JP2009053893A - 静電容量型入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】透光性電極パターンの電気抵抗を増大させることなく、透光性電極パターンの存在を目立たなくすることのできる入力装置を提供すること。
【解決手段】入力装置付き表示装置の入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、透光性電極パターン１１、１２は、透光性基板１５よりも屈折率が高いＩＴＯ膜によって形成されている。透光性電極パターン１１、１２の表面には、下層側の光散乱性付与用の凹凸１５ｅが反映されて凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されているため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域では、透光性電極パターン１１、１２の表面に形成された凹凸１１ｅ、１２ｅによって反射率が低下し、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域と同等の反射率である。従って、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２の存在が目立つことがない。
【選択図】図３

Description

本発明は、指が接触あるいは近接した位置を静電容量の変化として検出可能な静電容量型入力装置に関するものである。

携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、液晶装置などの表面にタブレット型の入力装置が配置され、液晶装置の画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所に指などが接触あるいは近接することで、指示画像に対応する情報の入力が行えるものがある。

このような入力装置（タッチパネル）には、抵抗膜型、静電容量型などがあるが、抵抗膜型の入力装置は、フィルムとガラスの２枚構造でフィルムを押下してショートさせる構造のため、動作温度範囲の狭さや、経時変化に弱いという欠点を有している。

これに対して、静電容量型の入力装置は、一枚の基板に透光性導電膜を形成すればよいという利点がある。かかる静電容量型の入力装置では、例えば、互いに交差する方向に電極パターンを延在させて、指などが接触あるいは近接した際、電極間の静電容量が変化することを検知して入力位置を検出するタイプのものがある（例えば、特許文献１）。

また、静電容量型の入力装置としては、透光性導電膜の両端に同相、同電位の交流を印加し、指が接触あるいは近接してキャパシタが形成される際に流れる微弱電流を検知して入力位置を検出するタイプのものもある。
特開２００７−１２２３２６号公報

この種の入力装置においては、液晶装置で表示された画像を入力装置の入力面側から透過して視認するため、基板および透光性電極パターンには透光性に優れたものが用いられるが、それでも、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との間で反射率が大きく異なると、透光性電極パターンの存在が目立ってしまい、好ましくない。例えば、図１３に示すように、ガラス基板（屈折率＝１．５２）からなる透光性基板１５の表面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜（屈折率＝１．８０）からなる透光性電極パターン１３を形成し、透光性基板１５において透光性電極パターン１３が形成されている面側に、アクリル樹脂（屈折率＝１．４８）からなる粘着剤層３０を用いてアクリル基板（屈折率＝１．４８）からなる透光性カバー２０を接合すると、透光性電極パターン１３の屈折率が高いため、透光性電極パターン１３が形成されている領域での反射率が他の領域に比して高くなる結果、透光性電極パターン１３の存在が目立ってしまう。

そこで、本発明の発明者は、透光性電極パターンを多層膜で形成し、各界面で反射した光の位相を逆転させ打ち消し合うことにより、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を解消し、透光性電極パターンの存在を目立たなくすることを検討した。しかしながら、かかる構成を採用すると、多層膜に含まれる一層の導電膜のみが電極として駆動回路に接続することになり、しかも、導電膜の厚さが１５ｎｍと薄い。このため、透光性電極パターンの電気抵抗が増大し、応答速度が低下するなどの問題点がある。また、透光性電極パターンの電気抵抗が大きいと、ノイズに起因する誤動作が発生しやすくなる。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性電極パターンの電気抵抗を増大させることなく、透光性電極パターンの存在を目立たなくすることのできる入力装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板上の入力領域内に入力検出用の透光性電極パターンが延在する静電容量型入力装置において、前記透光性電極パターンは、前記透光性基板よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、当該透光性電極パターンの下層側には光散乱性付与用の凹凸が形成され、当該透光性電極パターンの表面は、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする。

本発明において、透光性基板の表面には透光性電極パターンを形成してあるため、入力装置を透過して表示された指示画像に指などを接触あるいは近接させることにより、指示画像に対応する情報の入力を行なうことができる。ここで、透光性電極パターンを構成する透光性導電膜はＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などであり、屈折率が高いのに対して、透光性基板はガラス基板などであり、屈折率が低いため、透光性電極パターンが形成されている領域での反射率が他の領域に比して高くなるが、本発明では、透光性電極パターンの下層側に光散乱性付与用の凹凸に形成し、かかる凹凸を透光性電極パターンの表面に反映させている。従って、透光性電極パターンの表面には光散乱性が付与されるため、反射率（光沢度）が低下する。それ故、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を解消できるので、透光性電極パターンの存在が目立つことがない。

本発明では、前記透光性基板において前記透光性電極パターンが形成されている側の面が、前記透光性導電膜よりも屈折率が低い低屈折率層で覆われている構成が採用される。例えば、前記透光性基板において前記透光性電極パターンが形成されている側の面には、前記透光性導電膜よりも屈折率が低い粘着剤層により透光性カバーが接合される場合があり、この場合、粘着剤層が前記低屈折率層に相当する。

本発明において、前記凹凸は、前記入力領域の全面に形成されている構成を採用することができる。このように構成すると、透光性電極パターンが形成されている領域のみに凹凸を形成する場合と比較して工程の簡素化を図ることができる。

本発明では、前記透光性基板において前記入力領域を囲む外周側領域には、前記凹凸の非形成領域が含まれていることが好ましい。すなわち、透光性基板の外周側領域において、端子が形成されている領域やアライメントマークが形成されている領域には前記凹凸が形成されていないことが好ましい。アライメントマークが形成されている領域を避けて凹凸を形成すると、アライメントマークを確認しやすいという利点がある。

本発明において、前記凹凸は、前記透光性基板の表面に対する粗面化により形成されていることが好ましい。このように構成すると、いわゆるフロスト加工を透光性基板に施すことにより凹凸を形成でき、大型の透光性基板や多数枚の透光性基板に対する凹凸の形成を効率よく行なうことができる。

本発明において、前記凹凸は、前記透光性基板の表面に形成された凹凸形成膜により形成されている構成を採用してもよい。

本発明において、前記透光性基板において前記凹凸が形成されている領域の光沢度は６０±１０％であることが好ましい。「光沢度」とは、反射光の強度を平滑なガラスと相対比較した値であり、平滑なガラスを１００％として、凹凸を付した後の反射光の強度を％表示した値である。このように構成すると、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との間での反射率の差を解消することができるとともに、十分な透光性を確保できるので、透光性電極パターンを透過する光により品位の高い画像を視認することができる。ここで、前記透光性基板において前記凹凸が形成されている領域の光沢度が５０％未満である場合には、光散乱性が高いため、透光性電極パターンが形成されている領域の反射率が、透光性電極パターンが形成されていない領域の反射率より低くなって逆の反射率の差が発生し、透光性電極パターンの存在が目立つ。これに対して、光沢度が７０％を越えると、光散乱性が低いため、平滑なガラスと同様に透光性電極パターンが形成されている領域の反射率が、透光性電極パターンが形成されていない領域の反射率より高くなって反射率の差を解消できないため、透光性電極パターンの存在が目立つ。それ故、光沢度については６０±１０％に設定することが好ましい。

本発明において、前記透光性電極パターンには、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極パターンとが含まれ、前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは前記透光性基板の同一面上に形成され、前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとの交差部分では、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうちの一方の電極パターンが繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れており、少なくとも前記交差部分における前記一方の電極パターンの上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極パターン同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されている構成を採用することができる。

この場合、前記中継電極は、前記層間絶縁膜よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、当該中継電極の表面には、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることが好ましい。このように構成すると、中継電極の存在を見えなくすることができる。

本発明において、前記透光性電極パターンには、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極パターンとが含まれ、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは各々、前記透光性基板上に形成された層間絶縁膜の上層および下層に形成されている構成を採用してもよい。

この場合、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうち、前記層間絶縁膜の上層に形成された透光性電極パターンは、当該層間絶縁膜の下層に形成された透光性電極パターンに比して膜厚が薄いことが好ましい。下層側に形成した凹凸を反映させる際、上層側に形成された透光性電極パターンでは、下層側に形成された透光性電極パターンに比して凹凸が反映されにくいので、上層側に形成された透光性電極パターンの膜厚を薄くすることにより、上層側に形成された透光性電極パターンの表面にも凹凸を確実に反映させることが好ましい。

本発明において、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンを各々、前記層間絶縁膜の上層および下層に形成した構成を採用した場合、前記層間絶縁膜は、下層側から反映される凹凸とは別の光散乱性付与用の凹凸を表面に備えた凹凸形成膜からなることが好ましい。下層側に形成した凹凸を反映させる際、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうち、層間絶縁膜の上層側に形成された透光性電極パターンでは、下層側に形成された透光性電極パターンに比して凹凸が反映されにくいが、層間絶縁膜の表面に別の光散乱性付与用の凹凸を形成しておけば、層間絶縁膜の上層側に形成された透光性電極パターンの表面にも適正な光散乱性を付与することができる。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力装置付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１（ｂ）において、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンについて実線で簡略化して示してあり、それらの数も減らして示してある。

図１（ａ）において、本形態の入力装置付き表示装置１００は概ね、画像生成装置としての液晶装置５０と、この画像生成装置において表示光を出射する側の面に重ねて配置されたパネル状の入力装置１０（タッチパネル）とを有している。液晶装置５０は、透過型、反射型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶パネル５０ａを備えており、透過型あるいは半透過反射型の液晶パネルの場合、表示光の出射側とは反対側にバックライト装置（図示せず）が配置される。また、液晶装置５０においては、液晶パネル５０ａに対して位相差板や偏光板（図示せず）が重ねて配置される。液晶パネル５０ａは、素子基板５１と、素子基板５１に対して対向配置された対向基板５２と、対向基板５２と素子基板５１との間に保持された液晶層とを備えており、素子基板５１において、対向基板５２の縁から張り出した領域にはフレキシブル基板５３が接続されている。素子基板５１には駆動用ＩＣがＣＯＧ実装されることもある。いずれの場合も、液晶装置５０は動画や静止画を表示可能であり、入力装置付き表示装置１００に対する入力を行う際、入力情報に対応する指示画像を表示する。従って、利用者は、入力装置付き表示装置１００で表示された指示画像を指で操作すれば、情報の入力を行うことができる。

入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、後述する透光性電極パターンが形成された透光性基板１５を備えている。入力装置１０においては、透光性基板１５の上面側が入力面１０ｂになっており、入力面１０ｂの略中央領域が、指先による入力が行われる入力領域１０ａになっている。透光性基板１５において、入力領域１０ａの外周側領域１５ｆにはフレキシブル基板１９が接続されており、フレキシブル基板１９には、入力装置１０において入力位置の検出を行うための駆動回路（図示せず）が接続されている。

本形態の入力装置１０では、透光性基板１５において、透光性電極パターンが形成された上面側には、粘着剤層３０を介してシート状あるいは板状の透光性カバー２０が接合されている。

図１（ｂ）に示すように、透光性基板１５の入力面１０ｂのうち、入力領域１０ａには、矢印Ｘで示す第１の方向に延在する複数列の第１の透光性電極パターン１１と、矢印Ｙで示す第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数列の第２の透光性電極パターン１２とが形成されている。

このような構成の入力装置１０では、複数の第１の透光性電極パターン１１および複数の第２の透光性電極パターン１２に順次、電圧印加して電荷を与えた際、いずれかの箇所に導電体である指が接触または近接すると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と、指との間で容量が形成され、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を介して検出される静電容量が低下するので、いずれの箇所に指が触れたかを検出することができる。

（入力装置１０の詳細構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置のＡ１−Ａ１′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。なお、図２においては、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの一部を抜粋して示してある。

図１（ｂ）、図２および図３（ａ）に示すように、本形態の入力装置１０において、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されている。また、透光性基板１５の入力領域１０ａにおいて、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８が複数、存在する。

そこで、本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２のうちの一方の電極パターンは、交差部分１８でも繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れている構成になっている。本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１が繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている構成になっている。

ここで、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の上層側には、透光性の層間絶縁膜４が入力領域１０ａの略全体に形成され、かかる層間絶縁膜４の上層には、層間絶縁膜４のコンタクトホール４ｃを介して、交差部分１８で途切れている第２の透光性電極パターン１２同士を電気的に接続する透光性の中継電極５ａが形成されている。このため、第２の透光性電極パターン１２は第２の方向で電気的に接続されている。

本形態において、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、交差部分１８で挟まれた領域に菱形形状の大面積のパッド部１１ａ、１２ａ（大面積部分）を備えており、第１の透光性電極パターン１１において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃは、パッド部１１ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極５ａも、パッド部１１ａ、１２ａより幅の狭い細幅形状で短冊状に形成されている。また、透光性基板１５において、透光性電極パターン１１、１２が形成された上面側のうち、入力領域１０ａに対しては、粘着剤層３０を介して透光性カバー２０が接合されている。

図１（ａ）、（ｂ）、および図３（ｂ）に示すように、透光性基板１５において入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の各々に電気的に接続する複数の金属配線９ａが形成されており、これらの金属配線９ａの端部は、フレキシブル基板１９を接続するための端子１９ａを構成している。金属配線９ａは、例えば、厚さが２００ｎｍ程度の銀−パラジウム−銅−ゲルマニウム膜などからなる。また、透光性基板１５の外周側領域１５ｆには、透光性基板１５に対してフレキシブル基板１９を実装する際や透光性カバー２０を接合する際に用いられるアライメントマーク１５ｇが形成されている。なお、アライメントマーク１５ｇの位置は、各々の用途に最適な位置に形成される。本形態では、層間絶縁膜４は、少なくとも入力領域１０ａに形成され、外周側領域１５ｆのうち端子１９ａが形成された領域には形成されていない。但し、層間絶縁膜４は端子１９ａ以外の金属配線９ａを被覆していても良い。このように構成すると、金属配線９ａの耐湿性が向上する。

（透光性電極パターン１１、１２における反射対策）
このように構成した入力装置１０において、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域とで反射率に大きな差があると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまう。ここで、透光性基板１５は、ガラス基板（屈折率＝１．５２）であり、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、膜厚が３５ｎｍ程度のＩＴＯ膜（屈折率＝１．８０）からなる。層間絶縁膜４は、厚さが１〜２μｍ程度のアクリル樹脂（屈折率＝１．５２）からなる。粘着剤層３０はアクリル樹脂系の粘着剤（屈折率＝１．４８）からなり、透光性カバー２０はアクリル樹脂製（屈折率＝１．４８）である。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、他の層に比して屈折率が極めて高く、その表面での反射率が高い。

そこで、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、入力領域１０ａの全面に光散乱性付与用の凹凸１５ｅが形成されており、かかる凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている。本形態では、透光性基板１５の表面が粗面化されており、かかる粗面化により凹凸１５ｅが形成されている。凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている結果、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面には凹凸１１ｅ、１２ｅが形成され、光散乱性が付与されている。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面は、凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている分、光沢度（反射率）が低下している。

本形態において、凹凸１５ｅの高低は０．５〜１．０μｍであり、凹凸１５ｅの形成ピッチは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の膜厚に比して十分広い値、例えば約１０μｍであり、凹凸１５ｅが形成されている領域における光沢度は６０±１０％に設定されている。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面の光沢度（反射率）が適正な範囲に設定され、それ故、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との間の反射率が略同等である。

但し、本形態において、凹凸１５ｅは、入力領域１０ａのみに形成され、入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには形成されていない。このため、図１（ａ）、（ｂ）に示す透光性基板１５の外周側領域１５ｆにおいて、端子１９ａおよびアライメントマーク１５ｇは平滑な面上に形成されている。

（入力装置１０の製造方法）
図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に用いた透光性基板１５に凹凸１５ｅを形成する方法を示す工程断面図である。図５（ａ）〜（ｅ）は、図４に示す方法で凹凸１５ｅを形成した透光性基板１５を用いて本発明の実施の形態１に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｄ）には、透光性基板１５の入力領域１０ａおよび外周側領域１５ｆの双方を示し、図５（ａ）〜（ｅ）には、入力領域１０ａのみを示してある。

本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図４（ａ）に示すように、透光性基板１５（ガラス基板）を準備する。次に、図４（ｂ）に示すように、一方面側には、透光性基板１５の外周側領域１５ｆを覆うようにレジストマスク４１を形成する一方、他方面側には保護シート４２を貼る。この状態で、透光性基板１５において入力領域１０ａとなる領域は、露出した状態にある。

次に、透光性基板１５を酸処理液に接触させて、図４（ｃ）に示すように、一方面側で露出する入力領域１０ａにエッチングを行なう。その結果、透光性基板１５において入力領域１０ａとなる領域には微細な凹凸１５ｄが形成される。かかる酸処理液は、例えば、フッ化水素酸およびリン酸水素二アンモニウムの水溶液である。

次に、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク４１を除去した後、フッ酸およびフッ化アンモニウム酸の水溶液などからなるエッチング液を透光性基板１５に接触させて等方性エッチングを行い、凹凸１５ｄの形状を整え、光散乱性付与用の凹凸１５ｅを形成する。最後に保護シート４２を剥離する。その結果、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度は６０±１０％となる。

次に、図５（ａ）に示すように、透光性基板１５の一方面側に膜厚が３５ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜１を形成する。次に、透光性導電膜１の上層に、金属配線９ａを形成するための金属膜（図示せず）を積層する。

次に、金属膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図３（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。その際、アライメントマーク１５ｇを同時形成する。

次に、金属配線９ａおよび透光性導電膜１などの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、透光性導電膜１をエッチングし、図５（ｂ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２をパターニング形成し、その後、エッチングマスクを除去する。ここで、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８においては、第１の透光性電極パターン１１は接続部分１１ｃを介して繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている。

次に、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側にアクリル樹脂を塗布した後、露光現像し、図５（ｃ）に示すように、コンタクトホール４ｃを備えた層間絶縁膜４を形成する。

次に、図５（ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の上層側に膜厚が２０ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜５を形成した後、透光性導電膜５の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で透光性導電膜５をエッチングし、図５（ｅ）に示すように、層間絶縁膜４の上層に、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分を繋ぐ中継電極５ａを形成する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、透光性基板１５の同一面上に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されているため、透光性基板１５の表面および裏面の各々に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化できる。しかも、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とが同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を異なる層により形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化することができる。

また、透光性電極パターン１１、１２は、透光性基板１５よりも屈折率が高い透光性導電膜（ＩＴＯ膜）によって形成されているが、かかる透光性電極パターン１１、１２の表面には、下層側の光散乱性付与用の凹凸１５ｅが反映されて凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている。このため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域では、透光性電極パターン１１、１２の表面に形成された凹凸１１ｅ、１２ｅによって反射率が低下し、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域と同等の反射率となる。従って、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２の存在が目立つことがない。特に本形態では、透光性電極パターン１１、１２が大面積のパッド部１１ａ、１２ａを備えているため、入力位置を精度よく検出できる一方、目立ちやすい形状であるが、本形態によれば、かかる透光性電極パターン１１、１２であっても透光性電極パターン１１、１２の存在が目立たない。それ故、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。また、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成することができるので、透光性電極パターン１１、１２の電気抵抗を低減することができる。従って、動作速度の向上およびノイズに起因する誤動作の発生防止を図ることができるとともに、入力装置１０の大面積化にも対応することができる。

また、透光性基板１５において透光性電極パターン１１、１２が形成されている側の面が、屈折率が低い粘着層３０（低屈折率層）で覆われ、透光性基板１５の屈折率と粘着層３０の屈折率との差が小さいので、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域では、凹凸１５ｅを形成したとしても反射率が大きく低下しない。それ故、入力領域１０ａの全面に凹凸１５ｅを形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域と、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域との間での反射率の差を解消することができる。それ故、入力領域１０ａの全面に凹凸１５ｅを形成してもよいので、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域のみに凹凸１５ｅを形成する場合と比較して工程の簡素化を図ることができる。

また、透光性基板１５において入力領域１０ａを囲む外周側領域１５ｆにおいて、端子１９ａやアライメントマーク１５ｇが形成されている領域には凹凸１５ｅが形成されていない。このため、アライメントマーク１５ｇを確認しやすいという利点がある。

さらに、凹凸１５ｅは、透光性基板１５の表面に対する粗面化により形成されており、かかる凹凸１５ｅであれば、いわゆるフロスト加工を透光性基板１５に施せばよいので、透光性基板１５を多数取りできる大型基板の基板に対して凹凸１５ｅを形成する場合や、複数枚の透光性基板１５に凹凸１５ｅを形成する場合に、凹凸１５ｅの形成を効率よく行なうことができる。

しかも、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度は６０±１０％であるため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域と、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域との間での反射率の差を解消することができるとともに、十分な透光性を確保できるので、透光性電極パターン１１、１２を透過する光により品位の高い画像を視認することができる。

また、中継電極５は細幅に形成され、かつ、中継電極５ａの表面にも凹凸１５ｅが反映されているため、中継電極５ａを屈折率の高い透光性導電膜（ＩＴＯ膜）で形成した場合であっても、中継電極５ａの存在を見えなくすることができる。それ故、入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、交差部分１８の存在が目立たないので、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。

［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置のＡ２−Ａ２′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

図６および図７（ａ）において、本形態の入力装置１０も、実施の形態１と同様、静電容量型のタッチパネルであり、透光性基板１５の入力領域１０ａには、矢印Ｘで示す第１の方向に延在する複数列の第１の透光性電極パターン１１と、矢印Ｙで示す第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数列の第２の透光性電極パターン１２とが形成されている。

ここで、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、透光性基板１５上に形成された層間絶縁膜４の上層および下層に形成されており、本形態において、第１の透光性電極パターン１１は層間絶縁膜４の上層に形成され、第２の透光性電極パターン１２は層間絶縁膜４の下層に形成されている。このため、本形態では、実施の形態１で説明した中継電極や途切れ部分を設けなくても、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２を交差させることができる。なお、本形態においても、実施の形態１と同様、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、交差部分１８で挟まれた領域に菱形形状の大面積のパッド部１１ａ、１２ａ（大面積部分）を備えており、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃ、１２ｃは、パッド部１１ａ、１２ａより幅の狭い細幅形状になっている。

また、本形態の入力装置１０でも、実施の形態１と同様、透光性基板１５において、透光性電極パターン１１、１２が形成された上面側のうち、入力領域１０ａに対しては、粘着剤層３０を介してシート状あるいは板状の透光性カバー２０が接合されている。また、図１（ａ）、（ｂ）、および図７（ｂ）に示すように、透光性基板１５において入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の各々に電気的に接続する複数の金属配線９ａが形成されており、これらの金属配線９ａの端部は端子１９ａを構成している。ここで、金属配線９ａは、厚さが２００ｎｍ程度の銀合金膜などからなる。なお、透光性基板１５の外周側領域１５ｆにはアライメントマーク１５ｇが形成されている。

このように構成した入力装置１０においても、実施の形態１と同様、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域とで反射率に大きな差があると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまう。ここで、透光性基板１５は、ガラス基板（屈折率＝１．５２）であり、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、膜厚が３５ｎｍ程度のＩＴＯ膜（屈折率＝１．８０）からなる。層間絶縁膜４は、厚さが１〜２μｍ程度のアクリル樹脂（屈折率＝１．５２）からなる。粘着剤層３０はアクリル樹脂系の粘着剤（屈折率＝１．４８）からなり、透光性カバー２０はアクリル樹脂製（屈折率＝１．４８）である。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、他の層に比して屈折率が極めて高く、その表面での反射率が高い。

そこで、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、入力領域１０ａの全面に光散乱性付与用の凹凸１５ｅが形成されており、かかる凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている。本形態では、透光性基板１５の表面が粗面化されており、かかる粗面化により形成された凹凸１５ｅは、第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている結果、第２の透光性電極パターン１２の表面には凹凸１２ｅが形成され、光散乱性が付与されている。また、凹凸１５ｅは、層間絶縁膜４の表面に反映されている結果、層間絶縁膜４の表面には凹凸４ｅが形成されている。このため、凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１の表面まで反映されている結果、第１の透光性電極パターン１１の表面には凹凸１１ｅが形成され、光散乱性が付与されている。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面は、凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている分、光沢度（反射率）が低下している。また、透光性基板１５は、凹凸１５ｅが形成されている領域における光沢度は６０±１０％に設定されており、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面の光沢度（反射率）が適正化されているので、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との間の反射率が略同等である。

また、中継電極５ａの表面にも凹凸５ｅが形成されているので、中継電極５ａの表面でも、光沢度（反射率）が低下している。但し、本形態において、凹凸１５ｅは、入力領域１０ａのみに形成され、入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには形成されていない。このため、図１（ａ）、（ｂ）に示す透光性基板１５の外周側領域１５ｆにおいて、端子１９ａおよびアライメントマーク１５ｇは平滑な面上に形成されている。

（入力装置１０の製造方法）
図８（ａ）〜（ｅ）は、図４に示す方法で凹凸１５ｅを形成した透光性基板１５を用いて本発明の実施の形態２に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。なお、図８（ａ）〜（ｅ）には、入力領域１０ａのみを示してある。

本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明した方法により、入力領域１０ａに凹凸１５ｅが形成されている透光性基板１５を製造した後、図８（ａ）に示すように、透光性基板１５の一方面側に膜厚が３５ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜１を形成する。次に、透光性導電膜１の上層に金属配線９ａを形成するための金属膜（図示せず）を積層する。

次に、金属膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図７（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。その際、アライメントマーク１５ｇを同時形成する。

次に、金属配線９ａおよび透光性導電膜１などの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、透光性導電膜１をエッチングし、図８（ｂ）に示すように、第２の透光性電極パターン１２をパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。その際、第２の透光性電極パターン１２については、金属配線９ａのうち、所定の金属配線９ａのみと接続するようにパターニング形成する。

次に、第２の透光性電極パターン１２の表面側にアクリル樹脂を塗布した後、露光現像し、図８（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４を形成する。

次に、図８（ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の上層側に膜厚が３５ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜２を形成する。次に、透光性導電膜２の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で透光性導電膜２をエッチングし、図８（ｅ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１を形成する。その際、第１の透光性電極パターン１１については、金属配線９ａのうち、所定の金属配線９ａのみと接続するようにパターニング形成する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１と同様、透光性電極パターン１１、１２は、透光性基板１５よりも屈折率が高い透光性導電膜（ＩＴＯ膜）によって形成されているが、かかる透光性電極パターン１１、１２の表面には、下層側の光散乱性付与用の凹凸１５ｅが反映されて凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている。このため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域では、透光性電極パターン１１、１２の表面に形成された凹凸１１ｅ、１２ｅによって反射率が低下し、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域と同等の反射率となる。従って、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２の存在が目立つことがないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［実施の形態２の改良例１］
図９は、本発明の実施の形態２の改良例１に係る入力装置の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

実施の形態２では、層間絶縁膜４の上層に形成された第１の透光性電極パターン１１、および層間絶縁膜４の下層に形成された第２の透光性電極パターン１２はいずれも、膜厚が３５ｎｍ程度のＩＴＯ膜により形成したが、本形態では、図９に示すように、下層側に形成された第２の透光性電極パターン１２については、膜厚が３５ｎｍ程度のＩＴＯ膜により形成し、上層側に形成された第１の透光性電極パターン１１については、第２の透光性電極パターン１２よりも膜厚の薄いＩＴＯ膜、例えば、膜厚が２０〜３０ｎｍ程度のＩＴＯ膜により形成してある。

すなわち、下層側に形成した凹凸１５ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させる際、上層側に形成された第１の透光性電極パターン１１では、下層側に形成された第２の透光性電極パターン１２に比して凹凸１５ｅが反映されにくいが、上層側に形成された第１の透光性電極パターン１１の膜厚を薄く設定すると、下層側に形成した凹凸１５ｅを第１の透光性電極パターン１１の表面に確実に反映することができる。それ故、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面の光沢度を適正に低下させることができる。

［実施の形態２の改良例２］
図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例２に係る入力装置の断面図、この入力装置の透光性基板上に層間絶縁膜を形成する方法を示す説明図、および層間絶縁膜の別の形成方法を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

実施の形態２では、透光性基板１５に形成した凹凸１５ｅのみによって第１の透光性電極パターン１１の表面に凹凸１５ｅを付す構成を採用したが、図１０（ａ）に示すように、本形態では、層間絶縁膜４は、透光性基板１５に形成した凹凸１５ｅが表面に凹凸４ｅとして反映されているとともに、凹凸４ｅとは別の凹凸４ｆを表面に備えた凹凸形成膜として形成されている。

すなわち、下層側に形成した凹凸１５ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させる際、上層側に形成された第１の透光性電極パターン１１では、下層側に形成された第２の透光性電極パターン１２に比して凹凸１５ｅが反映されにくいが、層間絶縁膜４自身を凹凸形成膜として形成すると、第１の透光性電極パターン１１の表面に適正な凹凸１１ｅを確実に形成することができる。それ故、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面の光沢度を適正に低下させることができる。

かかる構成の層間絶縁膜４を形成するには、図１０（ｂ）に示すように、第２の透光性電極パターン１２を形成した後、感光性樹脂を塗布、露光、現像して、所定パターンで分布する第１層４ｓを形成した後、第１層４ｓを覆うように感光性樹脂を塗布、露光、現像して第２層４ｔを形成すればよい。このように構成すると、第１層４ｓの形成パターンに対応した凹凸４ｆを層間絶縁膜４の表面に形成することができる。

また、図１０（ａ）を参照して説明した層間絶縁膜４を形成するには、図１０（ｃ）に示すように、第２の透光性電極パターン１２を形成した後、感光性樹脂４ｕを塗布し、次に、点線４ｘで露光箇所を示すように、感光性樹脂４ｕを所定パターンでハーフ露光する。次に、感光性樹脂４ｕを現像した後、プリベークして半硬化させ、しかる後に、感光性樹脂４ｕを加熱して流動させれば、ハーフ露光パターンに対応した凹凸４ｆを層間絶縁膜４の表面に形成することができる。

［その他の実施の形態］
上記形態では、透光性基板１５の表面を粗面化して凹凸１５ｅを形成し、かかる凹凸１５ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させたが、図１１に示すように、透光性基板１５の表面に凹凸形成膜１６を形成し、この凹凸形成膜１６の表面に形成されている凹凸１６ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させてもよい。

かかる構成の凹凸形成膜１６は、図１０（ｂ）、（ｃ）を参照して説明した方法と同様な方法で形成することができる。すなわち、図１０（ｂ）に示す方法によれば、透光性基板１５の表面に感光性樹脂を塗布、露光、現像して、所定パターンで分布する第１層を形成した後、第１層を覆うように感光性樹脂を塗布して第２層を形成すればよい。このように構成すると、第１層の形成パターンに対応した凹凸１６ｅを表面に備えた凹凸形成膜１６を形成することができる。また、図１０（ｃ）に示す方法によれば、透光性基板１５の表面に感光性樹脂を塗布、ハーフ露光、現像した後、プリベークして半硬化させ、しかる後に、感光性樹脂を加熱して流動させれば、ハーフ露光パターンに対応した凹凸１６ｅを表面に備えた凹凸形成膜１６を形成することができる。

上記形態では、画像生成装置としての液晶装置５０を用いたが、有機エレクトロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置を画像生成装置として用いてもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力装置付き表示装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２（ａ）に、入力装置付き表示装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１２（ｂ）に、入力装置付き表示装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力装置付き表示装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１２（ｃ）に、入力装置付き表示装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力装置付き表示装置１００に表示される。

なお、入力装置付き表示装置１００が適用される電子機器としては、図１２に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力装置付き表示装置１００が適用可能である。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力装置付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置のＡ１−Ａ１′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に用いた透光性基板に凹凸を形成する方法を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、図４に示す方法で凹凸を形成した透光性基板を用いて本発明の実施の形態１に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置のＡ２−Ａ２′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、図４に示す方法で凹凸を形成した透光性基板を用いて本発明の実施の形態２に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２の改良例１に係る入力装置の断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例２に係る入力装置の断面図、この入力装置の透光性基板上に層間絶縁膜を形成する方法を示す説明図、および層間絶縁膜の別の形成方法を示す説明図である。 本発明のその他の実施の形態に係る入力装置の断面図である。 本発明に係る入力装置付き表示装置を用いた電子機器の説明図である。 従来の入力装置の断面図である。

符号の説明

４・・層間絶縁膜、４ｅ、４ｆ、５ｅ、１１ｅ、１２ｅ、１５ｅ、１６ｅ・・凹凸、５ａ・・中継電極、９ａ・・金属配線、１０・・入力装置、１１・・第１の透光性電極パターン、１１ａ、１２ａ・・パッド部（大面積部分）、１１ｃ、１２ｃ・・接続部分、１２・・第２の透光性電極パターン、１５・・透光性基板、１８・・交差部分、３０・・粘着剤層（低屈折率層）、５０・・液晶装置（画像生成装置）、１００・・入力装置付き表示装置

Claims (12)

1. 透光性基板上の入力領域内に入力検出用の透光性電極パターンが延在する静電容量型入力装置において、
   前記透光性電極パターンは、前記透光性基板よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、
   当該透光性電極パターンの下層側には光散乱性付与用の凹凸が形成され、
   当該透光性電極パターンの表面は、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする静電容量型入力装置。
2. 前記透光性基板において前記透光性電極パターンが形成されている側の面は、前記透光性導電膜よりも屈折率が低い低屈折率層で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
3. 前記凹凸は、前記入力領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型入力装置。
4. 前記透光性基板において前記入力領域を囲む外周側領域には、前記凹凸の非形成領域が含まれていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
5. 前記凹凸は、前記透光性基板の表面に対する粗面化により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
6. 前記凹凸は、前記透光性基板の表面に形成された凹凸形成膜により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
7. 前記透光性基板において前記凹凸が形成されている領域の光沢度は６０±１０％であることを特徴とする請求項５または６に記載の静電容量型入力装置。
8. 前記透光性電極パターンには、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極パターンとが含まれ、
   前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは前記透光性基板の同一面上に形成され、
   前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとの交差部分では、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうちの一方の電極パターンが繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れており、
   少なくとも前記交差部分における前記一方の電極パターンの上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極パターン同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
9. 前記中継電極は、前記層間絶縁膜よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、
   当該中継電極の表面には、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする請求項８に記載の入力装置。
10. 前記透光性電極パターンには、第１の方向に延在する複数の第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数の第２の透光性電極パターンとが含まれ、
    前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは各々、前記透光性基板上に形成された層間絶縁膜の上層および下層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
11. 前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうち、前記層間絶縁膜の上層に形成された透光性電極パターンは、当該層間絶縁膜の下層に形成された透光性電極パターンに比して膜厚が薄いことを特徴とする請求項１０に記載の静電容量型入力装置。
12. 前記層間絶縁膜は、下層側から反映される凹凸とは別の光散乱性付与用の凹凸を表面に備えた凹凸形成膜からなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の静電容量型入力装置。

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