JP2002184998A - 表示装置用アレイ基板、この製造方法、及びこれを備える平面表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチングストッパ型のアレイ基板、及び
これを用いる平面表示装置においてＴＦＴにおける光に
よるリーク電流を防止でき、これにより動作特性の向上
や遮光膜の省略による製造コストの低減または画素開口
率の向上を図ることができるものを提供する。 【解決手段】ＴＦＴ７のチャネル部の両端に相当するチ
ャネル保護膜２１の両端からゲート電極１１ａの輪郭の
外へと延在されて、ソース電極３３のパターンの輪郭を
挟み込む領域に延びるチャネル保護膜延在部２１を設け
る。特には、チャネル保護膜延在部２２が、ソース電極
３３の輪郭を全周にわたって挟み込むように略Ｃ字状を
なして配され、チャネル保護膜２１との間に開口２３を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の
平面表示装置及びこれに用いるアレイ基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＲＴディスプレイに代わる平面
型の表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示
装置は軽量、薄型、低消費電力、目の疲れの少なさ等の
利点から特に注目を集めている。

【０００３】例えば、各表示画素毎にスイッチ素子が配
置された光透過型のアクティブマトリクス型の液晶表示
装置を例にとり説明する。アクティブマトリクス型液晶
表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介
して液晶層が保持されて成っている。アレイ基板は、ガ
ラスや石英等の透明絶縁基板上に複数本の信号線と走査
線とが格子状に配置され、各交点部分にアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）等の半導体薄膜を用いた薄膜ト
ランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する。）が接続されて
いる。そしてＴＦＴのゲート電極は走査線に、ドレイン
電極は信号線にそれぞれ電気的に接続され、さらにソー
ス電極は画素電極を構成する透明導電材料、例えばＩＴ
Ｏ(Indium-Tin-Oxide)に電気的に接続されている。ＴＦ
Ｔのソース及びドレイン電極は金属等の光不透過性材料
からなる。

【０００４】対向基板は、ガラス等の透明絶縁基板上に
ＩＴＯから成る対向電極が配置され、またカラー表示を
実現するのであればカラーフィルタ層が配置されて構成
されている。

【０００５】このように表示画素ごとにＴＦＴを配置す
るにあたり、ＴＦＴのチャネル部を覆う個所にチャネル
保護膜を設けるタイプ（エッチングストッパ型）と、設
けないタイプ（バックチャネルカット型）とがあるが、
それぞれに一長一短があり、いずれも広く製造されてい
る。

【０００６】従前、このようなアクティブマトリクス液
晶表示装置の製造コストを低減する上で、アレイ基板製
造のための工程数が多く、そのためアレイ基板のコスト
比率が高いという問題があった。

【０００７】そこで、特願平８−２６０５７２号に提案
された製造方法によると、画素上置き構造とし、次のよ
うにしてエッチングストッパ型のアレイ基板を製造して
いる。まず、走査線及びゲート電極を含む第１配線層パ
ターンを形成した後、第２のパターニングにおいて、ゲ
ート絶縁膜、半導体層及び絶縁保護膜を連続して堆積
し、該絶縁保護膜をパターニングすることによりチャネ
ル保護膜をなす絶縁保護膜のパターンを形成する。次い
で、第３のパターニングにおいて、この上に金属層を堆
積した後、半導体層と金属層とを同一のレジストパター
ンの下で一括してパターニングすることにより、信号
線、ソース、ドレイン電極等のパターンを含む第２配線
層パターンと半導体層のパターンとを同時に作成してい
る。この第３のパターニングの際、絶縁保護膜に覆われ
る個所では半導体層がパターニングされないので、レジ
ストパターンに覆われない個所では絶縁保護膜のパター
ンに沿って、半導体層のパターニングが行われる。その
ため、得られる半導体層のパターンの輪郭は、第２配線
層パターンと絶縁保護膜のパターンとを合わせた合併パ
ターンの輪郭と略一致する。すなわち、得られる半導体
層のパターンの輪郭は、第２配線層パターンの輪郭が絶
縁保護膜のパターンを横切らない個所において該第２配
線層パターンの輪郭と略一致し、第２配線層パターンの
輪郭より外に絶縁保護膜のパターンの輪郭がある個所に
おいて絶縁保護膜のパターンの輪郭と略一致する。

【０００８】従来例のエッチングストッパ型のアレイ基
板について、図７〜８を用いて説明する。

【０００９】図７には、従来のアレイ基板のＴＦＴ近傍
についての模式的な平面図を示す。

【００１０】走査線１１と信号線３１が略直交して配置
され、これらの交点の近傍にＴＦＴ７が配置される。

【００１１】第１のパターニングにおいて、走査線１
１、及び走査線１１から略直角に突き出した延在部によ
りＴＦＴ７のゲート電極１１ａが形成される。次いで、
第２のパターニングにより、ゲート電極１１ａの輪郭内
に、ＴＦＴ７のチャネル部を覆うようにチャネル保護膜
２１が形成される。

【００１２】そして、第３のパターニングにより、信号
線３１と、信号線３１から延在されてチャネル保護膜２
１の一方の縁部を覆うドレイン電極３２と、ドレイン電
極３２から離間されて配置されチャネル保護膜２１の他
方の縁部を覆うソース電極３３とが形成される。ソース
電極３３とドレイン電極３２との間にあってチャネル保
護膜２１に覆われる領域の半導体層がＴＦＴ７のチャネ
ル部７１を形成する。

【００１３】この後、層間絶縁膜が堆積され、また所定
個所にコンタクトホールが形成される。そして、ＩＴＯ
膜の堆積及びパターニングにより、コンタクトホールを
介してソース電極３３に電気的に接続される画素電極５
２が形成される。

【００１４】このようなＴＦＴ及びアレイ基板の構成に
おいて、チャネル保護膜２１は、パターンずれを考慮し
て、チャネル部７１の両端から少し突き出るように設計
される。そのため、図１中に示すように、ソース電極３
３の輪郭とチャネル保護膜２１の輪郭とが交差する２つ
の交点８が形成される。同様に、ドレイン電極３２の輪
郭とチャネル保護膜２１の輪郭とが交差する２つの交点
８１も形成される。

【００１５】図８には、交点８から、チャネル部７１に
隣接する半導体層配置領域（サイドチャネル部）７２へ
と向かって切断した場合のアレイ基板の積層構造を示
す。

【００１６】図８に示すように、交点８の近傍に光が照
射された場合にチャネル保護膜２１の下方にある半導体
層３６（アモルファスシリコン層ａ-Ｓｉ:Ｈ)が励起さ
れる。これにより、チャネル部７１の両端側にあるサイ
ドチャネル部７２において、光照射により、ソース電極
３３側の交点８からドレイン電極側の交点８１との間で
リーク電流が生じることとなる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、サイ
ドチャネル部７２におけるリーク電流を防止するために
は、ＴＦＴ７の個所への外光や照明光の侵入を防止する
十分な面積の遮光膜を設ける必要があった。

【００１８】このような遮光膜の配置は、画素の開口率
すなわち光の有効利用率を向上する上で障害となってい
た。

【００１９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、エッチングストッパ型ＴＦＴを備えたアレイ基
板、及びこれを用いる平面表示装置において、ＴＦＴの
光リーク電流を防止でき、これにより動作特性の向上、
さらには遮光膜の省略による製造コストの低減または画
素開口率の向上を図ることを目的とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】請求項１のアレイ基板
は、絶縁基板上に配置される走査線及びゲート電極を含
む第１配線層パターンと、これを被覆するゲート絶縁膜
と、該ゲート絶縁膜上に形成される半導体層パターン
と、前記ゲート電極の輪郭内に配置されるチャネル保護
膜を含み前記半導体層パターンを介して前記ゲート絶縁
膜に重ねられる絶縁保護膜のパターンと、信号線、ソー
ス電極及びドレイン電極を含み、前記半導体層パターン
を被覆する第２配線層パターンと、前記チャネル保護膜
により覆われる半導体層により形成され前記ソース電極
から前記ドレイン電極への導通を実現するチャネル部
と、前記ソース電極に電気的に接続される画素電極とを
備え、前記半導体層パターンの輪郭が、前記絶縁保護膜
のパターンと前記第２配線層パターンとを合わせた合併
パターンの輪郭に略一致する表示装置用アレイ基板にお
いて、前記チャネル部の両端に対応する前記チャネル保
護膜の両端から、前記ゲート電極の領域外へとそれぞれ
延在され、前記ソース電極または前記ドレイン電極の輪
郭を挟み込む領域に延びる第１チャネル保護膜延在部及
び第２チャネル保護膜延在部を備えることを特徴とす
る。

【００２１】上記構成により、ＴＦＴにおける光による
リーク電流を防止でき、これにより動作特性の向上や遮
光膜の省略による製造コストの低減または画素開口率の
向上を図ることができる。

【００２２】請求項４記載のアレイ基板の製造方法は、
絶縁基板上に第１配線用導電層を堆積した後、複数本の
走査線及びゲート電極を含む第１配線層パターンを形成
する工程と、この第１配線層パターンを覆うゲート絶縁
膜、半導体被膜及び保護絶縁被膜をこの順に堆積または
コーティングした後、前記保護絶縁被膜をパターニング
して前記ゲート電極を覆う個所にチャネル保護膜を形成
する工程と、この上に第２配線用導電層を堆積した後、
一つのマスクパターンの下で、該第２配線用導電層とと
もに、前記チャネル保護膜に覆われる個所以外にある前
記半導体被膜をパターニングすることにより、前記走査
線に略直交する信号線、ソース電極、及びドレイン電極
を含む第２配線層パターンと、チャネル部をなす半導体
活性膜のパターンとを一括して形成する工程と、前記ソ
ース電極と電気的に接続される画素電極を含む導電層パ
ターンを形成する工程とを含む表示装置用アレイ基板の
製造方法において、前記チャネル保護膜を形成する工程
にて、前記チャネル部の両端に対応する前記チャネル保
護膜の両端から、前記ゲート電極の領域外へとそれぞれ
延在された第１チャネル保護膜延在部及び第２チャネル
保護膜が、同時に形成され、前記第２配線層パターン及
び前記半導体活性膜のパターンを形成する工程にて、前
記ソース電極または前記ドレイン電極の輪郭が、前記ゲ
ート電極の輪郭と交差する個所の近傍で、前記第１チャ
ネル保護膜延在部及び第２チャネル保護膜延在部の領域
内に配置されることを特徴とする。

【００２３】請求項５記載の平面表示装置は、前記アレ
イ基板に対向基板が組み合わされてなる平面表示装置で
あって、前記チャネル部の近傍の個所には、前記アレイ
基板上及び前記対向基板上のいずれにおいても、前記チ
ャネル部への外光または照明光の侵入を防ぐ遮光膜が省
かれていることを特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の実施例について、図１〜
５を参照して説明する。

【００２５】図１は、液晶表示装置用のアレイ基板にお
けるＴＦＴ近傍の構成を模式的に示す平面図であり、図
２は、アレイ基板におけるＴＦＴ近傍の積層構造を模式
的に示す部分縦断面図である（図１のＡ−Ａ線図）。ま
た、図３は、アレイ基板におけるチャネル保護膜の両端
部についての部分縦断面図（図１のＢ−Ｂ線図）であ
る。

【００２６】図１に示すように、下層の走査線１１と上
層の信号線３１との交点付近には、走査線１１に印加さ
れる走査パルスにしたがい信号線３１から画素電極５２
への信号入力をスイッチングするためのＴＦＴ７が配置
されている。

【００２７】信号線３１に沿って走査線１１から突き出
した延在部によりＴＦＴ７のゲート電極１１ａが形成さ
れており、ゲート電極１１ａの上には、これより一回り
小さい短冊状のチャネル保護膜２１が形成される。チャ
ネル保護膜２１の両端からは信号線３１から遠ざかる側
にそれぞれ突き出す第１及び第２チャネル保護膜延在部
２２ａ，２２ｂが形成され、これらが互いに連結されて
一つの略Ｃ字状のチャネル保護膜延在部２２をなしてい
る。すなわち、チャネル保護膜２１及びチャネル保護膜
延在部２２からなる一つの絶縁保護膜パターン２が、全
体としてリング状に形成され、その内側に、ＴＦＴ７の
半導体層とソース電極３３とのコンタクトのためのコン
タクト用開口２３をなしている。

【００２８】ソース電極３３は、一方の縁部がチャネル
保護膜２１の縁部の上に重ねられるが、他の個所では、
輪郭３３ａがチャネル保護膜延在部２２の外縁２２ａの
内側に沿って延びるように配されている（図２参照）。
また、コンタクト用開口２３は、ソース電極３３のパタ
ーンの内側に位置する。したがって、ソース電極３３の
輪郭が絶縁保護膜パターン２の輪郭と交わることがな
く、必ず、絶縁保護膜パターン２の外縁と内縁（コンタ
クト用開口２３の縁）との間に位置する。

【００２９】図３に模式的に示すように、このような実
施例のアレイ基板の構成により、仮にＴＦＴ７に外光等
が照射された場合にも、光励起される領域内の絶縁膜パ
ターン２下方の半導体層部分と、ソース電極３３とが実
質的にコンタクトしていないため両者間が導通されるこ
とがない。詳しくは、絶縁膜パターン２下方の半導体層
部分３６ａと、ソース電極３３下面に導電性のリンドー
プアモルファスシリコン(ｎ^＋ａ-Ｓｉ:Ｈ)層３７を介し
て接触される半導体層部分３６ｂとが、ソース電極３３
の縁部３３ｂがなす、ある程度以上の幅ｄ例えば１μｍ
以上で必ず離間されているからである。

【００３０】なお、ドレイン電極３２の側の構成は従来
技術と同様であるが、ソース電極３３の側で電流の流れ
が絶たれているため、ソース電極３３とドレイン電極３
２との間にリーク電流が生じることがない。

【００３１】次に、実施例のアレイ基板について、その
製造工程により、図１〜２及び４〜５を用いて詳細に説
明する。

【００３２】(1) 第１のパターニング ガラス基板１８上（図２）上に、スパッタ法により、例
えばモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）等の
金属あるいは合金を堆積させた後、走査線１１、及びそ
の延在部からなるゲート電極１１ａを形成する。

【００３３】(2) 第２のパターニング（図４） プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜からなる第１
ゲート絶縁膜１６、および、窒化シリコン膜からなる第
２ゲート絶縁膜１７を堆積させて２層膜からなるゲート
絶縁膜１５を形成し、さらに、ＴＦＴ９の半導体活性層
をなすためのアモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ:Ｈ)層３
６、及び窒化シリコン膜からなる絶縁保護膜を、連続し
て堆積させる。

【００３４】この後、窒化シリコン膜をパターニングし
てＴＦＴ９のチャネル部に対応する個所にチャネル保護
膜２１を形成するとともに、チャネル保護膜延在部２２
を形成する。チャネル保護膜延在部２２は、チャネル保
護膜２１における走査線１１側の端部からゲート電極１
１ａの輪郭を横切るように延在される第１チャネル保護
膜延在部２２ａと、チャネル保護膜２１における走査線
１１より遠い側の端部からゲート電極１１ａの輪郭を横
切るように延在される第２チャネル保護膜延在部２２ｂ
とを含み、これらが、矩形状の部分２２ｃにより互いに
連続している。

【００３５】(3) 第３のパターニング（図５） プラズマＣＶＤ法によりリンドープアモルファスシリコ
ン(ｎ^＋ａ-Ｓｉ:Ｈ)層３７を堆積し、さらに、スパッタ
リングにより、例えばアルミニウム(Al)からなる金属層
を堆積させる。この金属層と半導体層３６，３７を一括
してパターニングすることにより、信号線３１、この延
在部から成るドレイン電極３２、及びソース電極３３を
形成する。

【００３６】ソース電極３３は、図示の例で、略凸字状
であり、凸字の上縁に相当する部分がチャネル保護膜２
１のソース電極側の縁を覆っている。そして、凸字の両
肩に相当する部分がゲート電極１１ａの輪郭に沿ってそ
の外側に配されている。

【００３７】ソース電極３３の輪郭は、チャネル保護膜
２１と重なる部分を除きチャネル保護膜延在部２２の領
域内に、ある程度のパターン合わせマージンをもって確
実に配置される。特に、チャネル部に近接した個所で
は、充分なパターン合わせマージンをもって配置され
る。

【００３８】(4) 第４のパターニング 窒化シリコンから成る層間絶縁膜４を堆積した後、ソー
ス電極３３と画素電極５２を導通させるためのコンタク
トホール、走査線パッド部を露出させるコンタクトホー
ルとを同時に作成する。

【００３９】(5) 第５のパターニング 透明導電層として、例えばＩＴＯを堆積した後、パター
ニングにより、画素電極５２を作成する。このとき、同
時にパッド部を覆うＩＴＯ膜が形成される。

【００４０】図示の例では、図が簡単になるように、画
素電極がＴＦＴ７や、走査線１１及び信号線３１と全く
重ならないものとして描いているが、後述するように、
画素開口率の向上や遮光膜の省略の目的で適宜重ね合わ
せることが可能である。

【００４１】このような実施例のアレイ基板の製造工程
によると、ＴＦＴの光によるリーク電流を防止するにあ
たり、製造工程や装置・材料を追加する必要がない。

【００４２】次に、図６の平面図を用いて変形例につい
て説明する。

【００４３】変形例のアレイ基板においては、第１チャ
ネル保護膜延在部２２ａ及び第２チャネル保護膜２２ｂ
は、ソース電極３３の輪郭に沿ってある程度の長さ、例
えば、チャネル部の幅の２倍以上、好ましくは３倍以上
の寸法だけ延びたところで終わっている。そのため、第
１及び第２チャネル保護膜延在部２２ａ，２２ｂの先端
のところで、該第１及び第２チャネル保護膜延在部２２
ａ，２２ｂの輪郭とソース電極３３との輪郭との交点が
形成されることとなる。

【００４４】しかし、このような交点は、チャネル部及
びチャネル保護膜２１から充分に離されているため、リ
ーク電流はほとんど生じることがない。

【００４５】上記実施例及び変形例の構成により、ＴＦ
Ｔ７のチャネル部に。外光またはバックライト光が侵入
した場合にも、光によるリーク電流の発生を防止でき、
ＴＦＴ７の誤作動を防止できる。そのためアレイ基板の
動作特性を向上することができる。特に、画素開口率の
向上を図るべく、ＴＦＴ７を遮光する遮光膜を小さくす
るかまたは全く省いた場合にも誤作動を防止することが
できる。すなわち、アレイ基板と対向基板とを組み合わ
せてなる平面表示装置において、アレイ基板及び対向基
板のいずれの側においてもＴＦＴ７の個所に遮光膜を設
けない構成をとることが可能である。

【００４６】したがって、特には、画素電極と信号線等
のパターンとの間に充分な厚さの厚型層間絶縁膜を配す
ることによって寄生容量の増大なく両者を一部オーバー
ラップさせることで各画素電極の周囲の遮光膜を省いた
高開口率型の平面表示装置において、遮光膜の形成工程
を完全になくすことができる。そのため、製造効率の向
上と製造コストの低減を実現できる。ここで、厚型層間
絶縁膜は、上記した寄生容量低減のため厚さ１μｍ以上
の樹脂膜であり、例えば１．５〜４μｍ厚特には２〜３
μｍ厚の有機樹脂膜である。例えば、アクリル系樹脂が
塗布された後、マスクパターンの下でコンタクト部を除
き光が照射され、さらに、加熱により完全に硬化され
る。厚型層間絶縁膜は、液晶表示装置において、液晶層
の厚さ、すなわちアレイ基板と対向基板との間隔を一定
にする平坦化膜の役割を果たすのが一般的であるが、そ
うでないものであっても良い。

【００４７】ＴＦＴ及びその周囲の遮光膜を省く場合に
は、画素電極の一部を、厚型層間絶縁膜などを介してＴ
ＦＴ７の個所を覆うように配置することとなるので、画
素開口率および光利用率をさらに向上させることができ
る。

【００４８】厚型層間絶縁膜を染色可能な樹脂によりな
る場合には、インクジェット技術等を用いて所定領域ご
とに染色を行うことによりカラーフィルタを形成するこ
とができる。

【００４９】このようにして染色樹脂層によりカラーフ
ィルタを形成する場合に遮光膜を省くことのできるメリ
ットは特に大きい。カラーフィルタを樹脂層により形成
する際には遮光膜も黒色の顔料等を含む樹脂層により形
成するのが製造工程上有利であるが、黒色の樹脂層を充
分な厚さに形成するのは一般に容易でなく、また、カラ
ーフィルタ層の形成とは別途のパターニング工程を追加
する必要があるからである。

【００５０】上記において、アレイ基板は、液晶表示装
置に用いるものとして説明したが、有機ＥＬ(Electro L
uminecence)等の他の平面表示装置に用いることもでき
る。

【００５１】上記において、ソース及びドレイン電極
は、アルミニウム等の金属からなるとして説明したが、
他の金属または合金でも良く、場合によっては、炭素系
材料や導電性高分子といった光不透過性の導電材料より
構成することも可能である。

【００５２】

【発明の効果】エッチングストッパ型のアレイ基板、及
びこれを用いる平面表示装置において、ＴＦＴにおける
光によるリーク電流を防止でき、これにより動作特性の
向上や遮光膜の省略による製造コストの低減または画素
開口率の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のアレイ基板のＴＦＴ近傍の構成を模式
的に示す平面図である。

【図２】実施例のアレイ基板におけるＴＦＴ近傍の積層
構造を模式的に示す部分縦断面図（図１のＡ−Ａ線図）
である。

【図３】実施例のアレイ基板におけるチャネル保護膜の
両端部についての部分縦断面図（図１のＢ−Ｂ線図）で
ある。

【図４】実施例のアレイ基板の製造工程における第２の
パターニング後の様子を示す図１に対応する平面図であ
る。

【図５】実施例のアレイ基板の製造工程における第３の
パターニング後の様子を示す図１に対応する平面図であ
る。

【図６】変形例のアレイ基板のＴＦＴ近傍の構成を模式
的に示す図１に対応する平面図である。

【図７】従来のアレイ基板のＴＦＴ近傍の構成を模式的
に示す図１に対応する平面図である。

【図８】従来のアレイ基板におけるチャネル保護膜の両
端部についての部分縦断面図（図７のＢ−Ｂ線図）であ
る。

【符号の説明】

１０ アレイ基板 １１ 走査線 １１ａ ゲート電極 １５ ゲート絶縁膜 ２１ チャネル保護膜 ２２ チャネル保護膜延在部 ３１ 信号線 ３２ ドレイン電極 ３３ ソース電極 ４ 層間絶縁膜 ５２ 画素電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA05 HB07X HC10 HD06 LA01 LA04 LA05 2H092 JA08 JA29 JA34 JA41 JB22 JB56 KA11 KB24 KB25 NA01 NA16 NA22 NA25 PA06 PA08 PA09 5C094 AA10 AA25 BA03 BA43 CA19 DA14 EA04 EA07 ED15 FB15 5F110 AA06 AA16 AA30 BB01 CC07 DD02 EE06 EE44 FF02 FF03 FF09 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK06 HK09 HK16 HK17 HK21 HK25 HK33 HK35 HL07 NN03 NN12 NN16 NN24 NN35 QQ01

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に配置される走査線及びゲート
   電極を含む第１配線層パターンと、これを被覆するゲー
   ト絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成される半導体層パ
   ターンと、前記ゲート電極の輪郭内に配置されるチャネ
   ル保護膜を含み前記半導体層パターンを介して前記ゲー
   ト絶縁膜に重ねられる絶縁保護膜のパターンと、信号
   線、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記半導体層
   パターンを被覆する光不透過性導電材料からなる第２配
   線層パターンと、前記チャネル保護膜により覆われる半
   導体層により形成され前記ソース電極から前記ドレイン
   電極への導通を実現するチャネル部と、前記ソース電極
   に電気的に接続される画素電極とを備え、 前記半導体層パターンの輪郭が、前記絶縁保護膜のパタ
   ーンと前記第２配線層パターンとを合わせた合併パター
   ンの輪郭に略一致する表示装置用アレイ基板において、 前記チャネル部の両端に対応する前記チャネル保護膜の
   両端から、前記ゲート電極の領域外へとそれぞれ延在さ
   れ、前記ソース電極または前記ドレイン電極の輪郭を挟
   み込む領域に延びる第１チャネル保護膜延在部及び第２
   チャネル保護膜延在部を備えることを特徴とするアレイ
   基板。
2. 【請求項２】前記第１及び第２チャネル保護膜延在部が
   前記のソース電極またはドレイン電極の輪郭に沿って延
   びる寸法が、前記チャネル部の幅の２倍以上であること
   を特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
3. 【請求項３】前記第１及び第２チャネル保護膜延在部
   は、これらの先端から延在される保護膜パターンによっ
   て互いに連続し、これにより、チャネル保護膜ととも
   に、前記ソース電極と前記チャネル部の縁との接触端辺
   の個所を囲む開口をなし、前記接触端辺をその両端側に
   延長した個所では、前記ソース電極と前記半導体層とが
   前記絶縁保護膜により互いに絶縁されていることを特徴
   とする請求項１記載のアレイ基板。
4. 【請求項４】前記第１及び第２チャネル保護膜延在部
   は、前記ソース電極の全周にわたってその輪郭を挟み込
   むように配されて、互いに一体をなしていることを特徴
   とする請求項２記載のアレイ基板。
5. 【請求項５】絶縁基板上に第１配線用導電層を堆積した
   後、複数本の走査線及びゲート電極を含む第１配線層パ
   ターンを形成する工程と、 この第１配線層パターンを覆うゲート絶縁膜、半導体被
   膜及び保護絶縁被膜をこの順に堆積またはコーティング
   した後、前記保護絶縁被膜をパターニングして前記ゲー
   ト電極を覆う個所にチャネル保護膜を形成する工程と、 この上に第２配線用導電層を堆積した後、一つのマスク
   パターンの下で、該第２配線用導電層とともに、前記チ
   ャネル保護膜に覆われる個所以外にある前記半導体被膜
   をパターニングすることにより、前記走査線に略直交す
   る信号線、ソース電極、及びドレイン電極を含む第２配
   線層パターンと、チャネル部をなす半導体活性膜のパタ
   ーンとを一括して形成する工程と、 前記ソース電極と電気的に接続される画素電極を含む導
   電層パターンを形成する工程とを含む表示装置用アレイ
   基板の製造方法において、 前記チャネル保護膜を形成する工程にて、前記チャネル
   部の両端に対応する前記チャネル保護膜の両端から、前
   記ゲート電極の領域外へとそれぞれ延在された第１チャ
   ネル保護膜延在部及び第２チャネル保護膜が、同時に形
   成され、 前記第２配線層パターン及び前記半導体活性膜のパター
   ンを形成する工程にて、前記ソース電極または前記ドレ
   イン電極の輪郭は、前記ゲート電極の輪郭と交差する個
   所の近傍で、前記第１チャネル保護膜延在部及び第２チ
   ャネル保護膜延在部の領域内に配置されることを特徴と
   する表示装置用アレイ基板の製造方法。
6. 【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載のアレイ基
   板に対向基板が組み合わされてなる平面表示装置であっ
   て、 前記チャネル部の近傍の個所には、前記アレイ基板上及
   び前記対向基板上のいずれにおいても、前記チャネル部
   への外光または照明光の侵入を防ぐ遮光膜が省かれてい
   ることを特徴とする平面表示装置。
7. 【請求項７】前記アレイ基板上には、厚さ１μｍ以上の
   樹脂膜からなり、前記の信号線、ソース電極及びドレイ
   ン電極を覆う厚型層間絶縁膜が備えられ、 前記画素電極の一部が、前記層間絶縁膜を介して、前記
   チャネル部の近傍を覆うことを特徴とする請求項６記載
   の平面表示装置。
8. 【請求項８】前記層間絶縁膜が染色可能な樹脂からな
   り、所定領域ごとに染色されてカラーフィルタをなして
   いることを特徴とする請求項７記載の平面表示装置。