TWI633473B - 內嵌式觸控液晶顯示裝置及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種內嵌式觸控液晶顯示裝置，包含下陣列基板、具有的面積大於下陣列基板的上陣列基板、在上陣列基板內表面上，交叉定義像素區域的閘極線和數據線、在上陣列基板的內表面上的薄膜電晶體、在有薄膜電晶體的上陣列基板的內表面上，並暴露薄膜電晶體的汲極的部分的平坦化層、在平坦化層上的共同電極、在平坦化層上，暴露部分的汲極的鈍化層、在鈍化層上的觸控線、層間絕緣層、在層間絕緣層上，重疊共同電極，連接到汲極的像素電極以及連接觸控線和像素電極的連接線；層間絕緣層在鈍化層上，覆蓋觸控線，並暴露部分的汲極、觸控線、共同電極。

Description

內嵌式觸控液晶顯示裝置及其製作方法
本發明涉及一種液晶顯示裝置，特別涉及一種內嵌式觸控液晶顯示裝置及其製造方法。
近年來，開發多種用於減輕重量和體積的平板顯示裝置，藉以解決陰極射線管（CRT）的缺點。液晶顯示裝置（LCD）、發射顯示裝置（FED）、電漿顯示面板（PDP）、電致發光顯示裝置（EL）等被作為平板顯示裝置。
由於這些平板顯示裝置重量輕，所以它們被用作行動通訊終端或便攜式訊息協助的顯示裝置。特別地，對於行動裝置或便攜式裝置，需要更薄、更輕巧、更低能耗的顯示面板。
平板顯示裝置使用將掃描信號提供給顯示面板的閘極線的一閘極驅動電路和將數據電壓提供給顯示面板的數據線的一數據驅動電路來顯示圖像。例如，使用TAB法連接到數據線的一數據驅動部可位於顯示面板的頂部的一側。使用TAB法連接到閘極線的一閘極驅動部可位於顯示面板左部的一側。
在閘極和數據驅動部與顯示面板分離配置並連接顯示面板的方法中，需要一安裝區域，因此作為顯示面板的邊緣區域的一邊框區域佔用很大的空間。隨著平板顯示裝置的需求增加，以及隨著技術的發展，從審美的角度來看，外型等其他需求的是必須的。
在這方面，最小化平面顯示裝置沿著表面四邊的黑色邊緣的邊框區域的需求增加。
近來，提出了用於操作顯示面板的觸控面板技術。
通常，觸控顯示面板包括觸控面板與觸控面板重疊的顯示單元。觸控面板設計為操作介面。觸控面板是透明的，使得由顯示單元產生的圖像不會被觸控面板遮蔽並且被使用者看到。
在上述已知的觸控面板技術中，觸控顯示面板的重量和厚度增加，觸控顯示面板的光穿透度降低，並且觸控顯示面板的反射率和霧度增加。
為了克服這些缺點，則提出整合式(on-cell)與內嵌式(in-cell)的觸控技術。
整合式技術是將觸控感應器設置於彩色濾光片基板的後表面上。
另一種整合式技術是將觸控感應器設置在薄膜上，且該薄膜附著在兩個基板的上基板上。
該內嵌式觸控技術是將觸控感應器設置在液晶顯示面板的單元結構中。有三種內嵌式觸控技術，如電控式觸控技術、電容式觸控技術和光學觸控技術。電阻式觸控技術在兩個導電基板之間使用共同電極，以便決定觸控顯示面板上的觸控位置。
參考圖1，說明根據先前技術的內嵌式（in-cell）液晶顯示裝置（LCD）。更具體地，圖1是根據先前技術的內嵌式觸控LCD的示意剖面圖。
參考圖1，在相關技術中，在內嵌式觸控技術的相關技中，沿著一方向延伸且彼此平行並相間隔的多個閘極線，以及跨越該些閘極線以定義像素區域的多個數據線21形成在薄膜電晶體（TFT）陣列基板11上。
在閘極線和數據線21的交叉部分處形成TFT，並且包含一閘極電極、一活性層、一源極電極和一汲極電極。第一鈍化層23完全形成在具有薄膜電晶體的TFT基板11上，且平坦化層25形成在第一鈍化層23上。汲極接觸電洞形成在第一鈍化層23和平坦化層25中，並露出一部分汲極電極。像素電極27形成在平坦化層25上，並通過汲極接觸電洞與汲極電極電性連接。第二鈍化層28形成在平坦化層25上。觸控線29形成在第二鈍化層28上。層間絕緣層31形成在第二鈍化層28上並覆蓋觸控線29。觸控線接觸電洞形成在層間絕緣層31中並暴露一部分的觸控線29。多個共同電極35形成在層間絕緣層31上，與像素電極27重疊並連接到觸控線29。
在彩色濾光片（CF）陣列基板51上形成用於阻擋除了像素區域之外的區域的光透射的一黑矩陣53。紅色、綠色和藍色彩色濾光片55形成在CF陣列基板51的各像素區域中。
為了觸控CF陣列基板51的表面並實現觸控功能，在CF陣列基板51的前表面上形成具有高電阻的透明導電層57。為了防止手指電容和靜電，使用透明導電層57作為觸控材料層代替先前技術中低電阻的ITO。
液晶層61插入在彼此附接的TFT陣列基板11和CF陣列基板51之間。
上述的內嵌式觸控LCD使用透明的高電阻導電層57提供觸控功能。
參考圖2說明製造該內嵌式觸控LCD的過程。更具體地，圖2是根據先前技術的內嵌式觸控LCD的製造過程的流程圖。
參考圖2，該製造過程包含在TFT陣列基板上形成閘極線和閘極電極的第一光罩製程S11；在閘極電極上形成活性層、源極電極和汲極電極的第二光罩製程S12；在活性層、源極電極和汲極電極的平坦化層中形成暴露汲極電極的汲極接觸電洞的第三光罩製程S13；形成通過汲極接觸電洞與汲極電極電性連接的像素電極的第四光罩製程S14；形成與數據線重疊的觸控線的第五光罩製程S15；在覆蓋觸控線的層間絕緣層中形成觸控線接觸電洞的第六光罩製程S16；以及形成與像素電極重疊並連接到觸控線的共同電極的第七光罩製程S17。
此外，該製造過程包括在CF陣列基板上形成黑矩陣的光罩製程，以及在CF陣列基板上的黑矩陣的開口中形成彩色濾光片的光罩製程。
在上述製造過程之後，將高電阻的透明導電層（圖1的57）塗佈在CF陣列基板（圖1的51）的表面上。在其他製程系統下，透明導電層的塗佈製程與TFT陣列基板和CF陣列基板的製造過程分開進行。
圖3繪示根據先前技術的內嵌式觸控LCD的靜電路徑的示意圖。
參照圖3，在先前技術的內嵌式觸控LCD中，從外部產生的靜電經由一透明的高電阻導電層57、一銀點(Ag dot)部91、一接地線81和一電路部排出到外部。
然而，根據先前技術的內嵌式LCD，透明導電層57與TFT陣列基板和CF陣列基板的製造過程分開塗佈，因此，會產生由存在於CF陣列基板的後表面上的有機物質引起的塗層斑點(coating spot)。
因此，為了除去塗層斑點，需要額外的蝕刻和清潔過程。因此，會增加先前技術中的製程。
此外，由於形成了高電阻的透明導電層而不是現有的ITO，所以發生靜電點(electrostatic spot)，且抗靜電性降低。因此，先前技術中製造效率和觸控靈敏度降低。
此外，由於在手指（圖1的71）和共同電極（圖1的35）之間的距離（圖1的d1）較長，所以手指電容（圖1的C1）較小，並且由於共同電極的觸控面積小，所以先前技術的手指觸控的觸控靈敏度降低。
因此，本發明涉及一種內嵌式觸控液晶顯示裝置及其製造方法，其實質上消除了由於先前技術的限制和缺點而引起的問題。
本發明的目的是提供一種內嵌式觸控LCD及其製造方法，其可以提高觸控性能和靜電性能。本發明的另一個目的是提供一種內嵌式液晶顯示裝置及其製造方法，其可以去除透明的高電阻導電層，從而簡化製造流程並降低製造成本。
本發明的其他特徵和優點，將在下面的描述中進行某種程度上的闡述，並且在某種程度上對本領域之通常知識者在對以下內容進行檢驗時變得明顯，或者可以從實踐中獲悉本發明。本發明的目的和其他優點可以通過在說明書和申請專利範圍以及圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些優點和其它優點並且根據本發明的目的，如在本文中具體和廣泛描述的一種內嵌式液晶顯示裝置包含一下陣列基板、一上陣列基板、一閘極線、一數據線、一薄膜電晶體、一平坦化層、一共同電極、一鈍化層、一觸控線、一層間絕緣層、多個像素電極以及一連接線；其中上陣列基板設置在該下陣列基板上並面向該下陣列基板，且具有一面積大於該下陣列基板一面積；一閘極線和一數據線設置在該上陣列基板一內表面上，且互相交叉以定義一像素區域；薄膜電晶體設置在該上陣列基板的該內表面上；平坦化層，設置在設有該薄膜電晶體的該上陣列基板的該內表面上，並暴露該薄膜電晶體的一汲極電極的一部分；共同電極設置在該平坦化層上；鈍化層設置在該平坦化層上，並暴露該汲極電極的該部分；觸控線設置在該鈍化層上；層間絕緣層設置在該鈍化層上，覆蓋該觸控線，並暴露該汲極電極的該部分、該觸控線與該共同電極；多個像素電極設置在該層間絕緣層上，重疊該共同電極，並連接到該汲極電極；連接線連接該觸控線和該些像素電極。
在另一方面，一種用來內嵌式觸控液晶顯示裝置的製造方法，方法包含提供一下陣列基板和設置在該下陣列基板上並面向該下陣列基板的一上陣列基板，其中該上陣列基板具有一面積大於該下陣列基板的一面積；在該上陣列基板一內表面上形成互相交叉以定義一像素區域的一閘極線和一數據線；在該上陣列基板的該內表面上形成一薄膜電晶體；在有該薄膜電晶體的該上陣列基板的該內表面上形成暴露該薄膜電晶體的一汲極電極的一部分的一平坦化層；在該平坦化層上形成一共同電極；在該平坦化層上形成暴露該汲極電極的該部分的一鈍化層；在該鈍化層上形成一觸控線；在該鈍化層上形成覆蓋該觸控線並暴露該汲極電極的該部分、該觸控線與該共同電極的一層間絕緣層； 以及在該層間絕緣層上形成重疊該共同電極並連接該汲極電極的多個像素電極，且一連接線連接該觸控線和該些像素電極。
應當理解，本發明的前述一般性描述和以下的詳細描述是示範性和說明性的，並且旨在對本發明所請求的申請專利範圍提供進一步解釋。
現在將詳細參考本發明的具體實施例，在圖式中說明其示範例。在整個圖式中可以使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分。
圖4繪示根據本發明的一實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的示意剖面圖。根據本發明的所有實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的所有組件都可操作地耦合和配置。
圖4示意性地顯示出邊緣電場切換型（fringe field switching，FFS）型液晶面板的一部分，在像素電極和共同電極之間產生的邊緣場以操作位於像素區域和共同電極上的液晶分子並顯示圖像。然而，本發明不限於此類型的LCD。例如，本發明也可以應用於水平驅動電場（in-plane switching，IPS）型LCD或其他類型的平板顯示裝置。
參照圖4，在本實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD中，上陣列基板101被配置成TFT陣列基板，下陣列基板151被配置成CF陣列基板。換句話說，與先前技術不同，具有相對較大面積的TFT陣列基板位於CF陣列基板上。在上陣列基板上，形成TFT和各種線和電極且定義了像素區域。
在下陣列基板151處，形成用於顯示紅色、綠色和藍色的三原色的彩色濾光片155以及用於分隔像素區域的黑矩陣153。在下陣列基板151的外表面上形成有下偏光片。
換句話說，在上陣列基板101上排列成行和列的線的以定義多個像素區域的多個閘極線和多個數據線113、在閘極線和數據線113的交叉部分作為開關元件的TFT，以及在像素區域中的像素電極131。
當LCD是例如扭轉向列(twisted nematic，TN)型LCD的垂直電場型LCD時，共同電極形成在下陣列基板151上。當LCD是水平電場型LCD，例如IPS或FFS型LCD，共同電極127和像素電極131一起形成在上陣列基板101上。
如圖4所示，氮化物絕緣層103形成在上陣列基板101的內表面上。氮化物絕緣層103阻擋由如銅的金屬材料形成的電極線產生的顏色（例如，黃色）的顯示，藉此改善了光的反射，從而提高了顯示性能。
此外，在上陣列基板101的內表面上，形成沿著一方向延伸並且彼此平行的多條閘極線，以及形成與多條閘極線交叉的多條數據線113，以定義多個像素區域。
薄膜電晶體T形成在閘極線和數據線113的交叉處。薄膜電晶體T包括一閘極電極105a、一活性層109、一源極電極113a和一汲極電極113b。一閘極絕緣層107形成在氮化物絕緣層103上並覆蓋閘極電極105a。
第一鈍化層117完全形成在具有薄膜電晶體T的上陣列基板101上。平坦化層119形成在第一鈍化層117上。
開口部分121形成在第一鈍化層117和平坦化層119中並暴露薄膜電晶體T的汲極電極113b的一部分。
共同電極123和一觸控線125形成在平坦化層119上且彼此間隔開。共同電極123可以形成為大尺寸的板狀。
第二鈍化層124形成在平坦化層119上並覆蓋共同電極123。觸控線125形成在第二鈍化層124上。
層間絕緣層127形成在第二鈍化層124上並覆蓋觸控線125。
汲極接觸電洞129a形成在第二鈍化層124和層間絕緣層127中並暴露出汲極電極113b的一部分。
在像區域中的層間絕緣層127上形成多個像素電極131，並且電性連接汲極電極113b。多個像素電極131重疊共同電極。
上對準層(upper alignment layer)完全形成在具有層間絕緣層的上陣列基板101上。
在下陣列基板151的內表面上形成用於阻擋除了像素區域以外的區域的光透射的黑矩陣153。
紅色、綠色和藍色彩色濾光片155形成在下陣列基板151的各個像素區域中。黑矩陣153位於多個彩色濾光片155之間。
可以在下陣列基板151的後表面（或底面或外表面）上額外地形成ITO，並且ITO可以防止靜電，並且在這種情況下，可以提高靜電防止的特性。
在貼附上陣列基板101和下陣列基板151時，黑矩陣153被設置成使得它和除了上陣列基板101的像素區域之外的區域重疊，例如與薄膜電晶體T、閘極線和數據線113重疊。
下對準層形成在下陣列基板151的頂面。
當通過薄膜電晶體T將數據信號提供給像素電極121時，在像素電極131和大尺寸共同電極123之間產生邊緣場(fringe field)，並且在上陣列基板101和下陣列基板151之間沿水平方向上排列的液晶分子藉由該邊緣場旋轉。因此，通過像素區域的光的透射率將根據液晶分子的旋轉量而變化，並因此顯示灰階。
在本實施例的內嵌式觸控LCD中，利用上陣列基板101的面積大於具有彩色濾光片155的下陣列基板151實現顯示和觸控，並且可以提高觸控性能和靜電性能。
在本實施例中，由於手指171與共同電極123之間的距離d2的減小，在其間的電容C2增加，因此手指的靈敏度增加，並且由於共同電極123的觸控面積的增加，在手指觸控的觸控敏感度增加。
在本實施例中，由於觸控線125和像素電極131之間的電容的減小而導致的觸控線125的電阻降低，進而提高了觸控靈敏度。
參照圖5說明根據本實施例的上述構成的內嵌式觸控LCD的製造過程。
圖5是顯示出根據本發明的一實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的製造過程的流程圖。
參考圖5，製造過程包含在TFT的上陣列基板上形成一閘極線和一閘極電極的第一光罩製程S101；在閘極電極上形成一活性層、一源極電極、一汲極電極的第二光罩製程S102；在活性層、源極電極和汲極電極上之一平坦化層中形成暴露出汲極電極的一開口部分(即蝕刻平坦化層)的第三光罩製程S103；在平坦化層上形成共同電極的第四光罩製程S104；在平坦化層上形成與共同電極分開的一觸控線的第五光罩製程S105；在平坦化層上的一鈍化層中形成暴露在開口部分下方的汲極電極一部分的一汲極接觸電洞的第六光罩製程S106；以及在鈍化層上形成通過汲極接觸電洞連接到汲極電極並重疊共同電極的像素電極的第七光罩製程S107。
此外，製造過程包括在下陣列基板上形成用於彩色濾光片的黑矩陣的光罩製程，以及在下陣列基板上的黑矩陣的各個開口中形成彩色濾光片的光罩製程。
如上所述，本實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD具有翻轉結構。換句話說，用於TFT的上陣列基板具有一個比在下陣列基板上形成用於彩色濾光片的面積大的面積，並且將像素電極設置在上陣列基板的頂部，用於共同電極的光罩製程和像素電極的光罩製程被交換。
特別地，在先前技術中，用於共同電極的光罩製程在像素電極的光罩製程之後進行。相反地，在本發明的實施例中，像素電極的光罩製程在共同電極的光罩製程之後進行。
參照圖6A至圖6L說明根據本發明一實施例的內嵌式觸控LCD的製造方法。
圖6A至圖6L是根據本發明的一實施例的用於製造無邊框型之內嵌式觸控LCD的方法的剖面圖。
在本實施例的LCD中，上陣列基板101被配置為TFT陣列基板，下陣列基板151被配置為CF陣列基板。換句話說，與先前技術不同的是，相對大尺寸的TFT陣列基板位於CF陣列基板上。
參考圖6A，在其中定義有多個像素區域的透明的上陣列基板101上形成氮化物絕緣層103。氮化物絕緣層103可以由選自氮化物基材料中的一種所製成。
氮化物絕緣層103阻擋了由如銅的金屬材料所製成的電極線產生的顏色（例如，黃色），從而改善了光的反射，因此提高了顯示性能。
然後，使用濺鍍方法沉積第一金屬層，並且使用光學顯影來蝕刻第一金屬層，以形成一閘極線和垂直於閘極線延伸的一閘極電極105a。第一金屬層由選自以下的一導電材料組的至少其中之一者所構成，該導電材料群組包括鋁（Al）、鎢（W）、銅（Cu）、鉬（Mo）、鉻（Cr）、鈦（Ti）、鉬鎢（MoW）、鉬鈦（MoTi）、銅/鉬鈦（Cu/MoTi）。
然後，參考圖6B，閘極絕緣層107形成在上陣列基板101上，並覆蓋了閘極線和閘極電極105a。閘極絕緣層107由氧化矽（SiNx）或氧化矽（SiO2 ）所製成。
依順沉積純非晶矽層（a-Si：H）和雜質摻雜的非晶矽層（n+或p+）。可以使用化學氣相沉積（CVD）方法或其他方法形成純非晶矽層（a-Si：H）和雜質摻雜的非晶矽層（n +或p +）。
然後，使用光學顯影技術選擇性地蝕刻純非晶矽層（a-Si：H）和摻雜雜質的非晶矽層（n +或p +），以在閘極電極105a上的閘極絕緣層107上形成一活性層109和一歐姆接觸層111。
然後，參照圖6C，第二金屬層形成在閘極絕緣層107上，並覆蓋活性層109和歐姆接觸層111。第二金屬層由選自以下的一導電材料群組的至少其中之一者所構成，該導電材料群組包括鋁（Al）、鎢（W）、銅（Cu）、鉬（Mo）、鉻（Cr）、鈦（Ti）、鉬鎢（MoW）、鉬鈦（MoTi）、銅/鉬鈦（Cu/MoTi）。
然後，使用光學顯影技術選擇性地蝕刻第二金屬層，以形成與閘極線交叉的一數據線113，從數據線113延伸的源極電極113a和與源極電極113a間隔開的汲極電極113b。在形成源極電極113a和汲極電極113b時，蝕刻源極電極113a和汲極電極113b之間的歐姆接觸層111的一部分。因此，歐姆接觸層111與活性層109的通道區域分離。
然後，在具有源極電極113a和汲極電極113b的上陣列基板101上形成第一鈍化層117。第一鈍化層117可以由無機絕緣材料形成，例如氧化矽（SiNx）或氧化矽（SiO2 ）。
然後，參照圖6D，平坦化層119形成在第一鈍化層117上。平坦化層119可以由有機絕緣材料形成，例如聚醯亞胺或光丙烯。
然後，參考圖6E，使用光學顯影選擇性地蝕刻平坦化層119和第一鈍化層117，以形成露出汲極電極113b一部分的開口部分121。
然後，參考圖6F，在具有開口部分121的平坦化層119上形成第一透明導電材料層，並使用光學顯影進行蝕刻，以形成平板狀的大尺寸共同電極123。第一透明導電材料層可以由選自包含氧化錫(indium-tin-oxide，ITO)和氧化銦鋅(indium-zinc-oxide，IZO)的透明導電材料群組的其中之一者所構成。
共同電極123可以實質上形成於像素區域的整個區域上。
然後，參考圖6G，第二鈍化層124形成在平坦化層119上，並覆蓋共同電極123。第二鈍化層124可以由無機絕緣材料形成，例如氧化矽（SiNx）或氧化矽（SiO2 ）。
然後，第三金屬層沉積在第二鈍化層124上。第三金屬層由選自以下的一導電材料群組的至少其中之一者所構成，該導電材料群組包括鋁（Al）、鎢（W）、銅（Cu）、鉬（Mo）、鉻（Cr）、鈦（Ti）、鉬鎢（MoW）、鉬鈦（MoTi）、銅/鉬鈦（Cu/MoTi）。
使用光學顯影來蝕刻第三金屬層以形成一個觸控線125。
然後，參照圖6H，層間絕緣層127形成在第二鈍化層124上並覆蓋觸控線125。層間絕緣層127可以由無機絕緣材料形成，例如氧化矽（SiNx）或氧化矽（SiO2 ）。
然後，參考圖6I，使用光學顯影來蝕刻層間絕緣層127和第二鈍化層124，以形成暴露汲極電極113b的汲極接觸電洞129a、暴露共同電極123的共同電極接觸電洞129b、和暴露觸控線125的觸控線接觸電洞129c。
然後，在具有汲極接觸電洞129a、共同電極接觸電洞129b和觸控線接觸電洞129c的層間絕緣層上形成第二透光導電材料層。
然後，參考圖6J，使用光學顯影來蝕刻第二透明導電材料層，以形成通過汲極接觸電洞129a連接到汲極電極113b的像素電極131，和通過共同電極接觸電洞129b和觸控線接觸電洞129c連接共同電極123和觸控線125的一連接線133。第二透明導電材料層可以由選自包含氧化錫(indium-tin-oxide，ITO)和氧化銦鋅(indium-zinc-oxide，IZO)的透明導電材料群組的其中之一者所構成。
在每個紅色、綠色和藍色像素區域的中重疊共同電極123的像素電極131可以被配置為彼此間隔開的條形。
然後，在其上具有像素電極131的層間絕緣層127上形成上對準層。
通過上述製程，可以製造用於本實施例的內嵌式觸控LCD的TFT陣列基板。
參考圖6K，黑矩陣153形成在CF陣列基板(即與上述TFT陣列基板間隔開並與之連接的下陣列基板151)上。
然後，在下陣列基板151的各個像素區域中形成紅色、綠色和藍色彩色濾光片155。黑矩陣153位於彩色濾光片155之間。
在貼附上陣列基板101和下陣列基板151時，黑矩陣153與除了上基陣基板101的像素區域之外的區域重疊，例如與薄膜電晶體T、閘極線和數據線113重疊。
然後，在彩色濾光片155上形成下對準層。
通過上述製程，可以製造用於本實施例的內嵌式觸控LCD的CF陣列基板。
可以在下陣列基板151的後表面（或底表面或外表面）上額外地形成ITO，並且可以防止靜電，並且在這種情況下，可以提高靜電防止性能。
然後，參考圖6L，在上陣列基板101和下陣列基板151之間注入液晶層161。因此，可以製造內嵌式的本實施例的液晶顯示裝置。
圖7是顯示出根據本發明的實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的靜電路徑的示意圖。
參考圖7，靜電放電路徑可以通過一共同電極123、形成在上陣列基板101和下陣列基板151的側邊的一銀(Ag)點部分191和一接地線181產生。
如上所述，在本發明的實施例的內嵌式觸控LCD中，藉由TFT陣列基板的面積大於CF陣列基板實現了顯示和觸控，並因此可提高觸控性能和靜電性能。
此外，根據本發明的實施例，提供4邊的無邊框配置/設計除去了先前技術中所使用的高電阻的透明導電層，因而製造過程可以簡化並可降低製造成本。
此外，根據本發明的實施例，在TFT陣列基板和閘極線之間另外形成氮化物絕緣層，以阻擋由金屬材料例如銅所製成的電極線所產生的顏色，從而可以提高顯示特性。
此外，根據本發明的實施例，可在偏光片結構上額外地形成ITO，CF陣列基板用於防止靜電，並且可以提高靜電防止性能。
此外，根據本發明的實施例，由於手指和共同電極之間的距離減小，其間的電容增加，因此手指靈敏度增加，並且由於共同電極的觸控區域的增加，手指觸控的觸控靈敏度增加。
此外，根據本發明的實施例，由於觸控線與像素電極之間的電容減少使得觸控線的電阻降低，因而改進了觸控靈敏度。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可對本發明的上述示範性實施例進行各種修改。因此，只要這些所有修改在所附申請專利範圍及其等同物的範圍內，本發明涵蓋這些所有修改。
11‧‧‧基板
21‧‧‧數據線
23‧‧‧第一鈍化層
25‧‧‧平坦化層
27‧‧‧像素電極
28‧‧‧第二鈍化層
29‧‧‧觸控線
31‧‧‧層間絕緣層
35‧‧‧共同電極
51‧‧‧陣列基板
53‧‧‧黑矩陣
57‧‧‧透明導電層
61‧‧‧液晶層
101‧‧‧上陣列基板
103‧‧‧氮化物絕緣層
105a‧‧‧閘極電極
107‧‧‧閘極絕緣層
109‧‧‧活性層
111‧‧‧歐姆接觸層
113‧‧‧數據線
113a‧‧‧源極電極
113b‧‧‧汲極電極
117‧‧‧第一鈍化層
119‧‧‧平坦化層
121‧‧‧開口部分
123‧‧‧共同電極
124‧‧‧第二鈍化層
125‧‧‧觸控線
127‧‧‧層間絕緣層
129a‧‧‧汲極接觸電洞
129b‧‧‧共同電極接觸電洞
129c‧‧‧觸控線接觸電洞
131‧‧‧像素電極
133‧‧‧連接線
151‧‧‧下陣列基板
153‧‧‧黑矩陣
155‧‧‧彩色濾光片
161‧‧‧液晶層
171‧‧‧手指
181‧‧‧接地線
191‧‧‧銀(Ag)點部分
T‧‧‧薄膜電晶體
C1‧‧‧手指電容
C2‧‧‧電容
圖1是根據先前技術的內嵌式觸控LCD的示意剖面圖。 圖2根據先前技術的內嵌式觸控LCD的製造過程的流程圖。 圖3繪示根據先前技術的內嵌式觸控LCD的靜電路徑的示意圖。 圖4繪示根據本發明的一實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的示意剖面圖。 圖5是根據本發明的一實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的製造過程的流程圖。 圖6A至6L繪示根據本發明的一實施例的用於製造無邊框型之內嵌式觸控LCD的方法的剖面圖。 圖7繪示根據本發明的一實施例的無邊框型之內嵌式觸控LCD的靜電路徑的示意圖。

Claims (14)

  1. 一種內嵌式觸控液晶顯示裝置，包含：一下陣列基板；一上陣列基板，在該下陣列基板上並面向該下陣列基板，且具有一面積大於該下陣列基板的一面積；一閘極線和一數據線，在該上陣列基板一內表面上，且互相交叉以定義一像素區域；一薄膜電晶體，在該上陣列基板的該內表面上；一平坦化層，在有該薄膜電晶體的該上陣列基板的該內表面上，並暴露該薄膜電晶體的一汲極電極的一部分；一共同電極，在該平坦化層上；一鈍化層，在該平坦化層上，並暴露該汲極電極的該部分；一觸控線，在該鈍化層上；一層間絕緣層，在該鈍化層上，覆蓋該觸控線，並暴露該汲極電極的該部分、該觸控線與該共同電極；多個像素電極，在該層間絕緣層上，重疊該共同電極，並連接該汲極電極；以及一連接線，連接該觸控線和該共同電極。
  2. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，更包含：一氮化物絕緣層，在該閘極線和該薄膜電晶體的一閘極電極之下，並在該上陣列基板的該內表面上。
  3. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，其中該共同電極形成一大尺寸的板形。
  4. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，其中該共同電極實質上形成在該像素區域的整個表面上。
  5. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，更包含：一氧化銦錫(ITO)，在該下陣列基板的一外表面上。
  6. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，其中該下陣列基板是一彩色濾光片陣列基板，且該上陣列基板是一薄膜電晶體陣列基板。
  7. 如請求項1之內嵌式觸控液晶顯示裝置，其中一靜電放電路徑通過該共同電極、形成在該上陣列基板和該下陣列基板的側部的一銀點部，以及一接地線而產生。
  8. 一種製造內嵌式觸控液晶顯示裝置的方法，該方法包含：提供一下陣列基板和在該下陣列基板上並面向該下陣列基板的一上陣列基板，其中該上陣列基板具有一面積大於該下陣列基板的一面積；在該上陣列基板一內表面上形成互相交叉以定義一像素區域的一閘極線和一數據線；在該上陣列基板的該內表面上形成一薄膜電晶體；在有該薄膜電晶體的該上陣列基板的該內表面上形成暴露該薄膜電晶體的一汲極電極的一部分的一平坦化層；在該平坦化層上形成一共同電極；在該平坦化層上形成暴露該汲極電極的該部分的一鈍化層；在該鈍化層上形成一觸控線；在該鈍化層上形成覆蓋該觸控線並暴露該汲極電極的該部分、該觸控線與該共同電極的一層間絕緣層；以及在該層間絕緣層上形成重疊該共同電極並連接該汲極電極的多個像素電極，且一連接線連接該觸控線和該共同電極。
  9. 如請求項8的方法，更包含：在該閘極線和該薄膜電晶體的一閘極電極之下及該上陣列基板的該內表面上形成一氮化物絕緣層。
  10. 如請求項8的方法，其中該共同電極極形成一大尺寸的平板狀。
  11. 如請求項8的方法，其中該共同電極實質上形成在該像素區域的整個表面上。
  12. 如請求項8的方法，更包含：在該下陣列基板的一外表面上形成一氧化銦錫(ITO)。
  13. 如請求項8的方法，其中該下陣列基板是一彩色濾光片陣列基板，且該上陣列基板是一薄膜電晶體陣列基板。
  14. 如請求項8的方法，其中一靜電放電路徑通過該共同電極、形成在該上陣列基板和該下陣列基板的側部的一銀點部，以及一接地線而產生。
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