CN212256951U

CN212256951U - 薄膜叠层结构

Info

Publication number: CN212256951U
Application number: CN202020674528.8U
Authority: CN
Inventors: 张玉春; 仲树栋; 李卯
Original assignee: Beijing Zenithnano Technology Co Ltd
Current assignee: Guangdong Zaicheng New Material Co.,Ltd.
Priority date: 2020-04-28
Filing date: 2020-04-28
Publication date: 2020-12-29
Anticipated expiration: 2030-04-28

Abstract

本实用新型公开了一种薄膜叠层结构，包括基材层、光学调整层、低阻导电层，所述光学调整层包含第一光学调整层和第二光学调整层,所述第一光学调整层设置在基材层的一侧，所述第二光学调整层设置在第一光学调整层远离基材层的一侧；所述低阻导电层设置于光学调整层远离基材层的一侧，所述光学调整层和低阻导电层的反射差率小于1。两层光学调整层在折射率相互匹配后，对低阻导电层和显示装置中的其他层产生的色差具有良好的调整匹配作用。

Description

薄膜叠层结构

技术领域

本实用新型涉及薄膜叠层结构，尤其涉及一种含有色差调整层的薄膜叠层结构。

背景技术

近年来，显示领域的电子装置广泛通过液态光学胶(OCA)将电极层和玻璃盖板粘合形成。电极层为在以透明基材为主体而构成的膜上层叠由透明导电材料构成导电薄膜；导电薄膜再通过黄光蚀刻或镭射等方法形成电极层，由于透明导电材料相比于玻璃或其他层如光学胶(OCA)，透明导电层具有不同的折射率，因此电极层有透明导电材料的部分与不存在透明电极层的部分由于折射率存在差异，各层的干涉不一，当折射率的差异大，容易形成蚀刻线或镭射线可见的问题，影响显示界面的可视性。

现有技术中，通常采用电极层和玻璃之间设置光学调整层(IM)来解决蚀刻线或镭射线可见的问题，但是透明导电材料朝着低阻化的方向发展，通常选择与常规相比更厚的ITO或不同于ITO的透明低阻导电材料，因此在常规的光学调整层中，难以充分地抑制低阻电极层和其他层之前形成的色差。

实用新型内容

为解决上述蚀刻线可见的问题，本实用新型提出了一种薄膜叠层结构，包括基材层、光学调整层，低阻导电层，所述光学调整层包含第一光学调整层和第二光学调整层,所述第一光学调整层设置在基材层的一侧，所述第二光学调整层设置在第一光学调整层远离基材层的一侧；所述低阻导电层设置于光学调整层远离基材层的一侧；所述光学调整层和低阻导电层的反射差率小于1。

基材层和导电层之间设置光学调整层，目的调整后续该薄膜叠层结构用OCA贴附于玻璃盖板后产生的蚀刻线可见等色差问题，本实用新型设置两层光学调整层尤其适用于采用低阻导电材料作为导电层的情形，通常一层光学调整层只对大于100Ω/□的导电层产生较好的折射率匹配效果，对于特殊的低阻导电材料，阻值越小，反射率越低，要求的光学调整层的反射率应当是越低，但是目前单层光学调整层对于低阻导电材料反而会产生多余的折射效果，因此本实用新型的两层光学调整层在折射率相互匹配后，使得低阻导电层和光学调整层的反射率差变小，从而对低阻导电层和显示装置中的其他层产生的色差具有良好的调整匹配作用。

优选的，本实用新型所述的低阻导电层是指电阻小于30Ω/□的导电层。在实践中，当导电层的方阻小于30Ω时，导电层的反射率R，光学调整层的反射率为R_IM层，反射差△R＝|R–R_IM层|，△R<1为最佳，具有较佳的光学调整效果。优选的，0.2<△R<0.7。

优选的，所述基材层是指柔性透明衬底，材料选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、三醋酸纤维素(TAC)、FMH丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚四氟乙烯、环烯烃共聚物(COP、Arton)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)一种或多种。基材层的目的是起到承载导电层的作用。

优选的，所述第一光学调整层包含高折射率树脂和金属粒子。所述高折射率树脂是指折射率在1.6-1.7范围的树脂，优选地，金属粒子均匀分布在高折射树脂中，选择高折射树脂掺杂金属粒子，使得该第一光学调整层既具备高折射率，又能有良好的光透过性，金属粒子能使光线到第一光学调整层经过漫反射，反射光更加均匀；优选的，该高折射率树脂包含多个苯环和环氧结构。金属粒子选自硅(Si)、锆(Zr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)中的一种或两种以上。

优选的，所述金属粒子的粒径为20-100nm。该粒径范围内的金属粒子尤其适合与高折射率树脂混合，具好的光透过性和匀光性。优选的，金属粒子的粒径为30nm、50nm、70nm、80nm、100nm、130nm、150nm或180nm。

优选的，所述第一光学调整层的厚度为0.5～5um，折射率为1.6～1.7。

优选的，所述折射率为1.6、1.62、1.65、1.68或1.7。

优选的，所述第二光学调整层的绝缘方块电阻>10^8Ω/□。

优选的，所述第二光学调整层为单层非导电金属层，厚度0.5～80nm。该事实方式中优选的，所述第二光学调整层的厚度为10nm、30nm、50nm或70nm。所述第二光学调整层的材料选自钛(Ti)、铟(In)、锡(Sn)、铟锡合金、硅铝合金的一种或几种。优选的，所述铟锡合金中铟掺杂重量百分比0～50％、硅铝合金中铝掺杂重量百分比0～50％。

优选的，第二光学调整层包含高折射率层和低折射率层。

优选的，所述高折射率层的厚度为2～200nm，其折射率为1.8～2.4；优选的，所述高折射率层的厚度为10nm、30nm、50nm、80nm、120nm或160nm；优选的，所述高折射率层的折射率为1.8、1.9、2.0、2.1、2.2、2.3或2.4；优选的，折射率层的材料选自折率为1.8～2.4的金属氧化物、氮化物、硫化物或其掺杂物。优选的，所述掺杂物的材料选自铝(Al)、镓(Ga)、锆(Zr)、硼(B)、钇(Y)、钼(Mo)、硫(S)中的一种或多种；

优选的，所述高折射率层材料为TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS，掺杂物包括AZO、GZO、YZO等。

优选的，所述低折射率层的厚度为10～500nm，其折射率为1.2～1.7。优选的，所述低折射率层的厚度为10nm、20nm、50nm、80nm、120nm、180nm、250nm或400nm。优选的，所述低折射率层的折射率为1.2、1.3、1.4、1.5、1.6或1.7；所述低折率层的材料选自折射率为1.2～1.7的金属氧化物、非金属氧化、硫化物、氟化物、碳化物，优选的，所述折射率材料为SiO2、Al2O3、MgF，MgS或SiC。

优选的，所述第一光学调整层通过涂布方法形成，第二光学调整层通过溅射方法形成。优选的，所述涂布方法可以是旋涂、喷涂、浸涂、缝涂、辊涂、Meyer棒式涂覆不限于此。可以理解为，当第一光学调整层包含高折射率树脂等有机材料，使用涂布方法使涂料的覆盖性好的同时具有良好的光透过性。优选的，所述溅射方法为磁控溅射。采用溅射方法能够增加第二光学调整层的致密性。

优选的，所述薄膜叠层结构由基材层、第一光学调整层、第二光学调整层、低阻导电层由下而上依次相邻叠加构成。可以理解为，第一光学调整层置于基材层之上，选择高折射率树脂掺杂金属粒子采用涂布方法能后很好的附着在基材层上，第二光学调整层可以为单层也可以为双层，材料均为无机材料，选择溅射方法不仅可以提高第二光学调整层的致密性，还可以增加无机材料在第一光学调整层上的附着力。可以理解为，两层光学调整层都用涂布会照成附着力不好，两层光学调整层都用溅射方法会造成光透过性不好，造成黄化影响色系。一层涂布一层溅射形成的两层光学调整层不仅保证了叠层间的附着力，又不会形成黄化造成色差。且第二光学调整层(溅射涂层)相邻与低阻导电层相邻，同为无机材料层，不会对低阻导电层造成腐蚀伤害。

附图说明

图1为本实用新型薄膜叠层结构的一个实施例的剖视图。

图2为本实用新型薄膜叠层结构的另一个实施例的剖视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非特别说明，本实用新型采用的溶剂、试剂、涂布方法、技术参数、涂布设备等均为本技术领域常规溶剂、试剂、方法、参数、设备等。

实施例1

如图1所示，本实施例提供了一种薄膜叠层结构，由下至上依次为基材层1、第一光学调整层3、第二光学调整层5、低阻导电层7，所述基材层1为PET，所述第一光学调整层3包含折射率在1.6-1.7范围的树脂和钛(Ti)粒子，通过涂布的方法设置于所述PET上，所述第一光学调整层3的厚度为2μm。所述第二光学调整层5为单层非导电金属层，其材料为铟锡合金(InSn)，其中铟(In)占合金的比例为40％，所述铟锡合金(InSn)通过磁控溅射的方法溅镀在第一光学调整层3上方，所述第二光学调整层5的厚度为30nm。

实施例2

如图2所示，本实施例提供了一种薄膜叠层结构，由下至上依次为基材层1、第一光学调整层3、第二光学调整层5、低阻导电层7，所述基材层1为PET，所述第一光学调整层3包含折射率在1.6-1.7范围的树脂和硅(Si)粒子，通过涂布的方法设置于所述PET上，所述第一光学调整层3的厚度为4μm。所述第二光学调整层5包括低折射率层51和高折射率层52，所述低折射率层51的材料为二氧化钛(TiO₂)，通过磁控溅射的方法设置于第一光学调整层3上方，所述低折射率层的厚度为50nm，所述高折射率层52的材料为二氧化硅(SiO₂)，通过磁控溅射的方法设置在低折射率层51上方，所述高折射率层52的厚度为100nm。

实施例3

如图2所示，本实施例提供了一种薄膜叠层结构，由下至上依次为基材层1、第一光学调整层3、第二光学调整层5、低阻导电层7，所述基材层1为PET，所述第一光学调整层3包含折射率在1.6-1.7范围的树脂和钛(Ti)粒子，通过涂布的方法设置于所述PET上，所述第一光学调整层3的厚度为3μm。所述第二光学调整层5包括低折射率层51和高折射率层52，所述低折射率层51的材料为氧化铝(Al₂O₃)，通过磁控溅射的方法设置于第一光学调整层3上方，所述低折射率层的厚度为400nm，所述高折射率层52的材料为氧化锡(SnO₂)，通过磁控溅射的方法设置在低折射率层51上方，所述高折射率层52的厚度为50nm。

实施例4

如图2所示，本实施例提供了一种薄膜叠层结构，由下至上依次为基材层1、第一光学调整层3、第二光学调整层5、低阻导电层7，所述基材层1为PMMA，所述第一光学调整层3包含折射率在1.6-1.7范围的树脂和硅铝合金(SiAl)粒子(硅铝合金中铝含量为40％)，通过涂布的方法设置于所述PMMA上，所述第一光学调整层3的厚度为1μm。所述第二光学调整层5包括低折射率层51和高折射率层52，所述低折射率层51的材料为硫化镁(MgS)，通过磁控溅射的方法设置于第一光学调整层3上方，所述低折射率层的厚度为250nm，所述高折射率层52的材料为氮化硅(Si₃N₄)，通过磁控溅射的方法设置在低折射率层51上方，所述高折射率层52的厚度为10nm。

对比例1

本对比例提供了一种薄膜叠层结构，和实施例3的区别仅在于第二光学调整层采用涂布的方法制成。

对比例2

本对比例提供了一种薄膜叠层结构，和实施例3的区别仅在于第一光学调整层采用磁控溅射的方法制成。

对比例3

本对比例提供了一种薄膜叠层结构，和实施例2的区别仅在于所述高折射率层的厚度为300nm。

对比例4

本对比例提供了一种薄膜叠层结构，和实施例4的区别仅在于所述硅铝合金(SiAl)用氧化锡(SnO₂)代替。

对以上实施例和对比例的薄膜叠层结构进行方阻测试、用百格测试法进行附着力测试、光透过率测试，结果如下表；

对以上实施例和对比例使用UV-VIS分光光度计测量低阻导电层与光学调整层于400～700nm区间的平均反射率数值的差值，得出结果如下表；

	电阻(Ω/□)	透过率(％)	附着力	反射率差△R
					实施例1	10.8	90.4	5B	0.38
实施例2	7.2	88.5	5B	0.64
					实施例3	15.5	90.2	5B	0.28
实施例4	18.1	90.7	5B	0.21
					对比例1	15.2	86.4	3B	1.58
对比例2	16.8	87.2	5B	2.98
					对比例3	15.8	86.2	5B	1.46
对比例4	16.2	85.4	5B	1.87

表1

如表1所示，实施例3、对比例1、对比例2可以确认第一光学调整层采用涂布方式，第二光学调整层采用溅射方法可以有效提高第二光学调整层的附着力，从而提高薄膜叠层结构的光透过率、降低低阻导电层与光学调整层之间的反射率差。

从实施例2和对比例3可以确认光学调整层中高折射率的厚度为2～200nm有效降低薄膜叠层结构的电阻。

从实施例4和对比例4可以确认第一光学调整层的折射率为1.6～1.7能提高薄膜叠层结构的光透过率、降低低阻导电层与光学调整层直接的反射率差。

以上，虽然对本实用新型进行了详细的说明，但是前述的说明在各方面都仅仅是本实用新型的例示，而不是意在限制其范围。因此可以进行不脱离本实用新型的范围的各种改进或变形。

Claims

1.一种薄膜叠层结构，包括基材层、光学调整层、低阻导电层；

其特征在于：所述光学调整层包含第一光学调整层和第二光学调整层,所述第一光学调整层设置在基材层的一侧，所述第二光学调整层设置在第一光学调整层远离基材层的一侧；所述低阻导电层设置于光学调整层远离基材层的一侧；所述光学调整层和低阻导电层的反射差率小于1。

2.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，所述第一光学调整层通过涂布方法形成，第二光学调整层通过溅射方法形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，所述第一光学调整层的厚度为0.5～5um，折射率为1.6～1.7。

4.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，第二光学调整层包含高折射率层和低折射率层。

5.根据权利要求4所述的薄膜叠层结构，其特征在于，所述高折射率层的厚度为2～200nm，其折射率为1.8～2.4；所述低折射率层的厚度为10～500nm，其折射率为1.2～1.7。

6.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，所述薄膜叠层结构由基材层、第一光学调整层、第二光学调整层、低阻导电层由下而上依次相邻叠加构成。

7.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，所述低阻导电层的电阻小于或等于30Ω/□。

8.根据权利要求1所述的薄膜叠层结构，其特征在于，第二光学调整层为单层非导电金属层，厚度0.5～80nm，材料选自Ti、In、Sn、InSn合金或SiAl合金中的任意一种。