JPWO2014188683A1 - タッチパネル用電極基板、これを含むタッチパネル、及び表示パネル - Google Patents

Abstract

本発明は、光透過性が高く、かつ導電性領域の表面電気抵抗値が低いタッチパネル用電極基板を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、透明基板と、第一高屈折率層と、Ｐｔ及びＰｄのうち、いずれか一方あるいは両方を含み、かつ厚みが１ｎｍ以下である白金族含有層と、導電層と、第二高屈折率層と、をこの順に含む、タッチパネル用電極基板であって、前記導電層の前記第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ１＋ｉｙ１、前記導電層の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ２＋ｉｙ２で表した場合に、ｘ１及びｘ２のうち、少なくとも一方が１．６以上である、タッチパネル用電極基板とする。

Description

本発明は、金属パターンを含むタッチパネル用電極基板、これを含むタッチパネル、及び表示パネルに関する。

近年、静電容量方式のタッチパネルが開発されている。当該タッチパネルには、透明導電層が配設された電極基板が含まれる。このような透明導電層を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られており；光透過性及び導電性の観点から、ＩＴＯ膜が多用されている。

しかし、大面積のＩＴＯ膜は、膜の表面電気抵抗値が高まりやすい。また小面積であっても、ＩＴＯ膜の表面電気抵抗値を低減するためには、成膜時の温度を高める必要がある。したがって、樹脂フィルム等からなる基板上には、表面電気抵抗値の低いＩＴＯ膜を成膜できない、という問題もある。

そこで、ＩＴＯ膜に代わる透明導電層として、Ａｇをメッシュ状に配置した透明導電層が提案されている（特許文献１）。しかし、特許文献１の透明導電層は、Ａｇワイヤの幅が２０μｍ程度である。そのため、Ａｇワイヤが視認されやすく、高い透明性が必要とされる用途には適用できない。さらに、ワイヤ部分では導通があるが、ワイヤが存在しない領域では十分に導通しない。

また、Ａｇナノワイヤを含む透明導電層も提案されている（特許文献２）。しかし、当該透明導電層の表面電気抵抗値を低くするためには、透明導電層の厚みを２００ｎｍ程度にする必要がある。そのため、透明導電層は、フレキシブル性が求められる用途に適用し難い。一方、Ａｇを蒸着法等で成膜した透明導電層も提案されている（特許文献３）。

特開２０１２−５３６４４号公報 特表２００９−５０５３５８号公報 特表２０１１−５０８４００号公報

しかし、Ａｇからなる透明導電層は、光透過性を高めることが難しい。例えば、透明導電層の表面電気抵抗値を高めるために、膜の厚みを厚くすると、Ａｇ本来の反射が生じ、光透過率が低くなる。一方、透明導電層の光透過性を高めるために、膜の厚みを薄くすると、プラズモン吸収が生じて、光透過率が低くなる。さらにこの場合、透明導電層の表面電気抵抗値も低下する。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。本発明は、光透過性が高く、かつ導電性領域の表面電気抵抗値が低いタッチパネル用電極基板を提供することを目的とする。

即ち、本発明の第一は、以下のタッチパネル用電極基板に関する。
［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、Ｐｔ及びＰｄのうち、いずれか一方あるいは両方を含み、かつ厚みが１ｎｍ以下である白金族含有層と、金属からなる導電層と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む、タッチパネル用電極基板であって、前記導電層の前記第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、前記導電層の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ_２＋ｉｙ_２で表した場合に、ｘ_１及びｘ_２のうち、少なくとも一方が１．６以上である、タッチパネル用電極基板。

［２］波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１０％以下であり、かつ波長４００〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値が１５％以下である、［１］に記載のタッチパネル用電極基板。
［３］前記導電層のプラズモン吸収率が、波長４００〜８００ｎｍの全範囲で１５％以下である、［１］または［２］に記載のタッチパネル用電極基板。
［４］前記導電層が、銀または銀を９０ａｔ％以上含む合金からなる、［１］〜［３］のいずれかに記載のタッチパネル用電極基板。

［５］前記第一高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体、及び前記第二高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体のうち、いずれか一方あるいは両方がＴｉＯ_２、またはＮｂ_２Ｏ_５である、［１］〜［４］のいずれかに記載のタッチパネル用電極基板。

［６］前記第二高屈折率層上に、前記第二高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低いアドミッタンス調整層をさらに有する、［１］〜［５」のいずれかに記載のタッチパネル用電極基板。
［７］前記タッチパネル用電極基板の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_Ｅ＝ｘ_Ｅ＋ｉｙ_Ｅで表し、前記タッチパネル用電極基板の前記第二高屈折率層側の表面に接する部材または環境の、波長５７０ｎｍの光の屈折率をｎ_ｅｎｖで表した場合に、（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５≦０．３を満たす、［１］〜［６］のいずれかに記載のタッチパネル用電極基板。

本発明の第二は、以下のタッチパネル、及び表示パネルに関する。
［８］前記［１］〜［７］のいずれかに記載のタッチパネル用電極基板を含む、タッチパネル。
［９］前記タッチパネル用電極基板を２つ含み、前記２つのタッチパネル用電極基板が積み重なるように配置されている、［８］に記載のタッチパネル。
［１０］前記［８］または［９］に記載のタッチパネルと、表示装置とが積層されている、表示パネル。

本発明によれば、光透過性が高く、かつ導電性領域の表面電気抵抗値が低いタッチパネル用電極基板が得られる。

図１は本発明のタッチパネル用電極基板の層構成の一例を示す概略断面図である。 図２は本発明のタッチパネル用電極基板の導電性領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図である。 図３は実施例１で作製したタッチパネル用電極基板の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図４Ａは、透明基板／導電層／高屈折率層を備える導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図４Ｂは、透明基板／導電層／高屈折率層を備える導電体の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図５は、本発明のタッチパネル用電極基板を含む投影型静電容量方式タッチパネルの構造の一例を示す概略断面図である。 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、投影型静電容量方式タッチパネルの配線パターンの一例を説明するための説明図である。 図７は、本発明のタッチパネル用電極基板を含む表面型静電容量方式タッチパネルの構造の一例を示す概略断面図である。 図８は、本発明のタッチパネル用電極基板を含む表面型静電容量方式タッチパネルの構造の一例を示す概略断面図である。 図９は、本発明のタッチパネル用電極基板を含む抵抗膜方式タッチパネルの構造の一例を示す概略断面図である。

本発明のタッチパネル用電極基板の層構成の一例を図１に示す。図１に示されるように、本発明のタッチパネル用電極基板１００には、透明基板１／第一高屈折率層２／白金族含有層３／導電層４／第二高屈折率層５がこの順に含まれる。

また、タッチパネル用電極基板１００には、上記以外の層が含まれてもよい。例えば、第二高屈折率層５上に、タッチパネル用電極基板表面の光学アドミッタンスを調整するためのアドミッタンス調整層（図示せず）が含まれてもよい。ただし、本発明のタッチパネル用電極基板１００では、透明基板１上に成膜される層を、いずれも無機材料からなる層とする。例えば第二高屈折率層５上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、本発明のタッチパネル用電極基板は、透明基板から第二高屈折率層までの積層体である。

上記導電層４は、所望の形状にパターニングされていてもよく、透明基板１の全面に成膜されていてもよい。導電層４がパターニングされている場合、導電層４が含まれる領域ａが導通可能な領域（導電性領域）であり、導電層４が含まれない領域ｂが絶縁性の領域（絶縁領域）である。つまり、図１のタッチパネル用電極基板１００では、透明基板１、第一高屈折率層２、白金族含有層３、導電層４、及び第二高屈折率層５が積層されている領域ａが導電性領域である。一方、透明基板１、第一高屈折率層２、白金族含有層３、及び第二高屈折率層５が積層されている領域ｂが絶縁領域である。

導電性領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、タッチパネル用電極基板１００の用途に応じて、適宜選択される。本発明のタッチパネル用電極基板１００が投影型静電容量方式のタッチパネルに適用される場合、導電性領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、図２に示されるような、複数の導電性領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂと、からなるパターン等でありうる。図２のパターンの導電性領域ａには、表示装置の回路等と接続される領域ａ’と、回路とは接続されておらず、領域ａ’と相互作用して、指先等の感知に寄与する領域ａ’’とがある。

前述のように、従来のＡｇ膜等の金属からなる導電層は、膜の厚みが厚くなると金属本来の反射が生じ、膜の厚みが薄くなるとプラズモン吸収が生じる。そのため、導電層の光透過性を高めることが困難であった。

これに対し、本発明のタッチパネル用電極基板１００では、白金族含有層３上に導電層４が配設される。後述するように、白金族含有層３を成膜してから、導電層４を成膜すると、白金族含有層３に含まれる金属が導電層成膜時の成長核となり；薄くとも表面平滑性の高い膜が得られる。その結果、導電層４に金属本来の反射が生じることがなく、さらにプラズモン吸収も抑制される。さらに、導電層４の表面電気抵抗も低くなる。

また、本発明のタッチパネル用電極基板１００では、導電層４が、比較的屈折率の高い第一高屈折率層２及び第二高屈折率層５に挟まれている。そのため、後述するように、導電層４を含む領域の光学アドミッタンスが調整され、当該領域の光の反射が抑制される。

１．タッチパネル用電極基板の層構成について
１．１）透明基板
タッチパネル用電極基板１００に含まれる透明基板１は、一般的なタッチパネル用電極基板に含まれる基板と同様でありうる。透明基板１の例には、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製）」）、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムが含まれる。透明基板が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、タッチパネル用電極基板１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定する。

透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板１のヘイズ値が２．５以下であると、タッチパネル用電極基板１００のヘイズ値を抑制できる。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

透明基板１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍである。透明基板１の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であれば、タッチパネル用電極基板１００のフレキシブル性が十分となる。さらに当該タッチパネル用電極基板１００が含まれるタッチパネルや、表示デバイスの厚みを薄くできる。また、タッチパネル用電極基板１００を含む機器を軽量化できる。

１．２）第一高屈折率層
第一高屈折率層２は主に、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスを調整する層である。第一高屈折率層２は、少なくとも導電性領域ａに成膜された層であればよく；透明基板１の全面に成膜された層であってもよい。

第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。

また、当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５であり、特に好ましくは２．２〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。当該誘電性材料または酸化物半導体材料は、金属酸化物または金属硫化物であることが好ましく；金属酸化物または金属硫化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）等が含まれる。金属酸化物または金属硫化物は、屈折率や生産性の観点からＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５またはＺｎＳであることが好ましく、さらに好ましくはＴｉＯ_２またはＮｂ_２Ｏ_５である。第一高屈折率層２には、上記金属酸化物または金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

第一高屈折率層２の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが１０ｎｍ以上であると、第一高屈折率層２によって、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。第一高屈折率層の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第一高屈折率層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法では膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

また、第一高屈折率層２が透明基板１の一部領域（例えば、導電性領域ａ）のみに成膜された層である場合、第一高屈折率層２は、いずれの方法でパターニングされた層であってもよい。所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１．３）白金族含有層
白金族含有層３は、後述の導電層４と隣接して配設される層である。白金族含有層３は、少なくとも導電性領域ａに成膜された層であればよく；透明基板１の全面に成膜された層であってもよい。

前述のように、タッチパネル用電極基板１００に白金族含有層３が含まれると、導電層４の表面平滑性が高まり、導電層４の厚みが薄くとも、プラズモン吸収が抑制される。タッチパネル用電極基板１００に白金族含有層３が含まれると、導電層４の表面平滑性が高まる理由は以下の通りである。

一般的な気相成膜法で導電層（例えばＡｇからなる膜）の材料を第一高屈折率層上に堆積させると、成膜初期には、第一高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、成膜初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じやすい。そして、さらに成膜が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。

これに対し、白金族含有層３に含まれるＰｔやＰｄは、第一高屈折率層２上をマイグレートし難い。このような白金族含有層３上に導電層４を成膜すると、導電層４の材料がマイグレートし難い。つまり、前述の島状構造を形成せずに、均一に膜が成長する。その結果、厚みが薄くとも平滑な導電層４が得られる。

ここで、白金族含有層３には、Ｐｔ及びＰｄのうち、いずれか一方、もしくは両方が含まれ；Ｐｄが少なくとも含まれることがより好ましい。白金族含有層３を構成する原子の総量（質量％）に対する、Ｐｔ及びＰｄの総量（質量％）の比率は、１０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量％以上であり、さらに好ましくは８０質量％以上である。

白金族含有層３に含まれる、Ｐｔ及びＰｄ以外の金属は、例えば金、Ｐｔ及びＰｄ以外の白金族、コバルト、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、クロム、ニッケル、もしくはこれらの合金でありうる。白金族含有層３には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、また２種以上含まれてもよい。

また、タッチパネル用電極に含まれる白金族含有層３は、ＰｔやＰｄ等の金属原子が付着した層であればよい。つまり、必ずしも第一高屈折率層２の全面に金属原子が付着していなくともよく；通常は、第一高屈折率層２の一部に金属原子が付着している。当該白金族含有層３の厚みは、１ｎｍ以下である。白金族含有層３の付着量が１ｎｍ以下であれば、白金族含有層３がタッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。白金族含有層３の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、白金族含有層３の厚みは、成膜速度と成膜時間との積から算出される。

上記白金族含有層３は、スパッタ法または蒸着法で成膜された層でありうる。スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。白金族含有層成膜時のスパッタ時間は、所望の白金族含有層３の平均厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の白金族含有層３の厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

白金族含有層３が透明基板１の一部領域（例えば、導電性領域ａ）のみに成膜された層である場合、第一高屈折率層２は、いずれの方法でパターニングされた層であってもよい。上記スパッタもしくは蒸着の際に、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、パターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１．４）導電層
導電層４は、金属からなる層であり、タッチパネル用電極基板において電気を導通させる膜である。透明基板１の全面に成膜された層であってもよく、一部の領域のみに成膜された層であってもよい。導電層４のパターンは、タッチパネル用電極基板の用途に応じて適宜選択される。

導電層４に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば銀、銅、金、白金族、チタン、クロム等でありうる。導電層４には、これらの金属が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。プラズモン吸収が小さく、かつ反射率が小さいとの観点から、導電層４は銀または銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。銀と組み合わされる金属は、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば銀と亜鉛とが組み合わされると、導電層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。

導電層４のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、７％以下であることがさらに好ましく、特に好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、タッチパネル用電極基板１００の導電性領域ａの透過光が着色しやすくなり、当該領域が視認されやすくなる。

導電層４の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に蒸着機にて測定対象と同様の金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。

（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。

（iii）続いて、測定対象の導電層４について、同様に透過率及び反射率を測定する。そして、得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

導電層４の厚みは１５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜１３ｎｍであり、さらに好ましくは７〜１２ｎｍである。導電層４の厚みが１５ｎｍ以下であると、導電層４に含まれる金属本来の反射が生じ難い。さらに、導電層４の厚みが１５ｎｍ以下であると、後述するように、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層５によって、光学アドミッタンスが調整されやすく、導電性領域ａが視認され難くなる。導電層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。

導電層４は、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。気相成膜法の例には、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等が含まれる。これらの中でも、好ましくは真空蒸着法またはスパッタ法である。真空蒸着法またはスパッタ法によれば、均一かつ、所望の厚みの導電層４が得られやすい。

また、導電層４が透明基板１の一部領域のみに成膜された層である場合、いずれの方法でパターニングされた膜であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された膜であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。

１．５）第二高屈折率層
第二高屈折率層５は、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスを調整する層である。第二高屈折率層５は、少なくとも導電性領域ａに成膜された層であればよく；透明基板１の全面に成膜された層であってもよい。

第二高屈折率層５には、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。

第二高屈折率層５に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．６〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５であり、特に好ましくは２．２〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層５によって、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第二高屈折率層５の屈折率は、第二高屈折率層５に含まれる材料の屈折率や、第二高屈折率層５に含まれる材料の密度で調整される。

第二高屈折率層５に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。当該誘電性材料または酸化物半導体材料は、第一高屈折率層２に含まれる材料と同様でありうる。第一高屈折率整層２及び第二高屈折率５には、同一の材料が含まれてもよく、異なる材料が含まれてもよい。

第二高屈折率層５の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第二高屈折率層５の厚みが１０ｎｍ以上であると、第二高屈折率層５によって、タッチパネル用電極基板１００の光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第二高屈折率層５の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層５が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第二高屈折率層５の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第二高屈折率層５は、前述の第一高屈折率層２と同様に、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。また、第二高屈折率層５が、透明基板１の一部領域のみに成膜された層である場合、いずれの方法でパターニングされた層であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１．６）アドミッタンス調整層
タッチパネル用電極基板には第二高屈折率層上にさらに、前記第二高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料を含むアドミッタンス調整層が積層されてもよい。アドミッタンス調整層は、タッチパネル用電極基板の光学アドミッタンスを微調整する層である。アドミッタンス調整層は、少なくとも導電性領域ａに成膜された層であればよく；透明基板１の全面に成膜された層であってもよい。

アドミッタンス調整層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、第二高屈折層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率より０．０３〜０．５低いことが好ましく、０．０５〜０．３低いことがより好ましい。

当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、１．３〜１．８であることが好ましく、より好ましくは１．３５〜１．６であり、さらに好ましくは１．３５〜１．５である。アドミッタンス調整層を構成する材料の屈折率が１．３５〜１．５であると、タッチパネル用電極基板の光学アドミッタンスが微調整されやすい。

アドミッタンス調整層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は特に制限されず、その例にはＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＦ_２、Ｙ_２Ｏ_３等が含まれる。屈折率を微調整するとの観点からは、誘電性材料がＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２であることが好ましい。

アドミッタンス調整層の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。アドミッタンス調整層の厚みが１０ｎｍ以上であると、タッチパネル用電極基板の表面の光学アドミッタンスを微調整しやすい。一方、アドミッタンス調整層の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、タッチパネル用電極基板の厚みが薄くなる。アドミッタンス調整層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

また、アドミッタンス調整層が透明基板１の一部領域のみに成膜された層である場合、アドミッタンス調整層はいずれの方法でパターニングされた層であってもよい。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

２．タッチパネル用電極基板の光学アドミッタンスについて
タッチパネル用電極基板の第二高屈折率層側の表面の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスｙ_ｅｎｖと、タッチパネル用電極基板の表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとから定まる。ここでタッチパネル用電極基板の表面とは、タッチパネル用電極基板上に配設される有機樹脂からなる部材もしくは環境に接する面をいう。また光が入射する媒質とは、タッチパネル用電極基板に入射する光が、入射直前に通過する部材または環境であって；有機樹脂からなる部材、もしくは環境をいう。媒質の光学アドミッタンスｙ_ｅｎｖと、タッチパネル用電極基板表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとの関係は以下の式で表される。

上記の式に基づけば、｜ｙ_ｅｎｖ−Ｙ_Ｅ｜が０に近い程、タッチパネル用電極基板の表面の反射率Ｒが低くなり、タッチパネル用電極基板の光透過性が高まる。

前記媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、媒質の屈折率ｎ_ｅｎｖと同一である。一方、等価アドミッタンスＹ_Ｅは、導電性領域を構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えばタッチパネル用電極基板が一層からなる場合には、等価アドミッタンスＹ_Ｅは、タッチパネル用電極基板を構成する層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。

タッチパネル用電極基板に複数の層が含まれる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ−１（Ｅ_ｘ−１ Ｈ_ｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）または式（２）にて求められる。

・ｘ層目が誘電性材料または酸化物半導体材料からなる層である場合

・ｘ層目が理想金属層である場合

そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）が、タッチパネル用電極基板表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとなる。

図３に、本発明のタッチパネル用電極基板の導電性領域（透明基板／第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層を備える領域）の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡の模式図を表す。グラフの横軸は、光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部；つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部；つまり当該式におけるｙである。

図３におけるアドミッタンス軌跡の最終座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）；当該グラフでは、第二高屈折率層側の表面のアドミッタンス座標が、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標に相当する。なお、本発明のタッチパネル用電極基板に含まれる白金族含有層は、厚みが十分に薄い。そのため、当該白金族含有層の光学アドミッタンスは無視できる。

前述のように、タッチパネル用電極基板表面の反射率Ｒは、等価アドミッタンスＹ_Ｅと、光が入射する媒質のアドミッタンスｙ_ｅｎｖとの差に比例する。したがって、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）との距離が近ければ近いほど好ましい。具体的には、これらの距離（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５が０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、タッチパネル用電極基板表面の反射率Ｒが十分に小さくなり、タッチパネル用電極基板を種々の表示パネルに適用できる。

ここで、本発明のタッチパネル用電極基板は、以下の２点を満たすため、タッチパネル用電極基板の光透過性が高い。
（ｉ）導電層が、比較的屈折率の高い第一高屈折率層及び第二高屈折率層で挟み込まれている。
（ii）導電層の第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ_１＋ｉｙ_１）で表し、導電層の第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ_２＋ｉｙ_２）で表した場合に、ｘ_１及びｘ_２のうちいずれか一方、もしくは両方が１．６以上である。その理由を以下に説明する。

金属が含まれる導電層は、一般的に光学アドミッタンスの虚部の値が大きい。そのため、透明基板上に直接導電層を積層すると、アドミッタンス軌跡が、アドミッタンス軌跡の始点（ｎ_ｓｕｂ，０）から、縦軸（虚部）方向に大きく移動する。図４Ａに、透明基板／導電層／高屈折率層をこの順に備えるタッチパネル用電極基板の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示し、図４Ｂに当該タッチパネル用電極基板の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。図４Ａに示されるように、透明基板上に直接導電層を積層すると、アドミッタンス軌跡の始点（透明基板のアドミッタンス座標（約１．５，０））から縦軸（虚部）方向にアドミッタンス軌跡が大きく移動し、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が非常に大きくなる。そしてアドミッタンス座標の虚部の絶対値が大きくなると、導電層上に高屈折率層を積層しても、等価アドミッタンスＹ_Ｅが、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（媒質が空気である場合には（１，０））に近づき難くなる。

さらに、図４Ａに示されるように、透明基板上に導電層を直接積層すると、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称になり難い。そして、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称にならないと；図４Ｂに示されるように、他の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が、大きく振れやすい。そのため、反射率の高い波長領域が生じやすい。

これに対し、透明基板と導電層との間に、第一高屈折率層が配設されると、導電層の一方の表面のアドミッタンスＹ１がグラフの右上方向に大きく移動し；ｙ_１の値が大きくなる。またこのとき、ｘ_１の値が大きい（例えば１．６以上である）と、ｙ_１の値が大きくなりやすい。

そして、ｙ_１の値が大きいため、導電層によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、Ｙ２の虚部の絶対値（ｙ_２）が大きくなり難い。その結果、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が、光が入射する媒質のアドミッタンス座標に近づきやすくなる。

またさらに、第一高屈折率層／導電層／第二高屈折率層がこの順に積層されると、アドミッタンス軌跡が図３に示されるように、グラフの横軸を中心に線対称になりやすい。その結果、いずれの波長においても、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が一定になりやすく、いずれの波長においても、十分に反射率が低くなる。

また、タッチパネル用電極基板に含まれる各層同士の界面におけるアドミッタンスＹと、各層の電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。

上記関係式に基づけば、各層同士の表面のアドミッタンスＹが大きくなれば、各層の電場強度Ｅが小さくなる。そして一般的に、導電層の電場損失（光の吸収）が特に大きい。したがって、導電層の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（つまり、ｘ_１及びｘ_２）が大きくなれば、導電層の電場損失が小さくなり、タッチパネル用電極基板の光透過性が高まる。

本発明のタッチパネル用電極基板では、上記ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方が１．６以上であればよいが、両方が１．６以上であることが好ましい。また、ｘ_１及びｘ_２は、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。またｘ_１及びｘ_２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ_１は、第一高屈折率層の屈折率や、第一高屈折率層の厚み等で調整される。ｘ_２は、ｘ_１の値や導電層の屈折率、導電層の厚み等によって調整される。例えば、第一高屈折率層の屈折率が高い場合や、厚みがある程度厚い場合には、ｘ_１及びｘ_２の値が大きくなりやすい。

前述のように、アドミッタンス軌跡は、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましく、そのためには、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ_１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ_２が、ｙ_１×ｙ_２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ_１＋ｙ_２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。｜ｙ_１＋ｙ_２｜が０．８未満であると、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称になりやすい。

３．タッチパネル用電極基板の物性について
前述のように、本発明のタッチパネル用電極基板の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける光の平均吸収率は１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。また、タッチパネル用電極基板の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける光の吸収率の最大値は１５％以下であり、好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。なお、前述の導電層がパターニングされている場合には、導電層のパターン領域（導電性領域）、及び導電層の非パターン領域のいずれもが、上記平均吸収率及び吸収率の最大値を満たす。

さらに、タッチパネル用電極基板の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均透過率はそれぞれ５０％以上であることが好ましく、より好ましくは７０％以上であり、さらに好ましくは８０％以上である。一方、タッチパネル用電極基板の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、それぞれ２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。上記波長の光の平均透過率が５０％以上であり、かつ平均反射率２０％以下であると、高い透明性が要求される用途にも、タッチパネル用電極基板を適用できる。なお、前述の導電層がパターニングされている場合には、導電層のパターン領域（導電性領域）及び導電層の非パターン領域のいずれもが、上記平均透過率及び平均反射率を満たすことが好ましい。

上記平均透過率及び平均反射率は、タッチパネル用電極基板の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光をタッチパネル用電極基板に入射させて測定される値である。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また、タッチパネル用電極基板は、いずれの領域においてもＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であれば、タッチパネル用電極基板が無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。

タッチパネル用電極基板の導電層が含まれる領域（導電性領域）の表面電気抵抗は、３０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは１５Ω／□以下である。導電性領域の表面電気抵抗値が３０Ω／□以下であるタッチパネル用電極基板は、静電容量方式のタッチパネルにも適用できる。タッチパネル用電極基板の導電性領域の表面電気抵抗値は、導電層の厚み等によって調整される。タッチパネル用電極基板の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

４．タッチパネル及び表示パネル
本発明のタッチパネル用電極基板は、各種タッチパネルに適用される。タッチパネルは、各種タッチセンサや、タッチパッド等でありうる。本発明のタッチパネル用電極基板が適用されるタッチパネルの方式は特に制限されず、例えば投影型静電容量方式タッチパネル、表面型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜方式タッチパネル等でありうる。

投影型静電容量方式のタッチパネル２００には、図５に示されるように、前述のタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）が２つ含まれる。２つのタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）は、積み重なるように配置される。２つのタッチパネルを重ね合わせる方法は特に制限されず、例えば第二高屈折率層５及び５’側の表面が対向するように空気層、あるいは接着層２１を介して重ね合わせることができる。

上記接着層２１は、タッチパネルの光透過性を阻害しないものであれば特に制限されず、公知の接着剤（例えばアクリル系接着剤やエポキシ系接着剤等）からなる層でありうる。

また、投影型静電容量方式のタッチパネル２００に含まれる一方のタッチパネル用電極基板１００は、図６（Ａ）に示されるように、タッチパネル用電極基板１００のＹ軸方向に平行に、複数の導電性領域ａ１（配線）が配列された電極基板でありうる。一方、他方のタッチパネル用電極基板１００’は、図６（Ｂ）に示されるように、タッチパネル用電極基板１００’のＸ軸方向に平行に、複数の導電性領域ａ２（配線）が配列された電極基板でありうる。これらの導電性領域ａ１及びａ２は、それぞれ外部の検知回路等と接続される。

投影型静電容量方式のタッチパネル２００では、タッチパネル２００の表面を指先等でタッチすると、タッチした領域付近の導電層４及び４’と、指との間の静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を、外部の検知回路で検知して、指先がタッチした座標（位置）を特定する。

一方、表面型静電容量方式のタッチパネル２１０には、例えば図７に示されるように、前述のタッチパネル用電極基板１００と、当該タッチパネル用電極基板１００の表面を保護するカバー層１４とが含まれる。タッチパネル用電極基板１００の第二高屈折率層５側表面と、カバー層１４は接着層２１等を介して貼り合わされる。また、当該タッチパネル２１０の四隅には、それぞれ電極端子１５が配設され、当該電極端子１５は、外部の検知回路等とそれぞれ接続される。

上記接着層２１は、タッチパネルの光透過性を阻害しないものであれば特に制限されず、投影型静電容量方式のタッチパネルの接着層２１と同様でありうる。また、表面型静電容量方式のタッチパネル２１０に含まれるタッチパネル用電極基板１００は、前述の導電層４が透明基板１の全面に配設された電極基板等でありうる。

当該タッチパネル２１０では、タッチパネル２１０表面を指先等でタッチすると、四隅に配設された各電極端子１５と接地ラインとの間の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を、外部の検知回路で検出し、指先がタッチした座標（位置）を特定する。

また、例えば図８に示されるように、表面型静電容量方式のタッチパネル２２０には、前述のタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）が２つ含まれてもよい。２つのタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）は、例えば第二高屈折率層５及び５’側の表面が対向するように空気層、あるいは接着層２１を介して重ね合わされる。

上記接着層２１は、タッチパネルの光透過性を阻害しないものであれば特に制限されず、投影型静電容量方式のタッチパネルの接着層２１と同様でありうる。また、当該タッチパネル２２０に含まれるタッチパネル用電極基板１００及び１００’は、それぞれ前述の導電層４及び４’が透明基板１及び１’の全面に配設された電極基板等でありうる。これらの導電層４及び４’は、それぞれ外部の検知回路等と接続される。

当該タッチパネル２２０では、タッチパネル２２０の表面を指先でタッチすると、一方のタッチパネル用電極基板１００に含まれる導電層４と、他方のタッチパネル用電極基板１００’に含まれる導電層４’との間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を、外部の検知回路（図示せず）で検知し、指先がタッチした座標（位置）を特定する。

抵抗膜方式タッチパネル２３０には、例えば図９に示されるように、前述のタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）が２つ含まれる。２つのタッチパネル用電極基板（１００及び１００’）は、例えば第二高屈折率層５及び５’側の表面が対向するように、間隙をあけて重ね合わされる。また、一方のタッチパネル用電極基板１００’の表面には、複数のスペーサ２５が配設される。

上記スペーサ２５は、公知の抵抗膜方式タッチパネルのスペーサと同様でありうる。また、当該タッチパネル２３０に含まれるタッチパネル用電極基板１００及び１００’は、それぞれ前述の導電層４及び４’が透明基板１及び１’の全面に成膜された電極基板等でありうる。これらの導電層４及び４’は、それぞれ外部の検知回路等と接続される。

当該タッチパネル２３０では、タッチパネル２３０の表面を指先でタッチすると、一方のタッチパネル用電極基板１００が押し込まれ、他方のタッチパネル用電極基板１００’と接触する。このときの電位変化を外部の検知回路（図示せず）で検知して、指先がタッチした座標（位置）を特定する。

前述の各方式のタッチパネルは、各種表示パネルに適用される。表示パネルでは、通常、上記タッチパネルと、各種表示装置と重ねて配設される。上記タッチパネルと組み合わせられる表示装置は特に制限されず、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電界放出ディスプレイ（FED:Field Emission Display）等、公知の表示装置でありうる。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。

［実施例１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、下記の方法で第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層を順に積層した。得られたタッチパネル用電極基板の波長５７０ｎｍにおけるアドミッタンス軌跡を図３に示す。なお、各層の厚みは、Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｍＣｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、４０ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、１．８０であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．８０とした。

（白金族含有層）
前記第一高屈折率層上に、真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、Ｐｄを１０秒間スパッタ成膜し、平均厚み０．１ｎｍの成長核を形成した。成長核の平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。

（導電層）
前記白金族含有層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる導電層は６ｎｍであった。
スパッタは、図２に示される絶縁パターンの形状の遮蔽部を有するマスクを介して行った。ライン状の遮蔽部（絶縁領域）の線幅は３０μｍであり、略四辺形の開口部（導電性領域）の一辺の長さは３００μｍであった。

（第二高屈折率層）
導電層を覆うように、前述の第一高屈折率層の成膜方法と同様に、第二高屈折率層を成膜した。得られた第二高屈折率層は、４０ｎｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、１．８０であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．８０とした。

［実施例２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、下記の方法で第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層を順に積層した。

（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００により、３２０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでＴｉＯ_２を、イオンアシストしながら電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られた第一高屈折率層は、１５ｎｍであった。イオンビームは電流５００ｍＡ、電圧５００Ｖ、加速電圧４００Ｖで照射した。イオンビーム装置内には、Ｏ_２ガス：５０ｓｃｃｍ、及びＡｒガス：８ｓｃｃｍを導入した。ＴｉＯ_２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．１０とした。

（白金族含有層及び導電層）
実施例１と同様の方法で、白金族含有層及び導電層を成膜した。

（第二高屈折率層）
導電層を覆うように、前述の第一高屈折率層の成膜方法と同様に、第二高屈折率層を成膜した。得られた第二高屈折率層は、２０ｎｍであった。ＴｉＯ_２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．１０とした。

［実施例３］
導電層の厚みを８ｎｍとした以外は、実施例１と同様にタッチパネル用電極基板を作製した。

［実施例４］
導電層、第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の厚みを、表１に示す厚みとした以外は、実施例２と同様にタッチパネル用電極基板を作製した。

［実施例５］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、下記の方法で第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層を順に積層した。

（第一高屈折率層）
前記透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ_２Ｏ_５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られた第一高屈折率層は、１２ｎｍであった。Ｎｂ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。

（白金族含有層及び導電層）
導電層の厚みを８ｎｍとした以外は、実施例１と同様の方法で、白金族含有層及び導電層を成膜した。

（第二高屈折率層）
導電層を覆うように、前述の第一高屈折率層の成膜方法と同様に、第二高屈折率層を成膜した。得られた第二高屈折率層は、１８ｎｍであった。Ｎｂ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。

［実施例６］
導電層、第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の厚みを、表１に示す厚みとした以外は、実施例５と同様にタッチパネル用電極基板を作製した。

［実施例７］
導電層、第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の厚みを、表１に示す厚みとした以外は、実施例５と同様にタッチパネル用電極基板を作製した。

［実施例８］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、下記の方法で第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層／アドミッタンス調整層を順に積層した。

（第一高屈折率層、白金族含有層、導電層及び第二高屈折率層）
導電層、第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の厚みを、表１に示す厚みとした以外は、実施例２と同様の方法で、第一高屈折率層、白金族含有層、導電層、及び第二高屈折率層を成膜した。

（アドミッタンス調整層）
第二高屈折率層上に、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００によって、４０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られたアドミッタンス調整層は７５ｎｍであった。なお、フッ化マグシウムの波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３８であり、アドミッタンス調整層の光の屈折率も１．３８とした。

［実施例９］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、下記の方法で第一高屈折率層／白金族含有層／導電層／第二高屈折率層／アドミッタンス調整層を順に積層した。

（第一高屈折率層、白金族含有層、導電層及び第二高屈折率層）
導電層、第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の厚みを、表１に示す厚みとした以外は、実施例５と同様の方法で、第一高屈折率層、白金族含有層、導電層、及び第二高屈折率層を成膜した。

（アドミッタンス調整層）
第二高屈折率層上に、Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００によって、４０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。得られたアドミッタンス調整層は１００ｎｍであった。なお、フッ化マグシウムの波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．３８であり、アドミッタンス調整層の光の屈折率も１．３８とした。

［実施例１０］
白金族含有層の材料をＰｔとした以外は、実施例９と同様にタッチパネル用電極基板を作製した。

［比較例１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＩＴＯ膜は、１００ｎｍであった。

［比較例２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、当該基板上に前述の先行特許文献２の例２と同様の銀ナノワイヤ水分散体をスピンコートし、１２０℃で２０分焼成した。コーターはＭＩＫＡＳＡ製１Ｈ−ＤＸ、恒温機はＥＳＰＥＣ製のＳＴ−１２０を使用した。得られたＡｇ膜は、５０ｎｍであった。

［比較例３］
銀ナノワイヤを含有した膜の厚みを１５０ｎｍとした以外は、比較例２と同様に透明基板上にＡｇ膜を成膜した。

［比較例４］
銀ナノワイヤを含有した膜の厚みを２００ｎｍとした以外は、比較例２と同様に透明基板上にＡｇ膜を成膜した。

［比較例５］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。得られたＡｇからなる導電層は８ｎｍであった。

［評価］
各実施例及び比較例のタッチパネル用電極基板について、光学アドミッタンスの特定、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率及び最大吸収率、各タッチパネル用電極基板に含まれる導電層の波長４００〜８００ｎｍの光のプラズモン吸収率、導電性領域の表面電気抵抗、文字の視認性を以下のように評価した。結果を表２〜表３に示す。

（光学アドミッタンスの特定）
前述の各実施例で得られたタッチパネル用電極基板の光学アドミッタンスを特定した。導電層の第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、導電層の第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ_２＋ｉｙ_２としたときの（ｘ_１，ｙ_１）、及び（ｘ_２，ｙ_２）の値を表１に示す。また、前記導電層を含む領域（導電性領域）表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹ_Ｅ＝ｘ_Ｅ＋ｉｙ_Ｅで表したときの（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）、及び第二高屈折率層側の表面に接する部材の屈折率（ｎ_ｅｎｖ）、並びに（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５の値を、それぞれ表１に示す。

タッチパネル用電極基板に含まれる層の光学アドミッタンスは、薄膜設計ソフトEssential Macleod Ver.9.4.375で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．ＷｏｏｌｌａｍＣｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

（導電性領域の光の吸収率の測定方法）
各実施例及び比較例で作製したタッチパネル用電極基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導電性領域に測定光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。

（プラズモン吸収率の測定方法）
プラズモン吸収の測定は、ガラス基板上に、各実施例及び比較例と同様の条件で導電層のみを成膜して行った。具体的には、以下のように測定した。

透明ガラス基板上に、白金パラジウムを真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）を用いて、０.２ｓ(０．１ｎｍ)成膜した。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。その後、白金パラジウムが付着した基板上にシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて銀を２０ｎｍ成膜した。このときの抵抗加熱は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。得られた金属膜の反射率及び透過率を測定し、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）として算出した。この金属膜にはプラズモン吸収が無いと仮定し、当該データをリファレンスデータとした。

一方、各実施例と同様の条件でガラス基板上に成膜した上記導電層の吸収率を測定した。そして、測定データからリファレンスデータを差し引いた値を、当該導電層のプラズモン吸収率とした。光の透過率及び反射率は、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて測定した。

（導電性領域の表面電気抵抗の測定方法）
タッチパネル用電極基板の導電性領域に三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、導電性領域の表面電気抵抗を測定した。

（文字の視認性の評価）
画像及びテキスト文字が印刷されたプリント紙上に、実施例及び比較例で作製したタッチパネル用電極基板を、第二高屈折率層がプリント紙側となるように、配置した。そして、画像及びテキスト文字の視認性（鮮鋭感、透明感、コントラスト）を、２０人の被験者が下記の基準で５段階に評価した。得られた評価の平均値を、表２及び３に示す。なお、表２及び表３において、数値が高いほど、視認性が優れることを示す。
５：鮮鋭感、透明感、及びコントラストがいずれも高く、非常に見やすい
４：鮮鋭感、透明感、及びコントラストが高く、見やすい
３：鮮鋭感、透明感、及びコントラストのいずれかが劣るが、気にならないレベルである
２：鮮鋭感、透明感、及びコントラストのいずれかが劣り、やや気になるレベルである
１：鮮鋭感、透明感、及びコントラストのいずれかが劣り、気になるレベルである

比較例１〜５の導電体では、低い表面電気抵抗と、高い文字の視認性とを両立させることができなかった。また特に、比較例５のように、導電層の厚みを薄くすると、プラズモン吸収が生じやすく、導電体の最大吸収率が高まった。

これに対し、表２及び３に示されるように、本発明のタッチパネル用電極基板（実施例１〜１０）では、導電層の厚みが１０ｎｍ以下であっても、表面電気抵抗が十分に低く、さらに文字の視認性が優れた。

本発明で得られるタッチパネル用電極基板は、光透過性が高く、さらに導電性領域の表面電気抵抗値が低い。したがって、各種方式のタッチパネルに好ましく用いられる。

１、１’ 透明基板
２ 第一高屈折率層
３ 白金族含有層
４、４’ 導電層
５、５’ 第二高屈折率層
１５ 電極端子
２１ 接着層
２５ スペーサ
１００、１００’ タッチパネル用電極基板
２００、２１０、２２０、２３０ タッチパネル

Claims (10)

1. 透明基板と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
   Ｐｔ及びＰｄのうち、いずれか一方あるいは両方を含み、かつ厚みが１ｎｍ以下である白金族含有層と、
   金属からなる導電層と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む、タッチパネル用電極基板であって、
   前記導電層の前記第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、前記導電層の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ_２＋ｉｙ_２で表した場合に、ｘ_１及びｘ_２のうち、少なくとも一方が１．６以上である、タッチパネル用電極基板。
2. 波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率が１０％以下であり、かつ波長４００〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値が１５％以下である、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
3. 前記導電層のプラズモン吸収率が、波長４００〜８００ｎｍの全範囲で１５％以下である、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
4. 前記導電層が、銀または銀を９０ａｔ％以上含む合金からなる、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
5. 前記第一高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体、及び前記第二高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体のうち、いずれか一方あるいは両方がＴｉＯ_２、またはＮｂ_２Ｏ_５である、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
6. 前記第二高屈折率層上に、前記第二高屈折率層に含まれる前記誘電性材料または酸化物半導体の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低いアドミッタンス調整層をさらに有する、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
7. 前記タッチパネル用電極基板の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ_Ｅ＝ｘ_Ｅ＋ｉｙ_Ｅで表し、
   前記タッチパネル用電極基板の前記第二高屈折率層側の表面に接する部材または環境の、波長５７０ｎｍの光の屈折率をｎ_ｅｎｖで表した場合に、
   （（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５≦０．３を満たす、請求項１に記載のタッチパネル用電極基板。
8. 請求項１に記載のタッチパネル用電極基板を含む、タッチパネル。
9. 前記タッチパネル用電極基板を２つ含み、
   前記２つのタッチパネル用電極基板が積み重なるように配置されている、請求項８に記載のタッチパネル。
10. 請求項８に記載のタッチパネルと、表示装置とが積層されている、表示パネル。
    

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