CN105144045A - 导电结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在本说明书中公开的是一种导电结构及其制备方法，所述导电结构包括基板、导电层、至少一个中间层和暗化层。所述导电结构能够改善光吸收度并且能够防止由导电层造成的反射而不影响其导电性，从而改善导电层的隐匿性。

Description

导电结构及其制造方法
技术领域
本申请要求享有2013年11月4日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0133201号韩国专利申请的优先权和权益，在此通过引用将其全部内容并入本文。
本说明书涉及一种导电结构体以及制造该导电结构体的方法。
背景技术
通常，触屏面板可以根据信号的检测方式分成以下几类。即，它们的例子包括在改变电流或电压值时施加直流电压的状态下检测当通过压力按压时的位置的电阻型，在施加交流电压的状态下使用电容耦合的电容型，在施加磁场的状态下检测由于电压改变而被选择的位置的电磁型等。
根据近来大面积触屏面板需要的增加，需要开发降低电极的电阻并实现具有优异的可见性的大尺寸触屏面板的技术。
现有技术文献
专利文献
第2010-0007605号公开的韩国专利申请
发明内容
技术问题
本申请致力于提供一种导电结构体，其可将对导电图案的导电性的影响减至最低，并且可降低导电图案的光反射率。
技术方案
本申请的一个示例性实施方式提供一种导电结构体，其包括：基板；在所述基板上设置的导电图案层；和在所述导电图案层的至少一个表面上设置的暗化图案层，其中，所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料。
本申请的另一个示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，其包括：制备基板；在所述基板上形成导电图案层；和在所述导电图案层的上表面、下表面或者上表面和下表面形成暗化图案层，其中，所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料。
在所述基于铜锰的材料中，b可以是Mn和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0.01以上且0.5以下，c可以是O和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0.05以上且0.6以下，d可以是N和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0以上且0.15以下，以及a可以是Cu和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为与除Cu之外成分的质量比的总和的剩余值。
本申请的又一个示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的触屏面板。
本申请的再一个示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的显示装置。
本申请的还一个示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的太阳能电池。
有益效果
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，可以将对导电图案层的导电性的影响减至最低，并且改善所述导电图案层的吸光度，由此防止所述导电图案层的光反射。因此，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体通过改善导电图案层的隐匿性而具有优异的可见性。
此外，通过使用根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以开发具有改善的清晰度的触屏面板和包含该触屏面板的显示装置和太阳能电池。
附图说明
图1至3显示根据本申请的一个示例性实施方式的导电结构体的层压结构。
图4显示通过使用Solidspec3700(紫外-可见光分光光度计,岛津公司(ShimadzuCorp.))根据600nm以上且750nm以下的波长，由测量根据实施例1至4的导电结构体的总反射率获得的结果。
图5显示根据对比实施例5和对比实施例6制造的暗化层的耐热试验结果。
图6显示根据实施例7、实施例10和实施例11制造的暗化层的耐热试验结果。
图7显示根据对比实施例7制造的导电结构体的反射率变化的模拟。
具体实施方式
在本申请中，将要理解的是，当称一个部件放置在另一个部件“上”时，所述部件能够与其他部件接触，或介入部件还可以存在于所述两个部件之间。
在本申请中，除非明确地描述相反，词语“包含”和词尾变化如“包含(动词形式)”或“包含(分词形式)”将理解为暗示进一步包含其他部件，不排除任意其他部件。
以下，将更加详细描述本申请。
在本说明书中，显示装置指所有电视或电脑的监视器，并且包括形成影像的显示部件和支撑所述显示部件的壳体。
所述显示部件的范例可包括：等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。可以在所述显示部件内设置用于实现影像的RGB像素图案和另外的滤光片。
与此同时，对于显示装置，随着智能电话、平板电脑、IPTV等的加速发展，对于使用人手作为直接输入装置而无需单独的输入装置(例如，键盘、远程控制器等)的触摸功能的需要不断增加。此外，还需要用于识别特定的点并记录的多触摸功能。
目前，大多数市售的触屏面板(TSP)是基于透明导电ITO薄膜，但是具有的问题在于，当应用具有大面积的触屏面板时，由于因ITO透明电极的相对高的表面电阻(最小值150Ω/□，由日东电工株式会(NittoDenkoCo.,Ltd.)生产的ELECRYSTA)造成的RC延迟，触摸识别速度降低并且为了克服降低的触摸识别速度需要引入另外的补偿芯片。
本申请的发明人已经研究了由具有几个Ω/□的水平的表面电阻值的金属精细图案代替透明ITO薄膜的技术。在这点上，本申请的发明人已经发现问题在于，在Ag、Mo/Al/Mo、Mo/Ti/Cu等(它们是具有高导电性的金属薄膜)用作触屏面板的电极的情况下，当实施具有预定形状的精细电极图案时，鉴于由高反射率造成的可见性，所述图案容易被人眼识别，以及由于外部光线的高反射率和雾度值，可能发生炫目等。
本申请的发明人发现图案化的层的光反射和衍射性能显著地影响在包括设置在有效屏幕部分内的导电金属精细图案的触屏面板中的导电金属精细图案的可见性的事实，并尝试对其进行改善。具体地，本发明的发明人发现，在目前的基于ITO的触屏面板中，由于ITO的高透光率，由导电图案的反射率导致的问题并不严重，但是在包括设置在所述有效屏幕部分内的导电金属精细图案的触屏面板中，导电金属精细图案的反射和暗化性能是重要的。
为了解决上述问题，本申请提供一种导电结构体，其可以区别于目前使用基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板，并且具有改善的金属精细图案电极的隐匿性和改善的对外部光线的反射和衍射性能。此外，在将根据本申请的示例性实施方式的导电层压体应用于电子装置的显示部分(如触屏面板)的情况下，可确保优异的导电性和可见性。
本申请的示例性实施方式提供一种导电结构体，其包括：基板；在所述基板上设置的导电图案层；和在所述导电图案层的至少一个表面上设置的暗化图案层，其中，所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料。
在所述基于铜锰的材料中，b可以是Mn和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0.01以上且0.5以下，c可以是O和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0.05以上且0.6以下，d可以是N和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为0以上且0.15以下，以及a可以是Cu和所述基于铜锰的材料的质量比，并且可为与除Cu之外成分的质量比的总和的剩余值。
在本说明书中，术语“导电性”指电的导电性。
此外，在本说明书中，术语“反射率”指光反射率，并且术语“折射率”指光折射率。
在所述基于铜锰的材料中，a至d的总和可以是1，并且a的值可指在所述基于铜锰的材料中除Mn、O和N的质量比之外的剩余质量比。
根据本申请的示例性实施方式，所述基于铜锰的材料可不包含N。具体地，根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以是0，并且c可以是0.25以上且0.6以下。
根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料不包含N的情况下，在所述基于铜锰的材料中O的质量比c可以是0.25以上且0.6以下。具体地，在所述基于铜锰的材料不包含N的情况下，在所述基于铜锰的材料中O的质量比c可以是0.3以上且0.55以下。
问题在于，在所述基于铜锰的材料不包含N的情况下，当O的质量比c小于0.25时，出现在150℃的高温情况下反射率高的区域，以减少暗化作用。
根据本申请的示例性实施方式，所述基于铜锰的材料可包含N。具体地，根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以是大于0且0.15以下。更具体地，根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以大于0且0.11以下。
根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以是大于0且0.15以下，并且c+d可以是0.15以上且0.6以下。具体地，在所述基于铜锰的材料包含N的情况下，O的质量比c可以是0.05以上且0.6以下。具体地，根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以是大于0且0.15以下，并且c+d可以是0.18以上且0.55以下。此外，根据本申请的示例性实施方式，在所述基于铜锰的材料中，d可以是大于0且0.15以下，并且c+d可以是0.25以上且0.52以下。
在所述基于铜锰的材料包含N的情况下，尽管O的质量比包含在0.25以下的范围内，但是即使在150℃的高温条件下仍可以保持暗化性能。具体地，尽管在所述基于铜锰的材料中O的质量比为0.25以下，但是在O和N的含量比的总和在0.15以上且0.6以下的范围内的情况下，在高温下可以很好地保持暗化图案层的暗化性能，此外，在高温下几乎不会出现暗化图案层的颜色变化。
根据本申请的示例性实施方式，所述暗化图案层可以通过沉积工艺形成。在此情况下，因为CuMn用作沉积工艺的源材料，所以所述暗化图案层包含基于铜锰的材料，并且在CuMn中Mn的含量可以是10质量％至50质量％。具体地，根据本申请的示例性实施方式，在包含基于铜锰的材料的暗化图案层通过所述沉积工艺形成的情况下，在所述基于铜锰的材料中Mn的质量比可具有0.1以上且0.5以下的值。根据本申请的示例性实施方式，作为沉积工艺的源材料的CuMn中的Mn的含量可以根据基于铜锰的材料的O和N的比来调节。
根据本申请的示例性实施方式，如果满足a至d的值，在所述基于铜锰的材料中的元素和分子之间的结合类型没有限制。
按照根据本申请的示例性实施方式的触屏面板，可以引入所述暗化图案层以便降低导电金属精细图案的反射率并改善吸光性能。所述暗化图案层可以设置在所述触屏面板中的导电图案层的至少一个表面上以大大改善由导电图案层的高反射率决定的可见性的降低。
具体地，因为所述暗化图案层具有高吸光度，所以可以减少在所述导电图案层上入射的光和从所述导电图案层中反射的光的量。因此，可以减少根据所述导电图案层的反射以缓解或移除炫目现象。由此，因为与用户直接观察所述导电图案层的情况比较，光的反射率可以减少，所以可以大大改善导电图案层的可见性。
在本说明书中，所述暗化图案层指能够具有吸光度来减少在所述导电图案层上入射的光和从所述导电图案层中反射的光的量的层，并且可以由如暗化层、光吸收层、经黑化的层和黑化层的术语来表示。
此外，所述暗化图案层由暗化图案形成，并且所述导电图案层由导电图案形成。暗化图案层的暗化图案可以由如光吸收图案、经黑化的图案和黑化图案的术语来表示。此外，以下将描述图案的形状。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，所述暗化图案层的消光系数k可以是0.2以上且2.5以下，优选0.4以上且1.2以下，并且更优选0.5以上且1.1以下。
所述消光系数k可以是在可见光波长区内测量的值，并且所述可见光区指波长为380nm以上且780nm以下的区域。
如果所述消光系数k为0.2以上，则有促进暗化的作用。所述消光系数k可以被称为吸收系数，并且是定义在预定波长下导电结构体吸收光有多强的指数和确定导电结构体的透光度的系数。例如，在透明介电材料的情况下，k<0.2，这是非常低的。但是，当所述材料中的金属成分的量增加时，所述k值增加。如果金属成分的量增加至预定量以上，则几乎不发生透射，通常，在金属上仅发生表面反射，并且所述消光系数k大于2.5，就暗化图案层的形成而言，这不是优选的。
根据本申请的示例性实施方式，所述导电结构体的暗化图案层的折射率可以是0以上且3以下，优选2以上且3以下，并且更优选2.2以上且2.8以下。
所述折射率可以是在可见光波长区内测量的值，并且所述可见光区指波长为380nm以上且780nm以下的区域。
根据本申请的示例性实施方式，当沉积金属以便形成所述暗化图案层时，消光系数k和与消光干涉有关的折射率n是重要因素。如果确保高消光系数和低折射率，最终，可以减少反射率来降低可见性。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，可以增加所述消光系数k值，并且可以通过将金属锰(Mn)加入到基于铜(Cu)的暗化图案层来减少反射率。此外，在包含锰(Mn)的情况下，可以防止铜的腐蚀来增加暗化图案层的耐久性。
在本申请的示例性实施方式中，所述导电结构体的总反射率可以是25％以下。
所述总反射率可以是在可见光波长区内测量的值，并且所述可见光区指波长为380nm以上至780nm以下的区域。
具体地，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，导电结构体的总反射率可以是20％以下，并且更具体地，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，导电结构体的总反射率可以是15％以下。或者，在600nm以上且750nm以下的波长区内，导电结构体的平均总反射率可以是20％以下。当所述总反射率减少时，暗化效果更优异。
所述总反射率可以在与所述暗化图案和所述导电图案相接触的表面的相对表面的方向上测量。当测量在这个方向上进行时，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，总反射率可以是20％以下，并且更具体地，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，总反射率可以是15％以下。或者，在600nm以上且750nm以下的波长区内，导电结构体的平均总反射率可以是20％以下。
此外，所述暗化图案可以设置在所述导电图案和所述基板之间，并且测量可以在基板侧进行。当所述总反射率在基板侧测量时，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，所述总反射率可以是20％以下，并且更具体地，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，所述总反射率可以是15％以下。或者，在600nm以上且750nm以下的波长区内，导电结构体的平均总反射率可以是20％以下。
根据本说明书的示例性实施方式，所述导电图案层可以设置在所述基板和所述暗化图案层之间，并且所述总反射率可以在其上设置有所述导电图案的基板的表面上测量。具体地，在从外部观察其上形成有所述导电图案的基板的表面的情况下，导电图案层的炫目效果可以通过所述暗化图案层来阻挡。
根据本申请的示例性实施方式，所述暗化图案层可以设置在所述基板和所述导电图案层之间，并且所述总反射率可以在其上设置有所述导电图案的基板的表面的相对表面上测量。具体地，在从外部观察其上未形成所述导电图案层的基板的下表面的情况下，导电图案层的炫目效果可以通过所述暗化图案层来阻挡。
通常，当总反射率为25％以下时，难以通过人眼识别所述表面，并且可见性低。因此，根据本申请的示例性实施方式的包括暗化图案层的导电结构体可具有通过减少由导电结构体的导电图案层的反射造成的被人眼识别的炫目而使可见性低的作用。即，当导电结构体的总反射率减少时，导电图案层的可见性降低，从而可以增加暗化图案层的效率。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，所述暗化图案层可包括与所述导电图案层接触的第一表面，和面对所述第一表面的第二表面。当导电结构体的总反射率在暗化图案层的第二表面侧上测量时，导电结构体的总反射率Rt可以通过以下等式1来计算。
[等式1]
总反射率(Rt)＝基板的总反射率+闭口率×暗化图案层的总反射率
此外，在配置导电结构体以便层压两种导电结构体的情况下，导电结构体的总反射率Rt可以通过以下等式2来计算。
[等式2]
总反射率(Rt)＝基板的总反射率+闭口率×暗化图案层的总反射率×2
在等式1和2中，基板的总反射率可以是触摸式强化玻璃的总反射率，并且在表面是膜的情况下，基板的总反射率可以是膜的总反射率。
此外，基于导电结构体的平面，所述闭口率可以由导电图案覆盖的区域的面积比(即，(1–开口率))来表示。
因此，有暗化图案层的情况和无暗化图案层的情况之间的差异取决于暗化图案层的总反射率。在这点上，与除了没有暗化图案层之外具有相同构造的导电结构体的总反射率R0相比，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的总反射率Rt可以减少10％以上且20％以下，20％以上且30％以下，30％以上且40％以下，40％以上且50％以下，或50％以上且70％以下。即，在等式1和2的情况下，当所述闭口率在1％以上且10％以下的范围内变化时，所述总反射率在1％以上且30％以下的范围内变化，可以显示出70％的最大总反射率减少的效果，并且可以显示出10％的最小总反射率减少的效果。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，所述暗化图案层包括与导电图案接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，并且当在所述暗化图案的第二表面侧上测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率(Rt)和基板的总反射率(R0)之间的差异可以是40％以下、30％以下，20％以下或10％以下。
根据本申请的示例性实施方式，基于CIE(国际照明委员会(CommissionInternationaledel'Eclairage))L*a*b*彩色坐标，导电结构体的亮度值L*可以是55以下。由于亮度L*降低，所以反射率降低来提供有益效果。
根据本申请的示例性实施方式，基于CIE(国际照明委员会)L*a*b*彩色坐标，导电结构体的色度a*和b*可分别为0以下。色度a*和b*表示色调和彩度，并且当色度a*和b*下降时，反射率下降来提供有益效果。
根据本申请的示例性实施方式，所述包括导电图案层和暗化图案层的导电结构体可具有大于0Ω/□且300Ω/□以下，优选1Ω/□以上且100Ω/□以下，更优选1Ω/□以上且50Ω/□以下，进一步优选1Ω/□以上且20Ω/□以下的表面电阻。
如果所述导电结构体的表面电阻是大于0Ω/□且300Ω/□以下，则具有代替现有ITO透明电极的作用。在所述导电结构体的表面电阻是1Ω/□以上且100Ω/□以下或1Ω/□以上且50Ω/□以下的情况下，并且特别地，在导电结构体的表面电阻是1Ω/□以上且20Ω/□以下的情况下，因为与使用现有ITO透明电极的情况相比所述表面电阻明显降低，所以当施加信号时RC延迟减小，从而显著改善触摸识别速度，并且在此基础上，可以容易地将导电结构体应用于具有7英寸以上大面积的触屏。
在所述导电结构体中，导电图案层或暗化图案层在图案化之前的表面电阻可以是大于0Ω/□且2Ω/□以下，并且优选为大于0Ω/□且0.7Ω/□以下。由于在图案化之前的导电图案层或暗化图案层的表面电阻减少，因此容易进行精细图案化设计和制造工艺，并且在图案化之后的导电结构体的表面电阻减少，从而有增加电极的反应速度的作用。所述表面电阻可以根据导电图案层或暗化图案层的厚度来调整。
根据本申请的示例性实施方式，暗化图案层的厚度可以是20nm以上且100nm以下，优选25nm以上且100nm以下，并且更优选30nm以上且80nm以下。暗化图案层的优选厚度可以根据使用的材料和制造工艺来改变。具体地，考虑到所述暗化图案层通过蚀刻工艺形成的情况，如果所述厚度小于20nm，则可能不容易调整工艺，而如果所述厚度大于100nm，则在生产速度方面有缺点。
具体地，在暗化图案层的厚度为25nm以上且100nm以下并且更优选30nm以上且80nm以下的情况下，容易调节工艺并改善生产速度，从而在制造工艺方面有更多的优点。在此情况下，反射率进一步减少来更好地形成所述暗化图案层，因此有更多的有益效果。
在本申请的示例性实施方式中，所述暗化图案层可进一步包含介电材料和金属中至少一种。所述介电材料的例子可包括SiO、SiO2、MgF2、SiNx(x为1或更大的整数)等，但是不局限于此。所述金属的例子可包括Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Ag等，但是不局限于此。根据本申请的示例性实施方式，所述暗化图案层可进一步包含一种或多种介电材料和一种或多种金属。
根据本申请的示例性实施方式，优选的是，分布所述介电材料使得所述介电材料的量随着所述介电材料变得更远离外部光线的入射方向而逐渐减少，而所述金属以其相反方式分布。在此情况下，所述介电材料的含量可以是20wt％以上且50wt％以下，并且所述金属的含量可以是50wt％以上且80wt％以下。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，透明板材可以用作基板，但是所述基板没有特别限制，并且例如，可以使用玻璃、塑料板、塑料薄膜等。
具体地，所述塑料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚酰胺(PA)。
在本申请的示例性实施方式中，所述导电图案层的厚度没有特别限制，但是当所述厚度为0.01μm以上且10μm以下时，在导电图案层的导电性和形成图案的工艺的经济可行性方面可以显示出更优异的效果。
根据本申请的示例性实施方式，所述导电图案层的厚度可以是0.01μm以上且10μm以下。
根据本申请的示例性实施方式，适合的是导电图案层的材料为具有1×106Ω·cm以上且30×106Ω·cm以下的电阻率的材料，并且优选地，所述电阻率可以是1×106Ω·cm以上且7×106Ω·cm以下。
具体地，根据本申请的示例性实施方式，所述导电图案层可包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物的一种或多种材料，并且所述材料可具有1×106Ω·cm以上且30×106Ω·cm以下的电阻率。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，优选的是，导电图案层的材料包括金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种。令人满意的是，导电图案层的材料为具有优异导电性并且容易蚀刻的金属材料。但是，通常，所述具有优异导电性的材料具有高反射率。但是，在本申请中，由于使用所述暗化图案层，所述导电图案层可以使用具有高反射率的材料形成。在本申请中，即使在使用具有70至80％或更大的反射率的材料的情况下，可以加入所述暗化图案层来减少反射率，改善导电图案层的隐匿性，并且保持或改善对比度性能。
根据本申请的示例性实施方式，所述导电图案层可包含选自铜、铝、银、钕、钼、镍、包含它们的两种或更多种的合金、包含它们的一种或多种的氧化物和包含它们的一种或多种的氮化物中的一种或多种。具体地，根据本申请的示例性实施方式，所述导电图案层可包含铜。
根据本申请的示例性实施方式，所述导电图案层可以是单层或多层结构。
在所述导电图案层包含铜的情况下，因为所述导电图案层能够与包含铜的暗化层一起经过成批蚀刻，所以生产工艺效率高并且成本降低了，这样是经济的。
此外，因为铜的电阻率值为1.7×10-6cm，所以铜比具有2.8×10-6cm的电阻率值的Al好。因此，在使用铜来形成满足大于0Ω/□且2Ω/□以下并且优选大于0Ω/□且0.7Ω/□以下的表面电阻值的导电图案层的情况下，与Al相比，铜可以更薄地形成。表面电阻可以根据导电图案层的厚度来调节。例如，为了满足0.6Ω/□以上且0.7Ω/□以下的表面电阻，就Al来说，表面电阻应为80nm以上且90nm以下，但是就Cu来说，表面电阻应为55nm以上且65nm以下，从而所述层可以以较小厚度形成，这样是经济的。
此外，因为在溅射工艺中Cu比Al具有大约2.5倍的更好产率，在理论上，可预期沉积速度增加4倍至5倍，因此，在生产工艺中，包含Cu的导电图案层具有高效率并且是经济的，因此是优异的。
在本申请的示例性实施方式中，所述暗化图案层可以设置在所述导电图案层的任意一个表面或两个表面上。具体地，所述暗化图案层可以设置在所述导电图案层的上表面，下表面或者上表面和下表面上。
根据本申请的示例性实施方式，可以同时或分别使暗化图案层的暗化图案和导电图案层的导电图案图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述暗化图案层和所述导电图案层可通过同时或单独的图案化工艺形成层压结构。关于这一点，所述层压结构与在导电图案中并入或分散至少部分光吸收材料的结构不同，或与单层导电图案表面侧的部分由另外的表面处理而造成物理或化学地形变的结构不同。
此外，在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化图案层可以直接设置在基板或导电图案层上，同时其间不插入附着层或粘合剂层。所述附着层或粘合剂层可能影响耐久性或光学性能。此外，制造根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的方法明显异于使用附着层或粘合剂层的情况。此外，与使用附着层或粘合剂层的情况相比，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体在基板或导电图案层和暗化图案层之间具有优异的界面性能。
根据本申请的示例性实施方式，所述暗化图案层可以由单层或者两层以上的多层形成。
根据本申请的示例性实施方式，优选的是暗化图案层具有基于无色的色调。在此情况下，所述基于无色的色调指当入射在物体表面上的光没有被选择性地吸收，而是被均匀反射和吸收至各成分的波长时显示的颜色。
暗化图案层由暗化图案形成，并且导电图案层由导电图案形成。在此，暗化图案层的暗化图案和导电图案层的导电图案可以是具有相同形状的图案。但是，暗化图案的范围可以不与导电图案的范围完全相同，并且暗化图案的线宽比导电图案的线宽窄或宽的情况也被包含在本申请的范围内。
根据本申请的示例性实施方式中，暗化图案可具有以下图案形状：所述图案形状的线宽小于或大于导电图案的线宽。例如，暗化图案的线宽可以是导电图案的线宽的80％以上且120％以下。
此外，在暗化图案层中设置的图案的面积可以是在导电图案层中设置的图案的面积的80％以上且120％以下。即，暗化图案的面积可以是导电图案的面积的80％以上且120％以下。
根据本申请的示例性实施方式，优选的是，暗化图案具有以下图案形状：所述图案形状的线宽等于或大于导电图案的线宽。
在暗化图案具有比导电图案的线宽大的线宽的情况下，因为较大幅度地提供当用户观察时暗化图案层覆盖导电图案层的效果，可以有效地阻挡由导电图案层的光泽或反射导致的影响。但是，即使暗化图案的线宽与导电图案的线宽相同，也能够实现本申请的目标效果。
在本申请的示例性实施方式中，导电图案的线宽可以是大于0μm且10μm以下，优选0.1μm以上且10μm以下，更优选0.2μm以上且8μm以下，并且进一步优选0.5μm以上且5μm以下。
在本申请的示例性实施方式中，导电图案层的开口率，即，没有被图案覆盖的面积的比例，可以是70％以上、85％以上或95％以上。此外，包含导电图案的导电图案层的开口率可以是90％以上且至99.9％以下，但是不局限于此。
在本申请的示例性实施方式中，所述导电图案可以是规则图案或不规则图案。
作为规则图案，可以使用如网状图案的本领域的图案形状。不规则图案没有特别限制，但可以是构成维诺图(Voronoidiagram)的图形的边界线形状。在本申请中，在暗化图案层是不规则的情况下，由具有方向性的光照引起的反射光线的衍射图案可以通过不规则图案来除去，并且通过暗化图案层可以使由光线的散射造成的影响最小化，从而可以使可见性的问题最小化。
图1至3显示根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的层压结构。图1至3显示导电图案层和暗化图案层的层压的顺序，并且当作为精细透明电极(如触屏面板)实际应用时，导电图案层和暗化图案层不会是整个表面层而是图案类型。
根据图1，显示暗化图案层200布置在基板100和导电图案层300之间的情况。当用户从基板侧观察触屏面板时，所述构造可以大大减少由导电图案层造成的反射。
根据图2，显示暗化图案层200布置在导电图案层300上的情况。当用户从基板侧的相对表面观察触屏面板时，所述构造可以大大减少由导电图案层造成的反射。
根据图3，显示暗化图案层200和220布置在基板100和导电图案层300之间以及在导电图案层300上的情况。在用户从基板侧观察触屏面板的情况和用户从基板侧的相对侧观察触屏面板的情况的所有情况下，所述构造可以大大减少由导电图案层造成的反射。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可具有在导电图案层的至少一个表面上设置暗化图案层的结构。
根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是基板、暗化图案层、导电图案层和暗化图案层被顺序层压的结构。此外，在最外面的暗化图案层上，导电结构体可包括另外的导电图案层和另外的暗化图案层。
即，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是基板/暗化图案层/导电图案层的结构、基板/导电图案层/暗化图案层的结构、基板/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层的结构、基板/导电图案层/暗化图案层/导电图案层的结构、基板/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层的结构、基板/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层/导电图案层/暗化图案层的结构等。
在以上描述中，导电图案层可以包含导电图案，并且暗化图案层可以包含暗化图案。
本申请的示例性实施方式提供包括导电结构体的触屏面板。例如，在电容式触屏面板中，根据本发明的示例性实施方式的导电结构体可以用作触敏式电极板使用。
本申请的示例性实施方式提供包括所述触屏面板的显示装置。
除了上述包括基板、导电图案层和暗化图案层的导电结构体之外，根据本申请的示例性实施方式的触屏面板还可进一步包括另外的结构体。在此情况下，两个结构体可以以相同的方向布置，或者两个结构体可以以彼此相反的方向布置。可以包括在本申请的触屏面板内的两个以上的结构体可以不具有相同的结构，并且仅任一个并优选最靠近用户的结构体可包括基板、导电图案层和暗化图案层，而另外包括的结构体可不包括暗化图案层。此外，在两个以上的结构体内的层压结构可以彼此不同。在包括两个以上结构体的情况下，可以在它们之间设置绝缘层。在此情况下，所述绝缘层可进一步具有粘合剂层的功能。
根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可包括下基板；上基板；和电极层，所述电极层设置在与上基板相接触的下基板的表面和与下基板相接触的上基板的表面中的任一表面上或者设置在这两个表面上。电极层可具有X-轴和Y-轴位置检测功能。
在此情况下，设置在下基板且与上基板相接触的下基板的表面上的电极层以及设置在上基板且与下基板相接触的上基板的表面上的电极层之一或两者可以是根据本申请的示例性实施方式的导电结构体。在仅任一电极层为根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的情况下，另一个电极层可具有本领域已知的导电图案。
在将电极层设置在上基板和下基板两者的一个表面上来形成双层电极层的情况下，可以在下基板和上基板之间设置绝缘层或隔离片，以便恒定地保持电极层之间的间隔并防止它们之间的连接。绝缘层可包括粘合剂或者UV或热固化性树脂。
触屏面板可进一步包括与导电结构体的导电图案连接的接地部。例如，所述接地部可以在基板的其上形成有导电图案的表面的边缘部分处形成。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置减反射膜、偏振膜和防指纹膜中的至少一种。除了上述功能膜，根据设计规范还可以进一步包括其他种类的功能膜。
所述触屏面板可应用于显示装置，如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和等离子体显示面板(PDP)。
在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，导电图案层和暗化图案层可以分别设置在基板的两个表面上。
根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可在导电结构体上进一步包括电极部或衬垫部。在此情况下，可以由相同的导体形成有效屏幕部、电极部和衬垫部。
在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，暗化图案层可以设置在用户观看的一侧。
本申请的示例性实施方式提供包括所述导电结构体的显示装置。在所述显示装置中，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以用于滤色板、薄膜晶体管板等中。
本申请的示例性实施方式提供包括所述导电结构体的太阳能电池。例如，所述太阳能电池可包括阳极电极、阴极电极、感光层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以用作阳极电极和/或阴极电极。
所述导电结构体可以代替在显示装置或太阳能电池中现有的ITO，并且可以利用其灵活性。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物和石墨烯等共同用作下一代透明电极。
本申请的示例性实施方式提供一种制造所述导电结构体的方法。具体地，本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，其包括：制备基板；在所述基板上形成导电图案层；和在所述导电图案层的上表面、下表面或者上表面和下表面形成暗化图案层，其中所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料。
基于铜锰的材料中的a至d与上述的相同。
根据本申请的示例性实施方式，导电图案层的形成可包括在基板上形成导电层，其中，暗化图案层的形成可包括在导电层的上表面、下表面或者上表面和下表面形成暗化层，并且可以通过使导电层和暗化层同时图案化来形成导电图案层和暗化图案层。
所述导电层包含构成导电图案层的材料，并且指在使导电图案层图案化之前形成的层。
所述暗化层包含构成暗化图案层的材料，并且指在使暗化图案层图案化之前形成的层。
根据本说明书的示例性实施方式，同时图案化可以是使用蚀刻剂的成批蚀刻。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成暗化图案层，和在形成所述暗化图案层之后形成导电图案层。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成导电图案层，和在形成所述导电图案层之后形成暗化图案层。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可进一步包括在基板上形成暗化图案层，在形成所述暗化图案层之后形成导电图案层，和在形成所述导电图案层之后形成暗化图案层。
本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，其包括在基板上形成导电层；在形成所述导电层之前、在形成所述导电层之后、或者在形成所述导电层之前和之后，形成包含基于铜锰材料的暗化层；以及分别或同时使所述导电层和所述暗化层图案化。
在本申请的示例性实施方式中，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成导电层，使所述导电层图案化，在所述图案化的导电层上形成暗化层，并且使所述暗化层图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成导电层，在所述导电层上形成暗化层，以及同时使所述两个层图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成暗化层，使所述暗化层图案化，在所述图案化的暗化层上形成导电层，以及使所述导电层图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成暗化层，在所述暗化层上形成导电层，以及同时使所述两个层图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成暗化层，使所述暗化层图案化，在所述图案化的暗化层上形成导电层，使所述导电层图案化，以及此外，在所述图案化的导电层上形成暗化层，并且使所述暗化层图案化。
根据本申请的示例性实施方式，所述制造导电结构体的方法可包括在基板上形成暗化层，在所述暗化层上形成导电层，在所述导电层上形成暗化层，以及同时使所述三个层图案化。
在本申请的制造导电结构体的方法中，当暗化层和导电层由两层或更多层形成时，可以分别或同时使暗化层和导电层图案化。
在制造导电结构体的方法中，图案化之前的导电图案层或者暗化图案层的表面电阻可以是大于0Ω/□且2Ω/□以下，并且优选大于0Ω/□且0.7Ω/□以下。如果所述表面电阻是2Ω/□以下，并且尤其是0.7Ω/□以下，由于图案化之前的导电图案层或暗化图案层的表面电阻减少，所以容易进行精细图案化设计和制造工艺，并且图案化之后的导电结构体的表面电阻减少，从而有增加电极的响应速度的作用。
在本申请的示例性实施方式中，在暗化层或暗化图案层的形成中，暗化图案或暗化图案层可以通过使用本领域中已知的方法来形成。例如，暗化图案或暗化图案层可以通过如沉积、溅射、湿涂法、蒸镀、电解电镀、化学电镀和层压金属箔的方法来形成，并且优选溅射法。
根据本申请的示例性实施方式，暗化图案层的形成可采用沉积工艺。具体地，在含有Mn的Cu用作源材料来形成暗化层之后，所述暗化层可以通过蚀刻工艺等来图案化。此外，可以分别沉积Cu和Mn来形成暗化图案层。在将包含Mn的Cu用作源材料进行沉积的情况和Cu和Mn各自用作源材料进行沉积的情况的所有情况下，蚀刻能够通过使用Cu蚀刻剂来进行。因此，在导电图案层包含Cu的情况下，可以通过使用Cu蚀刻剂对导电图案层和暗化图案层进行成批蚀刻以经由一个工艺进行图案化。所述源材料指溅射工艺中的靶材。
根据本说明书的示例性实施方式，在通过使用Cu和Mn的各自的源材料来进行沉积的情况下，因为可以调节Cu和Mn的相对比，所以在暗化和耐久性性能方面的调节是容易的。
在使用沉积工艺的情况下，氧和氮的加入可以通过在真空环境下引入气体来调节。
形成导电图案层的方法没有特别限制，并且所述导电图案层可以通过直接印刷法来形成，或可以使用在形成导电层之后使所述导电层图案化的方法。
根据本申请的示例性实施方式，在通过印刷法来形成导电图案层的情况下，可以使用导电材料的油墨或膏剂，并且除导电材料外，所述膏剂可进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃料等。
在形成导电层之后使导电层图案化的情况下，可以使用具有防蚀涂层性能的材料。
根据本申请的示例性实施方式，导电图案层可以通过如沉积、溅射、湿涂法、汽化、电解电镀或化学电镀和层压金属箔的方法来形成。在板材上涂布有机金属、纳米金属或它们的复合溶液然后通过烧制和/或干燥来提供导电性的方法可以作为形成导电图案层的方法使用。有机银可以作为有机金属使用，并且纳米银粒子等可以作为纳米金属使用。
根据本申请的示例性实施方式，导电图案化可以通过采用使用防蚀涂层图案的方法来形成。可以通过使用印刷法、光刻胶法、照相法、使用掩膜的方法或激光转印(例如，热转印成像)等来形成防蚀涂层图案，并且更优选印刷法和光刻胶法，但是所述方法不局限于此。导电薄膜层可以通过使用防蚀涂层图案来蚀刻以使其图案化，并且防蚀涂层图案可以通过剥脱法而被容易地除去。
以下，将参考实施例、对比实施例和实验实施例更加详细描述本申请。但是，提出以下实施例、对比实施例和实验实施例用于说明本申请，但本申请的范围不局限于此。
<实施例1>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用Cu-Mn合金靶材在所述导电层上形成厚度为46nm并包含基于铜锰的材料的暗化层。此外，通过成批蚀刻使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<实施例2>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用Cu-Mn合金靶材在所述导电层上形成厚度为52nm并包含基于铜锰的材料的暗化层。此后，通过成批蚀刻使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<实施例3>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用Cu-Mn合金靶材在所述导电层上形成厚度为61nm并包含基于铜锰的材料的暗化层。此后，通过成批蚀刻使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<实施例4>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用Cu-Mn合金靶材在所述导电层上形成厚度为70nm并包含基于铜锰的材料的暗化层。此后，通过成批蚀刻使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<对比实施例1>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用CuO单一靶材在所述导电层上形成包含一氧化铜且厚度为35nm的暗化层。此外，通过蚀刻工艺使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<对比实施例2>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用CuO单一靶材在所述导电层上形成包含一氧化铜且厚度为50nm的暗化层。此外，通过蚀刻工艺使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<对比实施例3>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Cu单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为60nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用CuO单一靶材在所述导电层上形成包含一氧化铜且厚度为60nm的暗化层。此外，通过蚀刻工艺使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
<对比实施例4>
通过直流电源溅射(DC溅射)法使用Al单一靶材在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上形成厚度为80nm的导电层。通过射频溅射(RF溅射)法使用CuO单一靶材在所述导电层上形成包含一氧化铜且厚度为50nm的暗化层。此外，通过蚀刻工艺使所述导电层和暗化层图案化来制造导电结构体。
图4显示使用Solidspec3700(紫外-可见光分光光度计,岛津公司)，根据600nm以上且750nm以下的波长，测量根据实施例1至4的导电结构体的总反射率获得的结果。如图4可见，测量的是根据实施例的导电结构体具有低反射率，其为通过减少由暗化图案层造成的导电图案层的反射率而获得的结果。
此外，根据实施例1至4和对比实施例1至4的导电结构体的平均总反射率在下表1中描述。
[表1]
分类 平均总反射率(％)
实施例1 6.4
实施例2 2.6
实施例3 2.9
实施例4 5.0
对比实施例1 25.2
对比实施例2 21.6
对比实施例3 18.2
对比实施例4 23.2
如表1所示，可见根据实施例的导电结构体的总反射率低于根据对比实施例的导电结构体的总反射率。即，可见，与使用一氧化铜的暗化图案层相比较，根据实施例的使用基于铜锰的材料的暗化图案层具有进一步改善导电图案的隐匿性的作用。
通过椭率计来测量根据实施例1至4的导电结构体的光学常数平均折射率n和平均消光系数k，结果，在600nm以上且750nm以下的波长处的平均折射率为2.68且平均消光系数为0.69。
通过椭率计来测量根据对比实施例1至4的导电结构体的光学常数平均折射率n和平均消光系数k，结果，在600nm以上且750nm以下的波长处的平均折射率为2.48平均消光系数为0.25。
因此，可见，与根据对比实施例的导电结构体相比较，根据实施例的导电结构体具有相似折射率和较高消光系数值。因此，可见根据本申请的导电结构体具有改善导电图案的隐匿性的作用。
根据实施例1至4的导电结构体的色差值和暗化图案层的颜色在下表2中描述。
[表2]
从表2的结果可见，根据实施例的导电结构体的暗化图案层具有低色度和亮度，从而可有效防止导电图案层的炫目现象。
在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，为了测量暗化图案层的耐热可靠性，进行根据以下实施例5至11和对比实施例5和6的实验。
<对比实施例5>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为0％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<对比实施例6>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为10％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例5>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为20％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例6>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为29％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例7>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为50％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例8>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为71％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例9>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为77％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例10>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氧馏分为100％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
<实施例11>
在通过使用Cu在板材上形成金属层之后，在氮馏分为100％的气氛下通过射频溅射(RF溅射)法使用包含10质量％的Mn的Cu-Mn合金靶材在所述金属层上形成厚度为46nm的暗化层。
进行本实验来测量所述暗化层的耐热性，并且省略单独图案化工艺。
通过测量由对比实施例5和6以及实施例5至11形成的暗化层的各元素的成分比获得的结果在下表3中描述。
[表3]
此外，使根据对比实施例5、对比实施例6、实施例7、实施例10和实施例11制造的暗化层在150℃的气氛下经过耐热试验24小时来观察暗化层是否损坏。
图5显示根据对比实施例5和对比实施例6制造的暗化层的耐热试验结果。
图6显示根据实施例7、实施例10和实施例11制造的暗化层的耐热试验结果。
图5和6的结果相互对比，可以确认，当使根据对比实施例的暗化层经过耐热试验时，暴露下部金属层。但是，可以确认，在根据实施例的暗化层中，即使进行耐热试验，仅看到色调的改变，而没有暴露下部金属层。这意味着，因为根据实施例的暗化层具有更优异的耐热性能，即使当将暗化层应用于产品或工艺条件时形成高温气氛，亦可以有效防止金属图案层的炫目现象。
此外，从根据实施例11的结果可见，可以确认，在包括在暗化层中的基于铜锰的材料含有N时，即使O含量低，与对比实施例的O含量在同一水平，仍可有效地执行暗化功能，此外，可见，即使使暗化层经过耐热试验，亦具有几乎看不到色调改变的效果。
<对比实施例7>
在ZnO用作暗化图案层的材料的情况下，为了确认是否实现暗化性能，将由ZnO形成的图案层在形成在板材上的铜图案层上形成以制造导电结构体。此外，模拟在由ZnO形成的图案层的厚度为20nm、30nm、40nm、50nm、60nm和100nm情况下的导电结构体的反射率的改变。
图7显示根据对比实施例7制造的导电结构体的反射率改变的模拟。
从图7的结果可见，在作为金属氧化物之一的ZnO中，有在可见光区反射非常大的部分，从而不能有效防止下部导电图案层的炫目现象。
[附图标记说明]
100：基板
200：暗化图案层
220：暗化图案层
300：导电图案层

Claims (25)

1.一种导电结构体，其包括：
基板；
在所述基板上设置的导电图案层；和
在所述导电图案层的至少一个表面上设置的暗化图案层，
其中，所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料，
在所述基于铜锰的材料中，
b为Mn和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0.01以上且0.5以下，
c为O和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0.05以上且0.6以下，
d为N和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0以上且0.15以下，以及
a为Cu和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为与除Cu之外成分的质量比的总和的剩余值。
2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在所述基于铜锰的材料中，d为0，并且c为0.25以上且0.6以下。
3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在所述基于铜锰的材料中，d为大于0且0.15以下，并且c+d为0.15以上且0.6以下。
4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为25％以下。
5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，所述导电结构体的总反射率为20％以下。
6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，相对于在波长为600nm以上且750nm以下的光中具有至少一个波长的光，所述导电结构体的总反射率为15％以下。
7.根据权利要求2所述的导电结构体，其中，所述导电图案层设置在所述基板和所述暗化图案层之间，并且在其上设置有所述导电图案的基板的表面上测量总反射率。
8.根据权利要求2所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层设置在所述基板和所述导电图案层之间，并且在其上设置有所述导电图案的基板的表面的相反表面上测量总反射率。
9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层的消光系数k为0.2以上且2.5以下。
10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层的消光系数k为0.4以上且1.2以下。
11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层的折射率为0以上且3以下。
12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层的折射率为2以上且3以下。
13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化图案层的厚度为20nm以上且100nm以下。
14.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻为大于0Ω/□且300Ω/□以下。
15.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，在所述导电结构体中，基于CIEL*a*b*彩色坐标，亮度L*为55以下，并且色度a*和b*为0以下。
16.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案层的厚度为0.01μm以上且10μm以下。
17.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料，并且
所述材料具有1×106Ω·cm以上且30×106Ω·cm以下的电阻率。
18.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案层包含选自铜、铝、银、钕、钼、镍、包含它们的两种或更多种的合金、包含它们的一种或多种的氧化物和包含它们的一种或多种的氮化物中的一种或多种。
19.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电图案层的图案的线宽为10μm以下。
20.一种触屏面板，其包括：
根据权利要求1至19中任意一项所述的导电结构体。
21.一种显示装置，其包括：
根据权利要求1至19中任意一项所述的导电结构体。
22.一种太阳能电池，其包括：
根据权利要求1至19中任意一项所述的导电结构体。
23.一种制造导电结构体的方法，其包括：
制备基板；
在所述基板上形成导电图案层；和
在所述导电图案层的上表面、下表面或者上表面和下表面形成暗化图案层，
其中，所述暗化图案层包含由CuaMnbOcNd表示的基于铜锰的材料，
在所述基于铜锰的材料中，
b为Mn和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0.01以上且0.5以下，
c为O和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0.05以上且0.6以下，
d为N和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为0以上且0.15以下，以及
a为Cu和所述基于铜锰的材料的质量比，并且为与除Cu之外成分的质量比的总和的剩余值。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述导电图案层的形成包括在所述基板上形成导电层，
其中，所述暗化图案层的形成包括在所述导电层的上表面、下表面或者上表面和下表面形成暗化层，并且
所述导电图案层和所述暗化图案层通过导电层和暗化层的同时图案化来形成。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，在所述同时图案化中，通过使用蚀刻剂进行成批蚀刻。
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