CN108292179B - 导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极 - Google Patents

导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极 Download PDF

Info

Publication number
CN108292179B
CN108292179B CN201680069731.9A CN201680069731A CN108292179B CN 108292179 B CN108292179 B CN 108292179B CN 201680069731 A CN201680069731 A CN 201680069731A CN 108292179 B CN108292179 B CN 108292179B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light reflection
layer
reflection reducing
metal
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680069731.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108292179A (zh
Inventor
李一翻
闵进赫
金起焕
朴赞亨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of CN108292179A publication Critical patent/CN108292179A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108292179B publication Critical patent/CN108292179B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/38—Anti-reflection arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

Description

导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极
技术领域
本申请要求于2015年12月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0173536的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。
背景技术
液晶显示器是近来在多媒体领域中使用的最重要的显示装置，广泛用于手机、计算器的监控器、笔记本式计算机和电视机。液晶显示装置具有扭曲向列(TN)模式，在扭曲向列(TN)模式中，包括排列成扭曲形式的向列型液晶的液晶层插设在两片正交偏振板之间，然后电场沿垂直方向施加于基板。在TN模式方案中，当液晶显示装置显示黑色时，液晶在与基板垂直的方向上排列，从而处于倾斜视角的液晶分子发生双折射，并且光泄漏。
为了解决TN模式方案的视角问题，引入了一种平面转换(IPS：in-planeswitching)模式，在平面转换模式中，在一个基板上形成两个电极，并且利用在两个电极之间产生的横向电场调节液晶的指向(director)。也就是说，IPS模式方案的液晶显示装置也称作平面转换液晶显示器或横向电场方案液晶显示器，电极设置在液晶所在的单元内的同一平面上，从而液晶不在竖直方向上排列，而是排列成在电极的横向上平行于表面。
然而，IPS模式方案可能具有难以通过像素电极和公用电极的高光反射率来实现高图像品质的问题。
发明内容
技术问题
本说明书提供一种导电结构，其能够实现具有高图像品质的显示器。
技术方案
本说明书的示例性实施例提供一种导电结构，所述导电结构包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
本说明书的示例性实施例提供所述导电结构的制造方法。
该方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
本说明书的示例性实施例提供一种包括所述导电结构的电极。
本说明书的示例性实施例提供一种包括所述电极的显示装置。
有益效果
根据本说明书的示例性实施例的导电结构可以通过控制金属层的光反射率来实现低光反射率。
根据本说明书的示例性实施例的导电结构可以包括具有微小线宽和低光反射率的导线(conductive line)，由此实现高可视性。
根据本说明书的示例性实施例的导电结构当应用于诸如显示装置的电子装置时，可以根据工艺环境将导电结构的电导率的减小最小化。
附图说明
图1至图3示出了根据本说明书的示例性实施例的导电结构的堆叠结构。
图4示出了根据本说明书的示例性实施例的在导电结构被图案化的情况下的堆叠结构。
图5示出了根据示例1的导电结构中的光反射减少层的表面的光反射率。
图6示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据示例2的导电结构的光反射率的变化。
图7示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例1的导电结构的光反射率的变化。
图8示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例2的导电结构的光反射率的变化。
100：基板
200：金属层
210：金属图案层
300：光反射减少层
310：光反射减少图案层
具体实施方式
在本说明书中，当特定部件位于另一部件“上”时，其包括其他部件存在于两个部件之间的情况以及特定部件与另一部件接触的情况。
在本说明书中，在特定部分“包括”特定的构成要素时，除非明确地说明与之相反，否则其表示进一步包括其他构成要素而不排除其他的构成要素。
在本说明书中，at％基于构成光反射减少层的材料的100％。
在下文中，将更详细地描述本说明书。
本说明书的示例性实施例提供一种导电结构，包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物或氮氧化物；锌；以及铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物；锌；以及铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括锌。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括锌，并且相对于光反射减少层，Zn的含量可以为5at％以上且30at％以下，或者15at％以上且30at％以下。具体地，光反射减少层可以基本上包括锌，并且相对于光反射减少层，锌的含量可以为20at％以上且30at％以下。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括氧，并且氧的含量可以为15at％以上且50at％以下，或者25at％以上且50at％以下。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以5at％以上且30at％以下的含量包含锌，并且可以以15at％以上且55at％以下的含量包含氧。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以1at％以上且10at％以下的含量包含铜。具体地，根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以5at％以上且10at％以下的含量包含铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料(fourcomponent system material)构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且锌的含量可以为20at％以上且30at％以下，铜的含量可以为1at％以上且10at％以下，铝的含量可以为30at％以上且40at％以下，氧的含量可以为25at％以上且45at％以下。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以25at％以上且30at％以下的含量包含锌。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以4at％以上且6at％以下的含量包含铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以33at％以上且38at％以下的含量包含铝。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以25at％以上且35at％以下的含量包含氧。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料(five component system material)构成，并且锌的含量可以为20at％以上且30at％以下，镍的含量可以为20at％以上且30at％以下，铌的含量可以为5at％以上且15at％以下，铜的含量可以为1at％以上且10at％以下，氧的含量可以为15at％以上且50at％以下。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，并且光反射减少层可以以20at％以上且25at％以下的含量包含锌。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，并且光反射减少层可以以23at％以上且28at％以下的含量包含镍。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，并且光反射减少层可以以5at％以上且10at％以下的含量包含铌。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，并且光反射减少层可以以1at％以上且5at％以下的含量包含铜。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由五元系材料构成，在该五元系材料中，锌、镍、铌及铜与氧结合，并且光反射减少层可以以30at％以上且40at％以下的含量包含氧。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的厚度可以为10nm以上且100nm以下。具体地，根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的厚度可以为20nm以上且60nm以下。更具体地，根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的厚度可以为30nm以上且60nm以下。
当光反射减少层的厚度小于10nm时，可能具有第一金属层的高光反射率不能充分减小的问题。另外，当光反射减少层的厚度大于100nm时，可能具有难以将光反射减少层图案化的问题。
根据本说明书的示例性实施例，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率可以为25％以下。具体地，根据本说明书的示例性实施例，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率可以为20％以下。更具体地，根据本说明书的示例性实施例，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率可以为15％以下。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的表面的平均光反射率可以为1％以下。
可以在导电结构暴露于视场的表面上测量平均光反射率。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以设置在金属层的邻近基板的表面上。
图2示出了根据本说明书的示例性实施例的导电结构的堆叠结构。具体地，图2示出了其中依次设置有基板100、光反射减少层300以及金属层200的导电结构。但是，导电结构不限于图2的结构，并且可以进一步包括附加层。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以设置在与金属层的邻近基板的表面相反的表面上。
图1示出了根据本说明书的示例性实施例的导电结构的堆叠结构。具体地，图1示出了依次设置有基板100、金属层200以及光反射减少层300的导电结构。但是，导电结构不限于图1的结构，并且可以进一步包括附加层。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以设置在金属层的邻近基板的表面上以及与金属层的邻近基板的表面相反的表面上。
图3示出了根据本说明书的示例性实施例的导电结构的堆叠结构。具体地，图3示出了依次设置有基板100、光反射减少层300、金属层200以及光反射减少层300的导电结构。但是，导电结构不限于图3的结构，并且可以进一步包括附加层。
根据本说明书的示例性实施例，金属层和光反射减少层可以分别包括包含多个开口的金属图案层和包含多个开口的光反射减少图案层。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层可以通过将金属层图案化而形成。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少图案层可以通过将光反射减少层图案化而形成。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层可以包括多个开口和分隔多个开口的金属线。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少图案层可以包括多个开口和分隔多个开口的光反射减少线。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少线可以设置在金属线的至少一个表面上。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少图案层可以设置在金属图案层的至少一个表面上。具体地，光反射减少图案层可以具有与金属图案层相同的形状。但是，金属图案层和光反射减少图案层中的各个不需要具有与相邻的图案层的线宽完全相同的线宽，金属图案层和光反射减少图案层中的各个具有比相邻的图案层的线宽更小或更大的线宽的情况被包含在本说明书的范围内。具体地，光反射减少图案层的线宽可以是金属图案层的线宽的80％以上且120％以下。更具体地，光反射减少图案层可以具有线宽等于或大于金属图案层的线宽的图案形式。
当光反射减少图案层的线宽比金属层的线宽更大时，可以进一步展现当用户观察时光反射减小图案层隐藏金属图案层的效果，从而具有由金属层自身的光泽或反射产生的影响可以被有效地阻止的优点。但是，即使光反射减少图案层的线宽与金属图案层的线宽相同时，也可以实现减少光反射的效果。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层和光反射减少图案层可以形成规则图案或不规则图案。具体地，可以通过图案化工艺在基板上形成图案的同时提供金属图案层和光反射减少图案层。
具体地，图案可以是诸如三角形和四边形的多边形、圆形、椭圆形或无定形形状。三角形可以是正三角形或直角三角形，四边形可以是正方形、矩形或梯形。
作为规则图案，可以使用本领域中的图案形式，例如网格图案。不规则图案不特别限制，不过也可以是构成泰森多边形(Voronoi diagram)的图的边界线的形状。根据本说明书的示例性实施例，当图案形状是不规则图案时，可以通过不规则图案去除由具有方向性的照明引起的反射光的衍射图案，并且通过光反射减少图案层将由光散射引起的影响最小化，从而将可视性的问题最小化。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层和光反射减少图案层中的每一个的线宽可以为0.1μm以上且100μm以下。
具体地，根据本说明书的示例性实施例，金属图案层和光反射减少图案层中的每一个的线宽度可以为0.1μm以上且50μm以下，可以为0.1μm以上且30μm以下，或者可以为0.1μm以上且10μm以下，但不限于此。可以根据导电结构的最终用途来设计金属图案层和光反射减少图案层的线宽。
当金属图案层和光反射减少图案层中的每一个的线宽小于0.1μm时，可能难以实现图案，当金属图案层和光反射减少图案层中的每一个的线宽大于100μm时，可视性可能会降低。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层和光反射减少图案层中的每一个的相邻图案线之间的线间隙可以为0.1μm以上且100μm以下。
根据本说明书的示例性实施例，线间隙可以为0.1μm以上，更具体地，可以为10μm以上，进一步更具体地，可以为20μm以上。另外，根据本说明书的示例性实施例，线间隙可以为100μm以下，更具体地可以为30μm以下。
根据本说明书的示例性实施例，金属图案层和光反射减少图案层中的每一个可以以微小线宽(micro line width)的图案实现，因此包括金属图案层和光反射减少图案层的电极可以实现优异的可视性。
图4示出了根据本说明书的示例性实施例的在导电结构被图案化的情况下的堆叠结构。具体地，在图4中，依次设置基板100、金属图案层210以及光反射减少图案层310。然而，导电结构不限于图4的结构，并且可以进一步包括附加层。在图4中，a表示金属图案层和光反射减少图案层的线宽，b表示金属图案层和光反射减少图案层的相邻图案线之间的线间隙。
根据本说明书的示例性实施例，金属层可以包括选自由以下各项组成的组中的一种或多种：铜、铝、银、钕、钼、镍和铬中的至少一种金属；包括上述金属中的两种以上金属的合金；包括上述金属中的一种以上金属的氧化物；包括上述金属中的一种以上金属的氮化物。具体地，根据本说明书的示例性实施例，金属层可以包括铝。根据本说明书的示例性实施例，金属层可以由铝构成。进一步，根据本说明书的示例性实施例，金属层可以包括铝作为主要成分。但是，根据制造工艺，可部分上包含杂质。
根据本说明书的示例性实施例，金属层的厚度可以为10nm以上且1μm以下。具体地，根据本说明书的示例性实施例，金属层的厚度可以为100nm以上，更具体地，可以为150nm以上。另外，根据本说明书的示例性实施例，金属层的厚度可以为500nm以下，更具体地，可以为200nm以下。金属层的电导率取决于厚度，因此，当金属层的厚度非常小时，不会形成连续的厚度，因此可能具有比电阻值增大的问题，因此金属层的厚度可以为100nm以上。
根据本说明书的示例性实施例，基板可以是透明基板。具体地，根据本说明书的示例性实施例，基板可以是玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚酰胺(PA)。另外，根据本说明书的示例性实施例，基板可以是液晶显示装置的绝缘层。具体地，基板可以是其上设置有金属层的预定构件。
根据本说明书的示例性实施例，可以在基板和金属层之间进一步设置透明导电层。
根据本说明书的示例性实施例，作为透明导电层，可以使用透明导电氧化物层。作为透明导电氧化物，可以使用氧化铟、氧化锌、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、非晶质透明导电聚合物等，或者它们中的一种或两种以上可以一起使用，但是透明导电氧化物不限于此。根据本说明书的示例性实施例，透明导电层可以是铟锡氧化物层。
根据本说明书的示例性实施例，透明导电层的厚度可以为15nm以上且20nm以下，但是不限于此。透明导电层可以通过使用用于透明导电层的上述材料利用沉积工艺或印刷工艺来形成。
根据本说明书的示例性实施例，在85℃和85％的相对湿度的高温高湿环境下五天后的光反射减少层的表面的平均光反射率的变化量可以为50％以下。
根据本说明书的示例性实施例，在85℃和85％的相对湿度的高温高湿环境下五天后的光反射减少层的表面的平均光反射率的变化量可以具有负值。也就是说，导电结构体的平均光反射率可以在置于高温高湿环境下之后进一步减小。
平均光反射率的变化量(％)可以通过((置于高温高湿环境下之后的平均光反射率/初始平均光反射率)-1)×100来计算。
初始平均光反射率表示置于高温高湿环境之前的光反射减少层的表面的平均光反射率。
即使根据本说明书的示例性实施例的导电结构置于高温高湿环境下，光反射减少层的特性变化也不大，因此光反射减少层可呈现导电结构的制造过程中、导电结构的分布以及将导电结构应用于电子装置并使用该导电结构的过程中的优异的耐久性。
根据本说明书的示例性实施例，提供一种导电结构的制造方法。
本说明书的示例性实施例提供一种导电结构的制造方法，所述方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
在根据本说明书的示例性实施例的导电结构的制造方法中，基板、金属层、光反射减少层、金属图案层、光反射减少图案层等的结构与上述的结构相同。
根据本说明书的示例性实施例，在形成金属层之后，可以执行光反射减少层的形成。另一方面，根据本说明书的示例性实施例，可以在形成光反射减少层之后执行金属层的形成。
根据本说明书的示例性实施例，对于金属层的形成，可以在基板的一个表面的整个表面上形成金属层。
根据本说明书的示例性实施例，对于光反射减少层的形成，可以形成光反射减少层作为金属层的一个表面的整个层。
整个层可表示，可以在其上形成有目标构件的下部构件的一个表面的80％以上的区域上形成一个物理连续的侧面或膜。具体地，整个层可表示图案化之前的一个层。
根据本说明书的示例性实施例，金属层的形成和光反射减少层的形成中的每一个可以使用蒸镀、溅射、湿涂布、蒸发、电镀或无电镀、金属箔层叠等方法。具体地，根据本说明书的示例性实施例，金属层的形成和光反射减少层的形成中的每一个可以使用沉积方法或溅射方法。
根据本说明书的示例性实施例，金属层可以通过使用印刷方法形成。具体地，印刷方法可以使用包含金属的油墨或糊剂(paste)，糊剂除了金属以外，可以进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃料(glass frit)等。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用溅射方法，该溅射方法使用选自锌、铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的金属、所述金属的氧化物、所述金属的氮化物和所述金属的氮氧化物中的一种以上作为溅射靶。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用溅射方法，该溅射方法使用一种以上的金属和金属氧化物作为溅射靶。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用共溅射方法，该共溅射方法使用选自锌、铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的金属、所述金属的氧化物、所述金属的氮化物和所述金属的氮氧化物中的一种以上作为溅射靶。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用共溅射方法，该共溅射方法使用一种以上的金属和金属氧化物作为溅射靶。
共溅射方法不是反应过程，因此具有在沉积过程中不需要考虑适当的含气率并且共溅射方法可以仅利用DC电源来实现光反射减少层的优点。此外，当金属氧化物的溅射靶的适当的成分与金属结合时，可以减少溅射靶的种类，并且掺杂在金属氧化物中的异质金属(heterogeneous metal)可被调节而用作溅射靶。
根据本说明书的示例性实施例，金属的氧化物、金属的氮化物或金属的氮氧化物可以是其中掺杂有异质金属的材料。具体地，根据本说明书的示例性实施例，金属氧化物可以选自由ZnO、AZO(铝掺杂的ZnO)、Al2O3、Cu2O、CuO、SiO2、SiO、ZrO2和Y2O3组成的组。
根据本说明书的示例性实施例，溅射靶可以包括：选自锌、铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属；以及选自由ZnO、AZO、Al2O3、Cu2O、CuO、AlN、TiN、SiO2、SiO、ZrO2和Y2O3组成的组中的一种以上。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用溅射方法，该溅射方法使用包含锌的金属氧化物和选自由铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴组成的组中的三种或四种金属作为溅射靶。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用利用AZO和Cu作为溅射靶的溅射方法。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以使用利用氧化锌、铜、镍和铌作为溅射靶的溅射方法。
根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层的形成可以通过在氧气气氛、氮气气氛或氧气和氮气气氛中的沉积工艺来形成。
根据本说明书的示例性实施例，该方法可以进一步包括通过将金属层和光反射减少层图案化来形成金属图案层和光反射减少图案层。
根据本说明书的示例性实施例，在图案化中，金属层和光反射减少层可以同时图案化。
根据本说明书的示例性实施例，图案化可以使用具有抗蚀刻特性的材料。抗蚀剂可以通过使用印刷法、光刻法、摄影法、干膜抗蚀法、湿式抗蚀法、使用掩模的方法或激光转印法(例如，热转印成像)形成抗蚀图案，具体地可以使用干膜抗蚀法。然而，本发明不限于此。可以通过使用抗蚀图案来蚀刻和图案化金属层和/或光反射减少层，并且抗蚀图案可以通过剥离工艺容易地去除。
根据本说明书的示例性实施例，在图案化中，可以通过使用蚀刻剂一次性蚀刻金属层和光反射减少层。
在根据本说明书的示例性实施例的制造方法中，当金属层和光反射减少层包括相同种类的金属时，可以通过使用相同的蚀刻剂来蚀刻金属层和光反射减少层，因此还具有可以一次性蚀刻金属层和光反射减少层的优点。
本说明书的示例性实施例提供一种包括导电结构的电极。
根据本说明书的示例性实施例，电极可以是用于触摸面板的电极、用于液晶显示器的电极或用于有机发光二极管(OLED)显示器的电极。
本说明书的示例性实施例提供一种包括电极的显示装置。
在本说明书中，显示装置统称为用于TV或计算机等的监控器，并且包括形成图像的显示装置和支撑该显示装置的壳体。
根据本说明书的示例性实施例，电极可以是用于触摸屏面板的触摸传感器的电极。
根据本说明书的示例性实施例，电极可以是液晶显示装置的布线电极、公用电极和/或像素电极。具体地，电极可以是平面转换(IPS)液晶显示装置中的布线电极、公用电极和/或像素电极。
根据本说明书的示例性实施例，电极可以是OLED显示装置的布线电极、公用电极和/或像素电极。
根据本说明书的示例性实施例，电极可以是OLED照明装置的像素电极。
在下文中，将参照示例详细描述本说明书。然而，根据本说明书的示例可以变更为各种其他形式，并且不应该解释为本说明书的范围限于下面描述的示例。本说明书的示例是为了向本领域普通技术人员更全面地解释本说明书。
实施例
[示例1]
将PET基板装载到溅射室中，然后保持约3×10-6托的真空。然后，通过对铝溅射靶使用DC电源来形成具有约100nm的厚度的金属层。通过在金属层上共溅射铜溅射靶以及AZO(铝掺杂的ZnO)溅射靶来形成光反射减少层。铜溅射靶和AZO(铝掺杂的ZnO)溅射靶通过使用DC电源调节各功率来实现具有约50nm的厚度的光反射减少层。示例1用于研究导电结构的性能，并且省略了图案化工艺。
图5示出了根据示例1的导电结构中的光反射减少层的表面的光反射率。
另外，下表1示出了光反射减少层的元素含量(at％)。
[表1]
元素 元素含量(at％)
铝 34.6
氧 30.7
锌 28.7
铜 6
总计 100
[示例2]
将PET基板装载到溅射室中，然后保持约3×10-6托的真空。然后，通过对铝溅射靶使用DC电源来形成具有约100nm的厚度的金属层。通过使用利用DC电源在金属层上使用包括铜、铌和镍的溅射靶以及ZnO溅射靶的溅射工艺来形成光反射减少层。示例2用于研究导电结构的性能，并且省略了图案化工艺。
下表2中示出了根据示例2制造的导电结构的光反射减少层的元素含量(at％)。
[表2]
元素 元素含量(at％)
锌 24.8
镍 25.5
氧 37.7
铌 9.1
铜 2.9
总计 100
在根据示例1制造的导电结构中，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率为11.1％。
[比较例1]
在PET基板上通过使用铜溅射靶形成厚度约80nm的金属层。通过在金属层上注入氧气和氮气通过反应性溅射工艺来形成厚度约40nm的铜-氮氧化物材料层。
在根据比较例1制造的导电结构中，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率为17.2％。
[比较例2]
在PET基板上通过使用铜溅射靶形成厚度约150nm的金属层。通过在金属层上注入氧气并通过使用DC电源共溅射铜溅射靶和镍铬溅射靶来形成光反射减少层。铜溅射靶和镍铬溅射靶通过使用DC电源调节各功率实现具有约50nm的厚度的光反射减少层。
下表3中示出了根据比较例2制造的导电结构的光反射减少层的元素含量(at％)。
[表3]
元素 元素含量(at％)
氧 40.8
镍 12.8
铜 44.3
铬 2.1
总计 100
在根据比较例2制造的导电结构中，对于波长为380nm至780nm的光，光反射减少层的表面的平均光反射率为15.7％。
[实验例1]-恒温恒湿测试
测量在85℃和85％的相对湿度的高温高湿环境中五天后的根据示例2、比较例1和比较例2制造的导电结构的状态。
图6示出了根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据示例2的导电结构的光反射率的变化。具体地，作为根据示例2的导电结构的恒温恒湿测试的结果，光反射减少层的表面的平均光反射率的变化量为37％。在这种情况下，证实了：与测试前的平均光反射率相比，根据示例2的导电结构的平均光反射率从11.1％下降到7％。
图7示出了根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例1的导电结构的光反射率的变化。具体地，作为根据比较例1的导电结构的恒温恒湿测试的结果，光反射减少层的表面的平均光反射率的变化量为126％。在该情况下，与测试前的光反射率相比，根据比较例1的导电结构的光反射率从17.2％大幅增加到39％，从而证实了可视性降低的结果。
图8示出了根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例2的导电结构的光反射率的变化。具体地，作为根据比较例2的导电结构的恒温恒湿测试的结果，光反射减少层的表面的平均光反射率的变化量为10.7％。在这种情况下，与测试前的光反射率相比，根据比较例2的导电结构的光反射率从15.7％大幅增加到至26.4％，从而证实了可视性降低的结果。
根据图6至图8的结果，根据示例2的导电结构即使在恒温恒湿测试之后光反射率也几乎没有变化，但可以看出，根据比较例1和2的导电结构的光反射率变化较大。因此，根据本说明书的示例性实施例的导电结构的光反射减少层的特性即使在恒温恒湿测试之后也没有很大改变，并且光反射减少层可以顺利地执行作为光反射减少层的功能。

Claims (17)

1.一种导电结构，包括：
基板；
金属层，设置在所述基板上；以及
光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，
其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜，
其中，所述光反射减少层以5at％以上且30at％以下的含量包含锌，并且以15at％以上且55at％以下的含量包含氧。
2.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。
3.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层以1at％以上且10at％以下的含量包含铜。
4.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层由四元系材料构成，在所述四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，
锌的含量为20at％以上且30at％以下，
铜的含量为1at％以上且10at％以下，
铝的含量为30at％以上且40at％以下，并且
氧的含量为25at％以上且45at％以下。
5.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，
锌的含量为20at％以上且30at％以下，
镍的含量为20at％以上且30at％以下，
铌的含量为5at％以上且15at％以下，
铜的含量为1at％以上且10at％以下，并且
氧的含量为15at％以上且50at％以下。
6.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层的厚度为10nm以上且100nm以下。
7.根据权利要求1所述的导电结构，其中，对于波长为380nm至780nm的光，所述光反射减少层的表面的平均光反射率为25％以下。
8.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述金属层和所述光反射减少层分别包括包含多个开口的金属图案层和包含多个开口的光反射减少图案层。
9.根据权利要求8所述的导电结构，其中，所述金属图案层的线宽和所述光反射减少图案层的线宽中的每一个为0.1μm以上且100μm以下。
10.根据权利要求8所述的导电结构，其中，所述金属图案层和所述光反射减少图案层的相邻图案线之间的线间隙为0.1μm以上且100μm以下。
11.一种电极，包括根据权利要求1至10中任一项所述的导电结构。
12.根据权利要求11所述的电极，其中，所述电极是用于触摸面板的电极、用于液晶显示器的电极以及用于有机发光二极管显示器的电极。
13.一种导电结构的制造方法，所述方法包括：
制备基板；
在所述基板上形成金属层；以及
在所述金属层上形成光反射减少层，
其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜，
其中，所述光反射减少层以5at％以上且30at％以下的含量包含锌，并且以15at％以上且55at％以下的含量包含氧。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光反射减少层的形成使用溅射方法，所述溅射方法使用选自锌、铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的金属、所述金属的氧化物、所述金属的氮化物和所述金属的氮氧化物中的一种以上作为溅射靶。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述金属的氧化物、所述金属的氮化物以及所述金属的氮氧化物是掺杂有异质金属的材料。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述溅射靶包括：选自锌、铜、铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属；以及选自由ZnO、AZO、Al2O3、Cu2O、CuO、AlN、TiN、SiO2、SiO、ZrO2和Y2O3组成的组中的一种以上。
17.根据权利要求13所述的方法，还包括：
通过将所述金属层和所述光反射减少层图案化来形成金属图案层和光反射减少图案层。
CN201680069731.9A 2015-12-07 2016-12-07 导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极 Active CN108292179B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0173536 2015-12-07
KR20150173536 2015-12-07
PCT/KR2016/014329 WO2017099476A1 (ko) 2015-12-07 2016-12-07 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108292179A CN108292179A (zh) 2018-07-17
CN108292179B true CN108292179B (zh) 2021-03-05

Family

ID=59013476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680069731.9A Active CN108292179B (zh) 2015-12-07 2016-12-07 导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11293088B2 (zh)
KR (1) KR102127545B1 (zh)
CN (1) CN108292179B (zh)
WO (1) WO2017099476A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102201578B1 (ko) 2017-12-15 2021-01-12 주식회사 엘지화학 장식 부재
WO2019117679A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 엘지화학 장식 부재
WO2019117678A1 (ko) * 2017-12-15 2019-06-20 주식회사 엘지화학 장식 부재
US11971564B2 (en) 2017-12-15 2024-04-30 Lg Chem, Ltd. Decorative member and manufacturing method therefor
KR20210018641A (ko) 2019-08-07 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴, 도전 패턴을 포함하는 표시 장치, 및 도전 패턴의 제조 방법
WO2021031118A1 (zh) * 2019-08-20 2021-02-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103370748A (zh) * 2011-03-04 2013-10-23 Lg化学株式会社 导电结构体及其制备方法
CN104246913A (zh) * 2012-04-18 2014-12-24 Lg化学株式会社 导电结构及其制备方法
CN104379531A (zh) * 2012-06-19 2015-02-25 乐金华奥斯有限公司 低辐射透明层叠体,包括其的建筑材料及低辐射透明层叠体的制备方法
CN104603886A (zh) * 2012-08-31 2015-05-06 Lg化学株式会社 导电结构及其制造方法
JP2015189215A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 大同特殊鋼株式会社 積層体
CN107428127B (zh) * 2015-03-27 2019-11-19 株式会社Lg化学 导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080100863A (ko) * 2007-04-27 2008-11-21 황보의 인터넷 광고방법
KR101642511B1 (ko) 2008-07-14 2016-07-25 주식회사 엘지화학 도전성 적층체 및 이의 제조방법
JP2012027159A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
TWI432115B (zh) * 2010-10-19 2014-03-21 Lg Chemical Ltd 包含導電圖案之觸控面板及其製備方法
KR101200724B1 (ko) * 2012-03-19 2012-11-12 바코스 주식회사 반사방지 기능을 구비한 투명기판
JP6182918B2 (ja) * 2013-03-18 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
TWI613945B (zh) * 2013-03-22 2018-02-01 Ｌｇ化學股份有限公司 導電圖案層合板及包含其之電子裝置
KR102123529B1 (ko) * 2013-03-28 2020-06-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101389950B1 (ko) * 2013-09-10 2014-04-30 동우 화인켐 주식회사 터치 스크린 패널
AT13879U1 (de) * 2013-10-04 2014-10-15 Plansee Se Berührungssensoranordnung
US9706653B2 (en) * 2013-11-04 2017-07-11 Lg Chem, Ltd. Conductive structure body and method for manufacturing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103370748A (zh) * 2011-03-04 2013-10-23 Lg化学株式会社 导电结构体及其制备方法
CN104246913A (zh) * 2012-04-18 2014-12-24 Lg化学株式会社 导电结构及其制备方法
CN104379531A (zh) * 2012-06-19 2015-02-25 乐金华奥斯有限公司 低辐射透明层叠体,包括其的建筑材料及低辐射透明层叠体的制备方法
CN104603886A (zh) * 2012-08-31 2015-05-06 Lg化学株式会社 导电结构及其制造方法
JP2015189215A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 大同特殊鋼株式会社 積層体
CN107428127B (zh) * 2015-03-27 2019-11-19 株式会社Lg化学 导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极

Also Published As

Publication number Publication date
CN108292179A (zh) 2018-07-17
WO2017099476A1 (ko) 2017-06-15
US11293088B2 (en) 2022-04-05
US20180355467A1 (en) 2018-12-13
KR102127545B1 (ko) 2020-06-29
KR20170067156A (ko) 2017-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108292179B (zh) 导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极
CN107428127B (zh) 导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极
KR101683373B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US9706653B2 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
KR101987263B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101711260B1 (ko) 전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치
CN108139638B (zh) 导电结构体、包括该导电结构体的电极以及显示装置
US20200012386A1 (en) Touch control device, touch control display substrate and display apparatus
KR101849449B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US20150301637A1 (en) Touch panel and touch panel display device
Wang et al. 60‐5: Late‐News Paper: 17‐inch Transparent AMOLED Display With Self‐Assembled Auxiliary Electrode
CN107660279B (zh) 导电结构体及其制造方法
KR101955005B1 (ko) 터치 스크린 패널에서 사용하기 위한 층 시스템, 터치 스크린 패널에서 사용하기 위한 층 시스템을 제조하기 위한 방법, 및 터치 스크린 패널
KR102102017B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR20160069823A (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101940693B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR20140017276A (ko) 반사방지층을 포함하는 센서 패널 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant