JP2013242770A - 静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置 - Google Patents

静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置 Download PDF

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Abstract

【課題】オンセル型の静電容量方式のタッチパネルにおいて、表示装置を構成する基板にパターン形成された透明導電膜による表示画面の美観の低下を抑制する。
【解決手段】光学ガラスからなる第１基板１０と、第１基板１０に形成された第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜１１と、第１屈折率調整膜１１上に形成された透明導電膜１２ｐとを有する構成、あるいは、光学ガラスからなる第１基板１０と、第１基板に形成された膜厚が５０ｎｍ以下の透明導電膜１２ｐとを有する構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置に関し、特に、オンセル型の静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置に関するものである。
タッチパネルは、駅や飲食店の券売機、小売店のキャッシュレジスターあるいは銀行の現金自動預け払い機などの産業分野から、携帯電話機、タブレット端末あるいは家電製品のコントローラーなどの民生分野に至るまで幅広く用いられている。
タッチパネルは、液晶表示装置などの表示装置に対して、表示装置の外部表面に張り合わせる外付け型と、表示装置に内蔵させる内蔵型とに大きく分類される。
外付け型は現在広く普及している方式であり、例えば、抵抗膜方式、静電容量方式、光学方式、音響方式、あるいは電磁方式などの種々の方式が知られており、特に静電容量方式は、表面型静電容量式と投影型静電容量方式が開発されている。
上記の外付け型は、タッチパネルを表示装置の外部表面に張り合わせた構成であるため、装置全体が厚く、また重くなりやすい不利益があった。
これに対して、内蔵型はタッチパネルを表示装置に内蔵させる構成であり、外付け型よりも薄型化及び軽量化を図ることができる。
内蔵型タッチパネルは、液晶セルなどの表示セルに対するタッチパネルが配置される位置から、インセル型とオンセル型に大きく分類される。
インセル型のタッチパネルとして、例えば接触方式、静電容量方式及び光学方式などが開発されている。一方、オンセル型のタッチパネルとしては、例えば抵抗膜方式と、表面型静電容量式及び投影型静電容量方式などの静電容量方式などが開発されている。
オンセル型の静電容量方式のタッチパネルは、例えば、表示装置を構成する基板にタッチ位置検出用のＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などからなる透明導電膜がパターン形成された構成である。
表示装置を構成する基板であって、透明導電膜がパターン形成された基板をタッチパネル基板と称する。
特許文献１〜３には、上記のオンセル型のタッチパネルに関する記載がある。
特開２０１１−１６５１８４号公報 特開２０１１−２２２０１３号公報 特開２０１２−４３３９４号公報
解決しようとする課題は、オンセル型の静電容量方式のタッチパネルにおいて、表示装置を構成する基板にパターン形成された透明導電膜のパターンが表示画面上に見えてしまい、表示画面の美観を損なうことがあることである。
本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第１基板と、前記第１基板に形成された前記第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜と、前記第１屈折率調整膜上に形成された透明導電膜とを有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第１基板に第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜が形成されており、第１屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されている。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜の膜厚が５０ｎｍ以下である。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第１屈折率調整膜が、反応性プラズマ蒸着により形成された膜である。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第１屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなる。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第１基板と前記第１屈折率調整膜の間に形成された第２屈折率調整膜をさらに有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第２屈折率調整膜が前記第１基板より屈折率が高い。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第１屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなり、前記第２屈折率調整膜が、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズからなる。
また、本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第１基板と、前記第１基板に形成された膜厚が５０ｎｍ以下の透明導電膜とを有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第１基板に膜厚が５０ｎｍ以下の透明導電膜が形成されている。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜がパターン加工されている。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板が張り合わされている。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成されている。
また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第１基板に前記第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成する工程と、前記第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する工程とを有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第１基板に第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成し、第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、前記透明導電膜の膜厚を５０ｎｍ以下で形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、反応性プラズマ蒸着により形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第１基板に前記第１屈折率調整膜を形成する工程の前に、前記第１基板に第２屈折率調整膜を形成する工程をさらに有し、前記第１屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第２屈折率調整膜上に前記第１屈折率調整膜を形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第２屈折率調整膜を形成する工程において、前記第１基板より屈折率が高い材料からなる第２屈折率調整膜を形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成し、前記第２屈折率調整膜を形成する工程において、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズから形成する。
また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第１基板に透明導電膜を５０ｎｍ以下の膜厚で形成する工程を有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第１基板に透明導電膜を５０ｎｍ以下の膜厚で形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜を形成する工程の後に、前記透明導電膜をパターン加工する工程とさらに有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜をパターン加工する工程の後に、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板を張り合わせる工程をさらに有する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜を形成する工程において、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成する。
また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内に設けられた光学ガラスからなる第１基板を保持する保持部と、前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第１基板に前記第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を堆積させる第１屈折率調整膜材料供給部と、前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第１基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有し、前記保持部に光学ガラスからなる第１基板を保持し、前記第１基板に前記第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成し、前記第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。
上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、成膜チャンバ内に、光学ガラスからなる第１基板を保持する保持部と、第１基板に第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を堆積させる第１屈折率調整膜材料供給部と、第１基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とが設けられており、保持部に光学ガラスからなる第１基板を保持し、第１基板に前記第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成し、第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。
また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、好適には、インラインで、前記第１基板にＲＦ印加スパッタリングより第１屈折率調整膜を形成し、前記第１屈折率調整膜上に反応性プラズマ蒸着により透明導電膜を形成する。
本発明の静電容量型タッチパネル基板によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
図１は本発明の第１実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板の製造方法の製造工程を示す模式図である。 図３は本発明の第２実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板の製造方法の製造工程を示す模式図である。 図５は本発明の第３実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図６は本発明の第４実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図７は本発明の第５実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図８は本発明の第６実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。 図９は本発明の実施例１に係る透明電極膜の膜厚に対する透過率及び反射率を示すグラフである。 図１０（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例２に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。 図１１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例２に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。 図１２（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例３に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。 図１３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例３に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。 図１４（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例４に係る成膜に寄与するイオンのエネルギー分布を示すグラフである。 図１５（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例５に係る透明電極膜のＸ線回折スペクトルである。 図１６（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例６に係る透明電極膜の電子顕微鏡写真である。 図１７は本発明の実施例７に係る透明電極膜の抵抗率の成膜温度依存性を示すグラフである。 図１８は本発明の実施例８に係る透明電極膜の透過率と反射率の和の波長依存性（光吸収スペクトル）である。
以下に、本発明の静電容量型タッチパネル基板、その製造方法並びに製造装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
［静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成］
図１は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。
例えば、第１基板１０と第２基板２０がスペーサ（不図示）を介して所定の間隙を設けて張り合わされている。第１基板１０と第２基板２０は、例えばそれぞれ光学ガラス基板である。
例えば、第２基板２０の第１基板１０側の表面には画素を駆動するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）（不図示）と画素ごとに区分された画素電極（不図示）が設けられており、その表面を被覆して配向膜（不図示）が設けられている。
また、例えば、第１基板１０の第２基板２０側の表面には全面に対向電極（不図示）が設けられており、その表面を被覆して配向膜（不図示）が設けられている。また、第１基板の第２基板２０側の反対側の面が表示画面となる。
第１基板１０と第２基板２０の間隙に液晶が封入されて液晶層３０が設けられている。
上記の構成の表示装置において、第１基板１０は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第１基板１０の第２基板２０と反対側の表面に、第１基板１０より屈折率の低い第１屈折率調整膜１１が形成されている。第１屈折率調整膜１１は、例えば酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムから形成され、例えば５〜１００ｎｍの膜厚で形成されている。
第１屈折率調整膜１１の上層に、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などからなる透明導電膜１２ｐが、例えば５〜５０ｎｍの膜厚で形成されている。
上記のＩＴＯなどからなる透明導電膜１２ｐは、例えば、反応性プラズマ蒸着（ＰＲＤ：Reactive Plasma Deposition）により形成された膜である。
例えば、第１屈折率調整膜１１が膜厚２５ｎｍの酸化シリコンで形成され、透明導電膜１２ｐが膜厚１０ｎｍのＩＴＯで形成された構成を好ましく用いることができる。
例えば、上記の透明導電膜１２ｐは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜１２ｐ上に透明接着剤１３を介してガラス基板である第３基板１４が張り合わされている。
上記の構成のタッチパネル基板において、第１基板１０及び第３基板１４は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば１．５２程度である。
第１屈折率調整膜１１は、例えば酸化シリコンからなる場合、屈折率は１．４５程度である。
透明導電膜１２ｐは、例えばＩＴＯからなる場合、屈折率は約１．９５である。
透明接着剤１３は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば１．４８〜１．５６である。
上記の構成において、透明導電膜１２ｐが例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることと、さらに第１基板１０とパターン加工された透明導電性膜１２ｐの間に酸化シリコンなどからなる第１基板１０より屈折率が低い第１屈折率調整膜１１が形成されていることにより、透明導電膜１２ｐのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜１２ｐの膜厚が５ｎｍ未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、５０ｎｍを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
上記の本実施形態の表示装置は液晶表示装置であり、液晶層３０の一方の両面において不図示の偏光膜が設けられている。例えば偏光膜は第２基板２０の第１基板１０と反対側の表面及び第３基板１４の第１基板１０と反対側の表面などに設けられている。
また、上記の本実施形態の表示装置はカラー表示装置である場合、不図示のカラーフィルタが設けられている。カラーフィルタは、例えば第１基板１０の第２基板２０側の表面などに適宜設けられている。
上記の構成において、画素電極と対向電極間に印加される電圧により液晶の配向が制御され、液晶表示装置の表示画面に画像を表示することができる。
上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第３基板１４の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜１２ｐ間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成され、第１屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されており、さらに透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
［タッチパネル基板の製造方法］
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、ＲＦ印加スパッタリングにより、第１基板１０の第２基板２０と反対側となる表面に、酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムなどの第１基板１０より屈折率の低い材料からなる第１屈折率調整膜１１を、例えば５〜１００ｎｍの膜厚で形成する。
次に、第１屈折率調整膜１１の上層に、例えば、ＲＰＤ（反応性プラズマ蒸着）により、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などからなる透明導電膜１２を５〜５０ｎｍの膜厚で形成する。
上記のＲＰＤでは、例えば、成膜チャンバ内に成膜対象基板、ＩＴＯ蒸着ターゲット及びプラズマガンを配置し、プラズマガンから発生させたプラズマを用いて蒸着ターゲットから得られたインジウムイオンあるいはスズイオンを酸素とともに酸化物として成膜対象基板に堆積する。
プラズマガンに印加する電圧は６０〜７０Ｖ程度に低い電圧でもよく、プラズマにより得られるインジウムイオンあるいはスズイオンのエネルギーは例えば３０ｅＶ以下に抑制でき、スパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減できる。このため、ＲＰＤにより形成されるＩＴＯ膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、５〜５０ｎｍにまで薄くして用いることができる。
また、大電流かつ高プラズマ密度のプラズマにおいてＩＴＯなどの透明導電膜材料をイオン化することで、反応よく、成膜対象基板の温度を例えば１００℃程度の低温に下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができる。
また、ＲＰＤでは、例えば０．３Ｐａ程度の高い圧力で成膜することが可能であり、成膜するＩＴＯ膜の被覆率が高められ、凹凸を有する成膜対象基板に対して均一で隙間のない緻密な膜が得られ、シート抵抗が低減され、耐環境性のよいＩＴＯ膜などの透明導電膜を形成することができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば、透明導電膜１２上層に不図示のレジスト膜を所定のパターンで形成し、得られたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングあるいはウェットエッチングなどのエッチング処理を施し、パターン加工された透明導電膜１２ｐとする。
この後、レジスト膜を除去する。
次に、図２（ｃ）に示すように、例えば、スピンコートなどの塗布などにより、パターン加工された透明導電膜１２ｐ及び第１屈折率調整膜１１を被覆して全面に透明接着剤１３を供給し、図２（ｄ）に示すように、透明接着剤１３介してガラス基板である第３基板１４を張り合わせる。
上記のようにして、本実施形態に係るタッチパネル基板を製造することができる。
図１に係る液晶表示装置を製造する場合には、例えば、上記のようにして得られたタッチパネル基板を構成する第１基板１０の透明導電膜１２ｐの形成面と反対側の面に対向電極を形成し、一方、第２基板２０にＴＦＴ及び画素電極を形成し、配向膜などを設けて第１基板１０と第２基板２０を、スペーサ（不図示）を介して所定の間隙を設けて張り合わせ、間隙に液晶を封入して液晶層３０を設けることで製造することができる。
本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、第１基板に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜を形成し、第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
［タッチパネル基板の製造装置］
上記の本実施形態に係るタッチパネル基板は、以下の製造装置で製造できる。
例えば、成膜チャンバと、成膜チャンバ内に設けられた第１基板を保持する保持部と、成膜チャンバ内に設けられ、第１基板に酸化シリコンなどの第１基板より屈折率の低い材料からなる第１屈折率調整膜を堆積させる第１屈折率調整膜材料供給部と、成膜チャンバ内に設けられ、第１基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有する。
成膜チャンバは、排気管を介して真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。ＲＰＤによる成膜時における成膜チャンバ内の背圧は、例えば０．３Ｐａ程度である。
保持部に光学ガラスからなる第１基板を保持し、上記のように成膜チャンバの内部を所定の圧力に減圧し、第１屈折率調整膜材料供給部から第１屈折率調整膜材料を供給して、例えばＲＦ印加スパッタリングにより第１基板に酸化シリコンからなる第１屈折率調整膜を形成する。
次に、透明導電膜材料供給部から透明導電膜材料を供給して、例えばＲＰＤにより第１屈折率調整膜上にＩＴＯからなる透明導電膜を形成する。
上記の構成の製造装置により、タッチパネル基板を例えばインラインで製造することができる。
本実施形態のタッチパネル基板の製造装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜を形成し、第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
＜第２実施形態＞
［静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成］
図３は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図３に示すように、光学ガラスからなる第１基板１０と酸化シリコンからなる第１屈折率調整膜１１の間に形成された第２屈折率調整膜１５をさらに有することを除いては、実質的に第１実施形態の表示装置と同様の構成である。
上記の構成の表示装置において、第１基板１０は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第１基板１０の第２基板２０と反対側の表面に、例えばＩＴＯ，酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５），酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５），あるいは酸化チタン（ＴｉＯ２）などの第１基板１０より屈折率の高い材料からなる第２屈折率調整膜１５が５〜１００ｎｍの膜厚で形成されている。
第２屈折率調整膜１５の上層に、第１基板１０より屈折率の低い第１屈折率調整膜１１が形成されている。第１屈折率調整膜１１は、例えば酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムから形成され、例えば５〜１００ｎｍの膜厚で形成されている。
第１屈折率調整膜１１の上層に、例えばＩＴＯなどからなる透明導電膜１２ｐが、例えば５〜５０ｎｍの膜厚で形成されている。
上記のＩＴＯなどからなる透明導電膜１２ｐは、例えば、ＲＰＤにより形成された膜である。
例えば、第１屈折率調整膜１１が膜厚１０ｎｍのＩＴＯで形成され、第１屈折率調整膜１１が膜厚５０ｎｍの酸化シリコンで形成され、透明導電膜１２ｐが膜厚１０ｎｍのＩＴＯで形成された構成を好ましく用いることができる。
例えば、上記の透明導電膜１２ｐは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜１２ｐ上に透明接着剤１３を介してガラス基板である第３基板１４が張り合わされている。
上記の構成のタッチパネル基板において、第１基板１０及び第３基板１４は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば１．５２程度である。
第２屈折率調整膜１５は、例えばＩＴＯからなる場合、屈折率は１．９５程度であり、酸化ニオブからなる場合、屈折率は２．３程度である。
第１屈折率調整膜１１は、例えば酸化シリコンからなる場合、屈折率は１．４５程度である。
透明導電膜１２ｐは、例えばＩＴＯからなる場合、屈折率は約１．９５である。
透明接着剤１３は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば１．４８〜１．５６である。
上記の構成において、第１基板１０とパターン加工された透明導電性膜１２ｐの間にＩＴＯなどからなる第１基板１０より屈折率の高い材料からなる第２屈折率調整膜１５と酸化シリコンなどからなる第１基板１０より屈折率が低い第１屈折率調整膜１１が積層して形成されており、さらに透明導電膜１２ｐが例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることにより、透明導電膜１２ｐのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、透明導電膜１２ｐが例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜１２ｐの膜厚が５ｎｍ未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、５０ｎｍを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
上記を除いては、第１実施形態を同様の構成である。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が高い第２屈折率調整膜が形成され、第２屈折率調整膜上に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成され、さらに透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
［タッチパネル基板の製造方法］
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、例えば、ＲＰＤにより、第１基板１０の第２基板２０と反対側となる表面に、ＩＴＯあるいは酸化ニオブなどの第１基板１０より屈折率の高い材料からなる第２屈折率調整膜１５を、例えば５〜１００ｎｍの膜厚で形成する。
次に、例えば、ＲＦ印加スパッタリングにより、第２屈折率調整膜１５の上層に、酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムなどの第１基板１０より屈折率の低い材料からなる第１屈折率調整膜１１を、例えば５〜１００ｎｍの膜厚で形成する。
次に、第１屈折率調整膜１１の上層に、例えば、ＲＰＤにより、ＩＴＯなどからなる透明導電膜１２を５〜５０ｎｍの膜厚で形成する。
ＲＰＤにより形成されるＩＴＯ膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、５〜５０ｎｍにまで薄くして用いることができる。
ＲＰＤにより形成されるＩＴＯ膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、５〜５０ｎｍにまで薄くして用いることができ、成膜対象基板の温度を例えば１００℃程度の低温に下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、例えば、透明導電膜１２上層に不図示のレジスト膜を所定のパターンで形成し、得られたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングあるいはウェットエッチングなどのエッチング処理を施し、パターン加工された透明導電膜１２ｐとする。
この後、レジスト膜を除去する。
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば、スピンコートなどの塗布などにより、パターン加工された透明導電膜１２ｐ及び第１屈折率調整膜１１を被覆して全面に透明接着剤１３を供給し、図４（ｄ）に示すように、透明接着剤１３介してガラス基板である第３基板１４を張り合わせる。
上記のようにして、本実施形態に係るタッチパネル基板を製造することができる。
図３に係る液晶表示装置を製造する場合には、例えば、上記のようにして得られたタッチパネル基板を構成する第１基板１０の透明導電膜１２ｐの形成面と反対側の面に対向電極を形成し、一方、第２基板２０にＴＦＴ及び画素電極を形成し、配向膜などを設けて第１基板１０と第２基板２０をスペーサ（不図示）を介して所定の間隙を設けて張り合わせ、間隙に液晶を封入して液晶層３０を設けることで製造することができる。
本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、第１基板に第１基板より屈折率が高い第２屈折率調整膜を形成し、第２屈折率調整膜上に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化していることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
［タッチパネル基板の製造装置］
上記の本実施形態に係るタッチパネル基板は、以下の製造装置で製造できる。
例えば、成膜チャンバと、成膜チャンバ内に設けられた第１基板を保持する保持部と、成膜チャンバ内に設けられ、第１基板にＩＴＯなどの第１基板より屈折率の高い材料からなる第２屈折率調整膜を堆積させる第２屈折率調整膜材料供給部と、第１基板に酸化シリコンなどの第１基板より屈折率の低い材料からなる第１屈折率調整膜を堆積させる第１屈折率調整膜材料供給部と、成膜チャンバ内に設けられ、第１基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有する。
成膜チャンバは、排気管を介して真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。ＲＰＤによる成膜時における成膜チャンバ内の背圧は、例えば０．３Ｐａ程度である。
保持部に光学ガラスからなる第１基板を保持し、上記のように成膜チャンバの内部を所定の圧力に減圧し、第２屈折率調整膜材料供給部から第２屈折率調整膜材料を供給して、例えばＲＰＤにより第１基板にＩＴＯからなる第２屈折率調整膜を形成する。
次に、第１屈折率調整膜材料供給部から第１屈折率調整膜材料を供給して、例えばＲＦ印加スパッタリングにより第２屈折率調整膜上に酸化シリコンからなる第１屈折率調整膜を形成する。
次に、透明導電膜材料供給部から透明導電膜材料を供給して、例えばＲＰＤにより第１屈折率調整膜上にＩＴＯからなる透明導電膜を形成する。
上記の構成の製造装置により、タッチパネル基板を例えばインラインで製造することができる。
本実施形態のタッチパネル基板の製造装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が高い第２屈折率調整膜を形成し、第２屈折率調整膜上に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜を形成し、第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
＜第３実施形態＞
［静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成］
図５は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。
上記の構成の表示装置において、第１基板１０は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第１基板１０の第２基板２０と反対側の表面に、例えばＩＴＯなどからなる透明導電膜１２ｐが、例えば５〜５０ｎｍの膜厚で形成されている。
上記のＩＴＯなどからなる透明導電膜１２ｐは、例えば、ＲＰＤにより形成された膜である。
例えば、上記の透明導電膜１２ｐは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜１２ｐ上に透明接着剤１３を介してガラス基板である第３基板１４が張り合わされている。
上記の構成のタッチパネル基板において、第１基板１０及び第３基板１４は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば１．５２程度である。
透明導電膜１２ｐは、例えばＩＴＯからなる場合、屈折率は約１．９５である。
透明接着剤１３は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば１．４８〜１．５６である。
上記の構成において、透明導電膜１２ｐが例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることにより、透明導電膜１２ｐのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、透明導電膜１２ｐが例えば５〜５０ｎｍの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜１２ｐの膜厚が５ｎｍ未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、５０ｎｍを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
上記を除いては、第１実施形態を同様の構成である。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
［タッチパネル基板の製造方法］
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、第１基板１０に、例えば、ＲＰＤにより、ＩＴＯなどからなる透明導電膜１２を５〜５０ｎｍの膜厚で形成する。
ＲＰＤにより形成されるＩＴＯ膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、５〜５０ｎｍにまで薄くして用いることができる。
また、スパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減でき、成膜対象基板の温度を例えば１００℃程度にまで下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができ、さらに被覆率が高められ、凹凸を有する成膜対象基板に対して均一で隙間のない緻密な膜が得られ、シート抵抗が低減され、耐環境性のよいＩＴＯ膜などの透明導電膜を形成することができる。
上記以降の工程は、第１実施形態と同様にして行うことができる。
本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、透明導電膜を例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化していることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
＜第４実施形態＞
図６は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図６に示すように、複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）が透明接着剤（１３ａ，１３ｂ）を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第１実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）は、例えば透明導電膜１２ａがＸ軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜１２ｂがＹ軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第３基板１４の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を（Ｘ，Ｙ）座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成され、第１屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されており、さらに透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜１２ａをＸ軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤１２ａを設けて平坦化した後、透明導電膜１２ｂをＹ軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第１実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。
＜第５実施形態＞
図７は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図７に示すように、複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）が透明接着剤（１３ａ，１３ｂ）を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第２実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）は、例えば透明導電膜１２ａがＸ軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜１２ｂがＹ軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第３基板１４の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を（Ｘ，Ｙ）座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第１基板に第１基板より屈折率が高い第２屈折率調整膜が形成され、第２屈折率調整膜上に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成され、さらに透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜１２ａをＸ軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤１２ａを設けて平坦化した後、透明導電膜１２ｂをＹ軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第２実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。
＜第６実施形態＞
図８は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図８に示すように、複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）が透明接着剤（１３ａ，１３ｂ）を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第３実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）は、例えば透明導電膜１２ａがＸ軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜１２ｂがＹ軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第３基板１４の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜（１２ａ，１２ｂ）間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を（Ｘ，Ｙ）座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜１２ａをＸ軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤１２ａを設けて平坦化した後、透明導電膜１２ｂをＹ軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第３実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。
＜実施例１＞
図９は実施例１に係る透明電極膜の膜厚に対する透過率及び反射率を示すグラフである。
光学ガラスに、ＲＰＤによりＩＴＯ膜を形成し、その上層に光学ガラスを張り合わせた試料の透過率Ｔ（％）と反射率Ｒ（％）のＩＴＯ膜厚ｄ（ｎｍ）に対する依存性を測定した。
反射率Ｒは、ＩＴＯ膜厚が約７０ｎｍのときをピークとして薄くなるにつれて低くなる。特に、５０ｎｍ以下では反射率Ｒが４％程度以下となり、２０ｎｍで約１％、１０ｎｍで約０．２％程度にまで低減できる。
上記にように、タッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置において、透明導電膜が例えば５〜５０ｎｍの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できることが確認された。
＜実施例２＞
図１０（ａ）〜（ｃ）は実施例２に係るタッチパネル基板の反射率の波長λ（ｎｍ）依存性（反射スペクトル）を示すグラフである。
また、図１１（ａ）〜（ｃ）は実施例２に係るタッチパネル基板の反射率の波長λ（ｎｍ）依存性を示すグラフである。
図１０（ａ）は、光学ガラスに、ＲＰＤにより１０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した試料、図１０（ｂ）は、光学ガラスに、ＲＦ印加スパッタリングにより２５ｎｍの酸化シリコンを形成し、その上層にＲＰＤにより１０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した試料、図１０（ｃ）は、光学ガラスに、ＲＰＤにより１０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、その上層にＲＦ印加スパッタリングにより２５ｎｍの酸化シリコンを形成し、その上層にＲＰＤにより１０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した試料の各反射スペクトルである。
図１１（ａ）〜（ｃ）は、図１０（ａ）〜（ｃ）の試料に対して、さらに上層に光学ガラスを張り合わせた試料の反射スペクトルである。
図１１（ａ）に示すように、ＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとすることで可視光の全領域で反射率が０．８％を下回り、さらに図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板とＩＴＯ膜の間に２５ｎｍの酸化シリコン膜を形成することで可視光の全領域で反射率が０．６％を下回り、また、さらに図１１（ｃ）に示すように、ガラス基板とＩＴＯ膜の間に１０ｎｍのＩＴＯ膜及び２５ｎｍの酸化シリコン膜を形成することで可視光の全領域で反射率が０．０５％を下回った。
本実施例から、透明導電膜が薄膜化され、さらに、第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成されていること、あるいは第１基板に第１基板より屈折率が高い第２屈折率調整膜が形成され、第２屈折率調整膜上に第１基板より屈折率が低い第１屈折率調整膜が形成されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できることが確認された。
＜実施例３＞
図１２（ａ）〜（ｃ）は実施例３に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。
また、図１３（ａ）〜（ｃ）は実施例３に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。
光学ガラスに、ＲＦ印加スパッタリングにより２５ｎｍの酸化シリコンを形成し、その上層にＲＰＤにより１０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、その上層に光学ガラスを張り合わせた試料を作成し、反射率Ｒ（％）を測定した。
図１２（ａ）は、ＩＴＯ膜厚を５％変動させたときの平均の反射率（ａ１）、最小の反射率（ａ２）、最大の反射率（ａ３）である。
図１２（ｂ）は、酸化シリコン膜厚を５％変動させたときの平均の反射率（ｂ１）、最小の反射率（ｂ２）、最大の反射率（ｂ３）である。
図１２（ｃ）は、ＩＴＯ膜厚及び酸化シリコン膜をそれぞれ５％変動させたときの平均の反射率（ｃ１）、最小の反射率（ｃ２）、最大の反射率（ｃ３）である。
図１２（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜が変動しても反射率の変動は小さく、これは、図１２（ａ）と図１２（ｃ）がほぼ同等の反射率を示すことからも確認された。即ち、反射率は第１屈折率調整膜の膜厚変動に対する耐性が高いことが確認された。
図１３（ａ）は、ＩＴＯ膜厚を１０％変動させたときの平均の反射率（ａ１）、最小の反射率（ａ２）、最大の反射率（ａ３）である。
図１３（ｂ）は、酸化シリコン膜厚を１０％変動させたときの平均の反射率（ｂ１）、最小の反射率（ｂ２）、最大の反射率（ｂ３）である。
図１３（ｃ）は、ＩＴＯ膜厚及び酸化シリコン膜をそれぞれ１０％変動させたときの平均の反射率（ｃ１）、最小の反射率（ｃ２）、最大の反射率（ｃ３）である。
上記と同様に、図１３（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜が変動しても反射率の変動は小さく、これは、図１３（ａ）と図１３（ｃ）がほぼ同等の反射率を示すことからも確認された。即ち、反射率は第１屈折率調整膜の膜厚変動に対する耐性が高いことが確認された。
＜実施例４＞
図１４（ａ）及び（ｂ）は実施例４に係る成膜に寄与するイオンのエネルギー分布を示すグラフである。
図１４（ａ）は、ＲＰＤにおけるインジウムイオン（Ｉｎ＋）の強度とそのエネルギーＥ（ｅＶ）の分布を示す。
ＲＰＤにおいては、エネルギーが１００ｅＶを超えるような粒子はなく、実質的に３０ｅＶ以下の低いエネルギーを有する粒子がほとんどであることが確認された。
ＲＰＤにおいては、エネルギーが１００ｅＶを超えるような粒子はなく、実質的に３０ｅＶ以下の低いエネルギーを有する粒子がほとんどであることが確認された。
また、図１４（ｂ）は、スパッタリングにおけるアルゴンイオン（Ａｒ＋）の強度とそのエネルギーＥ（ｅＶ）の分布を示す。
スパッタリングにおいては、エネルギーが１００ｅＶを超えるエネルギーの大きい粒子が存在していた。
即ち、ＲＰＤではスパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減できることが確認された。
＜実施例５＞
図１５（ａ）及び（ｂ）は実施例５に係る透明電極膜のＸ線回折スペクトルである。
光学ガラスに、ＲＰＤあるいはスパッタリングにより３００ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、試料を作成した。
図１５（ａ）はＲＰＤにより形成したＩＴＯ膜のＸ線回折スペクトルである。
ＲＰＤでは、（２２２）面のピークが強く、指向性の高いＩＴＯ膜が形成できることが確認された。
図１５（ｂ）はスパッタリングより形成したＩＴＯ膜のＸ線回折スペクトルである。
スパッタリングでは、種々の面のピークが出現し、ＲＰＤと比較して指向性の低いＩＴＯ膜が形成されることが確認された。
＜実施例６＞
図１６（ａ）及び（ｂ）は実施例６に係る透明電極膜の電子顕微鏡写真である。
光学ガラスに、ＲＰＤあるいはスパッタリングにより３００ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、試料を作成した。
図１６（ａ）はＲＰＤにより形成したＩＴＯ膜の電子顕微鏡写真である。
ＲＰＤでは、結晶の粒径が大きく、表面粗さが８ｎｍと低い膜が形成できることが確認された。
図１６（ｂ）はスパッタリングにより形成したＩＴＯ膜の電子顕微鏡写真である。
スパッタリングでは、結晶の粒径が小さく、表面粗さが３０ｎｍと大きい膜が形成されることが確認された。
＜実施例７＞
図１７は実施例７に係る透明電極膜の抵抗率の成膜温度依存性を示すグラフである。
光学ガラスにＲＰＤ（ａ）あるいはスパッタリング（ｂ）により種々の成膜温度Ｔ（℃）でＩＴＯ膜を形成し、試料を作成し、抵抗率Ｒ（μΩ・ｍ）を測定した。
ＲＰＤによれば、スパッタリングより低い抵抗率Ｒを有するＩＴＯ膜を形成できることが確認された。
特に、１０Ω／□のシート抵抗を得るためのＩＴＯ膜厚は、１００℃の温度ではＲＰＤで２００ｎｍであったのに対し、スパッタリングでは３００ｎｍ以上必要であった。
＜実施例８＞
図１８は実施例８に係る透明電極膜の透過率と反射率の和の波長依存性（光吸収スペクトル）である。
光学ガラスにＲＰＤにより種々の膜厚のＩＴＯ膜を形成し、透過率Ｔ（％）と反射率Ｒ（％）を測定した。
図１８中、縦軸は透過率Ｔと反射率Ｒの和であり、１００（％）から低下した分は光吸収を示す。光学ガラスのみ（ａ）に対して、ＩＴＯ膜を２５ｎｍ（ｂ），５０ｎｍ（ｃ），１００ｎｍ（ｄ），１５０ｎｍ（ｅ），２００ｎｍ（ｆ），２５０ｎｍ（ｇ）の各膜厚で形成した。
ＲＰＤにより形成したＩＴＯ膜は、厚くするにつれて光吸収が大きくなるが、例えば膜厚が５０ｎｍ以下の薄い領域では可視光領域で光吸収スペクトルがほぼ平坦であることが確認された。即ち、例えば膜厚が５０ｎｍ以下のＩＴＯ膜は、可視光に対して実質的に透明である膜となっている。
本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、実施形態においてはタッチパネル基板を液晶表示装置に適用した形態を示しているが、これに限らず、ＬＥＤ(発光ダイオード)表示装置、有機ＥＬ(Electro Luminescence)などのＥＬ表示装置、ＶＦＤ(蛍光表示管)表示装置、ＰＤＰ(プラズマディスプレイパネル)などの液晶表示装置以外の表示装置に適用可能であり、各種の表示装置を構成する基板を本発明のタッチパネル基板とすることで、内蔵オンセル型のタッチパネル付表示装置を実現可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
１０…第１基板
１１…第１屈折率調整膜
１２，１２ｐ，１２ａ，１２ｂ…透明導電膜
１３，１３ａ、１３ｂ…透明接着剤
１４…第３基板
１５…第２屈折率調整膜
２０…第２基板
３０…液晶層

Claims (24)

  1. 光学ガラスからなる第１基板と、
    前記第１基板に形成された前記第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜と、
    前記第１屈折率調整膜上に形成された透明導電膜と
    を有する静電容量型タッチパネル基板。
  2. 前記透明導電膜の膜厚が５０ｎｍ以下である
    請求項１に記載の静電容量型タッチパネル基板。
  3. 前記第１屈折率調整膜が、反応性プラズマ蒸着により形成された膜である
    請求項１または２に記載の静電容量型タッチパネル基板。
  4. 前記第１屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなる
    請求項１〜３のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
  5. 前記第１基板と前記第１屈折率調整膜の間に形成された第２屈折率調整膜をさらに有する
    請求項１〜４のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
  6. 前記第２屈折率調整膜が前記第１基板より屈折率が高い
    請求項５に記載の静電容量型タッチパネル基板。
  7. 前記第１屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなり、
    前記第２屈折率調整膜が、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズからなる
    請求項６に記載の静電容量型タッチパネル基板。
  8. 光学ガラスからなる第１基板と、
    前記第１基板に形成された膜厚が５０ｎｍ以下の透明導電膜と
    を有する静電容量型タッチパネル基板。
  9. 前記透明導電膜がパターン加工されている
    請求項１〜８のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
  10. パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板が張り合わされている
    請求項９に記載の静電容量型タッチパネル基板。
  11. 前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成されている
    請求項１〜１０のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
  12. 光学ガラスからなる第１基板に前記第１基板より屈折率が低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成する工程と、
    前記第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する工程と
    を有する静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  13. 前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、前記透明導電膜の膜厚を５０ｎｍ以下で形成する
    請求項１２に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  14. 前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、反応性プラズマ蒸着により形成する
    請求項１２または１３に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  15. 前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成する
    請求項１２〜１４のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  16. 前記第１基板に前記第１屈折率調整膜を形成する工程の前に、前記第１基板に第２屈折率調整膜を形成する工程をさらに有し、
    前記第１屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第２屈折率調整膜上に前記第１屈折率調整膜を形成する
    請求項１２〜１５のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  17. 前記第２屈折率調整膜を形成する工程において、前記第１基板より屈折率が高い材料からなる第２屈折率調整膜を形成する
    請求項１６に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  18. 前記第１屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成し、
    前記第２屈折率調整膜を形成する工程において、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズから形成する
    請求項１７に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  19. 光学ガラスからなる第１基板に透明導電膜を５０ｎｍ以下の膜厚で形成する工程を有する
    静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  20. 前記透明導電膜を形成する工程の後に、前記透明導電膜をパターン加工する工程とさらに有する
    請求項１２〜１９のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  21. 前記透明導電膜をパターン加工する工程の後に、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板を張り合わせる工程をさらに有する
    請求項２０に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  22. 前記透明導電膜を形成する工程において、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成する
    請求項１２〜２１のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
  23. 成膜チャンバと、
    前記成膜チャンバ内に設けられた光学ガラスからなる第１基板を保持する保持部と、
    前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第１基板に前記第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を堆積させる第１屈折率調整膜材料供給部と、
    前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第１基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部と
    を有し、
    前記保持部に光学ガラスからなる第１基板を保持し、前記第１基板に前記第１基板の屈折率より低い材料からなる第１屈折率調整膜を形成し、前記第１屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する
    静電容量型タッチパネル基板の製造装置。
  24. インラインで、前記第１基板にＲＦ印加スパッタリングより第１屈折率調整膜を形成し、前記第１屈折率調整膜上に反応性プラズマ蒸着により透明導電膜を形成する
    請求項２３に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016004429A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 株式会社アルバック 透明導電性基板およびその製造方法、並びにタッチパネル
JP2016105304A (ja) * 2014-08-01 2016-06-09 株式会社 ハイディープ スマートフォン
JP2016153963A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 タッチパネル
US9501195B1 (en) 2015-07-27 2016-11-22 Hideep Inc. Smartphone
US9535529B2 (en) 2014-09-19 2017-01-03 Hideep Inc. Smartphone
US9578148B2 (en) 2014-09-19 2017-02-21 Hideep Inc. Smartphone capable of detecting touch position and pressure
WO2017104810A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 アルプス電気株式会社 入力装置
WO2017104809A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 アルプス電気株式会社 入力装置
US10007380B2 (en) 2013-07-29 2018-06-26 Hideep Inc. Touch input device with edge support member
US10474271B2 (en) 2014-08-01 2019-11-12 Hideep Inc. Touch input device
US11023065B2 (en) 2013-07-29 2021-06-01 Hideep Inc. Touch sensor

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6122253B2 (ja) * 2012-05-22 2017-04-26 株式会社オプトラン 静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置
US10401996B2 (en) 2014-03-05 2019-09-03 Mitsubishi Electric Corporation Display panel and display apparatus
CN104766546A (zh) * 2015-04-15 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN104850266B (zh) * 2015-06-05 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 触摸显示面板及其制造方法和显示装置
TW201702848A (zh) * 2015-07-09 2017-01-16 達鴻先進科技股份有限公司 電容式觸控面板
CN109491545B (zh) * 2018-12-19 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触摸屏组件及电子设备
CN110634621A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 天津大学 一种基于AgNWs柔性透明触摸屏及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001195190A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Yazaki Corp 入力装置及びその製造方法
WO2007037358A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2009143841A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Zno Lab:Kk 抗菌性材料及びその製造方法
WO2012000793A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Applied Materials, Inc. Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel
JP2012058956A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sony Corp 電極フィルム及び座標検出装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040071889A1 (en) * 2002-08-07 2004-04-15 Hoya Corporation Method of producing an antireflection-coated substrate
ATE439335T1 (de) * 2003-12-16 2009-08-15 Asulab Sa Verfahren zur herstellung eines transparenten elements mit unsichtbaren elektroden
JP4605788B2 (ja) * 2006-04-27 2011-01-05 日東電工株式会社 タッチパネル
CN101582304A (zh) * 2008-05-13 2009-11-18 日东电工株式会社 透明导电膜及其制造方法
CN101713834B (zh) * 2008-10-07 2011-12-14 甘国工 高透光导电膜系
CN101429640A (zh) * 2008-10-21 2009-05-13 北京东方新材科技有限公司 一种透明导电膜的制备方法
CN101916818A (zh) * 2010-07-20 2010-12-15 武汉迪源光电科技有限公司 一种出光层折射率渐变的发光二极管
JP6122253B2 (ja) * 2012-05-22 2017-04-26 株式会社オプトラン 静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001195190A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Yazaki Corp 入力装置及びその製造方法
WO2007037358A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2009143841A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Zno Lab:Kk 抗菌性材料及びその製造方法
WO2012000793A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Applied Materials, Inc. Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel
JP2012058956A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sony Corp 電極フィルム及び座標検出装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
山本 哲也 TETSUYA YAMAMOTO: "世界初，酸化亜鉛で透明誘電膜の大型化に成功", 月刊ディスプレイ 第１０巻 第６号 MONTHLY DISPLAY, vol. 第10巻 第6号, JPN6016039510, 1 June 2004 (2004-06-01), JP, pages 70 - 74, ISSN: 0003419747 *

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11023065B2 (en) 2013-07-29 2021-06-01 Hideep Inc. Touch sensor
US10007380B2 (en) 2013-07-29 2018-06-26 Hideep Inc. Touch input device with edge support member
JP2016004429A (ja) * 2014-06-17 2016-01-12 株式会社アルバック 透明導電性基板およびその製造方法、並びにタッチパネル
CN105278736A (zh) * 2014-06-17 2016-01-27 株式会社爱发科 透明导电性基板和透明导电性基板的制造方法及触控面板
JP2017117490A (ja) * 2014-08-01 2017-06-29 株式会社 ハイディープＨｉＤｅｅｐ Ｉｎｃ． スマートフォン
US9454253B2 (en) 2014-08-01 2016-09-27 Hideep Inc. Smartphone
US11709573B2 (en) 2014-08-01 2023-07-25 Hideep Inc. Touch input device
US9547388B2 (en) 2014-08-01 2017-01-17 Hideep Inc. Touch input device
US11301103B2 (en) 2014-08-01 2022-04-12 Hideep Inc. Touch input device
JP2016105304A (ja) * 2014-08-01 2016-06-09 株式会社 ハイディープ スマートフォン
US10983648B2 (en) 2014-08-01 2021-04-20 Hideep Inc. Touch input device
US10474271B2 (en) 2014-08-01 2019-11-12 Hideep Inc. Touch input device
US10133377B2 (en) 2014-08-01 2018-11-20 Hideep Inc. Smartphone
US10007371B2 (en) 2014-08-01 2018-06-26 Hideep Inc. Smartphone
US9658712B2 (en) 2014-09-19 2017-05-23 Hideep Inc. Smartphone
US9619068B2 (en) 2014-09-19 2017-04-11 Hideep Inc. Smartphone
US9535529B2 (en) 2014-09-19 2017-01-03 Hideep Inc. Smartphone
US9578148B2 (en) 2014-09-19 2017-02-21 Hideep Inc. Smartphone capable of detecting touch position and pressure
US11182000B2 (en) 2014-09-19 2021-11-23 Hideep Inc. Smartphone
US10452185B2 (en) 2014-09-19 2019-10-22 Hideep Inc. Smartphone
US9575586B2 (en) 2014-09-19 2017-02-21 Hideep Inc. Touch input device
US9804703B2 (en) 2014-09-19 2017-10-31 Hideep Inc. Touch input device which detects a magnitude of a touch pressure
JP2016153963A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 タッチパネル
US11003006B2 (en) 2015-07-27 2021-05-11 Hideep Inc. Touch input device
US10606402B2 (en) 2015-07-27 2020-03-31 Hideep Inc. Smartphone
US9501195B1 (en) 2015-07-27 2016-11-22 Hideep Inc. Smartphone
US10234984B2 (en) 2015-07-27 2019-03-19 Hideep Inc. Backlight module with integrated pressure sensor
WO2017104810A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 アルプス電気株式会社 入力装置
WO2017104809A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 アルプス電気株式会社 入力装置

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