TWI537989B - 導電結構體及其製造方法、觸控螢幕面板、顯示裝置與太陽能電池 - Google Patents

導電結構體及其製造方法、觸控螢幕面板、顯示裝置與太陽能電池 Download PDF

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Description

導電結構體及其製造方法、觸控螢幕面板、顯示裝置與太陽能電池
本申請案主張2013年11月4日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2013-0133201號的優先權和權益，其全部內容以引用的方式併入本文中。
本說明書是關於導電結構體及其製造方法。
一般來說，觸控式螢幕面板可根據對信號之偵測方式歸類成以下類型。亦即，其實例包含：在施加直流電壓同時改變電流或電壓值的狀態中當由壓力按壓時偵測位置的電阻類型；在施加交流電壓之狀態中使用電容耦合的電容類型；在施加磁場之狀態中根據電壓變化偵測選定位置的電磁類型；及類似者。
根據近來對於大區域觸控式螢幕面板的需求的增加，需要開發減少電極電阻及實施具有極佳可見度之大尺寸觸控式螢幕面板的技術。
[先前技術文件] [專利文件]
韓國專利申請案特許公開第2010-0007605號
本申請案已致力於提供可最小化對導電圖案之電導率的影響並減少導電圖案之光反射的導電結構體。
本申請案的例示性實施例提供導電結構體，其包含：基板；設在基板上的導電圖案層；以及設在導電圖案層之至少一表面上的暗色化圖案層(darkening pattern layer)，其中暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料。
本申請案的另一例示性實施例提供用於製造導電結構體的方法，其包含：製備基板；在基板上形成導電圖案層；以及在導電圖案層之上表面、下表面或上表面及下表面上形成暗色化圖案層，其中暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料。
在銅錳基材料中，b可為Mn與銅錳基材料的質量比且為0.01或更大及0.5或更小，c可為O與銅錳基材料的質量比且為0.05或更大及0.6或更小，d可為N與銅錳基材料的質量比且為0或更大及0.15或更小，且a可為Cu與銅錳基材料的質量比且為相對於除Cu以外的組份之質量比的總和之剩餘值。
本申請案的又一例示性實施例提供包含導電結構體的觸控式螢幕面板。
本申請案的再一例示性實施例提供包含導電結構體的顯 示裝置。
本申請案的又一例示性實施例提供包含導電結構體的太陽能電池。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，可最小化對導電圖案層之電導率的影響並改良導電圖案層之吸光率，藉此防止導電圖案層之光反射。因此，根據本申請案之例示性實施例的導電結構體藉由改良導電圖案層之隱蔽性質(concealing property)而具有極佳可見度。
此外，可藉由使用根據本申請案之例示性實施例的導電結構體開發包含其的具有改良可見度之觸控式螢幕面板及顯示裝置以及太陽能電池。
100‧‧‧基板
200‧‧‧暗色化圖案層
220‧‧‧暗色化圖案層
300‧‧‧導電圖案層
圖1至圖3說明根據本申請案之例示性實施例的導電結構體的層合結構。
圖4說明藉由使用Solidspec 3700(島津公司，紫外可見分光光度計)藉由根據600奈米或更大及750奈米或更小之波長量測根據實例1至實例4的導電結構體的總反射率所獲得的結果。
圖5說明根據比較實例5及比較實例6製造的暗色化層的耐熱性測試結果。
圖6說明根據實例7、實例10及實例11製造的暗色化層的耐熱性測試結果。
圖7說明根據比較實例7製造的導電結構體的反射率的變化的模擬。
[最佳模式]
在本申請案中，應理解當元件被稱作位於另一元件「上」時，元件可與另一元件接觸或介入元件亦可存在於兩個元件之間。
在本申請案中，除非明確地描述為相反情況，否則詞語「包括」及其變體應理解為暗示另外包含其他元件，而不是排除任何其他元件。
在下文中，將更詳細地描述本申請案。
在本說明書中，顯示裝置指用於電視(TV)或電腦之全部監視器，並包含形成影像之顯示元件及支撐顯示元件之外殼。
顯示元件之實例可包含電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、電泳顯示器(electrophoretic display)、陰極射線管(CRT)、有機發光二極體(OLED)顯示器，及類似者。可在顯示元件中提供用於實施影像的RGB像素圖案及額外光學濾光片。
同時，就顯示裝置來說，隨著智慧型手機、平板PC及IPTV之更快普及，對於在沒有單獨輸入裝置(諸如鍵盤或遙控器)的情況下使用人手作為直接輸入裝置的觸控功能的需求正在增長。此外，亦需要用於辨識特定點並進行記錄的多點觸控功能。
當前大部分市售觸控式螢幕面板(touch screen panel；TSP)是基於透明導電ITO薄膜，但具有以下問題：當應用具有大區域之觸控式螢幕面板時，由於歸因於ITO透明電極之相對高表 面電阻(最小150Ω/平方，由日東電工株式會社(Nitto Denko Co.,Ltd.)製造的ELECRYSTA產品)的RC延遲，觸控辨識速度降低，且應引入用於克服觸控辨識速度降低的額外補償晶片。
本申請案的發明者已研究用具有若干Ω/平方之程度之表面電阻值的金屬精細圖案替代透明ITO薄膜的技術。在此方面，本申請案的發明者發現以下問題：在Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu及其類似者(其為具有高導電率之金屬薄膜)用作觸控式螢幕面板之電極的情況下，當要實施具有預定形狀之精細電極圖案時，鑒於歸因於高反射率之可見度，圖案容易由人眼辨識，且可能歸因於對外部光的高反射率及濁度值而發生眩光及類似者。
本申請案的發明者發現以下事實，圖案化層之光反射及繞射性質顯著影響觸控式螢幕面板(包含設在有效螢幕部分中之導電金屬精細圖案)中的導電金屬精細圖案之可見度，並嘗試改良此。特定來說，本發明者發現歸因於ITO之高透射率，由導電圖案之反射率產生的問題在現有的基於ITO的觸控式螢幕面板中不嚴重，但導電金屬精細圖案之反射率及暗色化性質在包含設在有效螢幕部分中的導電金屬精細圖案之觸控式螢幕面板中是重要的。
為了解決上述問題，本申請案提供可與使用基於ITO之透明導電薄膜層的現有觸控式螢幕面板區分並具有金屬精細圖案電極之改良隱蔽性質以及對外部光之改良反射及繞射性質的導電結構體。此外，在根據本申請案之例示性實施例的導電層合物應用於諸如觸控式螢幕面板之電子裝置之顯示部分的情況下，可確保極佳電導率及可見度。
本申請案的例示性實施例提供導電結構體，其包含：基板；設在基板上的導電圖案層；以及設在導電圖案層之至少一表面上的暗色化圖案層，其中暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料。
在銅錳基材料中，b為Mn與銅錳基材料的質量比並為0.01或更大及0.5或更小，c為O與銅錳基材料的質量比並為0.05或更大及0.6或更小，d為N與銅錳基材料的質量比並為0或更大及0.15或更小，且a為Cu與銅錳基材料的質量比並為相對於除Cu以外的組份之質量比之總和的剩餘值。
在本說明書中，術語「電導率」意謂導電率。
此外，在本說明書中，術語「反射率」意謂光反射率，且術語「折射率」意謂光折射率。
銅錳基材料中的a至d的總和可為1，且a之值可意謂除銅錳基材料中的Mn、O及N之質量比以外的剩餘質量比。
根據本申請案之例示性實施例，銅錳基材料可不包含N。特定來說，根據本申請案之例示性實施例，在銅錳基材料中，d可為0且c可為0.25或更大及0.6或更小。
根據本申請案的例示性實施例，在銅錳基材料不包含N的情況下，銅錳基材料中的O之質量比c可為0.25或更大及0.6或更小。特定來說，在銅錳基材料不包含N的情況下，銅錳基材料中的O之質量比c可為0.3或更大及0.55或更小。
存在以下問題：在銅錳基材料不包含N的情況下，當O的質量比c小於0.25時，出現在150℃之高溫條件下反射率較高的區域而減少暗色化效應。
根據本申請案之例示性實施例，銅錳基材料可包含N。特定來說，根據本申請案之例示性實施例，在銅錳基材料中，d可大於0及為0.15或更小。更具體來說，根據本申請案的例示性實施例，在銅錳基材料中，d可大於0及為0.11或更小。
根據本申請案的例示性實施例，在銅錳基材料中，d可大於0及為0.15或更小，且c+d可為0.15或更大及0.6或更小。特定來說，在銅錳基材料包含N的情況下，O之質量比c可為0.05或更大及小於0.6。特定來說，根據本申請案之例示性實施例，在銅錳基材料中，d可大於0及為0.15或更小，且c+d可為0.18或更大及0.55或更小。此外，根據本申請案之例示性實施例，在銅錳基材料中，d可大於0及為0.15或更小，且c+d可為0.25或更大及0.52或更小。
在銅錳基材料包含N的情況下，即使所包含的O之質量比在小於0.25之範圍內，甚至在150℃之高溫條件下仍維持暗色化性質。特定來說，即使銅錳基材料中O之質量比小於0.25，在O及N之含量比之總和在0.15或更大及0.6或更小之範圍內的情況下，仍可在高溫下很好地維持暗色化圖案層之暗色化性質，且此外，幾乎不在高溫下發生暗色化圖案層之色彩變化。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層可經由沈積製程而形成。在此情況下，由於CuMn用作沈積製程之源材料，所以暗色化圖案層包含銅錳基材料，且CuMn中的Mn之含量可為10質量%至50質量%。特定來說，根據本申請案之例示性實施例，在經由沈積製程形成包含銅錳基材料的暗色化圖案層的情況下，銅錳基材料中的Mn之質量比可具有0.1或更大及0.5或更小的 值。根據本申請案之例示性實施例，可根據銅錳基材料的O與N之比調節為沈積製程之源材料的CuMn之Mn的含量。
根據本申請案之例示性實施例，若滿足a至d之值，則不限制銅錳基材料中的元素與分子之間的鍵結類型。
根據依據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板，可引入暗色化圖案層，以便減少導電金屬精細圖案之反射率並改良吸光率性質。暗色化圖案層可設在觸控式螢幕面板中的導電圖案層之至少一表面上，以大大促進根據導電圖案層之高反射率的可見度的減少。
特定來說，由於暗色化圖案層具有高吸光率，所以可減少入射於導電圖案層上之光及自導電圖案層反射的光之量。因此，根據導電圖案層之反射可經減少以減輕或去除眩光現象。藉此，由於與使用者直接觀測導電圖案層之情況相比，光之反射可減少，所以可大大地改良導電圖案層之可見度。
在本說明書中，暗色化圖案層意謂能夠具有吸光性以減少入射於導電圖案層上的光及自導電圖案層反射的光之量的層，且可由諸如暗色化層、光吸收層、變黑層及黑化層的術語表示。
此外，暗色化圖案層由暗色化圖案形成，且導電圖案層由導電圖案形成。暗色化圖案層之暗色化圖案可由諸如光吸收圖案、變黑圖案及黑化圖案的術語表示。此外，將在下文描述圖案之形狀。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，暗色化圖案層之消光係數k可為0.2或更大及2.5或更小，較佳為0.4或更大及1.2或更小，且更佳為0.5或更大及1.1或更小。
消光係數k可為在可見光線波長區中量測的值，且可見光線區意謂具有380奈米或更大及780奈米或更小之波長的區。
若消光係數k為0.2或更大，則存在促進暗色化之效應。消光係數k可稱為吸收係數，並為界定導電結構體對預定波長下之光的吸收程度的指數及判定導電結構體的透射率的因素。舉例來說，在透明介電材料之情況下，k<0.2，其極低。然而，當材料中之金屬組份的數量增加時，k值增加。若金屬組份的數量增加至預定數量或更大，則透射幾乎不發生，主要僅在金屬上發生表面反射，且消光係數k大於2.5，其在暗色化圖案層的形成中不是較佳的。
根據本申請案之例示性實施例，導電結構體的暗色化圖案層的折射率可為0或更大及3或更小，較佳為2或更大及3或更小，且更佳為2.2或更大及2.8或更小。
折射率可為在可見光線波長區中量測的值，且可見光線區意謂具有380奈米或更大及780奈米或更小之波長的區。
根據本申請案之例示性實施例，當沈積金屬以便形成暗色化圖案層時，消光係數k及與消光干涉有關的折射率n為重要因素。若確保了高消光係數及低折射率，則最終可減少反射率以減少可見度。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，消光係數k值可增加，且可藉由添加錳(Mn(其為金屬))至銅(Cu)基暗色化圖案層而減少反射率。此外，在包含錳(Mn)的情況下，可防止銅之腐蝕以增加暗色化圖案層的耐久性。
在本申請案之例示性實施例中，導電結構體的總反射率 可為25%或更小。
總反射率可為在可見光線波長區中量測的值，且可見光線區意謂具有380奈米或更大及780奈米或更小之波長的區。
特定來說，導電結構體的總反射率對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光可為20%或更小，且更特定來說對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光為15%或更小。或者，導電結構體的平均總反射率在600奈米或更大及750奈米或更小之波長區中可為20%或更小。當總反射率減少時，暗色化效應更佳。
可在與暗色化圖案與導電圖案接觸所在的表面對置的表面之方向上量測總反射率。當在此方向上執行量測時，對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，總反射率可為20%或更小，且更特定來說，對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，為15%或更小。或者，導電結構體的平均總反射率在600奈米或更大及750奈米或更小之波長區中可為20%或更小。
此外，暗色化圖案可設在導電圖案與基板之間，且可在基板側執行量測。當在基板側量測總反射率時，對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，總反射率可為20%或更小，且更特定來說，對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，總反射率可為15%或更小。或者，導電結構體的平均總反 射率在600奈米或更大及750奈米或更小之波長區中可為20%或更小。
根據本說明書之例示性實施例，導電圖案層可設在基板與暗色化圖案層之間，且可在導電圖案所設在的基板表面上量測總反射率。特定來說，在自外部觀測形成有導電圖案層之基板表面的情況下，導電圖案層之眩光效應可藉由暗色化圖案層來防止。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層可設在基板與導電圖案層之間，且可在導電圖案所設在的基板表面之對置表面上量測總反射率。特定來說，在自外部觀測基板的未形成有導電圖案層之下表面的情況下，導電圖案層之眩光效應可藉由暗色化圖案層來防止。
一般來說，當總反射率為25%或更小時，難以由人眼辨識表面，且可見度為低。因此，根據本申請案之例示性實施例的包含暗色化圖案層的導電結構體可具有藉由減少由人眼辨識的眩光(由於自導電結構體的導電圖案層反射)而可見度較低的效應。亦即，當導電結構體的總反射率減少時，導電圖案層的可見度減少，且因此可增加暗色化圖案層之效率。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，暗色化圖案層可包含與導電圖案層接觸的第一表面及面向第一表面之第二表面。當在暗色化圖案層之第二表面側處量測導電結構體的總反射率時，導電結構體的總反射率Rt可藉由以下等式1計算。
[等式1]總反射率(Rt)=基板之總反射率+閉合比(closure ratio)×暗色化圖案層之總反射率
此外，在導電結構體經設置使得兩種類型之導電結構體被層合的情況下，導電結構體的總反射率Rt可藉由以下等式2計算。
[等式2]總反射率(Rt)=基板之總反射率+閉合比×暗色化圖案層之總反射率×2
在等式1及等式2中，基板之總反射率可為觸碰增強玻璃(touch reinforced glass)之總反射率，且在表面為膜的情況下，基板之總反射率可為膜之總反射率。
此外，閉合比可由基於導電結構體的平面的由導電圖案覆蓋之區域的面積比(亦即(1-開口比))表示。
因此，存在暗色化圖案層之情況與不存在暗色化圖案層之情況之間的差異取決於暗色化圖案層的總反射率。就此來說，與除不存在暗色化圖案層以外具有同一構造的導電結構體的總反射率R0相比，根據本申請案之例示性實施例的導電結構體的總反射率Rt可減少10%或更大及20%或更小、20%或更大及30%或更小、30%或更大及40%或更小、40%或更大及50%或更小或50%或更大及70%或更小。亦即，在等式1及等式2中，在閉合比在1%或更大及10%或更小之範圍內變化的同時，總反射率在1%或更大及30%或更小之範圍內改變的情況下，可展現70%之最大總反射率減少效應，且可展現10%的最小總反射率減少效應。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，暗色化圖案層包含與導電圖案接觸之第一表面及面向第一表面之第二表面，且當在暗色化圖案之第二表面側處量測導電結構體的總反 射率時，導電結構體的總反射率Rt與基板之總反射率R0之間的差可為40%或更小、30%或更小、20%或更小或10%或更小。
根據本申請案之例示性實施例，基於CIE(國際照明委員會(Commission Internationale de l'Eclairage))L*a*b*色彩座標，導電結構體的亮度值L*可為55或更小。當亮度L*減少時，反射率減少以提供有利效應。
根據本申請案之例示性實施例，基於CIE(國際照明委員會)L*a*b*色彩座標，導電結構體的色度a*及b*可各自為0或更小。色度a*及b*表示色調及色度，且當色度a*及b*減少時，反射率減少以提供有利效應。
根據本申請案之例示性實施例，包含導電圖案層及暗色化圖案層之導電結構體可具有大於0Ω/平方及300Ω/平方或更小的表面電阻，特定來說1Ω/平方或更大及100Ω/平方或更小，更特定來說1Ω/平方或更大及50Ω/平方或更小，及甚至更特定來說1Ω/平方或更大及20Ω/平方或更小。
若導電結構體的表面電阻大於0Ω/平方及為300Ω/平方或更小，則存在替代現有ITO透明電極之效應。在導電結構體的表面電阻為1Ω/平方或更大及100Ω/平方或更小或1Ω/平方或更大及50Ω/平方或更小的情況下，且特定來說在導電結構體的表面電阻為1Ω/平方或更大及20Ω/平方或更小的情況下，由於與使用現有ITO透明電極的情況相比表面電阻顯著低，所以當施加信號時RC延遲減少，從而顯著改良觸碰辨識速度，且基於此，容易將導電結構體應用於具有7英吋或更大之大區域的觸控式螢幕。
在導電結構體中，在圖案化之前，導電圖案層或暗色化 圖案層的表面電阻可大於0Ω/平方及為2Ω/平方或更小，且特定來說大於0Ω/平方及為0.7Ω/平方或更小。由於在圖案化之前導電圖案層或暗色化圖案層的表面電阻減少，因此容易執行精細圖案化設計及製造製程，且在圖案化之後導電結構體的表面電阻減少，且因此存在增加電極之反應速度的效應。可根據導電圖案層或暗色化圖案層之厚度調節表面電阻。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層之厚度可為20奈米或更大及100奈米或更小，特定來說25奈米或更大及100奈米或更小，且更特定來說30奈米或更大及80奈米或更小。暗色化圖案層之較佳厚度可根據所使用材料及製造製程而改變。特定來說，考慮到經由蝕刻製程形成暗色化圖案層的情況，若厚度小於20奈米，則可能不容易調節製程，且若厚度大於100奈米，則可能存在關於生產速度之缺點。
特定來說，在暗色化圖案層之厚度為25奈米或更大及100奈米或更小且更特定來說30奈米或更大及80奈米或更小的情況下，容易調節製程且生產速度得以改良，且因此可存在製造製程的另外優點。在此情況下，反射率經進一步減少以更好地形成暗色化圖案層，且因此存在另外有利效應。
在本申請案之例示性實施例中，暗色化圖案層可進一步包含介電材料及金屬中之至少一者。介電材料之實例可包含SiO、SiO2、MgF2、SiNx(x為1或更大之整數)及類似者，但不限於此。金屬之實例可包含Fe、Co、Ti、V、Al、Au、Ag及類似者，但不限於此。根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層可進一步包含一或多種介電材料及一或多種金屬。
根據本申請案之例示性實施例，較佳地，介電材料經分佈使得當介電材料變得距外部光之入射方向更遠時介電材料之量逐漸地減少，且金屬以與其相反的方式分佈。在此情況下，介電材料的含量可為20wt%或更大及50wt%或更小，且金屬之含量可為50wt%或更大及80wt%或更小。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，透明板可用作基板，但基板不受特定限制，且例如，可使用玻璃、塑膠板、塑膠膜及類似者。
特定來說，塑膠可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)或聚醯胺(polyamide；PA)。
在本申請案之例示性實施例中，導電圖案層的厚度不受特定限制，但當厚度為0.01μm或更大及10μm或更小時，可在導電圖案層之電導率及形成圖案的製程之經濟可行性方面展現更佳效應。
根據本申請案的例示性實施例，導電圖案層之厚度可為0.01μm或更大及10μm或更小。
根據本申請案之例示性實施例，導電圖案層之材料為具有1×106Ω．cm或更大及30×106Ω．cm或更小的比電阻的材料是適當的，且較佳地，比電阻可為1×106Ω．cm或更大及7×106Ω．cm或更小。
特定來說，根據本申請案之例示性實施例，導電圖案層可包含選自由以下組成的群組之一或多種材料：金屬、金屬合金、金屬氧化物及金屬氮化物，且材料可具有1×106Ω．cm或更大及 30×106Ω．cm或更小的比電阻。
在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，較佳地，導電圖案層之材料包含金屬、金屬合金、金屬氧化物及金屬氮化物中之一或多種。導電圖案層的材料為具有極佳導電率並易於蝕刻的金屬材料是較好的。然而，一般來說，具有極佳導電率之材料具有高反射率。然而，在本申請案中，可藉由使用暗色化圖案層而使用具有高反射率之材料形成導電圖案層。在本申請案中，甚至在使用具有70%至80%或更大之反射率的材料的情況下，仍可添加暗色化圖案層以減少反射率，改良導電圖案層之隱蔽性質，並維持或改良對比度性質。
根據本申請案的例示性實施例，導電圖案層可包含選自由以下組成的群組中的一或多者：銅、鋁、銀、釹、鉬、鎳、包含其中兩者或更多的合金、包含其中一或多者之氧化物以及包含其中一或多者之氮化物。特定來說，根據本申請案的例示性實施例，導電圖案層可包含銅。
根據本申請案的例示性實施例，導電圖案層可為單一或多層結構。
在導電圖案層包含銅的情況下，由於導電圖案層可與包含銅之暗色化層一起經受批量蝕刻(batch etching)，所以生產製程效率較高且成本減少，其為經濟的。
此外，由於銅的比電阻值為1.7×10-6厘米，所以與具有2.8×10-6厘米之比電阻值的Al相比，銅更好。因此，在使用銅以便形成滿足大於0Ω/平方及為2Ω/平方或更小及較佳地大於0Ω/平方及為0.7Ω/平方或更小之表面電阻值的導電圖案層的情況 下，與Al相比，可更薄地形成銅。可根據導電圖案層之厚度調節表面電阻。舉例來說，為了滿足0.6Ω/平方或更大及0.7Ω/平方或更小的表面電阻，在Al的情況下，表面電阻應為80奈米或更大及90奈米或更小，但在Cu的情況下，表面電阻應為55奈米或更大及65奈米或更小，且因此可以較小厚度形成層，其為經濟的。
此外，由於在濺鍍製程中Cu具有比Al之良率好約2.5倍的良率，因此理論上，可預期4倍至5倍的沈積速度改良。因此，在生產製程中，包含Cu之導電圖案層具有高效率並為經濟的，且因此是極佳的。
在本申請案之例示性實施例中，可在導電圖案層之任一表面或兩個表面上設有暗色化圖案層。特定來說，可在導電圖案層的上表面、下表面或上表面及下表面兩者上設有暗色化圖案層。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層之暗色化圖案及導電圖案層之導電圖案可同時或分別地經圖案化。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層及導電圖案層可藉由同時或單獨圖案化製程而形成層合結構。就此來說，層合結構可與光吸收材料之至少一部分併入或分散於導電圖案中的結構或與單層之導電圖案之表面側的部分由於額外表面處理而以物理方式或以化學方式變形的結構區分開來。
此外，在根據本申請案之例示性實施例的導電結構體中，暗色化圖案層可直接設在基板或導電圖案層上同時附接層或黏著層不插入其間。附接層或黏著層可能影響耐久性或光學性質。此外，用於製造根據本申請案之例示性實施例的導電結構體的方法顯著不同於使用附接層或黏著層的情況的方法。此外，與 使用附接層或黏著層之情況相比，根據本申請案之例示性實施例的導電結構體在基板或導電圖案層與暗色化圖案層之間具有極佳界面性質。
根據本申請案的例示性實施例，暗色化圖案層可由單層或具有兩個或大於兩個層之多個層形成。
根據本申請案的例示性實施例，較佳地，暗色化圖案層 具有基於消色(achromatic color)之色調。在此情況下，基於消色之色調意謂當入射於本體之表面上的光未被選擇性吸收而是每一波段的波長被均勻地反射及吸收時展現的色彩。
暗色化圖案層由暗色化圖案形成，且導電圖案層由導電圖案形成。本文中，暗色化圖案層之暗色化圖案及導電圖案層之導電圖案可為具有同一形狀之圖案。然而，暗色化圖案之範圍可不完全等同於導電圖案之範圍，且暗色化圖案之線寬比導電圖案之線寬窄或寬的情況亦包含在本申請案之範圍內。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案可具有線寬小於或大於導電圖案之線寬的圖案形狀。舉例來說，暗色化圖案之線寬可為導電圖案之線寬的80%或更大及120%或更小。
此外，在暗色化圖案層中設有圖案之區域可為在導電圖案層中設有圖案之區域的80%或更大及120%或更小。亦即，暗色化圖案之區域可為導電圖案之區域的80%或更大及120%或更小。
根據本申請案之例示性實施例，較佳地暗色化圖案具有線寬相同於或大於導電圖案之線寬的圖案形狀。
在暗色化圖案的線寬大於導電圖案之線寬的情況下，由於可更大程度地提供當由使用者觀測時暗色化圖案覆蓋導電圖案 之效應，所以可有效地防止由導電圖案之光澤或反射產生之效應。然而，即使暗色化圖案之線寬與導電圖案之線寬相同，仍可達成本申請案之目標效應。
在本申請案之例示性實施例中，導電圖案之線寬可大於0μm及為10μm或更小，特定來說0.1μm或更大及10μm或更小，更特定來說0.2μm或更大及8μm或更小，且甚至更特定來說0.5μm或更大及5μm或更小。
在本申請案之例示性實施例中，導電圖案層之開口比(亦即，不由圖案覆蓋的區域之比)可為70%或更大，85%或更大或95%或更大。此外，包含導電圖案之導電圖案層的開口比可為90%或更大及99.9%或更小，但不限於此。
在本申請案之例示性實施例中，導電圖案可為規則圖案或不規則圖案。
此項技術之圖案形狀(諸如網狀圖案)可用作規則圖案。不規則圖案不受特定限制，但可為構成沃羅諾伊(Voronoi)圖的圖形之邊界線形狀。在本申請案中，在暗色化圖案層為不規則的情況下，藉由具有方向性之照明產生的反射光之繞射圖樣可由不規則圖案去除，且藉由光的散射產生之效應可由暗色化圖案層最小化，且因此可見度之問題可最小化。
圖1至圖3說明根據本申請案之例示性實施例的導電結構體的層合結構。圖1至圖3說明導電圖案層及暗色化圖案層之層合次序，且當實際上作為精細透明電極應用(諸如觸控式螢幕面板)時，導電圖案層及暗色化圖案層可並非整個表面層而是圖案類型。
根據圖1，說明暗色化圖案層200安置於基板100與導電圖案層300之間的情況。在使用者自基板側觀測觸控式螢幕面板的情況下，此架構可大大減少由導電圖案層產生的反射。
根據圖2，說明暗色化圖案層200安置於導電圖案層300上的情況。在使用者自基板側之對置表面觀測觸控式螢幕面板的情況下，此架構可大大減少由導電圖案層產生的反射。
根據圖3，說明暗色化圖案層200及220安置於基板100與導電圖案層300之間及安置於導電圖案層300上的情況。在使用者自基板側觀測觸控式螢幕面板的情況及使用者自基板側的對置側觀測觸控式螢幕面板的情況之全部情況下，此架構皆可大大減少由導電圖案層產生的反射。
根據本申請案之例示性實施例的導電結構體可具有在導電圖案層之至少一表面上設有暗色化圖案層的結構。
根據本申請案之例示性實施例的導電結構體的結構可為基板、暗色化圖案層、導電圖案層及暗色化圖案層依序層合的結構。此外，導電結構體可包含在最外暗色化圖案層上之額外導電圖案層及額外暗色化圖案層。
亦即，根據本申請案之例示性實施例之導電結構體的結構可為基板/暗色化圖案層/導電圖案層之結構、基板/導電圖案層/暗色化圖案層之結構、基板/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層之結構、基板/導電圖案層/暗色化圖案層/導電圖案層之結構、基板/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層之結構、基板/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層/導電圖案層/暗色化圖案層之結 構，或其類似者。
在上文描述中，導電圖案層可包含導電圖案，且暗色化圖案層可包含暗色化圖案。
本申請案的例示性實施例提供包含導電結構體的觸控式螢幕面板。舉例來說，在電容型觸控式螢幕面板中，根據本申請案之例示性實施例的導電結構體可用作觸敏型電極板。
本申請案之例示性實施例提供包含觸控式螢幕面板之顯示裝置。
根據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板除包含基板、導電圖案層及暗色化圖案層之上述導電結構體以外，可進一步包含額外結構體。在此情況下，兩個結構體可安置於同一方向上，或兩個結構體可安置於彼此相反之方向上。可包含於本申請案之觸控式螢幕面板中的兩個或超過兩個結構體可不具有相同結構，且僅任一者(且較佳地最接近於使用者之結構體)可包含基板、導電圖案層及暗色化圖案層，且另外包含之結構體可不包含暗色化圖案層。此外，兩個或超過兩個結構體中的層層合結構可彼此不同。在包含兩個或超過兩個結構體的情況下，可在其間設有絕緣層。在此情況下，絕緣層可進一步具有黏著層的功能。
根據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板可包含下部基板；上部基板；及設在與上部基板接觸的下部基板的表面及與下部基板接觸的上部基板之表面中的任一表面或其兩個表面上的電極層。電極層可具有X軸及Y軸位置偵測功能。
在此情況下，設在下部基板及與上部基板接觸的下部基板之表面上的電極層及設在上部基板及與下部基板接觸的上部基 板之表面上的電極層中之一或兩者可為根據本申請案之例示性實施例的導電結構體。在僅電極層中之任一者為根據本申請案之導電結構體的情況下，另一者可具有此項技術中已知的導電圖案。
在電極層設在上部基板及下部基板兩者的一表面上以形成雙層電極層的情況下，絕緣層或間隔片可設在下部基板與上部基板之間以便固定地維持在電極層之間的間隔並防止其間之連接。絕緣層可包含黏結劑或UV或熱可固化樹脂。
觸控式螢幕面板可進一步包含連接至導電結構體的導電圖案的接地部分。舉例來說，接地部分可形成於上面形成有基板之導電圖案的表面之邊緣部分處。此外，抗反射膜、偏光膜及抗指紋膜中之至少一者可設在包含導電結構體的層合物之至少一表面上。根據設計規範，除上述功能膜以外，可進一步包含其他種類之功能膜。
觸控式螢幕面板可應用於顯示裝置，諸如有機發光二極體(OLED)顯示面板、液晶顯示器(LCD)、陰極射線管(CRT)及電漿顯示面板(PDP)。
在根據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板中，可分別在基板之兩個表面上設有導電圖案層及暗色化圖案層。
根據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板可進一步包含在導電結構體上的電極部分或接墊部分。在此情況下，有效螢幕部分、電極部分及接墊部分可由同一導體形成。
在根據本申請案之例示性實施例的觸控式螢幕面板中，可在由使用者觀測之側邊處設有暗色化圖案層。
本申請案的例示性實施例提供包含導電結構體的顯示裝 置。在顯示裝置中，根據本申請案之例示性實施例的導電結構體可用於彩色濾光片板、薄膜電晶體板或其類似者中。
本申請案的例示性實施例提供包含導電結構體的太陽能電池。舉例來說，太陽能電池可包含陽極電極、陰極電極、光敏層、電洞傳輸層及/或電子傳輸層，且根據本申請案之例示性實施例的導電結構體可用作陽極電極及/或陰極電極。
導電結構體可替換顯示裝置或太陽能電池中的現有ITO，且可使用其可撓性。此外，導電結構體可與CNT、導電聚合物、石墨烯及類似者一起用作下一代透明電極。
本申請案的例示性實施例提供用於製造導電結構體的方法。特定來說，本申請案的例示性實施例提供用於製造導電結構體的方法，其包含：製備基板；在基板上形成導電圖案層；以及在導電圖案層之上表面、下表面或上表面及下表面上形成暗色化圖案層，其中暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料。
在銅錳基材料中的a至d與上文描述之那些相同。
根據本申請案之例示性實施例，導電圖案層之形成可包含在基板上形成導電層，其中暗色化圖案層之形成可包含在導電層的上表面、下表面或上表面及下表面上形成暗色化層，且可藉由同時圖案化導電層及暗色化層而形成導電圖案層及暗色化圖案層。
導電層包含構成導電圖案層的材料，且表示在圖案化導電圖案層之前形成的層。
暗色化層包含構成暗色化圖案層的材料，且表示在圖案 化暗色化圖案層之前形成的層。
根據本說明書之例示性實施例，同時圖案化可為使用蝕刻劑之批量蝕刻。
根據本申請案的例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成暗色化圖案層，及在形成暗色化圖案層之後形成導電圖案層。
根據本申請案之例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成導電圖案層，及在形成導電圖案層之後形成暗色化圖案層。
根據本申請案之例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可進一步包含在基板上形成暗色化圖案層，在形成暗色化圖案層之後形成導電圖案層，及在形成導電圖案層之後形成暗色化圖案層。
本申請案之例示性實施例提供用於製造導電結構體的方法，包含：在基板上形成導電層；在形成導電層之前、之後或之前及之後形成包含銅錳基材料的暗色化層；及個別地或同時圖案化導電層及暗色化層。
在本申請案之例示性實施例中，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成導電層、圖案化導電層、在經圖案化導電層上形成暗色化層以及圖案化暗色化層。
根據本申請案的例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成導電層、在導電層上形成暗色化層，以及同時圖案化兩個層。
根據本申請案之例示性實施例，用於製造導電結構體的 方法可包含在基板上形成暗色化層、圖案化暗色化層、在經圖案化暗色化層上形成導電層及圖案化導電層。
根據本申請案的例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成暗色化層、在暗色化層上形成導電層，及同時圖案化兩個層。
根據本申請案之例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成暗色化層、圖案化暗色化層、在經圖案化暗色化層上形成導電層、圖案化導電層以及另外在經圖案化導電層上形成暗色化層並圖案化暗色化層。
根據本申請案之例示性實施例，用於製造導電結構體的方法可包含在基板上形成暗色化層、在暗色化層上形成導電層、在導電層上形成暗色化層、以及同時圖案化三個層。
在用於製造本申請案之導電結構體的方法中，當暗色化層及導電層由兩個或超過兩個層形成時，暗色化層及導電層可被個別地或同時圖案化。
在用於製造導電結構體的方法中，在圖案化之前的導電圖案層或暗色化圖案層的表面電阻可大於0Ω/平方及為2Ω/平方或更小，且較佳地大於0Ω/平方及為0.7Ω/平方或更小。若表面電阻為2Ω/平方或更小且特定來說0.7Ω/平方或更小，則由於圖案化之前導電圖案層或暗色化圖案層的表面電阻減少，因此易於執行精細圖案化設計及製造製程，且在圖案化之後導電結構體的表面電阻減少，且因此存在增加電極之回應速度的效應。
在本申請案之例示性實施例中，在暗色化層或暗色化圖案層之形成中，可藉由使用此項技術中已知之方法形成暗色化圖 案或暗色化圖案層。舉例來說，暗色化圖案或暗色化圖案層可藉由諸如沈積、濺鍍、濕式塗佈、蒸鍍、電解電鍍、無電電鍍及金屬箔片之層合之方法(且特定來說濺鍍法)形成。
根據本申請案之例示性實施例，暗色化圖案層的形成可採用沈積製程。特定來說，在含有Mn之Cu被用作形成暗色化層的源材料之後，可經由蝕刻製程及類似者而圖案化暗色化層。此外，Cu及Mn可被單獨沈積以形成暗色化圖案層。在包含Mn之Cu被用作源材料來執行沈積之情況及Cu及Mn各自被用作源材料來執行沈積的情況之全部情況中，可藉由使用Cu蝕刻劑執行蝕刻。因此，在導電圖案層包含Cu的情況下，導電圖案層及暗色化圖案層可經受藉由使用Cu蝕刻劑的批量蝕刻，以經由一個製程執行圖案化。源材料意謂濺鍍製程中之靶材。
根據本說明書之例示性實施例，在藉由使用Cu及Mn中之每一者的源材料執行沈積的情況下，由於可調節Cu與Mn之相對比例，因此在暗色化及耐久性性質方面的調節可為容易的。
在使用沈積製程的情況下，可藉由在真空環境下引入氣體而調節氧氣及氮氣的添加。
用於形成導電圖案層之方法不受特定限制，且導電圖案層可藉由直接印刷方法而形成，或可使用用於在形成導電層之後圖案化導電層的方法。
根據本申請案之例示性實施例，在藉由印刷方法形成導電圖案層的情況下，可使用導電材料之墨水或膏，且除導電材料以外，膏可進一步包含黏合劑樹脂、溶劑、玻璃料，或其類似者。
在形成導電層之後圖案化導電層的情況下，可使用具有 抗蝕刻性質的材料。
根據本申請案之例示性實施例，導電圖案層可藉由諸如沈積、濺鍍、濕式塗佈、蒸鍍、電解電鍍或無電電鍍及金屬箔片的層合之方法形成。用於將有機金屬、奈米金屬或其複合溶液應用至板上且接著藉由焙燒及/或乾燥提供電導率的方法可用作形成導電圖案層的方法。有機銀可用作有機金屬，且奈米銀顆粒及類似者可用作奈米金屬。
根據本申請案之例示性實施例，可藉由使用利用抗蝕劑圖案之方法而形成導電圖案。可藉由使用印刷方法、光微影方法、攝影方法、使用遮罩之方法或雷射轉印(例如傳熱成像)或其類似者而形成抗蝕劑圖案，且印刷方法或光微影方法為更佳，但方法不限於此。可藉由使用抗蝕劑圖案來蝕刻導電薄膜層以便圖案化，且可易於藉由剝離製程去除抗蝕劑圖案。
下文中，將參考實例、比較實例及實驗實例更詳細地描述本申請案。然而，闡述以下實例、比較實例及實驗實例以說明本申請案，但本申請案的範疇不限於此。
<實例1>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度並包含銅錳基材料的暗色化層形成於導電層上。此外，經由批量蝕刻而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<實例2>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuMn合金靶材而將具有52奈米之厚度並包含銅錳基材料的暗色化層形成於導電層上。此後，經由批量蝕刻而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<實例3>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuMn合金靶材而將具有61奈米之厚度並包含銅錳基材料的暗色化層形成於導電層上。此後，經由批量蝕刻而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<實例4>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuMn合金靶材而將具有70奈米之厚度並包含銅錳基材料的暗色化層形成於導電層上。此後，經由批量蝕刻而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<比較實例1>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuO單 一靶材而將包含氧化銅並具有35奈米之厚度的暗色化層形成於導電層上。此外，經由蝕刻製程而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<比較實例2>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuO單一靶材而將包含氧化銅並具有50奈米之厚度的暗色化層形成於導電層上。此外，經由蝕刻製程而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<比較實例3>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Cu單一靶材而將具有60奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuO單一靶材而將包含氧化銅並具有60奈米之厚度的暗色化層形成於導電層上。此外，經由蝕刻製程而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
<比較實例4>
藉由直流電源濺鍍(DC濺鍍)方法藉由使用Al單一靶材而將具有80奈米之厚度的導電層形成於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板上。藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用CuO單一靶材而將包含氧化銅並具有50奈米之厚度的暗色化層形成於導電層上。此外，經由蝕刻製程而圖案化導電層及暗色化層以製造導電結構體。
圖4說明藉由使用Solidspec 3700(島津公司，紫外可見分光光度計)藉由根據600奈米或更大及750奈米或更小之波長量測根據實例1至實例4的導電結構體的總反射率所獲得的結果。如圖4中所見，量測到根據實例之導電結構體具有低反射率，其為藉由用暗色化圖案層減少導電圖案層之反射率而獲得的結果。
此外，在下表1中描述根據實例1至實例4及比較實例1至比較實例4的導電結構體的平均總反射率。
如表1中所見，可看到根據實例之導電結構體的總反射率低於根據比較實例之導電結構體的總反射率。亦即，可看到與使用氧化銅之暗色化圖案層相比，使用根據實例之銅錳基材料的暗色化圖案層具有進一步改良導電圖案之隱蔽性質的效應。
藉由橢偏儀量測根據實例1至實例4之導電結構體的光學恆定平均折射率n及平均消光係數k，且因此，在600奈米或更大及750奈米或更小之波長下平均折射率為2.68且平均消光係數為0.69。
藉由橢偏儀量測根據比較實例1至比較實例4之導電結構體的光學恆定平均折射率n及平均消光係數k，且因此，在600 奈米或更大及750奈米或更小之波長下平均折射率為2.48且平均消光係數為0.25。
因此，可看出根據實例之導電結構體與根據比較實例之導電結構體相比具有類似折射率及較高消光係數值。因此，可看出根據本申請案之導電結構體具有改良導電圖案之隱蔽性質的效應。
在下表2中描述根據實例1至實例4之導電結構體的色差值及暗色化圖案層之色彩。
如自表2之結果所見，根據實例之導電結構體的暗色化圖案層具有低色度及亮度，且因此可有效防止導電圖案層之眩光現象。
在根據本說明書之例示性實施例的導電結構體中，為了量測暗色化圖案層之耐熱可靠性，執行根據以下實例5至實例11及比較實例5及比較實例6的實驗。
<比較實例5>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為0%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%的Mn之CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖 案化製程。
<比較實例6>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為10%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例5>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為20%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例6>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為29%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例7>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為 50%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例8>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為71%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例9>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為77%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例10>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氧氣分率為100%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
<實例11>
在藉由使用Cu將金屬層形成於板上之後，在氮氣分率為100%之環境下藉由射頻濺鍍(RF濺鍍)方法藉由使用包含10質量%之Mn的CuMn合金靶材而將具有46奈米之厚度的暗色化層形成於金屬層上。
執行本實驗以量測暗色化層的耐熱性，且省去單獨的圖案化製程。
在下表3中描述藉由量測藉由比較實例5及比較實例6以及實例5至實例11形成的暗色化層的每一元素之組份比所獲得的結果。
此外，根據比較實例5、比較實例6、實例7、實例10及實例11製造的暗色化層持續24小時在150℃環境下經受耐熱性測試以觀測暗色化層是否被損壞。
圖5說明根據比較實例5及比較實例6製造的暗色化層的耐熱性測試結果。
圖6說明根據實例7、實例10及實例11製造的暗色化層的耐熱性測試結果。
相互比較圖5及圖6的結果，可確認在根據比較實例之暗色化層經受耐熱性測試時，下部金屬層暴露。然而，可確認在根據實例之暗色化層中，即使執行耐熱性測試，仍僅觀測到色調之變化且下部金屬層不暴露。此意謂由於根據實例之暗色化層具有更佳耐熱性質，因此即使當將暗色化層應用於產品或製程條件時形成高溫環境，仍可有效防止金屬圖案層之眩光現象。
此外，如自根據實例11之結果所見，可確認在包含於暗色化層中的銅錳基材料含有N的情況下，即使O含量處在與比較實例之程度相同的較低程度，仍可有效地實施暗色化功能，且此外，可看出即使暗色化層經受耐熱性測試，仍存在幾乎觀測不到色調變化的效應。
<比較實例7>
在ZnO用作暗色化圖案層之材料的情況下，為了確認暗色化性質是否被實施，將由ZnO形成的圖案層形成於在板上形成的銅圖案層上以製造導電結構體。此外，模擬在由ZnO形成之圖案層之厚度為20奈米、30奈米、40奈米、50奈米、60奈米及100奈米的情況下導電結構體的反射率的變化。
圖7說明根據比較實例7製造的導電結構體的反射率的變化之模擬。
如自圖7之結果所見，在ZnO(金屬氧化物中之一者)中，存在於可見光線區中反射極大的區段，且因此下部導電圖案層之眩光現象無法被有效防止。
100‧‧‧基板
200‧‧‧暗色化圖案層
220‧‧‧暗色化圖案層
300‧‧‧導電圖案層

Claims (25)

  1. 一種導電結構體，包括：基板；導電圖案層，設在所述基板上；以及暗色化圖案層，設在所述導電圖案層之至少一表面上，其中所述暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料，在所述銅錳基材料中，b為Mn與所述銅錳基材料的質量比且為0.01或更大及0.5或更小，c為O與所述銅錳基材料的質量比且為0.05或更大及0.6或更小，d為N與所述銅錳基材料的質量比且為0或更大及0.15或更小，以及a為Cu與所述銅錳基材料的質量比且為相對於除Cu以外的組份之質量比的總和之剩餘值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中在所述銅錳基材料中，d為0，且c為0.25或更大及0.6或更小。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中在所述銅錳基材料中，d大於0及為0.15或更小，且c+d為0.15或更大及0.6或更小。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電結構體的總反射率為25%或更小。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中對於在具 有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，所述導電結構體的總反射率為20%或更小。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中對於在具有600奈米或更大及750奈米或更小之波長的光當中的具有至少一波長之光，所述導電結構體的總反射率為15%或更小。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之導電結構體，其中所述導電圖案層設在所述基板與所述暗色化圖案層之間，且在所述導電圖案所設在的所述基板之表面上量測總反射率。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層設在所述基板與所述導電圖案層之間，且在所述導電圖案所設在的所述基板之表面的對置表面上量測總反射率。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層之消光係數k為0.2或更大及2.5或更小。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層之消光係數k為0.4或更大及1.2或更小。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層之折射率為0或更大及3或更小。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層之折射率為2或更大及3或更小。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述暗色化圖案層之厚度為20奈米或更大及100奈米或更小。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電結構體的表面電阻大於0Ω/平方及為300Ω/平方或更小。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中在所述 導電結構體中，基於CIE L*a*b*色彩座標，亮度L*為55或更小且色度a*及b*為0或更小。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電圖案層的厚度為0.01μm或更大及10μm或更小。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電圖案層包含選自由以下組成的群組的一或多種材料：金屬、金屬合金、金屬氧化物及金屬氮化物，以及所述材料具有1×106Ω．cm或更大及30×106Ω．cm或更小的比電阻。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電圖案層包含選自由以下組成的群組的一或多者：銅、鋁、銀、釹、鉬、鎳、包含其中兩者或超過兩者之合金、包含其中一或多者之氧化物以及包含其中一或多者之氮化物。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中所述導電圖案層之圖案的線寬為10μm或更小。
  20. 一種觸控螢幕面板，包括：如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之導電結構體。
  21. 一種顯示裝置，包括：如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之導電結構體。
  22. 一種太陽能電池，包括：如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之導電結構體。
  23. 一種用於製造導電結構體的方法，包括：準備基板；在所述基板上形成導電圖案層；以及在所述導電圖案層的上表面、下表面或上表面及下表面上形成暗色化圖案層，其中所述暗色化圖案層包含由CuaMnbOcNd表示的銅錳基材料，在所述銅錳基材料中，b為Mn與所述銅錳基材料的質量比且為0.01或更大及0.5或更小，c為O與所述銅錳基材料的質量比且為0.05或更大及0.6或更小，d為N與所述銅錳基材料的質量比且為0或更大及0.15或更小，以及a為Cu與所述銅錳基材料的質量比且為相對於除Cu以外的組份之質量比的總和之剩餘值。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的用於製造導電結構體的方法，其中所述導電圖案層之形成包含在所述基板上形成導電層，其中所述暗色化圖案層之形成包含在所述導電層之上表面、下表面或上表面及下表面上形成暗色化層，且所述導電圖案層及所述暗色化圖案層是藉由同時圖案化所述導電層及所述暗色化層而形成。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的用於製造導電結構體的方法，其中在所述同時圖案化中，藉由使用蝕刻劑來執行批量蝕刻。
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