JP2009053894A - 静電容量型入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造プロセスの簡素化を図りながら、透光性電極パターンの交差部を目立たなくすることのできる静電容量型入力装置を提供すること。
【解決手段】入力装置付き表示装置の入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、透光性電極パターン１１、１２の表面には、下層側の光散乱性付与用の凹凸１５ｅが反映されて凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている。また、透光性電極パターン１１、１２の交差部分１８において、中継電極５ａの表面には、凹凸形成膜として形成された層間絶縁膜４の光散乱性付与用の凹凸４ｅが反映されて凹凸５ｅが形成されている。このため、透光性電極パターン１１、１２および中継電極５ａが形成されている領域は他の領域と同等の反射率である。
【選択図】図３

Description

本発明は、指による指示位置を静電容量の変化として検出可能な静電容量型入力装置に関するものである。

携帯電話、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末などの電子機器では、近年、液晶装置などの表面にタブレット型の入力装置が配置され、液晶装置の画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所に指などを接触あるいは接近させることで、指示画像に対応する情報の入力が行えるものがある。

このような入力装置（タッチパネル）には、抵抗膜型、静電容量型などがあるが、抵抗膜型の入力装置は、フィルムとガラスの２枚構造でフィルムを押下してショートさせる構造のため、動作温度範囲の狭さや、経時変化に弱いという欠点を有している。

これに対して、静電容量型の入力装置は、一枚の基板に透光性導電膜を形成すればよいという利点がある。かかる静電容量型の入力装置では、例えば、互いに交差する方向に電極パターンを延在させて、指などが接近した際、電極間の静電容量が変化することを検知して入力位置を検出するタイプのものがある（例えば、特許文献１）。

また、静電容量型の入力装置としては、透光性導電膜の両端に同相、同電位の交流を印加し、指が接近してキャパシタが形成される際に流れる微弱電流を検知して入力位置を検出するタイプのものもある。
特開２００７−１２２３２６号公報

静電容量型入力装置を構成するにあたって、第１の方向で延在する第１の透光性電極パターンと、第１の方向に交差する第２の方向で延在する第２の透光性電極パターンを透光性基板の表面および裏面に各々形成すると、製造プロセスが煩雑になるなどの問題点がある。また、静電容量型入力装置においては、液晶装置で表示された画像を入力装置の入力面側から透過して視認するため、入力装置の入力領域には透光性に優れたものが用いられるが、それでも領域によって反射率が大きく異なると、反射率の高い領域の存在が目立ってしまい、好ましくない。

ここに、本発明の発明者は、上記２つの問題点を解消することを目的に、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンを透光性基板の同一面上に形成し、かつ、透光性電極パターンが形成されている領域の反射率を他の領域と同等とすることにより、製造プロセスの簡素化を図るとともに、透光性電極パターンが形成されている領域の存在が目立つことを防止することを提案するものである。

しかしながら、かかる構成を採用した場合、第１の透光性電極パターンと第２の透光性電極パターンとの交差部分では、他の領域と層構成が相違するため、交差部分の反射率が高く、交差部分の存在が目立ってしまうという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、製造プロセスの簡素化を図りながら、透光性電極パターンの交差部を目立たなくすることのできる静電容量型入力装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板の入力領域に、第１の方向に延在する第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２の透光性電極パターンとが形成された静電容量型入力装置において、前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは前記透光性基板の同一面上に形成され、前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとの交差部分では、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうちの一方の電極パターンが繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れており、少なくとも前記交差部分における前記一方の電極パターンの上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極パターン同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されており、前記層間絶縁膜は、表面に光散乱性付与用の凹凸を備えた凹凸形成膜からなり、前記中継電極の表面は、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする。

本発明に係る静電容量型入力装置では、透光性基板の同一面上に第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンが形成されているため、透光性基板の表面および裏面の各々に第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンを形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化できる。ここで、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンを透光性基板の同一面側に形成すると、第１の透光性電極パターンと第２の透光性電極パターンとを交差させる必要があり、かかる交差部分の膜構成は、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンと相違してしまう。このため、液晶装置などで表示された画像を入力装置の入力面側からみた際、透光性電極パターンなどが形成されている領域と、透光性電極パターンなどが形成されていない領域との間での反射率の差が小さくなるように透光性電極パターンを形成して、透光性電極パターンを目立たなくしても交差部分が目立ってしまうことになる。しかるに本発明では、交差部分において電極パターンが途切れており、かかる途切れた電極パターン同士は、透光性の層間絶縁膜の上層に形成された透光性の中継電極によって電気的に接続されているため、交差部分が占める面積が狭い。また、中継電極の表面は、層間絶縁膜の凹凸が反映されて光散乱性が付与されているため、反射率（光沢度）が低下している。それ故、中継電極が形成されている領域と、他の領域との反射率の差を解消できるので、中継電極の存在が目立つことがない。

本発明において、前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは同一部材により形成されていることが好ましい。このように第１の透光性電極パターンと第２の透光性電極パターンとを同一の層により形成すると、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンを異なる層により形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化することができる。

本発明において、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは各々、前記交差部分で挟まれた領域に大面積部分を備え、前記一方の電極パターンにおいて前記交差部分での接続部分、および前記中継電極は、前記大面積部分より幅の狭い細幅形状を有していることが好ましい。第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンに対して大面積部分を設ければ、入力位置を精度よく検出することができる一方、一方の電極パターンにおいて交差部分に位置する部分、および中継電極を細幅にすれば、交差部分の存在を目立たなくすることができる。

本発明において、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは、前記透光性基板よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンの下層側には光散乱性付与用の凹凸が形成され、前記第１の透光性電極パターンの表面および前記第２の透光性電極パターンの表面は、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることが好ましい。このように構成すると、透光性電極パターンの表面には光散乱性が付与されるため、反射率（光沢度）が低下する。それ故、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を解消できるので、透光性電極パターンの存在が目立つことがない。

本発明において、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは、異なる屈折率を備えた透光性薄膜同士が重なるように形成された多層膜からなることが好ましい。この場合、透光性薄膜として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透光性の導電性金属酸化膜、およびシリコン酸化膜やシリコン窒酸化膜などといった透光性のシリコン化合物が積層されてなる構成を採用することができ、例えば、前記多層膜は、膜厚が１０〜２０ｎｍの第１のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜、および膜厚が１０〜２０ｎｍの第２のＩＴＯ膜が順に積層されてなる構成を採用することができる。このように構成すると、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンが形成されている領域と、これらの透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を小さくできるので、入力装置をその入力面側からみた場合、電極パターンが目立たない。すなわち、屈折率が小さな媒体から屈折率が大きな媒体を進行する際、入射光は、媒体間の界面で反射する。従って、透光性基板上に透光性電極パターンが形成されている場合には、入力面側の空気層／透光性電極パターンの界面と、透光性電極パターン／透光性基板との界面とが存在するため、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域とでは反射率に差が発生し、透光性電極パターンの存在が見えてしまう結果になるが、多層膜を用い、各界面で反射した光の位相を逆転させ打ち消し合うようにすれば、透光性電極パターンが形成されている領域と、透光性電極パターンが形成されていない領域との反射率の差を解消できる。それ故、透光性電極パターンの存在が目立たなくすることができる。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力装置付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。なお、図１（ｂ）において、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンについて実線で簡略化して示してあり、それらの数も減らして示してある。

図１（ａ）において、本形態の入力装置付き表示装置１００は概ね、画像生成装置としての液晶装置５０と、この画像生成装置において表示光を出射する側の面に重ねて配置されたパネル状の入力装置１０（タッチパネル）とを有している。液晶装置５０は、透過型、反射型あるいは半透過反射型のアクティブマトリクス型液晶パネル５０ａを備えており、透過型あるいは半透過反射型の液晶パネルの場合、表示光の出射側とは反対側にバックライト装置（図示せず）が配置される。また、液晶装置５０においては、液晶パネル５０ａに対して位相差板や偏光板（図示せず）が重ねて配置される。液晶パネル５０ａは、素子基板５１と、素子基板５１に対して対向配置された対向基板５２と、対向基板５２と素子基板５１との間に保持された液晶層とを備えており、素子基板５１において、対向基板５２の縁から張り出した領域にはフレキシブル基板５３が接続されている。素子基板５１には駆動用ＩＣがＣＯＧ実装されることもある。いずれの場合も、液晶装置５０は動画や静止画を表示可能であり、入力装置付き表示装置１００に対する入力を行う際、入力情報に対応する指示画像を表示する。従って、利用者は、入力装置付き表示装置１００で表示された指示画像を指で操作すれば、情報の入力を行うことができる。

入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、後述する透光性電極パターンが形成された透光性基板１５を備えている。入力装置１０においては、透光性基板１５の上面側が入力面１０ｂになっており、入力面１０ｂの略中央領域が、指先による入力が行われる入力領域１０ａになっている。透光性基板１５において、入力領域１０ａの外周側領域１５ｆにはフレキシブル基板１９が接続されており、フレキシブル基板１９には、入力装置１０において入力位置の検出を行うための駆動回路（図示せず）が接続されている。

本形態の入力装置１０では、透光性基板１５において、透光性電極パターンが形成された上面側には、粘着剤層３０を介してシート状あるいは板状の透光性カバー２０が接合されている。

図１（ｂ）に示すように、透光性基板１５の入力面１０ｂのうち、入力領域１０ａには、矢印Ｘで示す第１の方向に延在する複数列の第１の透光性電極パターン１１と、矢印Ｙで示す第１の方向に交差する第２の方向に延在する複数列の第２の透光性電極パターン１２とが形成されている。

このような構成の入力装置１０では、複数の第１の透光性電極パターン１１および複数の第２の透光性電極パターン１２に順次、電圧印加して電荷を与えた際、いずれかの箇所に導電体である指が接触または近接すると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と、指との間で容量が形成され、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を介して検出される静電容量が低下するので、いずれの箇所に指が触れたかを検出することができる。

（入力装置１０の詳細構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置のＡ１−Ａ１′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。なお、図２においては、第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの一部を抜粋して示してある。

図１（ｂ）、図２および図３（ａ）に示すように、本形態の入力装置１０において、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されている。また、透光性基板１５の入力領域１０ａにおいて、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とは透光性基板１５の同一面上に同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８が複数、存在する。

本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２のうちの一方の電極パターンは、交差部分１８でも繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れている構成になっている。本形態では、複数の交差部分１８のいずれにおいても、第１の透光性電極パターン１１が繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている構成になっている。

また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の上層側には、透光性の層間絶縁膜４が入力領域１０ａの略全体に形成されている。また、層間絶縁膜４の上層には、層間絶縁膜４のコンタクトホール４ｃを介して、交差部分１８で途切れている第２の透光性電極パターン１２同士を電気的に接続する透光性の中継電極５ａが形成されている。このため、第２の透光性電極パターン１２は第２の方向で電気的に接続されている。

本形態において、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は各々、交差部分１８で挟まれた領域に菱形形状の大面積のパッド部１１ａ、１２ａ（大面積部分）を備えており、第１の透光性電極パターン１１において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃは、パッド部１１ａより幅の狭い細幅形状になっている。また、中継電極５ａも、パッド部１１ａ、１２ａより幅の狭い細幅形状で短冊状に形成されている。

本形態では、透光性基板１５において、透光性電極パターン１１、１２が形成された上面側のうち、入力領域１０ａに対しては、粘着剤層３０を介して透光性カバー２０が接合されている。

図１（ａ）、（ｂ）、および図３（ｂ）に示すように、透光性基板１５において入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の各々に電気的に接続する複数の金属配線９ａが形成されており、これらの金属配線９ａの端部は、フレキシブル基板１９を接続するための端子１９ａを構成している。金属配線９ａは、例えば、厚さが２００ｎｍ程度の銀−パラジウム−銅−ゲルマニウム膜などからなる。また、透光性基板１５の外周側領域１５ｆには、透光性基板１５に対してフレキシブル基板１９を実装する際や透光性カバー２０を接合する際に用いられるアライメントマーク１５ｇが形成されている。なお、アライメントマーク１５ｇの位置は、各々の用途に最適な位置に形成される。本形態では、層間絶縁膜４は、少なくとも入力領域１０ａに形成され、外周側領域１５ｆのうち端子１９ａが形成された領域には形成されていない。但し、層間絶縁膜４は端子１９ａ以外の金属配線９ａを被覆していても良い。このように構成すると、金属配線９ａの耐湿性が向上する。

（透光性電極パターン１１、１２における反射対策）
このように構成した入力装置１０において、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域とで反射率に大きな差があると、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまう。ここで、透光性基板１５は、ガラス基板（屈折率＝１．５２）であり、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、膜厚が３５ｎｍ程度のＩＴＯ膜（屈折率＝１．８０）からなる。層間絶縁膜４は、厚さが１〜２μｍ程度のアクリル樹脂（屈折率＝１．５２）からなる。粘着剤層３０はアクリル樹脂系の粘着剤（屈折率＝１．４８）からなり、透光性カバー２０はアクリル樹脂製（屈折率＝１．４８）である。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、他の層に比して屈折率が極めて高く、その表面での反射率が高い。

そこで、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、入力領域１０ａの全面に光散乱性付与用の凹凸１５ｅが形成されており、かかる凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている。本形態では、透光性基板１５の表面が粗面化されており、かかる粗面化により凹凸１５ｅが形成されている。凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されている結果、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面には凹凸１１ｅ、１２ｅが形成され、光散乱性が付与されている。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面は、凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている分、光沢度（反射率）が低下している。

本形態において、凹凸１５ｅの高低は０．５〜１．０μｍであり、凹凸１５ｅの形成ピッチは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の膜厚に比して十分広い値、例えば約１０μｍであり、凹凸１５ｅが形成されている領域における光沢度は６０±１０％に設定されている。従って、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面の光沢度（反射率）が適正な範囲に設定され、それ故、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との間の反射率が略同等である。なお、「光沢度」とは、反射光の強度を平滑なガラスと相対比較した値であり、平滑なガラスを１００％として、凹凸を付した後の反射光の強度を％表示した値である。

但し、本形態において、凹凸１５ｅは、入力領域１０ａのみに形成され、入力領域１０ａの外周側領域１５ｆには形成されていない。このため、図１（ａ）、（ｂ）に示す透光性基板１５の外周側領域１５ｆにおいて、端子１９ａおよびアライメントマーク１５ｇは平滑な面上に形成されている。

（中継電極５ａにおける反射対策）
本形態の入力装置１０において、中継電極５ａが形成されている領域と、中継電極５ａが形成されていない領域とで反射率に大きな差があると、中継電極５ａの存在が見えてしまう。ここで、中継電極５ａは、膜厚が２０ｎｍ程度のＩＴＯ膜（屈折率＝１．８０）からなる。従って、中継電極５ａも、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と同様、他の層に比して屈折率が極めて高く、その表面での反射率が高い。一方、本形態では、透光性基板１５の表面が粗面化されており、かかる粗面化により形成された凹凸１５ｅは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面まで反映されているが、層間絶縁膜４は、厚さが１〜２μｍの感光性樹脂からなるため、凹凸１５ｅは、層間絶縁膜４の表面にはほとんど反映されない。

そこで、本形態では、層間絶縁膜４については、表面に光散乱性付与用の凹凸４ｅを備えた凹凸形成膜として形成され、層間絶縁膜４の凹凸４ｅは、中継電極５ａの表面まで反映されている結果、中継電極５ａの表面にも凹凸５ｅが形成されている。それ故、中継電極５ａの表面でも、光沢度（反射率）が低下している。ここで、凹凸４ｅの高低は０．５〜１．０μｍであり、凹凸４ｅの形成ピッチは、中継電極５ａの膜厚に比して十分広い値、例えば約１０μｍである。従って、中継電極５ａの表面の光沢度（反射率）が適正な範囲に設定されており、それ故、中継電極５ａが形成されている領域と、中継電極５ａが形成されていない領域との間の反射率が略同等である。

（入力装置１０の製造方法）
図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に用いた透光性基板１５に凹凸１５ｅを形成する方法を示す工程断面図である。図５（ａ）〜（ｇ）は、図４に示す方法で凹凸１５ｅを形成した透光性基板１５を用いて本発明の実施の形態１に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｄ）には、透光性基板１５の入力領域１０ａおよび外周側領域１５ｆの双方を示し、図５（ａ）〜（ｇ）には、入力領域１０ａのみを示してある。

本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図４（ａ）に示すように、透光性基板１５（ガラス基板）を準備する。次に、図４（ｂ）に示すように、一方面側には、透光性基板１５の外周側領域１５ｆを覆うようにレジストマスク４１を形成する一方、他方面側には保護シート４２を貼る。この状態で、透光性基板１５において入力領域１０ａとなる領域は、露出した状態にある。

次に、透光性基板１５を酸処理液に接触させて、図４（ｃ）に示すように、一方面側で露出する入力領域１０ａにエッチングを行なう。その結果、透光性基板１５において入力領域１０ａとなる領域には微細な凹凸１５ｄが形成される。かかる酸処理液は、例えば、フッ化水素酸およびリン酸水素二アンモニウムの水溶液である。

次に、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク４１を除去した後、フッ酸およびフッ化アンモニウム酸の水溶液などからなるエッチング液を透光性基板１５に接触させて等方性エッチングを行い、凹凸１５ｄの形状を整え、光散乱性付与用の凹凸１５ｅを形成する。最後に保護シート４２を剥離する。その結果、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度は６０±１０％となる。

次に、図５（ａ）に示すように、透光性基板１５の一方面側に膜厚が３５ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜１を形成する。次に、透光性導電膜１の上層に、金属配線９ａを形成するための金属膜（図示せず）を積層する。

次に、金属膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図１（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。その際、アライメントマーク１５ｇを同時形成する。

次に、金属配線９ａおよび透光性導電膜１などの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、透光性導電膜１をエッチングし、図５（ｂ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２をパターニング形成し、その後、エッチングマスクを除去する。ここで、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８においては、第１の透光性電極パターン１１は接続部分１１ｃを介して繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている。

次に、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側に、図３（ａ）を参照して説明した層間絶縁膜４（凹凸形成膜）を形成する。

それには、図５（ｃ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、所定パターンで分布する第１層４ｓを形成する。次に、図５（ｄ）に示すように、第１層４ｓを覆うように感光性樹脂を塗布した後、露光、現像して第２層４ｔを形成する。その際、ポジ型の感光性樹脂を用いた場合には、点線４ｘで示すように、コンタクトホール４ｃを形成すべき箇所を露光する。その結果、図５（ｅ）に示すように、第１層４ｓの形成パターンに対応した凹凸４ｅを表面に備えた層間絶縁膜４を形成することができ、かつ、層間絶縁膜４にはコンタクトホール４ｃが形成される。

次に、図５（ｆ）に示すように、層間絶縁膜４の上層側に膜厚が２０ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜５を形成した後、透光性導電膜５の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で透光性導電膜５をエッチングし、図５（ｇ）に示すように、層間絶縁膜４の上層に、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分を繋ぐ中継電極５ａを形成する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、透光性基板１５の同一面上に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されているため、透光性基板１５の表面および裏面の各々に第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化できる。しかも、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とが同一層により形成されているため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を異なる層により形成した場合と比較して製造プロセスを簡素化することができる。

また、透光性電極パターン１１、１２は、透光性基板１５よりも屈折率が高い透光性導電膜（ＩＴＯ膜）によって形成されているが、かかる透光性電極パターン１１、１２の表面には、下層側の光散乱性付与用の凹凸１５ｅが反映されて凹凸１１ｅ、１２ｅが形成されている。このため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域では、透光性電極パターン１１、１２の表面に形成された凹凸１１ｅ、１２ｅによって反射率が低下し、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域と同等の反射率となる。従って、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２の存在が目立つことがない。特に本形態では、透光性電極パターン１１、１２が大面積のパッド部１１ａ、１２ａを備えているため、入力位置を精度よく検出できる一方、目立ちやすい形状であるが、本形態によれば、かかる透光性電極パターン１１、１２であっても透光性電極パターン１１、１２の存在が目立たない。それ故、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。また、透光性電極パターン１１、１２を厚いＩＴＯ膜の単層膜で形成することができるので、透光性電極パターン１１、１２の電気抵抗を低減することができる。従って、動作速度の向上およびノイズに起因する誤動作の発生防止を図ることができるとともに、入力装置１０の大面積化にも対応することができる。

ここで、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度が５０％未満である場合には、光沢度が低くなる一方、透明性が低下するので、品位の高い画像を表示できなくなる。これに対して、光沢度が７０％を越えると、光沢度を十分低下できず、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域と、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域との反射率の差を十分に解消できない。それ故、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度については６０±１０％に設定することが好ましい。

また、透光性基板１５において透光性電極パターン１１、１２が形成されている側の面が、屈折率が低い粘着層３０（低屈折率層）で覆われ、透光性基板１５の屈折率と粘着層３０の屈折率との差が小さいので、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域では、凹凸１５ｅを形成したとしても反射率が大きく低下しない。それ故、入力領域１０ａの全面に凹凸１５ｅを形成した場合でも、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域と、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域との間での反射率の差を解消することができる。それ故、入力領域１０ａの全面に凹凸１５ｅを形成してもよいので、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域のみに凹凸１５ｅを形成する場合と比較して工程の簡素化を図ることができる。

さらに、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を透光性基板１５の同一面側に同一層により形成すると、第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２とを交差させる必要があり、かかる交差部分１８の膜構成は、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２と相違してしまう。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を目立たなくしても、交差部分１８の存在が目立ってしまう。しかるに本形態では、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分については、層間絶縁膜４の上層に形成された中継電極５ａによって、電気的に接続する構成を採用し、かつ、第１の透光性電極パターン１１において交差部分１８に位置する接続部分１１ｃ、および中継電極５ａを細幅にしたため、交差部分１８が占める面積が狭い。また、本形態において、中継電極５ａの表面は、層間絶縁膜４の凹凸４ｅが反映されて光散乱性が付与されているため、反射率（光沢度）が低下している。それ故、中継電極５ａについても、膜厚が２０ｎｍのＩＴＯ膜により構成して電気的抵抗を低減した場合でも、中継電極５ａが形成されている領域と、他の領域との反射率の差を解消できるので、中継電極５ａの存在が目立つことがない。それ故、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。

また、透光性基板１５において入力領域１０ａを囲む外周側領域１５ｆにおいて、端子１９ａやアライメントマーク１５ｇが形成されている領域には凹凸１５ｅが形成されていない。このため、アライメントマーク１５ｇを確認しやすいという利点がある。さらに、凹凸１５ｅは、透光性基板１５の表面に対する粗面化により形成されており、かかる凹凸１５ｅであれば、いわゆるフロスト加工を透光性基板１５に施せばよいので、透光性基板１５を多数取りできる大型基板の基板に対して凹凸１５ｅを形成する場合や、複数枚の透光性基板１５に凹凸１５ｅを形成する場合に、凹凸１５ｅの形成を効率よく行なうことができる。

しかも、透光性基板１５において凹凸１５ｅが形成されている領域の光沢度は６０±１０％であるため、透光性電極パターン１１、１２が形成されている領域と、透光性電極パターン１１、１２が形成されていない領域との間での反射率の差を解消することができるとともに、十分な透光性を確保できるので、透光性電極パターン１１、１２を透過する光により品位の高い画像を視認することができる。

［実施の形態１の変形例１］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例１に係る入力装置に用いた層間絶縁膜の別の形成方法を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

実施の形態１では、図５（ｃ）、（ｄ）に示す第１層４ｓおよび第２層４ｔによって、凹凸４ｅを表面に備えた層間絶縁膜４を形成したが、本形態では、図６（ａ）に示すように、透光性電極パターン１１、１２を形成した後、ポジタイプの感光性樹脂４ｕを塗布し、次に、点線４ｙで示す箇所にはハーフ露光を行なう一方、点線４ｚで示す箇所（コンタクトホール４ｃを形成すべき箇所）には全露光を行なう。次に、感光性樹脂４ｕを現像した後、感光性樹脂４ｕを加熱して流動させれば、図６（ｂ）に示すように、ハーフ露光パターンに対応した凹凸４ｅを表面に備えた層間絶縁膜４の表面に形成することができるとともに、層間絶縁膜４にはコンタクトホール４ｃが形成される。

［実施の形態１の変形例２］
図７は、本発明の実施の形態１の変形例２に係る入力装置の断面図である。上記実施の形態１では、透光性基板１５の表面を粗面化して凹凸１５ｅを形成し、かかる凹凸１５ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させたが、図７に示すように、透光性基板１５の表面に凹凸形成膜１６を形成し、この凹凸形成膜１６の表面に形成されている凹凸１６ｅを透光性電極パターン１１、１２の表面に反映させてもよい。

かかる構成の凹凸形成膜１６は、図５（ｃ）、（ｄ）を参照して説明した方法、あるいは図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した方法と同様な方法で形成することができる。すなわち、透光性基板１５の表面に感光性樹脂を塗布、露光、現像して、所定パターンで分布する第１層を形成した後、第１層を覆うように感光性樹脂を塗布して第２層を形成すれば、第１層に対応した凹凸１６ｅを表面に備えた凹凸形成膜１６を形成することができる。また、透光性基板１５の表面に感光性樹脂を塗布、ハーフ露光、現像した後、プリベークして半硬化させ、しかる後に、感光性樹脂を加熱して流動させれば、ハーフ露光パターンに対応した凹凸１６ｅを表面に備えた凹凸形成膜１６を形成することができる。

［実施の形態２］
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置の断面図、透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図、および光学干渉を利用した反射防止技術の説明図である。なお、図８（ａ）は、図２のＡ１−Ａ１′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにしてそれらの説明を省略する。

実施の形態１では、透光性電極パターン１１、１２表面の光沢度を低下させて透光性電極パターン１１、１２の存在が見えてしまうことを防止したが、本形態では、図８（ｃ）を参照して以下に説明する光学干渉を利用した反射防止技術に基づいて、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の材質および厚さを設定し、透光性電極パターン１１、１２の存在が見えてしまうことを防止する。

まず、光学干渉を利用した反射防止技術とは、入射光が薄膜の表面、および基板と薄膜の界面で反射した際、この表面反射光と界面反射光の位相を逆転させ打ち消しあうことで反射光を軽減する技術である。すなわち、図８（ｃ）において、薄膜の屈折率（ｎ₁）と膜厚（ｄ₁）と、基板の屈折率（ｎ₂）が、下記の式
（ｎ₁）²＝ｎ0×ｎ₂
ｎ₁×ｄ₁＝λ/４
を満たす場合、波長λ（ｎｍ）における反射率が０％となる。ここで、反射防止効果は波長依存性があり、薄膜の膜依存性もあることから、光学シミュレーションを行ったところ、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を、異なる屈折率を備えた透光性薄膜同士が重なるように形成された多層膜、例えば、透光性の導電性金属酸化膜、および透光性のシリコン化合物が積層されてなる構造を採用すれば、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差が解消され、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在を見えなくできるという結論を得た。

そこで、本形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性基板１５がガラス基板（屈折率＝１．５２）であることから、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成する多層膜については、膜厚が１０〜２０ｎｍの第１のＩＴＯ膜１ａ（屈折率＝１．８０）、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜２ａ（屈折率＝１．４６）、および膜厚が１０〜２０ｎｍの第２のＩＴＯ膜３ａ（屈折率＝１．８０）が順に積層されてなる構造を採用してある。より具体的には、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成する多層膜については、第１のＩＴＯ膜１ａ、シリコン酸化膜２ａ、および第２のＩＴＯ膜３ａの膜厚を各々１０ｎｍ、４０ｎｍおよび１０ｎｍの条件、あるいは１５ｎｍ、５０ｎｍおよび１５ｎｍの条件に設定してある。

このため、本形態の入力装置１０において、中継電極５ａは、第２の透光性電極パターン１２において最上層に積層された第２のＩＴＯ膜３ａに接続されていることになる。また、金属配線９ａは、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２において最上層に積層された第２のＩＴＯ膜３ａに接続されていることになる。

このように、本形態では、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２は、異なる屈折率を備えた透光性薄膜同士が重なるように形成された多層膜からなるため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差を解消することできる。すなわち、本形態では、透光性基板１５がガラス基板であって、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２を構成する多層膜は、膜厚が１０〜２０ｎｍの第１のＩＴＯ膜１ａ、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜２ａ、および膜厚が１０〜２０ｎｍの第２のＩＴＯ膜３ａが順に積層されてなる構成を有しているため、各界面で反射した光の位相を逆転させ打ち消し合う構成になっている。このため、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている領域と、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されていない領域との反射率の差を解消できるので、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の存在が見えてしまうことを防止することができる。

また、実施の形態１と同様、交差部分１８において、中継電極５ａは、膜厚が２０ｎｍのＩＴＯ膜からなり、細幅形状で面積が小さく、その存在が目立たないようになっている。また、中継電極５ａの表面は、層間絶縁膜４の凹凸４ｅが反映されて光散乱性が付与されているため、反射率（光沢度）が低下している。それ故、中継電極５ａについても、膜厚が２０ｎｍのＩＴＯ膜により構成して電気的抵抗を低減した場合でも、中継電極５ａが形成されている領域と、他の領域との反射率の差を解消できるので、中継電極５ａの存在が目立つことがない。それ故、液晶装置５０などで表示された画像を入力装置１０の入力面１０ｂ側からみた際、画像の品位が高い。

（入力装置１０の製造方法）
図９（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態２に係る入力装置の製造方法を示す工程断面図である。本形態の入力装置１０を製造するには、まず、図９（ａ）に示すように、透光性基板１５（ガラス基板）の一方の面全体に、膜厚が１０〜２０ｎｍの多結晶の第１のＩＴＯ膜１、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜２、および膜厚が１０〜２０ｎｍの多結晶の第２のＩＴＯ膜３を形成した後、金属膜９（図示せず）を形成する。

次に、金属膜の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で金属膜をエッチングし、図８（ｂ）に示すように、金属配線９ａをパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。

次に、金属配線９ａおよび第２のＩＴＯ膜３などの上層側に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で、第１のＩＴＯ膜１、シリコン酸化膜２、および第２のＩＴＯ膜３をエッチングし、図９（ｂ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２をパターニング形成した後、エッチングマスクを除去する。このようにして形成した第１の透光性電極パターン１１と第２の透光性電極パターン１２との交差部分１８において、第１の透光性電極パターン１１は、パッド部１１ａが接続部分１１ｃを介して繋がっている一方、第２の透光性電極パターン１２は途切れている。

次に、図５（ｃ）、（ｄ）を参照して説明した方法、あるいは図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した方法と同様な方法により、図９（ｃ）に示すように、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の表面側に層間絶縁膜４（凹凸形成膜）を形成する。

次に、図９（ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の上層側に膜厚が２０ｎｍ程度の多結晶のＩＴＯ膜からなる透光性導電膜５を形成した後、透光性導電膜５の表面に感光性樹脂などからなるエッチングマスクを形成した状態で透光性導電膜５をエッチングし、図９（ｅ）に示すように、層間絶縁膜４の上層に、第２の透光性電極パターン１２の途切れ部分を繋ぐ中継電極５ａを形成する。

なお、薄膜光学干渉を用いた多層膜構成の例として、下層から順に膜厚が１０〜２０ｎｍの多結晶の第１のＩＴＯ膜、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜、膜厚が１０〜２０ｎｍの多結晶の第２のＩＴＯ膜とした上記の例の他に、下層から順に膜厚が３０ｎｍのシリコン酸化膜（屈折率＝１．４６）、膜厚が１０ｎｍの多結晶のＩＴＯ膜を積層する場合や、下層から順に膜厚が１００ｎｍのシリコン酸化窒化膜（屈折率＝１．６０）、膜厚が１０ｎｍの多結晶のＩＴＯ膜を積層する場合も有効である。この場合、透光性電極パターン部分は、シリコン酸化膜／ＩＴＯ膜、またはシリコン酸化窒化膜／ＩＴＯ膜であり、透光性電極パターンが形成されない部分には、それぞれ、膜厚が３０ｎｍのシリコン酸化膜、または、膜厚が１００ｎｍのシリコン酸化窒化膜が残り、両者の反射率差が無くなるように構成される。

［その他の実施の形態］
上記形態では、金属配線９ａの端部をそのまま、端子１９ａとして利用したが、金属配線９ａの端部の上層にＩＴＯ層を中継電極５ａと同時形成し、端子１９ａとしてもよい。また、入力領域１０ａのみに層間絶縁膜４ｂを形成したが、端子１９ａの表面を除く略全面に層間絶縁膜４ｂを形成してもよい。この場合、金属配線９ａを層間絶縁膜４ｂで被覆すれば、耐湿性も向上する。

上記形態では、画像生成装置としての液晶装置５０を用いたが、有機エレクトロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置を画像生成装置として用いてもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る入力装置付き表示装置１００を適用した電子機器について説明する。図１０（ａ）に、入力装置付き表示装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１０（ｂ）に、入力装置付き表示装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、入力装置付き表示装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１０（ｃ）に、入力装置付き表示装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての入力装置付き表示装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が入力装置付き表示装置１００に表示される。

なお、入力装置付き表示装置１００が適用される電子機器としては、図１０に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した入力装置付き表示装置１００が適用可能である。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した入力装置付き表示装置の構成を模式的に示す説明図、およびこの入力装置付き表示装置の平面的な構成を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る入力装置に形成した第１の透光性電極パターンおよび第２の透光性電極パターンの平面的な構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る入力装置のＡ１−Ａ１′断面図、および透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る入力装置に用いた透光性基板に凹凸を形成する方法を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、図４に示す方法で凹凸を形成した透光性基板を用いて本発明の実施の形態１に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の変形例１に係る入力装置に用いた層間絶縁膜の別の形成方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例２に係る入力装置の断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る入力装置の断面図、透光性電極パターンと金属配線との接続構造を示す断面図、および光学干渉を利用した反射防止技術の説明図である。 （ａ）〜（ｅ）は、図５（ｃ）、（ｄ）あるいは図６（ａ）、（ｂ）に示す方法で凹凸を形成した透光性基板を用いて本発明の実施の形態２に係る入力装置を製造する方法を示す工程断面図である。 本発明に係る入力装置付き表示装置を用いた電子機器の説明図である。

符号の説明

４・・層間絶縁膜、４ｅ、５ｅ、１１ｅ、１２ｅ、１５ｅ、１６ｅ・・凹凸、５ａ・・中継電極、９ａ・・金属配線、１０・・入力装置、１１・・第１の透光性電極パターン、１１ａ、１２ａ・・パッド部（大面積部分）、１１ｃ・・接続部分、１２・・第２の透光性電極パターン、１５・・透光性基板、１８・・交差部分、３０・・粘着剤層（低屈折率層）、５０・・液晶装置（画像生成装置）、１００・・入力装置付き表示装置

Claims (6)

1. 透光性基板の入力領域に、第１の方向に延在する第１の透光性電極パターンと、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２の透光性電極パターンとが形成された静電容量型入力装置において、
   前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは前記透光性基板の同一面上に形成され、
   前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとの交差部分では、前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンのうちの一方の電極パターンが繋がっている一方、他方の電極パターンは途切れており、
   少なくとも前記交差部分における前記一方の電極パターンの上層側に透光性の層間絶縁膜が形成されているとともに、当該層間絶縁膜の上層には、当該交差部分で途切れている前記他方の電極パターン同士を電気的に接続する透光性の中継電極が形成されており、
   前記層間絶縁膜は、表面に光散乱性付与用の凹凸を備えた凹凸形成膜からなり、前記中継電極の表面は、前記凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする静電容量型入力装置。
2. 前記第１の透光性電極パターンと前記第２の透光性電極パターンとは同一部材により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
3. 前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは各々、前記交差部分で挟まれた領域に大面積部分を備え、
   前記一方の電極パターンにおいて前記交差部分での接続部分、および前記中継電極は、前記大面積部分より幅の狭い細幅形状を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型入力装置。
4. 前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは、前記透光性基板よりも屈折率が高い透光性導電膜によって形成され、
   前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンの下層側には光散乱性付与用の凹凸が形成され、
   前記第１の透光性電極パターンの表面および前記第２の透光性電極パターンの表面は、当該凹凸が反映されて光散乱性が付与されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
5. 前記第１の透光性電極パターンおよび前記第２の透光性電極パターンは、異なる屈折率を備えた透光性薄膜同士が重なるように形成された多層膜からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電容量型入力装置。
6. 前記多層膜は、膜厚が１０〜２０ｎｍの第１のＩＴＯ膜、膜厚が４０〜６０ｎｍのシリコン酸化膜、および膜厚が１０〜２０ｎｍの第２のＩＴＯ膜が順に積層されてなることを特徴とする請求項５に記載の静電容量型入力装置。

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