TW201640300A - 適於使用在光電元件中的層堆疊、光電元件及適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種適於使用在光電元件中的層堆疊(100)。層堆疊(100)包括一透明導電氧化物層(110)及一接線圖案(120)，導電材料的接線圖案(120)係施加於透明導電氧化物層(110)。其中，透明導電氧化物層(110)及接線圖案(120)係彼此電性接觸。

Description

適於使用在光電元件中的層堆疊、光電元件及適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法
本揭露是有關於一種適於使用在光電元件(electro-optical device)中的層堆疊、光電元件、以及適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法。本揭露之實施例特別是有關於適於使用於觸控螢幕面板中的層堆疊、觸控螢幕面板、以及適於使用於觸控螢幕面板中的層堆疊的製造方法。
光電元件可以是結合電特性及光特性的電子元件。例如，光電元件可包括觸控螢幕面板及電致變色玻璃(electro-chromic glass)。觸控螢幕面板係特定類別的電子視覺顯示器，能夠在顯示區域之中偵測並定位一觸碰。觸控螢幕面板可包括一層堆疊，層堆疊係配置於螢幕裝置之上且配置用於斷定觸碰。此類層堆疊可實質上為透明的，能夠被螢幕釋放出的可見光譜中的光線所穿透過。觸碰此類觸控螢幕面板的顯示區域，能夠在層堆疊的一區域中造成可量測的電容變化。此電容的變化可藉由使用不同的技術來量測，使得觸碰的位置能夠受到測定。
使用於光電元件(例如是觸控螢幕面板)中的層堆疊係受到一些特別的考量。光電元件之穩定增加的尺寸(例如是顯示器)應列入考量。特別是，現今對於此類大型觸控螢幕尺寸的電特性的興趣係逐漸增加。例如，層堆疊的高導電性或低電阻係被認為是有益的。另一可被納入考量的點係有關於光電元件之光學特性，例如是呈現於使用者的外觀(appearance)。特別是，層堆疊的層狀結構不應被使用者所看見。
有鑑於上述，能夠克服本領域中至少一些問題的新型之適於使用在光電元件中的層堆疊、光電元件及適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法係有益的。特別是，新型之層堆疊、光電元件及層堆疊的製造方法係有益的，相較於傳統的結構而言提供改良的電氣性能(electrical performance)。
有鑑於上述，本揭露提供一種適於使用在光電元件中的層堆疊、光電元件、以及適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法。本揭露之其他方面、優點和特徵係由附屬項、說明書和所附圖式來表明。
根據本揭露之一方面，提供一種適於使用在光電元件中的層堆疊。層堆疊包括一透明導電氧化物層及一接線圖案，導電材料的接線圖案係施加於透明導電氧化物層。其中透明導電氧化物層及接線圖案係彼此電性接觸。
根據本揭露之另一方面，提供一光電元件。光電元件包括根據本文所述之實施例的層堆疊。
根據本揭露之又一方面，提供一適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法。方法包括沉積一透明導電氧化物層，以及施加導電材料之一接線圖案於透明導電氧化物層。其中透明導電氧化物層及接線圖案係彼此電性接觸。
實施例亦導向於用於實行所揭露之方法的設備，且包括用於進行每個所述方法方面的設備部件。這些方法的方面可藉由硬體元件的方式、藉由合適的軟體程式化電腦、藉由兩者的任意組合或任何其他方式所進行。再者，根據本揭露之實施例亦導向於用於操作所述設備的方法。這包括用於執行每個設備之功能的方法的方面。
本揭露係簡潔摘要於上文中，為了對本揭露之上述特徵的方式有更佳的瞭解，本揭露的特定描述可參照於實施例。所附圖式係有關於本揭露之實施例且描述於下文中：
以下將對不同的實施例作詳細說明，其一或多個實施例繪示於所附圖式中。下列關於圖式之敘述當中，相同的元件符號表示相同的元件。一般而言，僅描述個別實施例之間的差異。每個範例係用來提供解釋的方式，且並非用來限定本發明。又，作為實施例之一部分的所繪示或所描述之特徵可使用於其他實施例或結合於其他實施例，以產生其他的實施例。可以被理解的是，這些描述包括此類潤飾與更動。
本揭露提供一層堆疊，層堆疊具有配置於一透明導電氧化物層(例如是銦錫氧化物層(Indium Tin Oxide layer, ITO layer)上的一接線圖案。導電材料之接線圖案使得層堆疊之電阻(例如是薄層電阻)降低。換言之，層堆疊之導電度可獲得改善。由於導電材料係被圖案化，導電材料僅覆蓋透明導電氧化物層之表面區域的一小部分或一部分，能夠確保層堆疊之穿透率。特別是，接線圖案對於人類的眼睛而言可能是不可見的。本揭露之層堆疊可例如是使用於電致變色玻璃或視窗、觸控螢幕面板、及光電元件(例如是太陽能電池)。
本揭露之接線圖案可包括小接線(例如是小金屬接線)。根據一些實施例，接線的結構尺寸不超過例如是3微米(micrometer)，以降低接線圖案對於人類眼睛之可見度。在一些實施方式中，接線之間的距離可足以確保光線透過層堆疊的穿透率。例如，所提供之3微米之接線寬度可結合於300微米之接線間距。透明導電氧化物層之總面積的1%可被導電材料之接線圖案所覆蓋，且可確保光線透過層堆疊的穿透率。
製造一接線可能是具有挑戰性的且/或良率可能為低。當使用例如是塗佈技術或印刷技術以形成接線圖案時，針孔及粒子的密度可能為高，且在長的接線(例如是金屬接線)中可能產生缺陷。本揭露之接線圖案提供重複性(redundancy)，且能夠達成高的良率。例如，一條或多條接線圖案的接線可能損壞，然而卻不會顯著地影響(compromise)層堆疊之電性特性(例如是低的薄層電阻)。特別是，由於施加於層堆疊的電流可經過透明導電氧化物層，受到損壞的接線將不會造成失效。換言之，電流係透過透明導電氧化物層改變方向，亦即電流繞過損壞的接線。
本揭露之層堆疊具有雙層導電系統(透明導電氧化物層+接線圖案)，可降低層堆疊之薄層電阻。例如，若具有2.5微米之接線寬度及250微米(0.3歐姆/平方(Ohm/square))之接線間距的接線圖案係施加於150歐姆/平方之透明導電氧化物(例如是銦錫氧化物)，所得之層堆疊的薄層電阻係下降至25歐姆/平方。如此可例如是允許較大的觸控螢幕尺寸，且可使電致變色玻璃或視窗的切換速率(switching speed)趨於一致(homogenize)。
第1圖繪示根據本文所述實施例之適合使用於光電元件中的層堆疊100的示意圖。第2圖繪示提供於基板10上之層堆疊100的剖面圖。
本揭露之層堆疊100包括透明導電氧化物層110及接線圖案120，導電材料的接線圖案120係施加於透明導電氧化物層110。透明導電氧化物層110及接線圖案120係彼此電性接觸。接線圖案120可形成為格柵(grid)、網格(mesh)或矩陣(matrix)。根據一些實施例，層堆疊100可配置於基板10上或之上。本文所使用之「基板」的用語應包含非撓性基板(例如是晶圓、透明結晶片(例如是藍寶石)或類似物)、玻璃板、及聚乙二醇對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、及可撓性基板(例如是軟質基材(web)及箔)(例如是包括聚乙二醇對苯二甲酸酯)。
透明導電氧化物層110(例如是銦錫氧化物層)可例如是用於觸控螢幕面板之導電電極。透明導電氧化物層110之電阻可受到限制及/或可取決於基板之溫度(例如是在沉積或後回火製程的期間)。較高的導電度對於較大的觸控螢幕面板尺寸(例如是筆記型電腦及電視)而言是有益的。施加於透明導電氧化物層110的接線圖案120可達到這些方面，實現具有低電阻(例如是薄層電阻)及高導電度的層堆疊100。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，層堆疊100之結合的薄層電阻係小於透明導電氧化物層110之薄層電阻。此結合的薄層電阻可藉由透明導電氧化物層110及接線圖案120所定義。
薄層電阻可以是對於薄層之電阻的量測。薄層電阻可使用於其中薄層係被視為二維實體的二維系統中。「薄層電阻」之用語意味電流係沿著層或薄片(sheet)的平面，而非垂直於層或薄片的平面。如同說明書通篇所使用的，薄層電阻之單位係「歐姆/平方」，在尺寸上係等同於歐姆，但可使用於薄層電阻。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，透明導電氧化物層110可選自於由銦錫氧化物層、摻雜的銦錫氧化物層、雜質摻雜之氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2 O3 )、二氧化錫(SnO2 )和氧化鎘(CdO)、錫摻雜三氧化二銦(ITO, In2 O3 :Sn)、鋁摻雜氧化鋅(AZO, ZnO:Al)、銦摻雜氧化鋅(IZO, ZnO: In)、鎵摻雜氧化鋅(GZO, ZnO:Ga)、多組成氧化物(包括ZnO、In2 O3 和SnO2 或由ZnO、In2 O3 和SnO2 的組合所組成)、有至少一ITO層和一金屬層的層系統(例如是ITO/金屬/ITO之堆疊或金屬/ITO/金屬之堆疊)所組成的群組。
本文所使用之「透明」的用語應特別包括能夠以相對低之散射傳遞光線的結構(例如是透明導電氧化物層110及/或層堆疊100)，因此，穿透此結構的光線例如是能夠實質上以清晰的形式被看見。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，透明導電氧化物層110係一結構化的透明導電氧化物層。此結構可以是一接線結構，如同第2圖中的範例所示。接線結構可使用於觸控螢幕面板中的觸控偵測。結構化之透明導電氧化物層的範例係參照第6A及6B圖進行說明。
接線圖案120係施加於透明導電氧化物層110。例如，接線圖案120可(例如是直接或間接)施加於透明導電氧化物層110的表面或表面區域。此表面或表面區域可以是透明導電氧化物層110的延伸的表面或表面區域。「延伸的表面或表面區域」之用語係理解為區隔於透明導電氧化物層110之側表面。例如，延伸的表面或表面區域係藉由透明導電氧化物層110的長度以及寬度所提供。側表面可藉由透明導電氧化物層110的高度(例如是厚度)以及長度或寬度所提供。
「施加於」之用語應包含其中提供有接線圖案120(例如是沉積於透明導電氧化物層110上或之上)的實施例。根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，「施加於」之用語可意指「提供於…上或之上」。當參照於「…上」或「…之上」之用語時，亦即是一圖案或層係在另一圖案或層上或之上，應理解為例如是由基板10開始，透明導電氧化物層110係沉積於基板10上或之上，且在透明導電氧化物層110之後沉積的接線圖案120係位於透明導電氧化物層110上或之上，且位於基板10之上。換言之，「…上」或「…之上」的用語係用於定義圖案、層、層堆疊、及/或薄膜的順序，其中起始點可以是基板10。這無關於層堆疊100是否會視為上下顛倒。有鑑於此，當參照於「…上」或「…之上」的用語時，應理解為接線圖案120可提供於透明導電氧化物層110的上方(例如是在頂部上)或下方(例如是在底面上)。
又，「…之上」之用語應包括(例如是在透明導電氧化物層110及接線圖案120之間)提供一個或多個附加的層的實施例。附加的層可包括(但非限定於)至少一黏附層、一接觸層及一抗氧化物層。「…上」之用語應包括(例如是在透明導電氧化物層110及接線圖案120之間)沒有提供附加的層的實施例。換言之，透明導電氧化物層110及接線圖案120可直接沉積於另一者上。亦即，透明導電氧化物層110及接線圖案120可彼此接觸。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120可全區域接觸於透明導電氧化物層110。如本揭露通篇所使用之「全區域接觸」之用語可理解為實質上接觸於透明導電氧化物層(例如是透明導電氧化物層110之表面或表面區域)之整個表面區域(例如是接線圖案120之下表面區域)的意思。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120覆蓋一小部分的透明導電氧化物層110之表面或表面區域。當參照「小部分」之用語時，係理解為接線圖案120僅覆蓋透明導電氧化物層110之(整體或全部)表面之一部分。換言之，透明導電氧化物層110之表面或表面區域具有受到接線圖案120所覆蓋的第一部分或第一小部分以及沒有受到接線圖案120所覆蓋的第二部分或第二小部分。例如，接線圖案120覆蓋透明導電氧化物層110之小於10%、特別是小於5%、更特別是小於1%之表面或表面區域。如此可確保層堆疊100之充足的穿透率。例如，由於接線圖案所造成的穿透損失可小於1%。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，透明導電氧化物層110係結構化的透明導電氧化物層。當參照於「小部分」之用語時，係理解為接線圖案120僅覆蓋結構化之透明導電氧化物層之(整體或全部)表面之一部分，例如是形成結構化之透明導電氧化物層之接線的(整體或全部)表面或表面區域。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120之導電材料的厚度可具有約10至3000奈米(nm) 的範圍、特別是40至400奈米的範圍、且特別是50至300奈米的範圍。根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120之導電材料的厚度可小於或等於接線圖案120之接線寬度121。例如，接線圖案120之導電材料可使用濺射製程或印刷製程(例如是網印製程)所形成。在其他的實施方式中，當使用網印製程時，接線圖案120之導電材料的厚度可以是上達3000奈米。接線圖案120之小的厚度可降低接線圖案120對於使用者的可見度。對於人類的眼睛而言，接線圖案120甚至可以是不可見的。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120之導電材料包括選自於由銅、鋁、金、銀、鉬及其合金、接觸材料、黏附材料、抗氧化物及其之任意組合所組成之群組的至少一材料。例如，接線圖案120之導電材料包括銅、抗氧化物及接觸材料，接觸材料能夠改善透明導電氧化物層110及接線圖案120之間之黏附與電性接觸之至少其一。接觸材料可例如是銀。根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，可提供一或多個其他的層於接線圖案120的導電材料上或之上。一或多個其他的層可選自於由降反射層(例如是黑層)、防腐蝕層、及其之任意組合所組成的群組。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，層堆疊100更包括底塗層(undercoat layer)。底塗層可提供於基板10上或之上，且可例如是提供於基板10及透明導電氧化物層110之間。底塗層可以是氧化係層(SiOx Layer)(例如是二氧化矽(SiO2 )層)。底塗層可配置為提供擴散屏障、黏附、使表面平滑、及指示匹配之至少其一。例如，底塗層可防止原子或分子在透明導電氧化物層110中由基板10擴散。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，層堆疊100更包括一黏附層。黏附層可提供於透明導電氧化物層110上或之上，例如是位於透明導電氧化物層110及接線圖案120之導電材料之間。黏附層可改善接線圖案120之導電材料及透明導電氧化物層110之間之黏附及接觸特性(例如是電性接觸)之至少其一。
接線圖案110具有一或多條線(例如是金屬線)。一或多條線可以是直線、曲線或其之組合。根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120之接線寬度121的範圍係1至50微米、特別是1至10微米、更特別是2至4微米。例如，接線寬度可以是約2.5或3微米。「接線寬度」之用語可理解為接線圖案120之個別接線的寬度或延伸，例如是實質上垂直於個別接線之長度的或縱向的延伸方向。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案120之接線間距122的範圍係0.1至1毫米(mm)、特別是0.1至0.5毫米、且更特別是0.2至0.3毫米。例如，接線間距可以是約250微米。「接線間距」之用語可理解為接線圖案120之相鄰接線之間之間距或距離，例如實質上垂直於個別接線之長度或縱向的延伸方向。此方向可以是上述的寬度方向。
藉由在透明導電氧化物層110頂部上塗佈接線圖案120，本揭露可避免由於斷開線路所造成的良率損失。由於電流能夠流經透明導電氧化物層110，接線圖案120之損壞的接線將不會造成完全的失效。例如，接線間距能夠降低至約250微米，且能夠達到大於4的接線重複性。本揭露特別能夠產生具有高良率之高穿透率以及低薄層電阻的層堆疊。
本文所述之實施例可使用於在大面積的基板上沉積(例如是薄膜沉積)，例如是用於製造電致變色視窗或觸控螢幕面板。根據一些實施例，大面積的基板可以具有至少0.67平方公尺(m²)的尺寸。例如，尺寸可以是約0.67平方公尺(0.73公尺×0.92公尺-第4.5代(Gen4.5))至約8平方公尺，或者可以是約2平方公尺至約9平方公尺或甚至可以是到達12平方公尺。特別是，大面積的基板可以是對應於約0.67平方公尺的基板(0.73公尺×0.92公尺)的第4.5代(GEN 4.5)、對應於約1.4平方公尺的基板(1.1公尺×1.3公尺)的第5代(GEN 5)、對應於約4.29平方公尺的基板(1.95公尺×2.2公尺)的第7.5代(GEN 7.5)、對應於約5.7平方公尺的基板(2.2公尺×2.5公尺)的第8.5代(GEN 8.5)、或甚至是對應於約8.7平方公尺的基板(2.85公尺×3.05公尺)的第10代(GEN 10)。可以類似地實現甚至是如第11代(GEN 11)與第12代(GEN 12)的更高代(generation)以及對應的基板面積。本文所述之實施例亦可用於在可撓性基板(例如是軟質基材或箔)上進行沉積(例如是薄膜沉積)。例如，基板包括聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)。在一些實施方式中，用於銦錫氧化物之可撓性基板的基板寬度的範圍可以是1000至1500毫米，且可特別是約1300毫米。玻璃基板之寬度可上達至2公尺(m)。
第3A-D圖繪示根據本文所述之實施例之接線圖案的示意圖。第3A圖繪示具有垂直接線之第一接線圖案300的示意圖。第3B圖繪示具有對角接線之第二接線圖案310的示意圖。第3C圖繪示具有定義矩形接線圖案的垂直接線及水平接線的第三接線圖案320。第3D圖繪示具有定義鑽石形接線圖案的第一及第二對角接線之第四接線圖案330。第3A至3D圖繪示具有高重複性的接線圖案。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，施加於透明導電氧化物層的接線圖案包括2條或大於2條的接線。2條或大於2條的接線可實質上為平行接線，例如是第3A圖所示之第一接線圖案300之垂直接線302。然而，本揭露並非限定於垂直方向的2條或大於2條的接線，且2條或大於2條的接線可以是水平接線。在一些實施例中，透明導電氧化物層可受到圖案化，以形成接線結構(例如是用於觸控偵測)。接線結構之接線可具有縱向或長度方向的延伸。在一些實施方式中，2條或大於2條的接線可實質上平行於透明導電氧化物層之接線結構之接線的縱向或長度延伸。
如說明書通篇所使用的用語「實質上平行」係有關於(例如是2條或大於2條接線圖案之)實質上平行的方向，其中與實際上平行方向具有一些角度之偏差(例如是上達至1°或甚至是上達至5°)仍被視為「實質上平行」。「垂直的」或「垂直方向」之用語係被理解為區隔於「水平的」或「水平方向」。
第3B圖繪示具有對角接線312之第二接線圖案310之示意圖。對角接線312可以是實質上平行的接線。如說明書通篇所使用的「對角」之用語是關於2條或大於2條的接線圖案對於參考接線而言係傾斜。例如，透明導電氧化物層可被圖案化，以形成接線結構。在一些實施方式中，參考接線可以平行於透明導電氧化物層之接線結構的接線之縱向或長度方向的延伸。參考接線可以是垂直的參考接線或水平的參考接線。例如，水平的參考接線及垂直的參考接線可分別在x方向及y方向中延伸，如參照第6A及6B圖所進行之說明。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案包括2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線。2條或大於2條的第一接線中之至少一接線係交叉於2條或大於2條的第二接線中之至少一接線。例如，2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線形成格柵、網格或矩陣。
在一些實施方式中，2條或大於2條的第一接線可以是實質上平行的接線，且/或2條或大於2條的第二接線可以是實質上平行的接線。例如，2條或大於2條的第一接線可以是水平的接線，且2條或大於2條的第二接線可以是垂直的接線。在其他範例中，2條或大於2條的第一接線可以是垂直的接線，且2條或大於2條的第二接線可以是水平的接線。2條或大於2條的第一接線可以在第一方向(例如是水平方向及/或x方向)中縱向延伸。2條或大於2條的第二接線可以在第二方向(例如是垂直方向及/或y方向)中縱向延伸。第一方向與第二方向可實質上彼此垂直。
如說明書通篇所使用的用語「實質上垂直」係有關於(例如是2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線)實質上垂直的方向，其中與實際上垂直方向具有一些角度之偏差(例如是上達至1°或甚至是上達至5°)仍被視為「實質上垂直」。
在第3C圖之範例中，2條或大於2條的第一接線係水平接線322，且2條或大於2條的第二接線係垂直接線324。2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線形成一矩形的接線圖案。「矩形的接線圖案」之用語係理解為2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線定義矩形的複數個開口(例如是格柵開口)。
在第3D圖之範例中，2條或大於2條的第一接線係第一傾斜接線332(例如是第一對角接線)，且2條或大於2條的第二接線係第二傾斜接線334(例如是第二對角接線)。2條或大於2條的第一傾斜接線332及2條或大於2條的第二傾斜接線334形成一鑽石形的接線圖案。「鑽石形的接線圖案」之用語係理解為2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線定義鑽石形的複數個開口(例如是格柵開口)。
本揭露之接線圖案提供重複性，且可達成高良率。例如，一條或多條接線圖案的接線可能損壞，然而卻不會顯著地影響層堆疊之電性特性(例如是薄膜電阻)。特別是，由於電流可流經透明導電氧化物層且繞過損壞的接線，損壞的接線將不會造成失效。
第4圖繪示根據本文所述之實施例之蜘蛛網狀的接線圖案400的示意圖。
蜘蛛網狀接線圖案400具有2條或大於2條第一接線(例如是封閉接線402)以及2條或大於2條第二接線(例如是交叉接線404)。例如，封閉接線402形成一封閉迴路(例如是橢圓形或圓形)。交叉接線402可以形成巢狀(nested)。換言之，封閉接線402可具有不同的延伸(例如是不同的直徑)，使得封閉接線402係提供為彼此之間具有一距離(例如是封閉接線402之間之接線間距)。交叉接線404可配置為交叉於封閉接線402之至少一些接線。例如，交叉接線404可以是直線。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案具有一接線密度。接線密度可定義為每單位面積之接線的數量。接線密度亦可使用受到接線圖案之導電材料所覆蓋的透明導電氧化物層之表面之單位面積的一小部分或一部分所定義。跟據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案具有一致的(homogenous)接線密度。在其他實施例中，接線圖案具有不一致的或梯度的(graded)接線密度。
例如，當接線密度愈高，層堆疊之電性導電度係愈高，或者層堆疊之薄層電阻係愈低。請參照第4圖，蜘蛛網狀接線圖案400的中央部分的接線密度相較於外圍(或邊緣)部分的接線密度而言係較高。換言之，蜘蛛網狀接線圖案之中央部分的薄層電阻相較於外圍(或邊緣)部分的薄層電阻而言係較低。這可例如是使電致變色玻璃或視窗的切換速率趨於一致。
第5圖繪示根據本文所述實施例之實質上平行的接線之間之不一致的(例如是變化的)或梯度的接線間距之接線圖案的示意圖。接線圖案500可具有參照第1至4圖所述之任何型態。不一致的或變化的接線間距可提供為參照於第1至4圖所述之不一致的或變化的接線密度。
如示例性顯示於第5圖中，接線圖案500之中央部分502(亦表示為「中間區域」)中的接線間距係小於接線圖案500之一或多個邊緣區域504中的接線間距。中央區域502及邊緣區域504可以是相鄰區域。例如，邊緣區域504之第一邊緣區域可提供於中央區域502之第一側(例如是在左側上)。邊緣區域504之第二邊緣區域可提供於中央區域502之第二側(例如是第二側上)。
根據一些實施例，接線間距係由中央區域502至邊緣區域504增加或減少。例如，接線間距係逐漸地或階梯式地增加或減少。在一些實施方式中，中央區域502可具有第一接線間距。第一接線間距在中央區域502中可實質上為不變。邊緣區域504可具有第二接線間距。第二接線間距可實質上在邊緣區域504中實質上為不變。在一些實施方式中，第一接線間距及第二接線間距之至少其一接線間距係增加或減少(例如是逐漸地或階梯式地)。例如，邊緣區域504之第二接線間距係朝向中央區域502增加或減少(例如是逐漸地或階梯式地)。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，接線圖案之接線寬度及接線厚度之至少其一係有所變化。例如，層堆疊之電性導電度及/或薄層電阻可藉由改變接線寬度及接線厚度之至少其一進行調整，類似於參照第4及5圖所述之改變接線密度。在一些實施方式中，接線寬度及接線厚度之至少其一可逐漸地(例如是由邊緣區域504朝向中央區域502)增加或減少。
第6A圖繪示根據本文所述之實施例之光電元件的示意圖。第6B圖繪示根據本文所述之實施例之第6A圖之光電元件之接線圖案的部分示意圖。第6A及6B圖之示範性光電元件係觸控螢幕面板600。然而，本揭露並非限定於此，且光電元件可選自於包括電致變色玻璃或視窗(例如是智慧型玻璃)、觸控螢幕面板及光電元件(例如是太陽能電池)之群組。
光電元件(例如是觸控螢幕面板600)包括根據本文所述之實施例之層堆疊。觸控螢幕面板600可包括螢幕裝置(未顯示)。例如，螢幕裝置可以是液晶顯示器（Liquid Crystal Display, LCD）、電漿顯示面板（Plasma Display Panel, PDP）、有機發光二極體顯示器（OLED display）及類似物。
根據一些實施例，觸控螢幕面板600包括第一層堆疊610及第二層堆疊620。第一層堆疊610及第二層堆疊620可配置用於觸控偵測。例如，第一層堆疊610(特別是第一層堆疊610之第一透明導電氧化物層)可被結構化，以提供一條或多條第一觸控偵測接線612(例如是x接線)。一條或多條第一觸控偵測接線612可具有提供於透明導電氧化物層上或之上的接線圖案。接線圖案之範例顯示於第7A至7D圖中，第二層堆疊620(特別是第二層堆疊620之第二透明導電氧化物層)可被結構化，以提供一條或多條第二觸控偵測接線622(例如是y接線)。一條或多條第二觸控偵測接線622可具有提供於透明導電氧化物層上或之上的接線圖案。接線圖案之範例係繪示於第7A至7D圖中。一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622可交叉或至少彼此部分重疊。一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622可在實質上垂直的方向上延伸，以形成例如是一矩陣。例如，一條或多條第一觸控接線612可在第一方向中(例如是x方向及/或水平方向)縱向延伸。一條或多條第二觸控接線622可在第二方向中(例如是y方向及/或垂直方向)縱向延伸。
一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622可藉由一絕緣層分開。特別是，一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622可彼此電性隔離。觸控螢幕面板600之顯示區域上的一觸碰可造成一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622之間之可量測的電容變化。可使用不同的技術量測電容變化，因此能夠確認觸碰之位置。根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，一條或多條第一觸控偵測接線612可提供於第一箔上，且一條或多條第二觸控偵測接線622可提供於第二箔上。第一箔及第二箔可彼此層壓，以形成觸控螢幕面板600。一條或多條第一觸控偵測接線612可電性絕緣於第二箔上之一條或多條第二觸控偵測接線622。在其他實施例中，一條或多條第一觸控偵測接線612可提供於基板之第一側或第一表面(例如是前表面)上，且一條或多條第二觸控偵測接線622可提供於相同基板之第二側或第二表面(例如是後表面)上。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，透明導電氧化物層可被結構化，以形成鑽石型圖案。例如，一條或多條第一觸控偵測接線612及其他一條或多條第二觸控偵測接線622可分別具有一個或多個第一鑽石型部分614及一個或多個第二鑽石型部分624。相鄰的鑽石型部分可使用連接部分(例如是一條或多條第一觸控偵測接線612之一個或多個第一連接部分616及第二觸控偵測接線622之一個或多個第二連接部分626)進行連接。在一些實施例中，一個或多個第一連接部分616及一個或多個第二連接部分626可彼此交叉或重疊。一個或多個第一連接部分616及一個或多個第二連接部分626亦可表示為「橋接部分」。例如，僅有一個或多個第一連接部分616及一個或多個第二連接部分626可彼此交叉或重疊，一個或多個第一鑽石型部分614與一個或多個第二鑽石型部分624則無法彼此交叉或重疊，如第6B圖的範例所示。
在一些實施方式中，2條或大於2條的連接接線630係連接於一條或多條第一觸控偵測接線612及一條或多條第二觸控偵測接線622的邊緣部分。2條或大於2條的連接接線630可收集藉由一條或多條第一觸控接線612及一條或多條第二觸控接線622所量測的觸控偵測信號，提供觸控偵測信號至用於觸控偵測之處理裝置。
第7A至7D圖繪示根據本文所述之又一實施例的接線圖案的示意圖。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，透明導電氧化物層可被結構化，以形成一圖案。在一些實施例中，透明導電氧化物層可被圖案化，以形成一接線結構(例如是配置用於觸控偵測)。接線結構之接線可具有縱向或長度方向的延伸。根據一些實施例，接線圖案之輪廓或外形(contour)可對應於結構化之透明導電氧化物層之輪廓或外形。
例如，透明導電氧化物層可被結構化，以形成鑽石型圖案，如第6A及6B圖所示。接線圖案之輪廓或外形可對應於鑽石型圖案。特別是，接線圖案之輪廓或外形可以是鑽石型。接線圖案可根據本文所述之實施例進行配置。例如，第7A圖繪示具有垂直接線之接線圖案(如第3A圖中所示)。第7B圖繪示具有對角接線之接線圖案(如第3B圖中所示)。第7C圖繪示具有垂直接線及水平接線之接線圖案(如第3C圖中所示)。第7D圖繪示具有第一及第二對角接線之接線圖案(如第3D圖中所示)。
第8圖繪示根據本文所述實施例之適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法800的流程圖。
方法800包括，方塊810，沉積一透明導電氧化物層以及施加一導電材料之一接線圖案於透明導電氧化物層。在一些實施方式中，施加導電材料之接線圖案於透明導電氧化物層包括，在方塊820中，沉積導電材料於透明導電氧化物層的一表面上，以及在方塊830中，結構化導電材料以形成接線圖案。根據一些實施例，結構化導電材料可包括一蝕刻製程(例如是一濕蝕刻製程)。在一些範例中，可提供遮罩及/或光阻劑以沉積接線圖案。根據一些實施例，可使用濺射處理製程或印刷處理製程(例如是網印製程)沉積導電材料。
根據一些實施例，透明導電氧化物層可以是一結構化透明導電氧化物層。結構化透明導電氧化物層可例如是藉由沉積透明導電氧化物層以及圖案化透明導電氧化物層所提供，以提供結構化透明導電氧化物層。例如，透明導電氧化物層可被圖案化，以形成接線結構(例如是配置用於觸控偵測)。根據一些實施方式，透明導電氧化物層之圖案化可包括蝕刻製程(例如是濕蝕刻製程)。在一些範例中，可提供遮罩及/或光阻劑，以沉積結構化透明導電氧化物層。
根據本文所述之一些實施方式，適於使用在光電元件中之層堆疊的製造方法可藉由電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關控制器(可具有中央處理器(CPU))、記憶體、使用者介面、通訊於處理大面積基板之設備的對應組件的輸入及輸出方法。
第9圖繪示根據本文所述之實施例之用於製造一層堆疊的沉積設備900的示意圖。沉積設備900可配置用於在非撓性基板(例如是玻璃基板)上進行沉積。
作為範例地，所示為用於在其中沉積層的一真空腔室902。如第9圖所示，至少一另外的腔室903可以被提供在相鄰於真空腔室902處。真空腔室902可以藉著一個閥(valve)與相鄰腔室分開，閥具有閥室(valve housing)904和閥單元(valve unit)905。基板10透過真空腔室之移動方向係藉由箭頭1所示。真空腔室902中的空氣(atmosphere)可以藉由產生技術上的真空(舉例來說用真空幫浦連接至真空腔室902，和/或藉由灌入處理氣體至真空腔室902的沉積區域中)而被個別地控制。
根據一些實施例，處理氣體可包括惰性氣體和/或反應性氣體，惰性氣體例如氬氣，反應性氣體例如氧氣、氮氣、氫氣和氨氣(NH3 )、臭氧(O3 )，或活化氣體或其類似物。在真空腔室902中，係提供滾軸910以運送具有基板10於其上之載體914進入和退出真空腔室902。
根據一些實施例，沉積設備900可具有一個或多個第一沉積設置920以及一個或多個第二沉積設置930。一個或多個第一沉積設置920以及一個或多個第二沉積設置930中之至少其一可配置用於沉積層堆疊之層及/或材料(例如是透明導電氧化物層及接線圖案之導電材料)。例如，一個或多個第一沉積設置920之第一沉積源921可配置用於透明導電氧化物層之沉積。一個或多個第一沉積設置920之第二沉積源922可配置用於接線圖案之導電材料之沉積。例如，導電材料可以是金屬(例如是銅)。一個或多個第二沉積設置930可配置用於在層堆疊(包括透明導電氧化物及接線圖案之導電材料)上沉積一或多個另外的層或圖案，例如是一或多個降反射層(例如是一或多個黑層)。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，一個或多個黑層可配置用於使接線圖案變黑，使得接線圖案之結構對於人類的眼睛而言是實質上不可見。此處「變黑」之用語可理解為表示層堆疊之低表面反射，特別是在可見波長範圍中(例如是約350至約800奈米)。一個或多個黑層可增強光學特性(例如是呈現於使用者的外觀)。特別是，層的(例如是接線圖案之)結構對於使用者而言係不可見。
一個或多個黑層的材料可選自由氧化鉬(MoOx)、氧化鉬合金 ((Mo-alloy)Ox)、氮氧化鉬(MoOxNx)、氮氧化鉬合金 ((Mo-alloy)OxNx)、氧化鈮鉬(MoNbOx)、鈮化鉬(MoNb)、銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、鎳銅氧化物(NiCuOx)、氮化鋁(AlNx)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)、及其之任意組合所組成之群組。
雖然第9圖的範例顯示一個或多個第一沉積設置920和一個或多個第二沉積設置930在相同真空腔室902中，然應理解的是，一個或多個第一沉積設置920和一個或多個第二沉積設置930可被提供在不同的真空腔室中。同樣地，一個或多個第一沉積設置920之第一沉積源921與第二沉積源922亦可提供在不同的真空腔室中。
沉積於透明導電氧化物層上之導電材料可被結構化，以形成接線圖案。根據一些實施方式，導電材料之結構化可包括至少一蝕刻製程，例如是濕蝕刻製程、雷射結構化製成。此結構化可例如是在提供於鄰近真空腔室902的真空腔室中進行，例如是其中一個另外的真空腔室903。例如，可進行用於結構化導電材料之蝕刻製程，以形成接線圖案，且可進行另一用於結構化透明導電氧化物層之蝕刻製程，以形成一條或多條第一觸控偵測接線及一條或多條第二觸控偵測接線。在其他的實施方式中，遮罩可在導電材料沉積的期間提供於真空腔室902中，以直接沉積接線圖案。
舉例而言，沉積源可為具有欲被沉積到基板10上的材料的靶材的陰極(例如是可旋轉的陰極)。例如，一個或多個第一沉積設置920可包括第一陰極923，且一個或多個第二沉積設置930可包括第二陰極932。陰極可為其中具有一磁電管(magnetron)之可旋轉的陰極。磁控濺鍍可被用在層的沉積。
此處所使用之「磁控濺鍍」表示使用一磁鐵組件來進行之濺射，亦即，磁鐵組件是能夠產生磁場的一單元。此種磁鐵組件可由永久磁鐵所組成。此永久磁鐵可放置在一可旋轉靶中或耦接到一平面靶，使得在生成於可旋轉靶表面之下之產生的磁場內的自由電子可以被捕捉(trapped)。此種磁鐵組件也可被排列耦接至一平面陰極。磁控濺鍍可藉由雙磁鐵陰極來實現，例如(但不限於)是一TwinMagTM 陰極組件。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，層堆疊可藉由濺射沉積(例如是磁控濺鍍)。例如，由靶材對於透明導電氧化物層及/或接線圖案之導電材料所進行之濺射係以直流(DC)濺射進行。第一陰極923係連接於直流電力供應器925，在濺射期間與陽極924共同收集電子。換言之，透明導電氧化物層(例如是ITO層)及導電材料可藉由直流濺射進行濺射，例如是使用具有第一陰極923及陽極924之一個或多個第一沉積設置920的組件進行濺射。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，一或多個其他的層或圖案(例如是一或多個降反射層(例如是一個或多個黑層))可藉由具有交流電力供應器934之可轉動的陰極(例如是第二陰極932)濺射(例如是磁控濺鍍)所沉積。
為了簡化，一個或多個第一沉積設置920及一個或多個第二沉積設置930係繪示成提供於一真空腔室902中。典型地，用於沉積層堆疊之圖案的不同層之沉積源係提供在不同真空腔室中(例如是相鄰於真空腔室902之另一真空腔室)，如第9圖所示。藉由提供一個或多個第一沉積設置920及一個或多個第二沉積設置930在不同真空腔室內，可以在各個沉積區域提供具有適當處理氣體的空氣和/或適當的技術上的真空的程度。同樣地，一個或多個第一沉積設置920之第一沉積源921與第二沉積源922亦可提供於不同的真空腔室中。
第10圖繪示根據本文所述之實施例之用於製造層堆疊的另一沉積設備1000的示意圖。沉積設備1000可配置用於沉積於可撓性基板(例如是軟質基材或箔)上。例如，沉積設備1000可以是卷對卷(roll-to-roll, R2R)沉積設備。
沉積設備1000可包括至少3個腔室部分(例如是第一腔室部分1020A、第二腔室部分1020B、及第三腔室部分1020C)。一個或多個沉積源1630及選擇性地一個結構化站1430可提供為第三腔室部分1020C中的處理工具。例如，一個或多個沉積源1630可配置用於在基板1010(例如是軟質基材或箔)上沉積透明導電氧化物層及導電材料。結構化站1430可配置用於結構化分別用於形成觸控偵測接線及接線圖案之透明導電氧化物層及導電材料之至少其一。
如第10圖所示，結構化站1430可與一個或多個沉積源1630共同提供於第三腔室部分1020C中。使用此類配置，透明導電氧化物層及導電材料之至少其一可以線內(in-line)的方式進行。在其他實施例中，透明導電氧化物層及導電材料之至少其一的結構化可在第三腔室部分1020C之外部進行(例如是在分開的結構化腔室或分開的結構化設備中)。在可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，結構化站1430可被配置用於進行蝕刻及雷射結構化之至少其一。例如，結構化站1430可以是一蝕刻站及/或一雷射結構化站。在一些實施方式中，濕蝕刻可被用於結構化透明導電氧化物層及導電材料之至少其一。濕蝕刻可在真空腔室之外部進行(例如是在濕蝕刻站中)。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，一個或多個沉積源1630之第一沉積源可配置用於在基板1010上之底塗層的沉積。底塗層可以是氧化矽層(SiOx Layer)(例如是二氧化矽(SiO2 )層)。底塗層可配置為提供擴散屏障、黏附、使表面平滑、及指示匹配之至少其一。例如，底塗層可防止原子或分子在之後沉積之透明導電氧化物層110中由基板10擴散。一個或多個沉積源1630之第二沉積源可被配置用於在基板1010上或之上(例如是在底塗層上)沉積透明導電氧化物層。一個或多個沉積源1630之第三沉積源可被配置用於在透明導電氧化物層上或之上沉積黏附層。黏附層可改善導電材料及透明導電氧化物層之間之黏附及接觸特性(例如是電性接觸)之至少其一。一個或多個沉積源1630之第四沉積源可被配置用於在透明導電氧化物層上或之上(例如是在黏附層上)沉積接線圖案之導電材料。
基板(例如是可撓性基板)可提供於第一卷1764(例如是具有一捲取軸)上。基板1010係藉由箭頭1080所示的基板移動的方向由第一卷1764解開。可提供分隔牆1701來分隔第一腔室部分1020A及第二腔室部分1020B。分隔牆1701可進一步提供讓基板1010通過之縫隙閘(gap sluice)1140。提供於第二腔室部分1020B及第三腔室部分1020C之間之真空凸緣1120可提供為具有開口，以接受至少一些處理工具。
基板1010可移動穿過提供於塗佈鼓1100及對應於一個或多個沉積源1630之位置的沉積區域。在操作期間，塗佈鼓1100圍繞一軸進行旋轉，使得基板1010在箭頭1080的方向中移動。根據一些實施例，基板1010可經由一個、2個或大於2個的滾軸由第一卷1764導引至塗佈鼓1100，以及由塗佈鼓1100導引至第二卷1764’(例如是具有捲取軸)，基板1010在進行處理之後可被捲取。
在一些實施方式中，第一腔室部分1020A係被分隔成葉間腔室部分單元(interleaf chamber portion unit)1020A1以及基板腔室部分單元1020A2。第一葉間滾軸1766及第二葉間滾軸1105可提供為沉積設備1000組合元件。沉積設備可更包括一預加熱單元1194，以加熱基板1010。在一些實施例中，可提供一預處理電漿源1192，例如是可提供一射頻電漿源(radio frequency (RF) plasma source)，以在進入第三腔室部分1020C之前使用電漿處理基板1010。
根據一些實施例，可提供用於評估基板處理之結果的光學量測單元1494及/或用於接收基板1010上之電荷的一個或多個離子化單元1492。在一些實施方式中，可提供薄層電阻量測單元。例如，薄層電阻量測單元可配置為用於測量其上提供有根據本實施例之層堆疊的經過處理之基板的薄層電阻。
根據本揭露之具有雙層導電系統(透明導電氧化物層+接線圖案)的層堆疊相較於傳統的結構而言可傳送增強的電性效能。特別是，層堆疊可減少層堆疊之薄層電阻。如此能夠允許較大的觸控螢幕尺寸且可使電致變色玻璃或視窗之切換速率趨於一致。
雖然本揭露以實施例敘述如上，在不脫離本發明之基本範圍的情況下，可設計出其他和更進一步之實施例，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1、1080‧‧‧箭頭
10‧‧‧基板
100‧‧‧層堆疊
110‧‧‧透明導電氧化物層
120‧‧‧接線圖案
121‧‧‧寬度
122‧‧‧間距
300‧‧‧第一接線圖案
302‧‧‧垂直接線
310‧‧‧第二接線圖案
312‧‧‧對角接線
320‧‧‧第三接線圖案
322‧‧‧水平接線
324‧‧‧垂直接線
330‧‧‧第四接線圖案
332‧‧‧第一傾斜接線
334‧‧‧第二傾斜接線
400‧‧‧蜘蛛網狀接線圖案
404‧‧‧交叉接線
402‧‧‧封閉接線
502‧‧‧中央區域
504‧‧‧邊緣區域
600‧‧‧觸控螢幕面板
610‧‧‧第一層堆疊
612‧‧‧第一觸控接線
614‧‧‧第一鑽石型部分
616‧‧‧第一連接部分
620‧‧‧第二層堆疊
622‧‧‧第二觸控偵測接線
624‧‧‧第二鑽石型部分
626‧‧‧第二連接部分
630‧‧‧連接接線
800‧‧‧方法
810、820、830‧‧‧方塊
900、1000‧‧‧沉積設備
902、903‧‧‧真空腔室
904‧‧‧閥室
905‧‧‧閥單元
910‧‧‧滾軸
914‧‧‧載體
920‧‧‧第一沉積設置
921‧‧‧第一沉積源
922‧‧‧第二沉積源
923‧‧‧第一陰極
924‧‧‧陽極
925‧‧‧直流電力供應器
930‧‧‧第二沉積設置
932‧‧‧第二陰極
934‧‧‧交流電力供應器
1010‧‧‧基板
1020A‧‧‧第一腔室部分
1020A1‧‧‧葉間腔室部分單元
1020A2‧‧‧基板腔室部分單元
1020B‧‧‧第二腔室部分
1020C‧‧‧第三腔室部分
1100‧‧‧塗佈鼓
1105‧‧‧第二葉間滾軸
1120‧‧‧真空凸緣
1140‧‧‧縫隙閘
1192‧‧‧預處理電漿源
1194‧‧‧預加熱單元
1430‧‧‧結構化站
1492‧‧‧離子化單元
1494‧‧‧光學量測單元
1630‧‧‧沉積源
1701‧‧‧分隔牆
1764‧‧‧第一卷
1764’‧‧‧第二卷
1766‧‧‧第一葉間滾軸
第1圖繪示根據本文所述之實施例之適於使用在光電元件中的層堆疊的示意圖。 第2圖繪示根據本文所述之又一實施例之適於使用在光電元件中的層堆疊的剖面圖。 第3A-D圖繪示根據本文所述之實施例之接線圖案的示意圖。 第4圖繪示根據本文所述之實施例之蜘蛛網狀的接線圖案的示意圖。 第5圖繪示根據本文所述之實施例之接線間距不同的接線圖案的示意圖。 第6A圖繪示根據本文所述之實施例之光電元件的示意圖。 第6B圖繪示根據本文所述之實施例之第6A圖之光電元件的接線圖案的部分示意圖。 第7A-D圖繪示根據本文所述之又一實施例的接線圖案的示意圖。 第8圖繪示根據本文所述之實施例之適合使用於光電元件中的層堆疊的製造方法的流程圖。 第9圖繪示根據本文所述之實施例之用於製造層堆疊之沉積設備的示意圖。 第10圖繪示根據本文所述之實施例之用於製造層堆疊之另一沉積設備1000的示意圖。
100‧‧‧層堆疊
110‧‧‧透明導電氧化物層
120‧‧‧接線圖案
122‧‧‧間距

Claims (19)

  1. 一種適於使用在光電元件中的層堆疊，包括： 　　一透明導電氧化物層；以及 　　一接線圖案，一導電材料的該接線圖案係施加於該透明導電氧化物層， 　　其中，該透明導電氧化物層及該接線圖案係彼此電性接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案係施加於該透明導電氧化物層之一表面區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之層堆疊，其中該接線圖案覆蓋該透明導電氧化物層之該表面區域的一小部分。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案之一接線寬度係在1至50微米的範圍之中，或者是在2至4微米的範圍之中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案之一接線間距係在0.1至1毫米的範圍之中，或者是在0.2至0.3毫米的範圍之中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案之一接線間距係有所變化。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案之一接線寬度及一接線厚度之至少其一係有所變化。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案係選自於由具有複數條平行接線之一接線圖案、一鑽石形接線圖案、一矩形接線圖案及一蜘蛛網狀接線圖案所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該接線圖案之該導電材料包括選自於由銅、鋁、金、銀、鉬及其合金、接觸材料、黏附材料、抗氧化物及其之任意組合所組成之群組的至少一材料。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之層堆疊，其中該透明導電氧化物層係一銦錫氧化物層及一結構化透明導電氧化物層之至少其一。
  11. 如申請專利範圍第1至10項之任一項所述之層堆疊，其中該接線圖案包括2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線，其中該些2條或大於2條的第一接線之至少一條接線交叉於該些2條或大於2條的第二接線之至少一條接線。
  12. 如申請專利範圍第1至10項之任一項所述之層堆疊，其中該接線圖案覆蓋小於10%或小於1%之該透明導電氧化物層之一表面區域。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之層堆疊，其中該接線圖案覆蓋小於10%或小於1%之該透明導電氧化物層之一表面區域。
  14. 一種光電元件，包括如申請專利範圍第1至10項之任一項所述之層堆疊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之光電元件，其中該光電元件係選自於由電致變色玻璃或視窗、觸控螢幕面板、及光電元件所組成之群組。
  16. 一種適於使用在光電元件中的層堆疊的製造方法，包括： 沉積一透明導電氧化物層；以及 施加一導電材料之一接線圖案於該透明導電氧化物層， 其中，該透明導電氧化物層及該接線圖案係彼此電性接觸。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中施加該導電材料之該接線圖案於該透明導電氧化物層的步驟包括： 沉積該導電材料於該透明導電氧化物層之一表面上；以及 結構化該導電材料，以形成該接線圖案。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該接線圖案包括2條或大於2條的第一接線及2條或大於2條的第二接線，其中該些2條或大於2條的第一接線之至少一條接線交叉於該些2條或大於2條的第二接線之至少一條接線。
  19. 如申請專利範圍第16至18項之任一項所述之方法，其中該接線圖案覆蓋小於10%或小於1%之該透明導電氧化物層之一表面區域。
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