JP2013182518A - 導電性光学素子、入力装置および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】視認性の優れた光学調整機能を有する導電性光学素子を提供する。
【解決手段】導電性光学素子は、第１面および第２面を有する基体と、第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、第１構造体上に設けられた透明導電層とを備える。第２構造体の高さが第１構造体の高さよりも高い。
【選択図】図１

Description

本技術は、導電性光学素子、入力装置および表示装置に関する。詳しくは、反射防止機能を有する導電性光学素子に関する。

近年、携帯電話や携帯音楽端末などのモバイル機器にタッチパネルが搭載されるケースが増えている。タッチパネルは、指やペンなどにより接触が行われた場所の位置検出を行うための入力装置である。このようなタッチパネルには、抵抗膜型や静電容量型などがあるが、モバイル機器には静電容量型が非常に多く用いられている。

タッチパネルには、透明導電層を基体の平坦面上に形成した導電性光学素子が用いられている。この導電性光学素子に使用されている透明導電層の材料としては、屈折率が約２．０程度である高屈折率材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide））が用いられている。このため、透明導電層の厚さによっては反射率が高くなってしまい、表示装置および入力装置の品質を損ねてしまうことがある。

従来、導電性光学素子の反射防止特性を向上するためには、光学多層膜を形成する技術が用いられている。例えば特許文献１では、基材と透明導電層との間に光学多層膜を設けたタッチパネル用の導電性光学素子が提案されている。

特開２００３−１３６６２５号公報

しかしながら、近年では、タッチパネルを備えたモバイル機器の視認性のさらなる向上が要求されている。この要求に応えるべく、導電性光学素子自体の光学調整機能をさらに向上する要求が高まっている。

したがって、本技術の目的は、視認性の優れた光学調整機能を有する導電性光学素子、入力装置および表示装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
第１面および第２面を有する基体と、
第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
第２構造体の高さが第１構造体の高さよりも高い、反射防止機能を有する導電性光学素子である。

第２の技術は、
反射防止機能を有する、少なくとも１つの導電性光学素子を備え、
導電性光学素子は、
第１面および第２面を有する基体と、
第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
第２構造体の高さが第１構造体の高さよりも高い入力装置である。

第３の技術は、
表示部と、
反射防止機能を有する導電性光学素子を有する入力装置と
を備え、
導電性光学素子は、
第１面および第２面を有する基体と、
第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
表示面と入力装置との間に媒質層が設けられ、
第２構造体の高さが第１構造体の高さよりも高い表示装置である。

本技術によれば、基体の第１面に可視光の波長以下のピッチで複数の構造体を設け、基体の第２面に可視光の波長以下のピッチで複数の構造体を設けているので、基体の第１面および第２面の両方に、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を付与することができる。

また、第２面の構造体の高さを第１面の構造体の高さよりも高くしているので、第１面における透明導電層の表面抵抗の上昇を抑制しつつ、第２面における光学調整機能を向上することができる。

以上説明したように、本技術によれば、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を有する導電性光学素子を実現できる。この導電性光学素子を入力装置または表示装置に備えた場合には、入力装置または表示装置の視認性を向上することができる。

図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図２Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子のＸ電極およびＹ電極の一構成例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図３Ａは、図２Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図４Ａは、導電性光学素子のうち電極が設けられた電極領域Ｒ１を拡大して示す断面図である。図４Ｂは、導電性光学素子のうち電極間に設けられた絶縁領域Ｒ２を拡大して示す断面図である。 図５Ａは、光学層の表面形状の一例を示す斜視図である。図５Ｂは、光学層の表面に形成された複数の構造体の配列の一例を示す平面図である。 図６は、構造体４の境界が不明瞭な場合の比率Ｒ_sの算出方法について説明するための図である。 図７Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図７Ｃは、図７ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。 図８は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図９Ａ〜図９Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１０Ａ〜図１０Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１１Ａ〜図１１Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１２は、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の変形例を示す平面図である。 図１３Ａは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の変形例を示す平面図である。図１３Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の変形例を示す断面図である。 図１４は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図１５は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す分解斜視図である。 図１６は、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図１７は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の平面図である。 図１８は、情報入力装置の電極群の構成を示す平面図である。 図１９は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２０は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２１は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２２は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２３は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２４は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２５は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の変形例の平面図である。 図２６は、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図２７は、本技術の第６の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図２８は、本技術の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図２９は、本技術の第８の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図３０は、本技術の第９の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。 図３１は、本技術の第１０の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
（１）第１の実施形態（１つの導電性光学素子を備える情報入力装置の例）
（２）第２の実施形態（２つの導電性光学素子を備える情報入力装置の例）
（３）第３の実施形態（１つの導電性光学素子を備える情報入力装置の例）
（４）第４の実施形態（１つの導電性光学素子を備える情報入力装置の例）
（５）第５の実施形態（シールド層を設けた情報入力装置の例）
（６）第６の実施形態（シールド層を設けた情報入力装置の例）
（７）第７の実施形態（シールド層を設けた情報入力装置の例）
（８）第８の実施形態（裏面側の凹凸面にシールド層を設けた情報入力装置の例）
（９）第９の実施形態（裏面側の凹凸面にシールド層を設けた情報入力装置の例）
（１０）第１０の実施形態（２つの導電性光学素子を備える情報入力装置の例）

＜１．第１の実施形態＞
図１は、本技術の第１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。情報入力装置１０１は、図１に示すように、表示装置１０２の表示面Ｓ１上に設けられている。情報入力装置１０１と表示装置１０２との間には媒質層１０が設けられている。

媒質層１０としては、例えば、固体層、液体層または気体層を用いることができ、リワーク性の観点からすると、気体層が好ましい。ここで、リワーク性とは、情報入力装置１０１を表示装置１０２から取り外して、情報入力装置１０１の各部材を再利用することができる特性のことを意味する。固体層としては、例えば、粘着剤層などの貼合層を用いることができる。気体層としては、空気層を用いることができる。ここで、固体には、ゲル状などの半固体も含まれる。

情報入力装置１０１が適用される表示装置１０２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

［情報入力装置の構成］
情報入力装置１０１は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、図１に示すように、導電性光学素子１と、導電性光学素子１の表面に貼合層７を介して設けられたトッププレート６とを備える。

（導電性光学素子）
導電性光学素子１は、対向する表面（第１面）および裏面（第２面）を有する光学層２と、光学層２の表面に設けられた透明導電層３とを備える。導電性光学素子１の裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、導電性光学素子１は表示装置１０２の表示面Ｓ１に設けられている。ここで、表面とは、情報入力装置１０１の入力面Ｓ２側となる面（第１面）を意味し、裏面とは、表面とは反対側となる、表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向する側の面（第２面）を意味する。

光学層２の表面は、可視光の波長以下のピッチで構造体（第１構造体）４が設けられた凹凸面であり、光学層２の裏面は、可視光の波長以下のピッチで構造体（第２構造体）５が設けられた凹凸面である。このような凹凸面を光学層２の両面に設けることで、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を導電性光学素子１の両面に付与することができる。したがって、視認性に優れた情報入力装置１０１およびそれを備えた表示装置１０２を実現することができる。ここで、光学調整機能とは、透過特性および／または反射特性の光学調整機能を示す。透明導電層３は、光学層２の凹凸面（表面）に倣うように設けられていることが好ましい。光学層２は、例えば、可視光に対して透明性を有しており、その屈折率ｎは、好ましくは１．４０以上２．００以下、より好ましくは１．４３以上２．００以下の範囲内であることが好ましい。

（電極）
図２Ａは、導電性光学素子のＸ電極およびＹ電極の一構成例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。透明導電層３は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、パターニングされており、Ｘ電極（第１電極）３およびＹ電極（第２電極）４を構成している。ここでは、導電性光学素子１の表面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その表面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。

Ｘ電極３およびＹ電極４の形状としては、例えば、ストライプ状（直線状）、所定形状を有する複数のパッド部（単位電極体）を直線状に連結した形状などが挙げられるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。なお、図２Ａでは、Ｘ電極３およびＹ電極４の形状として、菱形状（ダイヤモンド形状）の複数のパッド部を直線状に連結した形状を採用した例が示されている。

Ｘ電極１１は、光学層２の表面においてＸ軸方向（第１方向）に延在されているに対して、Ｙ電極１２は、光学層２の表面においてＹ軸方向（第２方向）に向かって延在されている。したがって、Ｘ電極１１とＹ電極１２とは直交するように交差している。Ｘ電極１１とＹ電極１２とが交差する交差部Ｃには、両電極間を絶縁するための透明絶縁層１３が介在されている。Ｘ電極１１およびＹ電極１２の一端にはそれぞれ、取り出し電極１４が電気的に接続され、この取り出し電極１４と駆動回路（図示省略）とがＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１５を介して接続されている。

図３Ａは、図２Ａに示した交差部Ｃの付近を拡大して示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示したＡ−Ａ線に沿った断面図である。図３Ａに示すように、Ｘ電極１１は、複数のパッド部（第１単位電極体）１１ａと、複数のパッド部１１ａ同士を連結する複数の連結部（第１連結部）１１ｂとを備える。連結部１１ｂは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部１１ａの端部同士を連結する。図３Ａに示すように、Ｙ電極１２は、複数のパッド部（第２単位電極体）１２ａと、複数のパッド部１２ａ同士を連結する複数の連結部（第２連結部）１２ｂとを備える。連結部１２ｂは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合うパッド部１２ａの端部同士を連結する。

図３Ｂに示すように、交差部Ｃでは、連結部１２ｂ、透明絶縁層１３、連結部１１ｂがこの順序で光学層２の表面に積層されている。連結部１１ｂは、透明絶縁層１３を横断して跨ぐように形成され、透明絶縁層１３を跨いだ連結部１１ｂの一端が、隣り合うパッド部１１ａの一方と電気的に接続され、透明絶縁層１３を跨いだ連結部１１ｂの他端が、隣り合うパッド部１１ａの他方と電気的に接続される。

パッド部１１ａと連結部１１ｂとは、別形成されている。パッド部１２ａと連結部１２ｂとは、一体的に形成されている。パッド部１１ａ、パッド部１２ａおよび連結部１２ｂは、例えば、透明導電層３からなり、連結部１１ｂは、例えば、導電層からなる。以下、これらの透明導電層および導電層について説明する。

（透明導電層）
パッド部１１ａおよびパッド部１２ａを構成する透明導電層３は、透明導電材料を主成分としている。透明導電材料としては、導電性の観点からすると、透明酸化物半導体を用いることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。透明酸化物半導体は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

パッド部１１ａおよびパッド部１２ａを形成する透明導電層３の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。ここで、透明導電層３の表面抵抗は、４端子測定（ＪＩＳ Ｋ ７１９４）により求めたものである。透明導電層３の比抵抗は、１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。

（導電層）
連結部１１ｂを構成する導電層としては、例えば、金属層または透明導電層を用いることができる。金属層は、金属を主成分として含んでいる。金属としては、導電性の高い金属を用いるこことが好ましく、このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｂ、不純物添加Ｓｉなどが挙げられるが、導電性の高さ、ならびに成膜性および印刷性などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属層の材料として導電性が高い金属を用いることにより、連結部１１ｂの幅を狭くし、その厚さを薄くし、その長さを短くすることが好ましい。これにより視認性を向上することができる。

透明導電層は、透明導電材料を主成分として含んでいる。透明導電材料としては、パッド部１１ａ、パッド部１２ａおよびパッド部１２ｂと同様のものを用いることができる。導電層として透明導電層を用いる場合には、連結部１１ｂが透明を有するために、導電層として金属層を用いる場合よりも連結部１１ｂの幅を広くするようにしてもよい。

（パッド部）
パッド部１１ａおよびパッド部１２ａの形状としては、例えば、菱形、星形、矩形、および十字形などを用いることができるが、これらの形状に限定されるものではない。パッド部１１ａおよびパッド部１２ａが菱形を有する場合には、情報入力装置１０１を入力面（タッチ面）Ｓ２側からみると、菱形を有するパッド部１１ａおよびパッド部１２ａが敷き詰められて、最密充填された状態となっていることが好ましい。具体的には、菱形を有するパッド部１１ａおよびパッド部１２ａは、対向する２組の角部を有し、一方の組の角部がＸ軸方向を向き、他方の組の角部がＹ軸方向を向くように敷き詰められていることが好ましい。これにより、情報入力装置１０１の光学特性を面内でほぼ同様にすることができる。

（連結部）
連結部３ａの形状としては矩形状を採用することができるが、連結部１１ｂの形状は隣り合うパッド部１１ａ同士を連結可能な形状であればよく特に矩形状に限定されるものではない。矩形状以外の形状の例としては、線状、長円状、三角形状、不定形状などを挙げることができる。また、隣り合うパッド部１１ａ同士およびパッド部１２ａ同士を、複数の連結部１１ｂおよび連結部１２ｂにより連結するようにしてもよい。また、連結部１１ｂおよび連結部１２ｂの構造をメッシュ構造とすることも可能である。

（透明絶縁層）
透明絶縁層１３は、連結部１１ｂと連結部１２ｂとが交差する部分より大きな面積を有していることが好ましく、例えば、交差部Ｃに位置するパッド部１１ａおよびパッド部１２ａの先端に被さる程度の大きさを有している。

透明絶縁層１３は、透明絶縁材料を主成分として含んでいる。透明絶縁材料としては、透明性を有する高分子材料を用いることが好ましく、このような材料としては、例えば、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂を使用することも可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。また、（メタ）アクリルとは、アクリル系樹脂またはメタアクリル系樹脂を意味する。

透明絶縁層１３の体積抵抗率は１０¹²Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。透明絶縁層１３の形状は、交差部ＣにおいてＸ電極１１とＹ電極１２との間に介在し、両電極の電気的接触を防ぐことが可能な形状であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、四角形などの多角形、楕円形、円形などを挙げることができる。四角形としては、例えば、長方形、正方形、菱形、台形、平行四辺形、角に曲率Ｒが付された矩形状が挙げられる。

（電極の形状）
図４Ａは、導電性光学素子のうち電極が設けられた電極領域Ｒ１を拡大して示す断面図である。図４Ｂは、導電性光学素子のうち電極間に設けられた絶縁領域Ｒ２を拡大して示す断面図である。導電性光学素子１には、光学層２の凹凸面がＸ電極１１およびＹ電極１２（すなわち透明導電層３）により覆われた電極領域Ｒ１と、光学層２の凹凸面がＸ電極１１およびＹ電極１２（すなわち透明導電層３）により覆われず露出した絶縁領域Ｒ２とがある。絶縁領域Ｒ２は、透明導電層３により構成されるＸ電極１１およびＹ電極１２の間を絶縁する絶縁領域として機能する。

Ｘ電極１１およびＹ電極１２を構成する透明導電層３は、光学層２の凹凸面（表面）に倣うように設けられていることが好ましい。これにより、波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、Ｘ電極１１およびＹ電極１２の視認を抑制することができる。透明絶縁層１３も、光学層２の凹凸面（表面）に倣うように形成されていることが好ましい。これにより、波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、透明絶縁層１３の視認を抑制することができる。

交差部Ｃにおいて、積層された連結部１２ｂ、透明絶縁層１３および連結部１１ｂがすべて光学層２の凹凸面（表面）に倣うように形成されていることが好ましい。これにより、公差部Ｃにおいて、視認性に優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、公差部Ｃにおいて、Ｙ電極１２、透明絶縁層１３およびＸ電極１１の視認を抑制することができる。

したがって、波長依存性が少なく、視認性に優れた光学調整機能を得る観点からすると、Ｘ電極１１およびＹ電極１２が光学層２の凹凸面（表面）に倣うように形成されていることが好ましく、Ｘ電極１１、透明絶縁層１３およびＹ電極１２がすべて光学層２の凹凸面（表面）に倣うように形成されていることがより好ましい。

（光学層）
図５Ａは、光学層の表面形状の一例を示す斜視図である。光学層２は、例えば、表面および裏面を有する基体２１と、基体２１の表面に設けられた複数の構造体４と、基体２の裏面に設けられた構造体５とを備える。裏面の構造体５の高さを表面の構造体４の高さよりも高くすることが好ましい。表面における透明導電層３の表面抵抗の上昇を抑制しつつ、裏面における光学調整機能を向上することができるからである。導電性光学素子１にカールが発生することを抑制するためには、光学層２の表面に設けられた構造体４と、裏面に設けられた構造体５とを同一またはほぼ同一の構成とすることが好ましい。

複数の構造体４は、基体２１の表面において複数の列をなすように配置されている。基体２１の表面側の凹凸面は、このように配列された複数の構造体４により形成されている。構造体４は、例えば、基体２１の表面に対して凸状または凹状を有している。なお、図５Ａでは、構造体４が、基体２１の表面に対して凸状を有する例が示されている。構造体４と基体２１とは、例えば、別成形または一体成形されている。

構造体４と基体２１とが別成形されている場合には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、必要に応じて構造体４と基体２１との間に基底層２２をさらに備えるようにしてもよい。基底層２２は、構造体４の底面側に構造体４と一体成形される光学層（第１光学層）であり、構造体４と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。

複数の構造体５は、基体２１の裏面において複数の列をなすように配置されている。基体２１の裏面側の凹凸面は、このように配列された複数の構造体５により形成されている。構造体５は、例えば、基体２１の裏面に対して凸状または凹状を有している。なお、図５Ａでは、構造体５が、基体２１の表面に対して凸状を有する例が示されている。構造体４と基体２１とは、例えば、別成形または一体成形されている。

構造体５と基体２１とが別成形されている場合には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、必要に応じて構造体５と基体２１との間に基底層２３をさらに備えるようにしてもよい。基底層２３は、構造体５の底面側に構造体５と一体成形される光学層（第２光学層）であり、構造体５と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。

光学層２が基底層２２および基底層２３を備える場合には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、基底層２２の厚さＤ１が基底層２３の厚さＤ２よりも厚いことが好ましい。透明導電性素子１にカールが発生することを抑制できるからである。透明導電性素子１にカールが発生することを抑制する観点からすると、基底層２２および基底層２３のうち基底層２２のみを光学層２に設けることが最も好ましい。

光学層２の表面側の構造体４の屈折率は、貼合層７および基体２１の屈折率と同様またはほぼ同様であることが好ましい。内部反射を抑制することができ、コントラストを向上することができるからである。光学層２の裏面側の構造体５の屈折率は、媒質層１０の屈折率と同様またはほぼ同様であることが好ましい。内部反射を抑制することができ、コントラストを向上することができるからである。あるいは、光学層２の裏面側の構造体５の屈折率は、基体２１の屈折率と同様またはほぼ同様であることが好ましい。基体２１と構造体５の屈折率差による内部反射、および構造体５の基底層２３の厚みムラによる干渉ムラを抑制することができるからである。

（基体）
基体２１は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２１の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。ここで、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。また、（メタ）アクリル系樹脂とは、アクリル系樹脂またはメタアクリル系樹脂を意味する。

基体２１としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２１の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２１がプラスチックフィルムである場合には、基体２１は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２１の厚さは、情報入力装置１０１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下程度である。

基体２１の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
図５Ｂは、基体２１の表面に設けられた複数の構造体の配列の一例を示す平面図である。図５Ｂに示すように、複数の構造体４は、基体２１の表面に２次元配列されている。構造体４は、反射の低減または透過の向上を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。

図５Ｃは、基体２１の裏面に設けられた複数の構造体の配列の一例を示す平面図である。図５Ｃに示すように、複数の構造体５は、基体２１の裏面に２次元配列されている。構造体５は、反射の低減または透過の向上を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。

複数の構造体４、５はそれぞれ、基体２１の表面および裏面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本技術において、トラックとは、複数の構造体４、５が列をなして連なった部分のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。

トラックＴをウォブルさせる場合には、基体２１上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０ｎｍ程度に選択される。

構造体４、５は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体４、５の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体４、５が配置されている。その結果、図５Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体４、５の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体４、５が配置されている。

ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４、５が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体４、５が円弧状に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を円弧状に歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、円弧状に歪ませた六方格子のことをいう。構造体４、５が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体４、５の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４、５の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

構造体４、５が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図５Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体４、５の配置ピッチＰ１（例えばａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体４、５の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体４、５の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体４、５を配置することで、構造体４、５の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体４、５の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられ、電気的信頼性の観点からすると、頂部に凸状の曲面を有する錐体形状が好ましいが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、例えば、放物面状などの２次曲面状が挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図８参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体４、５の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。ここで、楕円、球体、楕円体などの形状には、数学的に定義される完全な楕円、球体、楕円体などの形状のみならず、多少の歪みが付与された楕円、球体、楕円体などの形状も含まれる。

光学調整機能の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状が好ましい。また、光学調整機能の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体４が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。

構造体４、５は、その底部の周縁部に、頂部から下部の方向に向かってなだらかに高さが低下する曲面部２５を有することが好ましい。情報入力装置１０１の製造工程において光学層２を原盤などから容易に剥離することが可能になるからである。なお、曲面部２３５は、構造体４、５の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体４、５の周縁部の全部に設けることが好ましい。

構造体４、５の周囲の一部または全部に突出部２４を設けることが好ましい。このようにすると、構造体４、５の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。突出部２４は、成形の容易さの観点からすると、隣り合う構造体４、５の間に設けることが好ましい。また、構造体４、５の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体４、５の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体４、５の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

なお、図５Ａ〜図５Ｃでは、各構造体４、５がそれぞれ同一の大きさ、形状および高さを有しているが、構造体４、５の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の大きさ、形状および高さを有する構造体４、５が形成されていてもよい。

トラックの延在方向における構造体４、５の高さＨ１は、列方向における構造体４、５の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体４、５の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体４、５を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体４、５の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、光学調整機能の低下を招くことになる。

なお、構造体４、５のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体４、５が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体４、５を設けることで、光学調整機能の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた光学調整機能を有する情報入力装置１０１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する構造体４、５が基体２１の表面および裏面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する構造体４、５と、この構造体４、５とは異なる高さを有する構造体４、５とが基体２１の表面および裏面に設けるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する構造体４、５は、例えば基体２１の表面および裏面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えば、トラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

基体２１の表面に設けられた構造体４のアスペクト比（高さまたは深さＨ／配置ピッチＰ）は、好ましくは０．２５以上０．９８以下、より好ましくは０．４４以上０．６３以下の範囲内である。アスペクト比が０．２５以上であると、パターン視認性と抵抗値の両立が可能となる。一方、アスペクト比が０．９８以下であると、パターン視認性と抵抗値の両立が可能となる。

構造体４の配置ピッチＰは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。

構造体４の高さＨは、好ましくは７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内である。構造体４の高さＨが７０ｎｍ以上であると、パターン視認性と抵抗値の両立が可能となる。一方、構造体４の高さＨが１５０ｎｍ以下であると、パターン視認性と抵抗値の両立が可能となる。

基体２１の裏面に設けられた構造体５のアスペクト比（高さまたは深さＨ／配置ピッチＰ）は、好ましくは０．６６以上１．９６以下、より好ましくは０．７６以上１．９６以下である。アスペクト比が０．６６以上であると、低反射特性が確立できる。一方、アスペクト比が１．９６以下であると、離型性などを向上できる。

構造体５の配置ピッチＰは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。

構造体５の高さＨは、好ましくは１８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１９０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。構造体５の高さＨが１８０ｎｍ以上であると、低反射特性が確立できる。一方、構造体５の高さＨが３００ｎｍ以下であると、離型性などを向上できる。

なお、本技術においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）

また、構造体４、５の高さＨは、構造体４、５のトラック間方向（Ｙ方向）の高さとする。構造体４、５のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、トラック間方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体４、５のトラック延在方向以外の部分における高さはトラック間方向の高さとほぼ同一であるため、構造体４、５の高さをトラック間方向の高さで代表する。但し、構造体４、５が凹部である場合、上記式（１）における構造体４、５の高さＨは、構造体４、５の深さＨとする。

同一トラック内における構造体４、５の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４、５の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

基体２１の表面および裏面における構造体４、５の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体４、５の下部同士を接合する、または、構造体４、５の底面の楕円率を調整などして構造体４、５に歪みを付与することが好ましい。

ここで、構造体４、５の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体４、５の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体４、５の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体４、５の充填率とする。

構造体４、５が重なっているときや、構造体４、５の間に突出部２４などの副構造体があるときの充填率は、構造体４、５の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。

図６は、構造体４、５の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体４、５の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図６に示すように、構造体４、５の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体４、５の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体４、５の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

構造体４、５が、その下部同士を重ね合うようにして繋がっていることが好ましい。具体的には、隣接関係にある構造体４、５の一部または全部の下部同士が重なり合っていることが好ましく、トラック方向、θ方向、またはそれら両方向において重なり合っていることが好ましい。このように構造体４、５の下部同士を重なり合わせることで、構造体４、５の充填率を向上することができる。構造体４、５同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で重なり合っていることが好ましい。これにより、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上の範囲内である。このような範囲にすることで、構造体４、５の充填率を向上し、光学調整機能を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体４、５の重なりが大きくなりすぎると光学調整機能が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体４、５同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体４、５のトラック延在方向（Ｘ方向）の配置ピッチであり、径２ｒは、構造体４、５の底面のトラック延在方向（Ｘ方向）の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

構造体４、５が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体４、５の底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体４、５の充填率を向上し、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

（トッププレート）
前面部材であるトッププレート６は、例えば、可視光に対して透明性を有する透明基体である。基体２１の材料としては、例えば、上述の光学層２の基体２１と同様のものを用いることができ、トッププレート６に剛性を付与する観点からすると、ガラスなどが好ましい。トッププレート６の屈折率ｎは、１．２以上１．７以下の範囲内であることが好ましい。

（貼合層）
貼合層７としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどを用いることができる。それらの粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコン系粘着剤などを用いることができるが、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

トッププレート６および貼合層７に代えて、ＳｉＯ₂などのセラミックコート層（オーバーコート層）を情報入力装置１０１の前面に備えるようにしてもよい。

［ロール原盤の構成］
図７Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図７Ｂは、図７Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図７Ｃは、図７ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。ロール原盤３１は、上述した構成を有する光学層２を作製するための原盤、より具体的には、上述した基体表面に複数の構造体４、５を成形するための原盤である。ロール原盤３１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基体表面に複数の構造体４、５を成形するための成形面とされる。この成形面には、例えば、複数の構造体３２が２次元配列されている。構造体３２は、例えば、成形面に対して凹状または凸状を有している。なお、図７Ｃでは、構造体３２が成形面に対して凹状を有する例が示されている。ロール原盤３１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

ロール原盤３１の成形面に配置された複数の構造体３２と、上述の基体３の表面に配置された複数の構造体４、５とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤３１の構造体３２の形状、配列、配置ピッチなどは、基体３の構造体４、５と同様である。

［露光装置の構成］
図８は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源４１は、記録媒体としてのロール原盤３１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光３４を発振するものである。レーザー光源４１から出射されたレーザー光３４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）４２へ入射する。電気光学素子４２を透過したレーザー光３４は、ミラー４３で反射され、変調光学系４５に導かれる。

ミラー４３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー４３を透過した偏光成分はフォトダイオード４４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子４２を制御してレーザー光３４の位相変調を行う。

変調光学系４５において、レーザー光３４は、集光レンズ４６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）４７に集光される。レーザー光３４は、音響光学素子４７により強度変調され発散した後、レンズ４８によって平行ビーム化される。変調光学系４５から出射されたレーザー光３４は、ミラー５１によって反射され、移動光学テーブル５２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル５２は、ビームエキスパンダ５３、および対物レンズ５４を備えている。移動光学テーブル５２に導かれたレーザー光３４は、ビームエキスパンダ５３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ５４を介して、ロール原盤３１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤３１は、スピンドルモータ５５に接続されたターンテーブル５６の上に載置されている。そして、ロール原盤３１を回転させるとともに、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光３４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光３４の移動は、移動光学テーブル５２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図２Ｃに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構５７を備えている。制御機構５７は、フォマッター４９とドライバ５０とを備える。フォマッター４９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光３４の照射タイミングを制御する。ドライバ５０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子４７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子４７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。

［導電性光学素子の製造方法］
図９Ａ〜図１１Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。

（レジスト成膜工程）
まず、図９Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤３１を準備する。このロール原盤３１は、例えばガラス原盤である。次に、図９Ｂに示すように、ロール原盤３１の表面にレジスト層３３を形成する。レジスト層３３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図９Ｃに示すように、ロール原盤３１の表面に形成されたレジスト層３３に、レーザー光（露光ビーム）３４を照射する。具体的には、図８に示したロール原盤露光装置のターンテーブル５６上に載置し、ロール原盤３１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）３４をレジスト層３３に照射する。このとき、レーザー光３４をロール原盤３１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤３１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光３４を間欠的に照射することで、レジスト層３３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光３４の軌跡に応じた潜像３５が、例えば可視光波長と同程度のピッチでレジスト層３３の全面にわたって形成される。

潜像３５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像３５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤３１を回転させながら、レジスト層３３上に現像液を滴下して、レジスト層３３を現像処理する。これにより、図１０Ａに示すように、レジスト層３３に複数の開口部が形成される。レジスト層３３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光３４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図９Ａに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層３３に形成される。開口部のパターンは、例えば六方格子パターンまたは準六方格子パターンなどの所定の格子パターンである。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤３１の上に形成されたレジスト層３３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤３１の表面をエッチング処理する。これにより、図１０Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体３２を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体３２のパターンを形成することができる。以上により、目的とするロール原盤３１が得られる。

（転写工程）
次に、図１０Ｃに示すように、ロール原盤３１と、基体２１上に塗布された転写材料３６とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源３７から転写材料３６に照射して転写材料３６を硬化させた後、硬化した転写材料３６と一体となった基体２１を剥離する。これにより、図１１Ａに示すように、複数の構造体４が基体２１の表面に形成される。この際、必要に応じて、構造体４と基体２１との間に基底層２２をさらに形成するようにしてもよい。

次に、複数の構造体４を基体２１の表面に形成したのと同様にして、図１１Ｂに示すように、複数の構造体５を基体２１の裏面に形成する。この際、必要に応じて、構造体５と基体２１との間に基底層２３をさらに形成するようにしてもよい。

エネルギー線源３７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料３６としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２１の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２１の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（電極の形成工程）
まず、図１１Ｃに示すように、複数の構造体４が形成された光学層２の表面に、透明導電層３を成膜する。透明導電層３を成膜する際に、光学層２を加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。透明導電層３の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。

次に、透明導電層３をパターニングすることにより、光学層２の表面にパッド部１１ａ、パッド部１２ａおよび連結部１２ｂを形成する。パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法を用いることができる。

パッド部１１ａ、パッド部１２ａおよび連結部１２ｂの形成方法は、上述の例に限定されるものではなく、透明導電層３の成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法などを用いることができる。印刷法としては、例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などを用いることができる。

（絶縁層の形成工程）
次に、Ｙ電極１２の連結部１２ｂの表面に透明絶縁層１３を形成する。透明絶縁層１３の形成方法としては、例えば、透明絶縁層の成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、マスキングをせずに成膜を行い、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法によりパターンを形成する方法などを用いることができる。透明導電層の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。印刷法としては、例えば、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などを用いることができる。

（連結部の形成工程）
次に、透明絶縁層１３を跨ぐようにして連結部１１ｂを形成する。これにより、第１電極パッド１１ａの間が連結部１１ｂにより連結される。連結部１１ｂの形成方法としては、例えば、連結部１１ｂの成膜時に形成パターン以外の部分にマスキングを行うことでパターンを形成する方法、マスキングをせずに成膜を行い、フォトリソグラフィ（感光性の薄膜をパターン露光し、エッチングによりパターンを生成する技術）などによりエッチングを行うことでパターンを形成する方法、印刷法によりパターンを形成する方法などを用いることができる。以上により、目的とする導電性光学素子１が得られる。

［効果］
第１の実施形態によれば、基体２１の表面および裏面にそれぞれ、可視光の波長以下のピッチで複数の構造体４および構造体５を設けているので、基体２１の表面および裏面の両方に、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を付与することができる。

また、光学層２の同一面にＸ電極１１とＹ電極１２とを形成しているので、導電性光学素子１を形成する光学層の層数を減らすことができる。したがって、内部反射を低減し、視認性の低下を抑制することができる。

また、可視光の波長以下のピッチで構造体４を配置することで凹凸面を形成し、この凹凸面に倣うようにＸ電極１１およびＹ電極１２を形成した場合には、波長依存性の少ない、視認性の優れた光学調整機能を得ることができる。したがって、Ｘ電極１１およびＹ電極１２の視認を抑制することができる。

また、導電性光学素子１の裏面を凹凸面としているので、媒質層１０を気体層とした場合には、表示装置１０２の表示面Ｓ１の傷の発生を抑制することができる。また、導電性光学素子１の裏面を凹凸面とすることで、モアレの発生を抑制することもできる。

また、透明導電層３が設けられた光学層２の凹凸面（表面）を貼合層（光学層）７により埋めた場合には、導電性光学素子１の表面側の反射スペクトルの波長依存性を抑制し、ほぼフラットな状態とすることができる。したがって、導電性光学素子１の裏面側の反射スペクトルのみを調整することで、導電性光学素子１全体の反射スペクトルを調整可能となる。

＜変形例＞
（第1の変形例）
図１２に示すように、光学層２の表面に設けられた複数の構造体４が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなすようにしてもよい。また、同様に、光学層２の裏面に設けられた複数の構造体５が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなすようにしてもよい。

ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４、５が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体４、５が円弧状に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を円弧状に歪ませた四方格子、または正四角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、円弧状に歪ませた四方格子のことをいう。構造体４、５が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体４、５の蛇行配列により歪ませた四方格子、または正四角形状の格子を配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４、５の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

同一トラック内における構造体４、５の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体４、５の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体４、５の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４、５の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４、５の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体４、５の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体４、５の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる構造体４、５の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体４、５の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体４、５の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。

第１の変形例では、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第２の変形例）
図１３Ａに示すように、複数の構造体４を光学層２の表面にランダム（不規則）に２次元配列するようにしてもよい。また、同様に、複数の構造体５を光学層２の裏面にランダム（不規則）に２次元配列するようにしてもよい。図１３Ｂに示すように、構造体４、５の形状、大きさおよびは高さの少なくとも１つをランダムに変化させるようにしてもよい。

上述の構造体４、５を有する光学層２を作製するための原盤の作製方法としては、例えば、アルミニウム基材などの金属基材の表面を陽極酸化する方法を用いることができるが、この方法に特に限定されるものではない。

第２の変形例では、複数の構造体４、５をランダムに２次元配列しているので、外観上のムラの発生を抑制できる。

＜２．第２の実施形態＞
［情報入力装置の構成］
図１４は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。情報入力装置１０１は、図１４に示すように、第１導電性光学素子１ａと、第１導電性光学素子１ａの表面に設けられた第２導電性光学素子１ｂと、第２導電性光学素子１ｂの表面に設けられたトッププレート６とを備える。

第１導電性光学素子１ａと第２導電性光学素子１ｂとの間には貼合層８が設けられ、この貼合層８を介して両者が貼り合わされている。第２導電性光学素子１ｂとトッププレート６との間には貼合層７が設けられ、この貼合層７を介して両者が貼り合わされる。

（第１導電性光学素子）
第１導電性光学素子１ａは、対向する表面および裏面を有する光学層２と、光学層２の表面に設けられた透明導電層３ａとを備える。第１導電性光学素子１ａの裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、第１導電性光学素子１ａは表示装置１０２の表示面Ｓ１に設けられる。透明導電層３ａは、光学層２の凹凸面（表面）に倣うように設けられていることが好ましい。

（第２導電性光学素子）
第２導電性光学素子１ｂは、対向する表面および裏面を有する光学層２と、光学層２の表面に設けられた透明導電層３ｂとを備える。第２導電性光学素子１ｂの裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、第２導電性光学素子１ｂは表示装置１０２の表示面Ｓ１に設けられる。透明導電層３ｂは、光学層２の凹凸面（表面）に倣うように設けられていることが好ましい。

（電極）
図１５は、本技術の第２の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す分解斜視図である。第１導電性光学素子１の透明導電層３ａは、パターニングされており、Ｘ電極１１を構成している。一方、第２導電性光学素子１の透明導電層３ｂは、パターニングされており、Ｙ電極１２を構成している。情報入力装置１０１を入力面側から見た場合には、パッド部１１ａおよびパッド部１２ａが重ならず情報入力装置１０１の一主面に敷き詰められて細密充填された状態として見えように、Ｘ電極１１およびＹ電極１２は構成されている。

Ｙ電極１２は、上述の第１の実施形態におけるＹ電極１２と同様の構成を有している。Ｘ電極１１は、Ｘ軸方向に延在されている以外のことはＹ電極１２と同様の構成を有している。粘着層８は、粘着層７と同様の構成を有している。

第２の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。

＜３．第３の実施形態＞
図１６は、本技術の第３の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第１の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図１６に示すように、光学層２の一方の凹凸面（表面）に透明導電層３ｂを備え、他方の凹凸面（裏面）に透明導電層３ａを備える点において、第１の実施形態に係る情報入力装置１０１とは異なっている。

透明導電層３ａはパターニングされており、Ｘ電極を構成している。透明導電層３ａもパターニングされており、Ｙ電極を構成している。Ｘ電極およびＹ電極の構成はそれぞれ、上述の第２の実施形態におけるＸ電極およびＹ電極と同様である。

＜４．第４の実施形態＞
図１７は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す平面図である。第４の実施形態に係る情報入力装置４０１は、幅Ｗおよび高さＨの検出エリアＳＡを有する。情報入力装置４０１は、図１７に示すように、複数の電極群４１０₁、４１０₂、４１０₃、４１０₄、・・・、４１０_Nと、これら電極群を支持する基体４１４とを有する。電極群４１０と基体４１４とにより導電性光学素子が構成されている。各電極群は、基体４１４の表面に、Ｙ軸方向に沿って一定のピッチで配列されている。図１７では、各電極群を＋Ｙ方向（第２方向）に沿って順に電極群４１０₁、４１０₂、４１０₃、４１０₄、・・・、４１０_Nと符示しているが、各電極群はそれぞれ同一の構成を有するため、本実施形態においては、個別に説明する場合を除き、各電極群を「電極群４１０」と総称する。

図１７に示すように、電極群４１０は、幅ｗおよび高さｈの長方形状を第１の電極４１１と、第２の電極４１２と、第３の電極４１３とに３分割した構造を有する。図１８は、一組の電極群４１０を示す拡大平面図である。

第１の電極４１１は、Ｘ軸方向に平行な底辺４１１ａを有し、その長さは（ｗ）は、検出エリアＳＡの幅Ｗとほぼ同等とされている。すなわち、第１の電極４１１は、Ｘ軸方向に沿った検出エリアＳＡの幅寸法をカバーする幅寸法を有している。

第１の電極４１１は、＋Ｘ方向に平行な幅方向に関して、＋Ｙ方向（高さ方向）に平行な高さ寸法が漸次大きくなる第１の領域５１１と、＋Ｘ方向に関して上記高さ寸法が漸次小さくなる第２の領域５１２とを有する。本実施形態において、第１の電極４１１は、その幅方向の中央部に高さ寸法の最大値を形成する２つの斜辺４１１ｂ、４１１ｃを有する略二等辺三角形で形成されている。

第２の電極４１２は、第１の領域５１１とＹ軸方向に対向し、＋Ｘ方向（幅方向）に関して、＋Ｙ方向（高さ方向）に平行な高さ寸法が漸次小さくなるように形成されている。本実施形態において、第２の電極４１２は、第１の電極４１１の底辺４１１ａと平行であり、その底辺４１１ａの略半分の幅の底辺４１２ａと、第１の電極４１１の斜辺４１１ｂと対向する斜辺４１２ｂと、これらに隣接する隣辺４１２ｃとを有する略直角三角形で形成されている。第１の電極４１１の斜辺４１１ｂと第２の電極４１２の斜辺４１２ｂとは、Ｘ軸に関してそれぞれ同一の傾斜角を有しており、これら２つの斜辺４１１ｂ、４１２ｂとの間には、一定の大きさの間隙が設けられている。上記間隙の大きさは特に限定されず、第１の領域５１１と第２の電極４１２との間の電気的絶縁を確保できる大きさがあればよい。

第３の電極４１３は、第２の領域５１２とＹ軸方向に対向し、＋Ｘ方向（幅方向）に関して、＋Ｙ方向（高さ方向）に平行な高さ寸法が漸次大きくなるように形成されている。本実施形態において、第３の電極４１３は、第１の電極４１１の底辺４１１ａと平行であり、その底辺４１１ａの略半分の幅の底辺４１３ａと、第１の電極４１１の斜辺４１１ｃと対向する斜辺４１３ｂと、これらに隣接する隣辺４１３ｃとを有する略直角三角形で形成されている。第１の電極４１１の斜辺４１１ｃと第２の電極４１３の斜辺４１３ｂとは、Ｘ軸に関してそれぞれ同一の傾斜角を有しており、これら２つの斜辺４１１ｃ、４１３ｂとの間には、一定の大きさの間隙が設けられている。上記間隙の大きさは特に限定されず、第２の領域５１２と第３の電極４１３との間の電気的絶縁を確保できる大きさがあればよい。

第２の電極４１２と第３の電極４１３とは、間隙を介してＸ軸方向に相互に対向しており、第１の電極４１１の中央部を通るＹ軸方向に平行な直線に関して対称な形状を有している。

基体４１４は、表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向して配置される。基体４１４は、上述のように構成される電極群４１０を支持し、各電極群４１０がＹ軸方向に所定ピッチで配列された状態を維持する。基体４１４は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）などのフレキシブルな電気絶縁性のプラスチックフィルムで形成される。なお、これ以外にも、ガラス、セラミックスなどのリジッドな材料が用いられてもよい。

電極群４１０（第１〜第３の電極４１１〜４１３）および基体４１４は、それぞれ透光性を有する材料で形成される。例えば、電極群４１０は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ、ＺｎＯなどの透明導電酸化物で形成され、基体４１４は、ＰＥＴやＰＥＮなどの透明樹脂フィルムで形成される。これにより、トッププレート６の表示画像が外部から視認可能とされる。

電極群４１０の形成方法は、特に限定されない。例えば、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの薄膜形成手法を用いることで、電極群４１０を形成する導電膜が基体４１４上に形成される。この場合、基体４１４上に導電膜を形成した後、導電膜を所定形状にパターニングしてもよいし、レジストマスクが形成された基板の表面に導電膜を形成した後、レジストマスクとともに余分な導電膜を基体４１４から除去（リフトオフ）してもよい。

電極群４１０はさらに、第１〜第３の電極４１１〜４１３を駆動回路（図示省略）に接続するための信号線（取り出し電極）を有する。本実施形態では、図１８に示すように、第１の電極４１１の幅方向の一端部に取り出し電極４１１ｓが接続され、第２の電極４１２および第３の電極４１３の検出エリアＳＡの外側に臨む一辺４１２ｃ、４１３ｃに取り出し電極４１２ｓ、４１３ｓがそれぞれ接続されている。

取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓは、基体４１４上において検出エリアＳＡの外側の領域に引き回され、図示しないコネクタなどの外部接続端子を介して駆動回路へ接続される。また、取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓは、各列の電極群４１０ごとにそれぞれ独立して形成されており、駆動回路へ共通に接続されている。

取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓは、電極群４１０の構成材料によって形成されてもよい。この場合、電極群４１０の形成と同時に取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓを形成することができる。一方、取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓは、非透光性の導電材料、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）などの金属配線で形成されてもよい。この場合、比抵抗の低い材料で配線層を構成できるため、電極群４１０の静電容量変化を高感度で検出することが可能となる。さらにこの場合、取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓが検出エリアＳＡの外側に位置しているため、検出エリアＳＡの外側が操作画面の有効画素領域外にある場合には、画像の視認性が取り出し電極４１１ｓ〜４１３ｓによって阻害されることはない。

電極群４１０の幅ｗは、検出エリアＳＡの幅Ｗに合わせて設定される。電極群４１０の幅ｗは、検出エリアＳＡの幅Ｗと同等であってもよいし、幅Ｗよりも大きくても小さくてもよい。要は、一つの電極群４１０によって、検出エリアＳＡの全幅をカバーできる大きさに形成され、検出エリアＳＡの幅方向に関して二つ以上の電極群４１０が並列しないように構成されている。

一方、電極群４１０の高さｈは、検出エリアＳＡの高さ、検出対象の大きさ、Ｙ軸方向の検出分解能などに応じて適宜設定される。本実施形態では、検出対象にユーザの指が想定されており、上記操作面に接触する指の大きさを考慮して例えば５ｍｍ〜１０ｍｍに設定されている。同様に、Ｙ軸方向に沿った電極群４１０の配列数も特に限定されず、検出エリアＳＡの高さ、検出対象の大きさ、Ｙ軸方向の検出分解能などに応じて適宜設定される。

また、図１８に示すように、第１の電極４１１の高さ寸法と第２および第３の電極４１２、４１３の高さ寸法との総和は、＋Ｘ方向に関して一定である。これにより、電極群全体の高さ寸法を一定とすることができるため、Ｘ軸方向に関する検出対象の位置に応じた検出感度のバラツキの発生を抑えることができる。

情報入力装置４０１は、各列の電極群４１０が１つの検出グループを構成する。そこで、Ｙ軸方向の操作位置は、電極群４１０を構成する第１〜第３の電極４１１〜４１３の静電容量の総和あるいはその変化に基づいて検出対象の近接あるいは接触が検出される。また、Ｘ軸方向に関する操作位置の検出では、第１の電極４１１の静電容量の変化、第２の電極４１２の静電容量の変化、および、第３の電極４１３の静電容量の変化が参照される。

第４の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。

＜変形例＞
（第１の変形例）
図１９は、本技術の第４の実施形態に係る情報入力装置の第１の変形例を示す平面図である。本変形例の情報入力装置は、第１の電極４２１と、第２の電極４２２と、第３の電極４２３との３分割構造を有する電極群４２０が、Ｙ軸方向に配列された構造を有する。なお、各電極群４２０を支持する基体の図示は省略されている。

本変形例では、第１の電極４２１は、＋Ｘ方向に平行な幅方向に関してＹ軸方向に平行な高さ寸法が漸次大きくなる第１の領域５２１と、＋Ｘ方向に関して高さ寸法が漸次小さくなる第２の領域５２２とを有する。第２の電極４２２は、第１の領域５２１とＹ軸方向に対向し、＋方向に関して高さ寸法が漸次小さくなるように形成される。第３の電極４２３は、第２の領域５２２とＹ軸方向に対向し、第２の電極４２２とＸ軸方向に対向し、＋Ｘ方向に関して高さ寸法が漸次大きくなるように形成されている。そして、第２の電極４２２および第３の電極４２３はそれぞれ対称な形状を有しており、第１の電極４２１は、幅方向の中央部に高さ寸法の最小値を有している。

（第２の変形例）
図２０は、本技術の第４の実施形態の情報入力装置の第２の変形例を示す概略平面図である。本変形例の情報入力装置は、第１の電極４３１と、第２の電極４３２と、第３の電極４３３との３分割構造を有する電極群４３０が、Ｙ軸方向に配列された構造を有する。なお、各電極群４３０を支持する基体の図示は省略されている。

本変形例では、第１の電極４３１は、＋Ｘ方向に平行な幅方向に関してＹ軸方向に平行な高さ寸法が漸次大きくなる第１の領域５３１と、＋Ｘ方向に関して高さ寸法が漸次小さくなる第２の領域５３２とを有する。第２の電極４３２は、第１の領域５３１とＹ軸方向に対向し、＋方向に関して高さ寸法が漸次小さくなるように形成される。第３の電極４３３は、第２の領域５３２とＹ軸方向に対向し、第２の電極４３２とＸ軸方向に対向し、＋Ｘ方向に関して高さ寸法が漸次大きくなるように形成されている。そして、第２の電極４３２および第３の電極４３３はそれぞれ対称な形状を有しており、第１の電極４３１は、幅方向の中央部に高さ寸法の最大値を有している。

さらに本変形例では、第２の電極４３２は、第１の領域５３１を挟むようにＹ軸方向に関して分割され、第３の電極４３３は、第２の領域５３２を挟むようにＹ軸方向に関して分割されている。

（他の変形例）
上述の第４の実施形態では、電極群を構成する電極各々の境界部を直線的な斜辺で形成したが、これに限られず、例えば段階的に各電極の高さ寸法が変化するようなジグザグ形状であってもよい。また、上記境界部を曲線的に傾斜させてもよく、この場合、例えば幅方向中央部側の検出分解能が外側のそれよりも高いセンサを構成することができる。

また、上述の第４の実施形態では、第１の電極の最大高さ寸法を幅方向中央部あるいは幅方向の両端部に設定する構成例を説明したが、これに限られず、機器の仕様に応じて要求される検出分解能に応じて適宜の変更が可能である。

そして、情報入力装置の各列の電極群を構成する第１〜第３の電極の形状も上述の例に限られず、それぞれが高さ方向に反転された状態で配列してもよい。あるいは、図２１および図２２に示すように、電極部は、高さ方向に反転した形状と反転しない形状とを交互に繰り返して配列されてもよい。図２１に示す電極群４４０は、第１の変形例において説明した電極群（図１９参照）に相当し、図２２に示す電極群４５０は、第４の実施形態において説明した電極群（図１７参照）に相当する。

図２３に示す電極群４６０において、第１の電極４６１は、第２の電極４６２および第３の電極４６３を挟むようにＹ軸方向に２分割された構造を有する。この例では、第２の電極４６２を挟む第１の電極部分が第１の領域に相当し、第３の電極４６３を挟む第１の電極部分が第２の領域に相当する。

そして、図２４に示す電極群４７０においては、第１の電極４７１は、第２の電極４７２と対向する第１の領域５７１と、第３の電極４７３と対向する第２の領域５７２とが２分割された構造を有する。

さらに、図２５に示す電極群４８０において、第１の電極４８１はＹ軸方向に２分割された構造を有し、第２の電極４８２および第３の電極４８３もＹ軸方向に２分割された構造を有する。第１の電極４８１と第２の電極４８２とは相互に挟むようにＹ軸方向に対向し、第１の電極４８１と第３の電極４８３も同様に、相互に挟むようにＹ軸方向に対向している。この例においても、第２の電極４８２を挟む第１の電極部分が各々第１の領域に相当し、第３の電極４８３を挟む第１の電極部分が各々第２の領域に相当する。
＜５．第５の実施形態＞
図２６は、本技術の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第５の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図２６に示すように、電磁波をシールドするための導電性光学素子２０１をさらに備える点において、第１の実施形態に係る情報入力装置１０１と異なっている。

導電性光学素子２０１は、対向する表面および裏面を有する光学層２０１と、光学層２０１の表面または裏面に設けられた電磁波シールド層２０３とを備える。なお、図２６では、光学層２０１の表面に電磁波シールド層２０３を設けた例が示されている。導電性光学素子２０１は、導電性光学素子１の表面および裏面のうち、表示装置１０２の表示面Ｓ１と対向する側の裏面に設けられる。導電性光学素子１と導電性光学素子２０１との間には貼合層８が設けられ、この貼合層８を介して両者が貼り合わされている。導電性光学素子２０１は、その裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、導電性光学素子１に対して貼り合わされている。

光学層２０１の構成は、導電性光学素子１の光学層２と同様の構成を採用することができる。電磁波シールド層２０３としては、公知の電磁波シールド層を用いることができ、透明性の観点からすると、透明導電層を用いることができる。電磁波シールド層２０３は、光学層２０１の凹凸面（表面）に倣うように設けられていることが好ましい。

［効果］
第５の実施形態によれば、情報入力装置１０１に対して、電磁波をシールドするための導電性光学素子２０１をさらに設けているので、表示装置１０２から情報入力装置１に到達する電磁波の量を低減することができる。したがって、電磁波による情報入力装置１０１の動作への影響を抑制することができる。

＜６．第６の実施形態＞
図２７は、本技術の第６の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第６の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図２７に示すように、電磁波をシールドするための導電性光学素子２０１をさらに備える点において、第２の実施形態に係る情報入力装置１０１と異なっている。

導電性光学素子２０１は、第１導電性光学素子１ａの表面および裏面のうち、表示装置１０２の表示面Ｓ１と対向する側の裏面に設けられる。導電性光学素子１ａと導電性光学素子２０１との間には貼合層９が設けられ、この貼合層９を介して両者が貼り合わされる。導電性光学素子２０１は、その裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、第１導電性光学素子１に対して貼り合わされている。導電性光学素子２０１の構成は、上述の第５の実施形態における導電性光学素子２０１と同様である。

＜７．第７の実施形態＞
図２８は、本技術の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第７の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図２８に示すように、電磁波をシールドするための導電性光学素子２０１をさらに備える点において、第３の実施形態に係る情報入力装置１０１と異なっている。

導電性光学素子２０１は、第１導電性光学素子１の表面および裏面のうち、表示装置１０２の表示面Ｓ１と対向する側の裏面に設けられる。導電性光学素子１と導電性光学素子２０１との間には貼合層８が設けられ、この貼合層８を介して両者が貼り合わされる。導電性光学素子２０１は、その裏面側が表示装置１０２の表示面Ｓ１に対向するように、導電性光学素子１に対して貼り合わされている。導電性光学素子２０１の構成は、上述の第５の実施形態における導電性光学素子２０１と同様である。

＜８．第８の実施形態＞
図２９は、本技術の第８の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第８の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図２９に示すように、電磁波をシールドするための電磁波シールド層２０３をさらに備える点において、第１の実施形態に係る情報入力装置１０１と異なっている。電磁波シールド層２０３は、導電性光学素子１の裏面側の凹凸面に設けられる。電磁波シールド層２０３は、凹凸面に倣うように設けられていることが好ましい。

［効果］
第８の実施形態によれば、導電性光学素子１の裏面側の凹凸面に電磁波シールド層２０３を設けているので、第３の実施形態に比して情報入力装置１０１の構成を簡略化および薄型化することができる。

＜９．第９の実施形態＞
図３０は、本技術の第９の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。第９の実施形態に係る情報入力装置１０１は、図３０に示すように、電磁波をシールドするための電磁波シールド層２０３をさらに備える点において、第２の実施形態に係る情報入力装置１０１と異なっている。電磁波シールド層２０３は、第１導電性光学素子１ａの裏面側の凹凸面に設けられる。電磁波シールド層２０３は、凹凸面に倣うように設けられていることが好ましい。

＜１０．第１０の実施形態＞
図３１は、本技術の第１０の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を示す断面図である。情報入力装置１０１は、いわゆる抵抗膜方式タッチパネルであり、図３１に示すように、第１導電性光学素子３０１ａと、第２導電性光学素子３０１ｂと、貼合層３１１とを備える。第１導電性光学素子３０１ａと第２導電性光学素子３０１ｂとは、互いの透明導電層３０３ａおよび透明導電層３０３ｂが対向するように所定間隔離して対向配置されている。貼合層３１１は、第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの周縁部間に配置されて、貼合層３１１を介して第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの対向面の周縁部が貼り合わされる。貼合層３１１としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。

情報入力装置１０１の両主面のうち、第２導電性光学素子３０１ｂの側の主面が情報を入力するタッチ面（情報入力面）Ｓ２となる。このタッチ面Ｓ２上にハードコート層をさらに設けることが好ましい。情報入力装置１０１のタッチ面の耐擦傷性を向上することができるからである。

第１導電性光学素子３０１ａは、対向する表面（第１面）および裏面（第２面）を有する光学層３０２ａと、光学層３０２ａの表面に設けられた透明導電層３０３ａとを備える。光学層３０２ａの構成としては、上述の第１の実施形態における光学層２と同様の構成を採用することができる。透明導電層３０３ａは、光学層３０２ａの表面のほぼ全体に渡って連続的に形成されている。

第２導電性光学素子３０１ｂは、対向する表面（第１面）および裏面（第２面）を有する光学層３０２ｂと、光学層３０２ｂの裏面に設けられた透明導電層３０３ｂとを備える。光学層３０２ｂの構成としては、上述の第１の実施形態における光学層２と同様の構成を採用することができる。透明導電層３０３ｂは、光学層３０２ｂの裏面のほぼ全体に渡って連続的に形成されている。

第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの構造体４のアスペクト比は、好ましくは０．５５以上１．６３以下、より好ましくは０．６８以上０．９３以下の範囲内であることが好ましい。アスペクト比が０．５５以上であると、抵抗値を確立しつつ低反射特性（１％以下）が可能となる。一方、アスペクト比が１．６３以下であると、抵抗値を確立しつつ低反射特性（１％以下）が可能となる。

構造体４の配置ピッチＰは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。

第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの構造体４の高さは、好ましくは１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体４の高さが１５０ｎｍ以上であると、抵抗値を確立しつつ低反射特性（１％以下）が可能となる。一方、構造体４の高さが２５０ｎｍ以下であると、抵抗値を確立しつつ低反射特性（１％以下）が可能となる。

第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの構造体５のアスペクト比は、好ましくは０．６６以上１．９６以下、より好ましくは０．７６以上１．９６以下である。アスペクト比が０．６６以上であると、低反射特性が確立できる。一方、アスペクト比が１．９６以下であると、離型性などを向上できる。

構造体５の配置ピッチＰは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。

第１導電性光学素子３０１ａおよび第２導電性光学素子３０１ｂの構造体５の高さは、好ましくは１８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１９０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。構造体５の高さ高さが１８０ｎｍ以上であると、低反射特性が確立できる。一方、構造体５の高さ高さが３００ｎｍ以下であると、離型性などを向上できる。

第１０の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態では、情報入力装置が複数の導電性光学素子を備える場合、複数の導電性光学素子の全てに対して本技術を適用した場合について説明したが、複数の導電性光学素子の少なくとも１つに対して本技術を適用するようにしてもよい。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
第１面および第２面を有する基体と、
上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い、反射防止機能を有する導電性光学素子。
（２）
上記第１構造体のアスペクト比が、０．２５以上０．６３以下であり、
上記第２構造体のアスペクト比が、０．７２以上である（１）に記載の導電性光学素子。
（３）
上記第１面と上記第１構造体との間に設けられた第１光学層と、
上記第２面と上記第２構造体との間に設けられた第２光学層と
をさらに備え、
上記第１光学層の厚さが、上記第２光学層の厚さよりも厚い（１）または（２）のいずれかに記載の導電性光学素子。
（４）
反射防止機能を有する、少なくとも１つの導電性光学素子を備え、
上記導電性光学素子は、
第１面および第２面を有する基体と、
上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い入力装置。
（５）
表示部と、
反射防止機能を有する導電性光学素子を有する入力装置と
を備え、
上記導電性光学素子は、
第１面および第２面を有する基体と、
上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
を備え、
上記表示面と上記入力装置との間に媒質層が設けられ、
上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い表示装置。
（６）
上記媒質層が、気体層である（５）に記載の表示装置。
（７）
上記透明導電層が、電極パターンを構成している（５）または（６）に記載の表示装置。
（８）
電磁波シールド機能を有する導電性光学素子をさらに備える（５）から（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
上記透明導電層の表面を埋める光学層をさらに備える（５）から（８）のいずれかに記載の表示装置。

１ 導電性光学素子
２ 光学層
３ 透明導電層
４ 構造体
５ 構造体
６ トッププレート
７ 貼合層
８ 貼合層
９ 貼合層
１０ 媒質層
１１ Ｘ電極（第１電極）
１１ａ パッド部
１１ｂ 連結部
１２ Ｙ電極（第２電極）
１２ａ パッド部
１２ｂ 連結部
１３ 透明絶縁層
１４ ＦＰＣ
２１ 基体
２２ 基底層
２３ 基底層
３１ ロール原盤
３２ 構造体
３３ レジスト層
３４ レーザー光
３５ 潜像
３６ 転写材料
３７ エネルギー源
１０１ 情報入力装置
１０２ 表示装置
２０１ 導電性光学素子
２０２ 光学層
２０３ 透明導電層
２０４ 構造体
２０５ 構造体
２０６ 透明導電層
２２１ 基体
２２２ 基底層
２２３ 基底層

Claims (12)

1. 第１面および第２面を有する基体と、
   上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
   上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
   上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
   を備え、
   上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い、反射防止機能を有する導電性光学素子。
2. 上記第１構造体のアスペクト比が、０．２５以上０．９８以下であり、
   上記第２構造体のアスペクト比が、０．６６以上１．９６以下である請求項１に記載の導電性光学素子。
3. 上記第１構造体のアスペクト比が、０．５５以上１．６３以下であり、
   上記第２構造体のアスペクト比が、０．６６以上１．９６以下である請求項１に記載の導電性光学素子。
4. 上記第１構造体の高さが、７０ｎｍ以上であり、
   上記第２構造体の高さが、１８０ｎｍ以上である請求項１に記載の導電性光学素子。
5. 上記第１構造体の高さが、１５０ｎｍ以上であり、
   上記第２構造体の高さが、１８０ｎｍ以上である請求項１に記載の導電性光学素子。
6. 上記第１面と上記第１構造体との間に設けられた第１光学層と、
   上記第２面と上記第２構造体との間に設けられた第２光学層と
   をさらに備え、
   上記第１光学層の厚さが、上記第２光学層の厚さよりも厚い請求項１に記載の導電性光学素子。
7. 反射防止機能を有する、少なくとも１つの導電性光学素子を備え、
   上記導電性光学素子は、
   第１面および第２面を有する基体と、
   上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
   上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
   上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
   を備え、
   上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い入力装置。
8. 表示部と、
   反射防止機能を有する導電性光学素子を有する入力装置と
   を備え、
   上記導電性光学素子は、
   第１面および第２面を有する基体と、
   上記第１面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第１構造体と、
   上記第２面に可視光の波長以下のピッチで設けられた複数の第２構造体と、
   上記第１構造体上に設けられた透明導電層と
   を備え、
   上記表示面と上記入力装置との間に媒質層が設けられ、
   上記第２構造体の高さが上記第１構造体の高さよりも高い表示装置。
9. 上記媒質層が、気体層である請求項８に記載の表示装置。
10. 上記透明導電層が、電極パターンを構成している請求項８に記載の表示装置。
11. 電磁波シールド機能を有する導電性光学素子をさらに備える請求項８に記載の表示装置。
12. 上記透明導電層の表面を埋める光学層をさらに備える請求項８に記載の表示装置。

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