CN105224120B - 基板结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及触控技术领域，提供了一种基板结构，包含基板、导电图案、第一层迭结构以及钝化层。导电图案位于基板上。第一层迭结构位于导电图案与基板上，其中第一层迭结构包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，第一上薄膜邻接导电图案与基板，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆栈。钝化层位于第一层迭结构上，第三上薄膜邻接钝化层，其中导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。本发明减少导电图案与其上下层材料的折射率差异，借此改善导电图案的可视性。

Description

基板结构

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤指一种用于触控面板的基板结构。

背景技术

随着触控技术的发展，透明电极常应用于各式各样的触控面板中。透明电极可搭配触控面板设置各种导电图案，理想上透明电极具有高穿透率，并不会因导电图案的设置而影响视觉效果。然而，由于透明电极与其上下层材料的折射率差异，往往会导致设置有导电图案的区域具有较高的反射率，而具有较低的穿透率，而未设置有导电图案的区域则具有较高的穿透率，使用者因而可以看见导电图案(pattern visibility)。如何改善导电图案的可视问题，进而降低导电图案对于触控面板外观的影响乃触控面板产业的一项课题。

发明内容

为了解决上述导电图案可视的问题，克服现有技术的不足，本发明利用渐变折射率之多层膜，将多层膜设置于导电图案与其上下层材料之间，以减少导电图案与其上下层材料的折射率差异，进而降低折射率差异所致的反射率，以此改善导电图案的可视性(pattern visibility)，并且降低导电图案对于触控面板外观的影响。

本发明之一态样提供了一种基板结构，基板结构包含基板、导电图案、第一层迭结构以及钝化层。导电图案位于基板上。第一层迭结构位于导电图案与基板上，其中第一层迭结构包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，第一上薄膜邻接导电图案与基板，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆栈。钝化层位于第一层迭结构上，第三上薄膜邻接钝化层，其中导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构包含设置于第三上薄膜上之第四上薄膜和第五上薄膜，导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜、第四上薄膜、第五上薄膜和钝化层之折射率依序递减。

于本发明之一或多个实施例中，第一上薄膜、第二上薄膜以及第三上薄膜分别包含第一元素与第二元素，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜分别具有重量比值，重量比值为第一元素的重量比第二元素的重量，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜的重量比值均不相同。

于本发明之一或多个实施例中，第一元素为氮，第二元素为氧。

于本发明之一或多个实施例中，第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜之重量比值依序递减。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构部份接触基板。

于本发明之一或多个实施例中，基板结构更包含第二层迭结构，第二层迭结构位于导电图案与基板之间，其中第二层迭结构包含第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜依序堆栈，第一下薄膜邻接基板，第三下薄膜邻接导电图案，基板、第一下薄膜、第二下薄膜、第三下薄膜和导电图案之折射率依序递增。

于本发明之一或多个实施例中，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜包含第一元素与第二元素，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜分别具有重量比值，重量比值为之第一元素的重量比第二元素的重量，第一下薄膜、第二下薄膜和第三下薄膜的重量比值均不相同。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构为透明绝缘层。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构之厚度范围为30纳米(nm)至150纳米(nm)。

本发明之一态样提供了一种基板结构之制作方法，包含将具有导电图案之基板置入溅镀机台之反应腔、注入反应气体于反应腔以及使用靶材进行溅镀。反应气体包含第一气体和第二气体或至少一者，反应气体具有第一气体比第二气体之气体比例，于溅镀时，控制气体比例或溅镀机之溅射功率，以形成第一层迭结构于基板之上，第一层迭结构包含第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜，且第一上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜之折射率由接近基板的一端向远离基板的一端依序递减。

于本发明之一或多个实施例中，基板结构之制作方法更包含形成钝化层于第三上薄膜之上，其中导电图案、第一上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。

于本发明之一或多个实施例中，溅渡过程包含固定溅射功率，维持气体比例为第一数值，以于基板上形成第一上薄膜，接着调整气体比例至第二数值，以于第一上薄膜上形成第二上薄膜，再调整气体比例至第三数值，以于第二上薄膜上形成第三上薄膜。

于本发明之一或多个实施例中，第一气体为氮气，第二气体为氧气。

于本发明之一或多个实施例中，第一数值大于第二数值，且第二数值大于第三数值。

于本发明之一或多个实施例中，溅渡过程包含固定气体比例，控制溅射功率为第一功率，以于基板上形成第一上薄膜，接着，调整溅射功率至第二功率，以于第一上薄膜上形成第二上薄膜，再来，调整溅射功率至第三功率，以于第二上薄膜上形成第三上薄膜。

于本发明之一或多个实施例中，第一功率大于第二功率，且第二功率大于第三功率。

于本发明之一或多个实施例中，靶材之材料为硅。

附图说明

图1是本发明之一实施例中的基板结构之剖面图。

图2A至2C是本发明之多个实施例中的导电图案之上视图。

图3是本发明之另一实施例中的基板结构之剖面图。

图4是本发明之再一实施例中的基板结构之剖面图。

图5A至5G分别是本发明之又一实施例中的基板结构之制作方法之示意图。

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明之多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式为之。

关于本文中所使用之「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值之误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。

参照图1，图1为本发明之一实施例中的基板结构100之剖面图。基板结构100包含基板110、导电图案120、第一层迭结构130以及钝化层140。基板110理想上为一透明基板，详细而言，可以为一硬式透明基板或一可饶式基板，其材料可以选自玻璃、压克力(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)等透明材料。导电图案120位于基板110上，导电图案120理想上为透明电极，电极的材料可包括各种透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化镉锡(Cadmium Tin Oxide，CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)等等。导电图案120具有特定的配置。第一层迭结构130位于导电图案120与基板110上。钝化层140位于第一层迭结构130上。

关于导电图案120的配置，图2A至图2C为本发明之多个实施例中的导电图案120之上视图，导电图案120可以是单层电极或双层电极。导电图案120可以是单层电极且具有交错间隔的电极列122，电极列122可以以长条形、楔形(见图2A)、菱形(见图2B)、或波浪形等方式配置，以供用户于基板110方向上的各点进行触控感应。

参照图2C，导电图案120可以是双层电极，导电图案120包含彼此电性绝缘的第一电极层124与第二电极层126，第一电极层124具有多个沿第一方向D1排列的第一电极列125，第二电极层126具有多个沿第二方向D2排列的第二电极列127，其中第一方向D1与第二方向D2互相垂直，使用者可透过此种导电图案120于基板110方向上的各点进行触控感应。

再回到图1，导电图案120并未完全覆盖于基板110之上，而使部份基板110外露于导电图案120，而其中部份第一层迭结构130直接接触基板110。

第一层迭结构130为一多层薄膜的结构，理想上，第一层迭结构130包含至少三层薄膜。于本实施例中，第一层迭结构130包含第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c分别具有不同折射率。

第一上薄膜130a邻接导电图案120与基板110，第三上薄膜130c邻接钝化层140，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c依序堆栈，于此，导电图案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c和钝化层140之折射率依序递减。

详细而言，于本发明之一或多个实施例中，邻接钝化层140之第三上薄膜130c之折射率与钝化层140之折射率相近，邻接导电图案120之第一上薄膜130a之折射率与导电图案120之折射率相近。

于本发明之一或多个实施例中，每一第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c包含第一元素与第二元素，第一元素与第二元素所组成的化合物分别具有不同之折射率。第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c分别具有重量比值，重量比值为第一元素的重量比上第二元素的重量，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c的重量比值均不相同，致使其第一元素与第二元素的含量不同，亦即第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之第一元素与第二元素所组成的化合物含量不同。由于第一元素与第二元素所组成的化合物分别具有不同之折射率，因此，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可分别具有不同之折射率。

举例而言，于本发明之一或多个实施例中，薄膜是由硅靶(材料为硅的靶材)于氮气和氧气混合作用下溅镀形成，薄膜之第一元素为氮，薄膜之第二元素为氧，氮可与硅组成硅氮化物，氧可与硅组成硅氧化物，而氮氧可与硅组成氮氧化硅。硅氮化物的折射率大约为2.05～2.2或2.2～2.3，硅氧化物的折射率大约为1.4～1.5或1.45，而氮氧化硅的折射率大约为1.45～2.05。第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可分别为硅、氮和氧元素不同比例所产生之化合物，依照氮元素比氧元素的重量比值或是莫耳数比的不同，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c可具有不同之折射率。

在此，重量比值愈高，表示化合物中氮元素的含量愈高且氧元素含量愈低，而折射率愈高；反之，重量比值愈低，表示化合物中氮元素的含量愈低且氧元素含量愈高，而折射率愈低。重量比值可以为接近于无穷大，即薄膜可以几乎完全是硅氮化物，其折射率接近于2.05～2.2或2.2～2.3，相反地，重量比值亦可以接近为零，即薄膜可以几乎完全是硅氧化物，其折射率接近于1.4～1.5或1.45。无论其重量比值之大小为何，其折射率仍介于第一元素、第二元素与硅元素所产生之化合物之折射率范围之间，即1.4～2.3之间。

于本发明之一或多个实施例中，第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之重量比值依序递减。如此一来，从第一上薄膜130a至第三上薄膜130c，因为氧元素的含量渐渐增高，氮元素的含量渐渐降低，而可以使第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之折射率渐进式地变小，而达成折射率渐变的薄膜堆栈设计。

由于导电图案120之折射率(例如氧化铟锡大约为1.85)与钝化层140之折射率(例如大约为1.5)皆位于氮、硅和氧元素所产生之化合物之折射率之间(即1.4～2.3之间)，因此可以透过改变氮元素与氧元素的比例，亦即薄膜内的氮和氧的重量比值，达到降低反射率之折射率渐变之薄膜堆栈设计。举例而言，可以设计第一上薄膜130a之重量比值使其折射率大约等于1.75，并设计第三上薄膜130c之重量比值使其折射率大约等于1.6，且设计第二上薄膜130b之重量比值使其折射率大约为1.63。

由于光线正向入射时，反射率之公式为相邻两介质折射率之差除上相邻两介质折射率之和之平方值，因此，藉由渐变折射率的多层膜，降低相邻两介质折射率之差，可以有效降低整体反射率之功效。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构130之厚度范围大约为30纳米(nm)至150纳米(nm)，其中第一层迭结构130较佳的厚度约为70纳米(nm)以上，此处所指第一层迭结构130不包含接触基板110部份之厚度(即导电图案120之厚度)，其中第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c的厚度可以相同，但亦可以不同。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构130为由透明绝缘材料所构成，致使导电图案120不会受到第一层迭结构130的影响而改变相关电路特性，且穿透光亦不会受到第一层迭结构130的吸收或散射而降低光强度。

参照图3，图3为本发明之另一实施例中的基板结构100之剖面图。本实施例为与图1相似之实施例，差别在于本实施例之基板结构100更包含第四上薄膜130d和第五上薄膜130e。

如同前述第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之设置，第四上薄膜130d和第五上薄膜130e亦包含第一元素与第二元素，且第四上薄膜130d和第五上薄膜130e具有不同于第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c的重量比值，致使第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d和第五上薄膜130e分别具有不同之折射率。而导电图案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e和钝化层140之折射率依序递减，如此一来，可以形成渐进式地薄膜堆栈结构。

举例而言，以导电图案120之材料为氧化铟锡为例，由于导电图案120之折射率大约为1.85，而钝化层140之折射率大约为1.5，可以设计第一上薄膜130a之重量比值使其折射率大约等于1.75，并设计第五上薄膜130e之重量比值使其折射率大约等于1.55，且可设计第二上薄膜130b、第三上薄膜130c和第四上薄膜130d之折射率分别为1.7、1.65、1.6。如此一来，从第一上薄膜130a至第五上薄膜130e，折射率递减。

由于光线正向入射时，反射率之公式为相邻两介质折射率之差除上相邻两介质折射率之和之平方值，如此，降低相邻两介质折射率之差可以有效降低整体反射率之功效。而本实施例中，相邻两介质折射率之差相较于图1之实施例更小，因此可预期本实施例能更有效降低整体反射率。

于本发明之一或多个实施例中，第一层迭结构130至少包含三层薄膜，薄膜的数量并不以上述实施例为限，薄膜的数量可以大于五。

参照图4，图4为本发明之再一实施例中的基板结构100之剖面图。本实施例为与图3相似之实施例，差别在于本实施例之基板结构100更包含第二层迭结构150。第二层迭结构150位于导电图案120与基板110之间，如同第一层迭结构130之设置，第二层迭结构150包含第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c，分别具有不同折射率，且第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c依序堆栈，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b和第三下薄膜150c之折射率由接近基板110的一端向接近导电图案120的一端递增。在此，第二层迭结构150之薄膜数量仅为方便说明而设置，不应以此数量(三层)限制本发明之范围。

于本发明之一或多个实施例中，第一下薄膜150a邻接基板110，第三下薄膜150c邻接导电图案120，第一下薄膜150a之折射率与基板110之折射率相近，第三下薄膜150c之折射率与导电图案120之折射率相近。基板110、第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c和导电图案120之折射率依序递增。

如同前述第一上薄膜130a、第二上薄膜130b和第三上薄膜130c之设置，每一第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c亦包含第一元素与第二元素，每一第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c具有一重量比值，重量比值为第一元素的重量比第二元素的重量，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c的重量比值均不相同。由于第一元素、第二元素与硅元素所组成之化合物具有不同之折射率，致使具有不同重量比值之第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可分别具有不同之折射率。

举例而言，于本发明之一或多个实施例中，薄膜是由硅靶(材料为硅的靶材)于氮气和氧气混合作用下溅镀形成，薄膜之第一元素为氮，薄膜之第二元素为氧。如同前述第一层迭结构130之设置，第二层迭结构150的第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可分别为硅、氮和氧元素不同比例所产生之化合物，依照氮元素与氧元素重量比值或是莫耳数比的不同，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c可具有不同之折射率。

在此，重量比值愈高，表示氮元素的含量愈高且氧元素含量愈低，而折射率愈高；反之，重量比值愈低，表示氮元素的含量愈低且氧元素含量愈高，而折射率愈低。重量比值可以为接近于无穷大，重量比值亦可以接近为零。无论其重量比值之大小为何，薄膜之折射率仍介于第一元素、第二元素与硅元素所产生之化合物之折射率范围之间，即1.4～2.3之间。

于本发明之一或多个实施例中，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之重量比值由接近基板110的一端向接近导电图案120的一端递增。换句话说，第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之重量比值依序递增，而使第一下薄膜150a、第二下薄膜150b、第三下薄膜150c之折射率渐进式地变大，而达成折射率渐变的薄膜堆栈设计。

以导电图案120之材料为氧化铟锡为例，由于导电图案120之折射率大约1.85，基板110之折射率大约1.5，两者之折射率皆位于氮、硅和氧元素所产生之化合物之折射率之间(即1.4～2.3之间)，因此可以透过改变氮元素与氧元素的比例达到折射率渐变的薄膜堆栈设计。举例而言，第一下薄膜150a之重量比值可设计使其折射率大约等于1.6，而第三下薄膜150c之重量比值可设计使其折射率大约等于1.8，而第二下薄膜150b之重量比值可设计使其折射率大约等于1.7。如此一来，从第一下薄膜150a至第三下薄膜150c，折射率递增。

本实施例增加第二层迭结构150后使得基板110与导电图案120之间的折射率的落差较小，因此可以降低整体反射率，而提高穿透率，并避免导电图案容易被观察到的问题。

参照图5A至图5G，图5A至图5G分别为本发明之又一实施例中的基板结构之制作方法之示意图。以下描述基板结构之制作方法。

参照图5A，首先将具有导电图案120的基板110置入溅镀机台200之反应腔210。

接着注入反应气体于反应腔210，反应气体包含第一气体与第二气体。举例而言，第一气体为氮气，而第二气体为氧气。反应气体具有一气体比例，此气体比例指一定容量内第一气体的莫耳数比上第二气体的莫耳数，即第一气体比上第二气体的值。

再来，参照图5B，使用靶材300进行溅镀，第一气体与第二气体分别受到靶材300之溅镀作用，反应产生包含第一元素与第二元素之化合物，这些化合物具有不同之折射率。举例而言，靶材300之材料为硅，溅镀后与氮气和氧气反应，而形成氮硅氧化物。

这些化合物于基板110/导电图案120上形成第一上薄膜130a，其中第一上薄膜130a之折射率小于导电图案120之折射率。

接着，参照图5C，同样地，受到靶材300溅镀作用，产生包含第一元素和第二元素之化合物，而形成第二上薄膜130b，第二上薄膜130b位于第一上薄膜130a上，其中第二上薄膜130b之折射率小于第一上薄膜130之折射率。

参照图5D，相同地，受到靶材300溅镀作用，产生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第二上薄膜130b上形成第三上薄膜130c，其中第三上薄膜130c之折射率小于第二上薄膜130b之折射率。

参照图5E，相同地，受到靶材300溅镀作用，产生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第三上薄膜130c上形成第四上薄膜130d，其中第四上薄膜130d之折射率小于第三上薄膜130c之折射率。

参照图5F，相同地，受到靶材300溅镀作用，产生包含第一元素和第二元素之化合物，以于第四上薄膜130d上形成第五上薄膜130e，其中第五上薄膜130e之折射率小于第四上薄膜130d之折射率。

最终，参照图5G，形成钝化层140于第五上薄膜130e之上，其中钝化层140之折射率小于第五上薄膜130e之折射率。

在此，须注意的是，与本发明之实施例之基板结构之制作方法中，导电图案120、第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e和钝化层140之折射率依序递减，其中，于溅渡过程中形成折射率依序递减的薄膜之方法有两种，分别为控制气体比例以及控制溅渡功率。

首先，介绍控制气体比例的方法。由于化合物的产生来自于靶材、第一气体与第二气体的作用，因此藉由控制溅渡过程的气体比例，可直接影响产生的化合物中第一元素和第二元素的含量，进而影响薄膜之折射率。

举例而言，可藉由控制氧气和氮气的比例，随着时间逐渐降低气体比例(氮气比上氧气)，亦即逐渐降低氮气的含量，造成较早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)具有较高比例的氮元素，而较晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有较低比例的氮元素，进而造成较早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)相较于较晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有较高的折射率。

详细而言，假设图5B至图5F的气体比例分别为第一数值、第二数值、第三数值、第四数值、第五数值。则若欲形成折射率递减的第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e，可固定溅射功率，并设定第一数值、第二数值、第三数值、第四数值、第五数值之值逐渐降低，以达到折射率渐进的薄膜堆栈。

再来，介绍控制溅渡功率的方法。此方法是以溅射功率为变因来形成具有不同重量比值之多层薄膜，其间，可固定气体比例，不同的功率下，形成的化合物中氮元素与氧元素之量并不相同，即薄膜内的第一元素(氮)与第二元素(氧)之重量比值随溅射功率而改变。

举例而言，于本发明之一或多个实施例中，在溅射功率愈大时，第一元素(氮)之化合物相较于与第二元素(氧)之化合物更容易形成，即溅射功率愈大，化合物中氮元素之比例愈高。

因此为了形成折射率递减的薄膜结构，可于溅渡过程逐渐降低溅射功率，造成化合物中氮元素之比例逐渐降低。因此，造成较早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)具有较高比例的氮元素，而较晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有较低比例的氮元素，使得较早形成的薄膜(即第一上薄膜130a)相较于较晚形成的薄膜(即第五上薄膜130e)具有较高的折射率。

详细而言，假设图5B至图5F的溅射功率分别为第一功率、第二功率、第三功率、第四功率、第五功率。则若欲形成折射率递减的第一上薄膜130a、第二上薄膜130b、第三上薄膜130c、第四上薄膜130d、第五上薄膜130e，可固定气体比例，并设定第一功率、第二功率、第三功率、第四功率、第五功率之数值逐渐降低，以达到折射率渐进的薄膜堆栈。

由于气体比例或溅射功率可以达到数值化的控制，因此，理想上可以精准的控制薄膜内第一元素与第二元素的重量比值，以达到理想的折射率，并达到良好的渐变折射率效果。虽然以上叙述中，仅调整气体比例或溅射功率之其中之一，但本发明不以此为限，适当搭配不同的气体比例与溅射功率，亦可以形成渐变折射率效果。

本发明之一实施例中，藉由将渐变折射率之多层膜设置于导电图案与其上下层材料之间，降低因为导电图案与其上下层材料的折射率差异所致的反射率，且利用调整气体比例或溅射功率，使薄膜含有不同比例的氮元素与氧元素，使薄膜间之折射率差异可以设计成很小，并达到良好的折射率渐变效果，如此一来，可以改善导电图案的接口反射率较高，而容易被观察到的问题。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。

Claims (17)

1.一种基板结构，其特征在于，包含：

一基板；

一导电图案，位于该基板上；

一第一层迭结构，位于该导电图案与该基板上，其中该第一层迭结构包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，该第一上薄膜邻接该导电图案与该基板，该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜依序堆栈；以及

一钝化层，位于该第一层迭结构上，该第三上薄膜邻接该钝化层，其中该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜和该钝化层之折射率依序递减；

更包含一第二层迭结构，该第二层迭结构位于该导电图案与该基板之间，其中该第二层迭结构包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜依序堆栈，其中该第一下薄膜邻接该基板，该第三下薄膜邻接该导电图案，该基板、该第一下薄膜、该第二下薄膜、该第三下薄膜和该导电图案之折射率依序递增。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构还包含设置于该第三上薄膜上之一第四上薄膜和一第五上薄膜，该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜、该第四上薄膜、该第五上薄膜和该钝化层之折射率依序递减。

3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一上薄膜、该第二上薄膜以及该第三上薄膜分别包含一第一元素与一第二元素， 该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜分别具有一重量比值，该重量比值为该第一元素的重量比该第二元素的重量，该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜的该重量比值均不相同。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，其中该第一元素为氮，该第二元素为氧。

5.根据权利要求4所述的基板结构，其特征在于，其中该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜之该些重量比值依序递减。

6.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构部份接触该基板。

7.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜包含一第一元素与一第二元素，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜分别具有一重量比值，该重量比值为之该第一元素的重量比该第二元素的重量，该第一下薄膜、该第二下薄膜和该第三下薄膜的该重量比值均不相同。

8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构为一透明绝缘层。

9.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该第一层迭结构之厚度范围为30纳米(nm)至150纳米(nm)。

10.一种基板结构之制作方法，其特征在于，包含：

将具有一导电图案之一基板置入一溅镀机台之一反应腔，其中，该导电图案与该基板之间包含一第二层迭结构，其中该第二层迭结构包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，该第一下薄膜、该第 二下薄膜和该第三下薄膜依序堆栈，其中该第一下薄膜邻接该基板，该第三下薄膜邻接该导电图案，该基板、该第一下薄膜、该第二下薄膜、该第三下薄膜和该导电图案之折射率依序递增；

注入一反应气体于该反应腔，该反应气体包含一第一气体或一第二气体，该反应气体具有该第一气体比该第二气体之一气体比例；

使用一靶材进行溅镀，并控制该气体比例或该溅镀机之一溅射功率，以形成一第一层迭结构于该导电图案之上，该第一层迭结构包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，且该第一上薄膜、该第二上薄膜和该第三上薄膜之折射率由接近该基板的一端向远离该基板的一端依序递减。

11.根据权利要求10所述的基板结构之制作方法，其特征在于，更包含形成一钝化层于该第三上薄膜之上，其中该导电图案、该第一上薄膜、该第二上薄膜、该第三上薄膜和该钝化层之折射率依序递减。

12.根据权利要求10所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中该溅镀包含：

固定该溅射功率，维持该气体比例为一第一数值，以于该基板上形成该第一上薄膜；

调整该气体比例至一第二数值，以于该第一上薄膜上形成该第二上薄膜；以及

调整该气体比例至一第三数值，以于该第二上薄膜上形成该第三上薄膜。

13.根据权利要求10所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中 该第一气体为氮气，该第二气体为氧气。

14.根据权利要求12所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中该第一数值大于该第二数值，且该第二数值大于该第三数值。

15.根据权利要求10所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中该溅镀包含：

固定该气体比例，控制该溅射功率为一第一功率，以于该基板上形成该第一上薄膜；

调整该溅射功率至一第二功率，以于该第一上薄膜上形成该第二上薄膜；以及

调整该溅射功率至一第三功率，以于该第二上薄膜上形成该第三上薄膜。

16.根据权利要求15所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中该第一功率大于该第二功率，且该第二功率大于该第三功率。

17.根据权利要求11所述的基板结构之制作方法，其特征在于，其中该靶材之材料为硅。