JP5763417B2 - 静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置 - Google Patents
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特許文献1では、透明基板と透明導電膜との間にアンダーコート層を備え、アンダーコート層を低屈折率層と高屈折率層とによって構成することにより、透明導電膜の電極パターンを視認しにくくする技術が提案されている。
また、特許文献2で開示された技術では、各電極パターンの交差部の幅を小さくすると共に透明導電膜で形成することにより、電極パターンの交差部を目立ちにくくすることができる。
さらに、特許文献3の技術によれば、直接、透明導電膜からなる電極パターンの上に、低屈折率誘電体層と高屈折率誘電体層とを交互に積層することにより、電極パターンを視認しにくくすることができる。
また、本発明の他の目的は、静電容量型入力装置用電極基板の透明性を向上させることにより、静電容量型入力装置用電極基板の下方に備えられる画像表示領域の視認性が極めて高い静電容量型入力装置を提供することにある。
そして、上記構成の屈折率を調整する層を備えることにより、第1の電極パターン、絶縁膜、第2の電極パターンが積層されて厚さ方向に凹凸を備える構成の静電容量型入力装置用電極であっても、電極パターンの凹凸が目立ちにくくなり、透明基板の全面にわたって均一な外観とすることができる。
本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、各電極パターン上に直接屈折率調整層を形成するのではなく、各電極パターン上にオーバーコート層を設けてその上面を均一に平滑な状態とした上で、さらに上記の屈折率調整層を備えるため、電極パターンの凹凸に由来する局所的に大きな反射率により凹凸部が視認されることを解消することができる。
したがって、本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、電極パターンを極めて目立ちにくくすることが可能となる。
そして、オーバーコート層、低屈折率層、高屈折率層の各屈折率について、上記式を満たすように各層の材料を選択することにより、電極パターンの凹凸をさらに視認されにくくすることができる。また、透明基板の上面(すなわち、屈折率調整層が形成された側)における光の全反射を抑制することができるため、静電容量型入力装置に本発明の静電容量型入力装置用電極基板が搭載された際、視認性を極めて向上させることができる。
このように、屈折率調整層において、透過率が低下しない程度で低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数層にわたって積層させることにより、電極パターンを目立ちにくくする効果をさらに高めることができる。
このように、低屈折率層及び高屈折率層を上記材料によって形成すると、電極パターンの凹凸を視認されにくくする効果が特に高くなる。また、これら材料は、入手が容易であり、均一に成膜しやすい点から、特に好適に用いられる。
また、静電容量型入力装置に備えられる静電容量型入力装置用電極基板の透明性が極めて向上するため、静電容量型入力装置において、静電容量型入力装置用電極基板の下方に備えられる画像表示領域の視認性を極めて向上させることができる。
本発明の実施形態に係る電極基板1は、図1に示すように、画像表示装置2に重ねて組み合わされることにより、静電容量型入力装置Dを構成する。静電容量型入力装置Dは、少なくとも電極基板1と、画像表示装置2とフレキシブルフラットケーブル3を備えている。静電容量型入力装置Dにおいて、電極基板1は、画像表示装置2の目視側、すなわちユーザーが操作する側に重ねて配設され、電極基板1の表面には、ユーザーが入力操作を行うための入力部1aと、入力部1aからの信号を外部へ出力するための出力部1bが備えられている。なお、図1では、入力部1a及び出力部1bを簡略化して図示しているが、これらは、後述のように、各種電極パターン又は配線パターンを備えている。
静電容量型入力装置Dにおいては、電流量の比率を計測することにより、その位置を判別する静電容量方式を採用している。以下、その操作を説明する。
(1.入力部1a及び出力部1bの構成)
電極基板1は、図2のように、透明基板4上に、第1方向としてのx軸方向に延設される第1の電極パターン10、第2方向としてのy軸方向に延設される第2の電極パターン20を備えている。そして、第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20によって、入力部1aが形成される。また、各電極パターンに接続される配線パターン40、50、及び配線パターン40、50に備えられた接続端子40a、50aが透明基板4上に成膜されることにより、出力部1bが形成される。なお、図2は電極基板1のパターンの一部を示している。
なお、一般には、透明基板4上に、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ケイ素(SiO2)等からなる屈折率調整層を設け、その上に第1の電極パターン10、第2の電極パターン20を成膜する構成が採用されるが、図4では、この屈折率調整層を省略し、透明基板4上に直接第1の電極パターン10、第2の電極パターン20を成膜した構成を示している。
第1の電極パターン10は、x軸方向で隣り合って形成される複数の第1の電極部11と、隣り合う第1の電極部11、11を接続する第1の接続部12とを備えている。また、第2の電極パターン20は、y軸方向で隣り合って形成される複数の第2の電極部21と、隣り合う第2の電極部21、21を接続する第2の接続部22とを備えている。
なお、これら第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20上には、以下で詳述するように、絶縁膜60、オーバーコート層70、屈折率調整層80(低屈折率層81、高屈折率層82)が順に積層されている。
配線パターン40、50は、図2のように、第1の電極パターン10(より詳細には第1の電極部11)及び第2の電極パターン20(より詳細には第2の電極部21)に対し、接するようにして形成される。このように、配線パターン40、50を可能な限り長く第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20に接する構成とすると、抵抗を小さくすることができるため好ましい。
このような構成とすることにより、配線パターン40、50及び接続端子40a、50aにおける反射が抑制され、透明基板4の表側(すなわち、第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20が形成されている面)から目視した場合、配線パターン40、50等がより視認されにくくなるため好適である。
なお、金属酸化物層を構成する材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)、Nb、V、Ta、Mo、Ga、Geを添加したITO、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGO(Indium Germanium Oxide)等のインジウム複合酸化物が挙げられる。
また、配線パターン40、50、接続端子40a、50aは、十分な導電性を得ることができれば、透明導電膜によって形成しても良い。配線パターン40、50等を透明導電膜で形成する場合には、上記の幅(4〜40μm)よりも大きく形成することも可能である。
図3において、大面積を有する第1の電極部11及び第2の電極部21、さらに交差部30を含む透明基板4上には、絶縁膜60(ただし、図3では不図示)が形成される。絶縁膜60は、第1の電極パターン10(第1の電極部11、第1の接続部12)及び第2の電極パターン20(第2の電極部21、第2の接続部22)だけでなく、これらの設けられていない部分(すなわち、各電極パターンの間の部分)においても設けられ、第1の電極パターン10と第2の電極パターン20との絶縁を維持するため、透明基板4のほぼ全面にわたって形成される。
ただし、絶縁膜60は、第2の電極パターン20において、第2の接続部22と第2の電極部21とを接続するため、絶縁膜60の一部において開口するように、接触孔61が形成される。また、配線パターン40、50及び接続端子40a、50aが形成された部分においても、絶縁膜60によって覆われた構成とするのが好ましいが、第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20に接続可能であれば、絶縁膜60上に配線パターン40、50等が設けられていても良い。
上記のように、交差部30において互いに電気的に絶縁された第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20上には、さらにオーバーコート層70が積層される。オーバーコート層70は、電極基板1において、各膜(第1の電極パターン10、第2の電極パターン20、配線パターン40、50、絶縁膜60)を積層させた透明基板4上の全面を覆うように形成されている。
本発明の電極基板1において、オーバーコート層70の上方(上面70a上)には、さらに屈折率調整層80が形成される。屈折率調整層80は、透明基板4側から低屈折率層81、高屈折率層82の順に積層されることによって形成される。なお、十分な光の透過率を得ることができれば、低屈折率層81、高屈折率層82の順でさらに積層させても良い。
また、高屈折率層82を構成する材料としては、光の屈折率が1.8以上の材料であるとよい。この条件を満たす材料として、窒化ケイ素(SiN)、チタン酸化物(TiO2)、ジルコニウム酸化物(ZrO2)、タンタル酸化物(Ta2O5)、ニオブ酸化物(Nb2O5)等が挙げられる。
また、高屈折率層82を形成する材料として挙げられる窒化ケイ素(SiN)の光の屈折率は1.90、チタン酸化物(TiO2)の光の屈折率は約2.3、ジルコニウム酸化物(ZrO2)の光の屈折率は2.0、タンタル酸化物(Ta2O5)の光の屈折率は2.1、ニオブ酸化物(Nb2O5)の光の屈折率は2.3であり、高屈折率材料として好適である。
また、窒化ケイ素(SiN)は、耐熱性、耐摩耗性、耐食性が高いことから、高屈折率層82よりも下方に形成される各層を保護するという点でも有用である。
n2<n1<n3・・・・(式1)
さらに、上記オーバーコート層70の説明においても記載したように、オーバーコート層70を低屈折率材料(例えば、アクリル樹脂、SiO2、MgF等)によって形成することにより、屈折率調整層80の構成を簡素化することができる。オーバーコート層70を低屈折率材料によって形成することにより、屈折率調整層80は、高屈折率層82のみを形成すれば足りる。すなわち、オーバーコート層70が低屈折率層81の役割を果たし、オーバーコート層70の上面70aが、低屈折率から高屈折率に変化する界面となるようにすることができる。このように、オーバーコート層70の上方に、高屈折率層82のみからなる屈折率調整層80を形成することによっても、透明基板4側から屈折率調整層80の上面(高屈折率層82の上面82a)側へ向かって低屈折率から高屈折率に変化する界面(すなわち、オーバーコート層70の上面70aが界面となる)が形成されるため、各電極パターンを視認されにくくする効果を得ることができる。
屈折率調整層80の上には、反射防止膜100を備えた保護基板5がさらに接着される。すなわち、屈折率調整層80の上には、さらに接着層90、保護基板5、反射防止膜100が順に備えられる。これら接着層90、保護基板5、反射防止膜100は公知の材料を用いることができる。接着層90としては、例えば、HBR樹脂等を用いることができ、保護基板5としては上記透明基板4と同じように、ガラス、樹脂基板などの透明且つ絶縁性の材料が用いられる。また、反射防止膜100を構成する材料としてはフッ化マグネシウム(MgF2)や酸化ケイ素(SiO2)等の無機化合物、フッ素樹脂等の有機化合物を用いることができる。
次に、本発明の実施形態に係る電極基板1に関し、その製造方法を具体的に説明する。
まず、透明基板4上に、第1の電極部11、第1の接続部12及び第2の電極部21を各部同時に成膜する。
電極基板1の透明基板4上において、全領域にわたって真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等を用いて透明導電膜を成膜する。その後、スピンコーターや吹きつけにより、フォトレジストを塗布し、成膜される第1の電極部11、第1の接続部12、第2の電極部21が透明基板4上の適切な位置に配設されるようにマスクを用いて露光する。なおこの時、操作面側から見て、菱形に形成された第1の電極部11、第2の電極部21の一辺がそれぞれ4〜8mm、第1の電極部11と第2の電極部21の間隔が40〜200μmとなるように設計する。
また、現像液としては有機塩基溶液、無機塩基溶液を用いることができるが、無機塩基溶液の使用時は、金属イオンが混入する可能性があるため、有機塩基溶液を用いると好ましい。具体的には、TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxyde)水溶液等が挙げられる。本実施形態では東京応化株式会社社製PMERを用いた。さらにこの時、エッチング溶液として、シアン系、王水系、ヨウ素系、シュウ酸系等のエッチング溶液を用いることができる。本実施形態では、硝酸、臭化水素酸、塩化第2鉄溶液を用いた。さらに、フォトレジストを洗浄する溶剤としてはアルカリ溶液が用いられ、好ましくはTMAHを用いる。本実施形態においてもTMAHを用いた。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより第1の電極部11、第1の接続部12、第2の電極部21をパターニングしてもよい。
第1の電極部11、第1の接続部12、第2の電極部21を成膜した後、絶縁膜60を、電極基板1の透明基板4上において全領域にわたって成膜する。
絶縁膜60として感光性の樹脂を用いることもできる。印刷あるいはディッピングによる樹脂の塗布の後、マスクを通しての露光により必要な部分を硬化させ、その後、不要な未硬化部分を除去する。感光性樹脂を用いることにより、製造工程としては、より簡略化することができる。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより絶縁膜60に形成される接触孔61をパターニングしてもよい。
絶縁膜60を成膜、パターニングした後、第2の接続部22を形成する。第2の接続部22は、以下のようにエッチング工程を経ることにより形成する。
また、第2の接続部22は、透明導電体膜(ITO、AZO等)ではなく、導電体膜材料として例えば金、銀、銅、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、アルミ(Al)等の金属を単体、あるいはそれぞれの合金等を用いてもよい。このように、第2の接続部22を形成する材料として、透明導電体材料以外の金属を用いた場合、第2の接続部22の短手方向の幅を極めて小さくすることにより、第2の接続部22を目視されにくくすることができる。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより第2の接続部22を形成してもよい。
上述のように第2の接続部22を形成した後、各膜を積層させた透明基板4上の全面にオーバーコート層70を成膜する。オーバーコート層70として、スクリーン印刷法により、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の膜を形成する。また、蒸着法、スパッタリング法、ディッピング法等により酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、フッ化マグネシウム(MgF)等から構成される膜を形成しても良い。好ましくは、屈折率の低いアクリル樹脂によってオーバーコート層70を成膜するのがよい。
(5.屈折率調整層成膜工程)
このとき、低屈折率層81構成する材料は、上記のように、酸化ケイ素(SiO2)、フッ化マグネシウム(MgF)等から選択される。また、高屈折率層82を構成する材料は、窒化ケイ素(SiN)、チタン酸化物(TiO2)、ジルコニウム酸化物(ZrO2)、タンタル酸化物(Ta2O5)、ニオブ酸化物(Nb2O5)等から選択される。
屈折率調整層80を成膜した後、保護基板5を接着する。この保護基板5の接着工程は、公知の手法が用いられる。
例えば、保護基板5の一方側の面(静電容量型入力装置Dに搭載された際に目視される側)には、反射防止膜100が予め備えられており、他方側の面に接着層80を印刷法等の手法により形成し、上記屈折率調整層80上に接着する手法が用いられる。なお、保護基板5を接着層80によって接着した後、印刷法やスパッタリング法等の手法により、反射防止膜100を形成しても良い。
一方、第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20の交差部30において電気的に絶縁されており、この交差部付近では、厚さ方向において凹凸部(段差部)が形成される。したがって、一般に、凹凸部が視認されやすいが、上記のように、オーバーコート層70によって第1の電極パターン10及び第2の電極パターン20を覆い、さらにオーバーコート層70の上方に屈折率調整層80を形成することにより、各電極パターン(特に厚さ方向における凹凸部)を視認されにくくすることができる。
したがって、静電容量型入力装置Dは、携帯電話、電子手帳等の携帯端末(PDA、Personal Digital Assistant)、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末等の電子機器分野において有用であると期待される。
1a 入力部
1b 出力部
2 画像表示装置
3 フレキシブルフラットケーブル
4 透明基板
5 保護基板
10 第1の電極パターン(入力部)
11 第1の電極部
12 第1の接続部
20 第2の電極パターン(入力部)
21 第2の電極部
22 第2の接続部
22a 接触部
30 交差部
40,50 配線パターン(出力部)
40a,50a 接続端子(出力部)
60 絶縁膜
61 接触孔
70 オーバーコート層
70a 上面
80 屈折率調整層
81 低屈折率層
81a 上面
82 高屈折率層
82a 上面
90 接着層
100 反射防止膜
D 静電容量型入力装置
Claims (4)
- 透明基板の一面上に、第1方向に延在する透明な第1の電極パターンと、該第1の電極パターンと絶縁膜を介して交差して第2方向に延在する透明な第2の電極パターンと、を備え、静電容量を検出する静電容量型入力装置用電極基板において、
前記第1の電極パターン及び前記第2の電極パターン上を覆うオーバーコート層と、
該オーバーコート層を覆う屈折率調整層と、を有し、
前記オーバーコート層の上面から前記屈折率調整層の上面までの間には、前記透明基板側から前記屈折率調整層の上面側へ向かって、低屈折率から高屈折率に変わる界面を有し、
前記屈折率調整層は、
前記オーバーコート層上に形成される低屈折率層と、
該低屈折率層よりも屈折率が大きい材料からなり、前記低屈折率層上に形成される高屈折率層と、を有し、
前記オーバーコート層の屈折率をn1、前記低屈折率層の屈折率をn2、前記高屈折率層の屈折率をn3としたとき、
n2<n1<n3
であることを特徴とする静電容量型入力装置用電極基板。 - 前記屈折率調整層は、前記低屈折率層と、前記高屈折率層とを交互に複数層備えてなることを特徴とする請求項1記載の静電容量型入力装置用電極基板。
- 前記低屈折率層は酸化ケイ素からなり、
前記高屈折率層は窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型入力装置用電極基板。 - 画像表示装置と、該画像表示装置に重ねられて配設される静電容量型入力装置用電極基板と、を備えた静電容量型入力装置であって、
前記静電容量型入力装置用電極基板は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の静電容量型入力装置用電極基板であることを特徴とする静電容量型入力装置。
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