TWI502451B - Capacitive type input device and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI502451B
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Description

靜電容型輸入裝置及其製造方法
本發明係關於一種靜電容型輸入裝置及其製造方法，特別係關於一種具備高透明性且抑制消耗電力之靜電容型輸入裝置及其製造方法。
近年來，於行動電話、電子記事簿等可攜式終端機(PDA，Personal Digital Assistant，個人數位助理)、遊樂器、汽車導航、個人電腦、自動售票機、銀行之終端機等電子機器領域中，於液晶裝置等之表面導入有輸入板(tablet)型之輸入裝置(觸控面板)，且其需要正飛躍性地增大。對於此種輸入裝置而言，一邊參照液晶裝置之影像顯示區域所顯示之指示影像，一邊用觸控筆或手指等觸摸顯示該指示影像之部位，藉此可進行對應於指示影像之資訊輸入。
觸控面板式輸入裝置，於以觸控筆或手指對操作區域進行輸入操作時，檢測操作區域內之輸入操作位置，對外部處理裝置輸出表示輸入操作位置之輸入訊號。根據此時之動作原理，觸控面板式輸入裝置主要有電阻膜型、靜電容型、電磁感應型、超音波表面聲波型、紅外線掃描型等，目前，容易進行位置檢測、且比較抑制成本之電阻膜型輸入裝置成為主流。
然而，電阻膜型輸入裝置具有以膜與玻璃之2片構造按壓膜而使其短路之構造，故有動作溫度範圍窄、不耐經時變化之問題。進而，有不耐衝擊、壽命短之問題。又，亦有伴隨著輸入裝置之面積擴大而精度下降、或由於需要2片金屬薄膜而透明性差之問題。
相對於此，靜電容型輸入裝置於輸入裝置之整個表面形成電解，藉由使用者之手指接觸或接近之部分之表面電荷變化進行位置檢測，故對灰塵或水具有較強之耐久性，進而具有高解析度。又，由於響應速度快、進而僅與手指等導體反應，故亦有其他物品(例如衣服等)接觸時並無誤動作之優點。
作為此種靜電容型輸入裝置，專利文獻1及2中提出有如下技術：使電極圖案於1片基板上在相互交叉之方向延伸，而形成格子狀之電極圖案，使用者之手指接觸或接近時，偵測電極間之靜電容變化，而檢測輸入位置。
[專利文獻1]日本特開2008-310550號公報
[專利文獻2]日本實用新型登錄第3134925號公報
通常，觸控面板式輸入裝置係配設於影像顯示裝置上，操作者觀察影像顯示裝置所顯示之影像，觸摸觸控面板式輸入裝置，藉此進行操作。因此，必須自觸控面板式輸入裝置之操作面側觀察影像顯示裝置所顯示之影像，故觸控面板式輸入裝置要求高透明性。因此，作為觸控面板式輸入裝置之基板及電極圖案之材料，係使用透明性優異之材料。
專利文獻1中，採用減小各電極圖案之交叉部、進而於該交叉部積層透光性薄膜(透明導電膜)之構造，故電極圖案之交叉部不醒目，其結果，提供了透明性高之觸控面板式輸入裝置。又，專利文獻2中亦揭示有藉由具有透明性之材料(透明導電膜)而構成之輸入裝置。
另一方面，靜電容型輸入裝置需要持續流通電流，故其消耗電力較大地依存於整個裝置之電阻值。因此，於觸控面板式輸入裝置將透明導電膜圖案化時，由於透明導電膜與金屬相比較電阻值較大，故有使輸入部動作之電壓變高、消耗電力增大之問題。
又，靜電容型輸入裝置於如上所述般將透明導電膜圖案化時，消耗電力增加。相對於此，作為稍許實現消耗電力之減小、用於與外部裝置之連接的配線圖案，係使用電阻值低之金屬薄膜。因此，於需要透明性之觸控面板式輸入裝置，電極圖案及交叉部之導電構件使用透明導電膜，另一方面，配線圖案使用金屬薄膜，電極圖案及交叉部之導電構件與配線圖案係由各不相同之材料構成。因此，分別另外需要配線圖案之成膜步驟、及電極圖案等之成膜步驟，有製造步驟容易變煩雜之問題。
本發明之目的在於提供一種觸控面板式輸入裝置，其係靜電容型輸入裝置，且其透明性高且消耗電力小。又，本發明之另一目的在於提供一種藉由使靜電容型輸入裝置為簡單構成、簡化製造步驟之低成本之靜電容型輸入裝置。再者，於本說明書，對於通過輸入裝置而看到之影像，將人視力之目視確認性表現為透明性。即，就算於光被因微細而無法目視確認物體遮擋、光透射量稍許減少之情形，當對影像目視確認性無影響時亦表現為透明。
根據本發明之靜電容型輸入裝置，上述課題可藉由如下方式而解決：一種靜電容型輸入裝置，具有進行輸入操作之輸入部、及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，且於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部；該輸出部具有輸出該訊號之連接端子、及將該輸入部與該連接端子電性連接之配線圖案；該輸入部具有：複數個第1電極圖案，係由在該透明基板上之第1方向相鄰配設之複數個第1透明導電膜、及將該第1透明導電膜電性連接之導電構件構成；複數個第2電極圖案，係由在與該第1方向交叉之第2方向相鄰配設之複數個第2透明導電膜、及與該複數個第2透明導電膜連續形成且配設於與該導電構件交叉之位置的連接部構成；以及絕緣膜，其係配設於該導電構件與該連接部之間，維持該導電構件與該連接部之絕緣；該導電構件、該連接端子及該配線圖案係以同一導電體膜形成，該導電體膜係由金屬層之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層構成，該導電構件形成為線狀。
如此，於第1電極圖案中，將第1透明導電膜電性連接之導電構件係藉由包含電阻值小於透明導電膜之金屬層(金屬薄膜)的導電體膜而構成，藉此可減小靜電容型輸入裝置之消耗電力。習知技術，為了確保靜電容型輸入裝置之操作區域之透明性，電極圖案全部係使用透明導電膜而形成。但是，透明導電膜係其電阻值依存於厚度，就算於厚度數十nm程度以上時，亦為1.5×10-4 Ωcm左右之電阻率，但該電阻率與金屬薄膜之電阻率(例如銅之電阻率1.67×10-6 Ωcm)相比較極大。因此，於使用透明導電膜時，靜電容型輸入裝置之消耗電力變大，惟如本發明，利用一層金屬層、或包含至少一層以上之金屬層的複層而構成導電體膜，而可謀求消耗電力之減小。
此時，較佳為如請求項2，該導電體膜係由該金屬層之單層所構成，該導電構件之該第2方向之寬度為4～10μm。
如此，於僅以金屬層形成導電體膜之情形，若使導電構件之寬度為4～10μm之非常細之構成，則人視力完全不能目視確認到導電構件。因此，操作者目視確認不到導電構件，而可確保靜電容型輸入裝置之操作區域之透明性。於使導電體膜僅為金屬層之情形，若使導電構件之寬度大於10μm，則雖然導電構件微小但操作者亦會目視確認到，若小於4μm，則蝕刻等之圖案化之精度下降，故欠佳。
又，較佳如請求項3，該導電體膜係由將金屬層與金屬氧化物層交替積層之複層構成，於該導電體膜中，該金屬氧化物層係形成於目視確認側。
如此，在操作者之目視確認側形成金屬氧化物層，而可利用各層間之光之干涉而使導電體膜之反射率下降。
導電構件般之微細形狀就算在透射光下目視確認不到，因反射光之方向有時亦可目視確認到，但藉由使反射率下降可解決該問題。
又，若將金屬層與金屬氧化物層分別積層複數層，則可使反射率進一步下降。其結果，更難以目視確認到藉由導電體膜形成之導電構件、連接端子、配線圖案，可提供輸入部及輸出部透明性均一地提高之靜電容型輸入裝置。
再者，所謂「目視確認側」，係指靜電容型輸入裝置中操作者進行目視確認之側。更詳細而言，於操作者自透明基板上形成有輸入部及輸出部之側(表面)進行目視確認時，係指導電體膜之最上層。另一方面，於操作者自未形成輸入部及輸出部之側(背面)進行目視確認時，係指導電體膜之最下層。
進而，此時較佳為如請求項4，該導電構件於該第2方向之寬度為7～40μm。
如此，於在導電體膜中於操作者之目視確認側形成金屬氧化物層，使透明性提高，藉此形成導電構件時，只要將導電構件之寬度設定為7～40μm即可。與僅以金屬層構成導電構件之情形不同，於目視確認側形成金屬氧化物層時，透明性進一步提高，故就算增大導電構件之寬度時亦難以目視確認到。然而，就算於目視確認側形成金屬氧化物層，於使導電構件之寬度大於40μm時，雖然微小亦會目視確認到導電構件，故欠佳。又，若小於7μm則蝕刻等之圖案化之精度下降，故欠佳。
又，較佳為如請求項5，該金屬層之材料為選自銀、銀合金、銅、銅合金、MAM(Mo或Mo合金/Al或Al合金/Mo或Mo合金之三層構造化合物)中之任一種金屬。
該等金屬材料之電阻值較小，故藉由使導電構件、連接端子及配線圖案為由該金屬之薄膜構成之單層、或包含該金屬之薄膜的複層，可獲得消耗電力小之靜電容型輸入裝置。又，由於電阻值較小，故可使配線間距變窄，其結果可使配設有配線圖案之邊框面積(輸出部)變窄。又，由於配線間距可變狹小，故可於相同之設置面積中增加配線圖案，從而能以高位置精度來檢測輸入訊號。
又，該金屬材料由於蝕刻加工容易，故適合於本發明之靜電容型輸入裝置之製造。
又，較佳如請求項6，該金屬層之材料為選自銀、銀合金、銅、銅合金、MAM(Mo或Mo合金/Al或Al合金/Mo或Mo合金之三層構造化合物)中之任一種金屬，該金屬氧化物層係含有銦複合氧化物。
如此，由該材料形成金屬層，進而使金屬氧化物層為該材料，而可藉由蝕刻而一次性加工導電體膜。其結果，製造步驟不會變煩雜，可減少製造時之費用。
又，較佳如請求項7，於該導電構件與該連接部之交叉部，於該透明基板上依序積層該導電構件、該絕緣膜及該連接部。
若設定為此種構成、即圖6般之構成，則只要僅於第1電極圖案與第2電極圖案之交叉部配設絕緣膜即可。根據本構成，由於在透明基板上形成有導電構件，故其後僅於交叉部形成絕緣膜，便可保持第1電極圖案與第2電極圖案之絕緣。因此，於使各部(各構件)積層而形成時，可更容易地形成。
另一方面，於設定為在透明基板上將第1及第2透明導電膜、及第2電極圖案之連接部先成膜的構成、即圖4般之構成時，導電構件係最後形成。此時，導電構件必須僅將第1透明導電膜電性連接，故第1透明導電膜與導電構件連接之部分以外之部分必須全部以絕緣膜覆蓋。
因此，根據本構成，設置絕緣膜之範圍僅限定於第1電極圖案與第2電極圖案之交叉部，故第1電極圖案及第2電極圖案上成為僅形成有保護膜之構成。其結果，整體之膜厚變薄，故可防止膜厚較厚時成問題之干涉色引起之透明性下降。
進而，根據本構成，與在透明基板上先形成透明導電膜之構成(圖4之構成)不同，若設定為圖6之構成，則無須設置用以於絕緣膜中使導電構件貫穿之微小接觸孔，進而，無須實施使導電構件貫穿該接觸孔之微細圖案化。因此，可成為相對較簡單之構成，其結果，將靜電容型輸入裝置之輸入部成膜時，良率變佳。
又，根據本發明之靜電容型輸入裝置之製造方法，上述課題可藉由如下方式而解決：一種靜電容型輸入裝置之製造方法，該靜電容型輸入裝置具有進行輸入操作之輸入部及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部；其包含：透明導電膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成透明導電膜；透明導電膜圖案化步驟，係對該透明導電膜進行蝕刻而形成在該透明基板上於第1方向相鄰配設之複數個第1透明導電膜、配設於與該第1方向交叉之第2方向之複數個第2透明導電膜、及與該複數個第2透明導電膜連續形成之連接部；絕緣膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成絕緣膜；接觸孔形成步驟，係對該絕緣膜進行圖案化，於該第1透明導電膜上，隔著與該第2透明導電膜連續形成之連接部而於兩側形成接觸孔；導電體膜成膜步驟，於該透明基板上之整面，形成由金屬層之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層所構成之導電體膜；以及導電體膜圖案化步驟，係對該導電體膜進行蝕刻而形成用以使該輸出部輸出該訊號而具備之連接端子、連接該連接端子與該輸入部之配線圖案、及將該複數個第1透明導電膜電性連接且配設於與該連接部交叉之位置之線狀導電構件。
習知技術，為確保透明性，電極圖案之連接部全部係以透明導電膜而成膜，但連接端子及配線圖案係以電阻值低之金屬薄膜形成。因此，如本發明般以由同一材料構成之導電體膜來形成導電構件、連接端子及配線圖案，而可簡化其製造步驟。進而，藉由利用導電體膜來形成將複數個第1透明導電膜電性連接之導電構件，而電極圖案之電阻值變小，故可提供消耗電力小之靜電容型輸入裝置。
進而，根據本發明之靜電容型輸入裝置之製造方法，上述課題可藉由如下方式而解決：一種靜電容型輸入裝置之製造方法，該靜電容型輸入裝置具有進行輸入操作之輸入部及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部；其包含：導電體膜成膜步驟，於該透明基板上之整面，形成由金屬層之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層所構成之導電體膜；導電體膜圖案化步驟，係對該導電體膜進行蝕刻而形成用以使該輸出部輸出該訊號而具備之連接端子、將該連接端子與該輸入部之配線圖案、連接該透明基板上於第1方向相鄰配設之複數個第1透明導電膜電性連接且沿著該第1方向形成之線狀導電構件；絕緣膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成絕緣膜；絕緣膜圖案化步驟，於該絕緣膜中，將該導電構件、與和在該第2方向相鄰配設之複數個第2透明導電膜連續形成且配設於與該導電構件交叉之位置的連接部加以絕緣之位置以外之部分去除；透明導電膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成透明導電膜；以及透明導電膜圖案化步驟，對該透明導電膜進行蝕刻而形成該第1透明導電膜、複數個該第2透明導電膜及該連接部。
此時，可提供上述請求項7之發明之構成的靜電容型輸入裝置，故可提供減少干涉色、確保透明性之靜電容型輸入裝置。
此時，較佳如請求項10般，於該導電體膜成膜步驟中，將該金屬層之單層成膜；於該導電體膜圖案化步驟中，將該導電構件於該第2方向之寬度形成為4～10μm。
如此，利用僅由金屬層構成之導電體膜來形成將第1透明導電膜電性連接之導電構件時，藉由將其寬度設定為4～10μm，而難以目視確認到導電構件，從而可提供輸入部具備透明性之靜電容型輸入裝置。
又，較佳為如請求項11般，於該導電體膜成膜步驟中，具備於最初或最後將金屬氧化物層成膜之步驟，並且，交替具備將該金屬層成膜之步驟、與將該金屬氧化物層成膜之步驟。
如此，於導電體膜中具備金屬氧化物層作為最上層或最下層，而可獲得透明性高之導電體膜。此時，必須至少於目視確認側具備金屬氧化物層。
又，藉由在導電體膜中使金屬層與金屬氧化物層交替積層，而可利用各層間之光干涉而獲得反射率更低之導電體膜。其結果，可提供輸入部及輸出部之透明性高之靜電容型輸入裝置。
進而，此時較佳為如請求項12般，於該導電體膜圖案化步驟中，將該導電構件之該第2方向之寬度形成為7～40μm。
如此，在導電體膜中將金屬氧化物層形成為最上層或最下層，且使導電構件之寬度為該範圍，而可難以目視確認到導電構件，故可提供透明性更高之靜電容型輸入裝置。
根據本發明之靜電容型輸入裝置，藉由利用包含至少一層以上之金屬層的導電體膜來形成將第1透明導電膜電性連接之導電構件，可減小導電構件之電阻，其結果可提供減小消耗電力之靜電容型輸入裝置。又，藉由使導電構件、連接端子、配線圖案為同一材料，而可極為簡化製造步驟。
又，於僅以金屬層形成導電體膜時，藉由將導電構件之寬度設定為4～10μm，而可降低導電構件之目視確認性，從而可獲得透明性高之靜電容型輸入裝置。
進而，藉由將金屬層與金屬氧化物層交替積層而形成導電體膜，進而將金屬氧化物層配設於操作者之目視確認側，而可使導電體膜之目視確認性下降。又，藉由將利用如此構成之導電體膜形成的導電構件之寬度設定為7～40μm，而可確保輸入部之透明性。
又，若設定為將導電構件、絕緣膜及透明導電膜依序成膜之構成，則絕緣膜僅於電極圖案之交叉部成膜即可，可使整體之膜厚變薄。其結果，可減輕干涉色之影響，故可提供透明性高之靜電容型輸入裝置。
根據圖式對本發明之實施形態之靜電容型輸入裝置進行說明。再者，以下所說明之材料、配置、構成等不限定本發明，可於本發明之主旨之範圍內實施各種改變。
圖1及圖2係本發明之實施形態，圖1係裝載有靜電容型輸入裝置之輸入裝置之概略立體圖，圖2係靜電容型輸入裝置之圖案圖，圖3及圖4係本發明之實施形態1，圖3係將靜電容型輸入裝置之圖案圖加以局部放大之說明圖，圖4係相當於圖3之A-A線之概略剖面圖，圖5及圖6係本發明之實施形態2，圖5係將靜電容型輸入裝置之圖案圖加以局部放大之說明圖，圖6係相當於圖5之B-B線之概略剖面圖，圖7係表示實施例1-1～實施例1-4之光學特性之曲線圖，圖8係表示實施例2-1～實施例2-5之光學特性之曲線圖。
[實施形態1]
如圖1所示，本發明之實施形態之靜電容型輸入裝置1係與影像顯示裝置2組合而構成，作為輸入裝置100而使用。輸入裝置100至少具備靜電容型輸入裝置1、影像顯示裝置2及撓性扁平電纜3。於輸入裝置100中，靜電容型輸入裝置1係重疊配設於影像顯示裝置2之目視側、即使用者進行操作之側，於靜電容型輸入裝置1之表面，具備用以由操作者進行輸入操作之輸入部1a、及用以向外部輸出來自輸入部1a之訊號之輸出部1b。
另外，對於靜電容型輸入裝置1之輸出部1b，連接有用以將所輸入之訊號輸出之撓性扁平電纜3。撓性扁平電纜3連接於未圖示之檢測用驅動電路(檢測部)。又，若係於輸入裝置100之操作時不會對操作造成影響之區域，則亦可COG(Chip On Glass，玻璃覆晶)構裝有驅動用IC。
裝載於輸入裝置100之影像顯示裝置2可使用通常之液晶面板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板等，顯示動態影像或靜止影像。
輸入裝置100採用藉由測量電流量之比例來判別其位置之靜電容方式。以下，對其操作進行說明。
輸入裝置100具備靜電容型輸入裝置1，於操作時，使用者經由透明之靜電容型輸入裝置1對影像顯示裝置2所顯示之影像進行目視確認，並確認對應之輸入資訊。接著，於靜電容型輸入裝置1上，使用手指等接觸影像顯示裝置2所顯示之指示用影像之對應位置，以進行資訊之輸入。此時，若作為導電體之手指接觸，則會與配設於靜電容型輸入裝置1上之檢測電極(第1電極圖案20、第2電極圖案30)之間具有靜電容。結果，手指接觸之位置之靜電容下降，藉由未圖示之檢測用驅動電路(檢測部)算出該位置。
靜電容型輸入裝置1如圖2般，藉由於透明基板4上進行x軸方向延設之第1電極圖案20、及在y軸方向延設之第2電極圖案30之成膜，而形成輸入部1a。進而，藉由將連接於各電極圖案之配線圖案50、60及配線圖案50、60所具備之連接端子50a、60a成膜，而形成輸出部1b。再者，圖2表示靜電容型輸入裝置1之圖案之一部分。
第1電極圖案20所具備之第1透明導電膜21a(參照圖3)及第2電極圖案30所具備之第2透明導電膜31a係分別形成為大致菱形。於第2電極圖案30，彼此相鄰之第2透明導電膜31a係於大致菱形之頂點彼此藉由連接部31c而連續地形成，結果形成在y軸方向連續之第2電極圖案30。第1電極圖案20與第2電極圖案30於交叉部40相互交叉，兩者電性絕緣。第1電極圖案20與第2電極圖案30之間可如圖2般為垂直對應關係，另外，亦能以不垂直之對應角度而配設於透明基板4上。
配線圖案50、60若如圖2般設定為相對於第1電極圖案20(更詳細而言為第1透明導電膜21a)及第2電極圖案30(更詳細而言為第2透明導電膜31a)而儘可能長地連接之構成，則可減小電阻，故較佳。配線圖案50、60及連接端子50a、60a係於透明基板4或絕緣膜上藉由具備金屬層之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層之導電體而形成。配線圖案50、60分別將第1電極圖案20、第2電極圖案30與連接端子50a、60a電性連接，該連接端子50a、60a連接於撓性扁平電纜3。
此時，於連接端子50a、60a上依序重疊異向導電性膜(ACF)、撓性扁平電纜3，並加熱至150℃左右而進行熱壓接。再者，亦可不僅使用ACF進行連接，而可藉由焊料連接等其他連接方法加以連接，亦可使用金屬導線代替撓性扁平電纜3。於使用金屬導線代替撓性扁平電纜3時，可將其連接方法設定為打線接合、焊接、雷射熔接等。
其次，關於實施形態1中之第1電極圖案20及第2電極圖案30，使用圖3及圖4加以詳細說明。
圖3係將實施形態1之靜電容型輸入裝置1之圖案圖加以局部放大之說明圖，圖4係相當於圖3之A-A線之概略剖面圖。
於圖3中，於包含形成具有大面積之墊部21及31(本實施形態中為菱形部分)的第1透明導電膜21a及第2透明導電膜31a、進而包含交叉部40之透明基板4上之整面，形成未圖示之絕緣膜。未圖示之絕緣膜中，將位於第1透明導電膜21a上之部分稱為絕緣膜21b，將位於第2透明導電膜31a上之部分稱為絕緣膜31b，將積層於交叉部40之連接部31c上之部分稱為絕緣膜41a。絕緣膜21b中，設有不具有絕緣膜之接觸孔22。由於遍及透明基板4上之整個面而設置之絕緣膜係先於後述之導電構件51a等成膜，故亦係設置於配線圖案50、60之下層。因此，本實施形態1中於形成有絕緣膜之時點，將接觸孔22以外之透明基板4上之所有範圍以絕緣膜覆蓋。
其次，如圖4所示，以相鄰形成之第1透明導電膜21a於絕緣膜41a上相互電性連接之方式，經由接觸孔22而形成導電構件51a。藉此，形成經電性連接之第1電極圖案20。即，藉由以於絕緣膜41a上橋接之方式配設導電構件51a，將相隔而相鄰之墊部21之第1透明導電膜21a彼此電性連接。此時，導電構件51a於接觸部52a與第1透明導電膜21a接觸。
進而，於靜電容型輸入裝置1，積層有各膜之透明基板4上之整個面係以保護膜71覆蓋。
於實施形態1，靜電容型輸入裝置1，於透明基板4上，具備第1透明導電膜21a及第2透明導電膜31a之墊部21、31自操作面側觀察時形成為菱形。再者，墊部21、31之形狀不限定於菱形，亦可採用六角形等能均一且無間隙地覆蓋於透明基板4上之形狀。此處，採用菱形之情形，其一邊之長度較佳設定為4～8mm。
形成墊部21之第1透明導電膜21a係彼此相鄰並相隔而形成，另一方面，形成墊部31之第2透明導電膜31a係於交叉部40經由連接部31c而使鄰接之第2透明導電膜31a連續地形成，藉此分別形成第1電極圖案20及第2電極圖案30。又，連接部31c較佳為將其寬度(圖3之x軸方向之長度)設定為50～200μm。再者，此時亦可設定為如下構成：鄰接之第1透明導電膜21a彼此於交叉部40連續，而第2透明導電膜31a間斷而相隔。
此時，透明基板4可使用玻璃、含有膜之樹脂基板等透明且具絕緣性之材料。玻璃、樹脂基板無需如金屬等之具有導電性之基板般要形成絕緣膜，故操作不會變煩雜而較合適。又，膜可藉由其可撓性而提高靜電容型輸入裝置1之強度。
進而，於形成第1電極圖案20、第2電極圖案30之墊部21、31中，設置於透明基板4上之第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及連接部31c係使用透明之導電膜，例如可使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、AZO(Aluminium Zinc Oxide，氧化鋅鋁)等，較佳為使用ITO。該等電極圖案，第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及連接部31c之厚度較佳為10～20nm左右。
作為第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及連接部31c之成膜方法，大致可分為噴霧熱分解法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等化學成膜法與蒸鍍法、濺鍍法等物理成膜法。其中，濺鍍法由於所得之膜的電阻值及透射率之經時變化少、且容易控制成膜條件，故較佳。其次，第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及連接部31c係藉由蝕刻而圖案化。
包含絕緣膜21b、31b(圖3中僅示出其位置)及41a(參照圖4)之絕緣膜較佳為使用透明之絕緣材料，可使用SiO2 、Al2 O3 、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂等，其厚度較佳為300～3000nm左右。又，作為絕緣膜之形成方法，可使用蒸鍍法、濺鍍法、浸漬法、印刷法。其中，濺鍍法由於所得之膜的電阻值及透射率之經時變化少、且容易控制成膜條件，故較佳。其次，於絕緣膜為無機系膜時進行蝕刻，於絕緣膜使用樹脂時使需要部分硬化後將未硬化部去除，藉此將絕緣膜圖案化，而形成絕緣膜21b、31b及41a。
導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a係藉由具備金屬層(金屬薄膜)之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層之導電體膜而形成。又，作為金屬層之材料，可使用金、銀、銅、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋁(Al)等金屬單體或各自之合金。較佳為採用選自藉由蝕刻而容易圖案化之銀、銅、銀合金、銅合金、MAM(Mo或Mo合金/Al或Al合金/Mo或Mo合金之三層構造)中之任一種即可。更詳細而言，Mo合金較佳為採用含有Nb者，Al合金較佳為採用含有Nd者。藉由使用含有Al之材料，可相對較低成本地製造，並且可確保導電性，故較合適。
導電體膜之厚度較佳為30～500nm左右(導電體膜為複層之情形，其合計為200～600nm左右)，導電構件51a之寬度(圖3之y軸方向之長度)較佳為4～10μm(複層之情形為7～40μm)，長度(圖3之x軸方向之長度)較佳為100～300μm左右。
導電構件51a形成為微小寬度之線狀，更詳細而言，形成為與墊部21相比寬度非常窄之短條形細寬形狀。若將導電構件51a之寬度(圖3之y軸方向之長度)設定為小於4μm(導電體膜為複層之情形為7μm)，則難以藉由蝕刻而再現性佳地製造。再者，於將導電體膜設定為僅金屬層之情形，由於為單層，故可將導電構件51a之寬度控制成細至4μm，而於以複層形成導電體膜之情形，蝕刻精度稍許下降，故為了確保蝕刻精度，較佳設定為7μm以上。另一方面，若設定為大於10μm(複層之情形為40μm)，則稍許目視確認到導電構件51a，所得之靜電容型輸入裝置1之透明性下降。因此，靜電容型輸入裝置1之目視確認性下降而欠佳。
僅以銀合金形成導電體膜，且以4μm、7μm、10μm、20μm之寬度形成導電構件51a，並進行目視確認。由10人進行目視確認，結果當寬度為10μm以下時，過半數之9人無法目視確認到導電構件51a。又，當導電構件51a之寬度為20μm時，6人可目視確認到。
藉此可確認，當僅以金屬層構成導電體膜時，導電構件51a之寬度只要設定為10μm以下即可。再者，嘗試以小於4μm之寬度形成導電構件51a，但蝕刻精度低，無法以所要求之容許範圍內之精度進行圖案化。
進而，將由銀合金構成之金屬層與由IGO(Indium Germanium Oxide，氧化銦鍺)構成之金屬氧化物層組合而形成導電體膜，且以4μm、7μm、10μm、20μm、40μm、50μm之寬度形成導電構件51a，進行目視確認。由10人進行目視確認，結果當寬度為40μm以下時，過半數之10人無法目視確認到導電構件51a。又，當導電構件51a之寬度為50μm時，6人可目視確認到。
藉此可確認，當以金屬層與金屬氧化物層之積層體構成導電體膜時，導電構件51a之寬度只要為40μm以下即可。再者，嘗試以小於7μm之寬度形成導電構件51a，但蝕刻精度低，無法以所要求之容許範圍內之精度進行圖案化。
配線圖案50、60及連接端子50a、60a係使用與上述導電構件51a相同之材料形成。藉此，可同時進行配線圖案50、60及連接端子50a、60a之形成與導電構件51a之形成，因此可縮短製造步驟。再者，導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a亦係藉由濺鍍法於整個區域形成導電體膜後，藉由蝕刻而圖案化。
導電體膜較佳為採用由上述材料構成之金屬層與金屬氧化物層交替積層而成之構成。此時，藉由利用金屬氧化物層來形成導電體膜中形成於距離透明基板4最遠之位置之層(即最上層)，而配線圖案50、60及連接端子50a、60a及導電構件51a之反射受到抑制，自透明基板4之表側(即形成有第1電極圖案20及第2電極圖案30之面)目視時更難以目視確認到，故較為合適。
進而，藉由利用金屬氧化物層來形成導電體膜中形成於距離透明基板4最近之位置之層(即最下層)，而配線圖案50、60及連接端子50a、60a及導電構件51a之反射受到抑制，自透明基板4之背側(即未形成第1電極圖案20及第2電極圖案30之面)目視時更難以目視確認到，故較為合適。
作為構成金屬氧化物層之材料，可列舉：ITO(Indium Tin Oxide)，添加有Nb、V、Ta、Mo、Ga、Ge之ITO，IZO(Indium Zinc Oxide)，IGO(Indium Germanium Oxide)等銦複合氧化物。
如上所述，於本發明中，不使用電阻值高之透明導電膜作為配線圖案50、60及連接端子50a、60a及導電構件51a之材料，而藉由具有金屬層(金屬薄膜)之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層之導電體膜形成該等構件。因此，消耗電力受到抑制。
進而，於利用金屬層之單層形成導電體膜時，藉由將導電構件51a之寬度設定為4～10μm，而難以目視確認到，故可提供整體透明性高之靜電容型輸入裝置1。
又，藉由利用包含至少一層以上之金屬層的複層形成導電體膜，且利用金屬氧化物層形成至少操作者目視確認之側(即，圖1之未設置影像顯示裝置2之側)之層，而可使導電構件51a難以被目視確認到。此時，較佳為將導電構件51a之寬度設定為7～40μm。
保護膜71具有如下效果：提高配設於透明基板4上之各構件之耐環境性，並且防止靜電容型輸入裝置1因外力而變形時令人擔憂之龜裂之產生。保護膜71可使用藉由蒸鍍法、濺鍍法、浸漬法等形成SiO2 、Al2 O3 等所得之絕緣膜，由網版印刷法所得之聚醯亞胺膜等。亦可使用藉由紫外線等而硬化之感光性樹脂。
其次，關於本發明之實施形態1之靜電容型輸入裝置1，就其製造方法加以具體說明。
首先，於透明基板4上，將第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c各部分同時成膜。以下，對第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c之成膜方法加以說明。
(1.透明導電膜成膜步驟)
於靜電容型輸入裝置1之透明基板4上，遍及整個區域利用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成透明導電膜。其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以所成膜之第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c配設於透明基板4上之適當位置的方式，使用光罩進行曝光。再者，此時以如下方式設計：自操作面側觀察時，形成為菱形之第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a之一邊分別為4～8 mm，第1透明導電膜21a與第2透明導電膜31a之間隔為50～200μm。
曝光後，將積層有透明導電膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即，不相當於第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c之部分)之光阻劑去除。去除光阻劑後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，藉此使未由光阻劑覆蓋之部分之透明導電膜腐蝕而加以去除。其後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此形成第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c。
第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c之成膜時，使用ITO作為透明導電膜材料，濺鍍條件較佳設定為以下條件。
[濺鍍條件]
DC功率：2 KW，濺鍍氣體：Ar+O2 ，氣壓：3 mTorr，O2 /Ar：1～2%，基板溫度：250℃
又，作為曝光所用之光源，可使用超高壓水銀燈、X射線、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射等，為了進行更微細之圖案化，較理想為短波長者。本實施形態中使用奧克製作所(ORC MANUFACTURING)製造之噴印機(jet printer)：光源CHM-2000(超高壓水銀燈)。
進而，光阻劑可使用正型光阻劑。本實施形態中使用AZ Electronic Materials(股)製造之AZRFP-230K2。亦可採用東京應化製造之OFPR-800LB。
又，作為顯影液，可使用有機鹼溶液、無機鹼溶液，使用無機鹼溶液時，由於存在金屬離子混入之可能性，故較佳為使用有機鹼溶液。具體可列舉TMAH(Tetra MethylAmmonium Hydroxyde，氫氧化四甲基銨)水溶液等。本實施形態中使用東京應化(股)公司製造之PMER。進而，此時作為蝕刻溶液，可使用氰系、王水系、碘系、草酸系等之蝕刻溶液。本實施形態中使用硝酸、氫溴酸、氯化鐵溶液。進而，作為清洗光阻劑之溶劑，可使用鹼性溶液，較佳為使用TMAH。本實施形態中亦使用TMAH。
上述光阻劑、顯影液、蝕刻溶液、溶劑不限於此，可依據形成第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c之材料而適當選擇。
再者，於本實施形態中，雖已說明利用相對較低成本且可進行大量生產之濕式蝕刻之方法，但亦可藉由乾式蝕刻將第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c圖案化。
(2.絕緣膜成膜步驟)
將第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c成膜後，於靜電容型輸入裝置1之透明基板4上遍及整個區域形成包含絕緣膜21b、31b及41a之絕緣膜(未圖示)。
首先，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成絕緣膜(未圖示)。其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以所成膜之接觸孔22配設於透明基板4上之適當位置的方式，使用光罩進行曝光。曝光後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即相當於接觸孔22之部分)之光阻劑去除。去除光阻劑後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，將未由光阻劑覆蓋之部分之絕緣膜去除。其後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此於接觸孔22以外之部分形成絕緣膜(包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域)。
亦可使用感光性樹脂作為絕緣膜。藉由印刷或浸漬而塗布樹脂後，藉由通過光罩之曝光使需要之部分硬化，然後將不需要之未硬化部分去除。製造步驟得到進一步簡化。
未圖示之絕緣膜(包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域)之成膜時，當使用SiO2 作為絕緣膜材料時，濺鍍條件較佳設定為以下條件。又，接觸孔22之大小較佳為將其一邊設定為50～200μm。
[濺鍍條件]
DC功率：5 KW，濺鍍氣體：Ar+O2 ，氣壓：3～5 mTorr，O2 /Ar=20～40%，基板溫度：200℃
上述光阻劑、顯影液、蝕刻溶液、溶劑不限於此，可依據形成未圖示之絕緣膜(包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域)之材料而適當選擇。
再者，於本實施形態中，雖已說明利用相對較低成本且可進行大量生產之濕式蝕刻之方法，但亦可藉由乾式蝕刻將包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域圖案化。
(3.導電體膜成膜步驟)
將未圖示之絕緣膜(包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域)成膜、圖案化後，形成導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a。導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a係如下所述般經由蝕刻步驟而形成。
首先，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成導電體膜。此時，作為導電體膜，可僅將金屬層之單層成膜，又，亦可將包含金屬層之複層成膜。於將複層成膜時，藉由在薄膜形成裝置內更換原料而適當選擇各層之構成材料。又，以於操作者之目視確認側將金屬氧化物層成膜、並且將金屬層與金屬氧化物層交替積層之方式於薄膜形成裝置內更換材料。
其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以所成膜之導電構件51a之寬度(圖3之y軸方向之長度)為4～10μm(使導電體膜為複層時為7～40μm)、長度(圖3之x軸方向之長度)為100～300μm左右之方式，且以配線圖案50、60及連接端子50a、60a配設於透明基板4上之適當位置的方式，使用光罩進行曝光。
曝光後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即，不相當於導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a之部分)之光阻劑去除。將光阻劑去除後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，藉此使未由光阻劑覆蓋之部分之導電體膜腐蝕而加以去除。然後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此形成導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a。
導電構件51a及配線圖案50、60以及連接端子50a、60a之成膜時，當使用例如銀合金作為導電體膜材料時，濺鍍條件較佳設定為以下條件。然而，導電體膜材料及其成膜條件不限定於此，作為金屬層之材料，可使用金、銀、銅、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋁(Al)等金屬單體或各自之合金，其成膜條件可適當設定。
[濺鍍條件]
DC功率：7KW，濺鍍氣體：Ar，氣壓：2～4mTorr，基板溫度：100℃
又，於以複層構成導電體膜時，亦可使用金、銀、銅、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋁(Al)等金屬單體或各自之合金作為金屬層。又，亦可使用ITO(Indium Tin Oxide)，添加有Nb、V、Ta、Mo、Ga、Ge之ITO，IZO(Indium Zinc Oxide)、IGO(Indium Germanium Oxide)等作為金屬氧化物層而形成導電體膜。再者，關於導電體膜之構成，下文將詳細說明。
再者，蝕刻液可使用選自磷酸、硝酸、乙酸之任意兩種以上中之酸的混合液。光阻劑、顯影液等與上述透明導電膜成膜步驟之情形相同。
上述光阻劑、顯影液、蝕刻溶液、溶劑不限於此，可依據形成導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a之材料而適當選擇。
再者，於本實施形態中，雖已說明利用相對較低成本且可進行大量生產之濕式蝕刻之方法，但亦可藉由乾式蝕刻將導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a成膜。
(4.保護膜成膜步驟)
如上所述般將導電構件51a及配線圖案50、60以及連接端子50a、60a成膜後，於積層有各膜之透明基板4上之整面形成保護膜71，藉此獲得靜電容型輸入裝置1。此時，作為保護膜71，可使用藉由蒸鍍法、濺鍍法、浸漬法等形成SiO2 、Al2 O3 等所得之絕緣膜，由網版印刷法所得之聚醯亞胺膜等。較佳為可使用耐熱性及耐化學品性高、黏著性高之聚醯亞胺膜。
[比較例]
將對實施形態1之導電構件51a與先前同樣地採用透明導電膜(ITO膜)者作為比較例，並與實施形態1比較電阻值。再者，比較例中除了使導電構件51a為透明導電膜(ITO膜)以外，其他構成為與實施形態1相同之構件配置、材料。又，於實施形態1中，導電構件51a係設定為Furuya Metal製造之APC(銀、鈀、銅之合金)薄膜。
通常，於電阻率ρ(Ωcm)與電阻值R(Ω)之間，以下之式(1)成立。
R=(ρ×L)/S…(1)
此處，L表示該導體之長度(cm)，S表示導體之剖面積(cm2 )。
若對本發明之實施形態1之導電構件51a應用上述式1，則其電阻值R為約3.5 Ω。再者，此時，所用之金屬為APC，電阻率ρ：3.5×10-6 Ωcm，導體之長度L：200μm，導體之剖面積S：2.0×10-8 cm2 (導電構件51a之寬度為10μm、厚度為200nm時之剖面積)。
另一方面，於使導電構件51a為先前之透明導電膜(ITO)之比較例中，若應用上述式1，則其電阻值R為約400Ω。再者，此時，電阻率ρ=1.5×10-4 Ωcm，導體之長度L：200μm，導體之剖面積S：7.5×10-9 cm2 (導電構件51a之寬度為50μm、厚度為15 nm時之剖面積)。
如上所述，作為連接第1透明導電膜21a之導體，使用透明導電膜(ITO膜)時之比較例與使用金屬薄膜時之本發明之實施形態1的電阻值分別為400Ω、3.5 Ω，實施形態1中電阻值較大減小，因此可大幅減小靜電容型輸入裝置1之消耗電力。
[實施形態2]
本發明之實施形態2之靜電容型輸入裝置1除了對上述實施形態1之各膜之積層順序(構成)及形狀加以變更以外，對應之各膜係藉由與上述實施形態1(圖3及圖4)同樣之材料而構成，進而，各膜係藉由同樣之成膜方法而形成。以下，參照圖5及圖6，對與實施形態1相比較而不同之處進行詳細說明。
圖5係將實施形態2之靜電容型輸入裝置1之圖案圖加以局部放大的說明圖，圖6係相當於圖5之B-B線之概略剖面圖。
於圖5中，形成墊部21之第1透明導電膜21c係彼此相隔而形成，另一方面，相鄰之第1透明導電膜21c彼此係藉由導電構件51b而電性連接。又，形成墊部31之第2透明導電膜31d係藉由連接部31e而與相鄰形成之第2透明導電膜31d連續形成。藉此，形成有分別連續之第1電極圖案20及第2電極圖案30。
其次，第1電極圖案20所具備之導電構件51b、與第2電極圖案30所具備之連接部31e於交叉部40相互交叉。再者，此時亦可設定為如下構成：第1透明導電膜21c於交叉部40處相連，第2透明導電膜31d間斷而相隔。
於實施形態2中，靜電容型輸入裝置1，於透明基板4上將導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a成膜。該導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a係藉由具備單層之金屬層(金屬薄膜)或包含至少一層以上之金屬層的複層之導電體膜而形成。又，關於導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a之厚度，單層之情形較佳為30～500nm左右(複層之情形，其合計值為200～600nm左右)，導電構件51b之寬度(圖5之y軸方向之長度)及長度(圖5之x軸方向之長度)與實施形態1之導電構件51a相同。
於導電構件51b之兩端，以其一部分重疊之方式形成第1透明導電膜21c。即，於作為導電構件51b上的一部分之接觸部52b上積層第1透明導電膜21c之一部分，藉此相互電性連接。第1透明導電膜21c及第2透明導電膜31d之形狀及大小、第1透明導電膜21c與第2透明導電膜31d之間隔係與上述實施形態1相同。
於導電構件51b上，未積層第1透明導電膜21c之部分(即，接觸部52b以外之部分)係以絕緣膜41b覆蓋。該絕緣膜41b係為了使第1電極圖案20與第2電極圖案30電性絕緣而配設於交叉部40。因此，絕緣膜41b無須於導電構件51b上將未積層第1透明導電膜21c之部分全部覆蓋，而只要以至少使第2電極圖案30之連接部31e與導電構件51b絕緣之方式配設即可。
又，絕緣膜41b之大小可設定為圖5之x軸方向之長度為50～200μm、y軸方向之長度為50～200μm左右。該絕緣膜41b之大小係如上所述般設定為連接部31e與導電構件51b不電性連接之範圍，可於該範圍內適當設計。
於絕緣膜41b上，積層有將形成墊部31之第2透明導電膜31d彼此電性連接之連接部31e。再者，該連接部31e亦係由透明導電膜形成。此時，連接部31e之寬度(圖5之x軸方向之長度)可設定為50～200μm。
進而，實施形態2之靜電容型輸入裝置1，亦與實施形態1同樣，積層有各膜之透明基板4上之整個面係以保護膜71覆蓋。
其次，關於本發明之實施形態2之靜電容型輸入裝置1，對其製造方法加以具體說明。
(1.導電體膜成膜步驟)
首先，於透明基板4上，如以下般將導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a成膜。
導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a係如下所述般經由蝕刻步驟而形成。首先，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成導電體膜。此時，作為導電體膜，可與實施形態1同樣地僅將金屬層成膜，亦可使金屬層與金屬氧化物層交替積層而成膜。
其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以所成膜之導電構件51b之寬度(圖5之y軸方向之長度)為4～10μm(使導電體膜為複層之情形為7～40μm)、長度(圖5之x軸方向之長度)為100～300μm左右之方式，且以將配線圖案50、60及連接端子50a、60a配設於透明基板4上之適當位置之方式，使用光罩進行曝光。曝光後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即，不相當於導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a之部分)之光阻劑去除。將光阻劑去除後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，藉此使未由光阻劑覆蓋之部分之導電體膜腐蝕而加以去除。然後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此形成導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a。
此時，成膜條件及蝕刻條件與上述導電構件51a及配線圖案50、60及連接端子50a、60a之成膜時相同。
(2.絕緣膜成膜步驟)
將導電構件51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a成膜後，形成絕緣膜41b。絕緣膜41b係如下所述般經由蝕刻步驟而形成。首先，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成未圖示之絕緣膜。其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以於連接部31e與導電構件51b不電性連接之範圍內形成絕緣膜41b之方式，使用光罩進行曝光。曝光後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即，不相當於絕緣膜41b之部分)之光阻劑去除。將光阻劑去除後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，藉此使未由光阻劑覆蓋之部分之絕緣膜腐蝕而加以去除。其後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此形成絕緣膜41b。
亦可使用感光性樹脂作為絕緣膜。藉由印刷或浸漬而塗布樹脂後，藉由通過光罩之曝光而使需要之部分硬化，其後將不需要之未硬化部分去除。製造步驟得到進一步簡化。
此時，成膜條件及圖案化條件與上述絕緣膜(包含絕緣膜21b、31b及41a之整個區域)之成膜時相同。
(3.透明導電膜成膜步驟)
形成絕緣膜41b後，將第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e成膜。第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e係如下所述般經由蝕刻步驟而形成。首先，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等形成透明導電膜。
形成絕緣膜41b後，遍及靜電容型輸入裝置1之透明基板4上之整個區域，使用真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等而形成透明導電膜。其後，藉由旋塗或噴附而塗布光阻劑，以所成膜之第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e配設於透明基板4上之適當位置之方式，使用光罩進行曝光。
曝光後，將積層有透明導電膜之透明基板4浸漬於顯影液中，藉此將不需要之部分(即，不相當於第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e之部分)之光阻劑去除。將光阻劑去除後，將積層有各膜之透明基板4浸漬於蝕刻溶液中，藉此使未由光阻劑覆蓋之部分之透明導電膜腐蝕而加以去除。然後，使用溶劑將光阻劑完全去除，藉此形成第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e。
此時，成膜條件及蝕刻條件與上述第1透明導電膜21a、第2透明導電膜31a及其連接部31c之成膜時相同。
(4.保護膜成膜步驟)
如上所述般使第1透明導電膜21c、第2透明導電膜31d及其連接部31e成膜後，於積層有各膜之透明基板4上之整面形成保護膜71，藉此獲得靜電容型輸入裝置1。此時，成膜條件與上述實施形態1之保護膜71之成膜時相同。
其次，關於構成配線圖案50、60及連接端子50a、60a及導電構件51a之導電體膜之構成，進行詳細說明。於本發明中，導電體膜係藉由金屬層之單層或包含至少一層以上之金屬層的複層而構成。實施例1-1～實施例1-4、實施例2-1～實施例2-5中，關於各種構成之導電體膜，進行其反射率之模擬。將各實施例之透明基板4上之導電體膜之構成示於表1中，並且於圖7及圖8中示出各實施例之導電體膜相關之光學特性。
表1表示成膜於作為透明基板4之玻璃基板上的各實施例之導電體膜之構成(積層順序)。再者，表中之「觀測側(目視確認側)」一欄的箭頭表示測量反射率之側，將積層有各層之玻璃基板中記載箭頭之側的面之反射率示於圖7及圖8中。(例如，實施例1-3中於玻璃基板上依序積層有銀合金、IGO、銀合金及IGO，將自成膜有IGO之側觀測之反射率示於圖7。又，實施例1-4中於玻璃基板上依序積層有IGO、銀合金、IGO及銀合金，將自玻璃基板側觀測之反射率示於圖7。)
又，表中之各層相關之括弧內之數字表示各層之厚度。再者，關於銀合金、MAM，當未示出厚度時，只要該等層之厚度為可獲得適當之電阻值之範圍即可，可適當設計，若為銀合金，則較佳設定為50～500nm左右，若為MAM，則較佳設定為100～600nm左右。
圖7表示實施例1-1～實施例1-4中之各波長之光之反射率。實施例1-1～實施例1-4中係將金屬層之材料設定為銀合金，將金屬氧化物層之材料設定為IGO。
實施例1-1及實施例1-2為於玻璃基板上將銀合金成膜之情形，其表示無論將哪一面作為目視側，於波長為400～700nm之區域中光之反射率均為80～98%左右。因此，於使導電體膜為金屬層之單層時，反射率變高，容易目視確認到，故可於形成導電構件51a、51b時將其寬度設定為4～10μm而形成為非常細，由此難以目視確認到。
另外，實施例1-3及實施例1-4為將金屬層與金屬氧化物層交替積層、且於目視確認側將金屬氧化物層成膜之情形，其表示金屬氧化物層側之光之反射率於波長為400～700nm之區域中低於實施例1-1及實施例1-2，為約15～64%左右。因此，可於導電體膜中於目視確認側形成金屬氧化物層，而難以目視確認到。
即，相較於以單層形成金屬層之情形，以於目視確認側將金屬氧化物層成膜之複層形成時可獲得更高之透明性。因此，於在目視確認側將金屬氧化物層成膜時，就算使導電構件51a、51b之寬度形成為較寬亦可獲得良好之透明性，故導電構件51a、51b之寬度係設定為7～40μm。
圖8表示實施例2-1～實施例2-5中之各波長之光之反射率。於實施例2-1～實施例2-5中，將金屬層之材料設定為MAM或Mo-Nb合金，將金屬氧化物層之材料設定為IGO。
實施例2-1及實施例2-2係於玻璃基板上將MAM成膜之情形，其表示無論將哪一面作為目視側，於波長為400～700nm之區域中光之反射率均為40～53%左右。因此，相較於使導電體膜為銀合金之單層之情形，反射率下降，於波長為400nm附近及650nm附近，可獲得與將銀合金及IGO積層之情形相同程度的反射率。
進而，於MAM上組合形成金屬氧化物膜之情形(實施例2-3～實施例2-5)在400～700nm之波長範圍中呈現非常低之反射率。特別是實施例2-4及實施例2-5中，遍及400～700nm之波長範圍之整個區域而為10%以下(約3～8%左右)之反射率，故表現出非常低之目視確認性，且具備高透明性。
因此，由實施例1-1～實施例1-4、實施例2-1～實施例2-5揭示，當於導電體膜中於目視確認側形成金屬氧化物層時，目視確認側之光之反射率下降，結果可獲得具備高透明性之導電體膜。
如上所述，本發明之靜電容型輸入裝置1係於第1電極圖案20與第2電極圖案30之交叉部40電性絕緣。又，將第1電極圖案20中相隔而成膜之第1透明導電膜21a、21c連接之導電構件51a、51b及配線圖案50、60及連接端子50a、60a係以導電體膜構成。因此，導電構件51a、51b可與配線圖案50、60及連接端子50a、60a同時成膜，故可簡化製造步驟。又，導電構件51a、51b與使用透明導電膜形成之情形相比較，其電阻值較小，而可減小靜電容型輸入裝置1之消耗電力。
本發明之靜電容型輸入裝置1可期待於行動電話、電子記事簿等可攜式終端機(PDA，Personal Digital Assistant)、遊樂器、汽車導航、個人電腦、自動售票機、銀行之終端機等電子機器領域中具有效用。
1‧‧‧靜電容型輸入裝置
1a‧‧‧輸入部
1b‧‧‧輸出部
2‧‧‧影像顯示裝置
3‧‧‧撓性扁平電纜
4‧‧‧透明基板
20‧‧‧第1電極圖案(輸入部)
21、31‧‧‧墊部
21a、21c‧‧‧第1透明導電膜
31a、31d‧‧‧第2透明導電膜
21b、31b、41a、41b‧‧‧絕緣膜
22‧‧‧接觸孔
30‧‧‧第2電極圖案(輸入部)
31c、31e‧‧‧連接部
40‧‧‧交叉部
50、60‧‧‧配線圖案(輸出部)
50a、60a‧‧‧連接端子(輸出部)
51a、51b‧‧‧導電構件
52a、52b‧‧‧接觸部
71‧‧‧保護膜
100‧‧‧輸入裝置
圖1係裝載有本發明之實施形態之靜電容型輸入裝置的輸入裝置之概略立體圖。
圖2係本發明之實施形態之靜電容型輸入裝置之圖案圖。
圖3係將本發明之實施形態1之靜電容型輸入裝置之圖案圖加以局部放大之說明圖。
圖4係相當於本發明之實施形態1之圖3之A-A線的概略剖面圖。
圖5係將本發明之實施形態2之靜電容型輸入裝置之圖案圖加以局部放大之說明圖。
圖6係相當於本發明之實施形態2之圖5之B-B線的概略剖面圖。
圖7係表示本發明之實施例1-1～實施例1-4之光學特性的曲線圖。
圖8係表示本發明之實施例2-1～實施例2-5之光學特性的曲線圖。
20．．．第1電極圖案(輸入部)
21、31．．．墊部
21c．．．第1透明導電膜
30．．．第2電極圖案(輸入部)
31d．．．第2透明導電膜
31e．．．連接部
40．．．交叉部
41b．．．絕緣膜
51b．．．導電構件

Claims (10)

  1. 一種靜電容型輸入裝置，具有進行輸入操作之輸入部、及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部，其特徵在於：該輸出部具有輸出該訊號之連接端子、及將該輸入部與該連接端子電性連接之配線圖案；該輸入部具有：複數個第1電極圖案，係由在該透明基板上之第1方向相鄰配設之複數個第1透明導電膜、及將該第1透明導電膜電性連接之導電構件構成；複數個第2電極圖案，係由在與該第1方向交叉之第2方向相鄰配設之複數個第2透明導電膜、及與該複數個第2透明導電膜連續形成且配設於與該導電構件交叉之位置的連接部構成；以及絕緣膜，其配設於該導電構件與該連接部之間，維持該導電構件與該連接部之絕緣；該導電構件、該連接端子及該配線圖案係以同一導電體膜形成；該導電體膜係由包含至少一層以上之金屬層的複層構成；該導電構件形成為線狀。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電容型輸入裝置，其中，該導電體膜係由將金屬層與金屬氧化物層交替積層之複層構成； 於該導電體膜中，該金屬氧化物層係形成於目視確認側。
  3. 如申請專利範圍第2項之靜電容型輸入裝置，其中，該導電構件於該第2方向之寬度為7~40μm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之靜電容型輸入裝置，其中，該金屬層之材料係選自銀、銀合金、銅、銅合金、MAM(Mo或Mo合金/Al或Al合金/Mo或Mo合金之三層構造化合物)中之任一種金屬。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之靜電容型輸入裝置，其中，該金屬層之材料係選自銀、銀合金、銅、銅合金、MAM(Mo或Mo合金/Al或Al合金/Mo或Mo合金之三層構造化合物)中之任一種金屬；該金屬氧化物層含有銦複合氧化物。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之靜電容型輸入裝置，其中，於該導電構件與該連接部之交叉部，於該透明基板上依序積層有該導電構件、該絕緣膜及該連接部。
  7. 一種靜電容型輸入裝置之製造方法，該靜電容型輸入裝置具有進行輸入操作之輸入部及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部；其特徵在於包含：透明導電膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成透明導電膜；透明導電膜圖案化步驟，係對該透明導電膜進行蝕刻而形成在該透明基板上於第1方向相鄰配設之複數個第1 透明導電膜、配設於與該第1方向交叉之第2方向之複數個第2透明導電膜、及與該複數個第2透明導電膜連續形成之連接部；絕緣膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成絕緣膜；接觸孔形成步驟，係對該絕緣膜進行圖案化而於該第1透明導電膜上，隔著與該第2透明導電膜連續形成之連接部而於兩側形成接觸孔；導電體膜成膜步驟，於該透明基板上之整面，形成由包含至少一層以上之金屬層的複層所構成之導電體膜；以及導電體膜圖案化步驟，係對該導電體膜進行蝕刻而形成用以使該輸出部輸出該訊號而具備之連接端子、連接該連接端子與該輸入部之配線圖案、及將該複數個第1透明導電膜電性連接且配設於與該連接部交叉之位置之線狀導電構件。
  8. 一種靜電容型輸入裝置之製造方法，該靜電容型輸入裝置具有進行輸入操作之輸入部及用以輸出來自該輸入部之訊號之輸出部，於透明基板之同一面上具備該輸入部與該輸出部；其特徵在於包含：導電體膜成膜步驟，於該透明基板上之整面，形成由包含至少一層以上之金屬層的複層所構成之導電體膜；導電體膜圖案化步驟，係對該導電體膜進行蝕刻，而形成用以使該輸出部輸出該訊號而具備之連接端子、連接該連接端子與該輸入部之配線圖案、及將該透明基板上於 第1方向相鄰配設之複數個第1透明導電膜電性連接且沿著該第1方向形成之線狀導電構件；絕緣膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成絕緣膜；絕緣膜圖案化步驟，於該絕緣膜中，將該導電構件、與和在該第2方向相鄰配設之複數個第2透明導電膜連續形成且配設於與該導電構件交叉之位置的連接部加以絕緣之位置以外之部分去除；透明導電膜成膜步驟，於該透明基板上之整面形成透明導電膜；以及透明導電膜圖案化步驟，對該透明導電膜進行蝕刻而形成該第1透明導電膜、複數個該第2透明導電膜及該連接部。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之靜電容型輸入裝置之製造方法，其中，於該導電體膜成膜步驟中，具備在最初或最後將金屬氧化物層成膜之步驟；並且，交替具備將該金屬層成膜之步驟、與將該金屬氧化物層成膜之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之靜電容型輸入裝置之製造方法，其中，於該導電體膜圖案化步驟中，將該導電構件於該第2方向之寬度形成為7~40μm。
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