JP5440165B2 - 導電性光学素子、タッチパネル、および液晶表示装置 - Google Patents

Description

この発明は、導電性光学素子、それを備えるタッチパネル、および液晶表示装置に関する。詳しくは、反射防止機能を有する導電性光学素子に関する。

近年、モバイル機器や携帯電話機器などが備える表示装置上には、情報を入力するための抵抗膜式タッチパネルが配置されるようになっている。抵抗膜式タッチパネルは、２つの導電性光学素子を対向配置させた構造を有している。導電性光学素子は、タッチパネルの電極として機能するものであり、高分子フィルムやガラス基板などの透明性を有する基材と、この基材上に形成された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの高屈折率の材料（例えば１．９〜２．１程度）からなる透明導電膜とを備える。

上述のように、タッチパネルは表示装置上に配置されることが一般的であるため、表示装置の表示品質を劣化させないことが求められる。しかし、導電性光学素子の屈折率が約２．０前後であるため、表示装置の表示面にタッチパネルを配置すると、反射光が増加し、表示装置の表示品質が劣化してしまう。

また、タッチパネル用途の導電性光学素子では、タッチパネル方式により求められる表面抵抗値が異なる。例えば、デジタル抵抗膜式タッチパネルやアナログ抵抗膜式では、１００Ω/□〜数１００Ω/□の幅広い範囲の表面抵抗が求められる。表面抵抗値は導電性光学素子の透明導電膜の厚さに依存するため、上記範囲の表面抵抗を得るためには、導電膜厚さを厚くする必要がある。しかしながら、このように膜厚を厚くすると反射光が増加し表示装置の画質が劣化してしまう。すなわち、幅広い範囲の表面抵抗と、高透過特性とを両立することは困難である。

従来、導電性光学素子の透過特性を向上するために、反射防止膜を形成する技術が用いられている。例えば特許文献１では、基材と透明導電膜との間に反射防止膜を設けたタッチパネル用の透明導電性光学素子が提案されている。この反射防止膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。しかし、この技術を用いても、幅広い範囲の表面抵抗と、高透過特性とを両立することは困難であり、これらの両特性の両立が望まれている。

特開２００３−１３６６２５号公報

したがって、この発明の目的は、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた透過特性を得ることができる導電性光学素子、それを備えるタッチパネル、および液晶表示装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の発明は、
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
構造体上に形成された透明導電膜と
を備え、
透明導電膜が、構造体の形状に倣った形状を有し、
構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、反射防止機能を有する導電性光学素子である。

第２の発明は、
第１の導電性光学素子と
第１の導電性光学素子と対向する第２の導電性光学素子と
を備え、
第１、および第２の導電性光学素子の少なくとも一方が、
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
構造体上に形成された透明導電膜と
を備え、
透明導電膜が、構造体の形状に倣った形状を有し、
構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるタッチパネルである。

第３の発明は、
第１、および第２の主面を有する液晶部と、
第１の主面に形成された第１の偏光子と、
第２の主面に形成された第２の偏光子と、
液晶部と第１の偏光子との間に配置されたタッチパネルと
を備え、
タッチパネルは、
第１の導電性光学素子と
第１の導電性光学素子と対向する第２の導電性光学素子と
を備え、
第１、および第２の導電性光学素子の少なくとも一方が、
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
構造体上に形成された透明導電膜と
を備え、
透明導電膜が、構造体の形状に倣った形状を有し、
構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下である液晶表示装置である。

第４の発明は、
表面を有する基体と、
基体の表面に形成された透明導電層と
を備え、
透明導電層は、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体が多数形成された表面を有し、
構造体が、透明導電性を有する導電性光学素子である。

この発明において、主構造体を四方格子状または準四方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

この発明において、構造体を六方格子状または準六方格子状に周期的に配置することが好ましい。ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

この発明において、楕円には、数学的に定義される完全な楕円のみならず、多少の歪みが付与された楕円も含まれる。円形には、数学的に定義される完全な円（真円）のみならず、多少の歪みが付与された円形も含まれる。また、構造体は、凸状または凹状の構造体である。

この発明では、透明導電膜の膜厚を９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にしているので、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができる。また、構造体のアスペクト比を０．６３以上１．１２以下の範囲内とし、透明導電膜の表面形状を構造体の形状に倣わせているので、優れた透過特性を得ることができる。

以上説明したように、この発明によれば、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた透過特性を得ることができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図２は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラック延在方向の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のθ方向の断面図である。 図４は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図５は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図６は、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図７は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための図である。 図８Ａ〜図８Ｄは、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体の配置の一例を示す図である。 図１０Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図１１は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図１２Ａ〜図１２Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１３Ａ〜図１３Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１４Ａ〜図１４Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法を説明するための工程図である。 図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。 図１６は、構造体の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。 図１７Ａは、導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す斜視図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したロールマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図１９Ａは、導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す平面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示したディスクマスタの一部を拡大して表す平面図である。 図２０は、ディスク原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。 図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。 図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。 図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図、図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。 図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である 図２６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示すグラフである。 図２７は、構造体の形状の一例を示す断面図である。 図２８Ａ〜図２８Ｃは、変化点の定義を説明するための図である。 図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図３０は、本発明の第８の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図３２Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す断面図である。 図３３Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３３Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。 図３４は、第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３５は、実施例１〜３に係る導電性光学シートにおける表面抵抗と膜厚との関係を示すグラフである。 図３６は、実施例１〜３に係る導電性光学シートの透過特性を示すグラフである。 図３７は、実施例４〜１１の導電性光学シートにおける「ＩＴＯ膜厚×表面抵抗」と「アスペクト比」との関係を示すグラフである。 図３８に、ＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍに換算したときの「ＩＴＯ膜厚×表面抵抗」と「アスペクト比」との関係を示すグラフである。 図３９は、実施例１２〜１７、比較例１〜５の導電性光学シートの平均反射率を示すグラフである。 図４０は、実施例１２〜１７、比較例１〜５の導電性光学シートの平均透過率を示すグラフである。

本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（直線状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１参照）
２．第２の実施形態（直線状でかつ四方格子状に構造体を２次元配列した例：図１５参照）
３．第３の実施形態（円弧状でかつ六方格子状に構造体を２次元配列した例：図１８参照）
４．第４の実施形態（構造体を蛇行させて配列した例：図２１参照）
５．第５の実施形態（凹形状の構造体を基体表面に形成した例：図２２参照）
６．第６の実施形態（屈折率プロファイルをＳ字形状とした例：図２４参照）
７．第７の実施形態（透明導電性を有する構造体を配列した例：図２９参照）
８．第８の実施形態（導電性光学素子の両主面に構造体を形成した例：図３０参照）
９．第９の実施形態（タッチパネルに対する適用例：図３１Ａ、図３１Ｂ参照）
１０．第１０の実施形態（タッチパネルのタッチ面に構造体を形成した例：図３３Ａ、図３３Ｂ参照）
１１．第１１の実施形態（インナータッチパネルの例：図３４参照）

＜１．第１の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１Ｄは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１Ｅは、図１ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１Ｆは、図１ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図２、図４〜図６は、図１Ａに示した導電性光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。図３Ａは、図１Ａに示した導電性光学素子のトラックの延在方向（Ｘ方向（以下、適宜トラック方向ともいう））の断面図である。図３Ｂは、図１Ａに示した導電性光学素子のθ方向の断面図である。

導電性光学素子１は、透明性を有する導電性光学素子であって、タッチパネルなどに適用して好適なものである。導電性光学素子１は、対向する両主面を有する基体２と、反射の低減を目的とする光の波長以下の微細ピッチで一主面に配置された、凸部である複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。透明導電膜４は、構造体３が形成された基材２の凹凸面に倣った形状を有している。また、表面抵抗の低減の観点から、構造体３上に形成された金属膜５をさらに備えることが好ましい。この導電性光学素子１は、基体２を図２の−Ｚ方向に透過する光について、構造体３とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。

構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）が、好ましくは０．２以上１．７８以下、より好ましくは０．２以上１．２８以下、さらに好ましくは０．６３以上１．２８以下の範囲内である。透明導電膜４の膜厚は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３のアスペクト比が０．２未満であり、透明導電膜４の膜厚が５０ｎｍを超えると、構造体間の凹部が透明導電膜４により埋まり、反射防止特性、および透過特性が低下する傾向にある。一方、構造体３のアスペクト比が１．７８を超え、透明導電膜４の膜厚が９ｎｍ未満であると、構造体３の斜面が急峻になり、透明導電膜４の膜厚が薄くなるため、表面抵抗が上昇する傾向にある。すなわち、アスペクト比、および膜厚が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗（例えば１００Ω/□以上５０００Ω/□以下）を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。

構造体３の頂部における透明導電膜４の膜厚をＤ１、構造体３の傾斜面における透明導電膜４の膜厚をＤ２、構造体間における透明導電膜４の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たすことが好ましい。構造体３の傾斜面の膜厚Ｄ２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。透明導電膜４の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が上記関係を満たし、かつ透明導電膜４の膜厚Ｄ２が上記数値範囲を満たすことで、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得ることができる。

幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた反射防止特性、および透過特性を得る観点からすると、構造体３の頂部の膜厚Ｄ１は、２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体３の傾斜面の膜厚Ｄ２は、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であり、構造体間の膜厚Ｄ３は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。

デジタル式タッチパネルの上部電極または下部電極として、第１の実施形態に係る導電性光学素子１を用いる場合には、導電性光学素子１の表面抵抗は、５００Ω／□以下の範囲内であることが好ましい。この表面抵抗範囲を満たし、かつ、優れた透過特性を得るためには、構造体３のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下の範囲内であり、透明導電膜４の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の高さＨは、１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の平均配置ピッチＰは、１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。

アナログ式タッチパネルの上部電極または下部電極として、第１の実施形態に係る導電性光学素子を用いる場合には、導電性光学素子１の表面抵抗は、２００Ω／□以上１０００Ω／□以下の範囲内であることが好ましい。この表面抵抗範囲を満たし、かつ、優れた透過特性を得るためには、構造体３のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下の範囲内であり、透明導電膜４の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の高さＨは、１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の平均配置ピッチＰは、１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。

静電容量式タッチパネルの上部電極または下部電極として、第１の実施形態に係る導電性光学素子を用いる場合には、導電性光学素子１の表面抵抗は、２５０Ω／□以上３０００Ω／□以下の範囲内であることが好ましい。この表面抵抗範囲を満たし、かつ、優れた透過特性を得るためには、構造体３のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下の範囲内であり、透明導電膜４の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の高さＨは、１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。構造体３の平均配置ピッチＰは、１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。

透明導電膜４の表面抵抗は、１００Ω/□以上５０００Ω/□以下の範囲であることが好ましい。このような範囲の表面抵抗にすることで、種々の方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性光学素子１を用いることができるからである。

以下、導電性光学素子１を構成する基体２、構造体３、透明導電膜４、および金属膜５について順次説明する。

（基体）
基体２は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体２の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体２の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
基体２の表面には、凸部である構造体３が多数配列されている。この構造体３は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に２次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、平均配置ピッチＰを意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、構造体３の平均配置ピッチは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下範囲内である。配置ピッチが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。

導電性光学素子１の各構造体３は、基体２の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体３が列をなして直線状に連なった部分のことをいう。また、列方向とは、基体２の成形面において、トラックの延在方向（Ｘ方向）に直交する方向）のことをいう。

構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。本実施形態において、六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンのことをいう。また、準六方格子パターンとは、正六角形状の格子パターンとは異なり、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンのことをいう。

構造体３が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体３を配置することで、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体３が、成形の容易さの観点から、錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。構造体３が、軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。隣接する構造体３に接合されている場合には、構造体３が、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。

構造体３は、トラックの延在方向の幅がこの延在方向とは直交する列方向の幅よりも大きい底面を有する錐体形状であることが好ましい。具体的には、構造体３は、図２および図４に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が曲面である楕円錐形状であることが好ましい。また、図５に示すように、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平坦である楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすると、列方向の充填率を向上させることができるからである。

反射特性の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状（図４参照）が好ましい。また、反射特性および透過特性の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状（図２参照）、または、頂部が平坦な錐体形状（図５参照）であることが好ましい。構造体３が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。図２などでは、各構造体３は、それぞれ同一の形状を有しているが、構造体３の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の形状の構造体３が形成されていてもよい。また、構造体３は、基体２と一体的に形成されていてもよい。

また、図２、図４〜図６に示すように、構造体３の周囲の一部または全部に突出部６を設けることが好ましい。このようにすると、構造体３の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。具体的には例えば、突出部６は、図２、図４、および図５に示すように、隣り合う構造体３の間に設けられる。また、細長い突出部６が、図６に示すように、構造体３の周囲の全体またはその一部に設けられるようにしてもよい。この細長い突出部６は、例えば、構造体３の頂部から下部の方向に向かって延びている。突出部６の形状としては、断面三角形状および断面四角形状などを挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではなく、成形の容易さなどを考慮して選択することができる。また、構造体３の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体３の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体３の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１は、列方向における構造体３の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体３を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体３の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

なお、構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布（例えばアスペクト比０．２〜１．７８程度の範囲）をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体３を設けることで、反射特性の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さ（深さ）を有する構造体３が基体２の表面に設けられていることを意味する。すなわち、基準となる高さを有する構造体３と、この構造体３とは異なる高さを有する構造体３とが基体２の表面に設けられていることを意味する。基準とは異なる高さを有する構造体３は、例えば基体２の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられている。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体３の周縁部に裾部３ａを設けることが好ましい。導電性光学素子の製造工程において構造体３を金型などから容易に剥離することが可能になるからである。ここで、裾部３ａとは、構造体３の底部の周縁部に設けられた突出部を意味する。この裾部３ａは、上記剥離特性の観点からすると、構造体３の頂部から下部の方向に向かって、なだらかに高さが低下する曲面を有することが好ましい。なお、裾部３ａは、構造体３の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体３の周縁部の全部に設けることが好ましい。また、構造体３が凹部である場合には、裾部は、構造体３である凹部の開口周縁に設けられた曲面となる。

構造体３の高さ（深さ）は、好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲に設定される。構造体３の高さが７０ｎｍ未満であると、反射率が増加する傾向がある。構造体３の高さが３２０ｎｍを超えると、所定の抵抗を実現することが困難となる傾向がある。

なお、本発明においてアスペクト比は、以下の式（１）により定義される。
アスペクト比＝Ｈ／Ｐ・・・（１）
但し、Ｈ：構造体の高さ、Ｐ：平均配置ピッチ（平均周期）
ここで、平均配置ピッチＰは以下の式（２）により定義される。
平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３ ・・・（２）
但し、Ｐ１：トラックの延在方向の配置ピッチ（トラック延在方向周期）、Ｐ２：トラックの延在方向に対して±θ方向（但し、θ＝６０°−δ、ここで、δは、好ましくは０°＜δ≦１１°、より好ましくは３°≦δ≦６°）の配置ピッチ（θ方向周期）

六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の列方向の高さとする。構造体３のトラック延在方向（Ｘ方向）の高さは、列方向（Ｙ方向）の高さよりも小さく、また、構造体３のトラック延在方向以外の部分における高さは列方向の高さとほぼ同一であるため、サブ波長構造体の高さを列方向の高さで代表する。但し、構造体３が凹部である場合、上記式（１）における構造体の高さＨは、構造体の深さＨとする。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。充填率を向上させるためには、隣接する構造体３の下部同士を接合する、または、構造体底面の楕円率を調整などして構造体３に歪みを付与することが好ましい。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体３の底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（３）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（hex.）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（３）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（hex.）＝２Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

構造体３が重なっているときや、構造体３の間に突出部６などの副構造体があるときの充填率は、構造体３の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で充填率を求めることができる。

図７は、構造体３の境界が不明瞭な場合の充填率の算出方法について説明するための図である。構造体３の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図７に示すように、構造体３の高さhの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体３の径を換算し充填率を求めるようにする。構造体３の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

図８は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。図８Ａ〜図８Ｄに示す楕円の楕円率はそれぞれ、１００％、１１０％、１２０％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

ここで、楕円率ｅは、構造体底面のトラック方向（Ｘ方向）の径をａ、それとは直交する列方向（Ｙ方向）の径をｂとしたときに、（ａ／ｂ）×１００で定義される。なお、構造体３の径ａ、ｂは以下のようにして求めた値である。導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影し、撮影したＳＥＭ写真から無作為に構造体３を１０個抽出する。次に、抽出した構造体３それぞれの底面の径ａ、ｂを測定する。そして、測定値ａ、ｂそれぞれを単純に平均（算術平均）して径ａ、ｂの平均値を求め、これを構造体３の径ａ、ｂとする。

図９Ａは、円錐形状または円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ｂは、楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の配置の一例を示す。図９Ａおよび図９Ｂに示すように、構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。具体的には、構造体３の下部が、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されていることが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。より具体的には、トラック方向において、θ方向において、またはそれら両方向において、構造体３の下部同士を接合することが好ましい。図９Ａ、図９Ｂでは、隣接関係にある構造体３の全部の下部を接合する例が示されている。このように構造体３を接合することで、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

図９Ｂに示すように、同一トラック内において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第１の接合部ａが形成されるとともに、隣接するトラック間において隣接する構造体３の下部同士が重ね合わされて第２の接合部２が形成される。第１の接合部ａと第２の接合部ｂとの交点に交点部ｃが形成される。交点部ｃの位置は、例えば、第１の接合部ａ、および第２の接合部ｂの位置よりも低くなっている。楕円錐形状または楕円錐台形状を有する構造体３の下部同士を接合した場合には、例えば、接合部ａ、接合部ｂ、交点部ｃの順序でそれらの高さが低くなる。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体３の重なりが大きくなりすぎると反射防止特性が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

（透明導電膜）
透明導電膜４を構成する材料としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ）、ＳＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ₂、ＧＺＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ）などが挙げられるが、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、ＩＴＯが好ましい。透明導電膜４は、構造体３による反射防止効果を阻害しないように、構造体３の表面形状に倣って形成され、構造体３と透明導電膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。透明導電膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。透明導電膜４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。構造体３の高さを低くした場合にも、構造体３の反射防止効果を阻害しないような膜厚で透明導電膜４を形成することができるからである。すなわち、透明導電膜４が構造体３の形状に倣った形状を維持することができるからである。

透明導電膜４の膜厚は、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。本明細書において透明導電膜４の膜厚は、構造体３の頂部における透明導電膜厚４の平均膜厚である。具体的には、透明導電膜４の膜厚は以下のようにして求められたものである。まず、導電性光学素子１を構造体３の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３における頂部における透明導電膜４の膜厚を測定する。これらの測定を導電性光学素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求め、この平均膜厚を透明導電膜４の膜厚とする。

（金属膜）
構造体３上に形成された金属膜５をさらに備えることが好ましい。抵抗率を低減でき、透明導電膜４を薄くすることができる、または透明導電膜４だけでは導電率が十分な値に達しない場合に、導電率を補うことができるからである。金属膜５は、例えば、構造体３と透明導電膜４との間の界面、透明導電膜４の表面、およびそれらの両方に形成される。また、金属膜４を介して透明導電膜４を積層する積層構造を採用するようにしてもよい。金属膜５の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば数ｎｍ程度に選ばれる。金属膜５は導電率が高いため、数ｎｍの膜厚で十分な表面抵抗を得ることができる。また、数ｎｍ程度であれば、金属膜５による吸収や反射などの光学的な影響がほとんどない。金属膜５を構成する材料としては、導電性が高い金属系の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を挙げることができる。これらの材料のうちでも、導電性の高さ、および使用実績などを考慮すると、Ａｇが好ましい。金属膜５だけでも表面抵抗を確保することが可能だが極端に薄い場合、金属膜５が島状の構造となってしまい、導通性を確保することが困難となる。その場合、島上の金属膜５を電気的につなぐためにも、金属膜５の上層の透明導電膜４の形成が重要となってくる。構造体上に積層する透明導電膜４、および金属膜５の具体例としては、例えば、ＩＴＯ膜／Ａｇ膜、ＩＴＯ膜／Ａｇ膜／ＩＴＯ膜が挙げられる。

［ロールマスタの構成］
図１０は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図１０に示すように、ロールマスタ１１は、例えば、原盤１２の表面に凹部である構造体１３が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤１２は、円柱状または円筒状の形状を有する。原盤１２の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。

［導電性光学素子の製造方法］
次に、図１１〜図１４を参照しながら、以上のように構成される導電性光学素子１の製造方法について説明する。

第１の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法は、原盤にレジスト層を形成するレジスト成膜工程、ロール原盤露光装置を用いてレジスト膜にモスアイパターンの潜像を形成する露光工程、潜像が形成されたレジスト層を現像する現像工程を備える。さらに、プラズマエッチングを用いてロールマスタを製作するエッチング工程、紫外線硬化樹脂により複製基板を製作する複製工程と、複製基板上に透明導電膜を成膜する成膜工程とを備える。

（露光装置の構成）
まず、図１１を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１２の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１５を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１５は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１５は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１５の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１５は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１５は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１５は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１２上のレジスト層へ照射される。原盤１２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１５を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図１Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。例えば、図１０Ｂに示すように、円周方向の周期を３１５ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の周期を３００ｎｍにするには、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい（ピタゴラスの法則）。極性反転フォマッター信号の周波数はロールの回転数（例えば１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍ）により変化させる。例えば、ロールの回転数１８００ｒｐｍ、９００ｒｐｍ、４５０ｒｐｍ、２２５ｒｐｍそれぞれに対向する極性反転フォマッター信号の周波数は、３７．７０ＭＨｚ、１８．８５ＭＨｚ、９．３４ＭＨｚ、４、７１ＭＨｚとなる。所望の記録領域に空間周波数（円周３１５ｎｍ周期、円周方向約６０度方向（約−６０度方向）３００ｎｍ周期）が一様な準六方格子パターンは、遠紫外線レーザー光を移動光学テーブル３２上のビームエキスパンダ（ＢＥＸ）３３により５倍のビーム径に拡大し、開口数（ＮＡ）０．９の対物レンズ３４を介して原盤１２上のレジスト層に照射し、微細な潜像を形成することにより得られる。

（レジスト成膜工程）
まず、図１２Ａに示すように、円柱状の原盤１２を準備する。この原盤１２は、例えばガラス原盤である。次に、図１２Ｂに示すように、原盤１２の表面にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、タングステンやモリブデンなどの１種または２種以上の遷移金属からなる金属酸化物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図１２Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤１２を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１５をレジスト層１４に照射する。このとき、レーザー光１５を原盤１２の高さ方向（円柱状または円筒状の原盤１２の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１５を間欠的に照射することで、レジスト層１４を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１５の軌跡に応じた潜像１６が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１４の全面にわたって形成される。

潜像１６は、例えば、原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１６は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、原盤１２を回転させながら、レジスト層１４上に現像液を滴下して、図１３Ａに示すように、レジスト層１４を現像処理する。図示するように、レジスト層１４をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１５で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１４に形成される。

（エッチング工程）
次に、原盤１２の上に形成されたレジスト層１４のパターン（レジストパターン）をマスクとして、原盤１２の表面をエッチング処理する。これにより、図１３Ｂに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１３を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１３のパターンを形成することができる。また、レジスト層１４の３倍以上の深さ（選択比３以上）のガラスマスターを作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。ドライエッチングとしては、ロールエッチング装置を用いたプラズマエッチングが好ましい。ロールエッチング装置は、円柱状の電極を有するプラズマエッチング装置であり、この円柱状の電極を筒状の原盤１２の空洞内に挿入し、原盤１２の柱面に対してプラズマエッチングを施すように構成されている。

以上により、例えば、深さ１２０ｎｍ程度から３５０ｎｍ程度の凹形状の六方格子パターンまたは準六方格子パターンを有するロールマスタ１１が得られる。

（複製工程）
次に、例えば、ロールマスタ１１と転写材料を塗布したシートなどの基体２を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図１３Ｃに示すように、凸部である複数の構造体が基体２の一主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどの導電性光学素子１が作製される。

転写材料は、例えば、紫外線硬化材料と、開始剤とからなり、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいる。

紫外線硬化材料は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体２の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（金属膜成膜工程）
次に、図１４Ａに示すように、必要に応じて、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、金属膜５を成膜する。金属膜５の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。

（透明導電膜の成膜工程）
次に、図１４Ｂに示すように、構造体３が形成された基体２の凹凸面上に、透明導電膜４を成膜する。透明導電膜４の成膜方法としては、例えば、上述の金属膜の成膜方法と同様の方法を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電膜４に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電膜４が、アモルファスと多結晶との混合状態となる。
以上により、目的とする導電性光学素子１が得られる。

第１の実施形態によれば、構造体３が形成された基体２の凹凸面に膜厚９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の透明導電膜４を形成していので、幅広い範囲の表面抵抗を得ることができる。また、構造体４のアスペクト比を０．６３以上１．２８以下の範囲内とし、透明導電膜４の表面形状を構造体３の形状に倣わせているので、優れた透過特性を得ることができる。

基体２の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成するように、多数の構造体３を基体２上に配置することが好ましい。これにより、高透過率であり、かつ反射光が低く写りこみの少ない導電性光学素子１を提供できる。複数の構造体３を表面に形成することにより反射防止機能を実現しているため、波長依存性が少ない。角度依存性が光学膜タイプの透明導電膜より少ない。多層の光学膜を使用せず、ナノインプリント技術の利用と高スループットな膜構成の採用とによって、優れた量産性、および低コストを実現できる。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

各構造体３が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．２、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．２、より好ましくは１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たしている。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

各構造体３が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体３は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。

各構造体３が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

構造体３が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

構造体３が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。

構造体３が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体３は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射防止特性および透過特性を向上することができる。

構造体３が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体３が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしていることが好ましい。このようなパターンをなすことで、表面における構造体３の充填密度を高くすることができ、これにより可視光などの反射防止効率を高め、反射防止特性に優れた透過率の極めて高い導電性光学素子を得ることができる。

光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて導電性光学素子１を作製することが好ましい。光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに、基体２の大型化にも対応でき、これにより、導電性光学素子１の生産性の向上を図ることができる。

＜２．第２の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１５Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１５Ｃは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１５Ｄは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図１５Ｅは、図１５ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図１５Ｆは、図１５ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。

第２の実施形態に係る導電性光学素子１は、各構造体３が、隣接する３列のトラック間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。本実施形態において、準四方格子パターンとは、正四方格子パターンと異なり、トラックの延在方向（Ｘ方向）に引き伸ばされ歪んだ四方格子パターンを意味する。

構造体３の高さまたは深さは特に限定されず、例えば、１００ｎｍ〜２８０ｎｍ程度である。トラックに対して（約）４５度方向ピッチＰ２は、例えば、２００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。構造体３のアスペクト比（高さ／配置ピッチ）は、例えば、０．５４〜１．１３程度である。更に、各構造体３のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体３が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。

同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体３の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１／Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体３の充填率を向上することができるので、反射防止特性を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体３の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体３の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる構造体３の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体３の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体３の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。四方格子パターン、または準四方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている場合には、構造体３の高さＨは、構造体３の延在方向（トラック方向）の高さとする。

図１６は、構造体３の底面の楕円率を変化させたときの底面形状を示す図である。楕円３₁、３₂、３₃の楕円率はそれぞれ、１００％、１６３．３％、１４１％である。このように楕円率を変化させることで、基体表面における構造体３の充填率を変化させることができる。構造体３が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、優れた反射防止特性を得ることができるからである。

基体表面における構造体３の充填率は、１００％を上限として、６５％以上、好ましくは７３％以上、より好ましくは８６％以上の範囲内である。充填率をこのような範囲にすることで、反射防止特性を向上することができる。

ここで、構造体３の充填率（平均充填率）は以下のようにして求めた値である。
まず、導電性光学素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐ Ｖｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１５Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体３のいずれかの底面の面積Ｓを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓを用いて、以下の式（４）より充填率を求める。
充填率＝（Ｓ（tetra）／Ｓ（unit））×１００ ・・・（２）
単位格子面積：Ｓ（unit）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（tetra）＝Ｓ

上述した充填率算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子について行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して充填率の平均率を求め、これを基体表面における構造体３の充填率とする。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体３の充填率を向上し、反射防止特性を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体３のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

［ロールマスタの構成］
図１７は、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。このロールマスタは、その表面において凹状の構造体１３が四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ロール原盤露光装置を用い、２次元パターンが空間的にリンクし、１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、ＣＡＶで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、四方格子パターン、または準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射により原盤１２上のレジストに形成することが好ましい。

＜３．第３の実施形態＞
［導電性光学素子の構成］
図１８Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図１８Ｃは、図１８ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図１８Ｄは、図１８ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。

第３の実施形態に係る導電性光学素子１は、トラックＴが円弧状の形状を有し、構造体３が円弧状に配置されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。図１８Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する準六方格子パターンを形成するように構造体３が配置されている。ここで、準六方格子パターンとは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪んだ六方格子パターンを意味する。あるいは、正六方格子パターンとは異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪み、かつ、トラックの延在方向（Ｘ軸方向）に引き伸ばされ歪んだ六方格子パターンを意味する。
上述した以外の導電性光学素子１の構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。

［ディスクマスタの構成］
図１９Ａ、図１９Ｂは、上述の構成を有する導電性光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す。図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、ディスクマスタ４１は、円盤状の原盤４２の表面に凹部である構造体４３が多数配列された構成を有している。この構造体１３は、導電性光学素子１の使用環境下の光の波長帯域以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチで周期的に２次元配列されている。構造体４３は、例えば、同心円状またはスパイラル状のトラック上に配置されている。
上述した以外のディスクマスタ４１の構成は、第１の実施形態のロールマスタ１１と同様であるので説明を省略する。

［導電性光学素子の製造方法］
まず、図２０を参照して、上述した構成を有するディスクマスタ４１を作製するための露光装置について説明する。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３８および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１５は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３８および対物レンズ３４を介して、円盤状の原盤４２上のレジスト層へ照射される。原盤４２は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル（図示を省略する。）の上に載置されている。そして、原盤４２を回転させるとともに、レーザー光１５を原盤４２の回転半径方向に移動させながら、原盤４２上のレジスト層へレーザー光を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１５の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

図２０に示した露光装置においては、レジスト層に対して図１８Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンからなる潜像を形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１５の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

制御機構３７は、潜像の２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、ＡＯＭ２７によるレーザー光１５の強度変調と、スピンドルモータ３５の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。原盤４２は、角速度一定（ＣＡＶ）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３５による原盤４２の適切な回転数と、ＡＯＭ２７によるレーザー強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザー光１５の適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層に対して六方格子パターン、または準六方格子パターンの潜像が形成される。

更に、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像のパターン密度であり、Ｐ１：３３０、Ｐ２：３００ｎｍ、または、Ｐ１：３１５ｎｍ、Ｐ２：２７５ｎｍ、または、Ｐ１：３００ｎｍ、Ｐ２：２６５ｎｍ）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層に対するレーザー光１５の照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいてＰ１がほぼ３３０ｎｍ（あるいは３１５ｎｍ、３００ｎｍ）となるように制御機構３７においてレーザー光１５の周波数変調を行う。即ち、トラック位置が円盤状の原盤４２の中心から遠ざかるに従い、レーザー光の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。

以下、本発明の第３の実施形態に係る導電性光学素子の製造方法の一例について説明する。
まず、上述した構成を有する露光装置を用いて、円盤状の原盤上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第１の実施形態と同様にしてディスクマスタ４１を作製する。次に、このディスクマスタ４１と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートなどの基体２とを密着させ、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、ディスクマスタ４１から基体２を剥離する。これにより、複数の構造体３が表面に配列された円盤状の光学素子が得られる。次に、複数の構造体３が形成された光学素子の凹凸面上に、必要に応じて、金属膜５を成膜した後、透明導電膜４を成膜する。これにより、円盤状の導電性光学素子１が得られる。次に、この円盤状の導電性光学素子１から、矩形状などの所定形状の導電性光学素子１を切り出す。これにより、目的とする導電性光学素子１が作製される。

この第３の実施形態によれば、直線状に構造体３を配列した場合と同様に、生産性が高く、優れた反射防止特性を有する導電性光学素子１を得ることができる。

＜４．第４の実施形態＞
図２１Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。

第４の実施形態に係る導電性光学素子１は、構造体３を蛇行するトラック（以下ウォブルトラックと称する。）上に配列している点において、第１の実施形態とは異なっている。基体２上における各トラックのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルトラックの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルトラックの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルトラックのウォブル振幅は、例えば±１０μｍ程度に選択される。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

第４の実施形態によれば、構造体３をウォブルトラック上に配列していので、外観上のムラの発生を抑制できる。

＜５．第５の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第５の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２２Ｃは、図２２ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２２Ｄは、図２２ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２３は、図２２Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。

第５の実施形態に係る導電性光学素子１は、凹部である構造体３が基体表面に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。この構造体３の形状は、第１の実施形態における構造体３の凸形状を反転して凹形状としたものである。なお、上述のように構造体３を凹部とした場合、凹部である構造体３の開口部（凹部の入り口部分）を下部、基体２の深さ方向の最下部（凹部の最も深い部分）を頂部と定義する。すなわち、非実体的な空間である構造体３により頂部、および下部を定義する。また、第５の実施形態では、構造体３が凹部であるため、式（１）などにおける構造体３の高さＨは、構造体３の深さＨとなる。

この第５の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
この第５の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜６．第６の実施形態＞
図２４Ａは、本発明の第６の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図２４Ｃは、図２４ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。図２４Ｄは、図２４ＢのトラックＴ２、Ｔ４、・・・における断面図である。図２５は、図２４Ａに示した導電性光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。

導電性光学素子１は、基体２と、この基体２の表面に形成された複数の構造体３と、これらの構造体３上に形成された透明導電膜４とを備える。また、表面抵抗の向上の観点から、構造体３と透明導電膜４との間に金属膜５をさらに設けることが好ましい。この構造体３は、錐体形状の凸部である。隣接する構造体３の下部同士が、その下部同士を重なり合うようにして接合されている。隣接する構造体３のうち、最隣接する構造体３が、トラック方向に配置されていることが好ましい。このような位置に最隣接する構造体３を配置することが、後述する製造方法では容易であるからである。この導電性光学素子１は、構造体３が設けられた基体表面に対して入射する光の反射を防止する機能を有している。以下では、図２４Ａに示すように、基体２の一主面内において直交する２つの軸をＸ軸、Ｙ軸と称し、基体２の一主面に垂直な軸をＺ軸と称する。また、構造体３間に空隙部２ａがある場合には、この空隙部２ａに微細凹凸形状を設けることが好ましい。このような微細凹凸形状を設けることで、導電性光学素子１の反射率をさらに低減することができるからである。

図２６は、本発明の第１の実施形態に係る導電性光学素子の屈折率プロファイルの一例を示す。図２６に示すように、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化している。すなわち、屈折率プロプロファイルが、１つの変曲点Ｎを有している。この変曲点は、構造体３の側面の形状に対応するものである。このように実効屈折率を変化させることで、光にとって境界が明確では無くなるため反射光を低減し、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。深さ方向に対する実効屈折率の変化は、単調増加であることが好ましい。ここで、Ｓ字状には、反転Ｓ字状、すなわちＺ字状も含まれる。

また、深さ方向に対する実効屈折率の変化が、構造体３の頂部側および基体側の少なくとも一方において実効屈折率の傾きの平均値よりも急峻であることが好ましく、構造体３の頂部側および基体側の両方において上記平均値よりも急峻であることがより好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

構造体３の下部は、例えば、隣接関係にある構造体３の一部または全部の下部と接合されている。このように構造体同士の下部を接合することで、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率の変化を滑らかにすることができる。その結果、Ｓ字形状の屈折率プロファイルが可能となる。また、構造体同士の下部を接合することで、構造体の充填率を高めることができる。なお、図２４Ｂでは、隣接する全ての構造体３を接合したときの接合部の位置が、黒丸印「●」にて示されている。具体的には、接合部は、隣接する全ての構造体３の間、同一トラック内にて隣接する構造体３の間（例えばａ１〜ａ２間）、または、隣接するトラック間の構造体３の間（例えばａ１〜ａ７間、ａ２〜ａ７間）に形成される。滑らかな屈折率プロファイルを実現し、優れた反射防止特性を得るためには、隣接する全ての構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。後述する製造方法により接合部を容易に形成するためには、同一トラック内にて隣接する構造体３の間に接合部を形成することが好ましい。構造体３が六方格子パターンまたは準六方格子パターンに周期的に配置されている場合には、例えば、構造体３が６回対称となる方位で接合する。

構造体３が、その下部同士を重ね合うようにして接合されていていることが好ましい。このように構造体３を接合することで、Ｓ字形状の屈折率プロファイルを得ることができるとともに、構造体３の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で接合されていることが好ましい。これにより、優れた反射防止特性を得ることができる。

構造体３の高さは、透過させる光の波長領域に応じて適宜設定することが好ましい。具体的には、構造体３の高さが、使用環境下の光の波長帯域の最大値の５／１４以上１０／７以下であることが好ましく、より好ましくは上記最大値の２／５以上１０／７以下、さらに好ましくは上記最大値の３／７以上１０／７以下である。最大値の５／１４以上にすると、可視域４００ｎｍ〜７００ｎｍのほぼ全域において反射率を０．３％以下に抑制できる。最大値の２／５以上にすると、可視域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおいて反射率を０．１％以下に抑制できる。上述した製造方法においては、最大値の１０／７以下にすると、構造体３の成形が容易である。可視光を透過させる場合、構造体３の高さは１００ｎｍ〜３２０ｎｍであることが好ましい。構造体３のアスペクト比（高さＨ／平均配置ピッチＰ）は、０．２以上１．７８以下の範囲に設定することが好ましい。

構造体３の材料としては、例えば、紫外線、もしくは電子線により硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を主成分とするものが好ましく、紫外線で硬化できる紫外線硬化樹脂を主成分とするものが最も好ましい。

図２７は、構造体の形状の一例を示す拡大断面図である。構造体３の側面が、基体２へ向けて徐々に拡大するとともに、図２６に示したＳ字状曲線の平方根の形状を描くように変化することが好ましい。このような側面形状にすることにより、優れた反射防止特性を得ることができ、かつ、構造体３の転写性を向上することができる。

構造体３の頂部３ｔは、例えば、平面形状、または、先端に行くに従って細くなる凸形状である。構造体３の頂部３ｔを平面形状とする場合、単位格子の面積Ｓに対する、構造体頂部の平面の面積Ｓｔの面積比率（Ｓｔ／Ｓ）は、構造体３の高さが高くなるにつれて小さくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、導電性光学素子１の反射防止特性を向上することができる。ここで、単位格子は、例えば、六方格子または準六方格子などである。構造体底面の面積比率（単位格子の面積Ｓに対する、構造体底面の面積Ｓｂの面積比率（Ｓｂ／Ｓ）は、頂部３ｔの面積比率に近いことが好ましい。また、構造体３の頂部３ｔに、構造体３よりも屈折率が低い低屈折率層を形成してもよく、このような低屈折率層を形成することで、反射率を下げることが可能となる。

頂部３ｔおよび下部３ｂを除く構造体３の側面は、その頂部３ｔから下部３ｂの方向に向かって、第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂの組をこの順序で１つ有することが好ましい。これにより、構造体３の深さ方向（図２４Ａ中、−Ｚ軸方向）に対する実効屈折率が、１つの変曲点を有することができる。

ここで、第１の変化点および第２の変化点は以下のように定義される。
図２８Ａ、図２８Ｂに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を不連続的に接合して形成されている場合には、接合点が変化点となる。この変化点と変曲点は一致することになる。接合点では正確には微分不可能であるが、ここでは、このような極限としての変曲点も変曲点と称する。構造体３が上述のような曲面を有する場合、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かう傾きが、第１の変化点Ｐａを境にしてより緩やかになった後、第２の変化点Ｐｂを境にしてより急になることが好ましい。

図２８Ｃに示すように、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂの間の側面が、構造体３の頂部３ｔから下部３ｂに向かって、滑らかな複数の曲面を連続的に滑らかに接合して形成されている場合には、変化点は以下のように定義される。図２８Ｃに示すように、構造体の側面に存在する２つの変曲点におけるそれぞれの接線が互いに交わる交点に対して、曲線上で最も近い点を変化点と称する。

構造体３は、その頂部３ｔから下部３ｂの間の側面に、１つのステップＳｔを有することが好ましい。このように１つのステップＳｔを有することで、上述の屈折率プロファイルを実現することができる。すなわち、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率を、基体２に向けて徐々に増加させるとともに、Ｓ字形状の曲線を描くように変化させることができる。ステップとしては、例えば傾斜ステップまたは平行ステップが挙げられ、傾斜ステップが好ましい。ステップＳｔを傾斜ステップとすると、ステップＳｔを平行ステップとするよりも、転写性を良好にできるからである。

傾斜ステップとは、基体表面に対して平行ではなく、構造体３の頂部から下部の方向に向かうに従って側面が広がるように傾斜しているステップのことをいう。平行ステップとは、基体表面に対して平行なステップのことをいう。ここで、ステップＳｔは、上述の第１の変化点Ｐａおよび第２の変化点Ｐｂで設定される区画である。なお、ステップＳｔには、頂部３ｔの平面、および構造体間の曲面または平面を含まないものとする。

構造体３が、成形の容易さの観点から、隣接する構造体３に接合されている下部を除いて軸対称な錐体形状、または錐体形状をトラック方向に延伸または収縮させた錐体形状を有することが好ましい。錐体形状としては、例えば、円錐形状、円錐台形状、楕円錐形状、楕円錐台形状などを挙げることができる。ここで、錐体形状とは、上述のように、円錐形状および円錐台形状以外にも、楕円錐形状、楕円錐台形状を含む概念である。また、円錐台形状とは、円錐形状の頂部を切り落とした形状をいい、楕円錐台形状とは、楕円錐の頂部を切り落とした形状のことをいう。なお、構造体３の全体形状は、これらの形状に限定されるものではなく、構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２に向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状に変化するような形状であればよい。また、錐体形状には、完全な錐体形状のみならず、上述したように、側面にステップＳｔを有する錐体形状も含まれる。

楕円錐形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が先端に行くに従って狭くなる細くなる凸形状を有する構造体である。楕円錐台形状を有する構造体３は、底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形または卵型の錐体構造で、頂部が平面である構造体である。構造体３を楕円錐形状または楕円錐台形状とする場合、構造体３の底面の長軸方向がトラックの延在方向（Ｘ軸方向）となるように、構造体３を基体表面に形成することが好ましい。

構造体３の断面積は、上述の屈折率プロファイルに対応するように、構造体３の深さ方向に対して変化する。構造体３の断面積は、構造体３の深さ方向に向かうに従って単調に増加することが好ましい。ここで、構造体３断面積とは、構造体３が配列された基体表面に対して、平行な切断面の面積を意味する。深さの異なる位置での構造体３の断面積割合が、当該位置に対応した上記実効屈折率プロファイルに相当するように、深さ方向に構造体の断面積を変化させることが好ましい。

上述したステップを有する構造体３は、例えば、以下のようにして作製された原盤を用いて、形状転写をすることにより得られる。すなわち、原盤作製のエッチング工程において、エッチング処理およびアッシング処理の処理時間を適宜調整することにより、構造体（凹部）の側面にステップが形成された原盤を作製する。

この第６の実施形態によれば、構造体３が錐体形状を有し、この構造体３の深さ方向に対する実効屈折率が、基体２へ向けて徐々に増加するとともに、Ｓ字状の曲線を描くように変化する。これにより、構造体３の形状効果により、光にとって境界が明確では無くなるため、反射光を低減できる。よって、優れた反射防止特性を得ることができる。特に、構造体３の高さが大きい場合に、優れた反射防止特性が得られる。具体的には、構造体３の高さが、好ましくは、使用環境下の光の波長帯域の最大値の５／１４以上１０／７以下、より好ましくは２／５以上１０／７以下、さらに好ましくは３／７以上１０／７以下である場合に、特に優れた反射防止特性が得られる。また、隣接する構造体３の下部同士を、その下部同士が重なり合うようにして接合しているので、構造体３の充填率を上げることができるとともに、構造体３の成形が容易となる。

構造体３の深さ方向に対する実効屈折率プロファイルをＳ字状に変化させるとともに、（準）六方格子、または、（準）四方格子の配列で構造体を配置させることが好ましい。また、各構造体３は軸対称の構造、または、軸対称の構造をトラック方向に延伸または収縮させた構造とすることが好ましい。さらに、隣接する構造体３を基体付近において接合させることが好ましい。このような構成とすることで、より製造しやすく、高性能な反射防止構造体を作製することができる。

光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて、導電性光学素子１を作製する場合には、電子線露光を用いて導電性光学素子１を作製した場合に比べて、原盤作製プロセスに要する時間（露光時間）を大幅に短縮することができる。したがって、導電性光学素子１の生産性を大幅に向上することができる。

構造体３の頂部の形状を先鋭でなく平面形状とした場合には、導電性光学素子１の耐久性を向上することができる。また、ロールマスタ１１に対する構造体３の剥離性を向上することもできる。構造体３のステップを傾斜ステップとした場合には、平行ステップとした場合に比べて転写性を向上することができる。

＜７．第７の実施形態＞
図２９は、本発明の第７の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図２９に示すように、この導電性光学素子１は、基体２上に透明導電層８を備え、この透明導電層８の表面に、透明導電性を有する多数の構造体３が形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。透明導電層８が、導電性高分子、銀系フィラー、カーボンナノチューブ、およびＩＴＯ粉末からなる群のうちの少なくとも１種の材料を含んでいる。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系などの導電性高分子材料を用いることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を用いることが好ましい。

第７の実施形態では、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜８．第８の実施形態＞
図３０は、本発明の第８の実施形態に係る導電性光学素子の構成の一例を示す断面図である。図３０に示すように、この導電性光学素子１は、構造体３が形成された一主面（第１の主面）とは反対側となる他主面（第２の主面）に、構造体３をさらに備える点において、第１の実施形態とは異なっている。

導電性光学素子１の両主面における構造体３の配置パターン、およびアスペクト比などは、同一である必要はなく、所望とする特性に応じて、異なる配置パターン、およびアスペクト比などを選択するようにしてもよい。例えば、一主面の配置パターンを準六方格子パターンとし、他主面の配置パターンを準四方格子パターンとするようにしてもよい。

第７の実施形態では、基体２の両主面に複数の構造体３を形成しているので、導電性光学素子１の光入射面および光出射面の双方に対して、光の反射防止機能を付与することができる。これにより、光の透過特性の更なる向上を図ることが可能となる。

＜９．第９の実施形態＞
図３１Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。このタッチパネル５０は、いわゆる抵抗膜方式タッチである。抵抗膜方式タッチパネルとしては、アナログ抵抗膜方式タッチパネル、およびデジタル抵抗膜方式タッチパネルのいずれであってもよい。

タッチパネル５０は、第１の導電性光学素子５１と、この第１の導電性光学素子５１と対向する第２の導電性光学素子５２とを備える。第１の導電性光学素子５１と、第２の導電性光学素子５２は、それらの周縁部間に配置された貼り合わせ部５５を介して互いに貼り合わされている。貼り合わせ部５５としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。タッチパネル５０は、耐擦傷性の向上の観点からすると、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、ハードコート層７を備えることが好ましい。このハードコート層７の表面には、防汚性が付与されていることが好ましい。このタッチパネル５０は、例えば表示装置５４に対して貼り合わせ層５３を介して貼り合わされる。貼り合わせ層５３の材料としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

（表示装置）
表示装置５４としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。

（導電性光学素子）
第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の少なくとも一方として、第１〜第７の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかが用いられる。両導電性光学素子として、第１〜第７の実施形態に係る導電性光学素子１のいずれかを用いる場合、両導電性光学素子として、互いに異なる実施形態に係る導電性光学素子１を用いるようにしてもよい。

第１の導電性光学素子５１が、第２の導電性光学素子５２と対向する対向面を有する第１の基体２と、第１の基体２の対向面上に形成された第１の透明導電膜４とを備える。第２の導電性光学素子５２が、第１の導電性光学素子５１と対向する対向面を有する第２の基体２と、第２の基体の対向面上に形成された第２の透明導電膜４とを備える。第１、および第２の基体２の対向面の少なくとも一方には、可視光の波長以下の微細ピッチで凸部または凹部からなる構造体３が多数形成されている。反射防止特性および透過特性の観点からすると、両導電性光学素子に構造体３が形成されていることが好ましい。構造体３上に形成された第１、または第２の透明導電膜４は、構造体３の形状に倣った形状を有している。

第９の実施形態では、第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の対向面の少なくとも一方に多数の構造体３が形成されているので、優れた反射防止特性、および透過特性を有するタッチパネル５０を得ることができる。したがって、表示装置５４の視認性を向上することができる。特に、屋外での表示装置５４の視認性を向上することができる。

（変形例）
図３２Ａは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す斜視図である。図３２Ｂは、本発明の第９の実施形態に係るタッチパネルの変形例を示す断面図である。 タッチパネル５０は、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に対して、貼り合わせ層６０などを介して貼り合わされた偏光子５８をさらに備えることが好ましい。このように偏光子５８を設ける場合、第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の基体２としては、λ／４位相差フィルムを用いることが好ましい。このように偏光子５８と、λ／４位相差フィルムである基体２とを採用することで、反射率を低減し、視認性を向上することができる。

第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に、単層または多層の反射防止層（図示せず）を形成することが好ましい。反射率を低減し、視認性を向上することができるからである。また、第１の導電性光学素子５１のタッチ側となる面に対して、貼り合わせ層６１などを介して貼り合わされたフロントパネル（表面部材）５９をさらに備えるようにしてもよい。このフロントパネル５９の両主面の少なくとも一方に、第１の導電性光学素子５１と同様に、多数の構造体３を形成するようにしてもよい。また、第２の導電性光学素子５２の表示装置５４などに貼り合わされる面に、貼り合わせ層５７などを介してガラス基板５６を貼り合わせるようにしてもよい。

第１の導電性光学素子５１、および第２の導電性光学素子５２の少なくとも一方の周縁部にも、複数の構造体３を形成することが好ましい。アンカー効果により、第１の導電性光学素子５１、または第２の導電性光学素子５２と、貼り合わせ層５５との間の密着性を向上することができるからである。

また、第２の導電性光学素子５２の表示装置５４などと貼り合わされる面に対しても、複数の構造体３を形成することが好ましい。複数の構造体３のアンカー効果により、タッチパネル５０と貼り合わせ層５３との間の接着性を向上することができるからである。

＜１０．第１０の実施形態＞
図３３Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。図３３Ｂは、本発明の第１０の実施形態に係るタッチパネルの構成の一例を示す断面図である。第１０の実施形態は、タッチ面側となる第１の導電性光学素子５１として、第８の実施形態に係る導電性光学素子１を備える点において、第９の実施形態とは異なっている。

表示装置５４の側となる第２の導電性光学素子５２としても、第８の実施形態に係る導電性光学素子１を備えることが好ましい。タッチパネル５０と貼り合わせ層５３との間の密着性を向上することができるからである。

第１０の実施形態では、第１の導電性光学素子５１のタッチ面側にも、多数の構造体３を形成しているので、第９の実施形態よりも更に優れた反射防止特性および透過特性を得ることができる。

構造体３が多数形成された基体２の凹凸面上に、透明導電膜４、導電性が高い金属膜、または、金属膜５および透明導電膜４の積層膜などの導電膜を形成した構成とすることが好ましい。これらの構造体３の設計と導電膜の膜厚とを調整することで、低反射特性、および高透過特性率を実現し、かつ所望の抵抗を得ることができる。

例えば、構造体３のアスペクト比、および透明導電膜４などの膜厚を調整することにより、導電性光学素子１の表面抵抗を数１００Ω/□〜数１０００Ω/□の幅広い表面抵抗レンジでコントロールできる。また、上記表面抵抗の範囲を確保しつつ、低反射特性、および高透過特性を実現できる。したがって、タッチパネルの搭載による表示装置の表示品質の低下を抑制することができる。

デジタル式抵抗タッチパネルや静電容量式タッチパネルなどのように、導電膜の配線が形成される従来のタッチパネルでは、導電膜と基材との反射率が異なるために、導電膜の配線が見えてしまい、表示装置の表示品質の劣化を招いていた。これに対して、この第１の実施形態に係るタッチパネルでは、導電膜の有無にかかわらず、低反射、および高透過率を実現しているため、配線を見えなくできる、または配線を気にならない程度まで見えなくできる。

＜１１．第１１の実施形態＞
図３４は、第１１の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。図３４に示すように、液晶表示装置７０は、第１、および第２の主面を有する液晶パネル（液晶部）と、第１の主面上に形成された第１の偏光子７２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子７３と、液晶パネル７１と第１の偏光子７２との間に配置されたタッチパネル５０とを備える。タッチパネル５０は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。

（液晶パネル）
液晶パネル７１としては、例えば、ツイステッドネマチック（Twisted Nematic：ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（Super Twisted Nematic：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）モード、水平配列（In-Plane Switching：ＩＰＳ）モード、光学補償ベンド配向（Optically Compensated Birefringence：ＯＣＢ）モード、強誘電性（Ferroelectric Liquid Crystal：ＦＬＣ）モード、高分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：ＰＤＬＣ）モード、相転移型ゲスト・ホスト（Phase Change Guest Host：ＰＣＧＨ）モードなどの表示モードのものを用いることができる。

（偏光子）
第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル７１の第１、および第２の主面上に対して、貼り合わせ層７４、７５を介して貼り合わされる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子７２、および第２の偏光子７３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。

（タッチパネル）
タッチパネル５０は、第９、または第１０の実施形態と同様のものを用いることができる

第１１の実施形態では、偏光子７２を液晶パネル７１とタッチパネル５０とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（高さＨ、平均配置ピッチＰ、アスペクト比）
以下の実施例において、導電性光学シートの構造体の高さＨ、配置ピッチＰ、およびアスペクト比は以下のようにして求めた。
まず、光学シートの表面形状を、ＩＴＯ膜を成膜していない状態において、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により撮影した。そして、撮影したＡＦＭ像、およびその断面プロファイルから、構造体の配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、高さＨを求めた。これらの測定を光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均配置ピッチＰ１、平均配置ピッチＰ２、および平均高さＨを求め、これらの平均値をそれぞれ配置ピッチＰ１、配置ピッチＰ２、および高さＨとした。次に、これらの（平均）配置ピッチＰ１、（平均）配置ピッチＰ２、および（平均）高さＨを用いて、アスペクト比（＝高さＨ／平均配置ピッチＰ）を求めた。ここで、平均配置ピッチＰ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３である。

以下の実施例において、透明導電膜の膜厚は以下のようにして求めた。
まず、導電性光学シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体における頂部における透明導電膜の膜厚を測定した。これらの測定を導電性光学シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して平均膜厚を求め、この平均膜厚を透明導電膜の膜厚とした。

＜１．導電性光学シートの光学特性＞
（実施例１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図１１に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し凹形状の六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＴＡＣ（トリアセチルセルロース）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、複数の構造体が一主面に配列された光学シートが得られた。この光学シートの構造体の高さＨは１７０ｎｍ、配置ピッチＰは２７０、アスペクト比は０．６３であった。次に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を構造体上に成膜した。
以上により、目的とする導電性光学シートが作製された。

（実施例２）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の高さＨを２００ｎｍ、配置ピッチＰを２４０、アスペクト比を０．８３とする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。

（実施例３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の高さＨを２８０ｎｍ、配置ピッチＰを２５０、アスペクト比を１．１２とする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。

（表面抵抗の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。図３５に、表面抵抗とＩＴＯ膜厚との関係を示す。

（透過率の評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの透過率を日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３６に示す。

（透明導電膜の状態評価）
上述のようにして作製した導電性光学シートの導電膜の状態を以下のようにして評価した。まず、導電性光学シートを切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察した。そして、以下の基準に基づきＩＴＯ膜の成膜状態を評価した。
○：ＩＴＯ膜がＴＡＣフィルムの凹凸面に倣って形成されている。
×：ＩＴＯ膜がＴＡＣフィルムの凹凸面に倣って形成されていない。

表１は、実施例１〜３に係る導電性光学素子の構成を示す。

表１、および図３５から、構造体のアスペクト比を０．６３〜１．１２の範囲で変えることにより、３００Ω/□〜２０００Ω/□と幅広い範囲の表面抵抗が実現できることがわかる。

表１、および図３６から、ＩＴＯ膜をＴＡＣフィルムの凹凸面に倣った形状とすることで、導電性光学シートの一主面に透明導電膜が形成されているにもからわらず、反射率の上昇が抑えられ、約９５％の高透過率が得られることがわかる。

以上により、構造体のアスペクト比を０．６３〜１．１２の範囲とし、ＩＴＯ膜をＴＡＣフィルムの凹凸面に倣った形状とすることで、３００Ω/□〜２０００Ω/□の幅広い範囲の表面抵抗を得ることができ、かつ、優れた透過特性を得ることができる。

（実施例４）
まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例１と同様にして光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
高さＨ：１７０ｎｍ
アスペクト比：０．６３

次に、スパッタリング法により、光学シートの凹凸面上に透明導電膜を成膜し、導電性光学シートを作製した。以下に透明導電膜の成膜条件を示す。
投入電力：３ｋＷ
膜厚：３２．５０ｎｍ

（実施例５）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして導電性光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２４０ｎｍ
高さＨ：１５０ｎｍ
アスペクト比：０．６３

（実施例６）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして導電性光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２４０ｎｍ
高さＨ：２００ｎｍ
アスペクト比：０．８３

（実施例７）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして導電性光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２２５ｎｍ
高さＨ：２４０ｎｍ
アスペクト比：１．０７

（実施例８）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして導電性光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
高さＨ：１７０ｎｍ
アスペクト比：０．６３

次に、スパッタリング法により、光学シートの凹凸面上に透明導電膜を成膜し、導電性光学シートを作製した。以下に透明導電膜の成膜条件を示す。
投入電力：３ｋＷ
膜厚：４３．５０ｎｍ

（実施例９）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例８と同様にして導電性光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２４０ｎｍ
高さＨ：１５０ｎｍ
アスペクト比：０．６３

（実施例１０）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
高さＨ：３２０ｎｍ
アスペクト比：１．２８

次に、スパッタリング法により、光学シートの凹凸面上に透明導電膜を成膜し、導電性光学シートを作製した。以下に透明導電膜の成膜条件を示す。
投入電力：４ｋＷ
膜厚：５６．９６ｎｍ

（実施例１１）
構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例４と同様にして光学シートを作製した。
配置パターン：六方格子パターン
配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
高さＨ：３００ｎｍ
アスペクト比：１．１１

次に、スパッタリング法により、光学シートの凹凸面上に透明導電膜を成膜し、導電性光学シートを作製した。以下に透明導電膜の成膜条件を示す。
投入電力：４ｋＷ
膜厚：４２．７２ｎｍ

（表面抵抗）
上述のようにして作製した導電性光学シートの表面抵抗を４端子法にて測定した。次に、測定した表面抵抗を膜厚３０ｎｍで規格化した値を求めた。次に、膜厚と表面抵抗との積を求めた。それらの結果を表２に示す。図３７に、実施例４〜１１の導電性光学シートにおける「ＩＴＯ膜厚×表面抵抗」と「アスペクト比」との関係を示す。図３８に、ＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍに換算したときの「ＩＴＯ膜厚×表面抵抗」と「アスペクト比」との関係を示す。

表２は、実施例４〜１１の導電性光学シートの構成、および評価結果を示す。

表２、図３７、図３８から以下のことがわかる。
抵抗値はアスペクト比と関係があり、膜厚（頂部膜厚）を変えないで、抵抗値を低くしたい場合には、アスペクト比を低くすればよく、逆に抵抗値を高くしたい場合には、アスペクト比を高くすればよいことがわかる。

（実施例１２）
まず、露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例１と同様にして光学シートを作製した。
平均配置ピッチＰ：２７０ｎｍ
高さＨ：１７０ｎｍ
アスペクト比：０．６３

次に、スパッタリング法により光学シートの凹凸面上にＩＴＯ膜を成膜し、成膜直後（asdepo：as deposition）のＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。なお、ＩＴＯ膜の膜厚は、３２．５ｎｍとした。次に、１３０度で３０分間、ＩＴＯ膜をアニーリングし、アニーリング後のＩＴＯ膜の表面抵抗を４端子法にて測定した。以上により、目的とする導電性光学シートが作製された。

（実施例１３）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。なお、導電性光学シートの作製工程において、実施例１２と同様にして、成膜直後、およびアニーリング後におけるＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。
平均配置ピッチＰ：２４０ｎｍ
高さＨ：２００ｎｍ
アスペクト比：０．８３

（実施例１４）
露光工程、およびエッチング工程の条件を調整し、構造体の構成を下記のようにする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。なお、導電性光学シートの作製工程において、実施例１２と同様にして、成膜直後、およびアニーリング後におけるＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。
平均配置ピッチＰ：２２０ｎｍ
高さＨ：２５０ｎｍ
アスペクト比：０．８３

（実施例１５）
ＩＴＯ膜厚を４３．５ｎｍとする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。なお、導電性光学シートの作製工程において、実施例１２と同様にして、成膜直後、およびアニーリング後におけるＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。

（実施例１６）
ＩＴＯ膜厚を４３．５ｎｍとする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。なお、導電性光学シートの作製工程において、実施例１２と同様にして、成膜直後、およびアニーリング後におけるＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。

（実施例１７）
ＩＴＯ膜厚を４３．５ｎｍとする以外は、実施例１と同様にして導電性光学シートを作製した。なお、導電性光学シートの作製工程において、実施例１２と同様にして、成膜直後、およびアニーリング後におけるＩＴＯ膜の表面抵抗を測定した。

（透過率、反射率）
上述のようにして作製した導電性光学シートの平均透過率、および平均反射率を日本分光社製の評価装置（Ｖ−５５０）を用いて評価した。その結果を図３９、図４０に示す。なお、平均透過率、および平均反射率は、４００ｎｍ〜７５０ｎｍの波長帯域における平均透過率、および平均反射率である。

（比較例１）
平滑な平面を有するガラス基板上に、ＩＴＯ膜を１０ｎｍ成膜したときの平均透過率、および平均反射率をシミュレーションにより求めた。なお、平均透過率、および平均反射率は、４００ｎｍ〜７５０ｎｍの波長帯域における平均透過率、および平均反射率である。

（比較例２）
ＩＴＯ膜の膜厚を１５ｎｍとする以外は、比較例１と同様にして平均透過率、および平均反射率をシミュレーションにより求めた。

（比較例３）
ＩＴＯ膜の膜厚を２０ｎｍとする以外は、比較例１と同様にして平均透過率、および平均反射率をシミュレーションにより求めた。

（比較例４）
ＩＴＯ膜の膜厚を２５ｎｍとする以外は、比較例１と同様にして平均透過率、および平均反射率をシミュレーションにより求めた。

（比較例５）
ＩＴＯ膜の膜厚を３０ｎｍとする以外は、比較例１と同様にして平均透過率、および平均反射率をシミュレーションにより求めた。

表３、および表４は、実施例１２〜１７の導電性光学シートの構成、および評価結果を示す。表５は、比較例１〜５のシミュレーションの条件、および評価結果を示す。
図３９は、実施例１２〜１７、比較例１〜５の導電性光学シートの平均反射率を示すグラフである。図４０は、実施例１２〜１７、比較例１〜５の導電性光学シートの平均透過率を示すグラフである。

表３〜表５、図３９、図４０から以下のことがわかる。
比較例１〜５では、ＩＴＯ膜の膜厚を厚くし、表面抵抗を低下させるに従って、平均反射率が上昇するとともに、平均透過率が低下する傾向にある。これに対して、実施例１２〜１７では、ＩＴＯ膜の膜厚を厚くし、表面抵抗を低下させても、平均反射率、および平均透過率は殆ど変化しない傾向にある。

以上、本発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、形状、材料および構成などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値、形状、材料および構成などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態において、光学素子が、構造体が形成された側の凹凸面上に、低屈折率層をさらに備えるようにしてもよい。低屈折率層は、基体、構造体、および突出部を構成する材料より低い屈折率を有する材料を主成分としていることが好ましい。このような低屈折率層の材料としては、例えばフッ素系樹脂などの有機系材料、またはＬｉＦ、ＭｇＦ₂などの無機系の低屈折率材料が挙げられる。

また、上述の実施形態において、熱転写により光学素子を作製するようにしてもよい。具体的には、熱可塑性樹脂を主成分とする基体を加熱し、この加熱により十分に柔らかくなった基体に対して、ロールマスタやディスクマスタなどの判子（モールド）を押し当てることにより、光学素子を作製する方法を用いるようにしてもよい。

上述の実施形態では、抵抗膜式のタッチパネルに対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、静電容量式、超音波式、または光学式のタッチパネルなどに対しても適用可能である。

１ 光学素子
２ 基体
３ 構造体
４ 透明導電膜
５ 金属膜
６ 突出部
７ ハードコート層
８ 透明導電層
１１ ロールマスタ
１２ 基体
１３ 構造体
１４ レジスト層
１５ レーザー光
１６ 潜像
４１ ディスクマスタ
４２ 原盤
４３ 構造体
５１ 第１の導電性光学素子
５２ 第２の導電性光学素子
５３、５５、５７、６０、６１、７４、７５ 貼り合わせ層
５４ 液晶表示装置
５６、７２、７３ ガラス基板
５８ 偏光子
５９ トッププレート（前面部材）
７１ 液晶パネル（液晶部）

Claims (13)

1. 表面を有する基体と、
   上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
   上記構造体上に形成された透明導電膜と
   を備え、
   上記透明導電膜が、上記構造体の形状に倣った形状を有し、
   上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
   上記透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、反射防止機能を有する導電性光学素子。
2. 上記透明導電膜の表面抵抗が、１００Ω／□以上５０００Ω／□以下である請求項１記載の導電性光学素子。
3. 上記透明導電膜が、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる請求項１記載の導電性光学素子。
4. 上記透明導電膜は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項１記載の導電性光学素子。
5. 上記構造体の頂部の膜厚をＤ１、上記構造体の傾斜面の膜厚をＤ２、上記構造体間の膜厚をＤ３としたときに、Ｄ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たし、
   上記構造体の傾斜面の膜厚Ｄ２が、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項１記載の導電性光学素子。
6. 上記構造体の頂部における透明導電膜の膜厚Ｄ１が、２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であり、
   上記構造体の傾斜面における透明導電膜の膜厚Ｄ２が、９ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であり、
   上記構造体間における透明導電膜の膜厚Ｄ３が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である請求項５記載の導電性光学素子。
7. 上記構造体上に形成された導電膜をさらに備え、
   上記導電膜が、導電率が高い金属系の材料を含み、上記構造体の形状に倣った形状を有している請求項１記載の導電性光学素子。
8. 上記金属が、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、およびＣｕからなる群より選ばれた少なくとも１種を含んでいる請求項８記載の導電性光学素子。
9. 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成し、
   上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状である請求項１記載の導電性光学素子。
10. 第１の導電性光学素子と
    上記第１の導電性光学素子と対向する第２の導電性光学素子と
    を備え、
    上記第１、および上記第２の導電性光学素子の少なくとも一方が、
    表面を有する基体と、
    上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
    上記構造体上に形成された透明導電膜と
    を備え、
    上記透明導電膜が、上記構造体の形状に倣った形状を有し、
    上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
    上記透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるタッチパネル。
11. 第１、および第２の主面を有する液晶部と、
    上記第１の主面に形成された第１の偏光子と、
    上記第２の主面に形成された第２の偏光子と、
    上記液晶部と上記第１の偏光子との間に配置されたタッチパネルと
    を備え、
    上記タッチパネルは、
    第１の導電性光学素子と
    上記第１の導電性光学素子と対向する第２の導電性光学素子と
    を備え、
    上記第１、および上記第２の導電性光学素子の少なくとも一方が、
    表面を有する基体と、
    上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、
    上記構造体上に形成された透明導電膜と
    を備え、
    上記透明導電膜が、上記構造体の形状に倣った形状を有し、
    上記構造体のアスペクト比が、０．２以上１．２８以下であり、
    上記透明導電膜の膜厚が、９ｎｍ以上５０ｎｍ以下である液晶表示装置。
12. 表面を有する基体と、
    上記基体の表面に形成された透明導電層と
    を備え、
    上記透明導電層は、可視光の波長以下の微細ピッチで構造体が多数形成された表面を有し、
    上記構造体が、透明導電性を有する導電性光学素子。
13. 上記透明導電層、および上記構造体が、導電性高分子、銀系フィラー、カーボンナノチューブ、およびインジウム錫酸化物粉末からなる群のうちの少なくとも１種の材料を含んでいる請求項１２記載の導電性光学素子。

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