CN107884973B - 触摸液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种In‑cell触摸液晶显示装置(LCD)及其制造方法。该In‑cell触摸LCD包括：下阵列基板；具有大于下阵列基板的面积的上阵列基板；在上阵列基板的内表面上的栅极线和数据线以及薄膜晶体管；在上阵列基板的内表面上并且将漏电极的一部分露出的平坦化层；在平坦化层上的公共电极；在平坦化层上并且将漏电极的所述部分漏出的钝化层；在钝化层上的触摸线；层间绝缘层，其在钝化层上，覆盖触摸线，并且将漏电极的所述部分、触摸线和公共电极露出；多个像素电极，其在层间绝缘层上，与公共电极交叠，并且连接至漏电极；以及连接触摸线和像素电极的连接线。

Description

触摸液晶显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年9月30日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2016-0126798的优先权，出于如同完全阐述的目的，其全部内容在此通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，更具体地，涉及In-cell(像素中内嵌触摸面板式)触摸液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，已经开发出重量轻且体积小的各种平板显示装置，而阴极射线管(CRT)的缺点在于重量重且体积大。使用液晶显示装置(LCD)、场发射显示装置(FED)、等离子体显示面板装置(PDP)、电致发光显示装置(EL)等作为平板显示装置。
由于这些平板显示装置重量轻，因此它们被用作移动通信终端或便携式信息辅助的显示装置。特别地，对于移动装置或便携式装置，需要更薄、更轻且功耗更少的显示面板。
平板显示装置利用栅极驱动电路和数据驱动电路来显示图像，该栅极驱动电路向显示面板的栅极线提供扫描信号，该数据驱动电路向显示面板的数据线提供数据电压。例如，使用TAB(载带自动键合)方法连接至数据线的数据驱动部可以位于显示面板顶部的一侧。使用TAB方法连接至栅极线的栅极驱动部可以位于显示面板左部的一侧。
在栅极驱动部和数据驱动部与显示面板分开配置并且连接至显示面板的方法中，由于需要安装区域，因此作为显示面板的边缘区域的边框区域会占据很多空间。随着对平板显示装置的需求增加，并且随着技术的发展，从审美角度来看，需要进行轮廓设计或各种需求。
在这点上，对平板显示装置在边框区域(沿着表面4侧的黑边)中最小化的需求增加。
近来，已经提出了一种用于操作平板显示面板的触摸面板技术。
通常，触摸显示面板包括触摸面板和与触摸面板交叠的显示单元。触摸面板被设计为操作界面。
触摸面板是透明的，使得由显示单元产生的图像不被触摸面板遮蔽并且被用户看到。
在上述公知的触摸面板技术中，触摸显示面板的重量和厚度增加，触摸显示面板的光穿透率降低，并且触摸显示面板的反射率和雾度(haze)增加。
为了克服这些缺点，已经提出了On-cell触摸技术和In-cell触摸技术。
一种On-cell触摸技术是触摸传感器位于彩色滤光片基板的后表面上。
另一种On-cell触摸技术是触摸传感器位于薄膜上，并且该薄膜附接至两个基板中的上基板。
In-cell触摸技术是触摸传感器位于液晶显示面板的单元(cell)结构中。存在三种In-cell触摸技术，如电阻式触摸技术、电容式触摸技术和光学触摸技术。电阻式触摸技术使用两个导电基板之间的公共电极，以便确定触摸显示面板上的触摸位置。
参照图1来说明根据相关技术的In-cell触摸液晶显示装置(LCD)。
图1是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的示意性截面图。
参照图1，在相关技术的In-cell触摸LCD中，在薄膜晶体管(TFT)阵列基板11上形成多条栅极线和多条数据线21，多条栅极线沿某个方向延伸并且彼此平行且间隔开，多条数据线21与栅极线交叉以限定像素区域。
在栅极线和数据线21的交叉部处形成TFT，并且该TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。
在具有薄膜晶体管的TFT基板11上完全形成第一钝化层23，并且在钝化层23上形成平坦化层25。
在第一钝化层23和平坦化层25中形成漏极接触孔，该漏极接触孔将漏电极的一部分露出。
在平坦化层25上形成像素电极27，并且像素电极27通过漏极接触孔电连接至漏电极。
在平坦化层25上形成第二钝化层28。
在第二钝化层28上形成触摸线29。
在第二钝化层28上形成层间绝缘层31，并且层间绝缘层31覆盖触摸线29。
在层间绝缘层31中形成触摸线接触孔，并且该触摸线接触孔将触摸线29的一部分露出。
在层间绝缘层31上形成多个公共电极35，并且多个公共电极35与像素电极27交叠并且连接至触摸线29。
在彩色滤光片(CF)阵列基板51上形成黑矩阵53以阻挡向除了像素区域之外的区域的光透射。
在CF阵列基板51的相应像素区域中形成红色、绿色和蓝色的彩色滤光片55。
为了触摸CF阵列基板51的表面并实现触摸功能，在CF阵列基板51的前表面上形成具有高电阻的透明导电层57。导电层57用作触摸材料层来取代现有的低电阻ITO(氧化铟锡)，以防止手指电容和静电。
在彼此附接的TFT阵列基板11与CF阵列基板51之间插入有液晶层61。
上述配置的In-cell触摸LCD利用高电阻的透明导电层57来提供触摸功能。
参照图2来说明制造In-cell触摸LCD的过程。
图2是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的制造过程的流程图。
参照图2，制造过程包括：第一掩模过程S11，在TFT阵列基板上形成栅极线和栅电极；第二掩模过程S12，在栅电极上形成有源层、源电极和漏电极；第三掩模过程S13，在有源层、源电极和漏电极上的平坦化层中形成漏极接触孔，漏极接触孔将漏电极露出；第四掩模过程S14，形成像素电极，像素电极通过漏极接触孔电连接至漏电极；第五掩模过程S15，形成与数据线交叠的触摸线；第六掩模过程S16，在覆盖触摸线的层间绝缘层中形成触摸线接触孔；以及第七掩模过程S17，形成公共电极，公共电极与像素电极交叠并且连接至触摸线。
此外，即使在附图中未示出，制造过程仍包括在CF阵列基板上形成黑矩阵的掩模过程以及在CF阵列基板上的黑矩阵的开口中形成彩色滤光片的掩模过程。
在上述制造过程之后，在CF阵列基板(图1中的51)的表面上涂覆高电阻的透明导电层(图1中的57)。在其它工艺系统下，导电层的涂覆过程与TFT阵列基板和CF阵列基板的制造过程分开进行。
图3是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的静电路径的示意图。
参照图3，在相关技术的In-cell触摸LCD中，从外部产生的静电通过高电阻的透明导电层57、银(Ag)点91、接地线81和电路部向外部放电。
然而，根据相关技术的In-cell触摸LCD，透明导电层57的涂覆与TFT阵列基板和CF阵列基板的制造过程分开进行，因此会出现由CF阵列基板的后表面上存在的有机物质导致的涂覆斑(spot)。
因此，为了去除涂覆斑，需要附加的蚀刻和清洁过程。因此，制造过程增多。
此外，由于形成高电阻的透明导电层来代替现有的ITO，因此会出现静电斑，并且抗静电性能退化。从而，制造效率和触摸灵敏度降低。
此外，由于手指(图1中的71)与公共电极(图1中的35)之间的距离(图1中的d1)长，因此手指电容(图1中的C1)小，并且由于公共电极的触摸面积小，因此手指触摸时触摸灵敏度降低。
发明内容
因此，本发明涉及一种In-cell触摸LCD及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种能够改善触摸性能和静电性能的In-cell触摸LCD及其制造方法。本发明的另一目的是提供一种能够去除高电阻的透明导电层并且从而简化制造过程并降低制造成本的In-cell触摸LCD及其制造方法。
本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中进行阐述，并且根据描述，这些另外的特征和优点将部分地显而易见，或者这些另外的特征和优点可以通过实践本发明来了解。本发明的这些和其它优点将通过所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文中体现和广泛描述的，一种In-cell触摸液晶显示装置包括：下阵列基板；上阵列基板，其在下阵列基板上并面向下阵列基板，并且具有大于下阵列基板的面积；栅极线和数据线，栅极线和数据线在上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；在上阵列基板的内表面上的薄膜晶体管；平坦化层，其在上阵列基板的具有薄膜晶体管的内表面上，并且将薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；在平坦化层上的公共电极；钝化层，其在平坦化层上，并且将漏电极的所述部分露出；在钝化层上的触摸线；层间绝缘层，其在钝化层上，覆盖触摸线，并且将漏电极的所述部分、触摸线和公共电极露出；多个像素电极，其在层间绝缘层上，与公共电极交叠，并且连接至漏电极；以及连接触摸线和公共电极的连接线。
在另一方面中，一种用于制造In-cell触摸液晶显示装置的方法包括：设置下阵列基板和上阵列基板，上阵列基板在下阵列基板上并面向下阵列基板设置，并且具有大于下阵列基板的面积；形成栅极线和数据线，栅极线和数据线在上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；在上阵列基板的内表面上形成薄膜晶体管；形成平坦化层，平坦化层在上阵列基板的具有薄膜晶体管的内表面上，并且将薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；在平坦化层上形成公共电极；形成钝化层，钝化层在平坦化层上，并且将漏电极的所述部分露出；在钝化层上形成触摸线；形成层间绝缘层，层间绝缘层在钝化层上，覆盖触摸线，并且将漏电极的所述部分、触摸线和公共电极露出；以及形成多个像素电极和连接线，多个像素电极在层间绝缘层上，与公共电极交叠，并且连接至漏电极，连接线连接触摸线和公共电极。
应当理解，前面的总体描述和以下的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的示意性截面图；
图2是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的制造过程的流程图；
图3是示出了根据相关技术的In-cell触摸LCD的静电路径的示意图；
图4是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的示意性截面图；
图5是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的制造过程的流程图；
图6A至图6L是示出了根据本发明的实施方式的用于制造无边框型In-cell触摸LCD的方法的截面图；以及
图7是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的静电路径的示意图。
具体实施方式
现在将详细参照示例性实施方式，其示例在附图中示出。在所有附图中可以使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
图4是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的示意性截面图。
图4示意性地示出了FFS(边缘场转换)型液晶面板的一部分，其中在像素电极与公共电极之间产生的边缘场作用在位于像素区域和公共电极上的液晶分子上以显示图像。然而，本发明不限于这种类型的LCD。例如，本发明可以应用于IPS(共面转换)型LCD。
参照图4，在本实施方式的无边框型In-cell触摸LCD中，上阵列基板101被构造成TFT阵列基板，并且下阵列基板151被构造成CF阵列基板。换言之，与相关技术不同，具有相对较大面积的TFT阵列基板位于CF阵列基板上。在上阵列基板处，形成TFT以及各种线和电极，并且限定像素区域。
在下阵列基板151处，形成彩色滤光片155和黑矩阵153，彩色滤光片155用于显示红色、绿色和蓝色的三基色，黑矩阵153用于将像素区域分开。在下阵列基板151的外表面上形成下偏光板。
换言之，在上阵列基板101上形成多条栅极线和多条数据线113，多条栅极线和多条数据线113沿行线和列线布置以限定多个像素区，在栅极线和数据线113的交叉部处形成作为开关元件的TFT，并且在像素区域中形成像素电极131。
当LCD是诸如TN(扭曲向列)型LCD的垂直电场型LCD时，在下阵列基板151上形成公共电极。当LCD是诸如IPS或FFS型LCD的水平电场型LCD时，在上阵列基板101上一起形成公共电极123和像素电极131。
如图4所示，在上阵列基板101的内表面上形成氮化物绝缘层103。氮化物绝缘层103阻挡由诸如铜的金属材料制成的电极线产生的颜色(例如，黄色)的显示，因而改善了光反射，从而改善了显示性能。
此外，在上阵列基板101的内表面上形成多条栅极线和多条数据线113，多条栅极线沿某个方向延伸并且彼此平行，多条数据线113与多条栅极线交叉以限定多个像素区域。
在栅极线和数据线113的交叉部处形成TFT T。TFT T包括栅电极105a、有源层109、源电极113a和漏电极113b。在氮化物绝缘层103上形成栅极绝缘层107，栅极绝缘层107覆盖栅电极105a。
在具有TFT T的基板101上完全形成第一钝化层117。在第一钝化层117上形成平坦化层119。
在第一钝化层117和平坦化层119中形成开口部121，开口部121将TFT T的漏电极113b的一部分露出。
在平坦化层119上形成公共电极123和触摸线125，公共电极123和触摸线125彼此间隔开。公共电极123可以形成为大尺寸的板状。
在平坦化层119上形成第二钝化层124，第二钝化层124覆盖公共电极123。在第二钝化层124上形成触摸线125。
在第二钝化层124上形成层间绝缘层127，层间绝缘层127覆盖触摸线125。
在第二钝化层124和层间绝缘层127中形成漏极接触孔129a，漏极接触孔129a将漏电极113b的一部分露出。
在像素区域中的层间绝缘层127上形成多个像素电极131，多个像素电极131电连接至漏电极113b。多个像素电极131与公共电极交叠。
在具有层间绝缘层的基板101上完全形成上取向(alignment)层。
在下阵列基板151的内表面上，形成黑矩阵153以阻挡向除了像素区域之外的区域的光透射。
在下阵列基板151的相应像素区域中形成红色、绿色和蓝色的彩色滤光片155。黑矩阵153位于彩色滤光片155之间。
可以在下阵列基板151的后表面(或底表面或外表面)上附加地形成ITO用于防止静电，并且在这种情况下，能够改善防静电性能。
在附接上阵列基板101和下阵列基板151时，黑矩阵153被布置成使得它与除了上阵列基板101的像素区域之外的区域交叠，例如，与TFT T、栅极线和数据线113交叠。
即使在附图中未示出，在下阵列基板151的顶表面处也形成下取向层。
当通过TFT T向像素电极121提供数据信号时，在像素电极131与大尺寸的公共电极123之间产生边缘场，并且在上阵列基板101与下阵列基板151之间沿水平方向布置的液晶分子通过边缘场旋转。因此，通过像素区域的光的透射率根据液晶分子的旋转量而变化，因此显示灰度级。
在本实施方式的In-cell触摸LCD中，利用上阵列基板101来实现显示和触摸并且能够改善触摸性能和静电性能，上阵列基板101的面积大于具有彩色滤光片155的下阵列基板151的面积。
在本实施方式中，由于手指171与公共电极123之间的距离d2减小，其间的电容C2增加，因此手指灵敏度增加，并且由于公共电极123的触摸面积增加，因此手指触摸时触摸灵敏度增加。
在本实施方式中，由于触摸线125与像素电极131之间的电容减小导致触摸线125的电阻减小，因此触摸灵敏度增加。
参照图5来说明根据本实施方式的上述配置的In-cell触摸LCD的制造过程。
图5是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的制造过程的流程图。
参照图5，制造过程包括：第一掩模过程S101，在用于TFT的上阵列基板上形成栅极线和栅电极；第二掩模过程S102，在栅电极上形成有源层、源电极和漏电极；第三掩模过程S103，在有源层、源电极和漏电极上的平坦化层中形成开口部，开口部将漏电极露出；第四掩模过程S104，在平坦化层上形成公共电极；第五掩模过程S105，在平坦化层上形成与公共电极间隔开的触摸线；第六掩模过程S106，在平坦化层上的钝化层中形成漏极接触孔，漏极接触孔将漏电极在开口部下方的一部分露出；以及第七掩模过程S107，在钝化层上形成像素电极，像素电极通过漏极接触孔连接至漏电极并且与公共电极交叠。
此外，即使在附图中未示出，制造过程也包括在用于彩色滤光片的下阵列基板上形成黑矩阵的掩模过程以及在下阵列基板上的黑矩阵的相应开口中形成彩色滤光片的掩模过程。
如上所述，本实施方式的无边框型In-cell触摸LCD具有倒装(flip)结构。换言之，在下阵列基板上形成用于TFT的上阵列基板，上阵列基板的面积大于用于彩色滤光片的下阵列基板的面积，并且为了将像素电极定位在上阵列基板的顶部处，针对公共电极的掩模过程和针对像素电极的掩模过程被交换。
特别地，在相关技术中，在针对像素电极的掩模过程之后进行针对公共电极的掩模过程，而在本实施方式中，在针对公共电极的掩模过程之后进行针对像素电极的掩模过程。
参照图6A至图6L来说明根据本实施方式的用于制造In-cell触摸LCD的方法。
图6A至图6L是示出了根据本发明的实施方式的用于制造无边框型In-cell触摸LCD的方法的截面图。
在本实施方式的LCD中，上阵列基板101被构造成TFT阵列基板，下阵列基板151被构造成CF阵列基板。换言之，与相关技术不同，相对大尺寸的TFT阵列基板位于CF阵列基板上。
参照图6A，在其中限定有多个像素区域的透明基板101上形成氮化物绝缘层103。氮化物绝缘层103可以由选自氮化物基材料的一种材料制成。
氮化物绝缘层103阻挡由诸如铜的金属材料制成的电极线产生的颜色(例如，黄色)的显示，因而改善了光反射，从而改善了显示性能。
然后，使用溅射法沉积第一金属层，并使用光刻法蚀刻第一金属层以形成栅极线和垂直于栅极线延伸的栅电极105a。第一金属层可以由选自以下导电金属组中的至少一种制成，包括：铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)。
然后，参照图6B，在基板101上形成栅极绝缘层107，栅极绝缘层107覆盖栅极线和栅电极105a。栅极绝缘层107由硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
顺序沉积纯非晶硅层(a-Si:H)和杂质掺杂的非晶硅层(n+或p+)。可以使用CVD(化学气相沉积)法或其它方法形成纯非晶硅层(a-Si:H)和杂质掺杂的非晶硅层(n+或p+)。
然后，使用光刻法选择性地蚀刻纯非晶硅层(a-Si:H)和杂质掺杂的非晶硅层(n+或p+)，以在栅电极105a上方的栅极绝缘层107上形成有源层109和欧姆接触层111。
然后，参照图6C，在栅极绝缘层107上形成第二金属层，第二金属层覆盖有源层109和欧姆接触层111。第二金属层可以由选自以下导电金属组中的至少一种制成，包括：铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)。
然后，使用光刻法选择性地蚀刻第二金属层，以形成与栅极线交叉的数据线113、从数据线113延伸的源电极113a以及与源电极113a间隔开的漏电极113b。在形成源电极113a和漏电极113b时，蚀刻源电极113a与漏电极113b之间的欧姆接触层111的一部分。因此，欧姆接触层111相对于有源层109的沟道区域分隔开。
然后，在具有源电极113a和漏电极113b的基板101上形成第一钝化层117。第一钝化层117可以由无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
然后，参照图6D，在第一钝化层117上形成平坦化层119。平坦化层119可以由有机绝缘材料例如聚酰亚胺或感光亚克力制成。
然后，参照图6E，使用光刻法选择性地蚀刻平坦化层119和第一钝化层117以形成开口部121，开口部121将漏电极113b的一部分露出。
然后，参照图6F，在具有开口部121的平坦化层119上形成第一透明导电材料层，并使用光刻法蚀刻第一透明导电材料层，以形成大尺寸的板状公共电极123。第一透明导电材料层可以由选自以下透明导电材料组中的一种制成，包括：ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)。
公共电极123可以形成在像素区域的基本上整个区域上方。
然后，参照图6G，第二钝化层124形成在平坦化层119上并覆盖公共电极123。第二钝化层124可以由无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
然后，将第三金属层沉积在第二钝化层124上。第三金属层可以由选自以下导电金属组中的至少一种制成，包括：铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)。
使用光刻法蚀刻第三金属层以形成触摸线125。
然后，参照图6H，在第二钝化层124上形成层间绝缘层127，层间绝缘层127覆盖触摸线125。层间绝缘层127可以由无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
然后，参照图6I，使用光刻法蚀刻层间绝缘层127和第二钝化层124，以形成将漏电极113b露出的漏极接触孔129a、将公共电极123露出的公共电极接触孔129b以及将触摸线125露出的触摸线接触孔129c。
然后，在具有漏极接触孔129a、公共电极接触孔129b和触摸线接触孔129c的层间绝缘层上形成第二透明导电材料层。
然后，参照图6J，使用光刻法蚀刻第二透明导电材料层，以形成像素电极131和连接线133，像素电极131通过漏极接触孔129a连接至漏电极113b，连接线133通过公共电极接触孔129b和触摸线接触孔129c连接公共电极123和触摸线125。第二透明导电材料层可以由选自以下透明导电材料组中的一种制成，包括：ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)。
在红色、绿色和蓝色像素区域中的每一个中与公共电极123交叠的像素电极131可以被构造成彼此间隔开的条(bar)形。
然后，即使在附图中未示出，在其上具有像素电极131的层间绝缘层127上形成上取向层。
通过上述过程，可以制造用于本实施方式的In-cell触摸LCD的TFT阵列基板。
参照图6K，在CF阵列基板(即，与上述TFT阵列基板间隔开并与上述TFT阵列基板附接的下阵列基板151)上形成黑矩阵153。
然后，在下阵列基板151的相应像素区域中形成红色、绿色和蓝色的彩色滤光片155。黑矩阵153位于彩色滤光片155之间。
在附接上阵列基板101和下阵列基板151时，黑矩阵153被布置成使得它与除了上阵列基板101的像素区域之外的区域交叠，例如，与TFT T、栅极线和数据线113交叠。
然后，即使在附图中未示出，在彩色滤光片155上仍形成下取向层。
通过上述过程，可以制造用于本实施方式的In-cell触摸LCD的CF阵列基板。
可以在下阵列基板151的后表面(或底表面或外表面)上附加地形成ITO用于防止静电，并且在这种情况下，能够改善防静电性能。
然后，参照图6L，在上阵列基板101与下阵列基板151之间注入液晶层161。因此，可以制造本实施方式的In-cell触摸LCD。
图7是示出了根据本发明的实施方式的无边框型In-cell触摸LCD的静电路径的示意图。
参照图7，可以通过公共电极123、形成在上阵列基板101和下阵列基板151的侧部处的银点部191以及接地线181来产生静电放电路径。
如上所述，在本实施方式的In-cell触摸LCD中，利用面积大于CF阵列基板的TFT阵列基板实现显示和触摸，从而能够改善触摸性能和静电性能。
此外，应用4侧无边框设计，消除了相关技术中用于触摸的高电阻透明导电层，从而能够简化制造过程，并且能够降低制造成本。
此外，在TFT阵列基板与栅极线之间附加地形成氮化物绝缘层，以阻挡由诸如铜的金属材料制成的电极线产生的颜色，从而能够改善显示性能。
此外，可以在偏光板结构和CF阵列基板处附加地形成ITO以用于防止静电，并且能够改善防静电性能。
此外，由于手指与公共电极之间的距离减小，其间的电容增加，因此手指灵敏度增加，并且由于公共电极的触摸面积增加，因此手指触摸时触摸灵敏度增加。
此外，由于由触摸线与像素电极之间的电容减小引起触摸线的电阻减小，因此触摸灵敏度提高。
对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的落入所附权利要求及其等同形式的范围内的修改和变型。

Claims (14)

1.一种In-cell触摸液晶显示装置，包括：
下阵列基板；
上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；
栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；
平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；
公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；
钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；
触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；
层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极露出；
多个像素电极，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极；以及
连接线，所述连接线连接所述触摸线和所述公共电极。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极被形成为板状。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述下阵列基板的外表面上的透明导电层。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下阵列基板是彩色滤光片阵列基板，以及所述上阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，通过所述公共电极、形成在所述上阵列基板和所述下阵列基板的侧部处的银点部、以及接地线来产生静电放电路径。
8.一种用于制造In-cell触摸液晶显示装置的方法，包括：
设置下阵列基板和上阵列基板，所述上阵列基板在所述下阵列基板上并面向所述下阵列基板，并且具有大于所述下阵列基板的面积；
形成栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线在所述上阵列基板的内表面上，并且彼此交叉以限定像素区域；
形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述上阵列基板的内表面上；
形成平坦化层，所述平坦化层在所述上阵列基板的具有所述薄膜晶体管的内表面上，并且将所述薄膜晶体管的漏电极的一部分露出；
形成公共电极，所述公共电极在所述平坦化层上；
形成钝化层，所述钝化层在所述平坦化层上，并且将所述漏电极的所述一部分露出；
形成触摸线，所述触摸线在所述钝化层上；
形成层间绝缘层，所述层间绝缘层在所述钝化层上，覆盖所述触摸线，并且将所述漏电极的所述一部分、所述触摸线和所述公共电极漏出；以及
形成多个像素电极和连接线，所述多个像素电极在所述层间绝缘层上，与所述公共电极交叠，并且连接至所述漏电极，所述连接线连接所述触摸线与所述公共电极。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括形成氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层在所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅电极下方，并且在所述上阵列基板的内表面上。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极被形成为板状。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述公共电极形成在所述像素区域的基本上整个表面上方。
12.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述下阵列基板的外表面上形成透明导电层。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述下阵列基板是彩色滤光片阵列基板，以及所述上阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，通过所述公共电极、形成在所述上阵列基板和所述下阵列基板的侧部处的银点部、以及接地线来产生静电放电路径。
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