CN111653576B - 阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 49
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置,阵列基板具有开孔区、位于开孔区的外周侧的第一非显示区和位于第一非显示区的至少部分外周侧的显示区,阵列基板包括:衬底、有源层及连接结构,有源层包括:多个第一有源组和多个第二有源组,多个第一有源组沿第一方向延伸且沿第二方向排列;多个第二有源组沿第一方向延伸且沿第二方向排列,且各第二有源组与各第一有源组沿第二方向上位置对应;连接结构位于衬底上且至少部分位于第一非显示区,连接结构与第一有源组和第二有源组连接。本发明提供的阵列基板能够改善由于开孔区存在而产生的显示均一性问题,并进一步提高显示面板的屏占比。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
随着电子设备的快速发展,为了丰富显示面板的使用功能,提高用户体验,通常会在显示装置中设置诸如摄像头、听筒等功能器件。在此基础上,为了减小显示面板的边框尺寸,提高显示面板的屏占比,通常会在显示面板内设置开孔区(HIAA)。
但是显示面板中的膜层结构会因为开孔区而改变原有的连接方式,甚至造成不同程度的破坏,从而易引起显示面板产生显示均一性(Mura)问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置,能够改善由于开孔区存在而产生的显示均一性问题,并进一步提高显示面板的屏占比。
一方面,根据本发明实施例提供一种阵列基板,阵列基板具有开孔区、第一非显示区和显示区,第一非显示区位于开孔区的外周侧,显示区位于第一非显示区的外周侧,阵列基板包括:衬底;有源层,位于衬底上,有源层包括:多个第一有源组,沿第一方向位于开孔区、第一非显示区至少一者的一侧,多个第一有源组沿第一方向延伸且沿第二方向排列,第一方向与第二方向交叉,第一有源组包括沿第一方向排布且连接的多个第一有源单元;多个第二有源组,沿第一方向位于开孔区、第一非显示区至少一者的另一侧,多个第二有源组沿第一方向延伸且沿第二方向排列,且各第二有源组与各第一有源组沿第二方向上位置对应,第二有源组包括沿第一方向排布且连接的第二有源单元;以及连接结构,位于衬底上且至少部分位于第一非显示区,连接结构与第一有源组和第二有源组连接。
根据本发明实施例的一个方面,连接结构包括多条第一连接线,第一连接线将沿第二方向位置对应的第一有源组和第二有源组连接。
根据本发明实施例的一个方面,第一方向为阵列基板的列方向,第一连接线将沿第一方向位于同一列的第一有源组和第二有源组连接,多条第一连接线在衬底上的正投影相互错位设置。
根据本发明实施例的一个方面,至少部分数量的第一连接线、第一有源单元以及第二有源单元同层设置;和/或,至少部分数量的第一连接线位于有源层背离衬底的一侧,第一连接线通过过孔分别与第一有源组、第二有源组连接。
根据本发明实施例的一个方面,连接结构还包括:第二连接线,位于衬底上且位于第一非显示区,第二连接线连接至少部分数量的第一连接线。
根据本发明实施例的一个方面,第二连接线环绕开孔区;或者,第二连接线包括多条连接线段,每条连接线段连接至少部分数量的第一连接线。
根据本发明实施例的一个方面,第一有源组沿第一方向的延伸长度大于或小于对应的第二有源组沿第一方向的延伸长度。
根据本发明实施例的一个方面,第一有源组还包括朝向第一非显示区的第一端,第二有源组还包括朝向第一非显示区的第二端,连接结构连接于第一端与第二端之间。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示面板,包括如上述任一实施方式的阵列基板。
再一方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上述任一实施方式的阵列基板。
根据本发明实施例的阵列基板、显示面板以及显示装置,阵列基板具有开孔区、位于开孔区的外周侧的第一非显示区以及位于第一非显示区的至少部分外周侧的显示区,开孔区能够使光线透过阵列基板,当阵列基板应用在显示面板上时,通过在显示面板上设置开孔区,能够使得显示面板在开孔区的背面可以集成感光组件,提高显示面板的屏占比。
本发明实施例的阵列基板包括衬底、有源层以及连接结构,有源层包括多个第一有源组以及多个第二有源组,由于开孔区的存在,使得多个第一有源组沿第一方向位于开孔区、第一非显示区至少一者的一侧,多个第二有源组沿第一方向位于开孔区、第一非显示区至少一者的另一侧,第一有源组与第二有源组相互断开,易导致第一有源组与第一有源组在制作过程中的静电积累或静电流动性存在差异,进而易导致与第一有源组和第二有源组对应的晶体管的特性发生变化。因此,本发明实施例中通过设置连接结构,连接结构与第一有源组和第二有源组连接,增大了第一有源组和第二有源组中的静电的吸收面积且延长了静电的传输路径,能够改善由于静电积累或静电的流动性差异引起的晶体管特性的变化,从而改善显示面板的显示不均一问题。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1是本发明一个实施例的阵列基板的俯视图;
图2是图1中示出的一种阵列基板在Q1处的放大示意图;
图3是本发明一个实施例提供的第一有源单元、第二有源单元和第三有源单元的结构示意图;
图4是图1中沿B-B方向的剖视图;
图5是图1中示出的另一种阵列基板在Q1处的放大示意图;
图6是图1中示出的再一种阵列基板在Q1处的放大示意图;
图7是本发明一个实施例的显示装置的结构示意图;
图8是图7中沿C-C方向的剖视图。
图中:
100-阵列基板;HA-开孔区;NA1-第一非显示区;NA2-第二非显示区;AA-显示区;M-第一方向;N-第二方向;
10-衬底;
20-有源层;21-第一有源组;211-第一有源单元;2111-第一源极部;2112-第一漏极部;2113-第一沟道部;22-第二有源组;221-第二有源单元;2211-第二源极部;2212-第二漏极部;2213-第二沟道部;23-第三有源组;231-第三有源单元;2311-第三源极部;2312-第三漏极部;2313-第三沟道部;
30-连接结构;31-第一连接线;32-第二连接线;321-连接线段;
40-栅极层;
50-源漏极层;
200-显示面板;300-感光组件;1000-显示装置。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置开孔区,将感光组件设置在开孔区且将感光组件设置在显示面板的背光面侧,在保证感光组件正常工作的情况下,提高显示面板的屏占比。
当显示面板上设置开孔区时,开孔区会贯穿阵列基板,此时会导致阵列基板上的有源层在开孔区内断开,导致原本连续设置的有源层的图案被破坏,使得开孔区两侧的有源层图案与其余位置处的连续设置的有源层吸收静电或消耗静电的能力不同,易使得位于开孔区两侧的有源层静电积累或静电的流动性差异而影响阵列基板上的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)的特性,由于TFT可以用于形成像素电路,以驱动各子像素发光显示,如果各TFT的特性受到影响,则进一步影响各子像素的发光显示亮度,从而以产生显示亮度不均一的问题。
为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种阵列基板100、显示面板200以及显示装置。下面结合附图对本发明实施例的阵列基板100、显示面板200以及显示装置1000进行详细描述。
请一并参阅图1至图4,图1是本发明一个实施例的阵列基板的俯视图,图2是图1中示出的一种阵列基板在Q1处的放大示意图,图3是本发明一个实施例提供的第一有源单元、第二有源单元和第三有源单元的结构示意图,图4是图1中沿B-B方向的剖视图。
本发明实施例提供一种阵列基板100,阵列基板100具有开孔区HA、第一非显示区NA1和显示区AA,第一非显示区NA1位于开孔区HA的外周侧,显示区AA位于第一非显示区NA1的至少部分外周侧。开孔区HA能够使光线透过阵列基板100,当阵列基板100应用在显示面板200上时,通过在显示面板200上设置开孔区HA能够使得显示面板200在开孔区HA的背面可以集成感光组件300,提高显示面板200的屏占比。进一步地,阵列基板100还具有位于显示区AA外周侧的第二非显示区NA2,可以在第二非显示区NA2设置集成电路(Integratedcircuit,IC),用于控制显示面板200上的各子像素发光显示。
阵列基板100包括衬底10、有源层20以及连接结构30。有源层20位于衬底10上,有源层20包括多个第一有源组21和多个第二有源组22。多个第一有源组21沿第一方向M位于开孔区HA、第一非显示区NA1至少一者的一侧,多个第一有源组21沿第一方向M延伸且沿第二方向N排列,第一方向M与第二方向N交叉,第一有源组21包括沿第一方向M排布且连接的多个第一有源单元211,第一有源单元211包括第一源极部2111、第一漏极部2112以及设置于第一源极部2111和第一漏极部2112之间的第一沟道部2113。其中,第一方向M可以为阵列基板100的列方向,第二方向N可以为阵列基板100的行方向。第一方向M与第二方向N之间呈90度夹角。
多个第二有源组22沿第一方向M位于开孔区HA、第一非显示区NA1至少一者的另一侧,多个第二有源组22沿第一方向M延伸且沿第二方向N排列,且各第二有源组22与各第一有源组21沿第二方向N上位置对应,第二有源组22包括沿第一方向M排布且连接的第二有源单元221,第二有源单元221包括第二源极部2211、第二漏极部2212以及设置于第二源极部2211和第二漏极部2212之间的第二沟道部2213。
连接结构30位于衬底10上且至少部分位于第一非显示区NA1,连接结构30与第一有源组21和第二有源组22连接。
根据本发明实施例提供的阵列基板100,通过设置连接结构30,并通过连接结构30将第一有源组21和第二有源组22连接,增大了第一有源组21和第二有源组22中的静电的吸收面积且延长了静电的传输路径,能够防止由于静电积累引起的晶体管特性的变化,从而改善显示面板200的显示不均一问题。
请进一步参阅图2,在一些实施例中,有源层20还包括多个第三有源组23,多个第三有源组23沿第一方向M延伸于整个显示区AA且沿第二方向N排列,多个第三有源组23与开孔区HA以及第一非显示区NA1避位设置。第三有源组23包括沿第一方向M排布且连接的第三有源单元231,第三有源单元231包括第三源极部2311、第三漏极部2312以及设置于第三源极部2311和第三漏极部2312之间的第三沟道部2313。
其中,第一有源单元211、第二有源单元221以及第三有源单元231的结构相同,均用于形成像素电路。在像素电路中可以包括两个以上薄膜晶体管,用以相互配合驱动子像素发光显示。在图3中示意性的绘制出了其中一个薄膜晶体管的源极部、漏极部以及沟道部。
其中,第三有源组23沿第一方向M的延伸长度大于第一有源组21沿第一方向M的延伸长度和第二有源组22沿第一方向M的延伸长度之和,使得在有源层20制作过程中,第三有源组23吸收和消耗静电的面积较大、静电的传输路径长,静电的流动性能好,相较于第一有源组21和第二有源组22具有较好的静电吸收和消耗的能力,此时如果第一有源组21和第二有源组22相互断开,则会导致第一有源组21和第二有源组22在制作过程中存在静电积累,且与第三有源组23中的静电流动性存在差异,导致利用上述的三个有源层组制成的薄膜晶体管的特性,例如TFT的阈值电压存在差异,进而会产生第一有源组21和第二有源组22对应的显示区AA与第三有源组23对应的显示区AA之间存在显示不均一问题。因此,本发明实施例中通过连接结构30将第一有源组21和第二有源组22连接,增加了第一有源组21和第二有源组22的静电传输路径以及静电的吸收面积,提高了第一有源组21和第二有源组22吸收以及消耗静电的能力。
基于此,在一些实施例中,连接结构30包括多条第一连接线31,第一连接线31将沿第二方向N位置对应的第一有源组21和第二有源组22连接,具体地,第一连接线31将沿第二方向N位于同一列的第一有源组21和第二有源组22连接。通过上述设置,使得沿第二方向N位置对应的第一有源组21和第二有源组22连接后静电的传输路径与第三有源组23中静电的传输路径相似,均可以沿第一方向M传输静电,且使得第一有源组21和第二有源组22的连接方式与第三有源组23的连接方式相同,便于实现阵列基板100上第一有源单元211、第二有源单元221以及第三有源单元231的均一性,从而减小像素电路中各薄膜晶体管的TFT特性的散射,从而改善Mura问题。
为了使第一有源组21和第二有源组22的连接方式与第三有源组23的连接方式相同,在一些实施例中,当第一方向M为阵列基板100的列方向时,多条第一连接线31将沿第一方向M位于同一列的第一有源组21和第二有源组22连接,多条第一连接线31在衬底10上的正投影相互错位设置,此时多条第一连接线31在衬底10上的正投影相互之间不交叉。通过上述设置,使得位于同一列的第一有源组21和第二有源组22连接且沿第一方向M延伸,在有源层20制作过程中,第一有源组21、第二有源组22以及第三有源组23的静电传输路径相似,以减小利用上述各有源组制作的各薄膜晶体管的TFT特性的散射,从而有效解决显示面板200的显示不均一问题。
在一些实施例中,至少部分数量的第一连接线31、第一有源单元211以及第二有源单元221同层设置;和/或,至少部分数量的第一连接线31位于有源层20背离衬底10的一侧,第一连接线31通过过孔分别与第一有源组21、第二有源组22连接。通过上述设置,能够使第一连接线31稳定的将第一有源组21和第二有源组22连接。
在具体实施时,可以使全部数量的第一连接线31与第一有源单元211以及第二有源单元221同层设置,此时在第一有源单元211以及第二有源单元221制作过程中即可吸收释放掉积累在第一有源单元211以及第二有源单元221上的静电,使得有源层20在相关工艺制程中的静电等得到相对均匀有效的分散。当在第一有源单元211以及第二有源单元221后期制作其他膜层结构,例如栅极层40、或者源漏极层50时,也能够有效的防止该膜层中的静电积累,减小包括有第一有源单元211、第二有源单元221以及第三有源单元231的各个TFT的静电流动的差异,同时能够简化工艺。
或者,在一些可选的实施例中,全部数量的第一连接线31位于有源层20背离衬底10的一侧,第一连接线31通过过孔分别与第一有源组21、第二有源组22连接。通过上述设置,使得第一连接线31后期制作其他膜层结构,例如栅极层40、或者源漏极层50时,也能够有效的防止该膜层中的静电积累,防止各TFT之间的特性差异,改善显示面板200中的Mura问题。
再或者,在一些可选的实施例中,部分数量的第一连接线31、第一有源单元211以及第二有源单元221同层设置,其余数量的第一连接线31位于有源层20背离衬底10的一侧,第一连接线31通过过孔分别与第一有源组21、第二有源组22连接,以有效减小各TFT之间的特性差异,改善显示面板200中的Mura问题,提高显示面板200的显示效果。
为了实现第一有源组21和第二有源组22的电连接,可选地,第一连接线31的材料可以包括导电材料、半导体材料的至少一者。例如,第一连接线31的材料可以为金属、低温多晶硅(Psi)、氧化铟锡(Indium TinOxides,ITO),当第一连接线31与第一有源单元211以及第二有源单元221同层设置时,可以通过半导体材料将其连接,半导体材料为低温多晶硅(Psi),此时,第一有源组21、第一连接线31、第二有源组22以及第三有源组23均采用Psi制作,使得显示区AA中各列的有源组中静电的流动特性的均一性较好。
请参阅图5和图6,图5是图1中示出的另一种阵列基板在Q1处的放大示意图,图6是图1中示出的再一种阵列基板在Q1处的放大示意图。为了更进一步的增加第一有源组21和第二有源组22中的静电传输路径,提高第一有源组21和第二有源组22对静电的吸收和消耗能力,在一些实施例中,连接结构30还包括第二连接线32,第二连接线32位于衬底10上且位于第一非显示区NA1,第二连接线32连接至少部分数量的第一连接线31。通过上述设置,使得静电可以不仅可以在本列的第一有源组21和第二有源组22中传输,还可以在其余列的第一有源组21和第二有源组22中传输,有效增加了静电的传输消耗路径,提高了静电的流动性,进一步防止静电积累。可以理解的是,第二连接线32可以连接部分数量的第一连接线31,或者第二连接线32也可以将全部数量的第一连接线31连接,以较大程度的增加第一有源组21和第二有源组22中的静电传输路径,进而增加第一有源组21和第二有源组22吸收和消耗静电的能力,使得第一有源组21、第二有源组22以及第三有源组23吸收和消耗静电的能够趋近。
在一些实施例中,第二连接线32环绕开孔区HA;或者,第二连接线32包括多条连接线段321,每条连接线段321连接至少部分数量的第一连接线31。通过上述设置,使得多条第一连接线31可以稳定连接。
如图5所示,第二连接线32可以为一条环绕开孔区HA的连线,使得通过一条第二连接线32即可以将全部数量的第一连接线31连接,减小了非显示区AA的布线数量。或者如图6所示,第二连接线32包括多条连接线段321,部分数量的连接线段321位于开孔区HA的左侧以连接位于开孔区HA左侧的多条第一连接线31,部分数量的连接线段321位于开孔区HA的右侧以连接位于开孔区HA右侧的多条第一连接线31,此时,还可以在开孔区HA的上侧和下侧分别设置连接线段321,以将全部数量的第一连接线31连接,使得第一有源组21和第二有源组22进行并联导通,利于整个显示区AA的薄膜晶体管特性一致性及显示均一性的改善。本发明实施例对连接线段321的数量不进行限定,只要能够将多条第一连接线31连接即可。
有开孔区HA的设置位置可以根据用户的需求进行设置,在一些实施例中,第一有源组21沿第一方向M的延伸长度大于或小于对应的第二有源组22沿第一方向M的延伸长度,例如第一有源组21沿第一方向M的延伸长度和位于同列的第二有源组22沿第一方向M的延伸长度差异较大时,第一有源组21以及第二有源组22的负载不同,为了更好的吸收和消耗静电,第二连接线32连接至少部分数量的第一连接线31通过上述设置能够更均匀地分散第一有源组21、第二有源组22中的静电,使得第一有源组21、第二有源组22以及第三有源组23中的静电消耗能力均一,减小像素电路中TFT特性的散射,达到改善由于开孔区HA存在而导致的显示均一性问题。
基于前述任一实施方式,第一有源组21还包括朝向第一非显示区NA1的第一端,第二有源组22还包括朝向第一非显示区NA1的第二端,连接结构30连接于第一端与第二端之间。通过上述设置,能够避免静电在第二有源组22和第二有源组22的端部进行积累,改善静电集中的情况。
请进一步参阅图4,在一些实施例中,阵列基板100还包括栅极层40和源漏极层50,栅极层40位于源极层背离衬底10的一侧,源漏极层50位于栅极层40背离衬底10的一侧,在源漏极层50中包括源极和漏极,源极与有源层20中的源极区连接,漏极与有源层20中的漏极区连接,以形成薄膜晶体管TFT,多个TFT以预定方式连接可以形成像素电路,以驱动显示面板200上的各子像素发光显示。可以理解的是,有源层20、栅极层40以及源漏极层50均设置有绝缘介质层,防止各膜层中的信号干扰。
在一些实施例中,阵列基板100还包括布线层。其中布线层包括有扫描线、数据线以及电源线,像素电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管以及存储电容。上述布线层通过上述多个像素电路与各像素连接。
综上,本发明实施例的阵列基板100具有开孔区HA、位于开孔区HA的外周侧的第一非显示区NA1以及位于第一非显示区NA1的至少部分外周侧的显示区AA,开孔区HA能够使光线透过阵列基板100,当阵列基板100应用在显示面板200上时,通过在显示面板200上开孔区HA能够设置使得显示面板200在开孔区HA的背面可以集成感光组件300,提高显示面板200的屏占比。
本发明实施例的阵列基板100包括衬底10、有源层20以及连接结构30,有源层20包括多个第一有源组21以及多个第二有源组22,由于开孔区HA的存在,使得多个第一有源组21沿第一方向M位于开孔区HA、第一非显示区NA1至少一者的一侧,多个第二有源组22沿第一方向M位于开孔区HA、第一非显示区NA1至少一者的另一侧,第一有源组21与第二有源组22相互断开,易导致第一有源组21与第一有源组21在制作过程中的静电积累或静电流动性存在差异,进而导致与第一有源组21和第二有源组22对应的薄膜晶体管的特性发生变化。因此,本发明实施例中通过设置连接结构30,连接结构30与第一有源组21和第二有源组22连接,增大了第一有源组21和第二有源组22中的静电的吸收面积且延长了静电的传输路径,能够改善由于静电积累或静电流动性差异引起的晶体管特性的变化,从而改善显示面板200的显示不均一问题。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示面板200,包括如上述任一实施方式的阵列基板100。
本发明实施例的显示面板200,通过在显示面板200上开孔区HA能够设置使得显示面板200在开孔区HA的背面可以集成感光组件300,提高显示面板200的屏占比。
进一步地,本发明实施例的显示面板200通过设置连接结构30,连接结构30与第一有源组21和第二有源组22连接,增大了第一有源组21和第二有源组22中的静电的吸收面积且延长了静电的传输路径,能够改善由于静电积累或静电流动性差异引起的晶体管特性的变化,从而改善显示面板200的显示不均一问题。
再一方面,本发明实施例还提供一种显示装置1000,包括如上述任一实施方式的阵列基板100或上述任一实施例的显示面板200。
显示面板200包括相对的第一表面和第二表面,其中第一表面为显示面。显示装置还包括感光组件300,该感光组件300位于显示面板200的第二表面侧,感光组件300与开孔区HA位置对应。
感光组件300可以是图像采集装置,用于采集外部图像信息。本实施例中,感光组件300为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像采集装置,在其它一些实施例中,感光组件300也可以是电荷耦合器件(Charge-coupledDevice,CCD)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是,感光组件300可以不限于是图像采集装置,例如在一些实施例中,感光组件300也可以是红外传感器、接近传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器等光传感器。此外,显示装置在显示面板200的第二表面S还可以集成其它部件,例如是听筒、扬声器等。
本发明实施例的显示装置1000具有开孔区HA、位于开孔区HA的外周侧的第一非显示区NA1以及位于第一非显示区NA1的至少部分外周侧的显示区AA,开孔区HA能够使光线透过显示面板200,通过在显示面板200上开孔区HA能够设置使得显示面板200在开孔区HA的背面可以集成感光组件300,提高显示装置1000的屏占比。
进一步地,通过设置连接结构30,连接结构30与第一有源组21和第二有源组22连接,增大了第一有源组21和第二有源组22中的静电的吸收面积且延长了静电的传输路径,能够防止由于静电积累引起的晶体管特性的变化,从而改善显示装置1000的显示不均一问题。
依照本发明如上文的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有开孔区、第一非显示区和显示区,所述第一非显示区位于所述开孔区的外周侧,所述显示区位于所述第一非显示区的至少部分外周侧,所述阵列基板包括:
衬底;
有源层,位于所述衬底上,所述有源层包括:
多个第一有源组,沿第一方向位于所述开孔区、所述第一非显示区至少一者的一侧,所述多个第一有源组沿所述第一方向延伸且沿第二方向排列,所述第一方向与所述第二方向交叉,所述第一有源组包括沿所述第一方向排布的多个第一有源单元,其中,相邻的第一有源单元之间相互连接;
多个第二有源组,沿所述第一方向位于所述开孔区、所述第一非显示区至少一者的另一侧,多个所述第二有源组沿所述第一方向延伸且沿第二方向排列,且各所述第二有源组与各所述第一有源组沿所述第二方向上位置对应,所述第二有源组包括沿所述第一方向排布的第二有源单元,其中,相邻的第一有源单元之间相互连接;以及
连接结构,位于所述衬底上且至少部分位于所述第一非显示区,所述连接结构与所述第一有源组和所述第二有源组连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接结构包括多条第一连接线,所述第一连接线将沿所述第二方向位置对应的所述第一有源组和所述第二有源组连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一方向为所述阵列基板的列方向,所述第一连接线将沿所述第一方向位于同一列的所述第一有源组和所述第二有源组连接,所述多条第一连接线在所述衬底上的正投影相互错位设置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,至少部分数量的所述第一连接线、所述第一有源单元以及所述第二有源单元同层设置;
和/或,至少部分数量的所述第一连接线位于所述有源层背离所述衬底的一侧,所述第一连接线通过过孔分别与所述第一有源组、所述第二有源组连接。
5.根据权利要求2至4任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述连接结构还包括:
第二连接线,位于所述衬底上且位于所述第一非显示区,所述第二连接线连接至少部分数量的所述第一连接线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接线环绕所述开孔区;
或者,所述第二连接线包括多条连接线段,每条所述连接线段连接至少部分所述第一连接线。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源组沿所述第一方向的延伸长度大于或小于对应的所述第二有源组沿所述第一方向的延伸长度。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源组还包括朝向所述第一非显示区的第一端,所述第二有源组还包括朝向所述第一非显示区的第二端,所述连接结构连接于所述第一端与所述第二端之间。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任意一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010537675.5A CN111653576B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 阵列基板、显示面板以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010537675.5A CN111653576B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 阵列基板、显示面板以及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111653576A CN111653576A (zh) | 2020-09-11 |
CN111653576B true CN111653576B (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=72350500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010537675.5A Active CN111653576B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 阵列基板、显示面板以及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111653576B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115831972A (zh) * | 2020-12-31 | 2023-03-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113192989B (zh) * | 2021-04-30 | 2022-10-28 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、阵列基板制作方法及显示面板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108919581A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、电子设备 |
CN109686762A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 高屏占比有机发光二极管显示面板 |
CN110364553A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN111133836A (zh) * | 2017-10-13 | 2020-05-08 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
-
2020
- 2020-06-12 CN CN202010537675.5A patent/CN111653576B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111133836A (zh) * | 2017-10-13 | 2020-05-08 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111653576A (zh) | 2020-09-11 |
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