CN110364553B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管(“OLED”)显示装置，包括：基板，所述基板具有：具备发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域、在所述显示区域的第一侧的焊盘区域和在所述显示区域的第二侧的沟槽；多个发光结构，所述多个发光结构在所述基板的所述发光区域上；有源图案，所述有源图案沿着所述沟槽的轮廓在所述基板的所述外围区域上，所述有源图案与所述沟槽邻近并且包括图案突出部；和上部栅极布线，所述上部栅极布线在所述有源图案上并且与所述有源图案重叠，所述上部栅极布线具有与所述图案突出部邻近的布线突出部。

Description

有机发光二极管显示装置
技术领域
示例实施例一般性地涉及有机发光显示装置。更具体地，示例实施例涉及包括沟槽的有机发光显示装置。
背景技术
由于平板显示(“FPD”)装置相比于阴极射线管(“CRT”)显示装置重量轻且薄，因此FPD装置广泛地用作电子装置的显示装置。FPD装置的典型示例是液晶显示(“LCD”)装置和有机发光二极管(“OLED”)显示装置。
近来，已经开发了OLED显示装置，其中在OLED显示装置中包括的基板的一部分中形成有沟槽(或凹槽)。例如，OLED显示装置可包括能够发光的多个发光结构，并且发光结构可设置在具有第一宽度的第一发光区域和具有小于第一宽度的第二宽度的第二发光区域两者中。第二发光区域可沿着沟槽的两个侧部定位。
发明内容
本公开在于提供一种有机发光显示装置，其能防止或基本最小化负载电容的差并且改善有机发光显示装置的可见度。
根据一些示例实施例，OLED显示装置可包括基板、多个发光结构、有源图案和上部栅极布线。所述基板具有包括发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域以及位于所述显示区域的第一侧部中的焊盘区域，并且具有位于所述显示区域的第二侧部中的沟槽。所述发光结构设置在所述基板上的所述发光区域中。所述有源图案沿着所述沟槽的轮廓设置在所述基板上的位于与所述沟槽邻近处的所述外围区域中，并且具有图案突出部。所述上部栅极布线设置在所述有源图案上且与所述有源图案重叠，并且具有位于与所述图案突出部邻近的布线突出部。
在示例实施例中，所述OLED显示装置还可包括连接图案，所述连接图案设置在所述图案突出部和所述布线突出部上并且与所述图案突出部和所述布线突出部重叠。所述连接图案可通过接触孔电连接所述图案突出部和所述布线突出部，并且所述连接图案与所述有源图案和与所述有源图案重叠的所述上部栅极布线一起可限定为堆叠结构。
在示例实施例中，所述基板的所述发光区域可包括：位于与所述焊盘区域邻近的第一发光区域以及位于所述沟槽的两个侧部中的第二发光区域和第三发光区域。
在示例实施例中，所述第一发光区域可具有第一宽度，并且所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个可具有小于所述第一宽度的第二宽度。
在示例实施例中，所述基板的所述外围区域可包括：位于与所述第一发光区域邻近处的第一外围区域、位于分别与所述第二发光区域和所述第三发光区域邻近处的第二外围区域和第三外围区域以及位于与所述沟槽邻近处的第四外围区域。
在示例实施例中，所述第四外围区域的一部分可位于与所述第一发光区域邻近处，并且所述第四外围区域的剩余部分可位于与所述第二发光区域和所述第三发光区域邻近。
在示例实施例中，所述OLED显示装置还可包括设置在所述第一发光区域中的下部栅极布线。所述下部栅极布线可具有直线的形状。所述上部栅极布线可设置在所述第二发光区域和所述第三发光区域以及所述第四外围区域中，并且所述上部栅极布线的总距离可大于所述下部栅极布线的总距离。
在示例实施例中，在所述OLED显示装置的平面图中所述沟槽的形状可具有半圆形的平面形状。
在示例实施例中，所述有源图案在所述第四外围区域中可具有曲线的形状。所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中可具有直线的形状，并且在所述第四外围区域中可具有曲线的形状。
在示例实施例中，沿着所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个行方向布置的所述发光结构的所述数量可在从所述显示区域至所述焊盘区域的方向上逐渐增加。
在示例实施例中，所述有源图案可包括第一有源图案至第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案可设置在所述第四外围区域中。
在示例实施例中，所述第一有源图案所述至第N有源图案之中的所述第一有源图案可设置在所述第四外围区域的最外部处，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第N有源图案可设置在所述第四外围区域的内部处。
在示例实施例中，所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第K有源图案的距离可大于所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第K+1有源图案的距离，其中，K是在1和N之间的整数。
在示例实施例中，所述上部栅极布线可包括第一上部栅极布线至第M上部栅极布线，其中，M是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第K有源图案可设置为与所述第一上部栅极布线至所述第M上部栅极布线之中的所述第L上部栅极布线重叠，其中，K是在1和N之间的整数，并且L是在1和M之间的整数。
在示例实施例中，在所述OLED显示装置的平面图中所述沟槽的形状可具有四角形的平面形状。
在示例实施例中，所述有源图案在所述第四外围区域中可具有直线的形状。所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中可具有直线的形状，并且在所述第四外围区域中可具有U形形状。
在示例实施例中，沿着所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个行方向布置的所述发光结构的所述数量可相同。
在示例实施例中，所述有源图案可包括第一有源图案至所述第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案可设置在所述第四外围区域中。
在示例实施例中，所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K有源图案的距离可与所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K+1有源图案的距离相同，其中，K是在1和N之间的整数。
在示例实施例中，所述OLED显示装置还可包括设置在所述显示区域中位于所述基板和所述发光结构之间的多个半导体元件。所述多个半导体元件中的每个可包括：有源层，所述有源层设置在所述基板上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘层上；第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在所述栅电极上；以及源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述第一绝缘中间层上。所述有源图案和所述有源层可位于同一层，并且所述上部栅极布线和所述栅电极可位于同一层。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：
图1示出根据示例实施例的有机发光二极管(“OLED”)显示装置的平面图；
图2示出图1的OLED显示装置的发光区域和外围区域的平面图；
图3示出图2的OLED显示装置的第一发光区域和第二发光区域中的发光结构的平面图；
图4示出图1的OLED显示装置中的堆叠结构的局部放大平面图；
图5示出图4的堆叠结构中的图案突出部和布线突出部的局部放大平面图；
图6示出沿着图4的线I-I’的剖视图；
图7示出沿着图4的线II-II’的剖视图；
图8示出图6的OLED显示装置中的有源布线的平面图；
图9至图17示出根据示例实施例的制造OLED显示装置的方法中的阶段的剖视图；
图18示出根据示例实施例的OLED显示装置的平面图；
图19示出图18的OLED显示装置的第一发光区域和第二发光区域中的发光结构的平面图；
图20示出图18的OLED显示装置中的堆叠结构的局部放大平面图；并且
图21示出图20的堆叠结构中的图案突出部和布线突出部的局部放大平面图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式实施并且不应当被解释为限于文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是详尽和完整的，并且将示例性实施方式充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了图示的清楚起见，可放大层和区域的尺寸。还将理解的是，当将层或元件称为“在”另一层或基板“上”时，该层或元件可直接在所述另一层或基板上，或者也可存在中间层。此外，还将理解的是，当将层称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终指示相同的元件。
下文中，将参照附图详细说明示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的有机发光二极管(“OLED”)显示装置的平面图，并且图2是用于描述图1的OLED显示装置的发光区域和外围区域的平面图。
参照图1和图2，OLED显示装置100可包括显示区域10和焊盘区域20。显示区域10可包括发光区域30和围绕发光区域30的外围区域40，并且发光区域30可包括第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13。此外，外围区域40可包括第一外围区域21、第二外围区域22、第三外围区域23和第四外围区域24。
在示例实施例中，外围区域40的围绕发光区域30的宽度具有相同的宽度，即，外围区域40的围绕发光区域30的宽度沿着第一方向D1和第二方向D2中的每个方向恒定，但是不限于此。例如，在一些示例实施例中，第一外围区域21、第二外围区域22、第三外围区域23和第四外围区域24中的每个的宽度可彼此不同。
如图1中所示，多个发光结构200可设置在显示区域10中，并且焊盘区域20可位于显示区域10的第一侧。焊盘电极470可设置在焊盘区域20中，并且可电连接到外部装置。焊盘区域20的在第一方向D1上延伸的宽度可小于显示区域10的在第一方向D1上延伸的宽度，例如，焊盘区域20的在第一方向D1上的宽度可小于显示区域10的在第一方向D1上的宽度。可替代地，在第一方向D1上，焊盘区域20的宽度可与显示区域10的的宽度相同。例如，第一方向D1可以是平行于OLED显示装置100的上表面的方向。
在示例实施例中，OLED显示装置100可具有位于显示区域10的第二侧的沟槽103，例如凹槽。显示区域10的第一侧可不同于显示区域10的第二侧，例如，沟槽103和焊盘区域20可沿着第二方向D2在显示区域10的相对侧处(即，如在俯视图中观察到的)。详细来说，OLED显示装置100可在显示区域10的一部分中在从外围区域40至发光区域30定向的方向上具有例如凹入形状的凹陷形状以限定沟槽103。例如，沟槽103的形状在OLED显示装置100的平面图中可具有半圆形的平面形状。
在示例实施例中，沟槽103的形状具有半圆形的平面形状，但是不限于此。例如，沟槽103的形状可具有四角形的平面形状、三角形的平面形状、菱形的平面形状、多边形的平面形状、圆形的平面形状、跑道的平面形状或者椭圆形的平面形状。
如图2中所示，第一发光区域11可邻近于焊盘区域20，例如，第一发光区域11可沿着第二方向D2介于焊盘区域20和沟槽103之间，并且第二发光区域12和第三发光区域13可位于沟槽103的两个侧部中。例如，如图2中所示，第二发光区域12和第三发光区域13可沿着第一方向D1彼此间隔开以沿着第一方向D1邻近于沟槽103的各个侧部，并且第二发光区域12和第三发光区域13中的每个可沿着第二方向D2连接到第一发光区域11的一部分，例如，与第一发光区域11的一部分整体形成。例如，如在图2中进一步所示的，沟槽103的一部分可沿着第一方向D1介于第二发光区域12和第三发光区域13之间。
第一发光区域11的在第一方向D1上的第一宽度W1可大于第二发光区域12和第三发光区域13中的每个在第一方向D1上的第二宽度W2。例如，第一发光区域11的第一宽度W1可恒定，而第二发光区域12和第三发光区域13中的每个的第二宽度W2可根据沟槽103的形状而改变，例如，当第二发光区域12和第三发光区域13中的每个发光区域追循半圆形沟槽103的形状时，第二宽度W2可逐渐增加(例如，如在图2中的俯视图中观察到的)。
第一外围区域21可在第一方向D1上位于与第一发光区域11邻近处，并且第二外围区域22和第三外围区域23可在第二方向D2上位于分别与第二发光区域12和第三发光区域13邻近处。此外，第四外围区域24可位于与沟槽103邻近处，例如，第四外围区域24可在第二方向D2上介于沟槽103和第一发光区域11之间。第一外围区域21、第二外围区域22、第四外围区域24和第三外围区域23可沿着发光区域30的整个边界连续地布置，例如，彼此无缝地且整体地连接。此外，第四外围区域24的一部分可位于与第一发光区域11邻近处，并且第四外围区域24的剩余部分可位于与第二发光区域12和第三发光区域13邻近处。例如，如图2中所示，第四外围区域24可相对于外围区域40弯曲、即凹入，使得如在俯视图中观察到的第二发光区域12和第三发光区域13中的每个被包围在第一发光区域11、第四外围区域24以及第二外围区域22和第三外围区域23中的各个外围区域之间。
如上所述，显示区域10可包括发光的发光区域30和围绕发光区域30的外围区域40。在示例实施例中，能够发光的发光结构200可设置在发光区域30中，并且多个布线可设置在外围区域40中。布线可将焊盘区域20中的焊盘电极470与显示区域10中的发光结构200电连接。例如，布线可包括：施加数据信号的数据信号布线、施加栅极信号的栅极信号布线、施加发光信号的发光信号布线、施加电源电压的电源电压布线、施加初始化信号的初始化信号布线等。布线中的每个可在显示区域10中延伸使得将信号提供到发光结构200，并且可将布线电连接到发光结构200。此外，栅极驱动器、数据驱动器等可设置在外围区域40中。
在一些示例实施例中，焊盘区域20可包括：弯曲区域，所述弯曲区域位于焊盘区域20的位于与显示区域10邻近的一部分中；和焊盘电极区域，所述焊盘电极区域位于焊盘区域20的剩余部分中。例如，弯曲区域可插入在显示区域10和焊盘电极区域之间，并且焊盘电极470可设置在焊盘电极区域中。由于弯曲区域是弯曲的，因此焊盘电极区域可位于OLED显示装置100的下表面上。可替代地，OLED显示装置100还可包括弯曲保护层和连接电极。弯曲保护层可设置在OLED显示装置100上的显示区域10的一部分、弯曲区域和焊盘电极区域的一部分中。连接电极可设置在弯曲保护层下面，并且可将布线和焊盘电极470电连接。
设置在发光区域30中的发光结构200和电连接到焊盘电极470的外部装置可通过设置在弯曲区域中的连接电极和设置在外围区域40中的布线电连接。例如，外部装置和OLED显示装置100可通过柔性印刷电路板(“FPCB”)电连接。外部装置可将数据信号、栅极信号、发光信号、电源电压、初始化信号等提供到OLED显示装置100。此外，在FPCB中可安装有驱动集成电路。在一些示例实施例中，驱动集成电路可安装在OLED显示装置100的与焊盘电极470邻近的一部分中。
图3是用于描述设置在OLED显示装置100的发光区域30中的发光结构200的平面图。
参照图2和图3，OLED显示装置100可包括第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305、第二下部栅极布线306等。为便于描述，在图3中可不示出OLED显示装置100中包括的所有布线。例如，OLED显示装置100还可包括数据信号布线、发光信号布线、电源电压布线等。在示例实施例中，第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306可将栅极信号提供到发光结构200。
在示例实施例中，在图3中，OLED显示装置100包括两个上部栅极布线和两个下部栅极布线，但是不限于此。例如，OLED显示装置100可包括多个上部栅极布线和多个下部栅极布线。
在示例实施例中，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302例如可连续地设置在OLED显示装置100中包括的有待下面描述的基板上的第二发光区域12、第四外围区域24和第三发光区域13中，并且第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306例如可连续地设置在基板上的第一发光区域11中。此外，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个在第二发光区域12和第三发光区域13中可具有大致直线的形状，并且在第四外围区域24中可具有大致曲线的形状。换言之，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个可沿着沟槽103的轮廓设置在第四外围区域24中，并且可整体形成在第二发光区域12、第四外围区域24和第三发光区域13中。另一方面，第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个在第一发光区域11中可具有大致直线的形状。即，如图3中所示，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个的总距离可大于第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个的总距离。
在示例实施例中，在第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13中可设有多个发光结构200。如图3中所示，发光结构200可电连接到第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个。
在示例实施例中，连接到第一上部栅极布线301的发光结构200的数量可小于连接到第二上部栅极布线302的发光结构200的数量。换言之，布置在第二发光区域12和第三发光区域13中的每个第一方向D1(例如，行方向)上的发光结构200的数量可在第二方向D2(例如，垂直于第一方向D1的第二方向D2或者从显示区域10至焊盘区域20方向的第二方向D2)上逐渐增加。例如，在第二发光区域12和第三发光区域13中，第二发光区域12和第三发光区域13中的每个的面积可由于形成在基板上的具有半圆形的平面形状的沟槽103而在第二方向D2上增加，并且沿着第一方向D1布置的发光结构200的数量可在第二方向D2上逐渐增加。例如，随着第二发光区域12和第三发光区域13中的每个的宽度根据距焊盘区域20的减小的距离沿着第一方向D1增加(即，由于沟槽103的曲线形状)，沿着第一方向D1布置的发光结构200的数量可在每个栅极布线中沿着第二方向D2逐渐增加，例如，沿着第一方向D1布置在第二上部栅极布线302中的发光结构200的数量可大于沿着第一方向D1布置在第一上部栅极布线301中的发光结构200的数量。
此外，因为在第四外围区域24中第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302不连接到发光结构200，例如，在第四外围区域24中可没有任何发光结构200，所以第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302可比第一发光区域11中的第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306连接到相对更小数量的发光结构200。在此情况下，在上部栅极布线(例如，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302)和设置在上部栅极布线下面的有源布线之间产生的负载电容可小于在下部栅极布线(例如，第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306)和设置在下部栅极布线下面的有源布线之间产生的负载电容。
例如，OLED显示装置100还可包括多个半导体元件，并且半导体元件可设置在发光结构200中的每个的下面。这里，半导体元件可通过有源布线彼此连接，并且有源布线和设置在有源布线上的栅极布线可部分地重叠。这里，其中有源布线和栅极布线重叠的部分可限定为半导体元件的有源层。因此，连接到相对较大数量的发光结构200的下部栅极布线的负载电容可相对大于连接到相对较小数量的发光结构200的上部栅极布线的负载电容。
当在显示区域中的不同区域之间出现负载电容的差时，在不同区域之间还会出现发光结构的亮度差。在此情况下，会减小OLED显示装置的可见度。因此，根据示例实施例，为了使不同区域之间的负载电容的差相等，OLED显示装置100还可包括如以下将参照图4至图5更详细地描述的限定第四外围区域24中的寄生电容的堆叠结构。
图4是用于描述OLED显示装置100中包括的堆叠结构的局部放大平面图，并且图5是用于描述图4的堆叠结构中包括的图案突出部和布线突出部的局部放大平面图。
参照图4至图5，OLED显示装置100可包括上部栅极布线300、有源图案500、连接图案600等。例如，上部栅极布线300、有源图案500和连接图案600可设置在OLED显示装置100中包括的有待在下面描述的基板上。
有源图案500可沿着沟槽103的轮廓设置在位于与沟槽103邻近处的外围区域40(例如，第四外围区域24)中。即，有源图案500可在第四外围区域24中具有曲线形状，例如，有源图案500可追循第四外围区域24并且具有与第四外围区域24相同的曲率。例如，有源图案500可包括第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503。有源图案500可设置在基板上的第四外围区域24中。例如，第一有源图案501可设置在例如距发光区域30最远的第四外围区域24的最外面的部分处、即最外部处，并且第三有源图案503可设置在例如最接近发光区域30的第四外围区域24的内部、即最内部处(或者设置为与第一发光区域11邻近)。第二有源图案502可设置在第一有源图案501和第三有源图案503之间。
在示例实施例中，第一有源图案501的总距离、即沿着第一方向D1的总长度可大于第二有源图案502的总距离，并且第二有源图案502的总距离可大于第三有源图案503的总距离。换言之，例如，随着追循沟槽103的对应曲率可减小，第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503中的每个的总距离可依次减小。
如图5中所示，有源图案500可具有图案突出部510。图案突出部510可在与有源图案500的纵向不同的方向上从有源图案500突出。如图4中所示，图案突出部510可形成在第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503中的每个中。
换言之，有源图案500可包括第一有源图案501至第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且第一有源图案501至第N有源图案可设置在第四外围区域24中。第一有源图案501至第N有源图案之中的第一有源图案501可设置在第四外围区域24的最外部处，并且第一有源图案501至第N有源图案之中的第N有源图案可设置在第四外围区域24的内部处(设置为与第一发光区域11邻近)。第一有源图案501至第N有源图案之中的第K有源图案的距离(例如总距离)可大于第一有源图案501至第N有源图案之中的第K+1有源图案的距离，其中，K是在1和N之间的整数。
上部栅极布线300可设置在位于与沟槽103邻近处的外围区域40(例如，第四外围区域24)中的有源图案500上并且与位于与沟槽103邻近处的外围区域40(例如，第四外围区域24)中的有源图案500重叠。上部栅极布线300可包括第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303。例如，第一上部栅极布线301可设置在第一有源图案501上并且与第一有源图案501重叠，并且第二上部栅极布线302可设置在第二有源图案502上并且与第二有源图案502重叠。第三上部栅极布线303可设置在第三有源图案503上并且与第三有源图案503重叠。
在示例实施例中，第一上部栅极布线301与第一有源图案501重叠的总面积可大于第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的总面积。第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的总面积可大于第三上部栅极布线303与第三有源图案503重叠的总面积。换言之，其中上部栅极布线300与有源图案500重叠的总面积可依次减小。
如图5中所示，上部栅极布线300可具有布线突出部520。布线突出部520可在与上部栅极布线300的纵向不同的方向上从上部栅极布线300突出，并且可位于与图案突出部510邻近。布线突出部520可形成在第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303中的每个中。
换言之，上部栅极布线300可包括第一上部栅极布线301至第M上部栅极布线，其中，M是大于1的整数，并且第一有源图案501至第N有源图案之中的第K有源图案可设置为与第一上部栅极布线301至第M上部栅极布线之中的第L上部栅极布线重叠，其中，K是在1和N之间的整数，并且L是在1和M之间的整数。例如，如图5中所示，图案突出部510和布线突出部520可相对于沟槽103在相同的方向上且彼此平行地延伸，例如，图案突出部510和布线突出部520两者可远离沟槽103延伸。
连接图案600可设置在图案突出部510和布线突出部520上并且与图案突出部510和布线突出部520重叠，并且可通过接触孔电连接图案突出部510和布线突出部520。连接图案600可包括第一连接图案601、第二连接图案602和第三连接图案603。例如，第一连接图案601可设置在第一有源图案501的图案突出部510和第一上部栅极布线301的布线突出部520上并且与第一有源图案501的图案突出部510和第一上部栅极布线301的布线突出部520重叠，并且第二连接图案602可设置在第二有源图案502的图案突出部510和第二上部栅极布线302的布线突出部510上并且与第二有源图案502的图案突出部510和第二上部栅极布线302的布线突出部520重叠。第三连接图案603可设置在第三有源图案503的图案突出部510和第三上部栅极布线303的布线突出部520上并且与第三有源图案503的图案突出部510和第三上部栅极布线303的布线突出部520重叠。
在示例实施例中，可将连接图案600与有源图案500以及与有源图案500重叠的上部栅极布线300一起限定为堆叠结构。例如，可将第一有源图案501、与第一有源图案501重叠的第一上部栅极布线301和第一连接图案601限定为第一堆叠结构，并且可将第二有源图案502、与第二有源图案502重叠的第二上部栅极布线302和第二连接图案602限定为第二堆叠结构。可将第三有源图案503、与第三有源图案503重叠的第三上部栅极布线303和第三连接图案603限定为第三堆叠结构。堆叠结构可在有源图案500和上部栅极布线300之间形成寄生电容，并且在设置在第一发光区域11中的下部栅极布线和上部栅极布线300之间的负载电容的差可由于寄生电容而变得相等。
详细来说，如上所述，第一上部栅极布线301可连接到最小数量的发光结构200。为了使设置在第一发光区域11中的下部栅极布线的负载电容和第一上部栅极布线301的负载电容之间的差相等，第一上部栅极布线301与第一有源图案501重叠的总面积可以是最大的。相比于第一上部栅极布线301，由于第二上部栅极布线302连接到相对大数量的发光结构200，因此，第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的面积可小于第一上部栅极布线301与第一有源图案501重叠的面积，以使得第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302之间的负载电容的差相等。类似地，相比于第二上部栅极布线302，由于第三上部栅极布线303连接到相对大数量的发光结构200，因此，第三上部栅极布线303与第三有源图案503重叠的面积可小于第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的面积，以使得第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303之间的负载电容的差相等。因此，在第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间可不出现亮度差，因此，可相对地增加OLED显示装置100的可见度。
在示例实施例中，OLED显示装置100可包括三个堆叠结构，所述三个堆叠结构包括三个有源图案500、三个上部栅极布线300和三个连接图案600，但是不限于此。例如，在一些示例实施例中，OLED显示装置100可包括至少四个堆叠结构，所述至少四个堆叠结构包括至少四个有源图案500、至少四个上部栅极布线300和至少四个连接图案600。
图6是沿着图4的线I-I’(即，第二发光区域12)截取的剖视图，并且图7是沿着图4的线II-II’(即，第四外围区域24)截取的剖视图。图8是用于描述图6的OLED显示装置中包括的有源布线的平面图。
参照图5、图6、图7和图8，OLED显示装置100可包括：基板110、半导体元件250、有源布线400、有源图案500(例如，图4的第三有源图案503)、上部栅极布线300(例如，图4的第三上部栅极布线303)、信号布线175、连接图案600(例如，图4的第三连接图案603)、平坦化层270、发光结构200、像素限定层310、薄膜封装结构(“TFE”)450等。这里，发光结构200可包括下部电极290、发光层330和上部电极340，并且半导体元件250可包括：有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230。此外，TFE结构450可包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453。
可提供包括透明或不透明材料的基板110。基板110可包括诸如柔性透明树脂基板(例如，聚酰亚胺基板)的柔性透明材料。在示例实施例中，基板110可具有其中第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层依次堆叠的配置。第一阻挡层和第二阻挡层可包括例如氧化硅的无机材料，并且可阻挡水或湿气渗透到第一有机层和第二有机层中。此外，第一有机层和第二有机层可包括有机材料，例如基于聚酰亚胺的树脂。
在制造基板110的方法中，因为基板110相对薄且是柔性的，所以基板110可形成在刚性玻璃基板上以助于支持半导体元件250和发光结构200的形成。例如，在将缓冲层设置在第二阻挡层上之后，半导体元件250和发光结构200可形成在缓冲层上。在将半导体元件250和发光结构200形成在缓冲层上之后，可去除其上形成有基板110的刚性玻璃基板。换言之，由于基板110相对薄且是柔性的，因此可能难以将半导体元件250和发光结构200直接形成在基板110上。因此，将半导体元件250和发光结构200形成在基板110和刚性玻璃基板上，然后，在去除刚性玻璃基板之后，第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层可用作基板110。可替代地，基板110例如可包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟化物掺杂石英基板、碱石灰玻璃基板、无碱玻璃基板等。
在示例实施例中，基板110可具有四层，但是不限于此。例如，在一些示例实施例中，基板110可具有单个层或多个层。
由于OLED显示装置100具有包括发光区域30和外围区域40的显示区域10以及焊盘区域20，因此可将基板110划分为包括发光区域30和外围区域40的显示区域10以及焊盘区域20。此外，可将发光区域30划分为第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13，并且可将外围区域40划分为第一外围区域21、第二外围区域22、第三外围区域23和第四外围区域24。
可在基板110上设置缓冲层。缓冲层可设置在整个基板110上。缓冲层可防止金属原子和/或杂质从基板110扩散到半导体元件250和发光结构200中。此外，缓冲层可控制在用于形成有源层130的结晶工艺中的传热速率，从而获得基本上均匀的有源层130。此外，当基板110的表面相对不规则时，缓冲层可改善基板110的表面平坦度。根据基板110的类型，在基板110上可设有至少两个缓冲层，或者可不设置缓冲层。例如，缓冲层可包括有机材料或无机材料。
有源层130可设置在基板110上的第二发光区域12中。例如，有源层130可包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。
有源布线400可设置在基板110上的第二发光区域12中，并且可例如沿着第一方向D1与有源层130间隔开。例如，有源布线400在第二发光区域12中可具有图8中所示的形状。这里，在图6中可示出上部栅极布线300与有源布线400重叠的重叠部401和402。有源布线400的重叠部401和402可对应于与半导体元件250不同的半导体元件的有源层。此外，有源层130与栅电极170重叠的部分可对应于与上部栅极布线300不同的栅极布线与有源布线400重叠的部分。为便于描述，并非OLED显示装置100中包括的所有布线均在图8中示出。例如，OLED显示装置100还可包括第一栅极信号布线和第二栅极信号布线、数据信号布线、发光信号布线、电源电压布线等。
有源图案500可设置在基板110上的第四外围区域24中。有源图案500可沿着沟槽103(参照图4)的轮廓设置在位于与沟槽103邻近处的第四外围区域24中。即，有源图案500在第四外围区域24中可具有曲线的形状。有源图案500可具有图案突出部510。图案突出部510可在与纵向不同的方向上从有源图案500突出。有源布线400和有源图案500可设置在同一层，并且可使用相同的材料同时(或同时(concurrently))形成。
栅极绝缘层150可设置在有源层130、有源布线400和有源图案500上。栅极绝缘层150可覆盖基板110上的第二发光区域12中的有源层130和有源布线400以及基板110上的第四外围区域24中的有源图案500，并且可设置在整个基板110上。例如，栅极绝缘层150可充分地覆盖基板110上的有源层130、有源布线400和有源图案500，并且可具有基本上平坦的上表面而在有源层130、有源布线400和有源图案500周围没有台阶。可替代地，栅极绝缘层150可覆盖基板110上的有源层130、有源布线400和有源图案500，并且可沿着有源层130、有源布线400和有源图案500的轮廓设置为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
栅电极170可设置在栅极绝缘层150上的第二发光区域12中。换言之，栅电极170可设置在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上。栅电极170可包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，栅电极170可具有包括多个层的多层结构。
上部栅极布线300可设置在栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中，并且可与栅电极170间隔开。例如，上部栅极布线300在第二发光区域12中可具有图8中所示的形状。在上部栅极布线300与有源布线400重叠的重叠部401和402中可产生负载电容。
如上所述，因为第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302未连接到第四外围区域24中的发光结构200，所以第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302可比第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306连接到相对更小数量的发光结构200(参照图3)。即，在上部栅极布线300中，上部栅极布线300与有源布线400重叠的重叠部401和402可相对较少。因此，可借由寄生电容、即与第四外围区域24(图7)中的有源图案500重叠的上部栅极布线300使得在第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间的负载电容的差相等，从而设置在第一发光区域11中的下部栅极布线与设置在第二发光区域12和第三发光区域13中的上部栅极布线之间的负载电容的差可变得相等。
上部栅极布线300可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，上部栅极布线300可包括：金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银合金、氮化钨(WNx)、铜合金、钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，上部栅极布线300可具有包括多个层的多层结构。在示例实施例中，栅电极170和上部栅极布线300可设置在同一层，并且可使用相同的材料同时形成。
第一绝缘中间层190可设置在上部栅极布线300和栅电极170上。第一绝缘中间层190可覆盖栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅极绝缘层150上的第二发光区域12中的栅电极170，并且可设置在整个栅极绝缘层150上。例如，第一绝缘中间层190可充分地覆盖栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅极绝缘层150上的第二发光区域12中的栅电极170，并且可具有基本上平坦的上表面而在上部栅极布线300和栅电极170周围没有台阶。可替代地，第一绝缘中间层190可覆盖栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅极绝缘层150上的第二发光区域12中的栅电极170，并且可沿着上部栅极布线300和栅电极170的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第一绝缘中间层190例如可包括硅化合物、金属氧化物等。
信号布线175可设置在第一绝缘中间层190上的第二发光区域12中。例如，信号布线175可与上部栅极布线300间隔开，并且可设置在第二发光区域12、第三发光区域13和第四外围区域24中。在示例实施例中，信号布线175可对应于初始化信号布线。例如，信号布线175在第二发光区域12中可具有图8中所示的形状。信号布线175可包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，信号布线175可具有包括多个层的多层结构。
第二绝缘中间层195可设置在信号布线175上。第二绝缘中间层195可覆盖第一绝缘中间层190上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可设置在整个第一绝缘中间层190上。例如，第二绝缘中间层195可充分覆盖第一绝缘中间层190上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可具有基本上平坦的上表面而在信号布线175周围没有台阶。可替代地，第二绝缘中间层195可覆盖第一绝缘中间层190上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可沿着信号布线175的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可包括硅化合物、金属氧化物等。
源电极210和漏电极230可设置在第二绝缘中间层195上的第二发光区域12中。源电极210可借由通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每个的一部分形成的接触孔与有源层130的第一侧(例如，源区)直接接触。漏电极230可借由通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每个的另一部分形成的接触孔与有源层130的第二侧(例如，漏区)直接接触。源电极210和漏电极230中的每个例如可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，源电极210和漏电极230中的每个可具有包括多个层的多层结构。因此，可构成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
在示例实施例中，OLED显示装置100具有包括一个晶体管(例如，半导体元件250)的配置，但是不限于此。例如，OLED显示装置100可具有包括至少两个晶体管和至少一个电容器的配置。
此外，半导体元件250具有顶栅结构，但是不限于此。例如，半导体元件250可具有底栅结构和/或双栅结构。
连接图案600可设置在第二绝缘中间层195上的第四外围区域24中。连接图案600可设置在有源图案500的一部分(即，图4至图5中的图案突出部510)和上部栅极布线300的一部分(即，图4至图5中的布线突出部520)上并且与有源图案500的一部分(即，图4至图5中的图案突出部510)和上部栅极布线300的一部分(即，图4至图5中的布线突出部520)重叠，并且可通过接触孔电连接图案突出部510和布线突出部520。连接图案600例如可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，连接图案600可具有包括多个层的多层结构。在示例实施例中，源电极210、漏电极230和连接图案600可使用相同的材料同时形成。因此，可设置包括有源图案500、与有源图案500重叠的上部栅极布线300和连接图案600的堆叠结构700(在图7中以虚线框入)。堆叠结构700可在有源图案500和上部栅极布线300之间形成寄生电容，从而设置在第一发光区域11中的下部栅极布线和上部栅极布线300之间的负载电容的差可由于寄生电容而变得相等。
平坦化层270可设置在第二绝缘中间层195、连接图案600、源电极210和漏电极230上，并且可具有暴露半导体元件250的一部分的接触孔。平坦化层270可以以高厚度设置以充分覆盖连接图案600以及源电极210和漏电极230。在此情况下，平坦化层270可具有基本上平坦的上表面，并且可在平坦化层270上进一步执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦上表面。平坦化层270可包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，平坦化层270可包括有机材料。例如，平坦化层270可包括基于聚酰亚胺的树脂、光致抗蚀剂、基于丙烯的树脂、基于聚酰胺的树脂、基于硅氧烷的树脂等。
下部电极290可设置在平坦化层270上的第二发光区域12中。下部电极290可借由平坦化层270的接触孔与漏电极230直接接触，并且可电连接到半导体元件250。下部电极290例如可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，下部电极290可具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可设置在下部电极290的一部分和平坦化层270上。像素限定层310可覆盖下部电极290的两个侧部，并且可具有暴露下部电极290的上表面的一部分的开口。像素限定层310可包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，像素限定层310可包括有机材料。
发光层330可设置在由像素限定层310暴露的下部电极290上。发光层330可根据子像素使用能够产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料中的至少一种发光材料形成。可替代地，发光层330通常可通过堆叠能够产生诸如红色光、绿色光和蓝色光的不同颜色的光的多个发光材料以产生白色光。在此情况下，在发光层330上可设有滤色器(例如，滤色器与发光层330重叠，并且滤色器设置在TFE结构450的下表面或上表面上)。滤色器可包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可替代地，滤色器可包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可包括光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等。
上部电极340可设置在像素限定层310和发光层330上。上部电极340可覆盖发光层330和像素限定层310，并且可设置在整个基板110上。上部电极340可包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，上部电极340可具有包括多个层的多层结构。因此，可设置包括下部电极290、发光层330和上部电极340的发光结构200。
第一TFE层451可设置在上部电极340上。第一TFE层451可覆盖上部电极340，并且可沿着上部电极340的轮廓以基本上均匀的厚度设置。第一TFE层451可防止发光结构200由于例如湿气、水、氧气等的渗透而劣化。此外，第一TFE层451可保护发光结构200免受外部冲击。第一TFE层451可包括具有柔性的无机材料。
第二TFE层452可设置在第一TFE层451上。第二TFE层452可改善OLED显示装置100的平坦度，并且可保护发光结构200。第二TFE层452可包括具有柔性的有机材料。
第三TFE层453可设置在第二TFE层452上。第三TFE层453可覆盖第二TFE层452，并且可沿着第二TFE层452的轮廓以基本上均匀的厚度设置。第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可防止发光结构200由于湿气、水、氧气等的渗透而劣化。此外，第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可保护发光结构200免受外部冲击。第三TFE层453可包括具有柔性的无机材料。因此，可设置包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453的TFE结构450。可替代地，TFE结构450可具有其中堆叠有第一TFE层至第五TFE层的五层结构或者其中堆叠有第一TFE层至第七TFE层的七层结构。
由于根据示例实施例的OLED显示装置100包括设置在第四外围区域24中的堆叠结构700，因此可消除或基本上最小化设置在第一发光区域11中的下部栅极布线和设置在第二发光区域12和第三发光区域13中的上部栅极布线300之间的负载电容的差。因此，可不出现第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间的亮度差，并且可改善OLED显示装置100的可见度。
图9至图17是示出根据示例实施例的制造OLED显示装置100的方法中的阶段的剖视图。
参照图9，可设置刚性玻璃基板105。包括透明材料或不透明材料的基板110可形成在刚性玻璃基板105上。基板110可使用例如柔性透明树脂基板的柔性透明材料形成。在示例实施例中，基板110可具有其中依次堆叠有第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层的配置。第一阻挡层和第二阻挡层可使用例如氧化硅的无机材料形成，并且可阻挡水或湿气渗透到第一有机层和第二有机层。此外，第一有机层和第二有机层可使用例如基于聚酰亚胺的树脂的有机材料形成。
由于OLED显示装置100具有包括发光区域30和外围区域40的显示区域10以及焊盘区域20，因此可将基板110划分为包括发光区域30和外围区域40的显示区域10以及焊盘区域20。此外，可将发光区域30划分为第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13，并且可将外围区域40划分为第一外围区域21、第二外围区域22、第三外围区域23和第四外围区域24。
有源层130可形成在基板110上的第二发光区域12中。有源布线400可形成在基板110上的第二发光区域12中，并且可与有源层130间隔开。有源图案500可形成在基板110上的第四外围区域24中。有源图案500可沿着沟槽103的轮廓形成在位于与沟槽103邻近处的第四外围区域24中。即，有源图案500在第四外围区域24中可具有曲线形状。有源图案500可具有图案突出部510(在图5中所示)。图案突出部510可在与纵向不同的方向上从有源图案500突出。
有源层130、有源布线400和有源图案500可形成在同一层上，并且可使用相同的材料同时形成。例如，在将预备有源层形成在基板110上之后，可通过部分地蚀刻预备有源层以形成有源层130、有源布线400和有源图案500。可使用例如氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等形成有源层130、有源布线400和有源图案500中的每个。
参照图10，栅极绝缘层150可形成在有源层130、有源布线400和有源图案500上。栅极绝缘层150可覆盖基板110上的第二发光区域12中的有源层130、有源布线400和基板110上的第四外围区域24中的有源图案500，并且可形成在整个基板110上。例如，栅极绝缘层150可充分覆盖基板110上的有源层130、有源布线400和有源图案500，并且可具有基本上平坦的上表面而在有源层130、有源布线400和有源图案500周围没有台阶。可替代地，栅极绝缘层150可覆盖基板110上的有源层130、有源布线400和有源图案500，并且可沿着有源层130、有源布线400和有源图案500的轮廓形成为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可使用硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层150可包括：SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。
预备栅电极层1170可形成在整个栅极绝缘层150上。预备栅电极层1170可使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，预备栅电极层1170可包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、铝合金、AlNx、银合金、WNx、铜合金、钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，预备栅电极层1170可具有包括多个层的多层结构。
在将预备栅电极层1170形成在栅极绝缘层150上之后，可执行其中部分地蚀刻预备栅电极层1170的第一蚀刻工艺。例如，第一蚀刻工艺可对应于干式蚀刻工艺，即，在该工艺中使用等离子体蚀刻预备栅电极层1170。在执行第一蚀刻工艺的同时，可产生静电，并且静电可流入预备栅电极层1170中。
在比较性的OLED显示装置中，当静电流入预备栅电极层中时，由于设置在第一发光区域以及第二发光区域和第三发光区域中的预备栅电极层的负载电容可彼此不同，因此在预备栅电极层和有源布线之间的耦合量可彼此不同。在此情况下，设置在第一发光区域的半导体元件的特性可不同于设置在第二发光区域和第三发光区域的半导体元件的特性，并且在第一发光区域和第二发光区域和第三发光区域中可出现亮度差。
在示例实施例中，由于预备栅电极层1170与第四外围区域24中的有源图案500重叠，因此可形成寄生电容，并且设置在第一发光区域11以及第二发光区域12和第三发光区域13中的预备栅电极层1170的负载电容可变得相等。在此情况下，在第一发光区域11以及第二发光区域12和第三发光区域13中的每个中，可将预备栅电极层1170和有源布线400之间的耦合量的差最小化。因此，虽然静电流入预备栅电极层1170中，但是形成在第一发光区域11中的半导体元件和形成在第二发光区域12和第三发光区域13中的半导体元件可相对较少地受静电影响。
参照图11，在执行第一蚀刻工艺之后，可将上部栅极布线300和栅电极170形成在栅极绝缘层150上。栅电极170可设置在栅极绝缘层150上的第二发光区域12中，并且可形成在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的一部分上。上部栅极布线300可形成在栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中，并且可与栅电极170间隔开。在示例实施例中，栅电极170和上部栅极布线300可形成在同一层处，并且可使用相同的材料同时形成。
参照图12，可将第一绝缘中间层190形成在上部栅极布线300和栅电极170上。第一绝缘中间层190可覆盖栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅极绝缘层150上的第二发光区域12中的栅电极170，并且可形成在整个栅极绝缘层150上。例如，第一绝缘中间层190可充分覆盖栅极绝缘层150上的第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅极绝缘层150上的第二发光区域12中的栅电极170，并且可具有基本上平坦的上表面而在上部栅极布线300和栅电极170周围没有台阶。可替代地，第一绝缘中间层190可覆盖栅极绝缘层150上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的上部栅极布线300和栅电极170，并且可沿着上部栅极布线300和栅电极170的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第一绝缘中间层190可使用硅化合物、金属氧化物等形成。
可将预备电极层1175形成在整个第一绝缘中间层190上。预备电极层1175可使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，预备电极层1175可具有包括多个层的多层结构。
在将预备电极层1175形成在第一绝缘中间层190上之后，可执行第二蚀刻工艺，在第二蚀刻工艺中部分地蚀刻预备电极层1175。例如，第二蚀刻工艺可对应于使用等离子体蚀刻预备电极层1175的干式蚀刻工艺。在执行第二蚀刻工艺的同时，可产生静电，并且静电可流入预备电极层1175中。
在示例实施例中，由于上部栅极布线300与第四外围区域24中的有源图案500重叠，因此可形成寄生电容，并且在第一发光区域11以及第二发光区域12和第三发光区域13中的每个中可将预备电极层1175和栅极布线之间的耦合量的差最小化。因此，虽然静电流入预备电极层1175中，但是形成在第一发光区域11中的半导体元件以及形成第二发光区域12和第三发光区域13中的半导体元件可相对较少地受静电影响。
参照图13，信号布线175可形成在第一绝缘中间层190上的第二发光区域12中。信号布线175可与上部栅极布线300间隔开，并且可形成在第二发光区域12、第三发光区域13和第四外围区域24中。在示例实施例中，信号布线175可对应于初始化信号布线。
参照图14，可将第二绝缘中间层195形成在信号布线175上。第二绝缘中间层195可覆盖第一绝缘中间层190上的第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可形成在整个第一绝缘中间层190上。例如，第二绝缘中间层195可充分覆盖第一绝缘中间层190上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可具有基本上平坦的上表面而没有信号布线175周围的台阶。可替代地，第二绝缘中间层195可覆盖第一绝缘中间层190上的在第二发光区域12和第四外围区域24中的信号布线175，并且可沿着信号布线175的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可使用硅化合物、金属氧化物等形成。
在形成第二绝缘中间层195之后，可形成第一接触孔至第四接触孔。第一接触孔至第四接触孔中的每个可通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的第一部分至第四部分中的每个而形成。第一接触孔可暴露有源层130的源区，并且第二接触孔可暴露有源层130的漏区。第三接触孔可暴露有源图案500的图案突出部510的一部分，并且第四接触孔可暴露上部栅极布线300的布线突出部520的一部分。
可将预备第二电极层1600形成在第二绝缘中间层195上。预备第二电极层1600可填充第一接触孔至第四接触孔。预备第二电极层1600可使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，预备第二电极层1600可具有包括多个层的多层结构。
在将预备第二电极层1600形成在第二绝缘中间层195上之后，可执行第三蚀刻工艺，在第三蚀刻工艺中部分地蚀刻预备第二电极层1600。例如，第三蚀刻工艺可对应于使用等离子体蚀刻预备第二电极层1600的干式蚀刻工艺。在执行第三蚀刻工艺的同时，可产生静电，并且静电可流入预备第二电极层1600中。
在示例实施例中，由于在第四外围区域24中上部栅极布线300与有源图案500重叠，因此可形成寄生电容，并且在第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间可相对减小时间常数的差。此外，由于在第四外围区域24中预备第二电极层1600连接上部栅极布线300和有源图案500，因此，虽然上部栅极布线300和有源图案500被静电切断，但是可施加相同的信号。此外，可防止静电从第四外围区域24流入第二发光区域12或第三发光区域13中。因此，虽然静电流入预备第二电极层1600中，但是形成在第一发光区域11中的半导体元件和形成在第二发光区域12和第三发光区域13中的半导体元件可相对较少地受静电影响。
参照图15，在执行第三蚀刻工艺之后，可将源电极210和漏电极230形成在第二绝缘中间层195上的第二发光区域12中，并且可将连接图案600形成在第二绝缘中间层195上的第四外围区域24中。源电极210可借由第一接触孔与有源层130的第一侧(例如，源区)直接接触，并且漏电极230可借由第二接触孔与有源层130的第二侧(例如，漏区)直接接触。因此，可形成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250。连接图案600可借由第三接触孔和第四接触孔接触图案突出部510和布线突出部520。因此，可形成包括有源图案500、与有源图案500重叠的上部栅极布线300和连接图案600的堆叠结构700。在示例实施例中，源电极210、漏电极230和连接图案600可使用相同的材料同时形成。
参照图16，平坦化层270可形成在第二绝缘中间层195、连接图案600、源电极210和漏电极230上，并且可具有暴露半导体元件250的一部分的接触孔。平坦化层270可以以高厚度形成以充分覆盖连接图案600以及源电极210和漏电极230。在此情况下，平坦化层270可具有基本上平坦的上表面，并且可在平坦化层270上进一步执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦上表面。平坦化层270可包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，平坦化层270可使用有机材料形成。例如，平坦化层270可包括基于聚酰亚胺的树脂、光致抗蚀剂、基于丙烯的树脂、基于聚酰胺的树脂、基于硅氧烷的树脂等。
下部电极290可形成在平坦化层270上的第二发光区域12中。下部电极290可借由平坦化层270的接触孔与漏电极230直接接触，并且可电连接到半导体元件250。下部电极290可使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，下部电极290可具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可形成在下部电极290的一部分和平坦化层270上。像素限定层310可覆盖下部电极290的两个侧部，并且可具有暴露下部电极290的上表面的一部分的开口。像素限定层310可包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，像素限定层310可使用有机材料形成。
参照图17，发光层330可形成在由像素限定层310暴露的下部电极290上。发光层330可根据子像素使用能够产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料中的至少一种形成。可替代地，发光层330通常可通过堆叠能够产生诸如红色光、绿色光和蓝色光的不同颜色的光的多个发光材料以产生白色光。在此情况下，可将滤色器形成在发光层330上。滤色器可包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可替代地，滤色器可包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可使用光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等形成。
上部电极340可形成在像素限定层310和发光层330上。上部电极340可覆盖发光层330和像素限定层310，并且可形成在整个基板110上。上部电极340可使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可单独使用或者以它们的适当组合使用。可替代地，上部电极340可具有包括多个层的多层结构。因此，可形成包括下部电极290、发光层330和上部电极340的发光结构200。
第一TFE层451可形成在上部电极340上。第一TFE层451可覆盖上部电极340，并且可沿着上部电极340的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第一TFE层451可防止发光结构200由于湿气、水、氧气等的渗透而劣化。此外，第一TFE层451可保护发光结构200免受外部冲击。第一TFE层451可使用具有柔性的无机材料形成。
第二TFE层452可形成在第一TFE层451上。第二TFE层452可改善OLED显示装置的平坦度，并且可保护发光结构200。第二TFE层452可使用具有柔性的有机材料形成。
第三TFE层453可形成在第二TFE层452上。第三TFE层453可覆盖第二TFE层452，并且可沿着第二TFE层452的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可防止发光结构200由于湿气、水、氧气等的渗透而劣化。此外，第三TFE层453与第一TFE层451和第二TFE层452一起可保护发光结构200免受外部冲击。第三TFE层453可使用具有柔性的无机材料形成。因此，可形成包括第一TFE层451、第二TFE层452和第三TFE层453的TFE结构450。可替代地，TFE结构450可具有其中堆叠有第一TFE层至第五TFE层的五层结构或者其中堆叠有第一TFE层至第七TFE层的七层结构。在形成TFE结构450之后，可将刚性玻璃基板105从基板110去除。
因此，可制造图6和图7中所示的OLED显示装置100。如上所述，在制造OLED显示装置100的方法中，尽管静电流动，但是形成在第一发光区域11中的半导体元件和形成在第二发光区域12和第三发光区域13中的半导体元件可相对较少地受静电影响。
图18是示出根据示例实施例的OLED显示装置的平面图，并且图19是用于描述设置在图18的OLED显示装置的第一发光区域和第二发光区域中的发光结构的平面图。除了沟槽103的形状之外，图18和图19中所示的OLED显示装置1000可具有与参照图1至图3描述的OLED显示装置100的配置基本上相同或类似的配置。在图18和图19中，可不重复用于与参照图1至图3描述的元件基本上相同或类似的元件的详细描述可不再重复。
参照图2、图18和图19，OLED显示装置1000可包括显示区域10和焊盘区域20。这里，显示区域10可包括发光区域30和围绕发光区域30的外围区域40，并且发光区域30可包括第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13。此外，外围区域40可包括第一外围区域21、第二外围区域22、第三外围区域23和第四外围区域24。
多个发光结构200可设置在显示区域10中，并且焊盘区域20可位于显示区域10的第一侧处。焊盘电极470可设置在焊盘区域20中，并且可电连接到外部装置。这里，焊盘区域20的在第一方向D1上延伸的宽度可小于显示区域10的在第一方向D1上延伸的宽度。可替代地，焊盘区域20的宽度可与显示区域10的宽度相同。例如，第一方向D1可以是与OLED显示装置1000的上表面平行的方向。
在示例实施例中，OLED显示装置1000可具有位于显示区域10的第二侧处的沟槽103’。这里，显示区域10的第一侧可不同于显示区域10的第二侧。换言之，OLED显示装置1000可在显示区域10的一部分中在从外围区域40至发光区域30的方向上具有凹陷形状。此外，沟槽103’的形状在OLED显示装置1000的平面图中可具有四边形的平面形状，例如，沟槽103’可以是这样的多边形：第一侧向侧壁和第二侧向侧壁沿着第二方向D2朝向显示区域10线性地延伸并且线性第三侧壁沿着第一方向D1连接第一侧向侧壁和第二侧向侧壁。
OLED显示装置1000可包括第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305、第二下部栅极布线306等。为便于描述，并非OLED显示装置1000中包括的所有布线均可在图19中示出。例如，OLED显示装置1000还可包括数据信号布线、发光信号布线、电源电压布线等。
在示例实施例中，第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306可将栅极信号提供到发光结构200。在示例实施例中，在图19中，OLED显示装置100包括两个上部栅极布线和两个下部栅极布线，但是不限于此。例如，OLED显示装置1000可包括多个上部栅极布线和多个下部栅极布线。
在示例实施例中，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302可设置在基板上的第二发光区域12、第四外围区域24和第三发光区域13中，并且第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306可设置在基板上的第一发光区域11中。此外，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个在第二发光区域12和第三发光区域13中可具有大致直线的形状，并且在第四外围区域24中可具有反转的“Π”的形状。换言之，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个可沿着沟槽103’的轮廓设置在第四外围区域24中，并且可整体形成在第二发光区域12、第四外围区域24和第三发光区域13中。另一方面，第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个在第一发光区域11中可具有大致直线的形状。即，如图19中所示，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302中的每个的总距离可大于第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个的总距离。
在示例实施例中，多个发光结构200可设置在第一发光区域11、第二发光区域12和第三发光区域13中。如图19中所示，发光结构200可电连接到第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302、第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306中的每个。在示例实施例中，连接到第一上部栅极布线301的发光结构200的数量可与连接到第二上部栅极布线302的发光结构200的数量相同。换言之，布置在第二发光区域12和第三发光区域13中的每个第一方向D1上的发光结构200的数量可在第二方向D2上相同。例如，在第二发光区域12和第三发光区域13中，第二发光区域12和第三发光区域13中的每个的面积可由于形成在基板上的具有四角形的平面形状的沟槽103’的四边形形状而在第二方向D2上相同，即，在第一方向D1上具有恒定值，并且沿着第一方向D1布置的发光结构200的数量可在第二方向D2上相同。
此外，因为第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302不连接到第四外围区域24中的发光结构200，所以第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302可比第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306连接到相对小数量的发光结构200。在此情况下，在上部栅极布线(例如，第一上部栅极布线301和第二上部栅极布线302)和设置在上部栅极布线下面的有源布线之间产生的负载电容可小于在下部栅极布线(例如，第一下部栅极布线305和第二下部栅极布线306)和设置在下部栅极布线下面的有源布线之间产生的负载电容。例如，OLED显示装置1000还可包括多个半导体元件，并且所述半导体元件可设置在发光结构200中的每个下面。这里，半导体元件可通过有源布线彼此连接，并且有源布线和设置在有源布线上的栅极布线可部分地重叠。这里，有源布线和栅极布线重叠的部分可限定为半导体元件的有源层。因此，连接到相对较大数量的发光结构200的下部栅极布线的负载电容可相对地大于连接到相对较小数量的发光结构200的上部栅极布线的负载电容。
当出现负载电容的差时，在第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间可出现发光结构200的亮度差。在此情况下，可降低OLED显示装置1000的可见度。然而，为了使负载电容的差相等，即，使负载电容的差最小化，根据示例实施例的OLED显示装置1000还可包括以下将参照图20至图21描述的在第四外围区域24中的堆叠结构。
图20是用于描述图18的OLED显示装置中包括的堆叠结构的局部放大平面图，并且图21是用于描述图20的堆叠结构中包括的图案突出部和布线突出部的局部放大平面图。除了沟槽的形状和堆叠结构的对应形状之外，图20和图21中所示的OLED显示装置1000具有与参照图1至图5描述的OLED显示装置100基本上相同的配置。在图20和图21中，用于与参照图4和图5描述的元件基本上相同或者类似的元件的详细描述可不重复。
参照图18至图21，OLED显示装置1000可包括上部栅极布线300、有源图案500、连接图案600等。例如，上部栅极布线300、有源图案500和有源图案500可设置在基板上。
有源图案500可沿着沟槽103’的轮廓设置在位于与沟槽103’邻近处的外围区域40(例如，第四外围区域24)中。即，有源图案500在第四外围区域24中可具有直线形状。有源图案500可包括第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503。有源图案500可设置在基板上的第四外围区域24中。例如，第一有源图案501可设置在第四外围区域24的最外部处，并且第三有源图案503可设置在第四外围区域24的内部处(或者设置为与第一发光区域11邻近)。第二有源图案502可设置在第一有源图案501和第三有源图案503之间。在示例实施例中，第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503中的每个的总距离可相同。
如图21中所示，有源图案500可具有图案突出部510。图案突出部510可在与纵向(例如，第一方向D1)不同的方向(例如，第二方向D2)上从有源图案500突出。图案突出部510可形成在第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503中的每个中。
换言之，有源图案500可包括第一有源图案501至第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且第一有源图案501至第N有源图案可设置在第四外围区域24中。第一有源图案501至第N有源图案之中的第一有源图案501可设置在第四外围区域24的最外部处，并且第一有源图案501至第N有源图案之中的第N有源图案可设置在第四外围区域24的内部处(设置为与第一发光区域11邻近)。第一有源图案501至第N有源图案之中的第K有源图案的距离(例如总距离)可与第一有源图案501至第N有源图案之中的第K+1有源图案的距离相同，其中，K是在1和N之间的整数。
上部栅极布线300可设置在位于与沟槽103’邻近处的外围区域40(例如，第四外围区域24)中的有源图案500上并且与位于与沟槽103’邻近的外围区域40(例如，第四外围区域24)中的有源图案500重叠。上部栅极布线300可包括第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303。例如，第一上部栅极布线301可设置在第一有源图案501上并且与第一有源图案501重叠，并且第二上部栅极布线302可设置在第二有源图案502上并且与第二有源图案502重叠。第三上部栅极布线303可设置在第三有源图案503上并且与第三有源图案503重叠。
在示例实施例中，第一上部栅极布线301与第一有源图案501重叠的总面积可与第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的总面积相同，并且第二上部栅极布线302与第二有源图案502重叠的总面积可与第三上部栅极布线303与第三有源图案503重叠的总面积相同。换言之，其中上部栅极布线300与有源图案500重叠的总面积可相同。
如图21中所示，上部栅极布线300可具有布线突出部520。布线突出部520可在与纵向不同的方向上从上部栅极布线300突出，并且可位于与图案突出部510邻近处。布线突出部520可形成在第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303中的每个中。
换言之，上部栅极布线300可包括第一上部栅极布线301至第M上部栅极布线，其中，M是大于1的整数，并且第一有源图案501至第N有源图案之中的第K有源图案可设置为与第一上部栅极布线301至第M上部栅极布线之中的第L上部栅极布线重叠，其中，K是在1和N之间的整数，并且L是在1和M之间的整数。
连接图案600可设置在图案突出部510和布线突出部520上并且与图案突出部510和布线突出部520重叠，并且可通过接触孔电连接图案突出部510和布线突出部520。连接图案600可包括第一连接图案601、第二连接图案602和第三连接图案603。例如，第一连接图案601可设置在第一有源图案501的图案突出部510和第一上部栅极布线301的布线突出部520上并且与第一有源图案501的图案突出部510和第一上部栅极布线301的布线突出部520重叠，并且第二连接图案602可设置在第二有源图案502的图案突出部510和第二上部栅极布线302的布线突出部520上并且与第二有源图案502的图案突出部510和第二上部栅极布线302的布线突出部520重叠。第三连接图案603可设置在第三有源图案503的图案突出部510和第三上部栅极布线303的布线突出部520上并且与第三有源图案503的图案突出部510和第三上部栅极布线303的布线突出部520重叠。在示例实施例中，连接图案600与有源图案500和与有源图案500重叠的上部栅极布线300一起可限定为堆叠结构。例如，第一有源图案501、与第一有源图案501重叠的第一上部栅极布线301和第一连接图案601可限定为第一堆叠结构，并且第二有源图案502、与第二有源图案502重叠的第二上部栅极布线302和第二连接图案602可限定为第二堆叠结构。第三有源图案503、与第三有源图案503重叠的第三上部栅极布线303和第三连接图案603可限定为第三堆叠结构。堆叠结构可在有源图案500和上部栅极布线300之间形成寄生电容，并且由于寄生电容，可防止或基本上最小化设置在第一发光区域11中的下部栅极布线和上部栅极布线300之间的负载电容的差。
如上所述，因为第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303中的每个连接到相同数量的发光结构200，所以其中第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线301、中的每个与第一有源图案501、第二有源图案502和第三有源图案503中的每个重叠的面积可基本上相同以使第一上部栅极布线301、第二上部栅极布线302和第三上部栅极布线303的负载电容相等。因此，在第一发光区域11与第二发光区域12和第三发光区域13之间可不出现亮度差，并且可相对地增加OLED显示装置1000的可见度。
在示例实施例中，OLED显示装置1000包括三个堆叠结构，所述三个堆叠结构包括三个有源图案500、三个上部栅极布线300和三个连接图案600的，但是不限于此。例如，在一些示例实施例中，OLED显示装置1000可包括至少四个堆叠结构，所述至少四个堆叠结构包括至少四个有源图案500、至少四个上部栅极布线300和至少四个连接图案600。
示例实施例可适用于包括OLED显示装置的各种显示装置。例如，示例实施例可适用于车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
通过总结和回顾，沿着行方向布置在与沟槽邻近的区域中的发光结构的数量可不同于沿着行方向布置在不包括沟槽的区域中的发光结构的数量，例如，布置在与沟槽邻近的区域中的发光结构的数量可较小。在此情况下，在与沟槽邻近的区域和不包括沟槽的区域中的发光结构之间的负载电容可不同。此外，在用于制造OLED显示装置的工艺中，半导体元件可被静电损坏。由于负载电容差和由静电导致的对半导体元件的损坏，在与沟槽邻近的区域和不包括沟槽的区域中可出现亮度差，从而减小OLED显示装置的可见度。
相比之下，由于根据示例实施例的OLED显示装置在围绕沟槽的区域中包括堆叠结构，因此可防止或基本上最小化负载电容的差。因此，可不出现不同发光区域的亮度差，从而改善OLED显示装置的例如显示特性的可见度。
文中已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但是仅以一般性和描述性的含义来使用和解释所述特定术语，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如将对于自提交本申请起的本领域普通技术人员而言明显的是，除非另有明确说明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以被单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：
基板，所述基板包括：
具有发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域，
在所述显示区域的第一侧的焊盘区域，和
在所述显示区域的第二侧的沟槽；
多个发光结构，所述多个发光结构在所述基板的所述发光区域上；
有源图案，所述有源图案沿着所述沟槽的轮廓在所述基板的所述外围区域上，所述有源图案与所述沟槽邻近并且包括图案突出部；和
上部栅极布线，所述上部栅极布线在所述有源图案上并且与所述有源图案重叠，所述上部栅极布线具有与所述图案突出部邻近的布线突出部。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有机发光二极管显示装置还包括：
连接图案，所述连接图案在所述图案突出部和所述布线突出部上并且与所述图案突出部和所述布线突出部重叠，所述连接图案通过接触孔电连接所述图案突出部和所述布线突出部，
其中，所述连接图案与所述有源图案以及与所述有源图案重叠的所述上部栅极布线一起限定为堆叠结构。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述基板的所述发光区域包括：
第一发光区域，所述第一发光区域与所述焊盘区域邻近，所述第一发光区域具有第一宽度；和
第二发光区域和第三发光区域，所述第二发光区域和所述第三发光区域沿着所述沟槽的侧部，所述第二发光区域和所述第三发光区域具有小于所述第一宽度的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述基板的所述外围区域包括：
第一外围区域，所述第一外围区域与所述第一发光区域邻近；
第二外围区域和第三外围区域，所述第二外围区域和所述第三外围区域分别与所述第二发光区域和所述第三发光区域邻近；和
第四外围区域，所述第四外围区域与所述沟槽邻近。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第四外围区域的一部分在所述第一发光区域和所述沟槽之间，并且所述第四外围区域的剩余部分在所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个发光区域与所述沟槽之间。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有机发光二极管显示装置还包括：
下部栅极布线，所述下部栅极布线在所述第一发光区域中，所述下部栅极布线具有直线的形状，
其中，所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中并且在所述第四外围区域中，并且所述上部栅极布线的总长度大于所述下部栅极布线的总长度。
7.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，如在所述有机发光二极管显示装置的俯视图中观察到的，所述沟槽的形状具有半圆形的平面形状。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中：
所述有源图案在所述第四外围区域中具有曲线的形状，并且
所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中具有直线的形状，并且在所述第四外围区域中具有曲线的形状。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中：
所述多个发光结构在所述第一发光区域至所述第三发光区域的每个发光区域中以行布置，并且
布置在所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每行中的所述发光结构的数量在从所述显示区域朝向所述焊盘区域定向的方向上逐渐增加。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有源图案包括第一有源图案至第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案在所述第四外围区域中。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第一有源图案在所述第四外围区域的最外部处，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的所述第N有源图案在所述第四外围区域的最内部处。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K有源图案的长度大于所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K+1有源图案的长度，其中，K是在1和N之间的整数。
13.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述上部栅极布线包括第一上部栅极布线至第M上部栅极布线，其中，M是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K有源图案设置为与所述第一上部栅极布线至所述第M上部栅极布线之中的第L上部栅极布线重叠，其中，K是在1和N之间的整数，并且L是在1和M之间的整数。
14.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述有机发光二极管显示装置的平面图中，所述沟槽的形状具有四角形的平面形状。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有源图案在所述第四外围区域中具有直线的形状；以及
所述上部栅极布线在所述第二发光区域和所述第三发光区域中具有直线的形状，并且在所述第四外围区域中具有U形形状。
16.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中，沿着所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个行方向布置的所述发光结构的数量相同。
17.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有源图案包括第一有源图案至第N有源图案，其中，N是大于1的整数，并且所述第一有源图案至所述第N有源图案在所述第四外围区域中。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K有源图案的距离与所述第一有源图案至所述第N有源图案之中的第K+1有源图案的距离相同，其中，K是在1和N之间的整数。
19.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述有机发光二极管显示装置还包括：
多个半导体元件，所述多个半导体元件在所述显示区域中位于所述基板和所述发光结构之间，
其中，所述多个半导体元件中的每个包括：
有源层，所述有源层在所述基板上，
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述有源层上，
栅电极，所述栅电极在所述栅极绝缘层上，
第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层在所述栅电极上，和
源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极在所述第一绝缘中间层上，
其中，所述有源图案和所述有源层在同一层，并且所述上部栅极布线和所述栅电极在同一层。
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