TW201351237A - 用於觸控螢幕之透明體、製造用於觸控螢幕面板之透明體的製造方法及系統 - Google Patents

用於觸控螢幕之透明體、製造用於觸控螢幕面板之透明體的製造方法及系統 Download PDF

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Abstract

係提供一種製造用於觸控螢幕面板之透明體的製程。此一製程包括：沉積一第一透明層堆疊(12)於一透明基板(14)上方，其中所述第一透明層堆疊(12)包括至少一第一介電膜(16)及一第二介電膜(18)，第一介電膜(16)具有一第一折射係數，第二介電膜(18)具有不同於第二第一折射係數之一第二折射係數；提供結構化之一透明導電膜(22)，使得第一透明層堆疊(12)及透明導電膜(22)係以此順序配置於基板(14)上方，且其中結構化之透明導電膜具有100歐姆/平方或之下的一片電阻；以及提供一透明黏著劑至結構化之透明導電膜上，透明黏著劑用於將層堆疊附著至觸控螢幕面板。

Description

用於觸控螢幕面板之透明體、製造用於觸控螢幕面板之透明 體的製造方法及系統
本揭露書之實施例是關於製造用於觸控螢幕面板(Touch Screen Panel,TSP)之透明體的製程和系統，以及根據這些製程製造出來的透明體。
觸控面板或觸控螢幕面板是電子視覺顯示器的一種特殊類別，能夠在一顯示區內偵測和定位碰觸。通常，觸控面板包括一透明體，透明體配置於螢幕上方並用以感測碰觸。這樣的一個物體係實質上透明，使得螢幕發出之落在可見光譜的光係可從中通過。至少一些已知的觸控面板包括由一阻障層(barrier)及一透明導體構成之一透明體，阻障層及透明導體以此順序形成於一基板上方。在這樣一塊面板之顯示區上的一次碰觸，通常帶來在透明體之一區塊中的電容的可測量變化。可使用不同技術來測量電容的變化，以令觸碰位置能夠被決定。
用來與觸控面板一同使用的透明體需符合一些特殊 要求。其中特別地，一項關鍵性要求是透明體對於承受螢幕上的多次接觸和嚴苛環境係足夠穩定，以使得觸控螢幕的可靠度不隨著時間流逝而下降。然而，至少一些包含於觸控螢幕的已知透明體，因例如形成透明體的層的厚度、組成及結構，被認為強烈干擾從中通過的光的正確傳遞。此外，製造這樣一個高品質(例如具有均勻無缺陷之阻障層)的穩定的透明體是具挑戰性的。
再者，要考慮到存在著不同類型之用於觸控面板的透明體。光學性質的特殊考量(例如呈現給使用者的外觀)必須被納入對於透明體的考慮中，其中用於測量電容變化的導電層為一結構化(structured)的導電層。
要考慮的另一方面是顯示器持續增加的尺寸，其中，除了上述的光學性質外，對於電學性質的興趣也有提升。從而，基於薄膜之平板顯示器及觸控螢幕技術的一種設計是有需求的，此種設計提供相關於導電性而圖案化(如一觸碰感測器結構)，並相較於傳統結構展現出較佳的光學和電學表現的隱形(invisible)物件。
據此，係需求形成一種用於觸控面板之高品質透明體的一種製程及一種設備，以一種使得透明體係穩定地形成於基板上方，而不對於可見光譜之光的正確傳遞及改善電性性質有負面影響的方式形成此種透明體。
有鑑於以上所述，係提供根據獨立項第1項之一種 製程、根據獨立項第8項之一種裝置及根據獨立項第19項之一種設備。本發明的其他方面、優點及特徵係由附屬項、說明書及所附圖式表明。
根據一實施例，係提供製造用於一觸控螢幕面板或顯示器面板之一透明體的一種製程。此一製程包括沉積一第一透明層堆疊(layer stack)於一透明基板上方，其中所述第一透明層堆疊包括至少一第一介電膜及一第二介電膜，第一介電膜具有一第一折射係數，第二介電膜具有不同於第一折射係數之一第二折射係數，提供結構化之一透明導電膜，且其中結構化透明導電膜對應至100歐姆/平方(ohm/square)或更低之一片電阻(sheet resistance)，以及提供一透明黏著劑(adhesive)於結構化透明導電膜上方，透明黏著劑用於將透明體附著(attach)至相鄰的觸控螢幕面板或顯示器的構成件。根據一替代性的實施例，第一透明層堆疊可替代上述第一透明層堆疊地，為包括具有自一第一折射係數至一第二折射係數之一梯度折射係數之一第一介電膜的一第一透明層堆疊。
根據另一實施例，係提供用於一觸控螢幕面板或顯示器面板的一種透明體。此一透明體包括一透明基板，沉積於透明基板上方的一透明層堆疊，其中所述透明層堆疊包括至少一第一介電膜及一第二介電膜，第一介電膜具有一第一折射係數，第二介電膜具有不同於第一折射係數之一第二折射係數，沉積於透明基板上方的一透明導電膜，其中結構化之透明導電膜對應至 100歐姆/平方或之下的一片電阻，以及沉積於透明導電膜上方且用於將透明體附著至相鄰的觸控螢幕面板或顯示器的構成件的一透明黏著劑。根據一替代性的實施例，第一透明層堆疊可替代上述第一透明層堆疊地，為包括具有自一第一折射係數至一第二折射係數之一梯度折射係數之一第一介電膜的一第一透明層堆疊。
根據另一實施例，係提供製造用於一觸控螢幕面板之一透明體的一種沉積設備。此一設備包括：一第一沉積組件(deposition assembly)以及一第二沉積組件，第一沉積組件用以沉積一第一透明層堆疊於一基板上方，所述第一透明層堆疊包括至少一第一介電膜及一第二介電膜，第一介電膜具有一第一折射係數，第二介電膜具有不同於第二第一折射係數之一第二折射係數，第二沉積組件用以沉積一透明導電膜，其中第一沉積組件及第二沉積組件之至少一者包括運作上地耦接至(operatively coupled to)一靶材的一濺鍍系統，所述濺鍍系統係用以藉由靶材之濺鍍沉積第一介電膜、第二介電膜及透明導電膜之至少一者。
令人驚訝地，根據本揭露書之實施例來沉積，相較於至少一些已知之用於觸控面板的透明體具有額外的介電膜，具有與一透明黏著劑相結合之折射係數的一特徵組合，且其中至少一個膜係藉由一靶材之濺鍍來沉積的介電膜的組合，利於一高品質透明體的製造，不僅產生正確的光傳遞，也帶來經歷時間而穩定的表現。再進一步地，相較於現存之用於觸控面板的「隱形」 透明體，電阻係可降低，這例如對於大面積觸控面板是有利的。
實施例也與用來實行所揭露之製程的設備及包括用於進行所述製程步驟之設備部位的設備相關。此外，實施例亦與所述設備藉以運作的方法或藉以製造所述設備的方法相關。這些方法可能包括用於實行設備之功能的方法步驟或製造設備部位的方法步驟。這些方法步驟可能藉由硬體組件、韌體、軟體、以適合軟體編程之電腦、藉由其任何組合或以任何其他方式來執行。
在以下說明書中，配合所附圖式，將更精確地對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者進行一更完整且可據以實施的揭露，包含其最佳之實施例：
1‧‧‧箭頭
10‧‧‧透明體
12‧‧‧層堆疊
14‧‧‧基板
16、18、20、416‧‧‧介電膜
22‧‧‧透明導電膜
24‧‧‧硬塗層、透明黏著劑
32‧‧‧彩色濾光片
34‧‧‧畫素陣列或顯示器
52‧‧‧介電層
322‧‧‧透明導電氧化物層
512‧‧‧透明層堆疊
522‧‧‧透明導電膜
600‧‧‧沉積設備
602‧‧‧腔室
604‧‧‧閥室
605‧‧‧閥門單元
610‧‧‧滾子
614‧‧‧載體
622、624‧‧‧陰極
623‧‧‧交流電源
625‧‧‧陽極
626‧‧‧直流電源
638‧‧‧測量系統
700‧‧‧製程
702、704、706‧‧‧步驟
第1A圖是根據此處實施例之用於觸控面板之一示例性的透明體的示意代表圖。
第1B圖是根據此處實施例之用於觸控面板之一示例性的透明體的示意代表圖。
第2A圖是根據此處實施例之用於觸控面板之一更進一步之示例性的透明體及透明體所要結合之一光電裝置的示意代表圖。
第2B圖是根據此處實施例之用於觸控面板之一更進一步之示例性的透明體及透明體所要結合之一光電裝置的示意代表圖。
第3A至3D圖是根據此處實施例之用於觸控面板之示例性透明體的製造的示意代表圖。
第4、5A及5B圖是根據此處實施例之用於觸控面板之另外的示例性透明體的示意代表圖。
第6圖是根據此處實施例之沉積用於觸控面板之一示例性透明體之一設備的一部分的示意代表圖。
第7圖是繪示根據此處實施例之製造用於觸控面板之透明體的方法的流程圖。
現將對於各種實施例進行詳細說明，其一或多個範例係繪示於各圖中。各個範例係以解釋的方式來提供，且不意味著作為本發明的限制。能夠設想一實施例之元件、要素可能被有利地使用於其他實施例中，而未進一步地加以引述。
根據此處的實施例，一第一透明層堆疊12，如第1A圖所描繪，係沉積於一基板14上方。此處使用的「基板」一詞應囊括非可撓式基板和可撓式基板二者，非可撓式基板例如晶圓、透明晶體如藍寶石或類似物的薄片、或玻璃板，可撓式基板例如是卷(web)或箔。此處使用的「透明」一詞應特別包括一個結構其以相對低之散射傳遞光的能力，舉例而言，使得從中通過的光能以實質上清楚的狀態被看見。在可撓式基板的例子中，典型地，基板14具有一硬塗層24形成於其上。
根據典型的實施例，一個層堆疊是由一些層層相疊 (例如藉由沉積)形成的膜所構成。特別是，此處的實施例包括沉積可由多層介電膜構成之一第一透明層堆疊，介電膜係實質上不導電的膜。特別是，第一透明層堆疊12可包括一第一介電膜16、一第二介電膜18及一第三介電膜20，如示意性地描繪於第1A圖中者。從而，第一透明層堆疊可構成用於觸控面板的一阻障層。
如第1A圖所示，一結構化之透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)膜22係提供於透明層堆疊上方。根據典型的實施例，結構化TCO層可藉由沉積一TCO層和圖案化此TCO層來提供，以提供一結構化的TCO層。替代性地，可提供一遮罩和/或一光阻，以沉積結構化TCO層。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，透明導電氧化物層可為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)層、摻雜ITO層、雜質摻雜氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、二氧化錫(SnO2)及氧化鎘(CdO)、ITO(In2O3：Sn)、鋁摻雜氧化鋅(AZO,ZnO：Al)、銦摻雜氧化鋅(IZO,ZnO：In)、鎵摻雜氧化鋅(GZO,ZnO：Ga)、包括或由氧化鋅、氧化銦及二氧化錫之組合組成的多元氧化物、由至少一ITO層及一金屬層構成的一層堆疊(例如一ITO/金屬/ITO堆疊、或一金屬/ITO/金屬堆疊)。
用於觸控面板的傳統層堆疊或透明體，能夠達成具備功能的螢幕(像是觸控螢幕)。然而，係往往得到較差的陽光下可讀性(sunlight readability)、與下方顯示器產生之畫面有關的螢幕之色彩外觀(反射)和顏色變化、以及功能性螢幕之結構化核心 層(例如圖案化的透明導電氧化物TCO)所帶來之多多少少的可視圖案。此外，大面積觸控面板的導電性可能不足，大面積觸控面板例如是具有7英呎或之上的對角線的觸控面板，特別是具有大於20英呎之對角線的觸控面板。
由於透明層堆疊的結構，係促進導電膜不損害穿過物體的光的最佳傳遞。特別是，根據此處實施例的一透明層堆疊，促使導電膜不影響反射顏色的中性(neutrality)，即使導電膜是一結構化的導電膜，如以下進一步討論者。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，結構化TCO層的片電阻為100歐姆/平方(ohm/sq)和之下的值，例如10歐姆/平方至50歐姆/平方。典型地，片電阻為本文中所指的物理量，即使此值是關於具有足夠大面積(亦即沒有太小的圖案)的一個層的電阻。結構化TCO圖案，例如走線，對應至以歐姆為單位的線電阻。然而，片電阻為相關參數，且可由測試區的沉積來決定，或可基於圖案化結構之電阻和結構幾何形狀來決定或計算。據此，即使結構層之片電阻無法被直接地決定(但間接地)，且不如說是關於一未結構化層的電阻，本發明所屬技術領域之通常知識者將以片電阻相關對應至結構化層的值。
根據不同的實施例，TCO膜，例如ITO，係可在相對高的溫度沉積或替代性地在低的溫度沉積，其中，在後者的情況中，於沉積後可提供一退火步驟，以達到想要的層性質，如片電阻。
從而，舉例來說，可使用20奈米或之上、30奈米或之上、40奈米或之上、例如50奈米至150奈米的TCO層厚度。額外地或替代性地，可使用具有低於以各種不同製程方案製造出之ITO的典型電阻範圍的比電阻(specific resistance)，亦即具有極佳之電學性質，但具有較差之光學性質的透明導電氧化物，對於ITO塊體而言，典型電阻範圍為130~450微歐姆-公分(μΩcm)。降低的片電阻和/或增加的TCO層厚度，例如因較厚之結構化TCO層有可更容易看到的傾向，帶來對層堆疊或透明體進一步改善的慾望。
根據此處所述的實施例，係提供一種改善的結構和製造此種隱形物件(例如一觸碰式感測器)的方法，以克服圖案化TCO厚度及其導電性的限制。如此處所述的提供於一顯示器上的層堆疊或透明體，或其類似物，當放置在空氣(折射係數1)環境中，在有和沒有TCO層的區域之間，具有非常小的光學外觀的差異性，係認為是隱形的，TCO層例如是ITO(「隱形的」ITO)。根據能夠與此處所述其他實施例結合的一些實施例，隱形物件的不同堆疊和固定架構，例如使隱形物件整合於或固定至顯示器上者，物件之至少一側相鄰介質具有不同於1的一折射係數，例如1.3至1.7。藉由此種方式，隱形堆疊可維持20歐姆/平方或之下的一片電阻，其相較於先前的概念以10的因子有所改善，而未對於光學表現有不利影響。
如第1A圖所示，一透明黏著劑24係提供於透明導 電氧化物層22上方。根據典型而具選擇性的實施方案，透明黏著劑可為一光學透明黏著劑疊層或液態光學透明黏著劑，具有1.3至1.7的一折射係數，例如接近玻璃之折射係數(1.48)或PMMA之折射係數(1.6)的一折射係數，如此，作為更進一步的範例，具有介於1.48和1.6之範圍內的折射係數。根據能夠與此處所述其他實施例結合之進一步的實施例，透明黏著劑24可具有95%或之上、97%或之上、或甚至99%或之上的一視覺透光度(visual transmittance)，並可具有例如3%或之下、2%或之下、或甚至1%或之下的一低的霧度(haze)。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，透明黏著劑可用於將層堆疊或透明體附著至相鄰的觸控面板或顯示器面板的構成件，觸控面板或顯示器面板例如是可使用透明體於其中的任何光電裝置(觸控螢幕、觸控面板、顯示器、顯示器面板等等)。
相較於往往提供一氣隙(air gap)的先前的觸控面板顯示器的設計，特別是提供在具有較厚之TCO層的層堆疊或的設計，此處所述的實施例提供一層堆疊或透明體、一TCO層和一透明黏著劑，層堆疊或透明體具有至少一折射係數匹配層堆疊，例如是一或多個介電膜，TCO層位於折射係數匹配層堆疊上方，其中TCO層具有100歐姆/平方或更低之一片電阻，透明黏著劑提供至TCO層上，亦即，與TCO層接觸。這些實施例從而提供一「隱形」觸控面板結構，此一「隱形」觸控面板結構亦為了低電 阻而提供。用於獲得低電阻「隱形」TCO圖案之解決方案的光學結合(optical bonding)，是關於在以一透明黏著劑結合(例如光學上地結合)至相鄰之一觸控螢幕顯示器的構成件上之前，具有一TCO層於頂部的一種結構。藉由使用透明黏著劑，可達成TCO圖案之一最終圖案的「隱形性」。
根據此處的實施例，一結構化之透明導電氧化物膜22，如描繪於第1B圖中者，係沉積於一基板14上方。在可撓式基板的例子中，典型地，基板14具有一硬塗層24形成於其上。根據典型的實施例，結構化TCO層可藉由沉積一TCO層和圖案化此TCO層來提供，以提供一結構化的TCO層。替代性地，可提供一遮罩和/或一光阻，以沉積結構化TCO層。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，透明導電氧化物層可為ITO層、摻雜ITO層、雜質摻雜ZnO、In2O3、SnO2及CdO、ITO(In2O3：Sn)、AZO(ZnO：Al)、IZO(ZnO：In)、GZO(ZnO：Ga)、包括或由ZnO、In2O3及SnO2之組合組成的多元氧化物、由至少一ITO層及一金屬層構成的一層堆疊(例如一ITO/金屬/ITO堆疊、或一金屬/ITO/金屬堆疊)。
一層堆疊，例如一折射係數匹配層堆疊，係提供於透明導電氧化物膜22上方。根據典型的實施例，一層堆疊例由一些層層相疊(例如藉由沉積)形成的膜所構成。特別是，此處的實施例包括沉積可由多層介電膜構成之一第一透明層堆疊，介電膜係實質上不導電的膜。特別是，第一透明層堆疊12可包括一 第一介電膜16、一第二介電膜18及一第三介電膜20，如示意性地描繪於第1B圖並配合第1A圖有更詳細之說明者。從而，第一透明層堆疊可構成用於用在觸控面板之結構化TCO膜的一阻障層。
如第1B圖所示，一透明黏著劑24係提供於透明層堆疊12上方。根據典型而具選擇性的實施方案，透明黏著劑可為一光學透明黏著劑疊層或液態光學透明黏著劑，具有1.3至1.7的一折射係數，例如接近玻璃之折射係數(1.48)或PMMA之折射係數(1.6)的一折射係數，如此，作為更進一步的範例，具有介於1.48和1.6之範圍內的折射係數。根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明黏著劑24可具有95%或之上、97%或之上、或甚至99%或之上的一視覺透光度，並可具有例如3%或之下、2%或之下、或甚至1%或之下的一低的霧度。
根據更進一步的實施例，可以類似於以上配合第1A圖所敘述者，提供結構TCO膜和介電膜。根據此處所述的實施例，透明層堆疊和結構化透明導電膜二者皆提供於基板上方，並位於基板與透明黏著劑之間。不過，係數匹配堆疊和透明導電膜的順序可以交換。然而，根據一典型的實施例，透明導電膜係提供於基板上，或提供於塗佈有硬塗層，亦即無介電膜的基板上，因為這可能簡化透明導電膜的結構化。
如第2A圖所示，係提供一透明黏著劑24，以將具有例如一基板14、一層堆疊12及一結構之透明導電氧化物層22 的觸控面板層堆疊結合至一顯示器。在第2A圖中，顯示器係示意性地由一彩色濾光片32及一畫素陣列或顯示器34所指示。從而，透明體10係以相較於第1A圖而言為反轉的形式來顯示。據此，基板14可例如為一觸控面板顯示器的一覆蓋鏡片(cover lens)。覆蓋鏡片一詞係典型地用作為一觸控面板最上方的一塊玻璃。根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明體10係可以透明黏著劑，例如一光學透明黏著劑(Optical Clear Adhesive,OCA)，結合至一彩色濾光片玻璃、一顯示器結構的一偏光片、或一液晶顯示器結構本身。
如第2B圖所示，係提供一透明黏著劑24，以將具有例如一基板14、一結構之透明導電氧化物層22及一層堆疊12的觸控面板層堆疊結合至一顯示器。在第2B圖中，顯示器係示意性地由一彩色濾光片32及一畫素陣列或顯示器34所指示。從而，透明體10係以相較於第1A及1B圖而言為反轉的形式來顯示。據此，基板14可例如為一觸控面板顯示器的一覆蓋鏡片。覆蓋鏡片一詞係典型地用作為一觸控面板最上方的一塊玻璃。根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明體10係可以透明黏著劑，例如一光學透明黏著劑，結合至一彩色濾光片玻璃、一顯示器結構的一偏光片、或一液晶顯示器結構本身。
根據本發明之實施例，是關於由一基板(例如一覆蓋玻璃)和以透明黏著劑固定於一顯示器頂部上之多個層的一堆疊所組成，亦即無氣隙的一層堆疊或透明體。層堆疊包括具有高和 低的折射係數的透明絕緣材料(如矽氧化物(SiOx)、鈦氧化物(TiOx)、鈮氧化物(NbOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiOxNy)、鋁氧化物(AlOx)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、二氟化鎂(MgF2)、鉭氧化物(TaOx))，和透明導電材料，像是透明導電氧化物，例如ITO。根據實施方案，塗層方法或層沉積方法可為化學或物理氣相沉積。
根據不同的範例，一層堆疊或透明體可製造如下，其中，可以提供在最終之觸控螢幕面板(TSP)/顯示產品的改善的視覺隱形性、透光度和色固性(color fastness)，並可以提供降低的電阻。複數層係依其依序沉積在一基板上的順序編號，基板例如為一覆蓋鏡片，例如是具有0.1毫米或之上的厚度的一玻璃，例如0.5毫米至0.7毫米，或約0.3毫米。第1層：100~500奈米厚的矽氧化物，例如290奈米的二氧化矽(SiO2)。第2層：5~50奈米厚的鈮氧化物，例如7.5奈米厚的五氧化二鈮(Nb2O5)。第3層：100~600奈米厚的矽氧化物，例如330奈米厚的SiO2。第4層：(在圖案化前)30~300奈米厚的ITO，例如145奈米厚的ITO，其中係由ITO圖案化提供一中間步驟，ITO圖案化例如是藉由光刻(photo lithography)，光刻形成ITO被完全移除的部位。堆疊係層疊於顯示器的頂部上，例如彩色濾光片玻璃的頂部上、或一液晶顯示器之彩色濾光片玻璃的偏光片的頂部上、或一顯示器之最終外部玻璃頂部上。這可藉由使用具有約1.4至1.6之一折射係數，例如是在380與780奈米之間的範圍內具有1.45~1.50的折射係數的 一透明黏著劑來達成，透明黏著劑例如是一光學透明黏著劑(OCA)或一層壓箔(lamination foil)。最終觸控螢幕顯示器(固定在一起的觸控螢幕和顯示器)的性能係從而提升。
根據另一個範例，一層堆疊或透明體可製造如下，其中，可以提供在最終之觸控螢幕面板(TSP)/顯示產品的改善的視覺隱形性、透光度和色固性，並可以提供降低的電阻。複數層係依其依序沉積在一基板上的順序編號，基板例如為一覆蓋鏡片，例如是具有0.1毫米或之上的厚度的一玻璃，例如0.5毫米至0.7毫米，或約0.3毫米。第1層：3~15奈米厚的鈮氧化物，例如6.5奈米厚的Nb2O5。第2層：30~100奈米厚的矽氧化物，例如46奈米厚的SiO2。第3層：5~20奈米厚的鈮氧化物，例如9奈米厚的Nb2O5。第4層：(在圖案化前)50~300奈米厚的ITO，例如107奈米厚的ITO，其中係由ITO圖案化提供一中間步驟，ITO圖案化例如是藉由光刻，光刻形成ITO被完全移除的部位。堆疊係層疊於顯示器的頂部上，例如彩色濾光片玻璃的頂部上、或一液晶顯示器之彩色濾光片玻璃的偏光片的頂部上、或一顯示器之最終外部玻璃頂部上。這可藉由使用具有約1.4至1.6之一折射係數，例如是在380與780奈米之間的範圍內具有1.45~1.50的折射係數的一透明黏著劑來達成，透明黏著劑例如是一光學透明黏著劑(OCA)或一層壓箔。最終觸控螢幕顯示器(固定在一起的觸控螢幕和顯示器)的性能係從而提升。
根據另一個範例，一層堆疊或透明體可製造如下， 其中，可以提供在最終之觸控螢幕面板(TSP)/顯示產品的改善的視覺隱形性、透光度和色固性，並可以提供降低的電阻。複數層係依其依序沉積在一基板上的順序編號，基板例如為一覆蓋鏡片，例如是具有0.1毫米或之上的厚度的一玻璃，例如0.5毫米至0.7毫米，或約0.3毫米。第1層：(在圖案化前)50~300奈米厚的ITO例如103奈米厚的ITO，其中係由ITO圖案化提供一中間步驟，ITO圖案化例如是藉由光刻，光刻形成ITO被完全移除的部位。第2層：5~20奈米厚的鈮氧化物，例如9奈米厚的Nb2O5。第3層：30~100奈米厚的矽氧化物，例如46奈米厚的SiO2。第4層：3~15奈米厚的鈮氧化物，例如6.5奈米厚的Nb2O5。堆疊係層疊於顯示器的頂部上，例如彩色濾光片玻璃的頂部上、或一液晶顯示器之彩色濾光片玻璃的偏光片的頂部上、或一顯示器之最終外部玻璃頂部上。這可藉由使用具有約1.4至1.6之一折射係數，例如是在380與780奈米之間的範圍內具有1.45~1.50的折射係數的一透明黏著劑來達成，透明黏著劑例如是一光學透明黏著劑(OCA)或一層壓箔。最終觸控螢幕顯示器(固定在一起的觸控螢幕和顯示器)的性能係從而提升。
根據又一個範例，一層堆疊或透明體可製造如下，其中，可以提供在最終之觸控螢幕面板(TSP)/顯示產品的改善的視覺隱形性、透光度和色固性，並可以提供降低的電阻。複數層係依其依序沉積在一基板上的順序編號，基板例如為一覆蓋鏡片，例如是具有0.1毫米或之上的厚度的一玻璃，例如0.5毫米 至0.7毫米，或約0.3毫米。第1層：3~15奈米厚的鈮氧化物，例如6奈米厚的Nb2O5。第2層：30~100奈米厚的矽氧化物，例如46奈米厚的SiO2。第3層：5~20奈米厚的鈮氧化物，例如9奈米厚的Nb2O5。第4層：(在圖案化前)50~300奈米厚的ITO，例如101奈米厚的ITO，其中係由ITO圖案化提供一中間步驟，ITO圖案化例如是藉由光刻，光刻形成ITO被完全移除的部位。第5層：150~300奈米厚的矽氧化物，例如170奈米厚的SiO2。堆疊係層疊於顯示器的頂部上，例如彩色濾光片玻璃的頂部上、或一液晶顯示器之彩色濾光片玻璃的偏光片的頂部上、或一顯示器之最終外部玻璃頂部上。這可藉由使用具有約1.4至1.6之一折射係數，例如是在380與780奈米之間的範圍內具有1.45~1.50的折射係數的一透明黏著劑來達成，透明黏著劑例如是一光學透明黏著劑(OCA)或一層壓箔。最終觸控螢幕顯示器(固定在一起的觸控螢幕和顯示器)的性能係從而提升。
舉例而言，用於一觸碰式感測器的ITO厚度提供非常低的20歐姆/平方或之下，或甚至15歐姆/平方的片電阻。這類固定式觸控螢幕顯示器的典型視覺反射可描述為y*<6%，或甚至y*<5.5%，沒有ITO和具有145奈米之ITO的區域之間的差異性係低於<0.2，或甚至<0.1%。此一系統的顏色值可為a*、b*，a*、b*之絕對值接近1.0或之下，或甚至0.3或之下，沒有ITO和具有145奈米之ITO的區域之間的差異性係低於<0.3。源於觸控螢幕後方之顯示器而到達觀看者的光的透光度值，也展現 了極良好的值：|a*|和|b*|<0.5(a*、b*，其中有ITO和沒有ITO的區域之間的顏色差異性係<0.5)，視覺透光度可為Y*>93%，或甚至Y*>95%，其中有ITO和沒有ITO的區域之間的Y*差異性係<3%。典型地，這些具有厚的圖案化ITO、介電層和一透明黏著劑的堆疊，係令堆疊和整體設計亦提供於ITO圖案高達140°之觀看範圍(至垂直之矩形觀看方向的+/- 70°)的隱形性，同時在此範圍內的視覺反射係總是低於3%。對於高達60°，伴隨著負的a*值和b*值，且|a*|和|b*|仍低於2的觀看範圍，具有和沒有ITO的區域之間的顏色差異性是視覺上可忽略的。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，被沉積於基板上的第一介電膜可典型地為一高折射係數層，例如具有至少1.8之一折射係數。舉例來說，一含有鈮氧化物的膜可作為第一介電膜被沉積於基板上。
根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，低於145奈米的TCO厚度，例如30奈米至130的厚度，例如75奈米，相較於上述的值將帶來甚至更佳的光學表現和隱形性質。
根據更進一步的典型實施例，介電膜16、18和20可為包括氧化物、氮化物或氮氧化物的層，其中氧化物、氮化物或氮氧化物分別包括至少70重量百分比(weight%)，典型地至少90重量百分比的氧化物化合物、氮化物化合物或氮氧化物化合物。從而，可提供高透明度的層結構或具有改善之傳遞性質的層 結構二者任一，如以下所述。
更精確地說，根據此處的實施例，第一介電膜、具選擇性之一第三介電膜、或更多的介電膜，可為具有較第二介電膜(例如由Nb2O5、氮化矽(Si3N4)或類似物組成)低之折射係數的一個膜，例如由SiO2組成。然而，從一個具有低折射係數的膜開始，可能只對一些特殊例子而言是有利的選項。如上所述，典型地，提供至基板上的第一介電層將具有一高的折射係數。根據此處提供之實施例製造的一透明體的一第一透明層堆疊(例如一三層式堆疊)，由於相較於至少一些已知之用於觸控面板的透明體而言額外的介電膜和具有不同折射係數的膜的性質組合，提供了促進穿過透明體的光的正確傳遞的一阻障層。根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，具有較低折射係數的介電膜和具有較高折射係數的介電膜係以交替的方式提供，較低之折射係數例如是低於1.50，或者更精確地說，低於1.47，或再更精確地說，低於1.45，較高之折射係數例如是至少1.80，或者更精確地說，至少2.10，或再更精確地說，至少2.40。從而，具有較低折射係數的膜可由含有矽氧化物、鎂氟化物(MgFx)、矽氧氮化物或類似物的膜來提供。舉例來說，具有較高折射係數的膜可由含有鈮氧化物、矽氮化物、矽氧氮化物、鋁氧化物、鋁氧氮化物、鈦氧化物、鉭氧化物或類似物的膜來提供。
根據此處所述的實施例，透明體10包括一透明導電膜22，例如但不限於是ITO，特別是結晶的ITO或具有100歐姆 /平方和之下的片電阻的ITO。根據能夠與此處所述其他實施例結合之不同實施例，典型地，可使用具有組成為97% In2O3和3% SnO2之結晶ITO和/或組成為90% In2O3和10% SnO2之未結晶ITO的ITO。
第3圖繪示一透明層堆疊或透明體的製造，此一透明層堆疊或透明體可用於例如一觸控面板顯示器。如第3A圖所示，層堆疊12係提供於透明基板14上方。根據不同的實施例，透明基板可為一可撓式基板或一硬式基板、一有機基板或一有機基板、可為一玻璃或一箔，並且可具有其他性質，例如為線性或圓形偏光、一λ/4延遲片(lambda quarter retarder)或未偏光。典型地，透明基板在380奈米至780奈米的可視範圍內可具有一高度的透明度。
根據再另外的範例，透明基板14可包括玻璃(可撓式或硬式)、可進一步地已被薄膜層所覆蓋的塑膠(可撓式或硬式)、一硬塗層或漆、一線性或圓形偏光片材料、或λ/4延遲片。特別是對於玻璃基板而言，玻璃基板上的沉積製程和製造方法可提供在相較於塑膠基板而言較高的溫度。舉例來說，150℃或之上的溫度、或甚至200℃或之上的溫度，例如300℃，可用於使用在觸控面板顯示器之透明體於玻璃基板上的製造。
根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，層堆疊12典型地為一折射係數匹配層堆疊，此一折射係數匹配層堆疊具有至少一第一和一第二介電膜，其中第一折射 係數係由第一電膜提供，第二折射係數係由第二介電膜提供，且其中第二折射係數係不同於第一折射係數。根據能夠與此處所述其他實施例結合之一種示例性的實施方案，可沉積一第一介電膜、一第二介電膜和多個另外的介電膜，使得折射係數之一連續性或類連續性(例如具有小的階級的階狀)的變化可產生於透明層堆疊12中。這也可被指為是具有折射係數之一梯度的一個介電層。根據典型的實施方案，介電膜可藉由化學氣相沉積或物理氣相沉積來製造，物理氣相沉積例如是濺鍍或蒸鍍。典型的範例可為具有高和低的折射係數的絕緣材料，例如矽氧化物、鈦氧化物、鈮氧化物、矽氮化物、矽氧氮化物、鋁氧化物、鋁氧氮化物、鉭氧化物及其組合。
如第3A圖所示，一透明導電氧化物層322係沉積於層堆疊12上方。根據此處所述的實施例，藉由提供層材料增加的層厚度或減少的比電阻，透明導電層堆疊具有增加的導電性。從而，舉例來說，可使用40奈米或之上，例如50奈米至150奈米的TCO層厚度。
根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明導電氧化物層也可被提供為具有一或多個透明導電氧化物膜的一透明導電氧化物層堆疊。在製造過程中，透明導電氧化物膜或透明導電膜堆疊可在沉積過程中或之後被加熱，例如是藉由熱的加熱或藉由快速熱處理(Rapid Thermal Processing,RTP)閃光燈(flashlight)。典型地，透明導電氧化物可被加熱至80℃ 或之上的溫度。透明導電氧化物膜的製造可藉由化學氣相沉積或物理氣相沉積來提供，物理氣相沉積例如是濺鍍或蒸鍍。為了提供製造上的一高產量，舉例來說，可提供從一可旋轉之靶材的一透明導電氧化物層的直流濺鍍。透明導電氧化物或透明導電氧化物(TCO)層堆疊的典型範例可為ITO、摻雜ITO、雜質摻雜ZnO、In2O3、SnO2及CdO、ITO(In2O3：Sn)、AZO(ZnO：Al)、IZO(ZnO：In)、GZO(ZnO：Ga)、包括或由ZnO、In2O3及SnO2之組合組成的多元氧化物、由至少一ITO層及一金屬層構成的一層堆疊(例如一ITO/金屬/ITO堆疊、或一金屬/ITO/金屬堆疊)。
如第3B圖所示，透明導電氧化物層322(見第3A圖)係結構化以提供一結構化的透明導電氧化物層22。結構化TCO層可藉由沉積一TCO層和圖案化此TCO層來提供，以提供一結構化的TCO層。此外，可提供一遮罩和/或一光阻，以沉積結構化TCO層。
第3C及3D圖繪示一透明黏著劑24，例如一光學透明黏著劑，以在透明體被結合至顯示器34時，提供結構化透明導電氧化物層22連同透明層堆疊12的隱形性。根據不同的實施例，透明黏著劑可為一光學透明黏著劑疊層或液態光學透明黏著劑，具有接近於一第二基板或偏光片的一折射係數，此一第二基板或偏光片即顯示器34的基板或偏光片。舉例而言，此一折射係數可接近於玻璃的折射係數(1.48)或PMMA的折射係數(1.6)，例如介於1.48和1.6之範圍內。根據更進一步的實施例， 透明黏著劑可具有95%或之上、97%或之上、或甚至99%或之上的一視覺透光度，和/或例如3%或之下、2%或之下、或甚至1%或之下的一低的霧度。
根據此處所述之實施例，係提供用於結合至一顯示器、一彩色濾光片、一光電裝置或類似物的一結構TCO層(例如一ITO層)、一折射係數匹配層及一透明黏著劑，而使得折射係數匹配層和透明黏著劑提供TCO結構實質上的隱形性。據此，層堆疊或透明體，例如是一觸控面板層堆疊，可被結合至或整合於一顯示器裝置中，並具有改善的視覺和電性性質。
第4圖繪示能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例。如第4圖所示，係提供透明體的基板，此一透明體可例如用於觸控面板中。基板可例如是在透明觸碰體被結合至一光電裝置後的覆蓋鏡片，光電裝置例如是一顯示器或類似物。第4圖所描述的實施例包括四層介電層16、18、20及416，介電膜16、18、20及416形成一透明層堆疊。在透明層堆疊的頂部，係提供結構化的透明導電膜22。根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，透明導電氧化物膜可為藉由直流濺鍍從一可旋轉之靶材沉積的TCO層。然而，也可能採用其他就位技術(position techniques)。從一可旋轉之靶材濺鍍，係對於例如大面積裝置的製造是有益的。
根據一些實施例，大面積基板或各自的載體可具有至少0.174平方公尺的尺寸，其中載體具有多個基板。典型地， 此一尺寸可為約0.67平方公尺(0.73公尺×0.92公尺，第4.5代)至約8平方公尺，更典型地，約2平方公尺至約9平方公尺或甚至高達12平方公尺。典型地，提供根據此處所述實施例之結構、設備(例如陰極組件)和方法所欲應用的基板或載體，是如這裡所敘述的大面積基板。舉例而言，一塊大面積基板或載體可以是對應至約0.67平方公尺之基板(0.73公尺×0.92公尺)的第4.5代、對應至約1.4平方公尺之基板(1.1公尺×1.3公尺)的第5代、對應至約4.29平方公尺之基板(1.95公尺×2.2公尺)的第7.5代、對應至約5.7平方公尺之基板(2.2公尺×2.5公尺)的第8.5代、或甚至對應至約8.7平方公尺之基板(2.85公尺×3.05公尺)的第10代。更高的世代如第11代及第12代與對應的基板面積，可以以類似的方式實施。
折射係數匹配層堆疊12，如第4圖所示，連同用於將透明體結合至顯示器或類似物的透明黏著劑24，帶來改善的光學性質。由於透明的層堆疊與透明的黏著劑，TCO層的結構對於這樣一個裝置的使用者來說係實質上為隱形的。根據此處所述的實施例，這可提供予具有100歐姆/平方或之下的一片電阻的透明導電膜，例如40奈米或之上、或甚至100奈米或之上的透明導電氧化物層。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的不同實施例，二或多個電層可被提供於透明層堆疊12中。
根據更進一步的實施例，此二或多個層可為多個介 電層或膜，舉例來說，使得折射係數的一梯度係提供於層堆疊中。舉例而言，可提供具有一第一折射係數的一第一介電膜，且此一折射係數可在透明層堆疊進一步的沉積過程中被改變。變化可為連續性的或階狀的。據此，可提供更多介電膜(16~20；416)，其中可在透明層堆疊中獲得一折射係數。從而，例如可沉積矽氧氮化物SiOxNy，其中氧和氮的量係連續性地或階梯式地從y=1變化至y=0，並從x=0變化至x=2，或者，反之亦然。
如上所述，根據此處敘述的一些實施例，在作為折射係數匹配層堆疊之透明層堆疊中的複數膜，以及透明導電黏著劑，係分別被供予折射係數，使得結構化TCO層之圖案化或包括一TCO層之結構層堆疊看起來是對於一光電裝置(例如一觸控面板)的使用者而言為實質上隱形的。然而，根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明黏著劑的折射係數匹配功能，也可藉由一另外的介電膜來提供，此一另外的介電膜係提供於透明導電膜和透明黏著劑之間。根據其典型的實施方案，提供至透明導電膜上的此一另外的介電膜，例如與透明導電膜直接接觸，可為具有一低的折射係數的一介電膜。舉例而言，此一折射係數可為1.5或之下。根據這類實施例之更進一步之具有選擇性的調整方式，一或多個另外的介電膜可被沉積於透明導電膜上方。典型地，此一或多個介電膜可選自由矽氧化物、鈦氧化物、鈮氧化物、矽氮化物、矽氧氮化物、鋁氧化物、鋁氧氮化物、鉭氧化物及其組合所組成的群組。據此，這裡敘述的製程可包括這 類層的一或多個另外的沉積步驟，且用於製造的設備可包括用於沉積這類層的一或多個沉積組件。
根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明層堆疊12和透明導電膜的組合可重複二次、三次或甚至四次。對於各個透明導電膜而言，圖案化結構和/或圖案化方向可相較於另一個結構化TCO層而有所不同。此外，一未圖案化或未結構化的TCO層可被用於折射係數匹配的目的或類似目的。第5A圖示出沉積於基板14上方的一透明層堆疊12。結構化的透明導電膜22係提供於透明層堆疊12上。其後，係沉積一個另外的透明層堆疊512，例如是包括一、二或多個介電膜的一折射係數匹配層堆疊。其中，不同的折射係數係提供給相鄰的膜。第二透明導電膜522係提供於第二透明層堆疊512上方。繪示於第5A圖的截面並未示出第二透明導電膜522的結構化。然而，此一結構化可實施在不同於紙面的方向上。透明黏著劑24係提供於透明導電膜522上，且用於將透明體結合至光電裝置，例如一顯示器或類似物。
根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明層堆疊12和透明導電膜的組合進一步地由另外的一介電層52所支撐。此外，一未圖案化或未結構化的TCO層可被用於折射係數匹配的目的或類似目的。第5B圖示出沉積於基板14上方的一透明層堆疊12。結構化的透明導電膜22係提供於透明層堆疊12上。其後，係沉積一個另外的介電層52，例如一 折射係數匹配層。其中，不同的折射係數係提供給相鄰的膜。從而，係可能使用非必要於折射係數之匹配或與折射係數之匹配相關度較低的透明黏著劑，如此可增加黏著劑之選擇的數目。
根據部分實施例，係沉積第一透明層堆疊、透明導電膜及透明黏著劑，使得製造出的透明體的a*和b*值係低於1.5，或特別是低於1，或更精確地說，低於0.7，或再更精確地說，低於0.2。特別是，根據這裡的實施例，只由第一透明層堆疊、透明導電膜和透明黏著劑形成且位於一實質上透明之基板上方的結構的a*和b*值，可採用這些值。
第6圖示出一沉積設備600。示意性地，係示出用以於其中沉積層的一真空腔室602。如第6圖中指出的，可提供另外的腔室鄰接於腔室602。真空腔室602可由一閥門與相鄰腔室分離，閥門具有一閥室604和一閥門單元605。從而，在具有基板14於其上之載體614如箭頭1所指示地置入真空腔室602中後，可關閉閥門單元605。據此，可藉由例如以連接至腔室602的一真空幫浦產生技術上的真空(technical vacuum)，和/或藉由於腔室中的沉積區通入處理氣體，獨立地控制真空腔室中的氣氛。
根據典型的實施例，處理氣體可包括鈍氣和/或活性氣體，鈍氣例如是氬氣，活性氣體例如是氧氣、氮氣、氫氣(H2)和氨(NH3)、臭氧(O3)、活化氣體或類似氣體。在腔室602內部，係提供滾子610，以於其上傳送具有基板14的載體614進入和離開腔室602。
在腔室602內部，於第6圖中係繪示出二個不同群組的沉積源622及624。如以下更詳細敘述者，在不同沉積製程係藉由沉積源之群組來提供的情況下，沉積源的群組可典型地被提供於不同腔室中。
沉積源可例如為具有要被沉積在基板上之材料之靶材的可旋轉的陰極。典型地，陰極可以為其中具有磁控管的可旋轉的陰極。從而，可進行磁控濺鍍來沉積層。陰極622係連接至一交流電源623，如此使得陰極可以交替的形式被偏壓。
如此處所使用的，「磁控濺鍍」意指使用一磁鐵組件進行的濺鍍，磁鐵組件即是可以產生一磁場的單元。典型地，這樣的一個磁鐵組件由永久磁鐵所組成。永久磁鐵係典型地以使得自由電子被捕捉於產生在可旋轉之靶材表面下方之所產生的電場中的方式，排設於可旋轉之靶材內部，或耦接至一平面靶材。這樣的一個磁鐵組件也可被排設耦接至一平面陰極。
從而，磁控濺鍍可藉由一雙磁控管陰極(亦即陰極622)來實現，雙磁控管陰極例如但不限於是TwinMagTM陰極組件。特別地，對於從一矽靶材的MF濺鍍，可採用包括雙陰極的靶材組件。根據典型的實施例，在沉積腔室中的陰極可以為可更換式。據此，靶材係在矽已被銷耗完後更換。
根據典型的實施例，介電層可藉由具有一交流電源之可旋轉陰極的濺鍍來沉積，例如磁控濺鍍。典型地，可採用MF濺鍍來沉積介電層。從而，根據典型的實施例，從一矽靶材 之濺鍍係藉由MF濺鍍來進行，矽靶材例如是一噴塗矽靶材，MF濺鍍即為中頻濺鍍。根據此處的實施例，中頻為在5 kHz至100 kHz，例如10 kHz至50 kHz之範圍內的一頻率。
用於透明導電氧化物膜之從一靶材的濺鍍，係典型地以直流濺鍍進行。陰極624係連接至直流電源626連同陽極625，在濺鍍過程中收集電子。如此，根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，透明導電氧化物層，例如ITO層，可藉由直流濺鍍(亦即具有陰極624的組件)來濺鍍。
為了簡化，上方的陰極622和陰極624係繪示成被提供於一真空腔室602中。典型地，用於沉積不同層的陰極係提供於不同真空腔室中，例如腔室602，和如由下方的陰極622示例性地指出之相鄰於真空腔室602的真空腔室。這特別適用於當介電層如此處所述地可藉由一反應性沉積製程來沉積的情況，介電層可為氧化物層、氮化物層或氮氧化物層，反應性沉積製程中，在材料已從靶材釋放出來後，靶材材料與氧氣和/或氮氣反應。藉由在不同腔室中提供陰極的群組，可在各個沉積區提供具有適當之處理氣體和/或適當之技術性真空程度的氣氛。
根據更進一步的實施例，依照沉積在基板14上的介電層數目，二或多個陰極622的群組可被提供於沉積設備600中。
根據典型的實施例，沉積係藉由一或多個可旋轉之靶材的濺鍍來進行。更精確地說，根據此處的實施例，上述提及之複數膜的至少一者係藉由可旋轉靶材之濺鍍來沉積，如此係促 進穩定的透明體且具有高品質的形成。舉例而言，根據此處的實施例，一個膜可被沉積成具有較高的均勻性，和低的缺陷及污染物密度。從而，其亦促進不僅產生光之正確傳遞，也產生經曆長時間而穩定之性能的高品質透明體的製造。再者，相較於其他沉積方法，包括一或多個可旋轉之靶材之濺鍍的製程，可更促進一較高的製造速率和污染顆粒數目較低的生產。
第700圖示出一流程圖700，繪示製造如此處所述之一透明體的製程。在步驟702中，第一透明層堆疊(例如層堆疊12)係沉積於透明基板上方。從而，層堆疊包括至少二個介電膜，其中介電膜的折射係數係彼此不同，且具有較高折射係數的膜和具有較低折射係數的膜可被以交替的方式沉積。在步驟704中，結構化透明導電膜，例如是結構化的ITO層，係沉積於透明層堆疊12上方。根據能夠與此處所述其他實施例結合的不同實施方案，結構化透明導電膜也可為導電膜的堆疊。舉例而言，在步驟704中可提供一TCO/金屬/TCO堆疊，例如一ITO/金屬/ITO堆疊。
根據能夠與此處所述其他實施例結合的典型實施例，結構化程序可選自由下組成的群組：(1)雷射雕繪，(2)光刻，(3)印刷吸附阻障層圖案(例如油)，接著進行TCO沉積，(4)一剝離(lift-off)製程(光阻圖案於基板上形成，接著進行TCO沉積，並以光阻溶劑剝離)，(5)使用一遮罩之膜沉積，或其組合。
根據部分實施例，腔室的其中之一或一些，可用於進行無磁控管組件的濺鍍。一或一些腔室，例如是額外的腔室， 可用於藉由其他方式進行的沉積，例如但不限於化學沉積或脈衝雷射沉積。
隱形ITO的解決方案在光學性質(傳遞和反射的顏色值)之光學均勻性上具有極高的需求。這在技術上對應至與膜的厚度和光學分散性質有關之均勻的膜的沉積。據此，如此處所述的沉積設備可更包括一測量系統638，測量系統638用於在沉積過程中，測量形成第一層堆疊和透明導電膜之至少一者的部分的複數膜的至少一者的光學性質。
此外，如上所述，介電膜可典型地被反應性地濺鍍。據此，第一沉積組件(622)可用於藉由反應性濺鍍來沉積介電膜。根據典型的實施例，含有矽的層可被反應性地濺鍍，且/或含有鈮的層或含有ITO的層係可從一陶瓷靶材來濺鍍。
根據部分實施例，示例性的製程700可更包括基板的一加熱處理，以在沉積前使基板除氣(degas)。舉例而言，基板可依基板速度被加熱至介於60℃和300℃之間的一溫度。根據部分實施例，示例性的製程700可包括以介於1 kW和3 kW之間的一功率，進行基板之一直流和/或中頻(MF)前處理。再者，示例性的製程700可包括在一氬氣和/或氧氣氣氛下進行基板之一前處理，舉例而言，例如一富氧前處理。根據此處的實施例，中頻為在5 kHz至100 kHz，例如30 kHz至50 kHz之範圍內的一頻率。
在示例性之沉積設備或根據此處之實施例之設備中的濺鍍塗佈源，可為具有平面或可旋轉之靶材(例如但不限於陶 瓷、ITO)的直流陰極，和平面或可旋轉之靶材(例如矽摻雜靶材，特別是用於沉積SiO2或Si3N4、矽氧氮化物的噴塗矽靶材)，或包括用以沉積此處揭露之其他介電層之一者的材料的靶材。
如此處所述，透明導電膜具有100歐姆/平方或之下的一片電阻。這可藉由提供一同等厚之透明導電層，和/或使用具有一低比電阻之TCO材料來提供。這造成要在一個更複雜的係數匹配情況達到所需之高光學表現，例如圖案隱形性、色中性和高透光程度。據此，在步驟706中，係提供一透明黏著劑，例如一光學黏著劑，以將透明體結合至一光電裝置，例如一顯示器、行動電話之一顯示器、觸控面板電視(touch panel TV)之一顯示器、觸控面板電腦之一顯示器、或類似物。據此，相較於將提供具有觸控面板功能之物體的透明體結合至具有一氣隙的裝置，可提供透明導電膜之圖案化的隱形性改善的折射係數匹配。
如上所述，根據能夠與此處所述其他實施例結合的一些實施例，透明體，亦即薄膜堆疊，係涉及從一旋轉靶材之磁控濺鍍地製造。由於隱形ITO的解決方案，於在技術上對應至與膜的厚度和光學分散性質有關之非常均勻的膜的沉積的光學性質(傳遞和反射的顏色值)之光學均勻性上具有極高的需求。據此，可使用具有較靶材濺鍍高度長的靶材。從而，從旋轉靶材的濺鍍提供與產量、材料利用、機器開啟時間和最終生產成本有關的優勢，而平面靶材具有重複沉積區，重複沉積區係造成增大的電弧和顆粒產生，因此需要較旋轉靶材長，以提供無顆粒且均勻的 膜。根據能夠與此處所述其他實施例結合之更進一步的實施例，例如藉由分段氣體引入或對應量測，可證實垂直的膜均勻性，亦即膜的光學厚度。
此一書面敘述使用範例來揭露本發明，包括本發明之最佳模式，且亦使得本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者能夠製造及使用本發明。雖然本發明已藉由各種特定的實施例來描述，通常知識者能夠明白可在申請專利範圍之精神與範圍進行調整而實行本發明。特別是，上述實施例之範例和實施例或其調整形態中之相互不排斥的特徵可彼此結合。
雖然本發明已以實施例敘述如上，在不脫離本發明之基本範圍的情況下，可設計出其他或更進一步的實施例，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧透明體
12‧‧‧層堆疊
14‧‧‧基板
16、18、20‧‧‧介電膜
22‧‧‧透明導電膜
24‧‧‧硬塗層、透明黏著劑

Claims (20)

  1. 一種製造用於一觸控螢幕面板之一透明體(10)的製程，該製程包括：沉積一第一透明層堆疊(12)於一透明基板(14)上方，其中該第一透明層堆疊(12)係選自由下所組成的群組：一層堆疊，其中該層堆疊包括一第一介電膜，該第一介電膜具有自一第一折射係數至一第二折射係數之一梯度折射係數，及一層堆疊，其中該層堆疊包括至少一第一介電膜(16)及一第二介電膜(18)，該第一介電膜具有一第一折射係數，該第二介電膜具有不同於該第一折射係數之一第二折射係數；提供結構化之一透明導電膜(22)，且其中結構化之該透明導電膜對應至100歐姆/平方(ohm/square)或之下的一片電阻；以及提供一透明黏著劑於結構化之該透明導電膜上方，該透明黏著劑用於將該透明體附著至相鄰的該觸控螢幕面板的構成件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製程，其中該第一透明層堆疊係沉積於結構化之該透明導電膜上方，或其中結構化之該透明導電膜係沉積至該基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製程，其中提供結構化之該透明導電膜的步驟包括圖案化一未結構化之沉積透明導電膜。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之製程，其中該 第一介電膜具有至少1.8之一折射係數，且該第二介電膜具有1.5或之下的一折射係數。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之製程，其中該些介電膜係藉由從一可旋轉之靶材的中頻濺鍍典型地從一可旋轉的靶材來濺鍍，且該透明導電膜係藉由從一可旋轉之靶材的直流濺鍍典型地來濺鍍。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之製程，其中該透明黏著劑隨著1.3至1.7之一折射係數。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之製程，其中該透明黏著劑隨著1.3至1.7之一折射係數。
  8. 一種用於一觸控螢幕面板的透明體，包括：一透明基板；一透明層堆疊，沉積於該透明基板上方，其中該透明層堆疊(12)係選自由下所組成的群組：一層堆疊，其中該層堆疊包括一第一介電膜，該第一介電膜具有自一第一折射係數至一第二折射係數之一梯度折射係數，及一層堆疊，其中該層堆疊包括至少一第一介電膜(16)及一第二介電膜(18)，該第一介電膜具有一第一折射係數，該第二介電膜具有不同於該第一折射係數之一第二折射係數；一透明導電膜，沉積於該透明基板上方，其中結構化之該透 明導電膜對應至100歐姆/平方(ohm/square)或之下的一片電阻；以及一透明黏著劑，沉積於該透明導電膜上方，該透明黏著劑用於將該透明體附著至相鄰的該觸控螢幕面板的構成件。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之透明體，更包括：一第二透明基板，該層堆疊係要附著至該第二透明基板，其中該透明黏著劑具有類似於該第二透明基板之折射係數的一折射係數。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之透明體，其中該透明基板係選自由一硬式基板、一軟式基板、一有機基板、一無機基板、一玻璃、一塑膠箔(plastic foil)、一偏光片(polarizer)材料基板及一λ/4延遲片(lamda quarter retarder)基板所組成的群組。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之透明體，其中該透明層堆疊為一折射係數匹配層堆疊，且/或係選自由矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiOxNy)、鋁氧化物(AlOx)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、鈦氧化物(TiOx)、鉭氧化物(TaOx)、鎂氟化物(MgFx)及鈮氧化物(NbOx)所組成的群組。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之透明體，其中該透明層堆疊為一折射係數匹配層堆疊，且/或係選自由矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiOxNy)、鋁氧化物(AlOx)、鋁氧氮化物(AlOxNy)、鈦氧化物(TiOx)、鉭氧化物(TaOx)、鎂氟化物(MgFx) 及鈮氧化物(NbOx)所組成的群組。
  13. 如申請專利範圍第8至12項中任一項所述之透明體，其中該透明導電膜具有20奈米和之上的一厚度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之透明體，其中該透明導電膜具有20奈米和之上的一厚度，特別是50奈米至150奈米。
  15. 如申請專利範圍第8至12項中任一項所述之透明體，其中該透明導電膜包括銦錫氧化物(ITO)。
  16. 如申請專利範圍第8至12項中任一項所述之透明體，其中該透明黏著劑為一光學透明黏著劑疊層或一液態光學透明黏著劑。
  17. 如申請專利範圍第8至12項中任一項所述之透明體，其中該透明黏著劑隨著1.3至1.7之一折射係數。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之透明體，其中該透明黏著劑隨著1.3至1.7之一折射係數。
  19. 一種製造用於一觸控螢幕面板之一透明體(10)的沉積設備(600)，該設備包括：一第一沉積組件(622)，用以沉積一第一透明層堆疊(12)於一基板(14)上方，該第一透明層堆疊(12)包括至少第一介電膜(16)及一第二介電膜(18)，該第一介電膜具有一第一折射係數，該第二介電膜具有不同於該第二第一折射係數之一第二折射係數；一第二沉積組件(624)，用以沉積一透明導電膜(22)；以及 提供一透明導電黏著劑於結構化之該透明導電膜的上方的手段，其中該第一沉積組件(622)及該第二沉積組件(624)係排設使得該第一透明層堆疊(12)及該透明導電膜(22)係以此順序配置於該基板(14)上方，且其中該第一沉積組件(622)及該第二沉積組件之至少一者包括一濺鍍系統，該濺鍍系統運作上地耦接至一靶材，該濺鍍系統係用以藉由該靶材之濺鍍沉積該第一介電膜(16)、該第二介電膜(18)及該透明導電膜(22)之至少一者。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之設備，其中該第一沉積組件(6222)及該第二沉積組件(624)係用於藉由磁控濺鍍沉積該第一透明堆疊(12)及該透明導電膜(22)，典型地藉由從一可旋轉之靶材的磁控濺鍍。
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