KR102127545B1 - 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극 - Google Patents

전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극에 관한 것이다.

Description

전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF AND ELECTRODE COMPRISING CONDUCTIVE STRUCTURE BODY}
본 출원은 2015년 12월 07일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2015-0173536호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치는 최근 멀티 미디어 사회에서 사용되는 가장 중요한 디스플레이 장치로서, 휴대 전화로부터 컴퓨터용 모니터, 노트북, 텔레비전(Television)에 이르기까지 폭 넓게 이용되고 있다. 액정 디스플레이 장치로는 2장의 직교한 편광판 사이에 네마틱(Nematic) 액정을 트위스트(Twist) 배열시킨 액상 결정층을 개재시킨 다음, 전계를 기판에 대하여 수직인 방향에 걸리게 하는 TN 모드가 있다. 이러한 TN 모드 방식에서는 검은색 표시시 액정이 기판에 수직한 방향으로 배향하기 때문에, 경사진 시야각에서 액정 분자에 의한 복굴절이 발생하고 빛 누출이 일어난다.
이러한 TN 모드 방식의 시야각 문제를 해결하기 위해서, 하나의 기판 상에 두개의 전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)가 도입되었다. 즉, IPS 모드 방식은 면상 스위칭 액정 디스플레이 또는 횡전계방식 액정 디스플레이라고도 불리우며, 액정이 배치되는 셀 내에 전극을 같은 면상에 배치함으로써 액정이 수직방향으로 정렬되는 것이 아니라 전극의 횡방향 면에 평행하게 정렬되도록 한다.
다만, IPS 모드 방식의 경우, 화소 전극 및 공통 전극의 높은 광반사도에 의하여 고화질 구현이 곤란한 문제가 발생할 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0007605호
본 명세서는 고화질의 디스플레이 구현이 가능한 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층의 적어도 일면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고, 상기 광반사 저감층은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상, Zn 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 포함하는 것인 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광반사 저감층은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상, Zn 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전극을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전극을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 금속층의 광반사율을 제어하여, 낮은 광반사율을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 미세 선폭의 낮은 광반사율을 갖는 전도성 라인을 구비하여, 높은 시인성을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 디스플레이 장치와 같은 전자 소자에 적용하는 경우, 공정 환경에 따른 전도성 구조체의 전기 전도도의 하락을 최소화할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 패턴화된 경우의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 5는 실시예 1에 따른 전도성 구조체에 있어서, 광반사 저감층 표면에서의 광반사율을 나타낸 것이다.
도 6은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 실시예 2의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다.
도 7은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다.
도 8은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 비교예 2의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 at%는 광반사 저감층을 구성하는 물질 100%를 기준으로 한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층의 적어도 일면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고, 상기 광반사 저감층은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상; Zn; 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 포함하는 것인 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Al, Ni 및 Nb 중 하나 또는 두 개; Zn; 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물 또는 산질화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Al, Ni 및 Nb 중 하나 또는 두 개; Zn; 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn을 필수적으로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn을 필수적으로 포함하고, 상기 Zn의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 5 at% 이상 30 at% 이하, 또는 15 at% 이상 30 at% 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 광반사 저감층은 Zn을 필수적으로 포함하고, 상기 Zn의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 20 at% 이상 30 at% 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 O를 필수적으로 포함하고, 상기 O의 함량은 15 at% 이상 50 at% 이하, 또는 25 at% 이상 50 at% 이하 일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn을 5 at% 이상 30 at% 이하의 함량으로 포함하고, O를 15 at% 이상 55 at% 이하의 함량으로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Cu를 1 at% 이상 10 at% 이하의 함량으로 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Cu를 5 at% 이상 10 at% 이하의 함량으로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고, 상기 Zn의 함량은 20 at% 이상 30 at% 이하이며, 상기 Cu의 함량은 1 at% 이상 10 at% 이하이고, 상기 Al의 함량은 30 at% 이상 40 at% 이하이며, 상기 O의 함량은 25 at% 이상 45 at% 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Zn을 25 at% 이상 30 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Cu를 4 at% 이상 6 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Al을 33 at% 이상 38 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 O를 25 at% 이상 35 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 Zn의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 20 at% 이상 30 at% 이하이며, 상기 Ni의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 20 at% 이상 30 at% 이하이고, 상기 Nb의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 5 at% 이상 15 at% 이하이며, 상기 Cu의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 1 at% 이상 10 at% 이하이고, 상기 O의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 15 at% 이상 50 at% 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Zn을 20 at% 이상 25 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Ni을 23 at% 이상 28 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Nb을 5 at% 이상 10 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 Cu를 1 at% 이상 5 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고, 상기 광반사 저감층은 O를 30 at% 이상 40 at% 이하로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 30 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 광반사 저감층의 두께가 10 ㎚ 미만인 경우, 상기 제1 금속층에 의한 높은 광반사도를 충분히 낮추지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 광반사 저감층의 두께가 100 ㎚ 초과인 경우, 상기 광반사 저감층을 패턴화하기 곤란한 문제가 발생할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 25 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 20 % 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 15 % 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 1 % 이상일 수 있다.
상기 평균 광반사율은 상기 전도성 구조체가 시야에 노출되는 면에서 측정된 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은, 상기 금속층의 기재와 인접한 면 상에 구비된 것일 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 기재(100), 광반사 저감층(300) 및 금속층(200)이 순차적으로 구비된 전도성 구조체를 도시한 것이다. 다만, 도 2의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은, 상기 금속층의 기재와 인접한 면의 반대 면 상에 구비될 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 기재(100), 금속층(200) 및 광반사 저감층(300)이 순차적으로 구비된 전도성 구조체를 도시한 것이다. 다만, 도 1의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은, 상기 금속층의 기재와 인접한 면 및 상기 금속층의 기재와 인접한 면의 반대 면 상에 각각 구비될 수 있다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 3은 기재(100), 광반사 저감층(300), 금속층(200) 및 광반사 저감층(300)이 순차적으로 구비된 전도성 구조체를 도시한 것이다. 다만, 도 3의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층 및 상기 광반사 저감층은, 각각 복수의 개구부를 포함하는 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 금속층의 패터닝을 통하여 형성된 것일 수 있다,
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감 패턴층은 상기 광반사 저감층의 패터닝을 통하여 형성된 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 복수의 개구부와 이를 구획하는 금속 라인을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감 패턴층은 복수의 개구부와 이를 구획하는 광반사 저감 라인을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감 라인은 상기 금속 라인의 적어도 일면 상에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감 패턴층은 상기 금속 패턴층의 적어도 일면 상에 구비된 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 광반사 저감 패턴층은 상기 금속 패턴층과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 금속 패턴층 및 상기 광반사 저감 패턴층은 각각 인접하는 패턴층의 선폭과 완전히 동일할 필요는 없으며, 인접하는 패턴층의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 명세서의 범위에 포함된다. 구체적으로, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭은 상기 금속 패턴층의 선폭의 80% 이상 120% 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭은 상기 금속 패턴층의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태일 수 있다.
상기 광반사 저감 패턴층이 상기 금속층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 광반사 저감 패턴층이 금속 패턴층을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 금속층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭이 상기 금속 패턴층의 선폭과 동일하여도 광반사 저감의 효과를 달성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 상기 광반사 저감 패턴층은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 패턴층 및 상기 광반사 저감 패턴층은 패터닝 과정을 통하여 상기 기재 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다.
구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴 형태를 불규칙 패턴으로 하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 광반사 저감 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 광반사 패턴층의 선폭은, 각각 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 광반사 패턴층의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있고, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 또는 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 패턴층 및 광반사 패턴층의 선폭은 상기 전도성 구조체의 최종 용도에 따라 설계될 수 있다.
상기 금속 패턴층 및 광반사 패턴층의 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛ 초과이면 시인성이 떨어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 광반사 패턴층의 인접하는 패턴 라인 간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 0.1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및 상기 광반사 저감 패턴층은 미세 선폭의 패턴으로 구현될 수 있으므로, 이를 포함하는 전극은 우수한 시인성을 구현할 수 있다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 패턴화된 경우의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 4는 기재(100), 금속 패턴층(210) 및 광반사 저감 패턴층(310)이 순차적으로 구비된 것을 나타낸다. 다만, 도 4의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다. 도 4에서 a는 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층의 선폭을 의미하고, b는 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층의 인접하는 패턴 라인 간의 선간격을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 크롬 중 적어도 하나의 금속, 상기 금속 중 2 이상을 포함하는 합금, 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 알루미늄을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 층은 알루미늄으로 이루어진 것일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 알루미늄을 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물을 일부 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 금속층은 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있으므로, 상기 금속층의 두께는 100 nm 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 투명 기재일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다. 또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 액정 디스플레이 소자의 절연층일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재는 상기 금속층이 구비되는 임의의 부재일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재와 상기 금속층 사이에 투명 전도성층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층으로는 투명 전도성 산화물층이 사용될 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물로는 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 인듐아연주석 산화물 및 비결정성 투명 전도성 고분자 등을 사용할 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층은 인듐주석산화물층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층의 두께는 15 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 투명 전도성층은 전술한 투명 전도성층용 재료를 이용하여 증착 공정 또는 인쇄 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 85 ℃ 및 상대습도 85 %의 고온-다습 분위기에서 5일 경과 후의 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율 변화량은 50 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 85 ℃ 및 상대습도 85 %의 고온-다습 분위기에서 5일 경과 후의 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율의 변화량은 음의 값을 갖는 것일 수 있다. 즉, 상기 전도성 구조체는 상기 고온-다습 분위기를 거친 후 평균 광반사율이 더욱 낮아질 수 있다.
상기 평균 광반사율 변화량(%)은 ((상기 고온-다습 분위기를 거친 후의 평균 광반사율/초기의 평균 광반사율)-1)×100으로 계산될 수 있다.
상기 초기의 평균 광반사율은 상기 고온-다습 분위기를 거치기 전의 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 고온-다습 분위기를 거치더라도, 광반사 저감층의 물성 변화가 크게 발생하지 않으므로, 상기 전도성 구조체의 제조 과정, 유통과정, 전자소자에 적용되어 사용되는 과정에서 우수한 내구성을 나타낼 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광반사 저감층은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상; Zn; 및 Cu를 포함하는 금속의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법에 있어서, 기재, 금속층, 광반사 저감층, 금속 패턴층, 광반사 저감 패턴층 등의 구성은 전술한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 형성하는 단계 이후에 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계가 수행될 수 있다. 또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계 이후에 상기 금속층을 형성하는 단계가 수행될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 형성하는 단계는, 상기 기재의 일면 상에 전면층으로 형성하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 상기 금속층의 일면 상에 전면층으로 형성하는 것일 수 있다.
상기 전면층이란, 대상 부재가 형성되는 하부의 부재의 일면의 80 % 이상의 면적 상에 물리적으로 연속되는 하나의 측 또는 막이 형성된 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 전면층은 패턴화가 되기 전의 하나의 층을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 형성하는 단계 및 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 각각 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층을 형성하는 단계 및 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 각각 증착 또는 스퍼터링 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 인쇄 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 인쇄 방법은 금속을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 금속 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 Zn, Cu, Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물 및 상기 금속의 산질화물 중 1종 이상을 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 1종 이상의 금속과 금속 산화물을 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 Zn, Cu, Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물 및 상기 금속의 산질화물 중 1종 이상을 스퍼터링 타겟으로 하는 코-스퍼터링(co-sputtering) 방법을 이용하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 1종 이상의 금속과 금속 산화물을 스퍼터링 타겟으로 하는 코-스퍼터링(co-sputtering) 방법을 이용하는 것일 수 있다.
상기 코-스퍼터링 방법은 반응성 공정이 아니므로, 증착시 적절한 가스 분율을 고려할 필요가 없으며, DC power로만 구현이 가능한 이점이 있다. 또한 금속 산화물 및 금속의 스퍼터링 타겟의 적절한 성분을 조합하는 경우, 스퍼터링 타겟의 종류를 줄일 수 있으며, 금속 산화물에 도핑된 이종의 금속을 조절하여 스퍼터링 타겟으로 적용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물 또는 상기 금속의 산질화물은 이종의 금속이 도핑된 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 산화물은 ZnO, AZO(Al doped ZnO), Al2O3, Cu2O, CuO, SiO2, SiO, ZrO2 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 스퍼터링 타겟은 Zn, Cu, Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co로부터 선택되는 1종 이상의 금속과, ZnO, AZO, Al2O3, Cu2O, CuO, AlN, TiN, SiO2, SiO, ZrO2 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 Zn을 포함하는 금속 산화물과 Cu, Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 3종 또는 4종의 금속을 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 AZO 및 Cu를 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 ZnO, Cu, Ni 및 Nb를 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 산소 분위기, 질소 분위기 또는 산소와 질소 분위기에서 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층 및 상기 광반사 저감층을 패터닝하여, 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패터닝 단계는, 상기 금속층 및 상기 광반사 저감층을 동시에 패터닝하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패터닝 단계는 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다. 에칭 레지스트는 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 건식 필름 레지스트 방법, 습식 레지스트 방법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이저 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있으며, 구체적으로, 건식 필름 레지스트 방법을 이용할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 금속층 및/또는 광반사 저감층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패터닝 단계는, 에칭액을 이용하여 상기 금속층과 상기 광반사 저감층을 일괄 에칭하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 금속층과 상기 광반사 저감층이 동종의 금속을 포함하는 경우, 상기 금속층과 상기 광반사 저감층은 동일한 에천트를 이용하여 식각을 할 수 있으므로, 상기 금속층과 상기 광반사 저감층을 일괄 에칭할 수 있는 장점 또한 가지고 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전극을 제공한다.
본 명세성의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 터치 패널용 전극, 액정 디스플레이용 전극, 또는 OLED 디스플레이용 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 전극을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 터치 스크린 패널의 터치 센서용 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 액정 디스플레이 장치의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다. 구체적으로, 상기 전극은 IPS 액정 디스플레이 장치에서의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 OLED 디스플레이 장치의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 OLED 조명 장치의 화소 전극일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[실시예 1]
PET 기재를 스터터링 챔버에 로딩한 후 약 3 × 10-6 Torr의 진공을 유지하였다. 그리고, Al 스퍼터링 타겟에 DC power를 이용하여 약 100 ㎚의 금속층을 형성하였다. 상기 금속층 상에 Cu 스퍼터링 타겟과 AZO(Al doped ZnO) 스퍼터링 타겟을 코-스퍼터링(co-sputtering)하여 광반사 저감층을 형성하였다. 상기 Cu 스퍼터링 타겟과 AZO(Al doped ZnO) 스퍼터링 타겟은 DC power를 이용하여 각각의 파워를 조절하여 약 50 ㎚ 두께의 광반사 저감층을 구현하였다. 본 실시예 1은 전도성 구조체의 성능을 알아보기 위한 것으로서, 패터닝 과정은 생략하였다.
도 5는 실시예 1에 따른 전도성 구조체에 있어서, 광반사 저감층 표면에서의 광반사율을 나타낸 것이다.
또한, 하기 표 1은 상기 광반사 저감층의 원소 함량(at%)을 나타낸 것이다.
원소 원소 함량(at%)
Al 34.6
O 30.7
Zn 28.7
Cu 6
합계 100
[실시예 2]
PET 기재를 스터터링 챔버에 로딩한 후 약 3 × 10-6 Torr의 진공을 유지하였다. 그리고, Al 스퍼터링 타겟에 DC power를 이용하여 약 100 ㎚의 금속층을 형성하였다. 상기 금속층 상에 DC power를 이용하여 Cu, Nb, Ni을 포함하는 스퍼터링 타겟과 ZnO 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 공정으로 광반사 저감층을 형성하였다. 본 실시예 2는 전도성 구조체의 성능을 알아보기 위한 것으로서, 패터닝 과정은 생략하였다.
실시예 2에 따라 제조된 전도성 구조체의 광반사 저감층의 원소 함량(at%)은 하기 표 2와 같다.
원소 원소 함량(at%)
Zn 24.8
Ni 25.5
O 37.7
Nb 9.1
Cu 2.9
합계 100
실시예 1에 따라 제조된 전도성 구조체에 있어서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 11.1 % 였다.
[비교예 1]
PET 기재 상에 Cu 스퍼터링 타겟을 이용하여 약 80 ㎚ 두께의 금속층을 형성하였다. 상기 금속층 상에 산소 가스와 질소 가스를 주입하며 반응성 스퍼터링 공정으로 약 40 ㎚ 두께의 구리-산질화물층을 형성하였다.
비교예 1에 따라 제조된 전도성 구조체에 있어서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 17.2 % 였다.
[ 비교예 2]
PET 기재 상에 Cu 스퍼터링 타겟을 이용하여 약 150 nm 두께의 금속층을 형성하였다. 상기 금속층 상에 산소 가스를 주입하며 DC Power를 이용하여 Cu 스퍼터링 타겟과 NiCr 스퍼터링 타겟을 코-스퍼터링(co-suttering)하여 광반사 저감층을 형성하였다. 상기 Cu 스퍼터링 타겟과 NiCr 스퍼터링 타겟은 DC Power를 이용하여 각각의 파워를 조절하여 약 50 nm 두께의 광반사 저감층을 구현하였다.
비교예 2에 따라 제조된 전도성 구조체의 광반사 저감층의 원소 함량(at%)은 하기 표 3과 같다.
원소 원소 함량(at%)
O 40.8
Ni 12.8
Cu 44.3
Cr 2.1
합계 100
비교예 2에 따라 제조된 전도성 구조체에 있어서, 380 nm 내지 780 nm 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 15.7% 였다.
[실험예 1] - 항온 항습 테스트
상기 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2에 따라 제조된 전조성 구조체를 각각 85 ℃, 상대습도 85 %의 고온-다습의 분위기에서 5일 경과시킨 후의 상태를 측정하였다.
도 6은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 실시예 2의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 실시예 2에 따른 전도성 구조체는 항온-항습 테스트 결과, 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율 변화량은 37 % 였다. 이 때, 실시예 2에 따른 전도성 구조체는 상기 테스트 전과 비교하여 오히려 평균 광반사율이 11.1 % 에서 7 %로 낮아지는 것을 확인하였다.
도 7은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 비교예 1에 따른 전도성 구조체는 항온-항습 테스트 결과, 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율 변화량은 126% 였다. 이 때, 비교예 1에 따른 전도성 구조체는 상기 테스트 전과 비교하여 광반사율이 17.2 %에서 39 %로 크게 상승하여, 시인성이 낮아지는 결과를 확인할 수 있었다.
도 8은 실험예 1에 따른 항온-항습 테스트 전과 후의 비교예 2의 전도성 구조체의 광반사율의 변화를 나타낸 것이다. 구체적으로, 비교예 2에 따른 전도성 구조체는 항온-항습 테스트 결과, 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율 변화량은 10.7%였다. 이 때, 비교예 2에 따른 전도성 구조체는 상기 테스트 전과 비교하여 광반사율이 15.7%에서 26.4%로 크게 상승하여, 시인성이 낮아지는 결과를 확인할 수 있었다.
도 6 내지 도 8의 결과에 따르면, 실시예 2에 따른 전도성 구조체는 항온-항습 테스트 후에도 광반사율의 변화가 거의 발생하지 않았으나, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 전도성 구조체는 광반사율의 변화가 큰 것을 알 수 있다. 그러므로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 광반사 저감층은 항온-항습 테스트 후에도 광반사 저감층의 물성이 크게 변화하지 않고, 광반사 저감층으로서의 기능을 원활하게 수행할 수 있음을 의미한다.
100: 기재
200: 금속층
210: 금속 패턴층
300: 광반사 저감층
310: 광반사 저감 패턴층

Claims (18)

  1. 기재; 상기 기재 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층의 적어도 일면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 금속의 산화물 또는 금속의 산질화물을 포함하고,
    상기 광반사 저감층의 금속은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상; Zn; 및 Cu를 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 Zn을 5 at% 이상 30 at% 이하의 함량으로 포함하고, O를 15 at% 이상 55 at% 이하의 함량으로 포함하는 것인 전도성 구조체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층은 금속의 산화물 또는 금속의 산질화물을 포함하고,
    상기 광반사 저감층의 금속은 Al, Ni 및 Nb 중 하나 또는 두 개; Zn; 및 Cu를 포함하는 것인 전도성 구조체.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층은 Cu를 1 at% 이상 10 at% 이하의 함량으로 포함하는 것인 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층은 Zn, Cu 및 Al이 O와 결합한 4성분계 물질로 이루어지고,
    상기 Zn의 함량은 20 at% 이상 30 at% 이하이며,
    상기 Cu의 함량은 1 at% 이상 10 at% 이하이고,
    상기 Al의 함량은 30 at% 이상 40 at% 이하이며,
    상기 O의 함량은 25 at% 이상 45 at% 이하인 것인 전도성 구조체.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층은 Zn, Ni, Nb, Cu 및 O의 5성분계 물질로 이루어지고,
    상기 Zn의 함량은 20 at% 이상 30 at% 이하이며,
    상기 Ni의 함량은 20 at% 이상 30 at% 이하이고,
    상기 Nb의 함량은 5 at% 이상 15 at% 이하이며,
    상기 Cu의 함량은 1 at% 이상 10 at% 이하이고,
    상기 O의 함량은 15 at% 이상 50 at% 이하인 것인 전도성 구조체.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 두께는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 전도성 구조체.
  8. 청구항 1에 있어서,
    380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 25 % 이하인 것인 전도성 구조체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속층 및 상기 광반사 저감층은, 각각 복수의 개구부를 포함하는 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층을 포함하는 것인 전도성 구조체.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층의 선폭은, 각각 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층의 인접하는 패턴 라인 간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  12. 청구항 1, 2 및 4 내지 11 중 어느 한 항에 따른 전도성 구조체를 포함하는 전극.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 전극은 터치 패널용 전극, 액정 디스플레이용 전극, 또는 OLED 디스플레이용 전극인 것인 전극.
  14. 기재를 준비하는 단계;
    상기 기재 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층 상에 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 금속의 산화물 또는 금속의 산질화물을 포함하고,
    상기 광반사 저감층의 금속은 Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co 중 하나 또는 둘 이상; Zn; 및 Cu를 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 Zn을 5 at% 이상 30 at% 이하의 함량으로 포함하고, O를 15 at% 이상 55 at% 이하의 함량으로 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는 상기 금속의 산화물 및 상기 금속의 산질화물 중 1종 이상을 스퍼터링 타겟으로 하는 스퍼터 방법을 이용하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 금속의 산화물 또는 상기 금속의 산질화물은 이종의 금속이 도핑된 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 스퍼터링 타겟은 Zn, Cu, Al, Mo, Ti, Zr, Y, Si, Ag, Ni, Mn, Nb, Au, Cr 및 Co로부터 선택되는 1종 이상의 금속과, ZnO, AZO, Al2O3, Cu2O, CuO, AlN, TiN, SiO2, SiO, ZrO2 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 금속층 및 상기 광반사 저감층을 패터닝하여, 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 전도성 구조체의 제조방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019117679A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 엘지화학 장식 부재
KR102201575B1 (ko) 2017-12-15 2021-01-12 주식회사 엘지화학 장식 부재
US11971564B2 (en) 2017-12-15 2024-04-30 Lg Chem, Ltd. Decorative member and manufacturing method therefor
WO2019117678A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 엘지화학 장식 부재
KR20210018641A (ko) 2019-08-07 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴, 도전 패턴을 포함하는 표시 장치, 및 도전 패턴의 제조 방법
EP3992701A4 (en) * 2019-08-20 2022-05-18 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015189215A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 大同特殊鋼株式会社 積層体

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080100863A (ko) * 2007-04-27 2008-11-21 황보의 인터넷 광고방법
KR101642511B1 (ko) 2008-07-14 2016-07-25 주식회사 엘지화학 도전성 적층체 및 이의 제조방법
JP2012027159A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
WO2012053818A2 (ko) * 2010-10-19 2012-04-26 주식회사 엘지화학 도전성 패턴을 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법
KR101224282B1 (ko) * 2011-03-04 2013-01-21 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101200724B1 (ko) 2012-03-19 2012-11-12 바코스 주식회사 반사방지 기능을 구비한 투명기판
TWI506752B (zh) * 2012-04-18 2015-11-01 Lg Chemical Ltd 導電結構體及其製備方法
KR101543496B1 (ko) 2012-06-19 2015-08-10 (주)엘지하우시스 저방사 단열 코팅막, 이를 포함하는 건축 자재 및 저방사 단열 코팅막 제조 방법
KR101408572B1 (ko) * 2012-08-31 2014-06-17 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
JP6182918B2 (ja) * 2013-03-18 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
WO2014148878A1 (ko) 2013-03-22 2014-09-25 주식회사 엘지화학 전도성 패턴 적층체 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102123529B1 (ko) * 2013-03-28 2020-06-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101389950B1 (ko) 2013-09-10 2014-04-30 동우 화인켐 주식회사 터치 스크린 패널
AT13879U1 (de) * 2013-10-04 2014-10-15 Plansee Se Berührungssensoranordnung
US9706653B2 (en) * 2013-11-04 2017-07-11 Lg Chem, Ltd. Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR101844134B1 (ko) 2015-03-27 2018-03-30 주식회사 엘지화학 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015189215A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 大同特殊鋼株式会社 積層体

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CN108292179A (zh) 2018-07-17
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