JP2014067711A - 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】静電容量型タッチパネルに用いるパターン見え現象の緩和された光透過性導電性フィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）光透過性支持層及び（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムであって、前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である（ただし、ΔＲは、３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）と前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）との差の絶対についての平均値）
【選択図】なし
【解決手段】（Ａ）光透過性支持層及び（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムであって、前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である（ただし、ΔＲは、３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）と前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）との差の絶対についての平均値）
【選択図】なし
Description
本発明は、光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネルに関する。
画面上の表示を叩く（タップ）及びずらす（ドラッグ）等のいわゆる感覚的な入力により、スマートフォン及びタブレット型コンピューター等の電子機器を操作できるタッチパネルが人気を集めている。タッチパネルとは、指等で接触することにより入力が可能な光透過性窓部を有する入力装置のことをいい、これを液晶ディスプレイ等の表示装置と組み合わせたうえで使用される。通常、ユーザーからみて光透過性窓部の向こう側に液晶ディスプレイ等の表示装置が位置することとなる。ユーザーは、表示装置が表示するボタン等の各種表示を、光透過性窓部を通して確認することができ、さらに、光透過性窓部の表面を指で触るなどすることにより、タップ等の各種入力を行い、これを指令として送ることによりスマートフォン等を操作できる。
タッチパネルの光透過性窓部は、通常、光透過性導電性フィルムを含有する積層化フィルムで構成される。静電容量型タッチパネルに搭載される光透過性導電性フィルムとして、ＰＥＴ等からなる光透過性支持層の上に酸化インジウムスズ（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）；スズドープ酸化インジウムともいう。）からなる光透過性導電層を積層して得られる光透過性導電性フィルムが数多く使用されている。これらの光透過性導電性フィルムは、パターン化した上でタッチパネルに搭載されるのが通常である。
光透過性導電層がパターン化された導電性フィルムにおいては、フィルム表面で光透過性導電層のパターンが視認されるようになること（パターン見え現象）が知られている。
これまでに、このパターン見え現象を緩和するための技術が種々提案されている（特許文献１）。
これまでに、このパターン見え現象を緩和するための技術が種々提案されている（特許文献１）。
本発明は、パターン見え現象が緩和された光透過性導電性フィルムを提供することを課題とする。
本発明者らは、鋭意検討を重ね、光透過性導電層を形成する前後の反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である光透過性導電性フィルムにより上記課題を解決できることを見出した。本発明は、この新たな知見に基づいてさらに検討を重ねることにより完成されたものであり、次に掲げるものである。
項１
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルム。
項２
シート抵抗値が、１６０Ω／□以下である、項１に記載の光透過性導電性フィルム。
項３
酸化インジウムスズの付着量が、１７μｇ／ｃｍ２以下である、項１又は２に記載の光透過性導電性フィルム。
項４
項１〜３のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含む、静電容量型タッチパネル。
項５
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
前記光透過性導電層を、マグネトロンスパッタリング法により形成する工程を含有する方法。
項６
前記工程において、ガス圧２Ｐａ以下で前記光透過性導電層を形成する、項５に記載の方法。
項１
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルム。
項２
シート抵抗値が、１６０Ω／□以下である、項１に記載の光透過性導電性フィルム。
項３
酸化インジウムスズの付着量が、１７μｇ／ｃｍ２以下である、項１又は２に記載の光透過性導電性フィルム。
項４
項１〜３のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含む、静電容量型タッチパネル。
項５
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
前記光透過性導電層を、マグネトロンスパッタリング法により形成する工程を含有する方法。
項６
前記工程において、ガス圧２Ｐａ以下で前記光透過性導電層を形成する、項５に記載の方法。
本発明により、反射率の低減された光透過性導電性フィルムを提供できる。
１． 光透過性導電性フィルム
本発明の光透過性導電性フィルムは、
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムである。
本発明の光透過性導電性フィルムは、
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムである。
本発明において「光透過性」とは、光を透過させる性質を有する（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）ことを意味する。「光透過性」には、透明（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）が含まれる。「光透過性」とは、例えば、全光線透過率が８０％以上、好ましくは８５％以上、より好ましくは８７％以上である性質をいう。本発明において全光線透過率は、ヘーズメーター（日本電色社製、商品名：ＮＤＨ−２０００、またはその同等品）を用いてＪＩＳ−Ｋ−７１０５に基づいて測定する。
本発明の光透過性導電性フィルムは、反射率の変化率ΔＲが０．８５以下であり、本発明の効果の点で、好ましくは０．０８以下である。ΔＲは本発明の効果の点で、より好ましくは左記上限以下であることに加えて、０．５０以上であり、さらに好ましくは０．５５以上である。本発明において、反射率の変化率ΔＲは、３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である。
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である。
Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１）
本発明において反射率は、次のようにして測定する。日立製作所製分光光度計Ｕ４１００又はその同等品に、入射角度５°の反射率測定ユニットを取り付け、スキャンスピード：３００ｎｍ／Ｍｉｎ、スリット幅：４ｎｍにてハロゲンランプ光源を用いて測定する。
なお、反射スペクトルの測定値は、測定サンプルを取り除いて測定したブランクのスペクトルを差し引いて校正する。サンプルは、幅５０ｍｍ、高さ１００ｍｍとし、ＩＴＯ表面を測定スリット側に配置し、反対面を黒色に遮光する。
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下、好ましくは０．０８以下であり、かつ、より好ましくは０．５０以上、さらに好ましくは０．５５以上である本発明の光透過性導電性フィルムは、ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を原料として用いて、厚さ１７〜２５ｎｍとなるように光透過性導電層（Ｂ）を形成することにより容易に得ることができる。特に、マグネトロンスパッタリング法により上記原料を用いて光透過性導電層（Ｂ）を形成すれば、より容易に得ることができる。
本発明において反射率は、次のようにして測定する。日立製作所製分光光度計Ｕ４１００又はその同等品に、入射角度５°の反射率測定ユニットを取り付け、スキャンスピード：３００ｎｍ／Ｍｉｎ、スリット幅：４ｎｍにてハロゲンランプ光源を用いて測定する。
なお、反射スペクトルの測定値は、測定サンプルを取り除いて測定したブランクのスペクトルを差し引いて校正する。サンプルは、幅５０ｍｍ、高さ１００ｍｍとし、ＩＴＯ表面を測定スリット側に配置し、反対面を黒色に遮光する。
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下、好ましくは０．０８以下であり、かつ、より好ましくは０．５０以上、さらに好ましくは０．５５以上である本発明の光透過性導電性フィルムは、ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を原料として用いて、厚さ１７〜２５ｎｍとなるように光透過性導電層（Ｂ）を形成することにより容易に得ることができる。特に、マグネトロンスパッタリング法により上記原料を用いて光透過性導電層（Ｂ）を形成すれば、より容易に得ることができる。
本発明の光透過性導電性フィルムは、特に限定されないが、シート抵抗値が、１６０Ω／□以下であれば好ましく、１５５Ω／□以下であればより好ましい。なお、本発明においてシート抵抗値は、４端子法を用いて測定する。
本明細書において、光透過性支持層（Ａ）の一方の面上に配置される複数の層のうち二つの層の相対的な位置関係について言及する場合、光透過性支持層（Ａ）を基準にして、光透過性支持層（Ａ）からの距離が大きい一方の層を「上層」又は「上方に位置する」等といい、光透過性支持層（Ａ）からの距離が小さい他方の層を「下層」又は「下方に位置する」等ということがある。
図１に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の一方の面に直接、光透過性導電層（Ｂ）が配置されている。
図２に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の両方の面に直接、光透過性導電層（Ｂ）が配置されている。
１．１ 光透過性支持層（Ａ）
本発明において光透過性支持層とは、光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性導電層を含む層を支持する役割を果たすものをいう。光透過性支持層（Ａ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性支持層として通常用いられるものを用いることができる。
本発明において光透過性支持層とは、光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性導電層を含む層を支持する役割を果たすものをいう。光透過性支持層（Ａ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性支持層として通常用いられるものを用いることができる。
光透過性支持層（Ａ）の素材は、特に限定されないが、例えば、ガラス、及び各種の有機高分子等を挙げることができる。有機高分子としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリメタクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、及びポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられる。ポリエステル系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等が挙げられる。光透過性支持層（Ａ）の素材は、ポリエステル系樹脂が好ましく、特にＰＥＴが好ましい。光透過性支持層（Ａ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。
光透過性支持層（Ａ）の厚さは、特に限定されないが、例えば、２〜３００μｍの範囲が挙げられる。
１．２ 光透過性導電層（Ｂ）
光透過性導電層（Ｂ）は、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されている。
光透過性導電層（Ｂ）は、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されている。
本発明において光透過性導電層とは、電気を導通しかつ可視光を透過する役割を果たすものをいう。光透過性導電層（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて光透過性導電層として通常用いられるものを用いることができる。
光透過性導電層（Ｂ）は、ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズを含有する。
この酸化インジウムスズは、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）の無機化合物（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）であり、ＳｎＯ２の添加量は、４〜１５重量％である。なお、同添加量は好ましくは５〜１０重量％、より好ましくは６〜８重量％である。
光透過性導電層（Ｂ）は、特に限定されないが、例えば、酸化インジウムスズに加えて他の光透過性導電物質を含有していてもよい。光透過性導電物質としては、特に限定されないが、例えば、酸化亜鉛、酸化錫、及び酸化チタン等が挙げられる。光透過性導電層（Ｂ）は、酸化インジウムスズに加えてこれらのうちいずれか単独を含有していてもよいし、複数種を含有していてもよい。
酸化インジウムスズは、結晶体若しくは非晶質体、又はそれらの混合体であってもよい。
酸化インジウムスズの付着量は、特に限定されないが、１７μｇ／ｃｍ２以下であれば好ましく、１６．５μｇ／ｃｍ２以下であればより好ましい。なお、本発明において酸化インジウムスズの付着量とは、光透過性導電層（Ｂ）中における酸化インジウムスズの単位面積当たり含有量を指す。具体的には、酸化インジウムスズの付着量は次のようにして求める。蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）装置を用いてサンプルのインジウム原子及びスズ原子に基づく強度を測定し、あらかじめ作成した検量線に基づいて付着量を算出する。
光透過性導電層（Ｂ）の厚さは、１７〜２５ｎｍである。光透過性導電層（Ｂ）の厚さは、好ましくは１８〜２３ｎｍ、より好ましくは１９〜２１ｎｍである。
光透過性導電層（Ｂ）を配置する方法は、特に限定されないが、特にマグネトロンスパッタリング法が好ましい。マグネトロンスパッタリング法は、いわゆる高磁場スパッタリングが好ましく、具体的には、例えば８００ガウス以上の最大水平磁束密度で行う高磁場スパッタリングである。好ましい最大水平磁束密度の範囲は、８００ガウス〜１２００ガウスであり、より好ましくは９００ガウス〜１０００ガウスである。また、ガス圧２Ｐａ以下で行うマグネトロンスパッタリング法がより好ましい。詳細な条件としては、特に限定されないが、例えば、投入電力４ｋＷ、アルゴンガス９７％、酸素ガス３％の混合ガスからなる５×１０−１Ｐａの雰囲気中、ＩＴＯ焼結体ターゲット（ＳｎＯ２５重量％含有）、ターゲット表面の最大水平磁束密度１０００Ｇ等が挙げられる。
１．３ 光透過性下地層（Ｃ）
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の光透過性導電層（Ｂ）が配置されている面に、直接又は一以上の他の層を介して光透過性下地層（Ｃ）が配置されていてもよい。光透過性下地層（Ｃ）が配置されている場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、少なくとも前記光透過性下地層（Ｃ）を介して前記光透過性支持層（Ａ）の面に配置されている。この場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性下地層（Ｃ）に隣接して配置されていてもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の光透過性導電層（Ｂ）が配置されている面に、直接又は一以上の他の層を介して光透過性下地層（Ｃ）が配置されていてもよい。光透過性下地層（Ｃ）が配置されている場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、少なくとも前記光透過性下地層（Ｃ）を介して前記光透過性支持層（Ａ）の面に配置されている。この場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性下地層（Ｃ）に隣接して配置されていてもよい。
図３に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の一方の面に光透過性下地層（Ｃ）が隣接して配置されており、さらに光透過性導電層（Ｂ）が光透過性下地層（Ｃ）に隣接して配置されている。
図４に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の両方の面に光透過性下地層（Ｃ）が隣接して配置されており、さらに光透過性導電層（Ｂ）が光透過性下地層（Ｃ）に隣接して配置されている。
光透過性下地層（Ｃ）の素材は、特に限定されないが、例えば、誘電性を有するものであってもよい。光透過性下地層（Ｃ）の素材としては、特に限定されないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリコンアルコキシド、アルキルシロキサンの及びその縮合物、ポリシロキサン、シルセスキオキサン、ポリシラザン等が挙げられる。光透過性下地層（Ｃ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。酸化ケイ素を含む光透過性下地層が好ましく、酸化ケイ素からなる光透過性下地層がより好ましい。
光透過性下地層（Ｃ）は、一層が配置されていてもよい。あるいは二層以上が互いに隣接して、または他の層を介して互いに離間して配置されていてもよい。光透過性下地層（Ｃ）が二層以上互いに隣接して配置されているのが好ましい。例えば二層が互いに隣接して配置されている場合、光透過性支持層（Ａ）側にＳｉＯ２からなる光透過性下地層（Ｃ−１）、光透過性導電層（Ｂ）側にＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）からなる光透過性下地層（Ｃ−２）を配置させるのが好ましい。
光透過性下地層（Ｃ）の一層あたりの厚さは、１５〜２５ｎｍ等が挙げられる。二層以上が互いに隣接して配置されている場合は互いに隣接している全ての光透過性下地層（Ｃ）の合計厚さが上記範囲内であればよい。左記の例示列挙においては後出のものが前出のものよりも好ましい。
光透過性下地層（Ｃ）の屈折率は、本発明の光透過性導電性フィルムがタッチパネル用光透過性導電性フィルムとして使用できる限り特に限定されないが、例えば、１．４〜１．５が好ましい。
光透過性下地層（Ｃ）を配置するための方法としては、湿式及び乾式のいずれでもよく、特に限定されないが、湿式としては例えば、ゾル−ゲル法、微粒子分散液、コロイド溶液を塗布する方法等が挙げられる。
光透過性下地層（Ｃ）を配置する方法として、乾式としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法により隣接する層上に積層する方法等が挙げられる。
１．４ ハードコート層（Ｄ）
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の光透過性導電層（Ｂ）が配置されている面に、直接又は一以上の他の層を介してハードコート層（Ｄ）が配置されていてもよい。ハードコート層（Ｄ）は、好ましくは光透過性支持層（Ａ）に隣接して配置されている。ハードコート層（Ｄ）が配置されている場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、少なくとも前記光ハードコート層（Ｄ）を介して前記光透過性支持層（Ａ）の面に配置されている。この場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記ハードコート層（Ｄ）に隣接して配置されていてもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の光透過性導電層（Ｂ）が配置されている面に、直接又は一以上の他の層を介してハードコート層（Ｄ）が配置されていてもよい。ハードコート層（Ｄ）は、好ましくは光透過性支持層（Ａ）に隣接して配置されている。ハードコート層（Ｄ）が配置されている場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、少なくとも前記光ハードコート層（Ｄ）を介して前記光透過性支持層（Ａ）の面に配置されている。この場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記ハードコート層（Ｄ）に隣接して配置されていてもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムが光透過性下地層（Ｃ）を含む場合であって、ハードコート層（Ｄ）が配置されているときは、光透過性下地層（Ｃ）はハードコート層（Ｄ）の光透過性導電層（Ｂ）が配置されている面に、直接、又は他の層を介して配置されている。光透過性下地層（Ｃ）は、好ましくはハードコート層（Ｄ）に隣接して配置されている。
ハードコート層（Ｄ）は、一層が配置されていてもよい。あるいは二層以上が互いに隣接して、または他の層を介して互いに離間して配置されていてもよい。
図５に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の一方の面に隣接してハードコート層（Ｄ）が配置されており、光透過性下地層（Ｃ）がハードコート層（Ｄ）と隣接して配置されており、さらに光透過性導電層（Ｂ）が光透過性下地層（Ｃ）と隣接して配置されている。
図６に、本発明の光透過性導電性フィルムの一態様を示す。この態様では、光透過性支持層（Ａ）の両方の面に隣接してハードコート層（Ｄ）が配置されており、光透過性下地層（Ｃ）がハードコート層（Ｄ）と隣接して配置されており、さらに光透過性導電層（Ｂ）が光透過性下地層（Ｃ）と隣接して配置されている。
本発明においてハードコート層とは、プラスチック表面の傷つきを防止する役割を果たすものをいう。ハードコート層（Ｄ）としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいてハードコート層として通常用いられるものを用いることができる。
ハードコート層（Ｄ）の素材は、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、アルキド系樹脂、シリカ、ジルコニア、チタニア、アルミナなどのコロイド粒子等が挙げられる。ハードコート層（Ｄ）は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。ジルコニア粒子を分散したアクリル樹脂がより好ましい。
ハードコート層（Ｄ）の一層あたりの厚さは、特に限定されないが、例えば０．１〜１０μｍ、１〜７μｍ、及び２〜６μｍ等が挙げられる。二層以上が互いに隣接して配置されている場合は互いに隣接している全てのハードコート層（Ｄ）の合計厚さが上記範囲内であればよい。左記の例示列挙においては後出のものが前出のものよりも好ましい。
ハードコート層（Ｄ）の屈折率は、本発明の光透過性導電性フィルムがタッチパネル用光透過性導電性フィルムとして使用できる限り特に限定されないが、例えば、１．４〜１．７等が挙げられる。
ハードコート層（Ｄ）は、光透過性下地層（Ｃ）よりも高い屈折率を有していてもよい。この場合、光透過性下地層（Ｃ）は好ましくはハードコート層（Ｄ）の面上に直接配置されている。このような構成を採ることにより、光透過性下地層（Ｃ）及びハードコート層（Ｄ）の光学干渉作用により光透過性導電性フィルムの透過率が向上するので好ましい。
ハードコート層（Ｄ）を配置する方法としては、特に限定されないが、例えば、フィルムに塗布して、熱で硬化する方法、紫外線や電子線などの活性エネルギー線で硬化する方法等が挙げられる。生産性の点で、紫外線により硬化する方法が好ましい。
１．５ その他の層
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の前記面上に、光透過性導電層（Ｂ）に加えて、光透過性下地層（Ｃ）、ハードコート層（Ｄ）及びそれらと異なる少なくとも１種のその他の層（Ｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の層がさらに配置されていてもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層（Ａ）の前記面上に、光透過性導電層（Ｂ）に加えて、光透過性下地層（Ｃ）、ハードコート層（Ｄ）及びそれらと異なる少なくとも１種のその他の層（Ｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の層がさらに配置されていてもよい。
（Ａ）〜（Ｄ）のいずれとも異なるその他の層としては、特に限定されないが、例えば、接着層等が挙げられる。
接着層とは、二層の間に当該二層と互いに隣接して配置され、当該二層間を互いに接着するために配置される層である。接着層としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて接着層として通常用いられるものを用いることができる。接着層は、これらのうちいずれか単独からなるものであってもよいし、複数種からなるものであってもあってもよい。
１．６ 本発明の光透過性導電性フィルムの用途
本発明の光透過性導電性フィルムは、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。抵抗膜方式タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率（シート抵抗値）が２５０〜１，０００Ω／□程度は必要であるとされる。これに対して静電容量型タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率が低いほうが有利である。本発明の光透過性導電性フィルムは、抵抗率が低減されており、これにより、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。静電容量型タッチパネルについて詳細は、２で説明する通りである。
本発明の光透過性導電性フィルムは、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。抵抗膜方式タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率（シート抵抗値）が２５０〜１，０００Ω／□程度は必要であるとされる。これに対して静電容量型タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率が低いほうが有利である。本発明の光透過性導電性フィルムは、抵抗率が低減されており、これにより、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。静電容量型タッチパネルについて詳細は、２で説明する通りである。
２．本発明の静電容量型タッチパネル
本発明の静電容量型タッチパネルは、本発明の光透過性導電性フィルムを含み、さらに必要に応じてその他の部材を含んでなる。
本発明の静電容量型タッチパネルは、本発明の光透過性導電性フィルムを含み、さらに必要に応じてその他の部材を含んでなる。
本発明の静電容量型タッチパネルの具体的な構成例としては、次のような構成が挙げられる。なお、保護層（１）側が操作画面側を、ガラス（３）側が操作画面とは反対側を向くようにして使用される。
（１）保護層
（２）本発明の光透過性導電性フィルム
（３）ガラス
本発明の静電容量型タッチパネルは、特に限定されないが、例えば、保護層（１）、本発明の光透過性導電性フィルム（２）及び（３）ガラス、並びに必要に応じてその他の部材を通常の方法に従って組み合わせることにより製造することができる。
（１）保護層
（２）本発明の光透過性導電性フィルム
（３）ガラス
本発明の静電容量型タッチパネルは、特に限定されないが、例えば、保護層（１）、本発明の光透過性導電性フィルム（２）及び（３）ガラス、並びに必要に応じてその他の部材を通常の方法に従って組み合わせることにより製造することができる。
３． 本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法
本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法は、
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
前記光透過性導電層を、マグネトロンスパッタリング法により形成する工程を含有する方法である。
本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法は、
（Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
前記光透過性導電層を、マグネトロンスパッタリング法により形成する工程を含有する方法である。
マグネトロンスパッタリング法により形成された光透過性導電層（Ｂ）を用いることにより、反射率の変化率ΔＲが上記のとおりである光透過性導電性フィルムを容易に製造することができる。言い換えれば、マグネトロンスパッタリング法により形成された光透過性導電層（Ｂ）を有する光透過性導電性フィルムは、パターン見え現象が緩和されるという優れた特性を有する。
本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法は、好ましくは前記工程において、ガス圧２Ｐａ以下で前記光透過性導電層を形成する方法である。このような条件で製造することにより、パターン見え現象の緩和の点でより優れた光透過性導電性フィルムが得られる。
本発明の光透過性導電性フィルムの製造方法は、光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、光透過性導電層（Ｂ）に加えて、光透過性下地層（Ｃ）、ハードコート層（Ｄ）及びそれらと異なる少なくとも１種のその他の層（Ｅ）からなる群より選択される少なくとも１種の層をそれぞれ配置する工程をそれぞれ含んでいてもよい。それぞれの層を配置する工程は、それぞれの層について説明した通りである。光透過性導電層（Ｂ）に加えて、少なくとも１種の他の層を配置する場合は、例えば、光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に光透過性支持層（Ａ）側から反対方向側に向かって順次配置させてもよいが、配置の順番は特に限定されない。例えば、最初に光透過性支持層（Ａ）ではない層（例えば、光透過性導電層（Ｂ））の一方の面に他の層を配置させてもよい。あるいは、一方で２種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより１種の複合層を得てから、又はそれと同時に、他方で同様に２種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより１種の複合層を得て、これらの２種の複合層をさらに互いに隣接するように配置させてもよい。
以下に実施例を掲げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
１．実施例１〜３：高磁場スパッタリングによりＩＴＯ膜が積層化されてなる光透過性導電性フィルム
以下の製法により、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
光透過性支持層として、両面にハードコート層が積層されたＰＥＴを用いた。ハードコート層の厚みは１〜１０μｍであった。このハードコート層の上に、光透過性下地層としてＳｉＯｘ層を積層した。ＳｉＯｘ層の上に、連続してＤＣスパッタを用いて酸化インジウム及び酸化スズの混合物（ＩＴＯ）を積層化した。具体的には次のように行った。ＳｎＯ２７重量％のＩＴＯ焼結体ターゲットをターゲット表面の最大水平磁束密度が１０００ガウスあるいは８００ガウスとなるカソードに設置した。アルゴンガス９８％、酸素ガス２％の混合ガスからなる３×１０−１Ｐａの雰囲気中でＩＴＯ層を積層した。これを１５０℃で１時間熱処理した。
以下の製法により、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。
光透過性支持層として、両面にハードコート層が積層されたＰＥＴを用いた。ハードコート層の厚みは１〜１０μｍであった。このハードコート層の上に、光透過性下地層としてＳｉＯｘ層を積層した。ＳｉＯｘ層の上に、連続してＤＣスパッタを用いて酸化インジウム及び酸化スズの混合物（ＩＴＯ）を積層化した。具体的には次のように行った。ＳｎＯ２７重量％のＩＴＯ焼結体ターゲットをターゲット表面の最大水平磁束密度が１０００ガウスあるいは８００ガウスとなるカソードに設置した。アルゴンガス９８％、酸素ガス２％の混合ガスからなる３×１０−１Ｐａの雰囲気中でＩＴＯ層を積層した。これを１５０℃で１時間熱処理した。
２．比較例１〜３：通常磁場スパッタリングによりＩＴＯ膜が積層化されてなる光透過性導電性フィルム
以下の製法により、光透過性導電性フィルムを得た。
光透過性支持層として、両面にハードコート層が積層されたＰＥＴを用いた。ハードコート層の厚みは１〜１０μｍであった。このハードコート層の上に、光透過性下地層としてＳｉＯｘ層を積層した。ＳｉＯｘ層の上に、連続してＤＣスパッタを用いて酸化インジウム及び酸化スズの混合物（ＩＴＯ）を積層化した。具体的には次のように行った。ＳｎＯ２７重量％のＩＴＯ焼結体ターゲットをターゲット表面の最大水平磁束密度が４００ガウスあるいは１０００ガウスとなるカソードに設置した。アルゴンガス９８％、酸素ガス２％の混合ガスからなる３×１０−１Ｐａの雰囲気中でＩＴＯ層を積層した。これを１５０℃で１時間熱処理した。
以下の製法により、光透過性導電性フィルムを得た。
光透過性支持層として、両面にハードコート層が積層されたＰＥＴを用いた。ハードコート層の厚みは１〜１０μｍであった。このハードコート層の上に、光透過性下地層としてＳｉＯｘ層を積層した。ＳｉＯｘ層の上に、連続してＤＣスパッタを用いて酸化インジウム及び酸化スズの混合物（ＩＴＯ）を積層化した。具体的には次のように行った。ＳｎＯ２７重量％のＩＴＯ焼結体ターゲットをターゲット表面の最大水平磁束密度が４００ガウスあるいは１０００ガウスとなるカソードに設置した。アルゴンガス９８％、酸素ガス２％の混合ガスからなる３×１０−１Ｐａの雰囲気中でＩＴＯ層を積層した。これを１５０℃で１時間熱処理した。
特性を表１に示す。なお、パターン見え目視評価は次のようにして行った。黒い板または白い板の上に、光透過性導電性フィルムを、光透過性導電層が最表面となるように戴置し、光透過性導電層側より、目視にてフィルムを観察した。黒い板および白い板のいずれを用いた場合であっても、パターン部とパターン開口部との判別が困難な場合を「○」、判別が可能な場合を「×」とそれぞれ評価した。
１ 光透過性導電性フィルム
１１ 光透過性支持層（Ａ）
１２ 光透過性導電層（Ｂ）
１３ 光透過性下地層（Ｃ）
１４ ハードコート層（Ｄ）
１１ 光透過性支持層（Ａ）
１２ 光透過性導電層（Ｂ）
１３ 光透過性下地層（Ｃ）
１４ ハードコート層（Ｄ）
Claims (6)
- （Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルム。 - シート抵抗値が、１６０Ω／□以下である、請求項１に記載の光透過性導電性フィルム。
- 酸化インジウムスズの付着量が、１７μｇ／ｃｍ２以下である、請求項１又は２に記載の光透過性導電性フィルム。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含む、静電容量型タッチパネル。
- （Ａ）光透過性支持層；及び
（Ｂ）ＳｎＯ２を４〜１５重量％含有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含有する光透過性導電層
を含有する光透過性導電性フィルムであって、
前記光透過性導電層（Ｂ）が、前記光透過性支持層（Ａ）の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており；
前記光透過性導電層（Ｂ）の厚さが１７〜２５ｎｍであり；かつ
反射率の変化率ΔＲが０．８５以下である
（ただし、ΔＲは、
３８０ｎｍから７８０ｎｍまで１０ｎｍ毎に測定して得られる、
前記光透過性導電性フィルムの反射率Ｒ３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）、及び
前記光透過性導電層（Ｂ）を欠く他は同じ構成を有するフィルムの反射率Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数）
に基づいて下記式（１）により得られるそれぞれの値の絶対値についての平均値である： Ｒ３８０＋１０ｎ−Ｒ’３８０＋１０ｎ（ｎは０〜４０の整数） （１））
ことを特徴とする光透過性導電性フィルムを製造する方法であって、
前記光透過性導電層を、マグネトロンスパッタリング法により形成する工程を含有する方法。 - 前記工程において、ガス圧２Ｐａ以下で前記光透過性導電層を形成する、請求項５に記載の方法。
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| JP2013185123A JP2014067711A (ja) | 2012-09-07 | 2013-09-06 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2013-09-06 JP JP2013185123A patent/JP2014067711A/ja active Pending
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