JP5549216B2 - 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル - Google Patents

Description

本発明は、透明なプラスチック基材上に成膜された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を有する透明導電性積層体に関し、導電性、透過率が高く、且つ優れた密着性と耐性を持ち、パターン形状が目立たないタッチパネル又はタッチパネルを用いたディスプレイ、特に静電容量式のタッチパネルに用いられる透明導電性積層体に関するものである。

従来、可視透過率の高い透明導電膜は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、タッチパネル等に使用されている。これらのディスプレイとタッチパネルは従来のブラウン管（ＣＲＴ：ｃａｔｈｏｄｅ ｒａｙ ｔｕｂｅ）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で、省電力等の多くの利点を有するので、近年、需要が著しく拡大し、主流になっている。

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。ＩＴＯ膜の成膜方法については、マグネトロンスパッタ法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。具体的には、下記特許文献などが提案されている。

特開平６−３２０６６１号公報 特開平７−２０７４３９号公報 特開平８−１７４７４６号公報 特開平８−１９２４９２号公報 特開２００３−１６０３６２号公報

特許文献１及び２によれば、マグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。しかしながら、得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っている一方、上記透明導電膜は基材自身の強度が不足であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性が不十分であるという欠点がある。

特許文献３及び４では、透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているがタッチパネルへの応用において上記透明導電膜の耐久性はまだ不十分である。

さらに、特許文献５では、透明ガラス基板の上に、酸化金属層、酸化ケイ素層とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているが、積層する時に、基板を２００℃以上に加熱が必要であり、プラスチックへの応用はできない。

そこで、本発明は前記従来技術の問題点を解決し、フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且つパターン形状が目立たないディスプレイあるいはタッチパネルに用いられる透明導電性積層体を作製とすることを目的とする。

上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を前記透明プラスチック基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、前記金属酸化物層の屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、前記酸化ケイ素層の屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、前記酸化インジウム・スズ層が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域からなり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲で、それぞれ−３．０％以上３．０％以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする透明導電性積層体である。

また、請求項２に記載の発明は、前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、前記透明プラスチック基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体である。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の透明導電性積層体が、全光透過率が８０％以上であり、ヘーズが１％以下であり、シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、透過色相ａ＊及びｂ＊がそれぞれ−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）であることを特徴とする透明導電性積層体である。

また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の透明導電薄膜積層体を用いることを特徴とするタッチパネル又は前記タッチパネルを用いたディスプレイである。

また、請求項５に記載の発明は、透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下である金属酸化物層、及び屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である酸化ケイ素層を、前記透明プラスチック基材側から順にマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化ケイ素層の表面に、光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である酸化インジウム・スズ層を、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化インジウム・スズ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成する工程とをこの順に備え、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲で、それぞれ−３．０％以上３．０％以下であり、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。

また、請求項６に記載の発明は、前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、前記透明プラスチック基材と接し、膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であるハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の透明導電性積層体の製造方法である。

本発明の透明導電性積層体は、透明性が高く各層間で優れた密着性を持つ。また、透明導電膜である酸化インジウム・スズ層にパターンを形成して静電容量式タッチパネルとして用いた場合、そのパターン形状が目立つことのない視認性に優れたタッチパネルを得ることができる。

本発明の透明導電性積層体の第１の実施形態の断面説明図である。 本発明の透明導電性積層体の第２の実施形態の断面説明図である。 本発明の透明導電性積層体の第３の実施形態の断面説明図である。 本発明の透明導電性積層体の第４の実施形態の断面説明図である。 本発明の透明導電性積層体の第５の実施形態の断面説明図である。 導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差の説明図である。 実施例１と比較例１、２の導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差の説明図である。 実施例１と比較例１、２の導電性パターン領域と非導電性パターン領域の反射率の差の説明図である。 実施例２の導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率と反射率の差の説明図である。

本発明の透明プラスチック基材として、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。

本発明では、透明プラスチック基材として、特に上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）などを利用できる。しかし、上記透明基板の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、図２から５のように、透明プラスチック基材と金属酸化物層との間に第１のハードコート層を挿入することができる。ハードコート層は、透明プラスチック基材の表面に１層のみ設けてもよいが、さらに、透明プラスチック基材の強度を増加した時に発生するカールを抑制するために、透明プラスチック基材の裏面に第２のハードコート層を挿入することも可能である。

本発明の第１のハードコート層と第２のハードコート層の膜厚については、１μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。膜厚が薄いとハードコート層の性能が出にくい。膜厚が厚いとハードコート層の性能が出やすいが、クラック発生の可能性が高くなる。そして、第１のハードコート層の膜厚と第２のハードコート層の膜厚の調整することにより、得られた透明導電薄膜積層体の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。

本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。具体的には、紫外線硬化型であるアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系や、有機珪素系の樹脂、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。

ハードコート層の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。

本発明の金属酸化物層は、高屈折率の金属酸化物層である。金属酸化物層に用いられる材料としては、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５等が挙げられるが、この限りではない。

金属酸化物層の屈折率は、透明プラスチック基材とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下であるため、１．７以上２．６以下であることが好ましい。この範囲にすることで、ハードコート層の屈折率より高いので、高屈折率材料として用いることができる。

また、金属酸化物層の光学膜厚は、１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性を持っている。なお、光学膜厚は、金属酸化物の屈折率をｎ、膜厚をｄとしたときに、ｎｄで表される。

本発明の酸化ケイ素層は、低屈折率の金属酸化物層であり、ＳｉＯｘで表される。ここで、ｘは酸素原子の数である。酸化ケイ素層の屈折率は、１．３以上１．５以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られた酸化ケイ素層の屈折率が低いので、低屈折率材料として用いることができる。ここで、酸化ケイ素層の屈折率は、酸素原子の数ｘで調整することができ、その値は１．５以上２．０以下であることが好ましい。

また、酸化ケイ素層の光学膜厚は、７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性を持っている。

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、屈折率及び光学膜厚をそれぞれ上記範囲に調整することにより、所望の光学特性を有する透明導電性積層体を得ることができる。具体的には、後述するように、透明性が高く、ヘーズの値が小さく、かつ視認性が良好な透明導電性積層体を得ることができる。そして、本発明の透明導電性積層体は酸化インジウム・スズ層自身の特有な黄色色味の減少することができる。

また、本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層の作用としては、単純な光学調整だけではなく、密着性改善作用もある。金属酸化物層及び酸化ケイ素層を成膜することによって、酸化インジウム・スズ層との親和性が良くなり、透明導電性積層体の密着性を改善することができる。

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、図１のように、透明プラスチック基材の一方の面のみに設けてもよく、また、透明プラスチック基材の両方の面に設けてもよい。また、透明プラスチック基材の表面にハードコート層を設けた場合は、図２から５のように、ハードコート層表面に設けることができる。

本発明の積層成膜方法としては、膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）と化学真空蒸着法（ＣＶＤ）がある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が特に好ましい。

本発明の酸化インジウム・スズ層は、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いて成膜することが好ましい。酸化スズの含量が２ｗｔ％より小さくなるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含量が１５ｗｔ％より大きくなると酸化インジウム・スズ層の構造が変化し、導電性能も悪くなる。

酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることが好ましい。３０ｎｍより小さい場合、膜厚が薄く性能が出られない。また、６５ｎｍより大きいと得られた膜は透過率低くなり、光学特性が低下になる。

本発明の酸化インジウム・スズ層は、図１から３のように、酸化ケイ素層の表面に設けられる。また、図４又は５のように、パターンを形成して、導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を設けてもよい。

本発明の透明導電性積層体は、全光透過率が８０％以上であり、ヘーズが１％以下であり、シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、且つ透過色相ａ＊及びｂ＊が−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）を満たすため、優れた光学特性を持つ透明導電薄膜積層体の作製することができる。

酸化インジウム・スズ層に形成したパターン形状が目立たないことの一番理想的な条件としては、可視光範囲内各波長に対して、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差が０になっていることである。本発明では、図４又は５に記載の酸化インジウム・スズ層に、導電性パターン領域と非導電性パターン領域とを形成するパターニング後、可視光範囲内各波長に対して、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差は４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲で、それぞれ−３．０％以上３．０％以下（図６）であることを特徴とする。そして、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）と反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）はそれぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする。この範囲を満たすことにより、得られた透明導電性積層体に形成したパターンの形状がほぼ目立たない状態になる。

本発明の応用範囲は、透明導電薄膜積層体を用いたことを特徴とするタッチパネルなどである。本発明で作製した透明導電薄膜積層体は、シート抵抗が低く、密着性が良く、透過率が高く、パターン形状を目立たないなどの特徴を持っているために、静電防止フィルム、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能である。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

＜実施例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）両面に、ハードコート層（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、この１９４μｍ厚のＨＣ（１）／ＰＥＴ／ＨＣ（２）フィルム（両面ハードコート付きＰＥＴフィルム）のＨＣ（１）の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化チタン（ＴｉＯ_２）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を順次に積層した。このとき、ＴｉＯ_２層の光学膜厚を２２ｎｍ、ＳｉＯ_２層の光学膜厚を８５ｎｍとし、ＴｉＯ_２層の屈折率を２．２３、ＳｉＯ_２層の屈折率を１．４６とした。次いで、酸化スズを１０ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を５０ｎｍとして成膜した。最後に、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成した。なお、ＴｉＯ_２層及びＳｉＯ_２層は、成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を調整した。また、ＩＴＯ層の成膜時のシート抵抗の制御は、印加電力、成膜時間、酸素流量により調整した。以上により、実施例１の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は以下のように行った。

［シート抵抗測定］
三菱化学社製の表面抵抗測定装置Ｌｏｒｅｓｔａ ＨＰ／ＭＣＰ−４１０を用いて抵抗値を４端子法で測定した。

［分光スペクトルの測定］
日立製作所社製の自動分光光度計Ｕ−４０００を用い、Ｄ６５、２度視野の条件下で、薄膜面について入射角５°における分光スペクトルを測定した。

［全光透過率とヘーズの測定］
Ｎｉｐｐｏｎ ＤＥＮＳＨＯＫＵ社製のＮＤＨ ２０００ヘーズメーターを使用して測定した。

［耐湿熱密着性の測定］
アニール後、得られた透明導電性積層体を、６０℃、９５％ＲＨの環境下で、２０日間放置した。その後、ガラス基板の上に両面テープで張り付け、透明導電性積層体の上から、ナイフで碁盤の目状に１００個の切り込みを入れて、セロハン粘着テープを強く張り付けた後、９０°方向に急速に剥し、透明導電薄膜剥離の有無を調べた。１００目のうち剥離しない目の数をＸで表示した。すなわち、剥離なし＝１００／１００、剥離あり＝Ｘ／１００である。

＜実施例２＞
実施例１から得られた透明導電性積層体の裏面のＨＣ（２）の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化チタン（ＴｉＯ_２）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を順次に積層した。このとき、ＴｉＯ_２層の光学膜厚を２２ｎｍ、ＳｉＯ_２層の光学膜厚を８５ｎｍとし、ＴｉＯ_２層の屈折率を２．２３、ＳｉＯ_２層の屈折率を１．４６とした。次いで、酸化スズを１０ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を５０ｎｍとして成膜した。最後に、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成した。なお、ＴｉＯ_２層及びＳｉＯ_２層の屈折率の調整、及びＩＴＯ層のシート抵抗の制御は、実施例１と同様の方法で調整した。以上により、実施例２の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は実施例１と同様の方法で行った。

＜比較例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのＰＥＴ両面に（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、ＨＣ（１）の表面に、酸化スズを１０ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を５０ｎｍとして成膜した。以上により、比較例１の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は実施例１と同様の方法で行った。

＜比較例２＞
実施例１において、ＴｉＯ_２層の光学膜厚を４０ｎｍ、ＳｉＯ_２層の光学膜厚を８８ｎｍとして成膜し、それ以外は実施例１と同様に操作し、透明導電性積層体を得た。得られた透明導電性積層体の評価は実施例１と同様の方法で行った。

実施例１、２、及び比較例１、２についての評価結果を表１に示す。

表１の通り、実施例１及び２で得られた透明導電性積層体は、シート抵抗、全光透過率、ヘーズ、透過色相ａ＊及びｂ＊、導電性パターン領域と非導電性パターン領域との透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が所望の範囲内であり、優れた光学特性を持つ透明導電薄膜積層体を得ることができた。また、耐湿熱密着性も問題なく、両方とも１００／１００であった。

一方、比較例１で得られた透明導電性積層体は、透過色相ｂ＊及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が所望の範囲から外れ、耐湿熱密着性が実施例よりも劣る結果となった。また、比較例２で得られた透明導電性積層体は、透過色相ａ＊及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が所望の範囲から外れる結果となった。このため、比較例１及び２で得られた透明導電性積層体は、光学特性が劣り、酸化インジウム・スズ層自身特有な黄色色味が目立った。

実施例１、比較例１及び２の分光測定結果を図７及び図８に示す。実施例１の透明導電性積層体は、可視光範囲（４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）内各波長に対して、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差は、−２．０％以上２．０％以下になった。即ち、実施例１の透明導電薄膜積層体は優れた光学特性を持ち、パターン形状が目立たないため、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能である。一方、比較例１及び２の透明導電性積層体は、所望の範囲から外れるため、パターン形状が目立った。

また、実施例２の分光測定結果を図９に示す。実施例２の透明導電性積層体も実施例１と同様、可視光範囲（４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）内各波長に対して、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の透過率の差と反射率の差は、−２．０％以上２．０％以下になった。即ち、実施例２の透明導電薄膜積層体も実施例１と同様、優れた光学特性を持ち、パターン形状が目立たないため、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能である。

実施例１、２と比較例１、２を比較すると、本発明の透明導電薄膜積層体は優れた光学特性を持ち、パターン形状が目立たないため、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能であることが確認された。

本発明ではフィルムなどのプラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且パターン形状を目立たない透明導電薄膜積層体を作製とすることができた。得られたＩＴＯ透明導電薄膜積層体は静電容量タイプタッチパネル等に応用することが十分可能である。

１０、２０、３０、４０、５０・・・透明導電性積層体
１１、２１、３１、４１、５１・・・透明プラスチック基材
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ・・・第１のハードコート層
２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ・・・第２のハードコート層
１３、２３、４３・・・金属酸化物層
３３ａ、５３ａ・・・第１の金属酸化物層
３３ｂ、５３ｂ・・・第２の金属酸化物層
１４、２４、４４・・・酸化ケイ素層
３４ａ、５４ａ・・・第１の酸化ケイ素層
３４ｂ、５４ｂ・・・第２の酸化ケイ素層
１５、２５・・・酸化インジウム・スズ層
３５ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層
３５ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層
４６ａ、５６ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層の導電性パターン領域
５６ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層の導電性パターン領域
４７ａ、５７ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層の非導電性パターン領域
５７ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層の非導電性パターン領域

Claims (6)

1. 透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を前記透明プラスチック基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、
   前記金属酸化物層の屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、
   前記酸化ケイ素層の屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、
   前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、
   前記酸化インジウム・スズ層が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域からなり、
   前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲で、それぞれ−３．０％以上３．０％以下であり、
   前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする透明導電性積層体。
2. 前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、前記透明プラスチック基材と接するハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
3. 請求項１又は２に記載の透明導電性積層体が、
   全光透過率が８０％以上であり、
   ヘーズが１％以下であり、
   シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、
   透過色相ａ＊及びｂ＊がそれぞれ−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）であることを特徴とする透明導電性積層体。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の透明導電薄膜積層体を用いることを特徴とするタッチパネル又は前記タッチパネルを用いたディスプレイ。
5. 透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下である金属酸化物層、及び屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である酸化ケイ素層を、前記透明プラスチック基材側から順にマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、
   前記酸化ケイ素層の表面に、光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である酸化インジウム・スズ層を、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、
   前記酸化インジウム・スズ層に導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を形成する工程と
   をこの順に備え、
   前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過率の差及び反射率の差が、４５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の範囲で、それぞれ−３．０％以上３．０％以下であり、
   前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との透過色差ΔＥａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
6. 前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、前記透明プラスチック基材と接し、膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であるハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の透明導電性積層体の製造方法。