JP5866765B2 - 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器 - Google Patents

Description

この発明は、導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器に関する。詳しくは、基体表面に導電パターン部が形成された導電性素子に関する。

従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「除去」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。

そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスに対する応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。

しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。

特開２００９−２６６０２５号広報

特開２００５−１４９８０７号広報

したがって、本発明の目的は、優れたスループットを実現できる導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、
第１の波面および第２の波面を有する基体と、
第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
第２の波面が形成されている第２の領域の面積は、第１の波面が形成されている第１の領域の面積以上であり、
導電層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
第２の発明は、
第１の波面および第２の波面を有する基体と、
第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
第１の波面上に形成された導電層は、第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、第２の波面上に形成された残留膜は、第２の波面上に不連続的に形成され、
導電層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
第３の発明は、
第１の波面および第２の波面を有する基体と、
第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
導電層は、導電パターン部を形成し、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）

第４の発明は、
可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
第１の波面、および第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
導電層が、導電パターン部を形成し、
第２の波面が形成されている第２の領域の面積は、第１の波面が形成されている第１の領域の面積以上であり、
第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子である。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
第５の発明は、
可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
第１の波面、および第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
第１の波面上に形成された導電層は、第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、第２の波面上に形成された残留膜は、第２の波面上に不連続的に形成され、
導電層が、導電パターン部を形成し、
第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
第６の発明は、
可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
第１の波面、および第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜と
を備え、
導電層が、導電パターン部を形成し、
第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
導電層、および残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子である。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）

第５の発明は、
第１の波面および第２の波面を有する基体表面に対して、導電層を形成する工程と、
第２の波面に形成された導電層を除去し、第１の波面に導電層からなる導電パターン部を形成する工程と
を備え、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）

第６の発明は、
可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体表面に対して、導電層を形成する工程と、
第２の波面に形成された導電層を除去し、第１の波面に導電層からなる導電パターン部を形成する工程と
を備え、
第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
第２の波面の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ１）が、１．８以下である導電性素子の製造方法である。

本発明では、平面上に形成された導電層の面積は、波面上に形成された導電層の面積よりも大きいことが好ましい。平面上には、連続的に導電層が形成されているのに対して、波面上には、不連続的に導電層が形成されていることが好ましい。平面上に形成された導電層の厚さは、波面上に形成された導電層の厚さよりも厚いことが好ましい。

本発明では、導電層の表面抵抗が、５０００Ω／□以下であることが好ましい。導電層は、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。導電層は、透明酸化物半導体を含んでいることが好ましい。透明酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛であることが好ましい。導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。導電パターン部が、配線パターン部であることが好ましい。波面は、多数の構造体が１次元配列されてなる１次元的な波面、または多数の構造体が２次元配列されてなる２次元的な波面であることが好ましい。導電性素子は、配線素子、情報入力装置、表示装置、または電子機器に適用して好適なものである。

本発明では、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、
第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８

本発明では、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１が、可視光の波長以下であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８

本発明では、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第２の波面の平均波長λ２が、１００ｎｍ以上であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８

本発明では、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１、および第２の波面の平均波長λ２が、１００ｎｍ以上であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８

本発明では、第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜をさらに備え、導電層、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。この場合、第１の波面上に形成された導電層は、第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、第２の波面上に形成された残留膜は、第２の波面上に不連続的に形成されていることが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）

本発明では、第２の波面上に形成された、導電層の一部からなる残留膜をさらに備え、導電層、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）

以上説明したように、この発明によれば、優れたスループットを実現できる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。 図２Ａは、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２Ｃは、図１ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２Ｄは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２Ｅは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図３は、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。 図４Ａは、図２Ａに示した第２の領域のトラック延在方向の断面図である。図４Ｂは、図２Ａに示した第２の領域のθ方向の断面図である。 図５は、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。 図６は、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。 図７は、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。 図８は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。 図９Ａ〜図９Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図１０Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図１０Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。 図１１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。 図１２Ａは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。 図１３は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。 図１４Ａ〜図１４Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１５Ａ〜図１５Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１６Ａ〜図１６Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１７Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。図１７Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第２の領域のトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１７Ｃは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１７Ｄは、図１７ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１７Ｅは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図１８は、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図１９Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した第２の領域を拡大して表す平面図である。 図２０Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２０Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。 図２１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図２１Ｂは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。 図２２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２２Ｂは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。 図２３Ａは、本発明の第５の実施形態に係るディスク状原盤の一構成例を示す平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示したディスク状原盤の一部を拡大して表す平面図である。 図２４は、ディスク状原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。 図２５Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２５Ｂは、本発明の第６の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。 図２６Ａは、本発明の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２６Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。 図２７は、本発明の第８の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。 図２８は、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。 図２９Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。図２９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。 図３０Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。図３０Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。 図３１Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図３１Ｂは、図３１Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。 図３２Ａは、本発明の第１１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３２Ｂは、図３２Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図３２Ｃは、図３２Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。 図３３は、試験例２に係る光学シートのエッチング前後の分光スペクトルを示す図である。 図３４Ａは、実施例１に係る透明導電性シートの作製に用いた石英マスタの成形面を示す模式図である。図３４Ｂは、実施例１に係る透明導電性シートの導通／非導通評価ポイントを示す模式図である。 図３５は、エッチング時間と初期抵抗値に対する変化率の逆数（仮想厚さ変化）との関係を示すグラフである。 図３６Ａは、第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。図３６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。

本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（波面の有無を利用して基体表面に配線を形成した例：図１Ａ参照）
２．第２の実施形態（四方格子状に構造体を配置した例：図１７Ａ参照）
３．第３の実施形態（２種の波面の違いを利用して基体表面に配線を形成した例：図２０Ａ参照）
４．第４の実施形態（配線を基体の両面に形成した例：図２２Ａ、図２２Ｂ参照）
５．第５の実施形態（ディスク状原盤の作製例：図２３Ａ、図２３Ｂ参照）
６．第６の実施形態（構造体を凹状とした例：図２５Ａ、図２５Ｂ参照）
７．第７の実施形態（構造体をランダムに形成した例：図２６Ａ、図２６Ｂ参照）
８．第８の実施形態（表示装置に対する適用例：図２７参照）
９．第９の実施形態（情報入力装置に対する適用例：図２９Ａ、図３０Ａ参照）
１０．第１０の実施形態（ＩＣカードに対する適用例：図３１参照）
１１．第１１の実施形態（表示装置に対する適用例：図３２参照）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。以下では、導電性素子１の回路形成面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その回路形成面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

第１の実施形態に係る導電性素子１は、交互に形成された第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂を有する基体２と、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂のうち、第１の領域Ｒ₁に配線パターン部（導電パターン部）をなすように連続的に形成された導電層４とを備える。導電層４は、例えば、導電性を有する単層膜である。ここでは、導電パターン部の一例として配線パターン部が第１の領域Ｒ₁に形成される場合について説明するが、導電パターン部は配線パターン部に限定されるものではなく、導電性を有する種々のパターンとすることが可能であり、例えば電極パターン部などとすることが可能である。

また、表面抵抗の低減の観点から、図１Ｃに示すように、第１の領域Ｒ₁の基体表面上に、導電層４に隣接して形成された金属層５をさらに備えることが好ましい。この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子、情報入力装置などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などが挙げられる。

（第１の領域Ｒ₁、第２の領域Ｒ₂）
第２の領域Ｒ₂の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には導電層４が形成されていないか、もしくは導電層４が不連続的に形成されている状態となっている。波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が形成された凹凸面である。一方、第１の領域Ｒ₁の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には導電層４が連続的に形成されている。したがって、第２の領域Ｒ₂は、隣接する第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ₁に連続的に形成された導電層４は、第１の領域Ｒ₁の延在方向に向かって導電性を有し、配線パターン部（導電パターン部）として機能する。

平面Ｓｐ１、および波面Ｓｗ２が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。

波面Ｓｗ２は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する１次元または２次元的な波面であり、具体的には、可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が１次元または２次元的に配列されてなる凹凸面である。

波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。
また、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

第２の領域Ｒ₂には導電層４が完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域と機能すれば導電層４が存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の面積は、第２の領域Ｒ₂に形成された導電層４の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ₁には導電層４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ₂には導電層４が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ₂に形成された導電層４の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能するようにしてもよい。

より具体的には、第２の領域Ｒ₂には導電層４またはその一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。第２の領域Ｒ₂に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４と、第２の領域Ｒ₂に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の領域Ｒ₁には導電層４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ₂には残留膜が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。

また、第２の領域Ｒ₂に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４と、第２の領域Ｒ₂に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
このような関係を満たす場合、残留膜の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、導電層４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能することが好ましい。

なお、図１Ａでは、第１の領域Ｒ₁に連続的に形成された導電層４、すなわち配線が、直線状の形状を有している例が示されているが、配線の形状はこれに限定されるものではなく、回路設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。また、第２の領域Ｒ₂に導電層４が不連続的などに形成されている場合には、導電層４は配線としては機能しないため、図示を省略している。すなわち、残留膜の図示を省略している。

波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、１．８以下であることが好ましい。比率（Ａｍ２／λｍ２）が１．８を超えると、構造体を転写する際に剥離不良となり構造体が破壊される傾向がある。

ここで、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２は、以下のようにして求めたものである。まず、導電層４の波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。

以下、導電性素子１を構成する基体２、構造体３、導電層４、および金属層５について順次説明する。

（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルムにはシートが含まれるものと定義する。

（構造体）
図２Ａは、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。図２Ｂは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２Ｃは、図１ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２Ｄは、図２ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２Ｅは、図２ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図３、図５〜図７は、図１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。図４Ａは、図２Ａに示した第２の領域のトラック延在方向の断面図である。図４Ｂは、図２Ａに示した第２の領域のθ方向の断面図である。

第２の領域Ｒ₂における基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。これにより、第２の領域Ｒ₂における基体２の表面には波面Ｓｗ２が形成されている。構造体３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形された層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。

構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ／Ｐｍ）≦１．８
（但し、Ｈｍ：構造体３の平均高さ、Ｐｍ：構造体３の平均配置ピッチ）
（Ｈｍ／Ｐｍ）＞１．８であると、構造体３を転写する際に剥離不良となり構造体３が破壊される傾向がある。

複数の構造体３の配列としては、例えば、１次元または２次元配列を用いることができる。構造体３の配列としては、例えば、規則的または不規則的な配列を用いることができ、原盤の作製方法などに応じて上記配列のうちから適切な配列を選択することが好ましい。

構造体３は、光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光以下の配置ピッチで周期的に２次元配置されていることが好ましい。ここで、配置ピッチとは、平均配置ピッチＰを意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、構造体３の平均配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

導電性素子１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１、Ｔ２、Ｔ３、・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状または曲線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に直交する方向）のことをいう。

構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図２Ａに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（例えばＸ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。

構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図２Ａに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体３が、成形の容易さの観点から、軸対象な錐体形状、またはトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体同士が接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、またはトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。

構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図３および図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図６に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。

反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図５参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図３参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図６参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図３などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体成形されていてもよい。

また、図３、図５〜図７に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図３、図５、および図６に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図７に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

構造体３の平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）がそれぞれ、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ、振動の平均幅Ａｍ、比率（Ａｍ／λｍ）と同様であることが好ましい。

なお、平均アスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
平均アスペクト比＝Ｈｍ／Ｐｍ・・・（１）
但し、Ｈｍ：構造体の高さ、Ｐｍ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰｍは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰｍ＝（ｐ₁＋ｐ₂＋・・・＋ｐ₁₀）／１０ ・・・（２）
ｐ₁、ｐ₂・・・ｐ₁₀は、基体表面から無作為に選び出された構造体３の配置ピッチＰ１またはＰ２である。但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）

ここで、平均配置ピッチＰｍ、平均高さＨｍ、およびアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は、以下のようにして求めたものである。まず、導電性素子１を構造体３の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の配置ピッチＰ（配置ピッチＰ１またはＰ２）、および構造体３の高さＨを求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを用いて、アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）を求める。

なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性素子１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全体に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。

六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。

図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さhの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。

図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

図９Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

（導電層）
導電層４は、例えば、透明導電層などである。透明導電層は、例えば、無機透明導電膜である。導電層４は、例えば単層膜である。

無機透明導電膜は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

導電層４を構成する材料として、金属膜を含んでも良い。金属膜の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、およびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。また、導電層４が、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分として含むようにしてもよい。

第１の領域Ｒ₁における導電層４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。

［ロール原盤の構成］
図１１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に設定されている。図１１Ａおよび図１１Ｂでは、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が周方向に向かって、リング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする配線の形状、すなわち第１の領域Ｒ₁に形成する導電層４の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤１１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

図１２Ａは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図１２Ｂは、図１１Ａに示した第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ₂には、例えば、凹部である構造体１２が可視光の波長以下のピッチで多数配置され、第１の領域Ｒ₁には、例えば、凹部である構造体１２が形成されず平面状とされている。第２の領域Ｒ₂の多数の構造体３は、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように配置されている。このような六方格子パターンまたは準六方格子パターンは、後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、角速度一定（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）で適切な送りピッチでパターニングすることにより記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成することが可能である。

［露光装置の構成］
図１３は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図１３を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。

レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１１上のレジスト層へ照射される。原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図２Ａに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。

［導電性素子の製造方法］
以下、図１３〜図１６を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。

（レジスト成膜工程）
まず、図１４Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図１４Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１４Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、配線パターン部間の絶縁領域に対応する第２の領域Ｒ₂のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、配線パターン部に対応する第１の領域Ｒ₁は露光せず、非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図１５Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ₂のレジスト層１３には、六方格子パターン、または準六方格子パターンなどの開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ₁のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ₁全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ₂のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ₂では、開口部を介してエッチングが進行し、図１５Ｂに示すように、第２の領域Ｒ₂には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などの構造体（凹部）１２が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ₁では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。
以上により、目的とするロール原盤１１が得られる。

（転写工程）
次に、例えば、図１５Ｃに示すように、ロール原盤１１と転写材料１５を塗布したフィルムなどの基体２を密着させ、紫外線などを照射して転写材料１５を硬化させた後、硬化した転写材料１５と一体となった基体２を剥離する。

転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（金属層成膜工程）
次に、必要に応じて、基体表面の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂に金属層５を形成する。金属層５の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。

（導電層の成膜工程）
次に、図１６Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂に導電層４を成膜する。これにより、第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂とで異なる状態の導電層４が形成される。導電層４の成膜方法としては、例えば、ドライプロセスまたはウエットプロセスによる成膜方法を用いることができる。具体的な成膜方法としては、例えば、化学的作製法、または物理的作製法を用いることができる。化学的作製法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スプレー法、ディップ法、粉末塗布法などを挙げることができる。物理的作製法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、パルスレーザ蒸着法などを用いることができる。また、基体２を加熱しながら、導電層４を形成するようにしてもよい。次に、必要に応じて、導電層４に対してアニール処理を施す。これにより、導電層４が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（導電層の除去工程）
次に、図１６Ｃに示すように、導電層４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第２の領域Ｒ₂では導電層４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では導電層４が残留する。したがって、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４は配線として機能するのに対して、第２の領域Ｒ₂は上記配線間の絶縁領域として機能する。エッチングとしては、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上が用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いることができる。

ここで、除去とは、（１）第２の領域Ｒ₂から導電層４を完全になくすこと、（２）第２の領域Ｒ₂にて導電性を示さない程度まで導電層４を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第２の領域Ｒ₂にて導電性を示さない程度の薄さまで導電層４を薄くすることを意味する。

（洗浄工程）
次に、必要に応じて、エッチング処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。

第１の実施形態では、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体表面に対して導電層４を形成する。そして、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２に形成した導電層４の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２の波面のうち、波面Ｓｗ２上に形成された導電層４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された導電層４を残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子１を実現できる。

（変形例）
図３６Ａは、第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。図３６Ｂは、第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。図３６Ａおよび図３６Ｂに示すように、複数の構造体３が、例えば、第２の領域Ｒ₂において複数列のトラックＴ上に、これらのトラックＴに沿うようにして１次元配列されて、１次元的な波面Ｓｗ２が形成されるようにしてもよい。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。

構造体３は、例えば、一方向に向かって延在された柱状体であり、その断面形状は、例えば三角形状、頂部に曲率Ｒが付された三角形状、多角形状、半円形状、半楕円形状、放物線状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３₂の具体的形状としては、例えば、レンチキュラー形状、プリズム形状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３の高さが、トラック方向に向かって変化するようにしてもよい。また、構造体３が、トラック方向に断続するようにしてもよい。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１７Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の一部を拡大して表す平面図である。図１７Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第２の領域のトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１７Ｃは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１７Ｄは、図１７ＡのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１７Ｅは、図１７ＡのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。

第２の実施形態に係る導電性素子１は、第２の領域Ｒ₂に形成された多数の構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

トラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の延在方向（トラック方向）の高さとする。

図１８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３₁、３₂、３₃の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１７Ａ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

［ロール原盤の構成］
図１９Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した第２の領域を拡大して表す平面図である。このロール原盤は、第２の領域Ｒ₂の多数の構造体１２が、隣接する３列のトラック（例えばＴ１〜Ｔ３）間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成するように配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

このような四方格子パターン、または準四方格子パターンは、ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、角速度一定（ＣＡＶ）で適切な送りピッチでパターニングすることにより記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射によりロール原盤１１上のレジスト層に形成することが可能である。

第２の実施形態では、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜３．第３の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図２０Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２０Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図２０Ｃは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の第１の領域の層構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ₁に形成された第１の波面Ｓｗ１と、第２の領域Ｒ₂に形成された第２の波面Ｓｗ２との違い（例えば振動の平均幅の違い）を利用して、第１の領域Ｒ₁と第２の領域Ｒ₂とに成膜された導電層４のエッチング速度を変化させて、配線パターン部などを形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。

（第１の領域、第２の領域）
第２の領域Ｒ₂の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する第２の波面Ｓｗ２が形成され、この第２の波面Ｓｗ２上には導電層４が形成されていないか、もしくは導電層４が不連続的に形成されている状態となっている。また、第２の領域Ｒ₂に形成された導電層４の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能するようにしてもよい。一方、第１の領域Ｒ₁の基体表面には、例えば可視光の波長以下の波長を有する第１の波面Ｓｗ１が形成され、この第２の波面Ｓｗ１上には導電層４が連続的に形成されている。したがって、第２の領域Ｒ₂は、隣接する第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ₁に連続的に形成された導電層４は、第１の領域Ｒ₁の延在方向に向かって導電性を有し、配線パターン部（導電パターン部）として機能する。

第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３₁が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第２の構造体３₂が形成された凹凸面である。また、表面抵抗の低減の観点から、図２０Ｃに示すように、基体表面に金属層５をさらに備えることが好ましい。

導電層４は、第１の領域Ｒ₁において第１の構造体３₁による反射防止効果を阻害しないように、第１の構造体３₁の表面形状に倣って形成され、第１の構造体３₁と導電層４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。導電層４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。導電層４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。第１の構造体３₁の高さを低くした場合にも、第１の構造体３₁の反射防止効果を阻害しないような膜厚で導電層４を形成することができるからである。すなわち、第１の構造体３₁の高さを低くした場合にも、導電層４が第１の構造体３₁の形状に倣った形状を維持することができるからである。

第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、１．８以下であることが好ましい。比率（Ａｍ２／λｍ２）が１．８を超えると、第２の構造体３₂を転写する際に剥離不良となり第２の構造体３₂が破壊される傾向がある。第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きいことが好ましい。
また、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。

第２の構造体３₂の平均アスペクト比は、第１の構造体３₁の平均アスペクト比に比して大きいことが好ましい。第１の構造体３₁の平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１、平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）がそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１、比率（Ａｍ１／λｍ１）と同様であることが好ましい。第２の構造体３₂の平均配置ピッチＰｍ２、平均高さＨｍ２、平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）がそれぞれ、第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２、比率（Ａｍ２／λｍ２）と同様であることが好ましい。

具体的には、第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。より具体的には、比率（Ａｍ１／λｍ１）および比率（Ａｍ２／λｍ２）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
ここで、波面Ｓｗ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２と同様にして測定したものである。

波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。

第２の領域Ｒ₂には導電層４の一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の面積は、第２の領域Ｒ₂に形成された導電層４またはその一部の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ₁には導電層４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ２には導電層４またはその一部が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ₂に形成された導電層４またはその一部の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ₁に形成された導電層４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ₂が絶縁領域として機能するようにしてもよい。

（構造体）
第１の領域Ｒ₁に形成された第１の構造体３₁は、例えば、第２の領域Ｒ₂に形成された第２の構造体３₂と同様に、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターン、または準四方格子パターンなど規則的な格子パターンを形成する。また、後述するように、第１の構造体３₁をランダムに配列するようにしてもよい。なお、第１の領域Ｒ₁の第１の構造体３₁と第２の領域Ｒ₂の第２の構造体３₂との配置パターンは同一である必要はなく、両領域の構造体が異なる配置パターンをとるようにしてもよい。

第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３₁が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第２の構造体３₂が形成された凹凸面である。第２の構造体３₂の平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の構造体３₁の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）に比して大きいことが好ましい。具体的には、第１の構造体３₁、および第２の構造体３₂が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：第１の構造体３₁の平均高さ、Ｈｍ２：第２の構造体３₂の平均高さ、Ｐｍ１：第１の構造体３₁の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：第２の構造体３₂の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＞１．８であると、第２の構造体３₂を転写する際に剥離不良となり構造体３₂が破壊される傾向がある。

ここで、第１の構造体３₁のアスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）、および第２の構造体３₂のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の実施形態における構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）と同様にして測定したものである。
第１の構造体３₁、および第２の構造体３₂において、上記以外のことは第１の実施形態における構造体３と同様とすることができる。なお、第１の構造体３₁、および第２の構造体３₂の配置パターンや形状などは同一である必要はなく、両構造体が異なる配置パターンや形状などをとるようにしてもよい。

［ロール原盤の構成］
図２１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図２１Ｂは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第３の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の両領域にそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２を備える点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤１１の第２の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第１の構造体１２₁を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第２の構造体１２₂を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２は、基体２の第１の波面ＳＷ１、第２の波面Ｓｗ２の凹凸を反転して形状を有している。

ロール原盤１１の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ₁に形成された凹状の構造体１２₁は、基体２の第１の領域Ｒ₁に形成された凸状の構造体３₁を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ₂に形成された凹状の構造体１２₂は、基体２の第２の領域Ｒ₂に形成された凸状の構造体３₂を形成するためのものである。第２の構造体１２₂のアスペクト比は、第１の構造体１２₁のアスペクト比に比して大きいことが好ましい。

第３の実施形態におけるエッチング工程では、導電層４が形成された基体表面に対してエッチング処理を施すことにより、第２の領域Ｒ₂では導電層４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ₁では導電層４が残留する。具体的には、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４を実質的に除去するのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された導電層４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４を除去して島状などに不連続にするのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された導電層４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。

また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された導電層４の厚さを第１の波面Ｓｗ１上に形成された導電層４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に導電パターン部を選択的に形成することができる。

第３の実施形態では、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の両領域に構造体３₁および構造体３₂を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、配線として機能する第１の領域Ｒ₁の導電層４は、第１の領域Ｒ₁に形成された構造体３₁の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。

変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面を基体表面に形成し、その基体表面上に導電層を形成することで、基体２の波面の変調の違いに応じて、導電層の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面の変調の違いに応じて、エッチング溶液に対する導電層４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。

基体表面の波面をナノ構造体により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。

導電層からなる配線を基体表面に形成する従来の情報入力装置（例えば、デジタル式抵抗タッチパネルや静電容量式タッチパネルなど）では、導電層と基材とは反射率が異なるため、配線が見えて表示品質が劣化する傾向がある。これに対して、本発明の実施形態に係る情報入力装置では、導電層の有無にかかわらず、低反射および高透過率を実現しているため、配線の視認を抑制できる。

＜４．第４の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第４の実施形態に係る導電性素子１は、基体２の両主面に第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂を設定し、両領域のうち第１の領域Ｒ₁にのみ連続的に導電層４を形成することで、基体両面に配線を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。また、図２２Ｂに示すように、基体２に第１の領域Ｒ₁にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの配線を電気的に接続するようにしてもよい。

第４の実施形態では、基体２の両面に配線を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路を導電性素子１に搭載することが可能となる。

＜５．第５の実施形態＞
［ディスク状原盤の構成］
図２３Ａは、本発明の第５の実施形態に係るディスク状原盤の一構成例を示す平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示したディスク状原盤の一部を拡大して表す平面図である。
第５の実施形態は、ディスク状原盤４１の表面に第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂を設定し、第２の領域Ｒ₂に凹状の構造体１２を多数形成している点において第１の実施形態とは異なっている。なお、図２３Ａおよび図２３Ｂでは、円環状を有する第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂を交互に形成する例が示されているが、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂の形状はこれに限定されるものではなく、所望とする配線の形状に応じて種々の形状に設定可能である。

［露光装置の構成］
まず、図２４を参照して、上述した構成を有するディスク状原盤４１を作製するための露光装置について説明する。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、ディスク状原盤４１上のレジスト層へ照射される。原盤４１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤４１の回転半径方向に移動させながら、原盤４１上のレジスト層へレーザー光を照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

図２４に示した露光装置においては、レジスト層に対して六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１４の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４１は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４１の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１４の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。

更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１４の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいて配置ピッチＰ１が所定値（例えば３３０ｎｍ、３１５ｎｍ、または３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１４の周波数変調を行う。即ち、トラック位置がディスク状原盤４１の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。

［導電性素子の製造方法］
上述した構成を有する露光装置を用いて、ディスク状原盤４１上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にして導電性素子１を作製することができる。

この第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜６．第６の実施形態＞
図２５Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２５Ｂは、本発明の第６の実施形態に係る導電性素子の第２の領域の一部を拡大して表す斜視図である。第６の実施形態に係る導電性素子１は、凹部である構造体３が基体表面の第２の領域Ｒ₂に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第６の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。
この第６の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

この第６の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜７．第７の実施形態＞
図２６Ａは、本発明の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図２６Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第７の実施形態に係る導電性素子は、多数の構造体３がランダムに配置されている点において、第１の実施形態とは異なっている。構造体３の配置ピッチはランダムに変化するが、その配置ピッチは可視光の波長以下とすることが好ましい。基体表面に配置される構造体３は、同一の大きさおよび／または形状に限定されるものではなく、２種以上の異なる大きさおよび／または形状を有していてもよい。構造体３は、２次元的または３次元的にランダムに形成されていることが好ましい。ここで、２次元的にランダムとは、導電性素子１の面内方向にランダムであることをいう。また、３次元的にランダムとは、導電性素子１の面内方向にランダムであると共に、導電性素子１の厚さ方向にもランダムであることをいう。

＜８．第８の実施形態＞
図２７は、本発明の第８の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図２７に示すように、液晶表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の基材１０１および第２の基材１１１と、第１の基材１０１および第２の基材１１１の間に配置された液晶層１２１とを備える。

第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第１の基材１０１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第２の領域Ｒ₂における第１の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁には、構造体が形成されず平面状とされ、例えば透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）１０２がストライプ状に形成されている。

第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第２の基材１１１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第２の領域Ｒ₂における第２の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば透明導電層が不連続的に島状などに形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁には、構造体が形成されず平面とされ、例えば透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）１１２がストライプ状に多数形成されている。

第１の基材１０１および第２の基材１１１の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材１０１の横電極１０２と第２の基材１１１の縦電極１１２とは互いに直交する関係にある。

第８の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用して液晶表示素子の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。

また、上述の第３の実施形態のように、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、横電極１０２および縦電極１１２として機能する第１の領域Ｒ₁の透明導電層は、第１の領域Ｒ₁に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。

＜９．第９の実施形態＞
図２８は、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。図２８に示すように、表示装置２０２上にタッチパネル（情報入力装置）２０１が設けられている。表示装置２０２とタッチパネル２０１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル２０１の表面にフロントパネル（表面部材）２０３をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル２０１とフロントパネル（表面部材）２０３とは、例えば粘着剤により貼り合わされる。

表示装置２０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。タッチパネル３０２は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。

図２９Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２０１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の基材２１１と第２の基材２２１とを備える。

図２９Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２２１は第１の基材２１１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第１の基材２１１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第２の領域Ｒ₂における第１の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁における第１の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、例えば透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２１２がストライプ状に形成されている。

第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第２の基材２２１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第２の領域Ｒ₂における第２の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁における第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、例えば透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、連続的に形成された透明導電層からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）２２２がストライプ状に多数形成されている。

第１の基材２１１および第２の基材２２１の第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材２１１の横電極２１２と第２の基材２２１１の縦電極２２１とは互いに直交する関係にある。

図３０Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投射型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２３１と第２の基材２４１とを備える。

図３０Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２４１は第１の基材２３１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ₁の間は第２の領域Ｒ₂により隔てられている。第２の基材２４１の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ₁の間は第２の領域Ｒ₂により隔てられている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における第１の基材２３１および第２の基材２４１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。

第１の基材２３１の第１の領域Ｒ₁は、所定形状の単位領域Ｃ₁をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ₂は、所定形状の単位領域Ｃ₂をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基材２４１の第１の領域Ｒ₁は、所定形状の単位領域Ｃ₁をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ₂は、所定形状の単位領域Ｃ₂をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ₁および単位領域Ｃ₂の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

第２の領域Ｒ₂における第１の基材表面または第２の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば透明導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁における第１の基材表面または第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、例えば透明導電層が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３２が配列されている。また、第２の基材２４１の両主面のうち、第１の基材２３１に対向する一主面には、透明導電層からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４２が配列されている。横電極２３２および縦電極２４２は、第１の領域Ｒ₁と同様の形状を有する。

第１の基材２３１の横電極２３２と第２の基材２４１の縦電極２４２とは互いに直交する関係にある。第１の基材２３１と第２の基材２４１とを重ね合わせた状態において、第１の基材２３１の第１の領域Ｒ₁と、第２の基材２４１の第２の領域Ｒ₂とが重ね合わされ、第１の基材２３１の第２の領域Ｒ₂と、第２の基材２４１の第１の領域Ｒ₁とが重ね合わされる。したがって、タッチパネル２０１を入力面側から見た場合には、複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３２と複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４２とが重ならず、一主面に敷き詰められて細密充填された状態として見える。

第９の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してタッチパネル２０１の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。

また、上述の第３の実施形態のように、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。したがって、例えば、電極の視認を抑制することができる。このような構成とする場合、電極として機能する第１の領域Ｒ₁の透明導電層は、第１の領域Ｒ₁に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止効果および／または透過特性向上の効果の低下を抑制することができるからである。

＜１０．第１０の実施形態＞
図３１Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図３１Ｂは、図３１Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。このＩＣカードは、いわゆる非接触型ＩＣカードであり、基材３０１と、アンテナコイル３０２と、ＩＣチップ３０３とを備える。アンテナコイル３０２の両端がＩＣチップ３０３に対して接続されている。また、基材３０１の両面には外装材（図示省略）が設けられている。

基材３０１の形状としては、フィルム状、シート状、基板状を用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、ＩＣカード１に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。基材１０２の材料としては、耐久性や利便性などの観点から、フレキシブル性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステルを用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。

基材３０１の一主面の周縁部には、例えば、第１の領域Ｒ₁と第１の領域Ｒ₂とが交互に螺旋状に形成されている。第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂における基材３０１の表面構造は、上述の第１〜第７の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第２の領域Ｒ₂における基材表面は、例えば微細ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば導電層が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第１の領域Ｒ₁における基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、例えば導電層が連続的に形成されている。したがって、基材３０１の一主面の周縁部には、連続的に形成された導電層からなるアンテナコイル３０２が第１の領域Ｒ₁の形状に倣って形成されている。なお、上述の第３の実施形態のように、第１の領域Ｒ₁および第２の領域Ｒ₂のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。

外装材は、ＩＣカードの表面および裏面を構成するものであり、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチルテレフタレート）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール、配向ＰＥＴなどの高分子材料を主成分とするが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。

アンテナコイル３０２は、基材３０１上に複数回巻回されて形成されたループコイル形状の電磁誘導コイルであり、その両端はＩＣチップ３０３に接続されている。アンテナコイル１０３は、リーダ／ライタから発せられる交流磁界を受信して交流電圧を誘起し、その交流電圧をＩＣチップ３０３に供給する。

ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル３０２から供給される電力により駆動し、ＩＣカード１内の各部を制御する。例えば、ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル５を介してリーダ／ライタと通信を行う。具体的には、リーダ／ライタとの相互認証やデータのやり取りなどを行う。

第１０の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してＩＣカードのアンテナコイル３０２を作製することができる。したがって、エッチングなどを用いずにアンテナコイル３０２を作製することができるので、ＩＣカードの生産性を向上することができる。

＜１１．第１１の実施形態＞
図３２Ａは、本発明の第１１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３２Ｂは、図３２Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図３２Ｃは、図３２Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第１１の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所または対向する箇所には同一の符号を付す。この表示装置４００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子４０１と、第１の導電性素子４０１と対向配置された第２の導電性素子４０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。

マイクロカプセル層４０３は、多数のマイクロカプセル４３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。

第１の導電性素子４０１は、第２の導電性素子４０２と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ１上に形成された導電層４とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層４１１を介して、基体２をガラスなどの支持体４１２に貼り合わせるようにしてもよい。第２の導電性素子４０２は、第１の導電性素子４０１と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ１上に形成された導電層４とを備える。

第１の導電性素子４０１、および第２の導電性素子４０２が有する導電層４は、電子ペーパー４００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
この第１１の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。

以下、試験例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの試験例のみに限定されるものではない。

以下の試験例、および実施例では、導電性シートの表面抵抗は４端子抵抗測定機にて測定した。なお、プローブ先端針の径はＲ１００μｍとし、針のピッチは１ｍｍとした。

（試験例１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面に凸状のナノ構造体が多数形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２７０ｎｍ、構造体の高さは１６０ｎｍであった。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シート上にＩＴＯ膜を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ膜を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ膜の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ膜を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。次に、ＩＴＯ膜の表面抵抗値を４端針法にて測定したところ、表面抵抗値は３５０Ω／□であった。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施した光学シートを純水により洗浄した。次に、光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定したところ、その表面は絶縁されていた。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例２）
ナノ構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、ナノ構造体の高さを１９０ｎｍとする以外は試験例１と同様にして光学シートを得た。なお、ＩＴＯ膜のアニール工程後において試験例１と同様にして光学シートの表面抵抗を測定したところ、その値は５５０Ω／□であった。また、洗浄工程後において試験例１と同様にして光学シートの表面抵抗を測定したところ、その表面は絶縁されていた。

（試験例３）
構造体をＰＥＴシート上に形成せず、ＰＥＴシートの平滑面上にＩＴＯ膜を形成する以外は試験例１と同様にして光学シートを得た。なお、ＩＴＯ膜のアニール工程後において試験例１と同様にして光学シートの表面抵抗を測定したところ、その値は２００Ω／□であった。また、洗浄工程後において試験例１と同様にして光学シートの表面抵抗を測定したところ、その抵抗値は２００Ω／□であった。

（反射特性評価）
試験例２に係る光学シートについて、上述の除去工程前後の分光スペクトルを測定した。その結果を図３３に示す。

表１は、試験例１〜３に係る光学シートの構成および評価結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
構造体上にＩＴＯ膜を形成した試験例１、２では、エッチング前後で光学シート表面の表面抵抗が大きく変化し、光学シート表面は導通状態から絶縁状態に変化している。これに対して、平滑面上ＩＴＯ膜を形成した試験例３では、エッチング前後で光学シート表面抵抗が変化せず、導通状態が維持されている。

図３３から以下のことがわかる。
エッチング工程前には、ＩＴＯに起因する短波長帯域の反射率増加が確認されているのに対して、エッチング工程後には、上記短波長帯域の反射率増加が確認されず、波長帯域３５０〜８００ｎｍにてほぼスラットな分光スペクトルが得られている。

以上の評価結果を総合すると、試験例１、２に係る光学シートでは、エッチング後にはＩＴＯ膜が光学シート表面から除去されているのに対して、試験例３に係る光学シートでは、エッチング後にもＩＴＯ膜が薄膜状を維持して残留している。したがって、光学シート表面の構造体の有無を利用して、配線などの導電パターン部を基体表面に形成できる。また、光学シート表面の波面および平面の違いを利用して、配線などの導電パターン部を基体表面に形成できる。

（実施例１）
（転写工程）
まず、図３４Ａに示すように、ナノ構造体形成領域（第１の領域）Ｒ₁と平面領域（第２の領域）Ｒ₂とが成形面にストライプ状に形成された石英マスタを準備した。次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面のうち、ナノ構造体形成領域（第１の領域）Ｒ₁には凸状のナノ構造体が多数形成されるのに対して、平面領域（第２の領域）Ｒ₂には平坦面が形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２５０ｎｍ、構造体の高さは２００ｎｍ、構造体の形状は円錐台、構造体の配列は六方配置であった。

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ膜を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ膜を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ膜の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ膜を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施した光学シートを純水により洗浄した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。

（導通／非導通評価）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの表面について、テスターを用いて導通および非導通を、図３４Ｂに示すポイントで評価した。その評価結果を表２に示す。

表２は、実施例１に係る透明導電性シートの評価結果を示す。

表２から以下のことがわかる。
透明導電性シート表面のうちナノ構造体形成領域（第１の領域）Ｒ₁は絶縁状態となるのに対して、平面領域（第２の領域）Ｒ₂は導通状態となる。したがって、インプリント工程、成膜工程およびエッチング工程を順次行うだけで、配線や電極などの所望の導電パターン部を基体表面に形成できる。すなわち、スループットを向上することができる

（試験例４−１）
（成膜工程）
まず、平滑な表面を有するＰＥＴシートを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＴシート上にＩＴＯ膜を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２０：１とした。また、ＩＴＯ膜の膜厚が３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ膜を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ膜の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ膜を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例４−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、試験例４−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ膜を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ膜をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例４−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例４−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例４−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例４−６）
浸漬時間を５０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例４−７）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例５−１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ナノ構造体が多数表面に形成されたＰＥＴシートが得られた。
以下に、ＰＥＴシート表面に形成されたナノ構造体の構成の詳細を示す。
構造体の配列：六方格子配列
構造体の凹凸形状：凸状
構造体の全体形状：円錐台
構造体の配置ピッチ：２５０ｎｍ
構造体の高さ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比：０．３６

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面上にＩＴＯ膜を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ₂ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ₂＝２０：１とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面にＩＴＯ膜を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ膜を形成したときの膜厚である。本発明者の知見によれば、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ膜を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ膜の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ膜を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例５−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、試験例５−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ膜を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ膜をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例５−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は試験例５−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例６−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は試験例５−１と同様にして光学シートを得た。

（試験例６−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は試験例５−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例６−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は試験例５−３と同様にして光学シートを得た。

（試験例７−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は試験例５−１と同様にして光学シートを得た。

（試験例７−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は試験例５−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例７−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は試験例５−３と同様にして光学シートを得た。

（試験例８−１）
（成膜工程、アニール工程）
以下のプレズムシートを用いる以外は試験例５−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ膜を有するプリズムシートを作製した。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
以下に、プレズムシートの構成の詳細を示す。
プリズム（構造体）の配列：１次元配列
プリズムの凹凸形状：凸状
プリズムの形状：断面２等辺三角形状の柱状体
プリズムの配置ピッチ：１０μｍ
プリズムの高さ：５μｍ
プリズムのアスペクト比：０．５０

（試験例８−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、試験例８−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ膜を有するプリズムシートを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したプリズムシートを、ＰＨ３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ膜をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。

（試験例８−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例８−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（試験例８−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は試験例４−２と同様にして光学シートを得た。

（表面抵抗）
上述のようにして得られた試験例１−１〜８−５の光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表３に示す。

（初期変化率の逆数）
上述のようにようにして得られた試験例１−１〜８−５の光学シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表４および図３５に示す。
（初期変化率の逆数）＝（エッチング前のサンプルの表面抵抗）／（エッチング後のサンプルの表面抵抗）

表３、表４および図３５から以下のことがわかる。
平坦面上にＩＴＯ膜を形成した試験例４−１〜４−７では、エッチングによりＩＴＯ膜の膜厚に殆ど変化せず、表面抵抗がほぼ一定となる傾向がある。これに対して、多数の構造体上にＩＴＯ膜を形成した試験例５−１〜５−３、試験例６−１〜６−３、試験例７−１〜７−３では、エッチングによりＩＴＯ膜の膜厚が急激に減少し、表面抵抗が急激に上昇する傾向がある。
ミクロンオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した試験例８−１〜８−５でも、
ナノオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した試験例５−１〜５−３、試験例６−１〜６−３、試験例７−１〜７−３と同様の傾向を示す。

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の導電性素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、多層の導電性素子に対しても適用可能である。

また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。

また、上述の実施形態では、液晶表示素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式の種々の表示素子（例えばＥＬ素子、電子ペーパーなど）に対しても適用可能である。

また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対して本発明を適用した例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投射型静電容量方式タッチパネルに対しても本発明は適用可能である。

また、上述の実施形態では、電子機器の例として表示装置や情報入力装置に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、表示素子や配線素子（例えばプリント基板）などを備える種々の電子機器に対して適用可能である。

１ 導電性素子
２ 基体
３ 構造体
４ 導電層
５ 金属層
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
４１ ディスク状原盤

Claims (23)

1. 第１の波面および第２の波面を有する基体と、
   上記第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記第２の波面が形成されている第２の領域の面積は、上記第１の波面が形成されている第１の領域の面積以上であり、
   上記導電層は、導電パターン部を形成し、
   上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
   （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
   Ｓ１＞Ｓ２
   （但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
2. 第１の波面および第２の波面を有する基体と、
   上記第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記第１の波面上に形成された導電層は、上記第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第２の波面上に形成された残留膜は、上記第２の波面上に不連続的に形成され、
   上記導電層は、導電パターン部を形成し、
   上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
   （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
   Ｓ１＞Ｓ２
   （但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
3. 第１の波面および第２の波面を有する基体と、
   上記第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記導電層は、導電パターン部を形成し、
   上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
   （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
   ｄ１＞ｄ２
   （但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
4. 可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
   上記第１の波面、および上記第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記第２の波面が形成されている第２の領域の面積は、上記第１の波面が形成されている第１の領域の面積以上であり、
   上記導電層が、導電パターン部を形成し、
   上記第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、上記第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   Ｓ１＞Ｓ２
   （但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
5. 可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
   上記第１の波面、および上記第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記第１の波面上に形成された導電層は、上記第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第２の波面上に形成された残留膜は、上記第２の波面上に不連続的に形成され、
   上記導電層が、導電パターン部を形成し、
   上記第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、上記第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   Ｓ１＞Ｓ２
   （但し、Ｓ１：導電層の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
6. 可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体と、
   上記第１の波面、および上記第２の波面のうち該第１の波面上に形成された導電層と、
   上記第２の波面上に形成された、上記導電層の一部からなる残留膜と
   を備え、
   上記導電層が、導電パターン部を形成し、
   上記第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、上記第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
   上記導電層、および上記残留膜が、以下の関係を満たす導電性素子。
   ｄ１＞ｄ２
   （但し、ｄ１：導電層の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
7. 上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性素子。
   （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
8. 上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第１の波面の平均波長λ１が、可視光の波長以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性素子。
   ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
9. 上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
   上記第２の波面の平均波長λ２が、１００ｎｍ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性素子。
   （Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
10. 上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
    上記第１の波面の平均波長λ１、および上記第２の波面の平均波長λ２が、１００ｎｍ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性素子。
    ０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
11. 上記第１の波面上に形成された導電層は、上記第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第２の波面上に形成された残留膜は、上記第２の波面上に不連続的に形成されている請求項１、３、４または６に記載の導電性素子。
12. 上記導電層の表面抵抗が、５０００Ω／□以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性素子。
13. 上記導電層は、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性素子。
14. 上記導電層は、透明酸化物半導体を含んでいる請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性素子。
15. 上記透明酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛である請求項１４記載の導電性素子。
16. 上記導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項１４記載の導電性素子。
17. 上記導電パターン部が、配線パターン部である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性素子。
18. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
19. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
20. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
21. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
22. 第１の波面および第２の波面を有する基体表面に対して、導電層を形成する工程と、
    上記第２の波面に形成された上記導電層を除去し、上記第１の波面に上記導電層からなる導電パターン部を形成する工程と
    を備え、
    上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
    ０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
    （但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
23. 可視光の波長以下の波長を有する第１の波面と、第２の波面とを有する基体表面に対して、導電層を形成する工程と、
    上記第２の波面に形成された上記導電層を除去し、上記第１の波面に上記導電層からなる導電パターン部を形成する工程と
    を備え、
    上記第２の波面の振動の平均幅Ａｍ２は、上記第１の波面の振動の平均幅Ａｍ１に比して大きく、
    上記第２の波面の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ１）が、１．８以下である導電性素子の製造方法。

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