる。回転可能なターゲットからのスパッタリングは、例えば、大面積デバイスの製作に有用である。
いくつかの実施形態によれば、大面積基板またはそれぞれのキャリア(キャリアは複数の基板を有する)は、少なくとも0.174mのサイズを有することができる。一般に、サイズは、約0.67m(0.73×0.92m−Gen 4.5)から約8mまで、より一般には、約2mから約9mまで、またはさらに12mまでとすることができる。一般に、本明細書で説明する実施形態による構造体、カソードアセンブリなどの装置、および方法があてがわれる基板またはキャリアは、本明細書で説明するような大面積基板である。例えば、大面積基板またはキャリアは、約0.67m基板(0.73×0.92m)に対応するGEN 4.5、約1.4m基板(1.1m×1.3m)に対応するGEN 5、約4.29m基板(1.95m×2.2m)に対応するGEN 7.5、約5.7m基板(2.2m×2.5m)に対応するGEN 8.5、またはさらに約8.7m基板(2.85m×3.05m)に対応するGEN 10とすることができる。GEN 11およびGEN 12などのさらに大きい世代および対応する基板面積を同様に実施することができる。
屈折率整合層スタック12は、図4に示すように、透明体をディスプレイなどに接合させるための透明接着剤24とともに、光学特性の改善をもたらす。TCO層の構造は、透明層スタックおよび透明接着剤のおかげでそのような装置のユーザには本質的に不可視である。本明細書で説明する実施形態によれば、これは、100オーム/スクエア以下のシート抵抗を有する透明導電膜、例えば、40nm以上またはさらに100nm以上の透明導電性酸化物層を可能にすることができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる様々な実施形態によれば、2つ以上の誘電体層を透明層スタック12に設けることができる。
さらなる実施形態によれば、2つ以上の層は、例えば、層スタックの屈折率の勾配が設けられるような複数の誘電体層または膜とすることができる。例えば、第1の誘電体膜は第1の屈折率で設けることができ、屈折率は透明層スタックのさらなる堆積の間に変化させることができる。この変化は、連続的または階段様とすることができる。それ故に、屈折率変化を透明層スタック中で得ることができるさらなる誘電体膜(16〜20、416)を設けることができる。それに関して、例えば、SiOを堆積させることができ、酸素および窒素の量は、y=1からy=0まで、およびx=0からx=2まで、または逆も同様に連続的にまたは階段的に変えられる。
上述のように、本明細書で説明するいくつかの実施形態によれば、屈折率整合層スタックとして働く透明層スタックの膜と透明導電性接着剤とは、それぞれ、構造化TCO層またはTCO層を含む構造化層スタックのパターニングが光電子装置、例えばタッチパネルのユーザには本質的に不可視と見えるような屈折率を備える。しかし、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明接着剤の屈折率整合機能は、さらに、透明導電膜と透明接着剤との間に設けられるさらなる誘電体膜で実現することができる。本発明の典型的な実施態様によれば、透明導電膜上に設けられる、例えば透明導電膜に接触するさらなる誘電体層は、低い屈折率をもつ誘電体膜とすることができる。例えば、屈折率は1.5以下とすることができる。そのような実施形態のさらなるオプションの変形によれば、1つまたは複数のさらなる誘電体膜を透明導電膜の上に堆積させることができる。一般に、1つまたは複数の誘電体膜は、SiO、TiO、NbO、SiN、SiO、AlO、AlO、TaO、およびそれらの組合せからなる群から選択することができる。したがって、本明細書で説明するプロセスは、そのような層の1つまたは複数のさらなる堆積ステップを含むことができ、製作するための装置は、そのような層を堆積させるための1つまたは複数のさらなる堆積アセンブリを含むことができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明層スタック12および透明導電膜の組合せは、2回、3回、またはさらに4回繰り返すことができる。透明導電膜の各々について、パターン構造および/またはパターン方向は、別の構造化TCO層と比較して異なることができる。さらに、非パターン化または非構造化TCO層を屈折率整合目的などのために利用することができる。図5Aは、基板14の上に堆積された透明層スタック12を示す。構造化された透明導電膜22が、透明層スタック12上に設けられる。その後、さらなる透明層スタック512、例えば1つ、2つ、またはそれを超える誘電体膜を含む屈折率整合層スタックが堆積される。そこで、異なる屈折率が、隣接する膜に対して与えられる。第2の透明導電膜522が、第2の透明層スタック512の上に設けられる。図5Aに示す断面は、第2の透明導電膜522の構造化を示していない。しかし、構造化は、紙の面と異なる方向に適用することができる。透明接着剤24が、透明導電膜522上に与えられ、ディスプレイなどのような電気−光学装置に透明体を接合させるように構成される。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明層スタック12と透明導電膜との組合せは、別の誘電体層52によってさらに支援される。さらに、非パターン化または非構造化TCO層を屈折率整合目的などのために利用することができる。図5Bは、基板14の上に堆積された透明層スタック12を示す。構造化された透明導電膜22が、透明層スタック12上に設けられる。その後、さらなる誘電体層52、例えば屈折率整合層が堆積される。そこで、異なる屈折率が、隣接する膜に対して与えられる。それによって、屈折率整合のためには必要でないか、または屈折率整合にそれほど関連しない透明接着剤を使用することが可能となり、その結果、接着剤の選択の数を増やすことができる。
いくつかの実施形態によれば、第1の透明層スタック、透明導電膜、および透明接着剤は、製作された透明体のaおよびb値が1.5、または特に1、またはより具体的には0.7、またはさらに具体的には0.2未満であるように堆積される。特に、本明細書の実施形態によれば、第1の透明層スタック、透明導電膜、および透明接着剤によってのみ形成され、実質的に透明な基板の上に置かれた構造体のaおよびb値は、これらの値を採用することができる。
図6は堆積装置600を示す。例示的に、層を中で堆積させるための1つの真空チャンバ602が示される。図6に示すように、さらなるチャンバをチャンバ602に隣接して設けることができる。真空チャンバ602は、バルブハウジング604およびバルブユニット605を有するバルブによって隣接するチャンバから分離することができる。それによって、基板14が上にあるキャリア614が、矢印1で示すように、真空チャンバ602に挿入された後、バルブユニット605は閉じることができる。それ故に、真空チャンバの雰囲気は、例えばチャンバ602に接続された真空ポンプを用いて工業的真空(technical vacuum)を発生させることによって、および/またはチャンバの堆積領域にプロセスガスを挿入することによって個別に制御することができる。
典型的な実施形態によれば、プロセスガスは、アルゴンなどの不活性ガス、および/または酸素、窒素、水素(H)およびアンモニア(NH)などの反応性ガス、オゾン(O)、活性ガスなどを含むことができる。チャンバ602の内部に、基板14を上に有するキャリア614をチャンバ602におよびチャンバ602から移送するためにローラ610が設けられる。
チャンバ602の内部に、図6では、2つの異なる群の堆積源(カソード622および624が示される。以下でより詳細に説明するように、堆積源の群は、一般に、異なる堆積プロセスが堆積源の群によって行われる場合、異なるチャンバに設けることができる。
堆積源は、例えば、基板に堆積されるべき材料のターゲットを有する回転可能なカソードとすることができる。一般に、カソードは、マグネトロンを中にもつ回転可能なカソードとすることができる。それによって、層を堆積させるためにマグネトロンスパッタリングを実施することができる。カソード622は、カソードを交互にバイアスすることができるようにAC電源623に接続される。
本明細書で使用する「マグネトロンスパッタリング」は、磁石アセンブリ、すなわち、磁場を発生させることができるユニットを使用して行われるスパッタリングを指す。一般に、そのような磁石アセンブリは永久磁石からなる。この永久磁石は、一般に、回転可能なターゲット表面の下方に発生される発生磁場の内部に自由電子がトラップされるように回転可能なターゲットの内部に配列されるかまたは平面ターゲットに結合される。そのような磁石アセンブリを平面カソードに配列して結合させることもできる。
それに関して、マグネトロンスパッタリングは、限定はしないが、TwinMag(商標)カソードアセンブリなどのダブルマグネトロンカソード、すなわち、カソード622によって実現することができる。特に、シリコンターゲットからのMFスパッタリングでは、ダブルカソードを含むターゲットアセンブリを適用することができる。典型的な実施形態によれば、堆積チャンバ内のカソードは交換可能とすることができる。それ故に、シリコンが消耗された後、ターゲットは交換される。
典型的な実施形態によれば、誘電体層は、AC電源を有する回転可能なカソードのスパッタリング、例えば、マグネトロンスパッタリングによって堆積させることができる。一般に、MFスパッタリングは、誘電体層を堆積させるために適用することができる。それによって、典型的な実施形態によれば、シリコンターゲット、例えば、溶射シリコンターゲットからのスパッタリングが、中間周波数スパッタリングであるMFスパッタリングによって実施される。本明細書の実施形態によれば、中間周波数は、5kHzから100kHz、例えば、10kHzから50kHzの範囲の周波数である。
透明導電性酸化物膜用のターゲットからのスパッタリングは、一般に、DCスパッタリングとして実施される。カソード624は、スパッタリング中に電子を収集するアノード625と一緒にDC電源626に接続される。したがって、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、透明導電性酸化物層、例えばITOの層は、DCスパッタリング、すなわち、カソード624を有するアセンブリでスパッタリングすることができる。
簡単にするために、上の方のカソード622およびカソード624は1つの真空チャンバ602に設けられるように示されている。一般に、下の方のカソード622によって例示的に示されるように、異なる層を堆積させるためのカソードは、異なる真空チャンバに、例えば、チャンバ602と、真空チャンバ602に隣接する真空チャンバとに設けられる。これは、酸化物層、窒化物層、または酸窒化物層とすることができる本明細書で説明する誘電体層は、ターゲット材料がターゲットから解放された後、ターゲット材料は酸素および/または窒素と反応する反応性堆積プロセスで堆積させることができるので特に適正である。カソードの群を異なるチャンバに設けることによって、適切な処理ガスおよび/または適切な程度の工業的真空による雰囲気を、各堆積区域に提供することができる。
さらなる実施形態によれば、基板14に堆積される誘電体層の数に応じて、2つ以上の群のカソード622を堆積装置600に設けることができる。
典型的な実施形態によれば、堆積は、1つまたは複数の回転可能なターゲットのスパッタリングによって行われる。より具体的には、本明細書の実施形態によれば、上述で参照した膜のうちの少なくとも1つは回転可能なターゲットのスパッタリングで堆積され、その結果、安定な透明体を高品質で形成することが促進される。例えば、本明細書の実施形態によれば、より高い均一性を有し、低い密度の欠陥および汚染粒子をもつ膜を堆積させることができる。それによって、それは、光の適切な透過をもたらすだけでなくある期間にわたって安定な性能をもたらす高品質透明体の製作を促進する。その上、1つまたは複数の回転可能なターゲットのスパッタリングを含む製作プロセスは、他の堆積方法と比較してより高い製作レートとより少ない数の汚染物質粒子の生成とをさらに促進することができる。
は、本明細書で説明するような透明体を製作するためのプロセス700を示す流れ図を示す。ステップ702において、第1の透明層スタック(例えば、層スタック12)が透明基板の上に堆積される。それによって、層スタックは少なくとも2つの誘電体膜を含み、誘電体膜の屈折率は互いに異なり、より高い屈折率をもつ膜とより低い屈折率をもつ膜とを交互に堆積させることができる。ステップ704において、構造化された透明導電膜、例えば構造化ITO層が、透明層スタック12の上に堆積される。本明細書で説明する他の実施態様と組み合わせることができる様々な実施態様によれば、構造化された透明導電膜は、導電膜のスタックとすることもできる。例えば、TCO/金属/TCOスタック、例えば、ITO/金属/ITOスタックをステップ704において設けることができる。
本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、構造化手順は、(1)レーザスクライビング、(2)フォトリソグラフィ、(3)印刷吸着バリアパターン(例えば、油状物)と、その後に続くTCO堆積、(4)リフトオフプロセス(基板上へのフォトレジストパターンの形成と、その後に続くTCO堆積およびフォトレジスト溶媒によるリフトオフ)、(5)シャドウマスクを使用する膜堆積、またはそれらの組合せからなる群から選択することができる。
いくつかの実施形態によれば、チャンバのうちの1つまたはいくつかは、マグネトロンアセンブリなしでスパッタリングを行うように構成することができる。1つまたはいくつかのチャンバ、例えば追加のチャンバは、限定はしないが、化学気相堆積またはパルスレーザ堆積などの他の方法で堆積を行うように構成することができる。
不可視ITO解決策は、光学的性質(透過および反射での色値)の光学的均一性に対して非常に高い要求を有する。これは、技術的には、膜厚に関する均一膜の堆積と光分散の性質とに対応する。それ故に、本明細書で説明するような堆積装置は、第1の層スタックまたは透明導電膜のうちの少なくとも1つに関する部分を形成する膜のうちの少なくとも1つに関する光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム638をさらに含むことができる。
さらに、上述のように、誘電体膜は、一般に、反応的にスパッタリングすることができる。それ故に、第1の堆積アセンブリ(622)は、反応性スパッタリングで誘電体膜を堆積させるように構成することができる。典型的な実施形態によれば、Si含有層は反応的にスパッタリングすることができ、かつ/またはNb含有層またはITO含有層は、セラミックターゲットからスパッタリングすることができる。
いくつかの実施形態によれば、例示的なプロセス700は、堆積の前に基板のガス抜きのための基板の加熱処置をさらに含むことができる。例えば、基板は、基板速度に応じて60℃と300℃との間の温度で加熱することができる。いくつかの実施形態によれば、例示的なプロセス700は、1kWと3kWとの間の電力で基板のDCおよび/または中波(MF)前処置を行うことを含むことができる。さらに、例示的なプロセス700は、例えば酸素リッチ前処置などのアルゴンおよび/または酸素雰囲気での基板の前処置を行うことを含むことができる。本明細書の実施形態によれば、中波は、5kHzから100kHz、例えば、30kHzから50kHzの範囲の周波数である。
例示的な堆積装置または本明細書の実施形態による装置のスパッタ被覆源は、平面または回転可能なターゲット(限定はしないが、セラミックITOなど)をもつDCカソード、および平面または回転可能なターゲット(SiO、またはSi、SiOを堆積させるためのドープシリコンターゲット、特に、溶射Siターゲット)、または本明細書で開示する他の誘電体層のうちの1つを堆積させるための材料を含むターゲットとすることができる。
本明細書で説明するように、透明導電膜は100オーム/スクエア以下のシート抵抗を有する。これは、比較的厚い透明導電層を提供する、かつ/または低い比抵抗(specific resistivity)をもつTCO材料を利用することによって実現することができる。これは、パターン不可視性、色中性、および高い透過率レベルなどの必要とされる高い光学的性能を達成するためにより複雑な屈折率整合状況を招く。それ故に、ステップ706において、ディスプレイ、モバイル電話のディスプレイ、タッチパネルテレビのディスプレイ、タッチパネルコンピュータのディスプレイなどのような電気−光学装置に透明体を結合させるために、透明接着剤、例えば、光透過性接着剤が提供される。したがって、タッチパネル機能を有する本体を備える透明体を空隙を伴って装置に接合させることと比較して、透明導電膜のパターニングの不可視性のための改善された屈折率整合を行うことができる。
上述のように、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、透明体、すなわち、薄膜スタックは、回転ターゲットからのマグネトロンスパッタリングを関与させることにより生成される。不可視ITO解決策は、光学的性質(透過および反射での色値)の光学的均一性に対して非常に高い要求を有し、それは、技術的には、膜厚に関する非常に均一な膜の堆積と光分散の性質とに対応する。それ故に、目標とするスパッタリング高さよりも長いターゲットを利用することがある。それによって、回転ターゲットからのスパッタリングは、歩留、材料利用、機械稼働時間、および最終的に生成コストに関して利点を提供するが、一方、平面ターゲットは再堆積ゾーンを有し、堆積ゾーンは増強されたアーク放電および粒子発生に関与し、したがって、粒子のない均一な膜を可能にするために回転ターゲットよりも非常に長いものである必要がある。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、垂直膜均一性(vertical film uniformity)、すなわち、膜の光学的厚さは、例えば、セグメント化されたガス導入または対応する方策によって支援することができる。
本明細書は、最良の形態を含む本発明を開示し、当業者が本発明を行い使用できるようにするために例を使用している。本発明が様々な特定の実施形態に関して説明されているが、当業者は、特許請求の範囲の趣旨および範囲内の変形を用いて本発明を実践することができることを認識するであろう。特に、上述の実施形態の例および実施形態またはその変形の互いに非排他的な特徴は、互いに組み合わせることができる。
前述は本発明の実施形態に関するが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (17)

  1. タッチスクリーンパネルで使用される透明体(10)を製作する方法であって、
    第1の透明層スタック(12)を透明基板(14)の上に堆積させることであり、前記第1の透明層スタック(12)が、
    第1の屈折率から第2の屈折率までの傾斜した屈折率をもつ第1の誘電体膜を含む層スタックと、
    第1の屈折率をもつ第1の誘電体膜(16)と、前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜(18)とを少なくとも含む層スタックと
    からなる群から選択される、堆積させることと、
    構造化された透明導電膜(22)を設けることであり、構造化された前記透明導電膜が100オーム/スクエア以下のシート抵抗に対応する、設けることと、
    前記タッチスクリーンパネルの隣接する構成要素に前記透明体を取り付けるように構成された透明接着剤を構造化された前記透明導電膜の上に設けることと
    を含み、前記透明接着剤が、1.3から1.7の屈折率を持ち、
    構造化された前記透明導電膜のある区域と構造化された前記透明導電膜のない区域との間の可視透過率の差は3%未満である、方法。
  2. 前記第1の透明層スタックが構造化された前記透明導電膜の上に堆積されるか、または構造化された前記透明導電膜が前記透明基板上に堆積される、請求項1に記載の方法。
  3. 構造化された前記透明導電膜を設けることが、構造化されていない堆積された透明導電膜をパターン化することを含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記第1の誘電体膜が少なくとも1.8の屈折率を有し、かつ前記第2の誘電体膜が1.5以下の屈折率を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記第1および第2の誘電体膜が、MFスパッタリングによって、一般に、回転可能なターゲットからスパッタリングされ、前記透明導電膜が、DCスパッタリングによって、一般に、回転可能なターゲットからスパッタリングされる、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記タッチスクリーンパネルの視覚反射率が6%未満である、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. タッチスクリーンパネルで使用するように構成された透明体であって、
    透明基板と、
    前記透明基板の上に堆積された透明層スタックであり、前記透明層スタック(12)が、
    第1の屈折率から前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率までの傾斜した屈折率をもつ第1の誘電体膜を含む層スタックと、
    第1の屈折率をもつ第1の誘電体膜(16)、および前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜(18)を少なくとも含む層スタックと
    からなる群から選択される、透明層スタックと、
    前記透明基板の上に堆積された透明導電膜であり、構造化された前記透明導電膜が100オーム/スクエア以下のシート抵抗に対応する、透明導電膜と、
    前記透明導電膜の上に堆積された透明接着剤であり、前記タッチスクリーンパネルの隣接する構成要素に前記透明体を取り付けるように構成された、透明接着剤とを含み、
    前記透明接着剤が1.3から1.7の屈折率を有し、構造化された前記透明導電膜のある区域と構造化された前記透明導電膜のない区域との間の可視過率の差は3%未満である、
    透明体。
  8. 前記透明層スタックが取り付けられるべきである第2の透明基板をさらに含み、前記透明接着剤が前記第2の透明基板の屈折率と同様の屈折率を有する、請求項7に記載の透明体。
  9. 前記透明基板が、剛体基板、フレキシブル基板、有機基板、無機基板、ガラス、プラスチックフォイル、偏光板材料基板、および四分の一波長リターダ基板からなる群から選択される、請求項7または8に記載の透明体。
  10. 前記透明層スタックが屈折率整合層スタックであり、かつ/またはSiO、SiN、SiO、AlO、AlO、TiO、TaO、MgF、およびNbOからなる群から選択される、請求項7から9のいずれか一項に記載の透明体。
  11. 前記透明導電膜が、20nm以上、特に、50nmから150nmの厚さを有する、請求項7から10のいずれか一項に記載の透明体。
  12. 前記透明導電膜がインジウムスズ酸化物(ITO)を含む、請求項7から11のいずれか一項に記載の透明体。
  13. 前記透明接着剤が、光透過性接着剤ラミネートまたは液体光透過性接着剤である、請求項7から12のいずれか一項に記載の透明体。
  14. 前記タッチスクリーンパネルの視覚反射率が6%未満である、請求項7から13のいずれか一項に記載の透明体。
  15. タッチスクリーンパネルで使用される透明体(10)を製作するための堆積装置(600)であって、前記堆積装置は、
    第1の透明層スタック(12)を基板(14)の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリ(622)であり、前記第1の透明層スタック(12)が、第1の屈折率をもつ第1の誘電体膜(16)、および前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率をもつ第2の誘電体膜(18)を少なくとも含む、第1の堆積アセンブリ(622)と、
    透明導電膜(22)を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリ(624)と、
    1.3から1.7の屈折率を有する明接着剤を構造化された前記透明導電膜の上に設ける手段であって、構造化された前記透明導電膜のある区域と構造化された前記透明導電膜のない区域との間の可視透過率の差は3%未満である手段とを含み、
    前記第1の堆積アセンブリ(622)および前記第2の堆積アセンブリ(624)は、前記第1の透明層スタック(12)および前記透明導電膜(22)がこの順序で前記基板(14)の上に配置されるように配列され、前記第1の堆積アセンブリ(622)または前記第2の堆積アセンブリのうちの少なくとも1つが、ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含み、前記スパッタリングシステムが、前記ターゲットのスパッタリングによって、前記第1の誘電体膜(16)、前記第2の誘電体膜(18)、または前記透明導電膜(22)のうちの少なくとも1つを堆積させるように構成される、堆積装置。
  16. 前記第1の堆積アセンブリ(622)および前記第2の堆積アセンブリ(624)が、前記第1の透明スタック(12)および前記透明導電膜(22)を、マグネトロンスパッタリング、一般に、回転可能なターゲットからのマグネトロンスパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項15に記載の堆積装置。
  17. 前記タッチスクリーンパネルの視覚反射率が6%未満である、請求項15または16に記載の堆積装置。
JP2015502111A 2012-03-30 2012-03-30 タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体 Active JP6095765B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2012/055867 WO2013143614A1 (en) 2012-03-30 2012-03-30 Transparent body for use in a touch screen panel manufacturing method and system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015518596A JP2015518596A (ja) 2015-07-02
JP2015518596A5 JP2015518596A5 (ja) 2015-08-13
JP6095765B2 true JP6095765B2 (ja) 2017-03-15

Family

ID=45922691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015502111A Active JP6095765B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150083464A1 (ja)
EP (1) EP2831707B1 (ja)
JP (1) JP6095765B2 (ja)
KR (1) KR101890790B1 (ja)
CN (1) CN104205021B (ja)
TW (1) TWI595387B (ja)
WO (1) WO2013143614A1 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9632635B2 (en) * 2012-07-02 2017-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel and touch panel-equipped display device
US9366784B2 (en) 2013-05-07 2016-06-14 Corning Incorporated Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film
US9110230B2 (en) 2013-05-07 2015-08-18 Corning Incorporated Scratch-resistant articles with retained optical properties
EP2863290B1 (en) * 2013-10-18 2017-12-06 Applied Materials, Inc. Layer stack for a touch panel and method for forming a layer stack
EP2863291A1 (en) * 2013-10-18 2015-04-22 Applied Materials, Inc. Transparent body for a touch panel manufacturing method and system for manufacturing a transparent body for a touch screen panel
US20170097709A1 (en) * 2014-03-10 2017-04-06 Vertu Corporation Limited Touch sensitive device fior mobile apparatus
US11267973B2 (en) * 2014-05-12 2022-03-08 Corning Incorporated Durable anti-reflective articles
CN105224120B (zh) * 2014-07-03 2018-07-31 宸鸿科技(厦门)有限公司 基板结构
US9842862B2 (en) * 2014-07-29 2017-12-12 Hannstar Display (Nanjing) Corporation Flexible electronic device with anti-interference structures and manufacturing method thereof
US9790593B2 (en) 2014-08-01 2017-10-17 Corning Incorporated Scratch-resistant materials and articles including the same
CN104699342A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 深圳市深越光电技术有限公司 一种新型G1-cell电容式触摸屏模组及其制作方法
KR102392671B1 (ko) 2015-05-11 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
JP6140775B2 (ja) 2015-07-22 2017-05-31 日東電工株式会社 透明な粘着剤層及びパターン化された透明導電層を有する偏光フィルム積層体並びに液晶パネル及び有機elパネル
WO2017020274A1 (zh) * 2015-08-05 2017-02-09 深圳市柔宇科技有限公司 触摸膜、有机发光二极管显示面板及触摸膜的制备方法
TWI744249B (zh) 2015-09-14 2021-11-01 美商康寧公司 高光穿透與抗刮抗反射物件
CN105204691B (zh) * 2015-10-19 2018-08-10 洛阳康耀电子有限公司 一种触摸屏单面消影导电玻璃的加工方法
CN105271821A (zh) * 2015-10-19 2016-01-27 洛阳康耀电子有限公司 一种触摸屏双面消影导电玻璃的加工方法
CN105271820A (zh) * 2015-10-19 2016-01-27 洛阳康耀电子有限公司 一种单面消影触摸屏导电玻璃的加工方法
CN105204704B (zh) * 2015-10-19 2018-08-10 洛阳康耀电子有限公司 一种单面触摸屏消影导电玻璃的加工方法
CN105630263A (zh) * 2015-12-22 2016-06-01 昆山国显光电有限公司 触控面板、触摸显示屏以及触控面板的制造方法和设备
KR102625601B1 (ko) * 2016-01-26 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2018046538A1 (de) * 2016-09-06 2018-03-15 Ceramtec-Etec Gmbh Klebefolie für transparente keramiken
CN106601340A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 张家港康得新光电材料有限公司 一种折射率匹配膜及ito导电膜
CN111819303B (zh) * 2018-02-19 2023-12-08 应用材料公司 使用溅射蚀刻以中止厚膜中结晶发生的pvd二氧化钛形成
US20190351829A1 (en) * 2018-04-16 2019-11-21 Visteon Global Technologies, Inc. Display system for a vehicle
CN114085038A (zh) 2018-08-17 2022-02-25 康宁股份有限公司 具有薄的耐久性减反射结构的无机氧化物制品
US11257997B2 (en) * 2019-12-31 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure
CN114630920A (zh) * 2020-05-25 2022-06-14 应用材料公司 用于产生层堆叠物的方法和用于制造图案化层堆叠物的方法
CN115505884A (zh) * 2021-06-23 2022-12-23 江西华派光电科技有限公司 一种高透光蓝宝石面板及其制作方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376907C (zh) * 2002-12-20 2008-03-26 帝人株式会社 透明导电性层压体、触摸屏和带有触摸屏的液晶显示装置
US8068186B2 (en) * 2003-10-15 2011-11-29 3M Innovative Properties Company Patterned conductor touch screen having improved optics
KR101196342B1 (ko) * 2005-05-26 2012-11-01 군제 가부시키가이샤 투명 평면체 및 투명 터치스위치
TW200745923A (en) * 2005-10-20 2007-12-16 Nitto Denko Corp Transparent conductive laminate body and touch panel equipped with above
US7538760B2 (en) * 2006-03-30 2009-05-26 Apple Inc. Force imaging input device and system
CN100530065C (zh) * 2006-04-20 2009-08-19 铼宝科技股份有限公司 透明触控面板结构
JP4721359B2 (ja) * 2006-09-12 2011-07-13 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル
JP4314623B2 (ja) * 2006-12-07 2009-08-19 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びタッチパネル
JP4667471B2 (ja) * 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
CN101581800A (zh) * 2008-05-15 2009-11-18 甘国工 复合导电膜及使用该膜的触摸屏
JP5160325B2 (ja) * 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP2010086684A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kuramoto Seisakusho Co Ltd 透明導電配線膜付き光学薄膜
JP5484891B2 (ja) * 2009-03-04 2014-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN101504496A (zh) * 2009-03-04 2009-08-12 信利半导体有限公司 一种触摸屏和平板显示模块一体化组合模块及其制作方法
JP5545515B2 (ja) * 2009-03-30 2014-07-09 Dic株式会社 金属面貼付用両面粘着シート、透明導電膜積層体、タッチパネル装置
JP4958020B2 (ja) * 2009-03-31 2012-06-20 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法
JP3153971U (ja) * 2009-07-15 2009-09-24 洋華光電股▲ふん▼有限公司 タッチパッド
KR101082609B1 (ko) * 2009-10-16 2011-11-15 엘지이노텍 주식회사 터치패널용 면상 부재 및 이의 제조 방법
WO2011078231A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 日本写真印刷株式会社 静電容量式タッチセンサ、電子機器及び透明導電膜積層体の製造方法
JP5709311B2 (ja) * 2010-06-25 2015-04-30 グンゼ株式会社 透明面状体及び透明タッチパネル
EP2402481A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-04 Applied Materials, Inc. Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel
JP2012058956A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sony Corp 電極フィルム及び座標検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104205021A (zh) 2014-12-10
TW201351237A (zh) 2013-12-16
KR101890790B1 (ko) 2018-08-22
TWI595387B (zh) 2017-08-11
US20150083464A1 (en) 2015-03-26
EP2831707A1 (en) 2015-02-04
CN104205021B (zh) 2017-05-24
EP2831707B1 (en) 2018-03-14
WO2013143614A1 (en) 2013-10-03
KR20140141707A (ko) 2014-12-10
JP2015518596A (ja) 2015-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6095765B2 (ja) タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体
JP6307062B2 (ja) タッチパネルで使用される透明体ならびにその製作方法および装置
TWI653670B (zh) 具有單一基板與抗反射和/或抗指紋塗層的透明體及其製造方法
JP2015518596A5 (ja)
JP6377735B2 (ja) タッチパネル用透明体の製作方法及びタッチスクリーンパネル用透明体を製作するシステム
JP5692859B2 (ja) 透明導電性積層フィルム、これの製造方法及びこれを含むタッチパネル
JP2013532231A (ja) タッチパネルで使用される透明体を製造するための方法およびシステム
JP2013242770A (ja) 静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置
JP2009265629A (ja) 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置
KR101955005B1 (ko) 터치 스크린 패널에서 사용하기 위한 층 시스템, 터치 스크린 패널에서 사용하기 위한 층 시스템을 제조하기 위한 방법, 및 터치 스크린 패널
JP2003021703A (ja) 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板
KR20230160878A (ko) 광학 적층체, 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150609

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160405

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161005

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6095765

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250