JP5659551B2 - 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、透明導電性素子、入力装置、および表示装置に関する。詳しくは、反射防止機能を有する透明導電性素子に関する。

電子ペーパーなどの表示素子、およびタッチパネルなどの入力素子には、透明導電膜が用いられている。これらの素子に使用されている透明導電膜の材料としては、屈折率が約２．０程度である高屈折率材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide））が用いられている。このため、ガラスや粘着剤などの媒質中に透明導電膜が形成されていても、その厚さによっては反射率が高くなってしまい、表示素子および入力素子の品質を損ねてしまうことがある。

従来、導電性素子の透過特性を向上するためには、反射防止膜を形成する技術が用いられている。例えば特許文献１では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性素子が提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。近年では、表示素子や入力素子などの反射防止低減の要望が高まっており、上記反射防止膜以外の構成により、反射防止機能を実現することが望まれるようになっている。

特開２００３−１３６６２５号公報

したがって、本発明の目的は、反射防止機能を有する透明導電性素子、入力装置、および表示装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、
第１の面および第２の面を有する透明導電層と、
第１の面および第２の面の少なくとも一方に設けられた媒質層と
を備え、
透明導電層は、パターンを有する電極であり、
第１の面および第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の平均波長λを有する波面であり、
波面の平均波長λに対する振動の平均幅Ａの比率（Ａ／λ）が、１．８以下であり、
透明導電層の平均膜厚は、波面の振動の幅Ａよりも大きい透明導電性素子である。
第２の発明は、
第１の面および第２の面を有する第１の透明導電層と、
第１の面および第２の面を有する第２の透明導電層と
を備え、
第１の透明導電層は、パターンを有する第１の電極であり、
第１の透明導電層の第１の面および第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、
第１の透明導電層の波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下であり、
第１の透明導電層の平均膜厚Ｄｍは、第１の透明導電層の波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きく、
第２の透明導電層は、パターンを有する第２の電極であり、
第２の透明導電層の第１の面および第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、
第２の透明導電層の波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下であり、
第２の透明導電層の平均膜厚Ｄｍは、第２の透明導電層の波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きい透明導電性素子である。

ここで、媒質層は、固体層、液体層、または気体層である。これらの媒質層には、微粒子などの部材が含まれていてもよい。気体層は、空気以外の気体を主成分としていることが好ましい。媒質層は、導電層と密着するように形成されていることが好ましい。媒質層の第１の面および第２の面の両方に媒質層が設けられている場合には、それらの媒質層としては、互いに同一種類または異なる種類の媒質層が選択される。

本発明では、第１の面および第２の面がそれぞれ、可視光の波長以下の波長を有する第１の波面および第２の波面であることが好ましい。第１の波面と第２の波面との振動の平均幅が、異なっていることが好ましい。第１の波面の振動の平均幅は、第２の波面の振動の平均幅よりも大きいことが好ましい。第１の波面の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）が、１．８以下であり、第２の波面の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）が、１．８以下であることが好ましい。導電層の表面抵抗が、１０００Ω／□以下であることが好ましい。

本発明では、導電層は、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。導電層は、透明酸化物半導体を含んでいることが好ましい。導電層に隣接して形成された金属層をさらに備えることが好ましい。第１の波面と第２の波面との位置関係が、非同期であることが好ましい。第１の波面と第２の波面との位置関係が、同期していることが好ましい。媒質層は、波長範囲４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が２０％以上であることが好ましい。

本発明では、媒質層は、波面と界面を形成する凹凸面を有し、凹凸面は、可視光の波長以下のピッチで配置された多数の構造体により形成され、構造体の平均アスペクト比が、１．８以下であることが好ましい。媒質層は、第１の面に設けられた第１の媒質層と、第２の面に設けられた第２の媒質層とを備え、第１の媒質層および第２の媒質層の少なくとも一方は、波面と界面を形成する凹凸面を有し、凹凸面は、可視光の波長以下のピッチで配置された多数の構造体により形成されており、構造体の平均アスペクト比が、１．８以下であることが好ましい。

本発明では、導電層の第１の面および第２の面の少なくとも一方に、可視光の波長以下の波長λを有する波面を形成し、この波面の平均波長λに対する振動の平均幅Ａの比率（Ａ／λ）を１．８以下の範囲内としている。したがって、導電層表面における光の反射を低減することができる。

以上説明したように、本発明によれば、反射防止機能を有する透明導電性素子を提供することができる。この導電性素子を情報入力装置、または表示装置に備えた場合には、優れた表示特性を得ることができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した電極領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した絶縁領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。 図２Ａは、電極領域Ｒ１における光学層と第１の透明導電膜との界面の第１の例を示す拡大断面図である。図２Ｂは、電極領域Ｒ１における光学層と第１の透明導電膜との界面の第２の例を示す拡大断面図である。 図３Ａは、電極領域Ｒ１における光学層と第１の透明導電膜との界面の第３の例を示す拡大断面図である。図３Ｂは、電極領域Ｒ１における光学層と第１の透明導電膜との界面の第３の例を示す拡大断面図である。 図４Ａは、絶縁領域Ｒ２における第１の光学層と第３の光学層との界面の第１の例を示す拡大断面図である。図４Ｂは、絶縁領域Ｒ２における第１の光学層と第３の光学層との界面の第２の例を示す拡大断面図である。 図５Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の第１の例を示す概略平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５Ｃは、図５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５Ｄは、図５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図６Ａは、図５Ｂに示した第１の光学層のトラック延在方向の断面図である。図６Ｂは、図５Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。 図７Ａは、図５Ｂに示した構造体の第１の形状例を表す斜視図である。図７Ｂは、図５Ｂに示した構造体の第２の形状例を表す斜視図である。 図８Ａは、図５Ｂに示した構造体の第３の形状例を表す斜視図である。図８Ｂは、図５Ｂに示した構造体の第４の形状例を表す斜視図である。 図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。 図１０Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の第２の例を示す概略平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図１０Ｃは、図１０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１０Ｄは、図１０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図１１は、図１０Ｂに示した第１の光学層の一部を拡大して表す斜視図である。 図１２Ａは、第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。 図１３は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図１４Ａ〜図１４Ｅは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１５Ａ〜図１５Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１６Ａ〜図１６Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１７Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す平面図である。図１７Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す平面図である。 図１８Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。 図１９Ａ〜図１９Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。 図２０Ａ〜図２０Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。 図２１Ａ〜図２１Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。 図２２Ａ、図２２Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。 図２３Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図２３Ｃは、図２３ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２３Ｄは、図２３ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図２４Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。 図２５Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図２５Ｃは、図２５Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 図２６Ａは、本発明の第５の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図２６Ｂは、図２６Ａに示したタッチパネルの一部を拡大して表す拡大断面図である。 図２７は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図２８Ａは、本発明の第７の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図２８Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る第１の導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図２８Ｃは、本発明の第７の実施形態に係る第２の導電性素子の構成の一例を示す断面図である。 図２９Ａ〜図１９Ｄは、本発明の第７の実施形態に係る第１の導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図３０は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３１は、参考例１−１〜１−３、比較例１に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。 図３２は、参考例２−１〜２−３、比較例２に係る導電性素子の反射特性を示すグラフである。 図３３は、参考例３−１、３−２に係る導電性素子、および比較例３に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。 図３４は、参考例２０−１〜２０−３に係る導電性素子、および参考例２０−４に係る光学素子の反射特性を示すグラフである。 図３５は、参考例４−１、４−２、比較例４−２に係る導電性シート、および比較例４−１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。 図３６Ａは、参考例５−１〜５−４に係る導電性シート、および比較例５に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図３６Ｂは、参考例６−１〜６−４に係る導電性シート、および比較例６に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。 図３７Ａは、参考例７−１〜７−４に係る導電性シート、および比較例７に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図３７Ｂは、参考例８−１〜８−４に係る導電性シート、および比較例８に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。 図３８Ａは、参考例９−１〜９−４に係る導電性シート、および比較例９に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。図３８Ｂは、参考例１０−１〜１０−３に係る導電性シート、および比較例１０に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。 図３９は、参考例１１−１〜１１−４に係る導電性シート、および比較例１１に係る光学シートの反射特性を示すグラフである。 図４０Ａは、参考例１２−１〜１２−６に係る導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図４０Ｂは、参考例１３−１〜１８−４の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。図４０Ｃは、参考例１９−１〜１９−４の導電性シートの表面抵抗の特性を示すグラフである。

本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（光学層内に２層の透明導電膜を備えた例：図１参照）
２．第２の実施形態（構造体を四方格子状に２次元配列した例：図２３参照）
３．第３の実施形態（２種以上の構造体を２次元配列した例：図２４参照）
４．第４の実施形態（構造体をランダムに配列した例：図２５参照）
５．第５の実施形態（光学層内に単層の透明導電膜を備えた例：図２６参照）
６．第６の実施形態（抵抗膜方式タッチパネルに対する第１の適用例：図２７参照）
７．第７の実施形態（抵抗膜方式タッチパネルに対する第２の適用例：図２８参照）
８．第８の実施形態（表示装置に対する適用例：図３０参照）

＜１．第１の実施形態＞
［タッチパネルの構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図１Ａに示すように、情報入力装置であるタッチパネル１０は、表示装置１２の表示面上に設けられる。タッチパネル１０が適用される表示装置１２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

タッチパネル１０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子１１を備える。導電性素子１１は、光学層１と、この光学層内に所定間隔離して形成された第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６とを備える。第１の透明導電膜５は、例えば、所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜６は、例えば、所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交する関係にある。光学層１の屈折率ｎは、例えば１．２以上１．７以下の範囲内である。

第１の透明導電膜５の表面抵抗は、好ましくは１０００Ω/□以下、より好ましくは５００Ω/□以下である。このような範囲の表面抵抗にすることで、静電容量方式などのタッチパネルに利用することができる。第２の透明導電膜６の表面抵抗は、好ましくは１０００Ω/□以下、より好ましくは５００Ω/□以下である。このような範囲の表面抵抗にすることで、静電容量方式などのタッチパネルに利用することができる。

タッチパネル１０は、第１の透明導電膜５または第２の透明導電膜６が形成された電極領域Ｒ１と、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６が形成されず、隣り合う透明導電膜間を絶縁する絶縁領域Ｒ２とを有している。

図１Ｂは、図１Ａに示した電極領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した絶縁領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。光学層１は、第１の光学層２と、第２の光学層３と、第３の光学層４とを備える。第１の透明導電膜５は、第１の光学層２と第２の光学層３との間に設けられている。第２の透明導電膜６は、第１の光学層２と第３の光学層４との間に設けられている。

光学層１は、互いに対向する一対の第１の面Ｓｏ１および第２の面Ｓｏ２と、互いに対向する一対の第３の面Ｓｏ３および第４の面Ｓｏ２とを備える。具体的には、光学層１は、第１の面Ｓｏ１および第４の面Ｓｏ４を有する第１の光学層２と、第２の面Ｓｏ２を有する第２の光学層３と、第３の面Ｓｏ３を有する第３の光学層４とを備える。第１の面Ｓｏ１と第２の面Ｓｏ２との間に、これらの両面に密着するようにして第１の透明導電膜５が設けられている。第３の面Ｓｏ３と第４の面Ｓｏ４との間に、これらの両面に密着するようにして第２の透明導電膜６が設けられている。

（導電層形成領域Ｒ１）
電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜５は、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有する。第１の透明導電膜５の第１の面Ｓ１は、第１の光学層２との界面を形成する側の面であり、第１の透明導電膜５の第２の面Ｓ２は、第２の光学層３との界面を形成する側の面である。第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長λを有する波面であり、両面を上記波面とすることが好ましい。界面反射を抑制することができるからである。この波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下の範囲内である。１．８を超えると、転写しにくくなる傾向がある。第１の透明導電膜層５の平均膜厚Ｄｍは、波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きいことが好ましい。これにより、導電材料の自由度が増え、工程を簡略化することができる。

電極領域Ｒ１における第２の透明導電膜６は、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有する。第２の透明導電膜６の第１の面Ｓ１は、第３の光学層４との界面を形成する側の面であり、第２の透明導電膜５の第２の面Ｓ２は、第１の光学層２との界面を形成する側の面である。第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長λを有する波面であり、両面を上記波面とすることが好ましい。界面反射を抑制することができるからである。この波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下の範囲内である。１．８を超えると、転写しにくくなる傾向がある。第１の透明導電膜層６の平均膜厚Ｄｍは、波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きいことが好ましい。これにより、導電材料の自由度が増え、工程を簡略化することができる。

なお、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６の材料、および膜厚などは、互いに独立に選ぶことが可能である。また、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２の形状、波長および振幅なども互いに独立に選ぶことが可能である。

電極領域Ｒ１における第１の面Ｓｏ１および第２の面Ｓｏ２の少なくとも一方は、可視光の波長以下のピッチで多数の構造体が配列された凹凸面であり、両面を凹凸面とすることが好ましい。界面反射をより抑制することができるからである。この構造体の平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が、１．８以下の範囲内であることが好ましい。第１の透明導電膜層５の平均膜厚Ｄｍは、構造体の平均高さＨｍよりも大きいことが好ましい。

電極領域Ｒ１における第３の面Ｓｏ３および第４の面Ｓｏ４の少なくとも一方は、可視光の波長以下のピッチで多数の構造体が配列された凹凸面であり、両面を凹凸面とすることが好ましい。界面反射をより抑制することができるからである。この構造体の平均アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が、１．８以下の範囲内である。第２の透明導電膜層６の平均膜厚Ｄｍは、構造体の平均高さＨｍよりも大きい。

以下、図２Ａ〜図３Ｂを参照しながら、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜５の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２と、光学層１の第１の面Ｓｏ１および第２の面Ｓｏ２について説明する。なお、電極領域Ｒ１における第２の透明導電膜６の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜５の第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２と同様とすることができるので、その説明を省略する。また、電極領域Ｒ１における光学層１の第３の面Ｓｏ３および第４の面Ｓｏ４は、電極領域Ｒ１における光学層１の第１の面Ｓｏ１および第２の面Ｓｏ２と同様にすることができるので、その説明を省略する。

（第１の例）
図２Ａは、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜の第１の例を示す拡大断面図である。第１の透明導電膜５は、第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とを有する。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とは、例えば、互いに同期または非同期する波面である。第１の波面Ｓｗ１は、第１の光学層２と界面を形成する側の波面であり、第２の波面Ｓｗ２は、第２の光学層３と界面を形成する側の波面である。

第１の波面Ｓｗ１の波長λ１および第２の波面Ｓｗ２の波長λ２は、可視光の波長以下である。第１の波面Ｓｗ１の振動の平均幅Ａｍ１と第２の波面Ｓｗ２の振動の平均幅Ａｍ２とは、例えば、互いに同一または異なって選ぶことが可能である。

振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２との波形は同一である必要はなく、必要とする光学特性などに応じて両波面の形状を異なる形状とすることが可能である。

電極領域Ｒ１において第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）が、１．８以下であることが好ましい。０．１未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．８を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）が、１．８以下であることが好ましい。０．１未満であると、反射率が増加する傾向がある。１．８を超えると、表面抵抗が所定の値を満たせなくなる傾向がある。第１の透明導電膜５の平均膜厚Ｄｍは、導電材料の種類により選ぶことができる。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２との振幅および波長などの物性値は互いに同一である必要はなく、異なっていてもよい。

ここで、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１、および比率（Ａｍ１／λｍ１）と、第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２、および比率（Ａｍ２／λｍ２）とは、以下のようにして求めたものである。まず、第１の透明導電膜５の第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面Ｓｗ１の波長λ１、振動の幅Ａ１、または第２の波面Ｓｗ２の波長λ２、振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１、または第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ１、振動の平均幅Ａｍ１、または平均波長λｍ２、振動の平均幅Ａｍ２を用いて、比率（Ａｍ１／λｍ１）または比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。

平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、第１の透明導電膜５の第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、膜厚が最も厚くなる位置における第１の透明導電膜５の膜厚を測定する。この測定を第１の透明導電膜５から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。

第１の光学層２は、第１の波面Ｓｏｗ１を有し、第２の光学層３は、第２の波面Ｓｏｗ２を有する。第１の波面Ｓｏｗ１と第２の波面Ｓｏｗ２との間に第１の透明導電膜５が設けられている。第１の波面Ｓｏｗ１は、第１の透明導電膜５の第１の波面Ｓｗ１と界面を形成する波面であり、第２の波面Ｓｏｗ２は、第１の透明導電膜５の第２の波面Ｓｗ２と界面を形成する波面である。第１の波面Ｓｏｗ１は、複数の第１の構造体２ａを２次元配列することにより形成され、第２の波面Ｓｏｗ２は、複数の第２の構造体３ａを２次元配列することにより形成される。

電極領域Ｒ１において第１の構造体２ａの平均アスペクト比（平均高さＨｍ１／平均配置ピッチＰｍ１）は、１．８以下であることが好ましい。電極領域Ｒ１において第２の構造体３ａのアスペクト比（平均高さＨｍ２／平均配置ピッチＰｍ２）は、１．８以下であることが好ましい。第１の構造体２ａの頂部における第１の透明導電膜５の平均膜厚は、１２０ｎｍ以下であることが好ましい。１２０ｎｍを超えると、反射率が増加する傾向がある。第１の構造体２ａの頂部における第１の透明導電膜５の膜厚をＤ１、第１の構造体２ａの傾斜面における第１の透明導電膜５の膜厚をＤ２、第１の構造体膜間における第１の透明導電膜５の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。

ここで、平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、以下のようにして求めたものである。まず、導電性素子１１を第１の構造体２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２ａの配置ピッチＰ１、第１の構造体２ａの高さまたは深さＨ１を求める。この測定を導電性素子１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１を求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ１、平均高さＨｍ１を用いて、アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）を求める。
平均アスペクト比（Ｈｍ２／ｍＰ２）は、上述の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）と同様にして求めることができる。

平均膜厚は、最大膜厚の平均値を意味し、具体的には以下のようにして求められる。まず、導電性素子１１を第１の構造体２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の構造体２ａにおける第１の透明導電膜５の膜厚を測定する。これらの測定を導電性素子１１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求める。

（第２の例）
図２Ｂは、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜の第２の例を示す拡大断面図である。第１の透明導電膜５は、第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とを有する。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とは、異なる波長λおよび／または振幅Ａが異なっている。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２との波形が異なるようにしてもよい。

（第３の例）
図３Ａは、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜の第３の例を示す拡大断面図である。第１の透明導電膜５は、波面Ｓｗ１と平面Ｓｐ２とを有する。波面Ｓｗ１は、第１の光学層２と界面を形成する側の面であり、平面Ｓｐ２は、第２の光学層３と界面を形成する側の面である。この第２の例では、第１の透明導電膜５が波面Ｓｗ１を有しているので、第１の透明導電膜５と第１の光学層２との界面での光の反射を抑制することができる。

（第４の例）
図３Ｂは、電極領域Ｒ１における第１の透明導電膜の第４の例を示す拡大断面図である。第１の透明導電膜５は、平面Ｓｐ１と波面Ｓｗ２とを有する。平面Ｓｐ１は、第１の光学層２と界面を形成する側の面であり、波面Ｓｗ２は、第２の光学層３と界面を形成する側の面である。この第３の例では、第１の透明導電膜５が波面Ｓｗ２を有しているので、第２の光学層３と第１の透明導電膜５との界面での光の反射を抑制することができる。

（絶縁領域Ｒ２）
絶縁領域Ｒ２における第１の光学層２と第２の光学層３との界面の形状は、例えば、平面または波面であり、可視光の波長以下の波長λを有する波面とすることが好ましい。第１の光学層２と第２の光学層３との屈折率が異なる場合に、両者の界面における界面反射を抑制することができるからである。界面の形状は、具体的には例えば、第１の光学層の第１の面Ｓｏ１または第２の光学層の第２の面Ｓｏ２と同一の形状である。
以下、図４Ａ、図４Ｂを参照しながら、絶縁領域Ｒ１における第１の光学層２と第３の光学層３との界面について説明する。なお、絶縁領域Ｒ１における第１の光学層２と第３の光学層４との界面は、絶縁領域Ｒ１における第１の光学層２と第３の光学層３との界面と同様とすることができるので、その説明を省略する。

（第１の例）
図４Ａは、絶縁領域Ｒ１における第１の光学層と第３の光学層との界面の第１の例を示す拡大断面図である。第１の光学層２と第３の光学層３との界面は、第１の透明導電層５の第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２と同様の形状を有している。なお、図４Ａでは、第１の光学層２と第３の光学層３との界面が、第１の透明導電層４の第１の波面Ｓ１と同様である例が示されている。

（第２の例）
図４Ｂは、絶縁領域Ｒ１における第１の光学層と第３の光学層との界面の第１の例を示す拡大断面図である。第１の光学層２と第３の光学層３との界面は、第１の透明導電膜５の平面Ｓｐ１またはＳｐ２と同様と同様の形状を有している。なお、図４Ｂでは、第１の光学層２と第３の光学層３との界面が、第１の透明導電層４の平面Ｓｐ１と同様である例が示されている。

（第１の光学層）
（第１の例）
図５Ａは、凸状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の第１の例を示す概略平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図５Ｃは、図５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図５Ｄは、図５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図６Ａは、図５Ｂに示した第１の光学層のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図６Ｂは、図５Ｂに示した第１の光学層のθ方向の断面図である。図７Ａ〜図８Ｂは、図５Ｂに示した構造体の形状例を表す斜視図である。

第１の光学層２は、第１の主面および第２の主面を有する基体２ｃと、第１の主面に形成された多数の第１の構造体２ａと、第２の主面に形成された多数の第２の構造体２ｂとを備える。第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂは、例えば凸状の形状を有している。

（基体）
基体２ｃは、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２ｃの材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２ｃとしてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２ｃの表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２ｃがプラスチックフィルムである場合には、基体２ｃは、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２ｃの厚さは、導電性素子１１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２ｃの形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
基体２ｃの第１の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２ａが多数配列されて第１の波面Ｓｏｗ１が形成されている。基体２ｃの第２の主面には、例えば、凸状を有する第１の構造体２ａが多数配列されて第４の波面Ｓｏｗ４が形成されている。これらの第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂは、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の平均配置ピッチで周期的に２次元配置されている。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、第１の構造体２ａの平均配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、第１の構造体２ａの作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

第１の構造体２ａと第２の構造体２ｂとは基体２ｃの形成面が異なる以外の点では同様であるので、以下では第１の構造体２ａについてのみ説明する。

第１の光学層２の各第１の構造体２ａは、基体２ｃの表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、第１の構造体２ａが列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２ｃの成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。

第１の構造体２ａは、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された第１の構造体２ａの中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の第１の構造体２ａが配置されている。その結果、図５Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に第１の構造体２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２ａが配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。また、構造体は準六方格子や六方格子パターンに限らず、四方格子やランダムな凹凸面など、その他のパターンであってもかまわない。

第１の構造体２ａが準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図５Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における第１の構造体２ａの配置ピッチｐ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における第１の構造体２ａの配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における第１の構造体２ａの配置ピッチｐ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように第１の構造体２ａを配置することで、第１の構造体２ａの充填密度の更なる向上を図れるようになる。

第１の構造体２ａが、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。第１の構造体２ａが、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する第１の構造体２ａに接合されている場合には、第１の構造体２ａが、隣接する第１の構造体２ａに接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。

第１の構造体２ａは、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、第１の構造体２ａは、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図８Ａに示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。

反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図７Ｂ参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図７Ａ参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図８Ａ参照）であることが好ましい。第１の構造体２ａが楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図７Ａ〜図８Ｂでは、各第１の構造体２ａは、それぞれ同一の形状を有しているが、第１の構造体２ａの形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の第１の構造体２ａが形成されていてもよい。また、第１の構造体２ａは、基体２ｃと一体的に形成されていてもよい。

また、図７Ａ〜図８Ｂに示すように、第１の構造体２ａの周囲の一部または全部に突出部２ｅを設けることが好ましい。このようにすると、第１の構造体２ａの充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部２ｅは、図７Ａ〜図８Ｂに示すように、隣り合う第１の構造体２ａの間に設けられる。また、細長い突出部２ｅが、図８Ｂに示すように、第１の構造体２ａの周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部２ｅは、例えば、第１の構造体２ａの頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部２ｅの形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、第１の構造体２ａの周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う第１の構造体２ａの間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、第１の構造体２ａの表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

トラックの延在方向における第１の構造体２ａの高さＨ１は、列方向における第１の構造体２ａの高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように第１の構造体２ａを配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における第１の構造体２ａの充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

なお、第１の構造体２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各第１の構造体２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する第１の構造体２ａを設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性素子１１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する第１の構造体２ａが基体２ｃの表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する第１の構造体２ａと、この第１の構造体２ａとは異なる高さを有する第１の構造体２ａとが基体２ｃの表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する第１の構造体２ａは、例えば基体２ｃの表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

第１の構造体２ａの周縁部に裾部２ｄを設けることが好ましい。導電性素子の製造工程において第１の構造体２ｄを金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部２ｄとは、第１の構造体２ａの底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部２ｃは、上記剥離特性の観点からすると、第１の構造体２ａの頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部２ｄは、第１の構造体２ａの周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、第１の構造体２ａの周縁部の全部に設けることが好ましい。また、第１の構造体２ａが凹部である場合には、裾部は、第１の構造体２ａである凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。

六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように第１の構造体２ａが配置されている場合には、第１の構造体２ａの高さＨは、第１の構造体２ａの列方向の高さとする。第１の構造体２ａのトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、第１の構造体２ａのトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。

同一トラック内における第１の構造体２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、比率ｐ１／ｐ２が、好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．２、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦ｐ１／ｐ２≦１．１、または１．００＜ｐ１／ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

基体表面における第１の構造体２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する第１の構造体２ａの下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして第１の構造体２ａに歪みを付与することが好ましい。

図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する第１の構造体２ａの配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２ａの配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第１の構造体２ａが、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、第１の構造体２ａの下部が、隣接関係にある第１の構造体２ａの一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２ａの下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、第１の構造体２ａの下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある第１の構造体２ａの全部の下部を接合する例が示されている。このように第１の構造体２ａを接合することで、第１の構造体２ａの充填率を向上することができる。第１の構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

図９Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する第１の構造体２ａの下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する第１の構造体２ａの下部同士が重ね合わされて第２の接合部ｂが形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する第１の構造体２ａの下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。

配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が大きくなり、第１の構造体２ａの重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、第１の構造体底面のトラック方向の径である。なお、第１の構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、第１の構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

（第２の例）
図１０Ａは、凹状の構造体が両主面に多数形成された第１の光学層の構成の第２の例を示す概略平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図１０Ｃは、図１０ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１０Ｄは、図１０ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１１は、図１０Ｂに示した導電性素子の一部を拡大して表す斜視図である。

第２の構成例は、第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂが凹状である点において、第１の構成例と異なっている。このように第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂを凹状とした場合、凹状を有する第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂの開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２ｃの深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である第１の構造体２ａ、および第２の構造体２ｂにより頂部、および下部を定義する。

（透明導電膜）
第１の透明導電膜５、および第２の透明導電膜６は、例えば、有機透明導電膜または無機透明導電膜である。第１の透明導電膜５、および第２の透明導電膜６の一方を有機透明導電膜とし、他方を無機透明導電膜としてもよい。有機透明導電膜は、導電性高分子またはカーボンナノチューブを主成分としていることが好ましい。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系などの導電性高分子材料を用いることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を用いることが好ましい。

無機透明導電膜は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

第１の透明導電膜５、および第２の透明導電膜６を構成する材料として、生産性の観点からすると、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらの材料を主成分とすることで、高価な真空装置などを用いずに、ウエットコーティングにより導電層４を容易に形成することができる。

第１の透明導電膜５の平均膜厚Ｄｍは、透過率が２０％以上となるような膜厚以下であることが好ましい。第２の透明導電膜６の平均膜厚Ｄｍは、透過率が２０％以上となるような膜厚以下であることが好ましい。本明細書において第１の透明導電膜５の平均膜厚Ｄｍは、上述したように、第１の構造体２ａの頂部における第１の透明導電膜厚５の平均膜厚である。また、第２の透明導電膜６の平均膜厚Ｄｍは、上述したように、第２の構造体４ａの頂部における第２の透明導電膜厚６の平均膜厚である。

［ロール原盤の構成］
図１２Ａは、上述の構成を有する第１の光学層を作製するためのロール原盤の構成の一例を示す。図１２Ｂは、図１２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１０１は、例えば、そのロール表面に凹部である構造体１０２が可視光などの光の波長以下のピッチで多数配置された構成を有している。ロール原盤１０１は、円柱状または円筒状の形状を有する。ロール原盤１０１の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。

［露光装置の構成］
図１３は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源２１は、記録媒体としてのロール原盤１０１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１０４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１０４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１０４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１０４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１０４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１０４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１０４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１０４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１０１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１０１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１０１を回転させるとともに、レーザー光１０４をロール原盤１０１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１０４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１０４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図１２Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１０４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介してロール原盤１０１上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。

［導電性素子の製造方法］
次に、図１４Ａ〜図１６Ｄを参照しながら、以上のように構成される導電性素子１１の製造方法について説明する。

（レジスト成膜工程）
まず、図１４Ａに示すように、円柱状のロール原盤１０１を準備する。このロール原盤１０１は、例えばガラス原盤である。次に、図１４Ｂに示すように、ロール原盤１０１の表面にレジスト層１０３を形成する。レジスト層１０３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１４Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１０１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１０４をレジスト層１０３に照射する。このとき、レーザー光１０４をロール原盤１０１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１０１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１０４を間欠的に照射することで、レジスト層１０３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１０４の軌跡に応じた潜像１０５が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１０３の全面にわたって形成される。

潜像１０５は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１０５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、ロール原盤１０１を回転させながら、レジスト層１０３上に現像液を滴下して、図１４Ｄに示すように、レジスト層１０３を現像処理する。図示するように、レジスト層１０３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１０４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１０５に応じたパターンがレジスト層１０３に形成される。

（エッチング工程）
次に、図１４Ｅに示すように、ロール原盤１０１の上に形成されたレジスト層１０３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１０１の表面をロールエッチング処理する。これにより、図１５Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１０２を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１０２のパターンを形成することができる。また、例えば、レジスト層１０３の３倍以上の深さ（選択比３以上）のロール原盤１０１を作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。ドライエッチングとしては、ロールエッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。

以上により、例えば、深さ１２０ｎｍ程度から３５０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロール原盤１０１が得られる。

（第１の光学層の形成工程）
次に、図１５Ｂに示すように、例えば、基体２ｃの一主面に転写塗料１０６を塗布した後、この転写材料１０６に対してロール原盤１０１を押し当てると共に、転写材料１０６に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２ｃをロール原盤１０１から剥離する。これにより、図１５Ｃに示すように、凸部である第１の構造体２ａが基体２ｃの一主面に多数形成される。

次に、例えば、基体２ｃの他主面（複数の構造体が形成された側とは反対面）に、転写材料１０６を塗布した後、この転写材料１０６に対してロール原盤１０１を押し当てると共に、転写材料１０６に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体２ｃをロール原盤１０１から剥離する。これにより、図１５Ｄに示すように、凸部である第２の構造体２ｂが基体２ｃの他主面に多数形成される。これにより、第１の光学層２が得られる。なお、第１の構造体２ａと第２の構造体２ｂの形成順序はこの例に限定されるものではなく、第１の構造体２ａと第２の構造体２ｂとを基体２ｃの両面に同時に形成するようにしてもよい。

転写材料１０６は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２ｃの材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２ｃの成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。また、転写材料１０６としては、例えば、スピンオングラス（Spin On Glass）材料を用いることもできる。

（塗布工程）
次に、図１６Ａに示すように、例えば、第１の光学層２の第１の波面Ｓｏｗ１上に導電性塗料５ｍを塗布する。導電性塗料５ｍは、例えば、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブなどからなる群から選ばれる少なくとも１種を導電性材料として含んでいる。また、必要に応じて、有機高分子、架橋剤および溶剤などを含んでいてもよい。塗布方法としては、導電性塗料５ｍを波面Ｓｏｗ１上にほぼ均一に塗布可能な方法であればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、スピンコート法、ロールコート法、リバースコート法、ブレードコート法、スプレー法、ディッピング法、ラミナーフローコーティング法などを挙げることができる。また、スクリーン印刷やインクジェット印刷などの印刷技術を用いて、導電性塗料５ｍを所定のパターンに塗布するようにしてもよい。

（硬化工程）
次に、図１６Ｂに示すように、例えば、導電性塗料５ｍ上に第２の光学層３を載置し、導電性塗料５ｍを硬化させる。

（塗布工程）
次に、図１６Ｃに示すように、例えば、第１の光学層２の第４の波面Ｓｏｗ４上に、導電性塗料６ｍを塗布する。導電性塗料６ｍとしては、例えば、導電性塗料５ｍと同様のものを用いることができる。

（硬化工程）
次に、図１６Ｄに示すように、例えば、導電性塗料６ｍ上に第３の光学層４を載置し、導電性塗料６ｍを硬化させる。
以上により、目的とする導電性素子１１が得られる。

なお、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６が無機透明導電膜である場合には、透明導電膜の成膜方法として、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６が無機透明導電膜である場合、成膜後に、必要に応じて、無機透明導電膜に対してアニール処理を施すようにしてもよい。これにより、無機透明導電膜を、例えばアモルファスと多結晶との混合状態とすることができる。

第１の実施形態によれば、導電性素子１１は、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有する第１の透明導電膜５と、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有する第２の透明導電膜６とを光学層内に備える。両導電層の有する第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面である。これにより、光学層１と第１の透明導電膜５との界面、および光学層１と第２の透明導電層６との界面における反射を低減できる。

また、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６を所定の電極パターン状に形成した場合に、第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６の電極パターンが有る部分と無い部分との反射率の違いを低減することができる。したがって、電極パターンの視認を抑制できる。また、多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成との採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。

光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて導電性素子１１を作製した場合には、導電性素子１１の生産性の向上を図ることができると共に、導電性素子１１の大型化にも対応できる。

［変形例］
（第１の変形例）
上述の第１の実施形態では、トラックが直線状を有する場合について説明したが、トラックの形状はこの例に限定されるものではない。以下では、光学層１の第１の面Ｓｏ１に形成された第１の構造体２ａのトラック形状についてのみ説明するが、光学層１の第１の面Ｓｏ１以外に形成された構造体についても同様のトラック形状とすることができる。

図１７Ａは、第１の実施形態に係る導電性素子のトラックの変形例を示す平面図である。この変形例は、多数の第１の構造体２ａを円弧状に配置している点において、第1の実施形態とは異なっている。隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体２ａの中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体２ａが配置されている。

図１７Ｂは、第１の実施形態に係る導電性素子のトラックの変形例を示す平面図である。この変形例は、多数の第１の構造体２ａを蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１の実施形態とは異なっている。このように第１の構造体２ａをウォブルトラック上に配列することで、外観上のムラの発生を抑制できる。基体２ｃ上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。

（第２の変形例）
図１８Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。この変形例は、第１の透明導電膜５に隣接して設けられた第１の金属膜５ａ、および／または第２の透明導電膜６に隣接して設けられた第２の金属膜６ａを備える点において、第１の実施形態とは異なっている。

第１の金属膜５ａおよび／または第２の金属膜６ａを形成することで、抵抗率を低減でき、第１の透明導電膜５および／または第２の透明導電膜６を薄くすることができる。また、第１の透明導電膜５または第２の透明導電膜６だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができる。

第１の金属膜５ａは、例えば、第１の光学層２と第１の透明導電膜５との間の界面、第１の透明導電膜５と第２の光学層３との間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第１の透明導電膜５と第１の金属膜５ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第１の透明導電膜５を第１の金属膜５ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。

第２の金属膜６ａは、例えば、第１の光学層２と第２の透明導電膜６との間の界面、第２の透明導電膜５と第３の光学層４との間の界面、またはそれらの両方に形成される。また、積層膜は２層構造に限定されるものではなく、第２の透明導電膜６と第２の金属膜６ａとを組み合わせて３層以上積層する積層構造を採用するようにしてもよい。例えば、２つの第２の透明導電膜６を第２の金属膜６ａを介して積層する積層構造を採用するようにしてもよい。

第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａは導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度の膜厚であれば、第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａによる吸収や反射などの光学的な影響はほとんどない。第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａを構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を挙げることができる。これらの材料のうちでも、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａだけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａが島状の構造となり、導通性を確保することが困難となる傾向がある。このような場合、島状の第１の金属膜５ａおよび第２の金属膜６ａをそれぞれ第１の透明導電膜５および第２の透明導電膜６により電気的につなぐことが好ましい。

（第３の変形例）
図１９Ａ〜図１９Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。図２０Ａ〜図２０Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。

（原盤の作製工程）
まず、図１９Ａに示すように、第１の実施形態と同様にして、ロール原盤１０１を作製する。

（第３の光学層の形成工程）
次に、図１９Ｂに示すように、例えば、基体４ｂの一主面に転写塗料１０６を塗布した後、この転写材料１０６に対してロール原盤１０１を押し当てると共に、転写材料１０６に対して紫外線などを照射し硬化させた後、基体４ｂをロール原盤１０１から剥離する。これにより、図１９Ｃに示すように、凸部である第１の構造体２ａが基体４ｂの一主面に多数形成される。

（塗布工程）
次に、図１９Ｄに示すように、例えば、第３の光学層４の第３の波面Ｓｏｗ３上に、導電性塗料６ｍを塗布する。

（硬化工程）
次に、図２０Ａに示すように、例えば、導電性塗料６ｍ上に第１の光学層２を載置した後、導電性塗料６ｍを硬化させる。

（塗布工程）
次に、図２０Ｂに示すように、例えば、第１の光学層２の第１の波面Ｓｏｗ１上に、導電性塗料５ｍを塗布する。

（硬化工程）
次に、図２０Ｃに示すように、例えば、導電性塗料５ｍ上に、第２の光学層３を載置した後、導電性塗料５ｍを硬化させる。
以上により、目的とする導電性素子１１が得られる。

（第４の変形例）
図２１Ａ〜図２１Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。図２２Ａ、図２２Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の変形例を説明するための工程図である。

まず、例えば、ロール原盤などの凹凸形状を転写材料に転写することにより、波面Ｓｏｗ３を有する第３の光学層４を形成する。次に、この第３の光学層４の波面Ｓｏｗ３上に第２の透明導電層６を形成する。

次に、例えば、ロール原盤などの凹凸形状を転写材料に転写することにより、波面Ｓｏｗ２を有する第２の光学層３を形成する。次に、この第２の光学層３の波面Ｓｏｗ２上に第１の透明導電層５を形成する。

次に、例えば、第２の透明導電膜４の平面Ｓｐ２上に、紫外線硬化樹脂または粘着剤などからなる貼合層１０７を形成する。この貼合層１０７を介して、第２の光学層２上に形成された第１の透明導電膜５と、第３の光学層４上に形成された第２の透明導電膜６とを貼り合わせる。
以上により、目的とする導電性素子１１が得られる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図２３Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示した導電性素子の一部を拡大して表す平面図である。図２３Ｃは、図２３ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２３Ｄは、図２３ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。

第２の実施形態に係る導電性素子１１は、第１の構造体２ａが、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。

第１の構造体２ａの高さまたは深さは特に限定されず、例えば、１００ｎｍ〜２８０ｎｍ程度である。トラックに対して（約）４５度方向ピッチＰ２は、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。第１の構造体２ａのアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、例えば、０．５４〜１．１３程度である。更に、第１の構造体２ａのアスペクト比は全て同一である場合に限らず、第１の構造体２ａが一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。

同一トラック内における第１の構造体２ａの配置ピッチｐ１は、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２ａの配置ピッチｐ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における第１の構造体２ａの配置ピッチをｐ１、隣接する２つのトラック間における第１の構造体２ａの配置ピッチをｐ２としたとき、ｐ１／ｐ２が１．４＜ｐ１／ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する第１の構造体２ａの充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における第１の構造体２ａの高さまたは深さは、トラックの延在方向における第１の構造体２ａの高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる第１の構造体２ａの配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における第１の構造体２ａの高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、第１の構造体２ａの高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように第１の構造体２ａが配置されている場合には、第１の構造体２ａの高さＨは、第１の構造体２ａの延在方向（トラック方向）の高さとする。

基体表面における第１の構造体２ａの充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。

配置ピッチｐ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、第１の構造体２ａの充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチｐ１は、第１の構造体２ａのトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

＜３．第３の実施形態＞
図２４Ａは、第４の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。第４の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

第４の実施形態に係る導電性素子は、２種以上の大きさ、および／または形状を有する多数の構造体２ａが基体表面に形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。２種以上の大きさ、および／または形状を有する第１の構造体２ａは、例えば、同一形状および／または大きさを有する第１の構造体２ａがトラック方向などに周期的に繰り返されるように配置される。また、同一形状および／または大きさを有する構造体２ａがランダムに基体表面に現れるように配置されるようにしてもよい。なお、上述した例では、第１の構造体２ａを２種以上の大きさ、および／または形状に形成する例について説明したが、第２の構造体３ａ、第３の構造体４ａ、および第４の構造体２ｂを２種以上の大きさ、および／または形状に形成することも可能である。また、第１の構造体２ａ、第２の構造体３ａ、第３の構造体４ａ、および第４の構造体２ｂのうちの全てを２種以上の大きさ、および／または形状とする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じて２種以上の大きさ、および／または形状とすることが可能である。

＜４．第４の実施形態＞
図２５Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の第１の光学層の構成の一例を示す概略平面図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示した第１の光学層の一部を拡大して表す平面図である。図２５Ｃは、図２５Ｂに示したＣ−Ｃ線に沿った断面図である。第５の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

第４の実施形態に係る導電性素子は、多数の第１の構造体２ａがランダムに配置されている点において、第１の実施形態とは異なっている。基体表面に配置される第１の構造体２ａは、同一の大きさおよび／または形状に限定されるものではなく、２種以上の異なる大きさおよび／または形状を有していてもよい。第１の構造体２ａは、２次元的または３次元的にランダムに形成されていることが好ましい。ここで、２次元的にランダムとは、導電性素子１１または第１の光学層２の面内方向にランダムであることをいう。また、３次元的にランダムとは、導電性素子１１または第１の光学層２の面内方向にランダムであると共に、導電性素子１１または第１の光学層２の厚さ方向にもランダムであることをいう。なお、上述した例では、第１の構造体２ａをランダムに形成する例について説明したが、第２の構造体３ａ、第３の構造体４ａ、および第４の構造体２ｂをランダムに形成することも可能である。また、第１の構造体２ａ、第２の構造体３ａ、第３の構造体４ａ、および第４の構造体２ｂのうちの全てをランダムとする必要はなく、それらのうちの少なくとも１つを所望とする光学特性に応じてランダムとすることが可能である。

＜５．第５の実施形態＞
図２６Ａは、本発明の第５の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図２６Ａに示したタッチパネルの一部を拡大して表す拡大断面図である。第５の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この第５の実施形態に係るタッチパネル（情報入力装置）２００は、いわゆる表面静電容量方式タッチパネルであり、導電性素子２０１を備える。このタッチパネル２００は、例えば表示装置１２の表示面に対して、粘着剤などからなる貼合層２０４を介して貼り合わされる。導電性素子２０１は、光学層２０２と、この光学層内に形成された透明導電膜２０３とを備える。

透明導電層２０３は、第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とを有することが好ましい。すなわち、光学層２０２は、第１の波面Ｓｏｗ１を有する第１の光学層２０４と、第２の波面Ｓｏｗ２を有する第２の光学層２０５とを備えることが好ましい。これにより、光学層２０２内における界面反射を抑制することができるからである。第２の光学層２０５は、例えばＳｉＯ₂などの誘電体を主成分とする誘電体層である。透明導電膜２０３は、例えば、第１の光学層２０４の第１の波面Ｓｏｗ１のほぼ全体に形成されている。透明導電膜２０３の材料としては、第１の実施形態の第１の透明導電膜５と同様のものを用いることができる。

＜６．第６の実施形態＞
図２７は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第６の実施形態において、第５の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。このタッチパネル（情報入力装置）３００は、いわゆるデジタル抵抗膜方式タッチパネルであり、第１の導電性素子３０１と、この第１の導電性素子３０１と対向する第２の導電性素子３０２とを備える。第１の導電性素子３０１と第２の導電性素子３０２とは所定の間隔離して設けられており、両素子間には空気層（媒質層）３０３が形成されている。第１の導電性素子３０１と、第２の導電性素子３０２とは、それらの周縁部間に配置された貼合部３０４を介して互いに貼り合わされている。貼合部３０４としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。タッチパネル３００は、耐擦傷性の向上の観点から、第１の導電性素子３０１のタッチ側となる面に、ハードコート層３０５をさらに備えることが好ましい。このハードコート層３０５の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。タッチパネル３００は、表示特性の向上の観点から、ハードコート３０５上に反射防止層３０７をさらに備えることが好ましい。反射防止層３０７としては、ＡＲ(Anti-Reflection)層、ＬＲ（Low-reflection）層、ＡＧ(Anti-Glare)層などを挙げることができる。タッチパネル表面に反射防止機能を付与する構成はこれに限定されるものではなく、例えばハードコート層３０５自体に反射防止機能を付与する構成としてもよい。このタッチパネル３００は、例えば表示装置１２の表示面に対して貼合層３０６を介して貼り合わされる。貼合層３０６の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

第１の導電性素子３０１は、第２の導電性素子３０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体（第１の光学層）３１１と、第１の基体３１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜３１２とを備える。第２の導電性素子３０２は、第１の導電性素子３０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）３２１と、第２の基体３２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜３２２とを備える。

第１の透明導電膜３１２は、例えば、ストライプ状などの所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電膜６は、例えば、ストライプ状などの所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交するように配置されている。第１の透明導電膜３１２は、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を有する。これらの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、可視光の波長以下の波長を有する波面であることが好ましい。第２の透明導電膜３２２は、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を有する。これらの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、可視光の波長以下の波長を有する波面であることが好ましい。第１の透明導電膜３１２または第２の透明導電膜３２２が有する波面は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

＜７．第７の実施形態＞
図２８Ａは、本発明の第７の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。図２８Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る第１の導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図２８Ｃは、本発明の第７の実施形態に係る第２の導電性素子の構成の一例を示す断面図である。第７の実施形態において、第６の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

このタッチパネル（情報入力装置）３５０は、いわゆるアナログ抵抗膜方式タッチパネルであり、第１の導電性素子３３１と、この第１の導電性素子３３１と対向する第２の導電性素子３４１とを備える。第１の導電性素子３３１と第２の導電性素子３４１とは所定の間隔離して設けられており、両素子間には空気層（媒質層）３０３が形成されている。この導電性素子３４１上にドットスペーサーを設けてもよい。第１の導電性素子３３１と、第２の導電性素子３４２とは、それらの周縁部間に配置された貼合部３０４を介して互いに貼り合わされている。

第１の導電性素子３３１および第２の導電性素子３４１は、例えば、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブなどからなる群より選ばれる少なくとも１種の導電材料を含んでいる。第１の導電性素子３３１は、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有し、これらの面の少なくとも一方が波面であることが好ましい。第２の導電性素子３４１は、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを有し、これらの面の少なくとも一方が波面であることが好ましい。第１の導電性素子３３１または第２の導電性素子３４１の波面は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、その詳細は第１の実施形態と同様である。

図２８Ｂでは、第１の導電性素子３３１において、第２の導電性素子３４１と対向する第１の面Ｓ１を波面Ｓｗ１とした例が示されている。図２８Ｃでは、第２の導電性素子３４１において、第１の導電性素子３３１と対向する第２の面Ｓ２を波面Ｓｗ２とした例が示されている。

以下、図２９Ａ〜図２９Ｄを参照しながら、第１の導電性素子３３１の製造方法の一例について説明する。なお、第２の導電性素子３４１は、第１の導電性素子３３１と同様にして製造することができるので、説明を省略する。

まず、図２９Ａに示すように、例えば、第１の実施形態と同様にして、原盤３６０を作製する。次に、図２９Ｂに示すように、離型性の向上の観点から、金属膜または酸化物膜など薄膜３６１を原盤３６０の成形面に対して形成することが好ましい。次に、図２９Ｃに示すように、原盤３６０の成形面に対して導電性塗料３６１を塗布し、硬化させる。次に、硬化した導電性塗料３６１を原盤３６０から剥離する。これにより、図２９Ｄに示すように、波面Ｓｗ１を有する第１の導電性素子３３１が得られる。

＜８．第８の実施形態＞
図３０は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。第８の実施形態において、第６の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この表示装置４００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子４０１と、第１の導電性素子４０１と対向配置された第２の導電性素子４０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。

マイクロカプセル層４０３は、多数のマイクロカプセル４３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。

第１の導電性素子４０１は、第２の導電性素子４０２と対向する第１の対向面Ｓ５を有する第１の基体３１１（第１の光学層）と、第１の光学基体３１１の対向面Ｓ５上に形成された第１の透明導電膜４１１とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層４１２を介して、第１の基体３１１をガラスなどの支持体４１３に貼り合わせるようにしてもよい。

第２の導電性素子４０２は、第１の導電性素子４０１と対向する対向面Ｓ６を有する第２の基体（第２の光学層）３２１と、第２の基体３２１の対向面Ｓ６上に形成された第２の透明導電膜４２１とを備える。第１の透明導電膜４１１は、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を有する。第２の透明導電膜４２１は、第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を有する。これらの第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、可視光の波長以下の波長を有する波面であることが好ましい。第１の透明導電膜４１１または第２の透明導電膜４２１が有する波面は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する

第１の透明導電膜４１１、および第２の透明導電膜４２１は、電子ペーパー４００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、平均アスペクト比）
以下において、導電性シートなどの構造体の平均高さＨ、平均配置ピッチＰ、および平均アスペクト比は以下のようにして求めた。
平均配置ピッチＰ、平均高さＨ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、以下のようにして求めた。
まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。この測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを求めた。次に、これらの平均配置ピッチＰ、および平均高さＨを用いて、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求めた。

（ＩＴＯ膜の平均膜厚）
以下において、ＩＴＯ膜の膜厚は以下のようにして求めた。
まず、導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部におけるＩＴＯ膜の膜厚を測定した。これらの測定を導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求めた。

（平均波長λ、振動の平均幅Ａ、平均比率（Ａ／λ））
以下において、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂ、平均比率（Ａ／λ）および平均比率（Ｂ／λ）は以下のようにして求めた。まず、ＩＴＯ膜の第１の波面または第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性シートを一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、第１の波面または第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、および第２の波面の振動の幅Ｂを求めた。この測定をＩＴＯ膜から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行った。次に、測定された第１の波面および第２の波面の波長λ、第１の波面の振動の幅Ａ、第２の波面の振動の幅Ｂをそれぞれ単純に平均（算術平均）して、第１の波面および第２の波面の平均波長λ、第１の波面の振動の平均幅Ａ、第２の波面の振動の平均幅Ｂを求めた。次に、これらの平均波長λ、振動の平均幅Ａ、および振動の平均幅Ｂを用いて、平均比率（Ａ／λ）、平均比率（Ｂ／λ）を求めた。

（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１３に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、以下の構造体が一主面に複数配列された光学シートが得られた。
構造体の形状：楕円錐台形形状
平均高さＨ：１７０ｎｍ
平均配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
平均アスペクト比：０．６３であった。

次に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散水溶液を上記光学シート上に塗布し乾燥させることにより、平均膜厚１０μｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層が構造体上に形成された光学シートが得られた。次に、この光学シートを２枚準備し、これらの光学シートの導電層間にＵＶ硬化樹脂を介在させたのち、紫外線を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。これにより、光学シートが貼り合わされた。
以上により、目的とする導電性シートが得られた。

以上のようにして作製した導電性シートの光学特性を評価した。その結果、目視によるリップルなどが見受けられることなく、良好な透明性が確保できていることが確認された。
また、導電性シートの端で導電性を評価した。その結果、低抵抗であることが確認された。

（実施例２）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整することにより、以下の構造体をＴＡＣシート上に形成する以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製した。
構造体の形状：楕円錐形状
平均高さＨ：１５０ｎｍ、
平均配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
平均アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６３

次に、Ａｇナノ粒子が分散されたエタノール溶液を、上記光学シート上に塗布し乾燥させることにより、平均膜厚３μｍのＡｇ層が構造体上に形成された光学シートが得られた。次に、この光学シートを２枚準備し、これらの光学シートの導電層間にＵＶ硬化樹脂を介在させたのち、紫外線を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。これにより、光学シートが貼り合わされた。
以上により、目的とする導電性シートが得られた。

以上のようにして作製した導電性シートの光学特性を評価した。その結果、目視によるリップルなどが見受けられることなく、良好な透明性が確保できていることが確認された。
また、導電性シートの端で導電性を評価した。その結果、低抵抗であることが確認された。

（実施例３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整することにより、以下の構造体をＴＡＣシート上に形成する以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製した。
構造体の形状：楕円錐台形形状
平均高さＨ：１２０ｎｍ、
平均配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
平均アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４８

次に、ＩＴＯナノ粒子が分散されたエタノール溶液を、上記光学シート上に塗布し乾燥させることにより、厚さ３μｍのＩＴＯ層（導電層）が構造体上に形成された光学シートが得られた。次に、この光学シートを２枚準備し、これらの光学シートの導電層間にＵＶ硬化樹脂を介在させたのち、紫外線を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。これにより、光学シートが貼り合わされた。
以上により、目的とする導電性シートが得られた。

以上のようにして作製した導電性シートの光学特性を評価した。その結果、目視によるリップルなどが見受けられることなく、良好な透明性が確保できていることが確認された。
また、導電性シートの端で導電性を評価した。その結果、低抵抗であることが確認された。

（実施例４）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整することにより、以下の構造体をＴＡＣシート上に形成する以外は実施例１と同様にして導電性シートを作製した。
構造体の形状：楕円錐形状
平均高さＨ：３６０ｎｍ、
平均配置ピッチＰ：３００ｎｍ
平均アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：１．２

次に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散水溶液を上記光学シート上に塗布し乾燥させることにより、平均膜厚１０μｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層が構造体上に形成された光学シートが得られた。次に、この光学シートを２枚準備し、これらの光学シートの導電層間にＵＶ硬化樹脂を介在させたのち、紫外線を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。これにより、光学シートが貼り合わされた。
以上により、目的とする導電性シートが得られた。

以上のようにして作製した導電性シートの光学特性を検証した。その結果、赤外線カメラによる干渉縞等が見受けられることなく、用いる波長域において良好な透明性が確保できていることを確認した。
また、導電性シートの端で導電性を評価した。その結果、低抵抗であることが確認された。

本発明の参考例および比較例について以下の順序で説明する。
１．シミュレーションによる反射特性の検討
２．サンプル作製による反射特性の検討
３．サンプル作製による抵抗特性の検討

＜１．シミュレーションによる反射特性の検討＞
（参考例１−１）
ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３１に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
（出射面側）樹脂層／Motheye構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：４００ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．０５
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：４００ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．０５
本参考例において、第１の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。また、第２の波面の断面形状は、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子を一方向に切断したときの断面形状である。
（Motheye構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、構造体間の配置ピッチＰ：４００ｎｍ、構造体高さＨ：２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．０５、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
屈折率ｎ＝１．５２

（参考例１−２）
以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、参考例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３１に示す。
（Motheye構造体）
構造体高さＨ：４０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１
（ＩＴＯ膜）
第１および第２の波面の振動の幅：４０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１

（参考例１−３）
以下のシミュレーション条件を変更する以外のことは、参考例１−１と同様にしてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３１に示す。
（Motheye構造体）
構造体高さＨ：７０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１７５
（ＩＴＯ膜）
第１および第２の波面の振動の幅：７０ｎｍ、比率（Ａ／λ）および比率（Ｂ／λ）：０．１７５

（比較例１）
樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は参考例１−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３１に示す。

図３１から以下のことがわかる。
高さ４０ｎｍ（アスペクト０．１）以上の構造体が表面に形成されていれば、構造体が表面に形成されていない場合とほぼ同様のスペクトルを得ることができる。
構造体の高さ（アスペクト０．１）が４０ｎｍ以上であると、可視域（４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）において反射率の変位量ΔＲをΔＲ＜１％とすることができる。すなわち可視域において反射率がほぼフラットとなる。

（参考例２−１）
ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３２に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
（出射面側）樹脂層／Motheye構造体／ＩＴＯ膜／樹脂層（入射面側）
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：１０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１５０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．６
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１５０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．６
（Motheye構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１５０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６、屈折率ｎ：１．５２
（樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２

（参考例２−２）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は参考例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３２に示す。

（参考例２−３）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを５０ｎｍとする以外は参考例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３２に示す。

（比較例２）
樹脂層上に構造体を設定せず平坦面とし、この平坦面上にＩＴＯ膜を設けた層構成とする以外は参考例２−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３２に示す。

図３２から以下のことがわかる。
ＩＴＯ膜の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内において、可視域の範囲で十分な反射防止が得られる。具体的には、可視域（４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）において反射率を１．５％以下に抑えることができる。
樹脂層の凹凸面間にＩＴＯ膜が挟まれた構成とすることで、樹脂層の平坦面間にＩＴＯ膜が挟まれた層構成とするよりも反射率を大幅に低減することができる。特に、可視域の短波長側における反射率を低減することができる。

（参考例３−１）
ＲＣＷＡシミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３３に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
樹脂層／Motheye構造体／ＩＴＯ膜／空気
（樹脂層）
屈折率ｎ＝１．５２
（Motheye構造体）
構造体形状：放物面状、配置パターン：六方格子パターン、配置ピッチＰ：２５０ｎｍ、構造体高さＨ：１２０ｎｍ、アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４８、屈折率ｎ：１．５２
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ：２０ｎｍ、屈折率ｎ：２．０
第１の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第１の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第１の波面の振動の幅Ａ：１２０ｎｍ、第１の波面の波長λに対する振動の幅Ａの比率（Ａ／λ）：０．４８
第２の波面の断面形状：放物線を周期的に繰り返した形状
第２の波面の波長λ：２５０ｎｍ、第２の波面の振動の幅Ｂ：１２０ｎｍ、第２の波面の波長λに対する振動の幅Ｂの比率（Ｂ／λ）：０．４８

（参考例３−２）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを３０ｎｍとする以外は参考例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３３に示す。

（比較例３）
ＩＴＯ膜の膜厚ｄを０ｎｍとする以外は参考例３−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３３に示す。

図３３から以下のことがわかる。
樹脂層の表面に構造体を多数形成した場合には、およそ波長４５０〜７００ｎｍの範囲において、ＩＴＯ膜を構造体上に形成したときと、ＩＴＯ膜を構造体上に形成しなかったときとで、反射率に大きな違いがなくなる傾向がある。したがって、ＩＴＯ膜の電極パターンがある部分とＩＴＯ膜の電極パターンがない部分とにおける反射率の違いを抑制することができる。すなわち、デジタル抵抗膜方式タッチパネルなどの配線の視認を抑制できる。

（参考例２０−１）
シミュレーションにより、導電性素子の反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３４に示す。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
（導電性素子の層構成）
基材／ＩＴＯ膜／媒質
（基材）
基材：ガラス基材、成膜面：平坦面、屈折率ｎ＝１．５
（ＩＴＯ膜）
膜厚ｄ＝２０ｎｍ、屈折率ｎ＝２．０
（媒質）
媒質の種類：空気

（参考例２０−２）
ＩＴＯ膜の厚みを４０ｎｍとする以外は参考例２０−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３４に示す。

（参考例２０−３）
ＩＴＯ膜の厚みを６０ｎｍとする以外は参考例２０−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３４に示す。

（参考例２０−４）
ＩＴＯ膜の厚みを０ｎｍとする以外は参考例２０−１と同様の条件にてシミュレーションを行い、反射率の波長依存性を求めた。その結果を図３４に示す。

図３４から以下のことがわかる。
基材表面にモスアイ構造を形成せず、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成した場合には、基材の平坦面上にＩＴＯ膜を形成していない場合に比して反射率が増加する傾向がある。その反射率の増加の度合いはＩＴＯ膜の膜厚が厚いほど大きくなる傾向がある。

＜２．サンプル作製による反射特性の検討＞
（参考例４−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１０に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。

次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。次に、粘着剤を介してＩＴＯ膜上にＴＡＣシートを貼り合わせた。

上述のようにして得られた光学シートの構造体の平均配置ピッチＰは２７０ｎｍ、平均高さＨは１７０ｎｍ、平均アスペクト比は０．６３であった。また、ＩＴＯ膜の波長λは２７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第１の波面の振動の幅Ａは１７０ｎｍ、ＩＴＯ膜の第２の波面の振動の幅Ｂは１７０〜１８０ｎｍ、比率（Ａ／λ）は０．６３、比率（Ｂ／λ）は０．６３〜０．６７であった。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。

（参考例４−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を２０ｎｍとする以外は参考例４−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例４−１）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例４−１と同様にして光学シートを作製した。

（比較例４−２）
紫外線硬化樹脂を塗布して構造体を形成する工程を省略し、ＴＡＣフィルムの平坦面上にＩＴＯ膜を直接成膜する以外は参考例４−１と同様にして導電性シートを作製した。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。その結果を表１に示す。

（分光反射特性の評価）
上述のようにして作製した導電性シートおよび光学シートの分光反射特性を以下のようにして測定した。まず、多数の構造体またはＩＴＯ膜が形成されたＴＡＣシートの裏面にブラックテープを貼り合わせた。次に、ブラックテープが貼り合わされた側とは反対側となる表面から光を入射したときの導電性シートの分光反射特性を、日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて求めた。その結果を図３５に示す。

図３５から以下のことがわかる。
構造体上にＩＴＯ膜を形成した参考例４−１、４−２では、可視域４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内において、ＴＡＣシートの平坦面上にＩＴＯ膜を形成した比較例４−２に比して反射率を低減することができる。
構造体上にＩＴＯ膜を形成した参考例４−１、４−２では、可視域４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内において、構造体上にＩＴＯ膜を形成していない比較例４−１とほぼ同様の反射率が得られている。この結果から、構造体状にＩＴＯ膜を形成することで、ＩＴＯ膜を所定の配線パターン状に形成した場合には、配線パターンが有る部分と、配線パターンが無い部分との反射率の違いをほとんど無くすことができる。したがって、配線パターンがほとんど視認されなくなる。

（参考例５−１）
まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすること以外は、参考例４−１と同様にして、モスアイ構造体が形成されたＴＡＣシートを得た。次に、スパッタリング法により、平均膜厚３０ｎｍのＩＴＯ膜を、多数の構造体が形成されたＴＡＣシート全面に成膜した。以上により、モスアイ構造体が形成された面が樹脂層により覆われず露出した導電性シートが作製された。

（参考例５−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例５−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例５−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例５）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例５−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例６−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例６−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例６−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例６−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例６−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例６−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例６−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例６）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例６−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例７−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例７−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例７−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例７−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例７−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例７−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例７−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例７）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例７−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例８−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例８−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例８−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例８−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例８−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例８−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例８−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例８）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例８−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例９−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例９−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例９−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例９−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例９−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例９−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例９−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例９）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例９−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例１０−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を表２に示すようにすると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１０−２）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を４０ｎｍとする以外は参考例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１０−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１０−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を６０ｎｍとする以外は参考例１０−１と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例１０）
ＩＴＯ膜の形成を省略する以外は参考例１０−１と同様にして光学シートを作製した。

（参考例１１−１）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表２に示す構造体を形成すると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例５−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１１−２）
表２に示す構造体を形成する以外は参考例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１１−３）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を５０ｎｍとする以外は参考例１１−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１１−４）
表２に示す構造体を形成する以外は参考例１１−３と同様にして導電性シートを作製した。

（比較例１１）
単層のガラスを準備した。

表２は、参考例５−１〜１１−４の導電性シート、および比較例５〜１１の光学シートの構成を示す。

＜３．サンプル作製による抵抗特性の検討＞
（参考例１２−１〜１２−６）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、表３に示す構造体を形成すると共に、ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍとする以外は参考例４−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１３−１〜１３−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−１と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１４−１〜１４−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１５−１〜１５−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−３と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１６−１〜１６−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−４と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１７−１〜１７−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−６と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１８−１〜１８−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−５と同様にして導電性シートを作製した。

（参考例１９−１〜１９−４）
ＩＴＯ膜の平均膜厚を３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍとする以外は参考例１２−２と同様にして導電性シートを作製した。

表３は、参考例１２−１〜１９−４の導電性シートの構成を示す。

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の各構成は、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態において、熱転写により導電性素子を作製するようにしてもよい。具体的には、熱可塑性樹脂を主成分とする基体を加熱し、この加熱により十分に柔らかくなった基体に対して、ロール状原盤やディスク状原盤などの判子（モールド）を押し当てることにより、導電性素子を作製する方法を用いるようにしてもよい。

１ 光学層
２ 第１の光学層
２ａ 第１の構造体
２ｂ 第４の構造体
２ｃ 基体
３ 第２の光学層
３ａ 第２の構造体
４ 第３の光学層
４ａ 第３の構造体
５ 第１の透明導電膜（Ｘ電極）
５ａ 金属膜
６ 第２の透明導電膜（Ｙ電極）
６ａ 金属膜
７ 貼合層
８ 光学シート
１０ タッチパネル
１１ 導電性素子
１２ 表示装置
５ 金属層
１０１ ロール原盤
１０２ 構造体
１０３ レジスト層
１０４ レーザー光
１０５ 潜像

Claims (20)

1. 第１の面および第２の面を有する透明導電層と、
   上記第１の面および上記第２の面の少なくとも一方に設けられた媒質層と
   を備え、
   上記透明導電層は、パターンを有する電極であり、
   上記第１の面および上記第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、
   上記波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下であり、
   上記透明導電層の平均膜厚Ｄｍは、上記波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きい透明導電性素子。
2. 上記第１の面および上記第２の面がそれぞれ、可視光の波長以下の波長を有する第１の波面および第２の波面である請求項１記載の透明導電性素子。
3. 上記第１の波面と第２の波面との振動の平均幅が、異なっている請求項２記載の透明導電性素子。
4. 上記第１の波面の振動の平均幅は、上記第２の波面の振動の平均幅よりも大きい請求項２または３記載の透明導電性素子。
5. 上記第１の波面の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）が、１．８以下であり、
   上記第２の波面の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）が、１．８以下である請求項２から４のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
6. 上記第１の面および上記第２の面のうちの一方の面が可視光の波長以下の波長を有する波面であり、他方の面が平面である請求項１記載の透明導電性素子。
7. 上記透明導電層の表面抵抗が、１０００Ω／□以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
8. 上記透明導電層は、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項１から７のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
9. 上記透明導電層は、透明酸化物半導体を含んでいる請求項１から７のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
10. 上記透明導電層に隣接して形成された金属層をさらに備える請求項１から９のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
11. 上記第１の波面と上記第２の波面との位置関係が、非同期である請求項２から５のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
12. 上記第１の波面と上記第２の波面との位置関係が、同期している請求項２から５のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
13. 上記媒質層は、波長範囲４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光の透過率が２０％以上である請求項１から１２のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
14. 上記媒質層は、上記波面と界面を形成する凹凸面を有し、
    上記凹凸面は、可視光の波長以下のピッチで配置された多数の構造体により形成され、
    上記構造体の平均アスペクト比が、１．８以下である請求項１から１３のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
15. 上記媒質層は、
    上記第１の面に設けられた第１の媒質層と、
    上記第２の面に設けられた第２の媒質層と
    を備え、
    上記第１の媒質層および上記第２の媒質層の少なくとも一方は、上記波面と界面を形成する凹凸面を有し、
    上記凹凸面は、可視光の波長以下のピッチで配置された多数の構造体により形成されており、
    上記構造体の平均アスペクト比が、１．８以下である請求項１から１３のいずれか１項に記載の透明導電性素子。
16. 第１の面および第２の面を有する第１の透明導電層と、
    第１の面および第２の面を有する第２の透明導電層と
    を備え、
    上記第１の透明導電層は、パターンを有する第１の電極であり、
    上記第１の透明導電層の上記第１の面および上記第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、
    上記第１の透明導電層の上記波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下であり、
    上記第１の透明導電層の平均膜厚Ｄｍは、上記第１の透明導電層の上記波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きく、
    上記第２の透明導電層は、パターンを有する第２の電極であり、
    上記第２の透明導電層の上記第１の面および上記第２の面の少なくとも一方は、可視光の波長以下の波長を有する波面であり、
    上記第２の透明導電層の上記波面の平均波長λｍに対する振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、１．８以下であり、
    上記第２の透明導電層の平均膜厚Ｄｍは、上記第２の透明導電層の上記波面の振動の平均幅Ａｍよりも大きい透明導電性素子。
17. 第１の光学層と、
    第２の光学層と
    を備え、
    上記第１の透明導電層は、上記第１の光学層と上記第２の光学層との間に設けられている請求項１６記載の透明導電性素子。
18. 上記第１の透明導電層の上記第１の面および上記第２の面のうちの一方の面が可視光の波長以下の波長を有する波面であり、他方の面が平面であり、
    上記第２の透明導電層の上記第１の面および上記第２の面のうちの一方の面が可視光の波長以下の波長を有する波面であり、他方の面が平面であり、
    上記第１の透明導電層および上記第２の透明導電層の平面間に設けられた貼合層を備える請求項１６記載の透明導電性素子。
19. 請求項１から１８のいずれか１項に記載の透明導電性素子を備える入力装置。
20. 請求項１から１８のいずれか１項に記載の透明導電性素子を備える表示装置。

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