KR102625601B1 - 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

터치 표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판의 제1 면에 배치되는 터치 전극, 상기 터치 전극 상에 배치되며, 상기 터치 전극과 동일한 굴절율을 갖는 절연 패턴, 상기 제1 기판의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다.

Description

터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 {TOUCH DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 터치 표시 장치 및 터치 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질을 향상시킬 수 있는 터치 표시 장치 및 터치 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
근래 정보화 사회의 발전과 더불어, 표시 장치에 대한 다양한 형태의 요구가 증대되면서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출 장치(Field Emission Display Device; FED), 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: EPD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence emitting device: OLED) 등 표시 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
최근, 이러한 표시 장치에 터치 스크린 패널 기능을 적용하는 연구가 진행 중에 있다. 터치 스크린 패널은 손가락 또는 펜과 같은 물체로 표시 장치의 화면을 터치하는 방법에 의하여 명령을 입력할 수 있도록 한 입력 장치이다. 이러한 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같은 표시 장치에 장착되어 동작하는 별도의 입력 장치를 대체할 수 있기 때문에 사용자의 편의성을 향상시키고자 그 이용 범위가 점차 확장되고 있다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있다. 이중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은 사람의 손 또는 펜과 같은 물체가 접촉될 때 도전성 감지 패턴이 주변의 다른 감지 패턴 또는 접지 전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다.
터치 스크린 패널은 액정 표시 장치와 결합되어 형성될 수 있다. 그러나, 제조 공정 중 터치 전극이 손상될 수 있으며, 터치 전극과 터치 전극을 커버하는 절연층의 굴절율이 달라 터치 전극이 시인되는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 품질을 향상시킬 수 있는 터치 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 터치 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 터치 표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판의 제1 면에 배치되는 터치 전극, 상기 터치 전극 상에 배치되며, 상기 터치 전극과 동일한 굴절율을 갖는 절연 패턴, 상기 제1 기판의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 표시 장치는 상기 터치 전극과 전기적으로 연결되는 패드 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 절연 패턴은 상기 패드 전극을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극의 굴절율은 1.7 이상 2.2 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 서브 절연 패턴 및 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 서브 절연 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 서브 절연 패턴은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 서브 절연 패턴은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 물질은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 터치표시 장치의 제조 방법은 제1 기판의 제1 면 상에 터치 전극을 형성하는 단계, 상기 터치 전극이 형성된 상기 제1 기판의 제1 면 상에 절연층을 증착하는 단계, 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 대향하는 제2 기판을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계 및 상기 절연층을 패터닝하여 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 표시 장치는 상기 터치 전극과 전기적으로 연결되는 패드 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 절연 패턴은 상기 패드 전극을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극의 굴절율은 1.7 이상 2.2 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 서브 절연 패턴 및 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 서브 절연 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 서브 절연 패턴은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 서브 절연 패턴은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질은 SiOx를 포함하고, 상기 제2 물질은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 터치 표시 장치는 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성한 후, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 절연 패턴을 형성하므로, 제조 공정 중에 터치 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정층을 형성하는 공정 및 상기 절연층을 패터닝하는 공정에서 열이 발생되며, 상기 열은 터치 전극을 열처리하는 효과를 가질 수 있다. 따라서, 터치 전극이 열처리되어 투명 도전물질의 결정화로 터치 전극의 저항 및 광특성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 터치 전극이 시인되지 않게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 2 및 도 3의 터치 표시 장치의 터치 전극의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 7은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 9 내지 도 13은 도 7 및 도 8의 터치 표시 장치의 터치 전극의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 14는 도 2 및 도 3의 제1 기판을 나타내는 단면도이다.
도 15 내지 도 19는 도 14의 제1 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 도 2의 제2 기판을 나타내는 단면도이다.
도 21 및 도 22는 도 20의 제2 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 23은 도 3의 제2 기판을 나타내는 단면도이다.
도 24 및 도 25는 도 23의 제2 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 26은 도 2의 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 27은 도 3의 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 블록도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 14는 도 2 및 도 3의 박막 트랜지스터 기판을 나타내는 단면도이다. 도 20은 도 2의 컬러 필터 기판을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 3, 도 14 및 도 20을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치는 액정 표시 장치 및 상기 액정 표시 장치 상에 배치되는 터치 전극을 포함한다. 상기 액정 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(LC)을 포함한다. 상기 제1 기판(100)은 박막 트랜지스터 기판(110), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 액티브 패턴(AP), 화소 전극(PE), 제1 절연층(120), 제2 절연층(130), 유기막(140)을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판(200)은 컬러 필터 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬러 필터(230), 오버 코팅층(240) 및 공통 전극(250)을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 기판(110)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GE)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트전극(GE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 티타늄(Ti)을 포함하는 하부층 및 상기 하부층의 상부에 형성되며, 구리(Cu)를 포함하는 상부층을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 상에는 상기 제1 절연층(120)이 형성된다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 베이스 기판(110) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 제1 도전 패턴을 커버한다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(120)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 절연층(120) 상에는 액티브 패턴(AP)이 형성된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역의 상기 제1 절연층(120) 상에 형성된다. 상기 액티브 패턴은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되고, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 각각과 부분적으로 중첩된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 사이에 개재되고, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에 개재될 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP) 상에는 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브 패턴(AP) 위에 서로 이격되어 배치된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu)층 및 상기 구리(Cu)층의 상부 및/또는 하부에 형성된 티타늄(Ti)층을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 데이터 라인(DL) 상에는 제2 절연층(130)이 형성된다. 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(130)상에는 유기막(140)이 형성된다. 상기 유기막(140)은 상기 표시 기판(100)의 상면을 실질적으로 평탄화함으로써, 단차로 인해 발생하는 문제, 예를 들어, 신호 배선의 단선 등을 방지할 수 있다. 상기 유기막(140)은 유기 물질을 포함하는 절연층일 수 있다. 상기 유기막(140)은 컬러 필터일 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 유기막(140) 상에 배치되며, 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 전극(PE)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소 전극(PE)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터 기판(210)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(220)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된 영역의 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 영상이 표시 되는 표시 영역에 인접하고 상기 영상이 표시되지 않는 주변영역에 대응하여 배치되며, 광을 차단한다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 블랙 매트릭스(220)가 형성된 상기 상부기판(210) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 단위 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 단위 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 서로 인접한 단위 화소들의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(230)에 의해 서로 중첩되거나, 또는 서로 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230) 및 상기 블랙 매트릭스(220) 상에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(230)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 배치된다.
상기 액정층(LC)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 및 상기 컬러 필터 기판(210) 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
또한, 상기 터치 표시 장치는 상기 표시 패널 하부 또는 측면에 배치되는 광원부를 더 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터 기판(210)의 제1 면에는 상기 블랙 매트릭스(220), 상기 컬러 필터(230), 상기 오버 코팅층(240) 및 상기 공통 전극(250)이 배치된다.
상기 컬러 필터 기판(210)의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에는 터치 전극 및 절연 패턴(340)이 배치된다. 상기 터치 전극은 감지 패턴(331), 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 감지 패턴(331)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 감지 패턴(331)은 상기 절연 패턴(340)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 배선(333)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른층으로 형성될 수 있다. 또한, 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 상기 연결 배선(333)과 연결된다. 본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 정전용량 방식의 터치 스크린 패널로, 사람의 손 또는 스타일러스 펜 등과 같은 접촉물체가 접촉되면, 상기 감지 패턴(331)으로부터 상기 연결 배선(333)을 경유하여 외부 구동회로(미도시) 측으로 접촉 위치에 따른 정전 용량의 변화가 전달된다. 그러면, 입력 처리 회로(미도시) 등에 의해 정전 용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉 위치가 파악된다.
상기 연결 배선(333)은 상기 패드 전극(335)에 연결된다. 상기 패드 전극은 상기 절연 패턴(340)에 형성되는 컨택홀(CNT)에 의해 노출될 수 있다. 상기 노출된 패드 전극(335)은 터치 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극 상에는 상기 절연 패턴(340)이 배치된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극을 커버하여 절연한다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연 패턴(340)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 절연 패턴(340)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 혼합되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
본 실시예에서, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 절연 패턴(340)은 두 개의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 가지며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 서브 절연 패턴(341)과 상기 제2 서브 절연 패턴(343)이 중첩되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
본 실시예에서, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 도 2 및 도 3의 터치 표시 장치의 터치 전극의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 컬러 필터 기판(210) 상에 터치 전극을 형성한다. 상기 터치 전극은 감지 패턴(331), 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터 기판(210)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 감지 패턴(331)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 감지 패턴(331)은 상기 절연 패턴(340)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 배선(333)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른층으로 형성될 수 있다. 또한, 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른물질을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 상기 연결 배선(333)과 연결된다. 본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 정전용량 방식의 터치 스크린 패널로, 사람의 손 또는 스타일러스 펜 등과 같은 접촉물체가 접촉되면, 상기 감지 패턴(331)으로부터 상기 연결 배선(333)을 경유하여 외부 구동회로(미도시) 측으로 접촉 위치에 따른 정전 용량의 변화가 전달된다. 그러면, 입력 처리 회로(미도시) 등에 의해 정전 용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉 위치가 파악된다.
상기 연결 배선(333)은 상기 패드 전극(335)에 연결된다. 상기 패드 전극은 상기 절연 패턴(340)에 형성되는 컨택홀(CNT)에 의해 노출될 수 있다. 상기 노출된 패드 전극(335)은 터치 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 터치 전극이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 절연층(340a)이 증착된다.
상기 터치 전극 상에는 상기 절연층(340a)이 증착된다. 상기 절연층(340a)은 상기 터치 전극을 커버하여 절연한다. 상기 절연층(340a)은 상기 터치 전극이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연층(340a)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연층(340a)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 혼합되어 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
도 6을 참조하면, 상기 터치 전극이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 절연층(340a)이 증착된다.
상기 터치 전극 상에는 상기 절연층(340a)이 증착된다. 상기 절연층(340a)은 상기 터치 전극을 커버하여 절연한다. 상기 절연층(340a)은 상기 터치 전극이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연층(340a)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연층(340a)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 두 개의 층으로 형성된다. 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연층(340a)은 제1 서브 절연층(341a) 및 제2 서브 절연층(343a)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연층(341a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 가지며, 상기 제2 서브 절연층(343a)은 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 절연층(341a)은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 서브 절연층(343a)은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 서브 절연층(341a)의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연층(343a)의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 서브 절연층(341a)과 상기 제2 서브 절연층(343a)이 중첩되어 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
도 7은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 8은 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 절연 패턴(340)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 혼합되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
본 실시예에서, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 상기 감지 패턴(331) 상에 하부 절연층(320)이 형성되고, 상기 하부 절연층(320) 상에 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)이 형성된다. 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 절연 패턴(340)은 두 개의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 가지며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 서브 절연 패턴(341)과 상기 제2 서브 절연 패턴(343)이 중첩되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
본 실시예에서, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 상기 감지 패턴(331) 상에 하부 절연층(320)이 형성되고, 상기 하부 절연층(320) 상에 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)이 형성된다. 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 배선(333) 및 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다.
도 9 내지 도 13은 도 7 및 도 8의 터치 표시 장치의 터치 전극의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 컬러 필터 기판(210) 상에 감지 패턴(331)을 형성한다.
상기 컬러 필터 기판(210)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 감지 패턴(331)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 감지 패턴(331)은 상기 절연 패턴(340)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 감지 패턴(331)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 하부 절연층(320)이 형성된다.
상기 감지 패턴(331) 상에는 상기 하부 절연층(320)이 형성된다. 상기 하부 절연층(320)은 상기 감지 패턴(331)을 커버하여 절연한다. 상기 하부 절연층(320)은 상기 감지 패턴(331)이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 하부 절연층(320)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 절연층(320)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 절연층(320)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 하부 절연층(320)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 하부 절연층(320)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)이 형성된다.
상기 연결 배선(333)은 상기 패드 전극(335)에 연결된다. 상기 패드 전극은 상기 절연 패턴(340)에 형성되는 컨택홀(CNT)에 의해 노출될 수 있다. 상기 노출된 패드 전극(335)은 터치 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 절연층(340a)이 증착된다.
상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335) 상에는 상기 절연층(340a)이 증착된다. 상기 절연층(340a)은 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 커버하여 절연한다. 상기 절연층(340a)은 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연층(340a)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연층(340a)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 혼합되어 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
도 13을 참조하면, 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 절연층(340a)이 증착된다.
상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335) 상에는 상기 절연층(340a)이 증착된다. 상기 절연층(340a)은 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 커버하여 절연한다. 상기 절연층(340a)은 상기 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연층(340a)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(340a)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연층(340a)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 두 개의 층으로 형성된다. 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연층(340a)은 제1 서브 절연층(341a) 및 제2 서브 절연층(343a)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연층(341a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 가지며, 상기 제2 서브 절연층(343a)은 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 절연층(341a)은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 서브 절연층(343a)은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 서브 절연층(341a)의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연층(343a)의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 서브 절연층(341a)과 상기 제2 서브 절연층(343a)이 중첩되어 상기 절연층(340a)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층(340a)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 감지 패턴(331)이 시인되지 않게 된다.
도 14는 도 2 및 도 3의 박막 트랜지스터 기판을 나타내는 단면도이다.
도 14를 참조하면, 상기 제1 기판(100)은 박막 트랜지스터 기판(110), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 액티브 패턴(AP), 화소 전극(PE), 제1 절연층(120), 제2 절연층(130), 유기막(140)을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 기판(110)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GE)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트전극(GE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 티타늄(Ti)을 포함하는 하부층 및 상기 하부층의 상부에 형성되며, 구리(Cu)를 포함하는 상부층을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 상에는 상기 제1 절연층(120)이 형성된다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 베이스 기판(110) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 제1 도전 패턴을 커버한다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(120)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제1 절연층(120) 상에는 액티브 패턴(AP)이 형성된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역의 상기 제1 절연층(120) 상에 형성된다. 상기 액티브 패턴은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되고, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 각각과 부분적으로 중첩된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 사이에 개재되고, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에 개재될 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP) 상에는 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브 패턴(AP) 위에 서로 이격되어 배치된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu)층 및 상기 구리(Cu)층의 상부 및/또는 하부에 형성된 티타늄(Ti)층을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 데이터 라인(DL) 상에는 제2 절연층(130)이 형성된다. 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연층(130)상에는 유기막(140)이 형성된다. 상기 유기막(140)은 상기 표시 기판(100)의 상면을 실질적으로 평탄화함으로써, 단차로 인해 발생하는 문제, 예를 들어, 신호 배선의 단선 등을 방지할 수 있다. 상기 유기막(140)은 유기 물질을 포함하는 절연층일 수 있다. 상기 유기막(140)은 컬러 필터일 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 유기막(140) 상에 배치되며, 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 전극(PE)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소 전극(PE)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 15 내지 도 19는 도 14의 제1 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 15를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 게이트 전극(GE) 및 제1 절연층(120)이 형성된다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GE)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트전극(GE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GE)은 티타늄(Ti)을 포함하는 하부층 및 상기 하부층의 상부에 형성되며, 구리(Cu)를 포함하는 상부층을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 상에는 상기 제1 절연층(120)이 형성된다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 베이스 기판(110) 및 상기 게이트 전극(GE)을 포함하는 제1 도전 패턴을 커버한다. 상기 제1 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(120)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 제1 절연층(120)이 형성된 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 액티브 패턴(AP), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 제2 절연층(130)이 형성된다.
상기 제1 절연층(120) 상에는 액티브 패턴(AP)이 형성된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 영역의 상기 제1 절연층(120) 상에 형성된다. 상기 액티브 패턴은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되고, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 각각과 부분적으로 중첩된다. 상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 사이에 개재되고, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에 개재될 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP) 상에는 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브 패턴(AP) 위에 서로 이격되어 배치된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 데이터 라인(DL)과 동일한 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 알루미늄 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 구리(Cu)층 및 상기 구리(Cu)층의 상부 및/또는 하부에 형성된 티타늄(Ti)층을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 데이터 라인(DL) 상에는 제2 절연층(130)이 형성된다. 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도 17을 참조하면, 상기 제2 절연층(130)이 형성된 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 유기막(140)이 형성된다.
상기 제2 절연층(130)상에는 유기막(140)이 형성된다. 상기 유기막(140)은 상기 표시 기판(100)의 상면을 실질적으로 평탄화함으로써, 단차로 인해 발생하는 문제, 예를 들어, 신호 배선의 단선 등을 방지할 수 있다. 상기 유기막(140)은 유기 물질을 포함하는 절연층일 수 있다.
도 18을 참조하면, 상기 유기막(140)이 형성된 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 컨택홀(CNT)을 형성한다.
상기 컨택홀(CNT)은 상기 유기막(140) 및 상기 제2 절연층(130)을 관통하여 형성된다. 상기 컨택홀(CNT)은 상기 드레인 전극(DE)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 상기 컨택홀(CNT)을 통해 화소 전극(PE)과 상기 드레인 전극(DE)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 컨택홀(CNT)이 형성된 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 투명 전극층(150)을 형성한다.
상기 투명 전극층(150)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 전극층(150)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 투명 전극층(150)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 14를 참조하면, 상기 투명 전극층(150)을 패터닝하여 화소 전극(PE)을 형성한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 유기막(140) 상에 배치되며, 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 전극(PE)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소 전극(PE)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 20은 도 2의 제2 기판을 나타내는 단면도이다.
도 20을 참조하면, 상기 컬러 필터 기판(210)의 제1 면에는 터치 전극이 형성된다. 상기 컬러 필터 기판(210)의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에는 블랙 매트릭스(220), 컬러 필터(230), 오버 코팅층(240) 및 공통 전극(250)이 형성된다.
상기 컬러 필터 기판(210)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(220)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된 영역의 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 영상이 표시 되는 표시 영역에 인접하고 상기 영상이 표시되지 않는 주변영역에 대응하여 배치되며, 광을 차단한다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 블랙 매트릭스(220)가 형성된 상기 상부기판(210) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 단위 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 단위 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 서로 인접한 단위 화소들의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(230)에 의해 서로 중첩되거나, 또는 서로 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230) 및 상기 블랙 매트릭스(220) 상에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(230)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 배치된다.
상기 액정층(LC)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 및 상기 컬러 필터 기판(210) 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
또한, 상기 터치 표시 장치는 상기 표시 패널 하부 또는 측면에 배치되는 광원부를 더 포함할 수 있다.
상기 터치 전극은 감지 패턴(331), 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 감지 패턴(331)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 감지 패턴(331)은 상기 절연 패턴(340)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 배선(333)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 상기 연결 배선(333)과 연결된다. 본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 정전용량 방식의 터치 스크린 패널로, 사람의 손 또는 스타일러스 펜 등과 같은 접촉물체가 접촉되면, 상기 감지 패턴(331)으로부터 상기 연결 배선(333)을 경유하여 외부 구동회로(미도시) 측으로 접촉 위치에 따른 정전 용량의 변화가 전달된다. 그러면, 입력 처리 회로(미도시) 등에 의해 정전 용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉 위치가 파악된다.
상기 연결 배선(333)은 상기 패드 전극(335)에 연결된다. 상기 패드 전극은 상기 절연 패턴(340)에 형성되는 컨택홀(CNT)에 의해 노출될 수 있다. 상기 노출된 패드 전극(335)은 터치 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극 상에는 상기 절연 패턴(340)이 배치된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극을 커버하여 절연한다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연 패턴(340)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 물질은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 혼합되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
도 21 및 도 22는 도 20의 제2 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 21을 참조하면, 제1 면에 상기 터치 전극이 형성된 상기 컬러 기판(210)의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230)를 형성한다.
상기 블랙 매트릭스(220)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된 영역의 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 영상이 표시 되는 표시 영역에 인접하고 상기 영상이 표시되지 않는 주변영역에 대응하여 배치되며, 광을 차단한다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 블랙 매트릭스(220)가 형성된 상기 상부기판(210) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 단위 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 단위 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 서로 인접한 단위 화소들의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(230)에 의해 서로 중첩되거나, 또는 서로 이격될 수 있다.
도 22를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230)가 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 오버 코팅층(240)을 형성한다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230) 및 상기 블랙 매트릭스(220) 상에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(230)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
도 20을 참조하면, 상기 오버 코팅층(240)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 공통 전극(250)을 형성한다.
상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(250)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 공통 전극(250)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 23은 도 3의 제2 기판을 나타내는 단면도이다.
도 23을 참조하면, 상기 컬러 필터 기판(210)의 제1 면에는 터치 전극이 형성된다. 상기 컬러 필터 기판(210)의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에는 블랙 매트릭스(220), 컬러 필터(230), 오버 코팅층(240) 및 공통 전극(250)이 형성된다.
상기 컬러 필터 기판(210)은 유리 기판, 쿼츠 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(220)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된 영역의 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 영상이 표시 되는 표시 영역에 인접하고 상기 영상이 표시되지 않는 주변영역에 대응하여 배치되며, 광을 차단한다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 블랙 매트릭스(220)가 형성된 상기 상부기판(210) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 단위 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 단위 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 서로 인접한 단위 화소들의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(230)에 의해 서로 중첩되거나, 또는 서로 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230) 및 상기 블랙 매트릭스(220) 상에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(230)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 배치된다.
상기 액정층(LC)은 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 및 상기 컬러 필터 기판(210) 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
또한, 상기 터치 표시 장치는 상기 표시 패널 하부 또는 측면에 배치되는 광원부를 더 포함할 수 있다.
상기 터치 전극은 감지 패턴(331), 연결 배선(333) 및 패드 전극(335)을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 감지 패턴(331)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 감지 패턴(331)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 감지 패턴(331)은 상기 절연 패턴(340)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결 배선(333)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 연결 배선(333)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 연결 배선(333)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 감지 패턴(331)은 상기 연결 배선(333)과 연결된다. 본 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 정전용량 방식의 터치 스크린 패널로, 사람의 손 또는 스타일러스 펜 등과 같은 접촉물체가 접촉되면, 상기 감지 패턴(331)으로부터 상기 연결 배선(333)을 경유하여 외부 구동회로(미도시) 측으로 접촉 위치에 따른 정전 용량의 변화가 전달된다. 그러면, 입력 처리 회로(미도시) 등에 의해 정전 용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉 위치가 파악된다.
상기 연결 배선(333)은 상기 패드 전극(335)에 연결된다. 상기 패드 전극은 상기 절연 패턴(340)에 형성되는 컨택홀(CNT)에 의해 노출될 수 있다. 상기 노출된 패드 전극(335)은 터치 구동부에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속 물질 또는 투명 전극 물질로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드 전극(335)은 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
상기 패드 전극(335)은 상기 감지 패턴(331)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 층으로 형성될 수 있다. 또한, 패드 전극(335)은 감지 패턴(331)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극 상에는 상기 절연 패턴(340)이 배치된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극을 커버하여 절연한다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 터치 전극이 수분에 노출되어 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 절연 패턴(340)은 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하고, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연 패턴(340)은 서로 다른 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 두 개의 층으로 형성된다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율과 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
상기 절연 패턴(340)은 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 상기 감지 패턴(331)의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 가지며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 상기 제1 굴절율 보다 높은 제2 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)은 실리콘 산화물 (SiOx)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx) 또는 니오브 산화물(NbOx)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 서브 절연 패턴(341)의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고, 상기 제2 서브 절연 패턴(343)의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하일 수 있다. 상기 제1 서브 절연 패턴(341)과 상기 제2 서브 절연 패턴(343)이 중첩되어 상기 절연 패턴(340)은 1.7 이상 2.2 이하의 굴절율을 가질 수 있다.
도 24 및 도 25는 도 23의 제2 기판의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 24를 참조하면, 제1 면에 상기 터치 전극이 형성된 상기 컬러 기판(210)의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230)를 형성한다.
상기 블랙 매트릭스(220)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된 영역의 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 영상이 표시 되는 표시 영역에 인접하고 상기 영상이 표시되지 않는 주변영역에 대응하여 배치되며, 광을 차단한다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 블랙 매트릭스(220)가 형성된 상기 상부기판(210) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(230)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 상기 단위 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 단위 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(230)는 서로 인접한 단위 화소들의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(230)에 의해 서로 중첩되거나, 또는 서로 이격될 수 있다.
도 25를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230)가 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 오버 코팅층(240)을 형성한다.
상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230) 및 상기 블랙 매트릭스(220) 상에 형성된다. 상기 오버 코팅층(240)은 상기 컬러 필터(230)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(230)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
도 23을 참조하면, 상기 오버 코팅층(240)이 형성된 상기 컬러 필터 기판(210) 상에 공통 전극(250)을 형성한다.
상기 공통 전극(250)은 상기 오버 코팅층(240) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(250)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 공통 전극(250)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(250)은 티타늄(titanium: Ti) 또는 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi)을 포함할 수 있다.
도 26은 도 2의 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 26을 참조하면, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(LC)이 개재된다.
상기 액정층(LC)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 2를 참조하면, 상기 절연층(340a)을 패터닝하여 절연 패턴(340)을 형성한다.
상기 절연층(340a)을 패터닝하여 절연 패턴(340)을 형성한다. 상기 절연 패턴(340)은 상기 드레인 전극(DE)을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연 패턴(340)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한 후, 상기 절연층(340a)을 패터닝하여 형성된다.
상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성하기 전에 상기 절연층(340a)을 패터닝하여 상기 절연 패턴(340)을 형성하는 경우, 노출된 터치 전극이 제조 공정 중에 손상될 수 있다.
그러나, 본 발명의 터치 표시 장치는 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한 후, 상기 절연층(340a)을 패터닝하여 상기 절연 패턴(340)을 형성하므로, 제조 공정 중에 터치 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정층(300)을 형성하는 공정 및 상기 절연층(340a)을 패터닝하는 공정에서 열이 발생되며, 상기 열은 터치 전극을 열처리하는 효과를 가질 수 있다. 따라서, 터치 전극이 열처리되어 투명 도전물질의 결정화로 터치 전극의 저항 및 광특성이 개선될 수 있다.
도 27은 도 3의 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 27을 참조하면, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(LC)이 개재된다.
상기 액정층(LC)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 3을 참조하면, 제1 서브 절연층(341a) 및 제2 서브 절연층(343a)을 패터닝하여 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 형성한다.
상기 제1 서브 절연층(341a) 및 상기 제2 서브 절연층(343a)을 패터닝하여 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 형성한다. 상기 제1 서브 절연 패턴(341) 및 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 상기 드레인 전극(DE)을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 서브 절연 패턴(341) 및 상기 제2 서브 절연 패턴(343)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한 후, 상기 절연층(340a)을 패터닝하여 형성된다.
상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성하기 전에 상기 1 서브 절연층(341a) 및 상기 제2 서브 절연층(343a)을 패터닝하여 상기 제1 서브 절연 패턴(341) 및 상기 제2 서브 절연 패턴(343을 형성하는 경우, 노출된 터치 전극이 제조 공정 중에 손상될 수 있다.
그러나, 본 발명의 터치 표시 장치는 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한 후, 상기 제1 서브 절연층(341a) 및 상기 제2 서브 절연층(343a)을 패터닝하여 제1 서브 절연 패턴(341) 및 제2 서브 절연 패턴(343)을 형성하므로, 제조 공정 중에 터치 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정층(300)을 형성하는 공정 및 상기 제1 서브 절연층(341a) 및 상기 제2 서브 절연층(343a)을 패터닝하는 공정에서 열이 발생되며, 상기 열은 터치 전극을 열처리하는 효과를 가질 수 있다. 따라서, 터치 전극이 열처리되어 투명 도전물질의 결정화로 터치 전극의 저항 및 광특성이 개선될 수 있다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 블록도이다.
도 28을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 제조 방법은 터치 전극을 형성하는 단계(S100), 절연층을 증착하는 단계(S200), 제1 기판을 형성하는 단계(S300), 제2 기판을 형성하는 단계(S400), 액정층을 형성하는 단계(S500), 절연층을 패터닝하는 단계(S600) 및 가공 및 검사하는 단계(S700)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 및 제2 기판 사이에 액정층을 형성한 후, 절연층을 패터닝하여 상기 절연 패턴을 형성된다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하기 전에 상기 절연층을 패터닝하여 상기 절연 패턴을 형성하는 경우, 노출된 터치 전극이 제조 공정 중에 손상될 수 있다.
그러나, 본 발명의 터치 표시 장치는 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성한 후, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 절연 패턴을 형성하므로, 제조 공정 중에 터치 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정층을 형성하는 공정 및 상기 절연층을 패터닝하는 공정에서 열이 발생되며, 상기 열은 터치 전극을 열처리하는 효과를 가질 수 있다. 따라서, 터치 전극이 열처리되어 투명 도전물질의 결정화로 터치 전극의 저항 및 광특성이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 터치 표시 장치는 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성한 후, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 절연 패턴을 형성하므로, 제조 공정 중에 터치 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액정층을 형성하는 공정 및 상기 절연층을 패터닝하는 공정에서 열이 발생되며, 상기 열은 터치 전극을 열처리하는 효과를 가질 수 있다. 따라서, 터치 전극이 열처리되어 투명 도전물질의 결정화로 터치 전극의 저항 및 광특성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 장치의 절연 패턴은 상기 터치 전극의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 따라서, 상기 터치 전극이 시인되지 않게 된다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 제1 기판 200: 제2 기판
331: 감지 패턴 333: 연결 배선
335: 패드 전극 340: 절연 패턴

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판의 제1 면에 배치되는 터치 전극;
    상기 터치 전극 상에 배치되며, 상기 터치 전극과 동일한 굴절율을 갖는 절연 패턴;
    상기 제1 기판의 상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함하고,
    상기 절연 패턴은,
    상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 서브 절연 패턴; 및
    상기 제1 굴절율보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 서브 절연 패턴을 포함하며,
    상기 제1 서브 절연 패턴은 상기 터치 전극과 직접 접촉하고,
    상기 제2 서브 절연 패턴은 상기 제1 서브 절연 패턴과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 터치 전극은 투명 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 터치 전극과 전기적으로 연결되는 패드 전극을 더 포함하고,
    상기 절연 패턴은 상기 패드 전극을 노출하는 컨택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 터치 전극의 굴절율은 1.7 이상 2.2 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고,
    상기 제2 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 절연 패턴은 SiOx를 포함하고,
    상기 제2 서브 절연 패턴은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 절연 패턴은,
    상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 상기 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및
    상기 제1 굴절율보다 높은 상기 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고,
    상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 물질은 SiOx를 포함하고,
    상기 제2 물질은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치.
  11. 제1 기판의 제1 면 상에 터치 전극을 형성하는 단계;
    상기 터치 전극이 형성된 상기 제1 기판의 제1 면 상에 절연층을 증착하는 단계;
    상기 제1 면의 반대면인 제2 면에 대향하는 제2 기판을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계; 및
    상기 절연층을 패터닝하여 상기 터치 전극과 동일한 굴절율을 갖는 절연 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 절연 패턴은,
    상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 제1 굴절율을 갖는 제1 서브 절연 패턴; 및
    상기 제1 굴절율보다 높은 제2 굴절율을 갖는 제2 서브 절연 패턴을 포함하며,
    상기 제1 서브 절연 패턴은 상기 터치 전극과 직접 접촉하고,
    상기 제2 서브 절연 패턴은 상기 제1 서브 절연 패턴과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 터치 전극은 투명 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 터치 전극과 전기적으로 연결되는 패드 전극을 더 포함하고,
    상기 절연 패턴은 상기 패드 전극을 노출하는 컨택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 터치 전극의 굴절율은 1.7 이상 2.2 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고,
    상기 제2 서브 절연 패턴의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 서브 절연 패턴은 SiOx를 포함하고,
    상기 제2 서브 절연 패턴은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 절연 패턴은,
    상기 터치 전극의 굴절율 보다 낮은 상기 제1 굴절율을 갖는 제1 물질 및
    상기 제1 굴절율보다 높은 상기 제2 굴절율을 갖는 제2 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 물질의 굴절율은 1.4 이상 1.6 이하이고,
    상기 제2 물질의 굴절율은 1.8 이상 2.3 이하인 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1 물질은 SiOx를 포함하고,
    상기 제2 물질은 SiNx, TiOx 또는 NbOx를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 표시 장치의 제조 방법.
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