TWI445996B

TWI445996B - Conductive optical element

Info

Publication number: TWI445996B
Application number: TW099145881A
Authority: TW
Inventors: Shunichi Kajiya; Sohmei Endoh; Kazuya Hayashibe
Original assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2009-12-28
Filing date: 2010-12-24
Publication date: 2014-07-21
Also published as: JP2011138059A; CN102326137B; BRPI1008624A2; US20110310489A1; WO2011080890A1; CN102326137A; TW201135275A; JP5440165B2; EP2521011A4; EP2521011A1; KR20120111920A

Description

導電性光學元件

本發明係關於一種導電性光學元件。詳細而言，係關於一種具有防反射功能之導電性光學元件。

近年來，於移動機器或行動電話機器等中所包含之顯示裝置上，配置有用於輸入資訊之電阻膜式觸摸面板。電阻膜式觸摸面板具有相向配置有2個導電性光學元件之構造。導電性光學元件係作為觸摸面板之電極而發揮功能者，且包括高分子膜或玻璃基板等具有透明性之基材、以及形成於基材上之、包含ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)等高折射率之材料(例如1.9~2.1左右)的透明導電膜。

如上所述，觸摸面板一般係配置於顯示裝置上，因此，要求顯示裝置之顯示品質不會惡化。然而，因導電性光學元件之折射率約為2.0左右，故而，若將觸摸面板配置於顯示裝置之顯示面上，則反射光會增加，從而導致顯示裝置之顯示品質惡化。

而且，用於觸摸面板之導電性光學元件中，由觸摸面板方式而獲得之表面電阻值不同。例如，數位電阻膜式觸摸面板或類比電阻膜式下，需要有100 Ω/□~數100 Ω/□之範圍較廣之表面電阻。表面電阻值係依存於導電性光學元件之透明導電膜的厚度，故而，為了獲得上述範圍之表面電阻，需要增厚導電膜厚度。然而，若如此增厚膜厚，則反射光會增加，而導致顯示裝置之畫質惡化。亦即，難以同時實現範圍較廣之表面電阻及高穿透特性。

先前以來，為了提高導電性光學元件之穿透特性，採用形成防反射膜之技術。例如專利文獻1中，提出在基材與透明導電膜之間設有防反射膜的觸摸面板用透明導電性光學元件。該防反射膜係依序積層折射率不同之複數個介電體膜而形成。然而，即便使用該技術，亦難以同時實現範圍較廣之表面電阻及高穿透特性，故期望該等兩種特性能同時實現。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2003-136625號公報

因此，本發明之目的在於提供一種能夠獲得範圍較廣之表面電阻、且能夠獲得優良之穿透特性的導電性光學元件。

為了解決上述問題，第1發明係一種導電性光學元件，其具有防反射功能，且其包括：基體，其具有表面；構造體，其以可見光之波長以下之微細間距而於基體之表面上配置有多個；及透明導電膜，其形成於構造體上；且透明導電膜之形狀係仿照構造體之形狀，構造體之縱橫比為0.2以上1.28以下，透明導電膜之膜厚為9 nm以上50 nm以下。

第2發明係一種觸摸面板，其包括：第1導電性光學元件；及與第1導電性光學元件相向之第2導電性光學元件；且第1及第2導電性光學元件中之至少一者包括：基體，其具有表面；構造體，其係以可見光之波長以下之微細間距而於基體之表面上配置有多個；及透明導電膜，其形成於構造體上；且透明導電膜之形狀係仿照構造體之形狀，構造體之縱橫比為0.2以上1.28以下，透明導電膜之膜厚為9 nm以上50 nm以下。

第3發明係一種液晶顯示裝置，其包括：液晶部，其具有第1及第2主面；第1偏光元件，其形成於第1主面上；第2偏光元件，其形成於第2主面上；及觸摸面板，其配置於液晶部與第1偏光元件之間；觸摸面板包括：第1導電性光學元件；及與第1導電性光學元件相向之第2導電性光學元件；第1及第2導電性光學元件中之至少一者包括：基體，其具有表面；構造體，其以可見光之波長以下之微細間距而於基體之表面上配置有多個；及透明導電膜，其形成於構造體上；且透明導電膜之形狀係仿照構造體之形狀，構造體之縱橫比為0.2以上1.28以下，透明導電膜之膜厚為9 nm以上50 nm以下。

第4發明係一種導電性光學元件，其包括基體，其具有表面；及透明導電層，其形成於基體之表面；且透明導電層具有以可見光之波長以下之微細間距而形成有多個構造體的表面，構造體具有透明導電性。

該發明中，較佳為，將主構造體以四方格子狀或者準四方格子狀週期性地配置。此處，所謂四方格子係指，正四邊形狀之格子。所謂準四方格子係指，與正四邊形狀之格子不同，而是歪斜之正四邊形狀之格子。

例如，當構造體配置於直線上之情形時，所謂準四方格子係指，使正四邊形狀之格子於直線狀之排列方向(軌道方向)上拉伸而歪斜的四方格子。當構造體彎曲地排列之情形時，所謂準四方格子係指，使正四邊形狀之格子較構造體之彎曲排列更歪斜之四方格子。或者係指，使正四邊形狀之格子於直線狀之排列方向(軌道方向)拉伸而歪斜，並且，較構造體之彎曲排列更歪斜的四方格子。

該發明中，較佳為，將構造體以六方格子狀或者準六方格子狀週期性地配置。此處，所謂六方格子係指，正六邊形狀之格子。所謂準六方格子係指，與正六邊形狀之格子不同，而是歪斜之正六邊形狀之格子。

例如，當構造體配置於直線上之情形時，所謂準六方格子係指，將正六邊形狀之格子於直線狀之排列方向(軌道方向)拉伸而歪斜之六方格子。當構造體彎曲地排列之情形時，所謂準六方格子係指，使正六邊形狀之格子較構造體之彎曲排列更歪斜之六方格子。或者係指，使正六邊形狀之格子於直線狀之排列方向(軌道方向)拉伸而歪斜，並且，較構造體之彎曲排列更歪斜之六方格子。

該發明中，所謂橢圓，不僅包括數學上定義之完整之橢圓，亦包括略微具有歪斜之橢圓。所謂圓形，不僅包括數學上定義之完整之圓(正圓)，亦包括略微具有歪斜之圓形。而且，構造體為凸狀或者凹狀之構造體。

該發明中，使透明導電膜之膜厚處於9 nm以上50 nm以下之範圍內，故而，能獲得範圍較廣之表面電阻。而且，使構造體之縱橫比處於0.63以上1.12以下之範圍內，使透明導電膜之表面形狀仿照構造體之形狀，故而，能獲得優良之穿透特性。

如上文所述，根據本發明，能獲得範圍較廣之表面電阻，並且能獲得優良之穿透特性。

以下，對於本發明之實施形態，參照圖式按照以下順序進行說明。

1.第1實施形態(以直線狀且以六方格子狀將構造體2維排列之例：參照圖1)

2.第2實施形態(以直線狀且以四方格子狀將構造體2維排列之例：參照圖15)

3.第3實施形態(以圓弧狀且以六方格子狀將構造體2維排列之例：參照圖18)

4.第4實施形態(使構造體彎曲地排列之例：參照圖21)

5.第5實施形態(將凹形狀之構造體形成於基體表面之例：參照圖22)

6.第6實施形態(使折射率分佈成為S字形狀之例：參照圖24)

7.第7實施形態(排列有具有透明導電性之構造體之例：參照圖29)

8.第8實施形態(於導電性光學元件之兩主面形成有構造體之例：參照圖30)

9.第9實施形態(針對觸摸面板之適用例：參照圖31A、圖31B)

10.第10實施形態(於觸摸面板之觸摸面形成有構造體之例：參照圖33A、圖33B)

11.第11實施形態(內部觸摸面板之例：參照圖34)

<1.第1實施形態> [導電性光學元件之構成]

圖1A係表示本發明之第1實施形態之導電性光學元件的構成之一例的概略平面圖。圖1B係將圖1A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖1C係圖1B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖1D係圖1B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖1E係表示與圖1B之軌道T1、T3、......對應之潛像形成中所使用的雷射光之調變波形之概略線圖。圖1F係表示與圖1B之軌道T2、T4、......對應之潛像形成中所使用的雷射光之調變波形之概略線圖。圖2、圖4~圖6係將圖1A所示之導電性光學元件1之一部分放大表示的立體圖。圖3A係圖1A所示的導電性光學元件之軌道之延伸方向(X方向(以下，亦適當地稱作軌道方向))的剖面圖。圖3B係圖1A所示的導電性光學元件之θ方向之剖面圖。

導電性光學元件1係具有透明性之導電性光學元件，且可較佳地適用於觸摸面板等中。導電性光學元件1包括：基體2，其具有相向之兩主面；複數個構造體3，其為凸部，以目的在於降低反射的光之波長以下之微細間距而配置於一主面上；及，透明導電膜4，其形成於該等構造體3上。透明導電膜4之形狀係仿照形成有構造體3之基材2之凹凸面的形狀。而且，自降低表面電阻之觀點出發，較佳為，進而包括形成於構造體3上之金屬膜5。該導電性光學元件1具有如下放反射功能：對於沿圖2之-Z方向透過基體2的光，能防止其於構造體3與其周圍之空氣界面上產生反射。

構造體3之縱橫比(高度H/平均配置間距P)較佳為0.2以上1.78以下，更佳為0.2以上1.28以下，進而更佳為0.63以上1.28以下之範圍內。透明導電膜4之膜厚較佳為9 nm以上50 nm以下之範圍內。若構造體3之縱橫比小於0.2，透明導電膜4之膜厚超過50 nm，則構造體間之凹部會被透明導電膜4填埋，具有防反射特性及穿透特性下降之傾向。另一方面，若構造體3之縱橫比超過1.78，透明導電膜4之膜厚小於9 nm，則構造體3之斜面變得陡峭，透明導電膜4之膜厚變薄，因此具有表面電阻上升之傾向。亦即，藉由使縱橫比及膜厚滿足上述數值範圍，能獲得範圍較廣之表面電阻(例如100 Ω/□以上5000 Ω/□以下)，並且，能獲得優良之防反射特性及穿透特性。

當將構造體3之頂部的透明導電膜4之膜厚設為D1、將構造體3之傾斜面上的透明導電膜4之膜厚設為D2、將構造體間之透明導電膜4之膜厚設為D3時，較佳為滿足D1>D3>D2之關係。構造體3之傾斜面之膜厚D2較佳為9 nm以上30 nm以下之範圍內。藉由使透明導電膜4之膜厚D1、D2、D3滿足上述關係，且使透明導電膜4之膜厚D2滿足上述數值範圍，能獲得範圍較廣之表面電阻，並且，能獲得優良之防反射特性及穿透特性。

自能獲得範圍較廣之表面電阻、並且能獲得優良之防反射特性及穿透特性之觀點出發，較佳為，構造體3之頂部之膜厚D1為25 nm以上50 nm以下之範圍內，構造體3之傾斜面之膜厚D2為9 nm以上30 nm以下之範圍內，構造體間之膜厚D3為9 nm以上50 nm以下之範圍內。

當使用第1實施形態之導電性光學元件1作為數位式觸摸面板之上部電極或者下部電極之情形時，導電性光學元件1之表面電阻較佳為500 Ω/□以下之範圍內。為了滿足該表面電阻範圍、並且能獲得優良之穿透特性，較佳為，構造體3之縱橫比為0.2以上1.28以下之範圍內，透明導電膜4之膜厚為9 nm以上50 nm以下之範圍內。構造體3之高度H較佳為100 nm以上320 nm以下之範圍內。構造體3之平均配置間距P較佳為180 nm以上350 nm以下之範圍內。

當使用第1實施形態之導電性光學元件作為類比式觸摸面板之上部電極或者下部電極之情形時，導電性光學元件1之表面電阻較佳為200 Ω/□以上1000 Ω/□以下之範圍內。為了滿足該表面電阻範圍、並且獲得優良之穿透特性，較佳為，構造體3之縱橫比為0.2以上1.28以下之範圍內，透明導電膜4之膜厚為9 nm以上50 nm以下之範圍內。構造體3之高度H較佳為100 nm以上320 nm以下之範圍內。構造體3之平均配置間距P較佳為180 nm以上350 nm以下之範圍內。

當使用第1實施形態之導電性光學元件作為電容式觸摸面板之上部電極或者下部電極之情形時，導電性光學元件1之表面電阻較佳為250 Ω/□以上3000 Ω/□以下之範圍內。為了滿足該表面電阻範圍、並且獲得優良之穿透特性，較佳為，構造體3之縱橫比為0.2以上1.28以下之範圍內，透明導電膜4之膜厚為9 nm以上50 nm以下之範圍內。構造體3之高度H較佳為100 nm以上320 nm以下之範圍內。構造體3之平均配置間距P較佳為180 nm以上350 nm以下之範圍內。

透明導電膜4之表面電阻較佳為100 Ω/□以上5000 Ω/□以下之範圍。其原因在於，藉由成為如此之範圍內之表面電阻，可使用透明導電性光學元件1作為多種方式之觸摸面板的上部電極、或者下部電極。

以下，關於構成導電性光學元件1之基體2、構造體3、透明導電膜4及金屬膜5依序進行說明。

(基體)

基體2係例如具有透明性之透明基體。作為基體2之材料，可列舉例如以具有透明性之塑膠材料、玻璃等為主成分者，但並不特別限定於該等材料。

作為玻璃，可使用例如鹼石灰玻璃、鉛玻璃、硬質玻璃、石英玻璃、液晶化玻璃等(參照「化學便覽」基礎篇、P.I-537、日本化學會編)。作為塑膠材料，自透明性、折射率及分散等光學特性、進而是耐衝擊性、耐熱性及耐久性等各種特性之觀點出發，較佳為：聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯與其他(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯等乙烯基單體之共聚物等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二乙二醇雙(烯丙基碳酸酯)(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；(溴化)雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯之均聚物或共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯之胺基甲酸酯改質單體之聚合物及共聚物等熱硬化性(甲基)丙烯酸系樹脂；聚酯、特別是聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及不飽和聚酯、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚芳酯、聚醚碸、聚醚酮、環烯烴聚合物(商品名：ARTONE、ZEONOR)等。而且，亦可使用考慮到耐熱性之芳香族聚醯胺系樹脂。

當使用塑膠材料作為基體2之情形時，為了進一步改善塑膠表面之表面能量、塗佈性、滑動性、平面性等，亦可設置下塗層作為表面處理。作為該下塗層，可列舉例如有機金屬烷氧基化合物、聚酯、丙烯酸改質聚酯、聚銨基甲酸酯等。而且，為了獲得與設置下塗層之情形時相同之效果，亦可對基體2之表面進行電暈放電、UV(UltraViolet)照射處理。

當基體2為塑膠膜之情形時，基體2可由如下等方法獲得，例如，使上述樹脂延伸，或者於溶劑中稀釋後形成為膜狀且進行乾燥。而且，基體2之厚度例如為25 μm~500 μm左右。

作為基體2之形狀，可列舉例如片材狀、板狀、塊狀，但並不特別限定於該等形狀。此處，片材之定義亦包括膜。

(構造體)

基體2之表面上，排列有多個凸部即構造體3。該構造體3係以目的在於降低反射的光之波長帶以下之較短的配置間距、例如與可見光之波長同等程度的配置間距而週期性地2維配置。此處，所謂配置間距係表示平均配置間距P。目的在於降低反射的光之波長帶係，例如紫外光之波長帶、可見光之波長帶、或者紅外光之波長帶。此處，紫外光之波長帶係指10 nm~360 nm之波長帶，可見光之波長帶係指360 nm~830 nm之波長帶，紅外光之波長帶係指830 nm~1 mm之波長帶。具體而言，作為構造體3之平均配置間距，較佳為180 nm以上350 nm以下，更佳為100 nm以上320 nm以下，進而更佳為110 nm以上280 nm以下範圍內。若配置間距小於180 nm，則有構造體3之製作變得困難之傾向。另一方面，若配置間距超過350 nm，則有可見光產生繞射之傾向。

導電性光學元件1之各構造體3具有如下之配置形態：於基體2之表面形成複數行軌道T1、T2、T3......(以下均統稱為「軌道T」)。本發明中，所謂軌道，係指構造體3形成為行而連成直線狀之部分。而且，所謂行方向係指，基體2之成形面上的、與軌道之延伸方向(X方向)正交之方向。

構造體3係於鄰接之2個軌道T之間配置於錯開半個間距的位置上。具體而言，於鄰接之2個軌道T之間，在排列於一軌道(例如T1)上之構造體3的中間位置(錯開半個間距之位置)上，配置有另一軌道(例如T2)之構造體3。結果，如圖1B所示，以如下方式配置有構造體3：於鄰接之3行軌道(T1~T3)之間，形成有構造體3之中心位於a1~a7各點上的六方格子圖案或者準六方格子圖案。本實施形態中，所謂六方格子圖案係指正六邊形狀之格子圖案。而且，所謂準六方格子圖案係指，與正六邊形狀之格子圖案不同，於軌道之延伸方向(X軸方向)拉伸而歪斜的六方格子圖案。

當構造體3以形成準六方格子圖案之方式而配置之情形時，如圖1B所示，同一軌道(例如T1)內之構造體3的配置間距P1(a1~a2間之距離)較佳為，比鄰接之2個軌道(例如T1及T2)間之構造體3的配置間距、亦即相對於軌道之延伸方向呈±θ方向的構造體3之配置間距P2(例如a1~a7、a2~a7間的距離)更長。藉由如此配置構造體3，使得構造體3之填充密度進一步提高。

自成形之容易性的觀點出發，構造體3較佳為具有錐體形狀、或者使錐體形狀於軌道方向延伸或者收縮而成之錐體形狀。構造體3較佳為具有軸對稱之錐體形狀、或者使錐體形狀於軌道方向延伸或者收縮而成錐體形狀。當與鄰接之構造體3相接合之情形時，構造體3較佳為，具有除與鄰接之構造體3相接合之下部以外呈軸對稱之錐體形狀、或者使錐體形狀於軌道方向延伸或者收縮之錐體形狀。作為錐體形狀，可列舉例如圓錐形狀、圓錐梯形狀、橢圓錐形狀、橢圓錐梯形狀等。此處，所謂錐體形狀之概念係，如上所述，除圓錐形狀及圓錐梯形狀以外，亦包括橢圓錐形狀、橢圓錐梯形狀。而且，所謂圓錐梯形狀係指切除圓錐形狀之頂部後所成之形狀，所謂橢圓錐梯形狀係指切除橢圓錐之頂部後所成之形狀。

構造體3較佳為，具有軌道之延伸方向之寬度大於與其之延伸方向正交的行方向之寬度之底面的錐體形狀。具體而言，如圖2及圖4所示，構造體3較佳為，底面具有長軸與短軸之橢圓形、長圓形或者蛋形之錐體構造，且為頂部為曲面之橢圓錐形狀。而且，如圖5所示，較佳為，底面具有長軸與短軸之橢圓形、長圓形或者蛋形之錐體構造，且為頂部平坦之橢圓錐梯形狀。其原因在於，若成為如此之形狀，則能提高行方向之填充率。

自提高反射特性之觀點出發，較佳為，頂部之斜度較平緩而自中央部至底部之斜度逐漸陡峭的錐體形狀(參照圖4)。而且，自提高反射特性及穿透特性之觀點出發，較佳為，中央部之斜度比底部及頂部更陡峭之錐形形狀(參照圖2)，或者頂部平坦之錐體形狀(參照圖5)。當構造體3具有橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之情形時，較佳為，其底面之長軸方向與軌道之延伸方向平行。圖2等中，各構造體3分別具有相同之形狀，但構造體3之形狀並不限定於此，亦可於基體表面上形成2種以上之形狀的構造體3。而且，構造體3亦可與基體2形成為一體。

而且，如圖2、圖4~圖6所示，較佳為，於構造體3之周圍之一部分或者全部設置突出部6。其原因在於，藉此，即便於構造體3之填充率較低之情形時，亦能將反射率抑制為較低。具體而言，例如，如圖2、圖4、及圖5所示，突出部6設置於相鄰之構造體3之間。而且，如圖6所示，細長之突出部6亦可設置於構造體3之周圍之全部或者其一部分。該細長之突出部6係例如自構造體3之頂部向下部之方向延伸。作為突出部6之形狀，可列舉剖面三角形狀及剖面四邊形狀等，但並不限定於該等形狀，可考慮到成形之容易性等進行選擇。而且，亦可使構造體3之周圍之一部分或者全部之表面變得粗糙，而形成微細之凹凸。具體而言，亦可例如使相鄰之構造體3之間的表面變得粗糙，形成微細之凹凸。而且，亦可於構造體3之表面、例如頂部形成微小的孔。

軌道之延伸方向上的構造體3之高度H1較佳為小於行方向上的構造體3之高度H2。亦即，較佳為，構造體3之高度H1、H2滿足H1<H2之關係。其原因在於，若以滿足H1≧H2之關係之方式排列構造體3，則需要使軌道之延伸方向的配置間距P1變長，故而軌道之延伸方向上的構造體3之填充率下降。若填充率如此下降，則會導致反射特性下降。

再者，構造體3之縱橫比未必要全部相同，亦可構成為各構造體3具有一定之高度分佈(例如縱橫比0.2~1.78程度之範圍)。藉由設置具有高度分佈之構造體3，能降低反射特性之波長依存性。因此，能實現具有優良之防反射特性之導電性光學元件1。

此處，所謂高度分佈係表示，具有2種以上之高度(深度)的構造體3設置於基體2之表面。亦即表示，具有作為基準之高度的構造體3、及具有與構造體3不同之高度的構造體3設置於基體2之表面。具有與基準不同之高度的構造體3係例如週期性或者非週期性(無規)地設置於基體2之表面。作為該週期性之方向，可列舉例如軌道之延伸方向、行方向等。

較佳為，於構造體3之周緣部設置下擺部3a。其原因在於，在導電性光學元件之製造步驟中能自模具等容易地剝離構造體3。此處，所謂下擺部3a係表示，設置於構造體3底部之周緣部的突出部。自上述剝離特性之觀點出發，該下擺部3a較佳為，具有高度自構造體3之頂部向下部之方向緩慢下降之曲面。再者，下擺部3a亦可僅設置於構造體3之周緣部之一部分，但自提高上述剝離特性之觀點出發，較佳為設置於構造體3之整個周緣部。而且，當構造體3為凹部之情形時，下擺部成為設置於構造體3即凹部之開口周緣的曲面。

構造體3之高度(深度)較佳為70 nm以上320 nm以下，更佳為110 nm以上280 nm以下之範圍。若構造體3之高度小於70 nm，則有反射率增加之傾向。若構造體3之高度超過320 nm，則有難以實現規定之電阻的傾向。

再者，本發明中，縱橫比係由以下之式(1)定義。

縱橫比=H/P......(1)

其中，H：構造體之高度，P：平均配置間距(平均週期)

此處，平均配置間距P係由以下之式(2)定義。

平均配置間距P=(P1+P2+P2)/3......(2)

其中，P1：軌道之延伸方向之配置間距(軌道延伸方向週期)，P2：相對於軌道之延伸方向呈±θ方向(其中，θ=60°-5，此處，5較佳為0°<5≦11°，更佳為3°≦δ≦6°)之配置間距(θ方向週期)

當以形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案之方式而配置構造體3之情形時，構造體3之高度H係作為構造體3之行方向之高度。構造體3之軌道延伸方向(X方向)之高度小於行方向(Y方向)之高度，而且，構造體3之軌道延伸方向以外的部分之高度係與行方向之高度大致相同，因此，由行方向之高度代表副波長構造體之高度。其中，當構造體3為凹部之情形時，上述式(1)中的構造體之高度H作為構造體之深度H。

當將同一軌道內的構造體3之配置間距設為P1、將鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距設為P2時，比率P1/P2較佳為滿足1.00≦P1/P2≦1.2、或者1.00<P1/P2≦1.2之關係，更佳為滿足1.00≦P1/P2≦1.1、或者1.00<P1/P2≦1.1之關係。藉由處於如此之數值範圍，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3的填充率，故而，能提高防反射特性。

作為基體表面上之構造體3之填充率，當以100%作為上限時，為65%以上，較佳為73%以上，更佳為86%以上之範圍內。藉由使填充率處於如此之範圍，能提高防反射特性。為了提高填充率，較佳為，使鄰接之構造體3之下部彼此接合，或者對構造體底面之橢圓率進行調整等處理而使構造體3歪斜。

此處，構造體3之填充率(平均填充率)係藉由以下方式而求得之值。

首先，對於導電性光學元件1之表面，使用掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)以Top View(俯視)進行拍攝。繼而，自所拍攝之SEM照片中任意地選出單位格子Uc，對該單位格子Uc之配置間距P1及軌道間距Tp進行測定(參照圖1B)。而且，利用圖像處理，對位於該單位格子Uc中央的構造體3之底面之面積S進行測定。繼而，使用測定出之配置間距P1、軌道間距Tp及底面之面積S，根據以下之式(3)求出填充率。

填充率=(S(hex.)/S(unit))×100......(3)

單位格子面積：S(unit)=P1×2Tp

存在於單位格子內之構造體的底面之面積：S(hex.)=2S

對於自所拍攝之SEM照片中任意選出的10個部位之單位格子，進行上述之填充率計算之處理。然後，對測定值單純地進行平均(算術平均)計算而求出填充率之平均率，將其作為基體表面上之構造體3之填充率。

關於構造體3重疊時、或構造體3之間存在突出部6等副構造體時的填充率，可利用將與構造體3之高度的5%之高度對應的部分作為閾值而判斷面積比之方法求出填充率。

圖7係用於對構造體3之邊界不明確時之填充率的計算方法進行說明的圖。當構造體3之邊界不明確之情形時，藉由剖面SEM觀察，如圖7所示，將相當於構造體3之高度h之5%(=(d/h)×100)的部分作為閾值，以該高度d對構造體3之徑進行換算而求出填充率。當構造體3之底面為橢圓之情形時，對長軸及短軸進行相同之處理。

圖8係表示使構造體3之底面之橢圓率變化時的底面形狀之圖。圖8A~圖8D所示之橢圓的橢圓率分別為100%、110%、120%、141%。藉由使橢圓率如此地變化，能使基體表面上之構造體3的填充率變化。當構造體3形成為準六方格子圖案之情形時，構造體底面之橢圓率e較佳為100%<e<150%以下。藉由處於如此之範圍，能提高構造體3之填充率，且能獲得優良之防反射特性。

此處，當將構造體底面之軌道方向(X方向)之徑設為a、將與其等正交之行方向(Y方向)之徑設為b時，橢圓率e定義為(a/b)×100。再者，構造體3之徑a、b係如以下方式而求出之值。對於導電性光學元件1之表面，使用掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)以Top View進行拍攝，自所拍攝之SEM照片中任意地抽取10個構造體3。繼而，對所抽取之構造體3各自之底面的徑a、b進行測定。而且，對測定值a、b分別單純地進行平均(算術平均)計算而求出徑a、b之平均值，將其作為構造體3之徑a、b。

圖9A係表示具有圓錐形狀或者圓錐梯形狀之構造體3的配置之一例。圖9B係表示具有橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之構造體3的配置之一例。如圖9A及圖9B所示，構造體3較佳為，其下部彼此重疊而接合。具體而言，較佳為，構造體3之下部與具有鄰接關係的一部分或者全部構造體3之下部相接合。進一步具體而言，較佳為，於軌道方向上，在θ方向、或者該等兩方向，使構造體3之下部彼此相接合。進一步具體而言，較佳為，於軌道方向上，在θ方向、或者該等兩方向，使構造體3之下部彼此相接合。圖9A、圖9B中，表示使具有鄰接關係之構造體3的全部下部相接合之示例。藉由如此使構造體3相接合，能提高構造體3之填充率。較佳為，構造體彼此係根據考慮到折射率之光程長度且以使用環境下之光之波長帶的最大值的1/4以下之部分相接合。藉此，能獲得優良之防反射特性。

如圖9B所示，同一軌道內的鄰接之構造體3之下部彼此重疊而形成第1接合部a，並且，鄰接之軌道間的鄰接之構造體3之下部彼此重疊而形成第2接合部2。於第1接合部a與第2接合部b之交點上，形成交點部c。交點部c之位置係例如低於第1接合部a及第2接合部b之位置。當使具有橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之構造體3的下部彼此相接合之情形時，例如，其等之高度按照接合部a、接合部b、交點部c之順序變低。

徑2r與配置間距P1之比率((2r/P1)×100)為85%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上。其原因在於，藉由處於如此之範圍，能提高構造體3之填充率，且能提高防反射特性。若比率((2r/P1)×100)增大，構造體3之重疊程度過大，則有防反射特性降低之傾向。因此，較佳為，以如下方式設定比率((2r/P1)×100)之上限值，即，根據考慮到折射率之光程長度且以使用環境下的光之波長帶之最大值的1/4以下之部分使構造體彼此相接合。此處，配置間距P1係構造體3之軌道方向之配置間距，徑2r係構造體底面之軌道方向之徑。再者，當構造體底面為圓形之情形時，徑2r成為直徑；當構造體底面為橢圓形之情形時，徑2r成為長徑。

(透明導電膜)

作為構成透明導電膜4之材料，可列舉例如銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、AZO(Al₂ O₃ 、ZnO)、SZO、FTO、SnO₂ 、GZO、IZO(In₂ O₃ 、ZnO)等，但自可靠性之高度及電阻率之高低等觀點出發，較佳為ITO。透明導電膜4係仿照構造體3之表面形狀而形成，以免阻礙構造體3之防反射效果，且構造體3與透明導電膜4之表面形狀較佳為大致相似之形狀。其原因在於，能抑制因透明導電膜4之形成而產生的折射率分佈之變化，且能維持優良之防反射特性及/或穿透特性。作為構成透明導電膜4之材料，較佳為非晶與多晶之混合狀態。其原因在於，當降低構造體3之高度之情形時，亦能以不會阻礙構造體3之防反射效果的膜厚而形成透明導電膜4。亦即，其原因在於，透明導電膜4之形狀能維持為仿照構造體3之形狀。

透明導電膜4之膜厚較佳為9 nm以上50 nm以下之範圍內。本說明書中，透明導電膜4之膜厚係構造體3之頂部之透明導電膜厚4的平均膜厚。具體而言，透明導電膜4之膜厚係以如下方式求出者。首先，包括構造體3之頂部在內而將導電性光學元件1切斷，對其剖面利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)進行拍攝，自所拍攝之TEM照片中，對構造體3的頂部之透明導電膜4之膜厚進行測定。於自導電性光學元件1中任意選出之10個部位反覆進行該等測定，對測定值單純地進行平均(算術平均)計算而求出平均膜厚，將該平均膜厚作為透明導電膜4之膜厚。

(金屬膜)

較佳為，進而包括形成於構造體3上之金屬膜5。其原因在於，能降低電阻率，且能使透明導電膜4變薄、或者當僅透明導電膜4上之導電率未達到充分的值之情形時能補償導電率。金屬膜5可形成於例如構造體3與透明導電膜4之間的界面、透明導電膜4之表面、及該等兩者上。而且，亦可採用經由金屬膜4而積層透明導電膜4之積層構造。金屬膜5之膜厚並無特別限定，但可選擇例如數nm程度。金屬膜5之導電率較高，故而，以數nm之膜厚能獲得充分之表面電阻。而且，若為數nm程度，則金屬膜5之吸收或反射等光學影響幾乎不存在。作為構成金屬膜5之材料，較佳為使用導電性較高之金屬系之材料。作為如此之材料，可列舉例如包含Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt、Nb之群組中之至少一種。該等材料中，若考慮到導電性之高度及使用實效等，較佳為Ag。當僅由金屬膜5便能確保表面電阻但極其薄之情形時，金屬膜5成為島狀之構造，故難以確保導通性。此時，就使島上之金屬膜5電性連接方面而言，重要的是形成金屬膜5之上層之透明導電膜4。作為積層於構造體上之透明導電膜4、及金屬膜5之具體例，可列舉例如ITO膜/Ag膜、ITO膜/Ag膜/ITO膜。

[輥式主盤之構成]

圖10係表示用於製作具有上述構成之導電性光學元件的輥式主盤之構成之一例。如圖10所示，輥式主盤11具有如下構成，例如，於原盤12之表面上，多個凹部即構造體13以與可見光等光之波長同等程度之間距而配置。原盤12具有圓柱狀或者圓筒狀之形狀。作為原盤12之材料，可使用例如玻璃，但並不特別限定於該材料。使用下文所述之輥式原盤曝光裝置，使2維圖案於空間上相連，使每1軌道上之極性反轉格式器信號與記錄裝置之旋轉控制器同步而產生信號，利用CAV(Constant Angular Velocity，恆定角速度)以適當之傳送間距進行圖案化。藉此，能記錄六方格子圖案或者準六方格子圖案。藉由適當地設定極性反轉格式器信號之頻率與輥之轉速，形成於預期之記錄區域內空間頻率相同之格子圖案。

[導電性光學元件之製造方法]

繼而，參照圖11~圖14，對以上述方式構成之導電性光學元件1之製造方法進行說明。

第1實施形態之導電性光學元件之製造方法包括如下步驟：光阻劑成膜步驟，其係於原盤上形成光阻層；曝光步驟，其係使用輥式原盤曝光裝置於光阻劑膜上形成蛾眼圖案之潛像；及顯影步驟，其係使形成有潛像之光阻層顯影。進而，包括如下步驟：蝕刻步驟，其係使用電漿蝕刻而製作輥式主盤；複製步驟，其係藉由紫外線硬化樹脂而製作複製基板；及成膜步驟，其係於複製基板上形成透明導電膜。

(曝光裝置之構成)

首先，參照圖11，對蛾眼圖案之曝光步驟中使用的輥式原盤曝光裝置之構成進行說明。該輥式原盤曝光裝置係以光碟記錄裝置為基礎而構成。

雷射光源21係用於對作為記錄媒體之原盤12之表面上所附著的光阻劑進行曝光的光源，例如為振盪波長λ=266 nm之記錄用雷射光15者。自雷射光源21射出之雷射光15係以平行光束直行，且入射至電光元件(EOM：Electro Optical Modulator)22。穿過電光元件22之雷射光15受到反射鏡23之反射，而被導入至調變光學系統25。

反射鏡23係由偏振分光鏡構成，且具有將一部分偏光成分反射而使另一部分偏光成分透過之功能。穿過反射鏡23之偏光成分由光二極體24接受，且基於該受光信號而控制電光元件22且進行雷射光15之相位調變。

於調變光學系統25中，雷射光15藉由聚光透鏡26而彙聚至包含玻璃(SiO₂ )等之聲光元件(AOM：Acoust-Optic Modulator)27。雷射光15藉由聲光元件27進行強度調變而發散之後，藉由透鏡28而使光束平行化。自調變光學系統25射出之雷射光15藉由反射鏡31而反射，從而被水平且平行地導入至移動光學台32上。

移動光學台32包括擴束器33及物鏡34。被導入至移動光學台32之雷射光15藉由擴束器33而整形為預期之光束形狀之後，經由物鏡34而照射至原盤12上的光阻層。原盤12係載置於與主軸馬達35連接的轉盤36之上。而且，一方面使原盤12旋轉，並且使雷射光15於原盤12之高度方向移動，另一方面間歇性地向光阻層照射雷射光15，藉此實施光阻層之曝光步驟。所形成之潛像係成為於圓周方向具有長軸之大致橢圓形。雷射光15之移動係藉由移動光學台32向箭頭R方向的移動而進行。

曝光裝置包括控制機構37，該控制機構37係用於將與圖1B所示之六方格子或者準六方格子之2維圖案對應的潛像形成於光阻層上。控制機構37包括格式器29及驅動器30。格式器29具有極性反轉部，該極性反轉部控制雷射光15對光阻層之照射時序。驅動器30收到極性反轉部之輸出且控制聲光元件27。

該輥式原盤曝光裝置中，以2維圖案於空間上相連之方式，使每1軌道上之極性反轉格式器信號與記錄裝置之旋轉控制器同步且產生信號，藉由聲光元件27進行強度調變。以恆定角速度(CAV)、且以適當之轉速、適當之調變頻率及適當之傳送間距進行圖案化，藉此，能記錄六方格子或者準六方格子圖案。例如，如圖10B所示，當將圓周方向之週期設為315 nm、將相對於圓周方向約呈60度方向(約-60度方向)之週期設為300 nm時，將傳送間距設為251 nm即可(畢達哥拉士定理)。極性反轉格式器信號之頻率係根據輥之轉速(例如1800 rpm、900 rpm、450 rpm、225 rpm)而變化。例如，與輥之轉速1800 rpm、900 rpm、450 rpm、225 rpm分別相應之極性反轉格式器信號的頻率成為37.70 MHz、18.85 MHz、9.34 MHz、4.71 MHz。預期之記錄區域內空間頻率(圓周315 nm週期、圓周方向約60度方向(約-60度方向)300 nm週期)相同之準六方格子圖案可藉由如下方式獲得：藉由移動光學台32上之擴束器(BEX，Beam Expander)33而使遠紫外線雷射光之光束徑擴大至5倍，且使其經由數值孔徑(NA)為0.9之物鏡34照射至原盤12上的光阻層，從而形成微細之潛像。

(光阻劑成膜步驟)

首先，如圖12A所示，準備圓柱狀之原盤12。該原盤12係例如玻璃原盤。繼而，如圖12B所示，於原盤12之表面上形成光阻層14。作為光阻層14之材料，亦可使用例如有機系光阻劑、及無機系光阻劑中之任一種。作為有機系光阻劑，可使用例如酚醛清漆系光阻劑或化學放大型光阻劑。而且，作為無機系光阻劑，可使用例如包含鎢或鉬等1種或者2種以上過渡金屬之金屬氧化物。

(曝光步驟)

繼而，如圖12C所示，使用上述輥式原盤曝光裝置，使原盤12旋轉，並且將雷射光(曝光光束)15照射至光阻層14。此時，一方面使雷射光15於原盤12之高度方向(與圓柱狀或者圓筒狀之原盤12之中心軸平行的方向)移動，一方面藉由間歇性地照射雷射光15而對整個光阻層14進行曝光。藉此，與雷射光15之軌跡相應之潛像16以與可見光波長同等程度之間距而形成於整個光阻層14。

潛像16係例如以形成為複數行軌道之方式而配置於原盤表面，並且形成六方格子圖案或者準六方格子圖案。潛像16係例如於軌道之延伸方向具有長軸方向之橢圓形狀。

(顯影步驟)

繼而，一方面使原盤12旋轉，一方面使顯影液滴下至光阻層14上，且如圖13A所示對光阻層14進行顯影處理。如圖所示，當光阻層14藉由正型光阻劑形成之情形時，由雷射光15曝光之曝光部與非曝光部相比，對於顯影液之溶解速度提高，因此，可於光阻層14上形成與潛像(曝光部)16相應之圖案。

(蝕刻步驟)

繼而，將形成於原盤12之上的光阻層14之圖案(光阻劑圖案)作為光罩，對原盤12之表面進行蝕刻處理。藉此，如圖13B所示，可獲得於軌道之延伸方向上具有長軸方向之橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之凹部、亦即構造體13。蝕刻方法係藉由例如乾式蝕刻進行。此時，藉由交替進行蝕刻處理與灰化處理，能形成例如錐體狀之構造體13之圖案。而且，能製作光阻層14之3倍以上之深度(選擇比為3以上)的玻璃主盤，可實現構造體3之高縱橫比化。作為乾式蝕刻，較佳為使用有輥蝕刻裝置之電漿蝕刻。輥蝕刻裝置係具有圓柱狀之電極之電漿蝕刻裝置，其構成為：將圓柱狀之電極插入至筒狀之原盤12之空洞內，對原盤12之柱面實施電漿蝕刻。

藉由以上處理，可獲得例如具有深度為120 nm左右~350 nm左右之凹形狀之六方格子圖案或者準六方格子圖案的輥式主盤11。

(複製步驟)

繼而，例如，使輥式主盤11與塗佈有轉印材料之片材等基體2密接，且一方面照射紫外線使其硬化一方面進行剝離。藉此，如圖13C所示，凸部即複數個構造體形成於基體2之一主面，從而製作蛾眼紫外線硬化複製片材等導電性光學元件1。

作為轉印材料，例如包含紫外線硬化材料及起始劑，根據需要亦包含填充料或功能性添加劑等。

紫外線硬化材料包括例如單官能單體、二官能單體、多官能單體等，具體而言，係包含以下所示之材料中之一種、或者混合有其中之多種。

作為單官能單體，可列舉例如：羧酸類(丙烯酸)、羥基類(丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸-4-羥基丁酯)、烷基、脂環類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酯、丙烯酸異酯、丙烯酸環己酯)、其他功能性單體(丙烯酸-2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸-2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸-N,N-二甲基銨基乙酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯銨、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯基啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯銨、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸-2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸-3-全氟己基-2-羥基丙酯、丙烯酸-3-全氟辛基-2-羥基丙酯、丙烯酸-2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸-2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯)、2,4,6-三溴苯酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、丙烯酸-2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙酯)、丙烯酸-2-乙基己酯等。

作為二官能單體，可列舉例如：三丙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙醚、丙烯酸胺基甲酸酯等。

作為多官能單體，可列舉例如：三羥甲基丙烷基三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四醇六丙烯酸酯、二(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯等。

作為起始劑，可列舉例如：2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羥基-環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。

作為填充料，可使用例如無機微粒子及有機微粒子中之任一種。作為無機微粒子，可列舉例如SiO₂ 、TiO₂ 、ZrO₂ 、SnO₂ 、Al₂ O₃ 等金屬氧化物微粒子。

作為功能性添加劑，可列舉例如：均化劑、表面調整劑、消泡劑等。作為基體2之材料，可列舉例如：甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纖維素二乙酸酯、纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚醚酮、聚胺基甲酸酯、玻璃等。

基體2之成形方法並無特別限定，可為射出成形體、擠出成形體、澆鑄成形體。根據需要，亦可對基體表面實施電暈處理等表面處理。

(金屬膜成膜步驟)

繼而，如圖14A所示，根據需要，於形成有構造體3之基體2之凹凸面上，形成金屬膜5。作為金屬膜5之成膜方法，可使用例如熱CVD、電漿CVD、光CVD等CVD法(Chemical Vapor Deposition(化學蒸鍍法)：利用化學反應自氣相析出薄膜之技術)，除此之外，亦可使用真空蒸鍍、電漿援用蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等PVD法(Physical Vapor Deposition(物理蒸鍍法)：於真空中將物理性氣化之材料凝集於基板上而形成薄膜之技術)。

(透明導電膜之成膜步驟)

繼而，如圖14B所示，於形成有構造體3之基體2之凹凸面上，形成透明導電膜4。作為透明導電膜4之成膜方法，可使用例如與上述之金屬膜之成膜方法相同的方法。繼而，根據需要，對透明導電膜4實施退火處理。藉此，透明導電膜4成為非晶與多晶之混合狀態。

藉由以上處理，可獲得所需之導電性光學元件1。

根據第1實施形態，於形成有構造體3之基體2之凹凸面上形成膜厚為9 nm以上50 nm以下的透明導電膜4，因此可獲得範圍較廣之表面電阻。而且，使構造體4之縱橫比處於0.63以上1.28以下之範圍內，使透明導電膜4之表面形狀仿照構造體3之形狀，故而能獲得優良之穿透特性。

較佳為，以如下方式將多個構造體3配置於基體2上，即，以形成為複數行軌道之方式配置於基體2之表面，並且形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案。藉此，能提供高穿透率、且反射光低、映入較少之導電性光學元件1。藉由將複數個構造體3形成於表面而實現防反射功能，因此，波長依存性較小。因係光學膜類型之透明導電膜，故角度依存性較小。藉由不使用多層光學膜，而利用奈米印刷技術且採用高處理量之膜構成，能實現優良之量產性、及低成本。

關於同一軌道內的構造體3之配置間距P1，較佳為，比鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距P2更長。藉此，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3之填充率，故而能提高防反射特性。

當各構造體3於基體表面形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案之情形時，當將同一軌道內的構造體3之配置間距設為P1、將鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距設為P2時，比率P1/P2較佳為滿足1.00≦P1/P2≦1.2、或者1.00<P1/P2≦1.2之關係，更佳為滿足1.00≦P1/P2≦1.1、或者1.00<P1/P2≦1.1之關係。藉由處於如此之數值範圍，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3之填充率，因此，能提高防反射特性。

當各構造體3於基體表面上形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案之情形時，各構造體3較佳為，於軌道之延伸方向具有長軸方向、中央部之斜度形成為比前端部及底部之斜度更陡峭的橢圓錐或者橢圓錐梯形狀。藉由成為如此之形狀，能提高防反射特性及穿透特性。

當各構造體3於基體表面上形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案之情形時，軌道之延伸方向上的構造體3之高度或者深度較佳為，小於軌道之行方向上的構造體3之高度或者深度。當不滿足如此之關係之情形時，需要增長軌道之延伸方向之配置間距，因此，軌道之延伸方向上的構造體之填充率下降。若填充率如此下降，則會導致反射特性下降。

當構造體3於基體表面上形成四方格子圖案或者準四方格子圖案之情形時，同一軌道內的構造體3之配置間距P1較佳為，比鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距P2更長。藉此，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3之填充率，故而能提高防反射特性。

當構造體3於基體表面上形成四方格子圖案或者準四方格子圖案之情形時，當將同一軌道內的構造體3之配置間距設為P1、將鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距設為P2時，比率P1/P2較佳為，滿足1.4<P1/P2≦1.5之關係。藉由處於如此之數值範圍，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3之填充率，故而能提高防反射特性。

當構造體3於基體表面上形成四方格子圖案或者準四方格子圖案之情形時，各構造體3較佳為，於軌道之延伸方向具有長軸方向、中央部之斜度形成為比前端部及底部之斜度更陡峭的橢圓錐或者橢圓錐梯形狀。藉由成為如此之形狀，能提高防反射特性及穿透特性。

當構造體3於基體表面上形成四方格子圖案或者準四方格子圖案之情形時，相對於軌道呈45度方向或者約45度方向上的構造體3之高度或者深度較佳為，小於軌道之行方向上的構造體3之高度或者深度。當不滿足如此之關係之情形時，必須增長相對於軌道呈45度方向或者約45度方向上的配置間距，故而，相對於軌道呈45度方向或者約45度方向上的構造體3之填充率下降。若填充率如此下降，則會導致反射特性下降。

較佳為，以微細間距配置於基體表面上之多個構造體3形成為複數行軌道，並且，於鄰接之3行軌道間，形成六方格子圖案、準六方格子圖案、四方格子圖案或者準四方格子圖案。藉由形成如此之圖案，能提高表面上之構造體3之填充密度，藉此，能提高可見光等之防反射効率，從而能獲得防反射特性優良且穿透率極其高的導電性光學元件。

較佳為，使用融合有光碟之原盤製作製程及蝕刻製程的方法製作導電性光學元件1。能以短時間高效地製造光學元件製作用原盤，並且，亦能對應基體2之大型化，藉此，能提高導電性光學元件1之生產性。

<2.第2實施形態> [導電性光學元件之構成]

圖15A係表示本發明之第2實施形態之導電性光學元件的構成之一例的概略平面圖。圖15B係將圖15A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖15C係圖15B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖15D係圖15B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖15E係表示與圖15B之軌道T1、T3、......對應之潛像形成時所使用的雷射光之調變波形之概略線圖。圖15F係表示與圖15B之軌道T2、T4、......對應之潛像形成時所使用的雷射光之調變波形之概略線圖。

第2實施形態之導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：各構造體3於鄰接之3行軌道間形成為四方格子圖案或者準四方格子圖案。本實施形態中，所謂準四方格子圖案係表示，與正四方格子圖案不同，於軌道之延伸方向(X方向)拉伸而歪斜之四方格子圖案。

構造體3之高度或者深度並無特別限定，例如為100 nm~280 nm之程度。相對於軌道呈(約)45度方向之間距P2例如為200 nm~300 nm之程度。構造體3之縱橫比(高度/配置間距)例如為0.54~1.13之程度。進而，各構造體3之縱橫比未必要全部相同，亦可構成為各構造體3具有一定之高度分佈。

同一軌道內的構造體3之配置間距P1較佳為，比鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距P2更長。而且，當將同一軌道內的構造體3之配置間距設為P1、將鄰接之2個軌道間的構造體3之配置間距設為P2時，較佳為，P1/P2滿足1.4<P1/P2≦1.5之關係。藉由處於如此之數值範圍，能提高具有橢圓錐或者橢圓錐梯形狀之構造體3之填充率，故而，能提高防反射特性。而且，相對於軌道呈45度方向或者約45度方向的構造體3之高度或者深度較佳為，小於軌道之延伸方向上的構造體3之高度或者深度。

傾斜於軌道之延伸方向的構造體3之排列方向(θ方向)之高度H2較佳為，小於軌道之延伸方向上的構造體3之高度H1。亦即，較佳為，構造體3之高度H1、H2滿足H1>H2之關係。當以形成為四方格子圖案、或者準四方格子圖案之方式配置構造體3之情形時，構造體3之高度H作為構造體3之延伸方向(軌道方向)之高度。

圖16係表示當使構造體3之底面之橢圓率變化時的底面形狀之圖。橢圓3₁ 、3₂ 、3₃ 之橢圓率分別為100%、163.3%、141%。藉由使橢圓率如此變化，能使基體表面上的構造體3之填充率變化。當構造體3形成為四方格子或者準四方格子圖案之情形時，構造體底面之橢圓率e較佳為150%≦e≦180%。其原因在於，藉由處於該範圍，能提高構造體3之填充率，且能獲得優良之防反射特性。

關於基體表面上之構造體3之填充率，當以100%作為上限時，為65%以上，較佳為73%以上，更佳為86%以上之範圍內。藉由使填充率處於如此之範圍，能提高防反射特性。

此處，構造體3之填充率(平均填充率)係以如下方式求出之值。

首先，對於導電性光學元件1之表面使用掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)以Top View進行拍攝。繼而，自所拍攝之SEM照片中任意地選出單位格子Uc，對該單位格子Uc之配置間距P1及軌道間距Tp進行測定(參照圖15B)。而且，藉由圖像處理，對該單位格子Uc中所包含之4個構造體3中的任一者之底面之面積S進行測定。繼而，使用測定出之配置間距P1、軌道間距Tp及底面之面積S，根據以下式(4)求出填充率。

填充率=(S(tetra)/S(unit))×100......(2)

單位格子面積：S(unit)=2×((P1×Tp)×(1/2))=P1×Tp

存在於單位格子內之構造體之底面之面積：S(tetra)=S對於自所拍攝之SEM照片中任意選出的10個部位之單位格子，進行上述之填充率計算處理。並且，對測定值單純地進行平均(算術平均)計算而求出填充率之平均率，且將其作為基體表面上之構造體3之填充率。

徑2r與配置間距P1之比率((2r/P1)×100)為64%以上，較佳為69%以上，更佳為73%以上。其原因在於，藉由處於如此之範圍，能提高構造體3之填充率，且能提高防反射特性。此處，配置間距P1係構造體3之軌道方向之配置間距，徑2r係構造體底面之軌道方向之徑。再者，當構造體底面為圓形之情形時，徑2r成為直徑；當構造體底面為橢圓形之情形時，徑2r成為長徑。

[輥式主盤之構成]

圖17表示用於製作具有上述構成之導電性光學元件的輥式主盤之構成之一例。該輥式主盤與第1實施形態之不同之處在於：於其表面上，凹狀之構造體13係形成為四方格子圖案或者準四方格子圖案。

使用輥式原盤曝光裝置，使2維圖案於空間上相連，使每1軌道上之極性反轉格式器信號與記錄裝置之旋轉控制器同步且產生信號，以CAV且以適當之傳送間距進行圖案化。藉此，能記錄四方格子圖案、或者準六方格子圖案。較佳為，藉由適當地設定極性反轉格式器信號之頻率及輥之轉速，且利用雷射光之照射而將預期之記錄區域內空間頻率相同的格子圖案形成於原盤12上之光阻劑上。

<3.第3實施形態> [導電性光學元件之構成]

圖18A係表示本發明之第3實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖18B係將圖18A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖18C係圖18B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖18D係圖18B之軌道T2、T4、......之剖面圖。

第3實施形態之導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：軌道T具有圓弧狀之形狀，構造體3配置成圓弧狀。如圖18B所示，以如下方式配置構造體3：於鄰接之3行軌道(T1~T3)間，形成構造體3之中心位於a1~a7各點上的準六方格子圖案。此處，所謂準六方格子圖案係表示，與正六方格子圖案不同，沿軌道T之圓弧狀歪斜之六方格子圖案。或者係表示，與正六方格子圖案不同，沿軌道T之圓弧狀歪斜，並且，於軌道之延伸方向(X軸方向)拉伸而歪斜的六方格子圖案。

上述以外之導電性光學元件1之構成係與第1實施形態相同，故省略說明。

[碟狀主盤之構成]

圖19A、圖19B係表示用於製作具有上述構成之導電性光學元件的碟狀主盤之構成之一例。如圖19A、圖19B所示，碟狀主盤41具有如下構成：於圓盤狀之原盤42之表面上，排列有多個凹部即構造體43。該構造體13係以導電性光學元件1之使用環境下的光之波長帶以下、例如與可見光之波長同等程度之間距，週期性地2維排列。構造體43係例如配置於同心圓狀或者螺旋狀之軌道上。

上述以外之碟狀主盤41之構成係與第1實施形態中之輥式主盤11相同，故省略說明。

[導電性光學元件之製造方法]

首先，參照圖20，對用於製作具有上述構成之碟狀主盤41的曝光裝置進行說明。

移動光學台32包括擴束器33、反射鏡38及物鏡34。被導入至移動光學台32之雷射光15藉由擴束器33整形為預期之光束形狀之後，經由反射鏡38及物鏡34，照射至圓盤狀之原盤42上的光阻層。原盤42係載置於與主軸馬達35連接之轉盤(省略圖式)之上。並且，一方面使原盤42旋轉、並且使雷射光15於原盤42之旋轉半徑方向移動，一方面向原盤42上之光阻層間歇性地照射雷射光，藉此，實施光阻層之曝光步驟。所形成之潛像成為圓周方向上具有長軸之大致橢圓形。雷射光15之移動係藉由移動光學台32向箭頭R方向之移動而進行。

於圖20所示之曝光裝置中，具有控制機構37，該控制機構37係用於針對光阻層形成包含圖18B所示之六方格子或者準六方格子之2維圖案的潛像。控制機構37具有格式器29及驅動器30。格式器29具有極性反轉部，該極性反轉部控制雷射光15對光阻層之照射時序。驅動器30接受極性反轉部之輸出，且控制聲光元件27。

控制機構37係以潛像之2維圖案於空間上相連之方式，對於每1軌道，使AOM27之雷射光15之強度調變、主軸馬達35之驅動旋轉速度、及移動光學台32之移動速度分別同步。原盤42係以恆定角速度(CAV)而受到旋轉控制。並且，以由主軸馬達35所致的原盤42之適當之轉速、由AOM27所致的雷射強度之適當之頻率調變、及由移動光學台32所致的雷射光15之適當之傳送間距而進行圖案化。藉此，對於光阻層形成六方格子圖案、或者準六方格子圖案之潛像。

進而，使極性反轉部之控制信號逐漸變化，以使空間頻率(係潛像之圖案密度，P1：330、P2：300 nm，或者P1：315 nm、P2：275 nm，或者P1：300 nm、P2：265 nm)變得相同。進一步具體而言，由控制機構37進行雷射光15之頻率調變，以使一方面針對每1軌道使雷射光15對於光阻層之照射週期變化、一方面進行曝光，並且，使各軌道T上之P1大致成為330 nm(或者315 nm、300 nm)。亦即，以隨著軌道位置遠離圓盤狀之原盤42之中心而雷射光之照射週期變短之方式，進行調變控制。藉此，整個基板上能形成空間頻率相同之奈米圖案。

以下，對於本發明之第3實施形態之導電性光學元件之製造方法的一例進行說明。

首先，使用具有上述構成之曝光裝置對於圓盤狀之原盤上所形成的光阻層進行曝光，除此以外，以與第1實施形態相同之方式製作碟狀主盤41。繼而，使該碟狀主盤41、與塗佈有紫外線硬化樹脂之壓克力片材等基體2密接，且照射紫外線使紫外線硬化樹脂硬化，之後自碟狀主盤41剝離基體2。藉此，可獲得表面排列有複數個構造體3之圓盤狀之光學元件。繼而，根據需要，於形成有複數個構造體3之光學元件的凹凸面上，形成金屬膜5之後，再形成透明導電膜4。藉此，可獲得圓盤狀之導電性光學元件1。繼而，自該圓盤狀之導電性光學元件1，切出矩形狀等規定形狀之導電性光學元件1。藉此，製作出所需之導電性光學元件1。

根據該第3實施形態，與構造體3呈直線狀排列之情形相同，能獲得生產性高且具有優良之防反射特性之導電性光學元件1。

<4.第4實施形態>

圖21A係表示本發明之第4實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖21B係將圖21A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。

第4實施形態之導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：使構造體3排列於彎曲之軌道(以下稱作擺動軌道)上。較佳為，基體2上之各軌道之擺動係同步。亦即，較佳為，擺動為同時之擺動。藉由使擺動如此同步，能保持六方格子或者準六方格子之單位格子形狀，且能提高填充率。作為擺動軌道之波形，可列舉例如正弦波、三角波等。擺動軌道之波形並未限定為週期性之波形，亦可為非週期性之波形。擺動軌道之擺動振幅可於例如±10 μm程度之範圍內選擇。

該第4實施形態中，上述以外之內容均與第1實施形態相同。

根據第4實施形態，將構造體3排列於擺動軌道上，故而能抑制外觀上之不均之產生。

<5.第5實施形態>

圖22A係表示本發明之第5實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖22B係將圖22A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖22C係圖22B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖22D係圖22B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖23係將圖22A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的立體圖。

第5實施形態之導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：多個凹部即構造體3排列於基體表面。該構造體3之形狀係將第1實施形態中之構造體3的凸形狀反轉而成為凹形狀。再者，當如上所述使構造體3成為凹部之情形時，將凹部即構造體3之開口部(凹部之入口部分)定義為下部，將基體2之深度方向之最下部(凹部之最深之部分)定義為頂部。亦即，藉由非實體之空間即構造體3來定義頂部及下部。而且，第5實施形態中，構造體3為凹部，故而，式(1)等中之構造體3之高度H成為構造體3之深度H。

該第5實施形態中，上述以外之內容均與第1實施形態相同。

該第5實施形態中，將第1實施形態中之凸形狀之構造體3之形狀反轉而成為凹形狀，故而可獲得與第1實施形態相同之效果。

<6.第6實施形態>

圖24A係表示本發明之第6實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖24B係將圖24A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖24C係圖24B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖24D係圖24B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖25係將圖24A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的立體圖。

導電性光學元件1包括基體2、形成於該基體2之表面之複數個構造體3、及形成於該等構造體3上之透明導電膜4。而且，自提高表面電阻之觀點出發，較佳為，進而於構造體3與透明導電膜4之間設置金屬膜5。該構造體3為錐體形狀之凸部。鄰接之構造體3之下部彼此係以其下部彼此重疊之方式相接合。較佳為，鄰接之構造體3中、最鄰接之構造體3配置於軌道方向。其原因在於，於後述之製造方法中，容易於如此之位置上配置最鄰接之構造體3。該導電性光學元件1具有防止入射至設有構造體3之基體表面的光之反射之功能。以下，如圖24A所示，將於基體2之一主面內正交之2個軸稱作X軸、Y軸，且將與基體2之一主面垂直之軸稱作Z軸。而且，當構造體3之間存在空隙部2a之情形時，較佳為，於該空隙部2a設有微細之凹凸形狀。其原因在於，藉由設置如此之微細凹凸形狀，能進一步降低導電性光學元件1之反射率。

圖26表示本發明之第1實施形態之導電性光學元件之折射率分佈的一例。如圖26所示，對於構造體3之深度方向(圖24A中為-Z軸方向)之有效折射率向基體2逐漸增加，並且以描繪出S字形狀之曲線之方式變化。亦即，折射率分佈具有1個彎曲點N。該彎曲點係與構造體3之側面之形狀對應。藉由使有效折射率如此變化，對光而言邊界變得不明確，故而能降低反射光，且能提高導電性光學元件1之防反射特性。較佳為對於深度方向之有效折射率之變化為單調增加。此處，S字狀中亦包括反轉S字狀、亦即Z字狀。

而且，作為對於深度方向之有效折射率之變化，較佳為，於構造體3之頂部側及基體側中之至少一方比有效折射率之斜度的平均值更陡峭，更佳為，於構造體3之頂部側及基體側該兩方均比上述平均值更陡峭。藉此，能獲得優良之防反射特性。

構造體3之下部係例如與具有鄰接關係之構造體3的一部分或者全部之下部相接合。藉由如此將構造體彼此之下部相接合，能使對於構造體3之深度方向之有效折射率之變化變得平滑。結果，能實現S字形狀之折射率分佈。而且，藉由使構造體彼此之下部相接合，能提高構造體之填充率。再者，圖24B中，將鄰接之所有構造體3相接合時的接合部之位置係由黑圈標記「●」表示。具體而言，接合部係形成於鄰接之所有構造體3之間、同一軌道內的鄰接之構造體3之間(例如a1~a2之間)、或者鄰接之軌道間的構造體3之間(例如a1~a7之間、a2~a7之間)。為了實現平滑之折射率分佈、且獲得優良之防反射特性，較佳為，於鄰接之所有構造體3之間形成接合部。為了藉由後述之製造方法容易地形成接合部，較佳為，於同一軌道內的鄰接之構造體3之間形成接合部。當構造體3以六方格子圖案或者準六方格子圖案而週期性地配置之情形時，例如，構造體3係於成為6次對稱之方位而接合。

較佳為，構造體3以其下部彼此重疊之方式而接合。藉由使構造體3如此接合，能獲得S字形狀之折射率分佈，並且能提高構造體3之填充率。較佳為，構造體彼此根據考慮到折射率之光程長度且以使用環境下之光之波長帶的最大值之1/4以下之部分而接合。藉此，能獲得優良之防反射特性。

較佳為，構造體3之高度根據穿透之光之波長區域而適當設定。具體而言，構造體3之高度較佳為使用環境下之光之波長帶的最大值之5/14以上10/7以下，更佳為上述最大值之2/5以上10/7以下，進而更佳為上述最大值之3/7以上10/7以下。若為最大值之5/14以上，則於幾乎整個可見域400 nm~700 nm內能將反射率抑制為0.3%以下。若為最大值之2/5以上，則於可見域400 nm~700 nm內能將反射率抑制為0.1%以下。上述之製造方法中，若為最大值之10/7以下，則構造體3容易成形。當使可見光穿過時，構造體3之高度較佳為100 nm~320 nm。構造體3之縱橫比(高度H/平均配置間距P)較佳為，設定為0.2以上1.78以下之範圍。

作為構造體3之材料，例如，較佳為，以藉由紫外線、或者電子束而硬化之電離放射線硬化型樹脂、或者藉由熱而硬化之熱硬化型樹脂為主成分者，最佳為以能由紫外線而硬化之紫外線硬化樹脂為主成分者。

圖27係表示構造體之形狀之一例的放大剖面圖。較佳為，構造體3之側面向基體2逐漸擴大，並且，以描繪出圖26所示之S字狀曲線的平方根之形狀之方式而變化。藉由成為如此之側面形狀，能獲得優良之防反射特性，並且，能提高構造體3之轉印性。

構造體3之頂部3t係例如平面形狀、或者前端逐漸變細之凸形狀。當構造體3之頂部3t為平面形狀之情形時，構造體頂部之平面之面積St與單位格子之面積S的面積比率(St/S)較佳為，隨著構造體3之高度之變高而變小。藉此，能提高導電性光學元件1之防反射特性。此處，單位格子係例如六方格子或者準六方格子等。較佳為，構造體底面之面積比率(構造體底面之面積Sb與單位格子之面積S的面積比率(Sb/S))接近於頂部3t之面積比率。而且，亦可於構造體3之頂部3t形成折射率比構造體3更低之低折射率層，藉由形成如此之低折射率層，能降低反射率。

除頂部3t及下部3b之外的構造體3之側面係，自其頂部3t向下部3b之方向而依序具有一組包含第1變化點Pa及第2變化點Pb之組。藉此，對於構造體3之深度方向(圖24A中、-Z軸方向)之有效折射率可具有1個彎曲點。

此處，第1變化點及第2變化點係以如下方式定義。

如圖28A、圖28B所示，當自構造體3之頂部3t至下部3b之間的側面係自構造體3之頂部3t向下部3b，由平滑之複數個曲面不連續地接合而形成之情形時，接合點成為變化點。該變化點與彎曲點成為一致。接合點上無法準確地進行微分，但此處，作為如此之極限之彎曲點亦稱作彎曲點。當構造體3具有上述之曲面之情形時，較佳為，自構造體3之頂部3t向下部3b之斜度以第1變化點Pa為界變得更加緩和，之後以第2變化點Pb為界變得急遽。

如圖28C所示，當自構造體3之頂部3t至下部3b之間的側面係自構造體3之頂部3t向下部3b，由平滑之複數個曲面連續且平滑地接合而形成之情形時，變化點以如下方式定義。如圖28C所示，對於構造體之側面上存在之2個彎曲點的各自之接線相互相交之交點，將曲線上最近之點稱作變化點。

構造體3較佳為，於自其頂部3t至下部3b之間的側面，具有1個階梯St。藉由如此具有1個階梯St，能實現上述之折射率分佈。亦即，能使對於構造體3之深度方向之有效折射率向基體2逐漸增加，並且能使其以描繪出S字形狀之曲線之方式而變化。作為階梯，可列舉例如傾斜階梯或者平行階梯，較佳為傾斜階梯。其原因在於，與階梯St為平行階梯時相比，若階梯St為傾斜階梯，則能使轉印性變得良好。

所謂傾斜階梯係指，並非與基體表面平行，而是以側面自構造體3之頂部至下部之方向擴展的方式傾斜之階梯。所謂平行階梯係指，與基體表面平行之階梯。此處，階梯St係由上述第1變化點Pa及第2變化點Pb設定之區塊。再者，階梯St並不包括頂部3t之平面、及構造體間之曲面或者平面。

自成形之容易性之觀點出發，構造體3較佳為，具有除鄰接之構造體3相接合之下部之外呈軸對稱之錐體形狀、或者使錐體形狀於軌道方向延伸或者收縮而成之錐體形狀。作為錐體形狀，可列舉例如圓錐形狀、圓錐梯形狀、橢圓錐形狀、橢圓錐梯形狀等。此處，所謂錐體形狀之概念係指，如上所述，除圓錐形狀及圓錐梯形狀以外，亦包括橢圓錐形狀、橢圓錐梯形狀。而且，所謂圓錐梯形狀係指，切除圓錐形狀之頂部後之形狀；所謂橢圓錐梯形狀係指，切除橢圓錐之頂部後之形狀。再者，構造體3之整體形狀並不限定於該等形狀，只要對於構造體3之深度方向之有效折射率向基體2逐漸增加、並且呈S字狀變化之形狀即可。而且，錐體形狀中，不僅包括完整之錐體形狀，如上所述，亦包括側面具有階梯St之錐體形狀。

具有橢圓錐形狀之構造體3係，底面具有長軸及短軸之橢圓形、長圓形或者蛋形錐體構造，且為頂部具有前端變窄變細之凸形狀的構造體。具有橢圓錐梯形狀之構造體3係，底面具有長軸及短軸之橢圓形、長圓形或者蛋形錐體構造，且為頂部為平面之構造體。當構造體3為橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之情形時，較佳為，以構造體3之底面之長軸方向成為軌道之延伸方向(X軸方向)之方式，將構造體3形成於基體表面。

構造體3之剖面積係，以與上述之折射率分佈相對應之方式而對於構造體3之深度方向變化。構造體3之剖面積較佳為，向構造體3之深度方向而單調地增加。此處，所謂構造體3剖面積係表示，與排列有構造體3之基體表面平行的切割面之面積。較佳為，以深度不同之位置上的構造體3之剖面積比例相當於與該位置相對應的上述有效折射率分佈之方式，使構造體之剖面積於深度方向變化。

具有上述階梯之構造體3，可例如藉由使用以如下方式而製作之原盤進行形狀轉印而獲得。亦即，於原盤製作之蝕刻步驟中，適當地調整蝕刻處理及灰化處理之處理時間，藉此製作構造體(凹部)之側面形成有階梯之原盤。

根據該第6實施形態，構造體3具有錐體形狀，對於該構造體3之深度方向之有效折射率向基體2逐漸增加，並且以描繪出S字狀之曲線之方式變化。藉此，藉由構造體3之形狀效果，就光而言邊界變得不明確，故而能減少反射光。因此，能獲得優良之防反射特性。特別是，當構造體3之高度較大之情形時，能獲得優良之防反射特性。具體而言，構造體3之高度較佳為使用環境下的光之波長帶之最大值之5/14以上10/7以下，更佳為2/5以上10/7以下，進而更佳為3/7以上10/7以下，此時可獲得特別優良之防反射特性。而且，將鄰接之構造體3之下部彼此以重疊之方式接合，故而，能提高構造體3之填充率，並且，構造體3之成形變得容易。

較佳為，使對於構造體3之深度方向之有效折射率分佈呈S字狀變化，並且，使構造體以(準)六方格子、或者、(準)四方格子之排列而配置。而且，各構造體3較佳為軸對稱之構造、或者使軸對稱之構造於軌道方向延伸或者收縮而成之構造。進而，較佳為，使鄰接之構造體3於基體附近接合。藉由成為如此之構成，能製作更加容易製造且高性能之防反射構造體。

當時有融合有光碟之原盤製作製程與蝕刻製程的方法製作導電性光學元件1之情形時，與使用電子束曝光製作導電性光學元件1之情形相比，能大幅縮短原盤製作製程所需之時間(曝光時間)。因此，能大幅提高導電性光學元件1之生產性。

當構造體3之頂部之形狀並非尖銳而是平面形狀之情形時，能提高導電性光學元件1之耐久性。而且，亦能提高構造體3對輥式主盤11之剝離性。當構造體3之階梯為傾斜階梯之情形時，與為平行階梯之情形相比，能提高轉印性。

<7.第7實施形態>

圖29係表示本發明之第7實施形態之導電性光學元件的構成之一例之剖面圖。如圖29所示，該導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：於基體2上具有透明導電層8，該透明導電層8之表面上形成有具有透明導電性之多個構造體3。透明導電層8含有包含導電性高分子、銀系填充料、奈米碳管、及ITO粉末之群組中的至少一種材料。作為導電性高分子，可使用例如：聚噻吩系、聚苯胺系、聚吡咯系等導電性高分子材料，較佳為使用聚噻吩系之導電性高分子材料。作為聚噻吩系之導電性高分子材料，較佳為使用PEDOT(聚二氧乙基噻吩)中摻雜有PSS(聚苯乙烯磺酸)之PEDOT/PSS系之材料。

第7實施形態中，能獲得與上述第1實施形態相同之效果。

<8.第8實施形態>

圖30係表示本發明之第8實施形態之導電性光學元件的構成之一例之剖面圖。如圖30所示，該導電性光學元件1與第1實施形態之不同之處在於：於形成有構造體3之一主面(第1主面)的相反側之另一主面(第2主面)進而具有構造體3。

導電性光學元件1之兩主面上之構造體3的配置圖案及縱橫比等為必要相同，亦可根據所需之特性而選擇不同之配置圖案及縱橫比等。例如，亦可使一主面之配置圖案呈為準六方格子圖案，使另一主面之配置圖案成為準四方格子圖案。

第7實施形態中，於基體2之兩主面形成複數個構造體3，故而，能對於導電性光學元件1之光入射面及光出射面雙方賦予光之防反射功能。藉此，能進一步提高光之穿透特性。

<9.第9實施形態>

圖31A係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的構成之一例之立體圖。圖31B係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的構成之一例之剖面圖。該觸摸面板50係所謂電阻膜方式觸摸。作為電阻膜方式觸摸面板，亦可為類比電阻膜方式觸摸面板、及數位電阻膜方式觸摸面板中之任一者。

觸摸面板50具有第1導電性光學元件51、及與該第1導電性光學元件51相向之第2導電性光學元件52。第1導電性光學元件51與第2導電性光學元件52係經由配置於其等周緣部間的黏合部55而相互黏合。作為黏合部55，可使用例如黏漿、膠帶等。自提高耐擦傷性之觀點出發，觸摸面板50較佳為，於第1導電性光學元件51之成為觸摸側之面上具有硬塗佈層7。較佳為，該硬塗佈層7之表面上被賦予防汙性。該觸摸面板50係例如經由黏合層53而黏合於顯示裝置54。作為黏合層53之材料，可使用例如丙烯酸系、橡膠系、矽系等黏著劑，自透明性之觀點出發，較佳為丙烯酸系黏著劑。

(顯示裝置)

作為顯示裝置54，可使用例如：液晶顯示器、CRT(Cathode Ray Tube，陰極射綫管)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)、電致發光(Electro Luminescence：EL)顯示器、表面傳導式電子發射元件顯示器(Surface-conduction Electron-emitter Display：SED)等各種顯示裝置。

(導電性光學元件)

作為第1導電性光學元件51及第2導電性光學元件52中之至少一者，可使用第1~第7實施形態之導電性光學元件1中之任一種。作為兩導電性光學元件，當使用第1~第7實施形態之導電性光學元件1中之任一種時，作為兩導電性光學元件，亦可使用相互不同之實施形態之導電性光學元件1。

第1導電性光學元件51包括具有與第2導電性光學元件52相向之相向面的第1基體2、及形成於第1基體2之相向面上的第1透明導電膜4。第2導電性光學元件52包括具有與第1導電性光學元件51相向之相向面的第2基體2、及形成於第2基體之相向面上的第2透明導電膜4。於第1及第2基體2之相向面中之至少一者上，以可見光之波長以下之微細間距而形成有包含凸部或者凹部之多個構造體3。自防反射特性及穿透特性之觀點出發，較佳為，於兩導電性光學元件形成有構造體3。形成於構造體3上之第1、或者第2透明導電膜4之形狀係仿照構造體3之形狀。

第9實施形態中，於第1導電性光學元件51、及第2導電性光學元件52之相向面中之至少一者上形成有多個構造體3，故而，能獲得具有優良之防反射特性及穿透特性之觸摸面板50。因此，能提高顯示裝置54之辨識性。尤其是，能提高室外之顯示裝置54之辨識性。

(變形例)

圖32A係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的變形例之立體圖。圖32B係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的變形例之剖面圖。

觸摸面板50較佳為具有偏光元件58，該偏光元件58係經由黏合層60等而與第1導電性光學元件51之成為觸摸側之面黏合。當如此設置偏光元件58之情形時，作為第1導電性光學元件51、及第2導電性光學元件52之基體2，較佳為使用λ/4相位差膜。藉由如此採用偏光元件58、及λ/4相位差膜即基體2，能降低反射率，且提高辨識性。

較佳為，於第1導電性光學元件51之成為觸摸側之面上形成單層或者多層之防反射層(未圖示)。其原因在，能降低反射率、且提高辨識性。而且，亦可進而具有前面板(表面構件)59，該前面板(表面構件)59經由黏合層61等而與第1導電性光學元件51之成為觸摸側之面黏合。亦可於該前面板59之兩主面中之至少一者上，與第1導電性光學元件51同樣地形成多個構造體3。而且，亦可於第2導電性光學元件52之與顯示裝置54等黏合之面上，經由黏合層57等而黏合玻璃基板56。

較佳為，於第1導電性光學元件51、及第2導電性光學元件52中之至少一者之周緣部亦形成複數個構造體3。其原因在於，藉由固定效果，能提高第1導電性光學元件51或者第2導電性光學元件52與黏合層55之間的密接性。

而且，較佳為，對於第2導電性光學元件52之與顯示裝置54等黏合之面，亦形成複數個構造體3。其原因在於，藉由複數個構造體3之固定效果，能提高觸摸面板50與黏合層53之間的接著性。

<10.第10實施形態>

圖33A係表示本發明之第10實施形態之觸摸面板的構成之一例之立體圖。圖33B係表示本發明之第10實施形態之觸摸面板的構成之一例之剖面圖。第10實施形態與第9實施形態之不同之處在於：成為觸摸面側之第1導電性光學元件51具有第8實施形態之導電性光學元件1。

作為成為顯示裝置54之側的第2導電性光學元件52，亦較佳為具有第8實施形態之導電性光學元件1。其原因在於，能提高觸摸面板50與黏合層53之間的密接性。

第10實施形態中，於第1導電性光學元件51之觸摸面側亦形成多個構造體3，因此能獲得比第9實施形態更優良之防反射特性及穿透特性。

較佳為，構成為：於形成有多個構造體3之基體2之凹凸面上，形成有透明導電膜4、導電性較高之金屬膜、或者、金屬膜5及透明導電膜4之積層膜等導電膜。藉由調整該等構造體3之設計及導電膜之膜厚，能實現低反射特性、及高穿透特性率，且能獲得預期之電阻。

例如，藉由調整構造體3之縱橫比、及透明導電膜4等之膜厚，能將導電性光學元件1之表面電阻控制在數100 Ω/□~數1000 Ω/□之廣範圍之表面電阻範圍。而且，能確保上述表面電阻之範圍，且能實現低反射特性、及高穿透特性。因此，能抑制因搭載觸摸面板所致的顯示裝置之顯示品質之下降。

如數位式電阻觸摸面板或電容式觸摸面板等般，形成有導電膜之配線之先前的觸摸面板中，導電膜與基材之反射率不同，故而，可見導電膜之配線，導致顯示裝置之顯示品質惡化。對此，該第1實施形態之觸摸面板中，無論有誤導電膜，均能實現低反射及高穿透率，因此能使配線看不見，或者使配線不容易發現。

<11.第11實施形態>

圖34係表示第11實施形態之液晶顯示裝置的構成之一例之剖面圖。如圖34所示，液晶顯示裝置70包括：具有第1及第2主面之液晶面板(液晶部)、形成於第1主面上之第1偏光元件72、形成於第2主面上之第2偏光元件73、及配置於液晶面板71與第1偏光元件72之間的觸摸面板50。觸摸面板50係液晶顯示器一體式觸摸面板(所謂內部觸摸面板)。

(液晶面板)

作為液晶面板71，可使用例如：扭轉向列(Twisted Nematic：TN)模式、超扭轉向列(Super Twisted Nematic：STN)模式、垂直排列(Vertically Aligned：VA)模式、水平排列(In-Plane Switching：IPS)模式、光學補償雙折射排列(Optically Compensated Birefringence：OCB)模式、強介電性(Ferroelectric Liquid Crystal：FLC)模式、高分子分散式液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal：PDLC)模式、相變式賓主(Phase Change Guest Host：PCGH)模式等顯示模式。

(偏光元件)

第1偏光元件72、及第2偏光元件73係以其穿透軸相互正交之方式經由黏合層74、75而黏合於液晶面板71之第1及第2主面上。第1偏光元件72、及第2偏光元件73係使入射光中之正交的偏光成分中之一者透過，且藉由吸收而將另一者遮蔽。作為第1偏光元件72、及第2偏光元件73，可使用例如於聚乙烯醇(PVA，Polyvinyl Alcohol)系膜上於一軸方向排列有碘錯合物或二色性染料者。較佳為，於第1偏光元件72、及第2偏光元件73之兩面上設置三乙醯纖維素(TAC)膜等保護層。

(觸摸面板)

作為觸摸面板50，可使用與第9、或者第10實施形態相同者。

第11實施形態中，係採用液晶面板71及觸摸面板50共用偏光元件72之構成，故而能提高光學特性。

[實施例]

以下，藉由實施例對該發明進行具體說明，但該發明並不僅限定於該等實施例。

(高度H、平均配置間距P、縱橫比)

以下之實施例中，係以如下方式求出導電性光學片材之構造體之高度H、配置間距P、及縱橫比。

首先，於使光學片材之表面形狀成為未形成ITO膜的狀態下，利用原子力顯微鏡(AFM：Atomic Force Microscope)進行拍攝。然後，根據所拍攝之AFM像、及其剖面分佈，求出構造體之配置間距P1、配置間距P2、高度H。於自光學片材中任意選出之10個部位，反覆實施該等測定，對測定值進行單純的平均(算術平均)計算而求出平均配置間距P1、平均配置間距P2、及平均高度H，將該等平均值分別作為配置間距P1、配置間距P2、及高度H。繼而，使用該等(平均)配置間距P1、(平均)配置間距P2、及(平均)高度H，求出縱橫比(=高度H/平均配置間距P)。

此處，平均配置間距P=(P1+P2+P2)/3。

以下之實施例中，以如下方式求出透明導電膜之膜厚。

首先，以包括構造體之頂部之方式切斷導電性光學片材，對其剖面利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)進行拍攝，根據所拍攝之TEM照片，對構造體之頂部之透明導電膜之膜厚進行測定。於自導電性光學片材任意選出之10個部位反覆進行該等測定，對測定值進行單純的平均(算術平均)計算而求出平均膜厚，將該平均膜厚作為透明導電膜之膜厚。

<1.導電性光學片材之光學特性> (實施例1)

首先，準備外徑為126 mm之玻璃輥式原盤，以如下方式將光阻層附著於該玻璃輥式原盤之表面。亦即，利用稀釋劑將光阻劑稀釋為1/10，利用浸漬法將該稀釋光阻劑以70 nm左右之厚度塗佈於玻璃輥式原盤之圓柱面上，藉此附著光阻層。繼而，將作為記錄媒體之玻璃輥式原盤搬送至圖11所示之輥式原盤曝光裝置，對光阻層進行曝光，藉此，連成1個螺旋狀，並且使於鄰接之3行軌道間形成為六方格子圖案的潛像於光阻層形成圖案。

具體而言，對於應形成六方格子狀之曝光圖案之區域，照射雷射光且形成凹形狀之六方格子狀之曝光圖案，上述雷射光係功率為0.50 mW/m者、使得直至上述玻璃輥式原盤表面而曝光。再者，軌道行之行方向之光阻層的厚度為60 nm左右，軌道之延伸方向之光阻劑厚度為50 nm左右。

繼而，對玻璃輥式原盤上之光阻層實施顯影處理，使經曝光之部分之光阻層溶解而進行顯影。具體而言，將未顯影之玻璃輥式原盤載置於未圖示之顯影機之轉盤上，使其與轉盤一同旋轉且使顯影液滴下至玻璃輥式原盤之表面上，從而使其表面之光阻層顯影。藉此，獲得光阻層於六方格子圖案開口之光阻劑玻璃原盤。

繼而，使用輥蝕刻裝置於CHF₃ 氣體環境中進行電漿蝕刻。藉此，於玻璃輥式原盤之表面，僅於自光阻層露出之六方格子圖案的部分進行蝕刻，而其他區域之光阻層成為光罩而不進行蝕刻，使橢圓錐形狀之凹部形成於玻璃輥式原盤。此時，蝕刻量(深度)係根據蝕刻時間而調整。最後，藉由O₂ 灰化而完全除去光阻層，藉此獲得具有凹形狀之六方格子圖案的蛾眼玻璃輥式主盤。行方向上之凹部之深度係比軌道之延伸方向上的凹部之深度更深。

繼而，使上述蛾眼玻璃輥式主盤、與塗佈有紫外線硬化樹脂之TAC(三乙醯纖維素)片材密接，且一方面照射紫外線使其硬化一方面進行剝離。藉此，可獲得複數個構造體排列於一主面上之光學片材。該光學片材之構造體之高度H為170 nm，配置間距P為270，縱橫比為0.63。繼而，藉由濺鍍法，使膜厚為20 nm之ITO膜形成於構造體上。

藉由以上方式，製作所需之導電性光學片材。

(實施例2)

調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件，將構造體之高度H設為200 nm，將配置間距P設為240，將縱橫比設為0.83，除此以外，與實施例1同樣地製作導電性光學片材。

(實施例3)

調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件，將構造體之高度H設為280 nm，將配置間距P設為250，將縱橫比設為1.12，除此以外，與實施例1同樣地製作導電性光學片材。

(表面電阻之評估)

對於以上述方式而製作之導電性光學片材之表面電阻，利用4端子法進行測定。圖35中表示表面電阻與ITO膜厚之關係。

(穿透率之評估)

對於以上述方式製作之導電性光學片材的穿透率，利用日本分光社製造之評估裝置(V-550)進行評估。其結果示於圖36中。

(透明導電膜之狀態評估)

對於以上述方式製作之導電性光學片材之導電膜的狀態，以如下方式進行評估。首先，切斷導電性光學片材，對其剖面利用穿透式電子顯微鏡(TEM)進行觀察。然後，依據以下基準對ITO膜之成膜狀態進行評估。

○：ITO膜仿照TAC膜之凹凸面而形成。

×：ITO膜未仿照TAC膜之凹凸面而形成。

表1表示實施例1~3中之導電性光學元件之構成。

根據表1、及圖35可知，藉由使構造體之縱橫比於0.63~1.12之範圍內變動，能實現300 Ω/□~2000 Ω/□之範圍較廣之表面電阻。

根據表1、及圖36可知，藉由使ITO膜之形狀仿照TAC膜之凹凸面，即便導電性光學片材之一主面上形成有透明導電膜，亦能抑制反射率之上升，獲得約95%之高穿透率。

藉由以上方式，藉由使構造體之縱橫比處於0.63~1.12之範圍，使ITO膜之形狀仿照TAC膜之凹凸面，能獲得300 Ω/□~2000 Ω/□之範圍較廣之表面電阻，並且，能獲得優良之穿透特性。

(實施例4)

首先，調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件，除了如下之構造體之構成以外，與實施例1相同地製作光學片材。

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：270 nm

高度H：170 nm

縱橫比：0.63

繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之凹凸面上形成透明導電膜，製作導電性光學片材。以下，表示透明導電膜之成膜條件。

施加電力：3 kW

膜厚：32.50 nm

(實施例5)

除了如下之構造體之構成以外，與實施例4同樣地製作導電性光學片材。

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：240 nm

高度H：150 nm

縱橫比：0.63

(實施例6)

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：240 nm

高度H：200 nm

縱橫比：0.83

(實施例7)

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：225 nm

高度H：240 nm

縱橫比：1.07

(實施例8)

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：270 nm

高度H：170 nm

縱橫比：0.63

施加電力：3 kW

膜厚：43.50 nm

(實施例9)

除了如下之構造體之構成以外，與實施例8相同地製作導電性光學片材。

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：240 nm

高度H：150 nm

縱橫比：0.63

(實施例10)

除了如下之構造體之構成以外，與實施例4相同地製作光學片材。

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：250 nm

高度H：320 nm

縱橫比：1.28

施加電力：4 kW

膜厚：56.96 nm

(實施例11)

配置圖案：六方格子圖案

配置間距P：270 nm

高度H：300 nm

縱橫比：1.11

施加電力：4 kW

膜厚：42.72 nm

(表面電阻)

對於以上述方式製作之導電性光學片材之表面電阻，利用4端子法進行測定。繼而，求出所測定除之表面電阻以30 nm之膜厚進行標準化後的值。繼而，求出膜厚與表面電阻之乘積。其結果示於表2中。圖37中表示實施例4~11中之導電性光學片材的「ITO膜厚×表面電阻」與「縱橫比」之關係。圖38中表示當將ITO膜之膜厚換算為30 nm時的「ITO膜厚×表面電阻」與「縱橫比」之關係。

表2表示實施例4~11中之導電性光學片材之構成、及評估結果。

根據表2、圖37、圖38可知以下內容。

可知，電阻值與縱橫比相關聯，當欲不改變膜厚(頂部膜厚)而降低電阻值之情形時，降低縱橫比即可；相反，欲提高電阻值之情形時，提高縱橫比即可。

(實施例12)

平均配置間距P：270 nm

高度H：170 nm

縱橫比：0.63

繼而，藉由濺鍍法，於光學片材之凹凸面上形成ITO膜，對剛成膜之後(asdepo：as deposition)之ITO膜之表面電阻進行測定。再者，ITO膜之膜厚設為32.5 nm。繼而，以130度、30分鐘對ITO膜進行退火，對於退火後之ITO膜之表面電阻利用4端子法進行測定。藉由以上方式，製作所需之導電性光學片材。

(實施例13)

調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件，除了如下之構造體之構成以外，與實施例1同樣地製作導電性光學片材。再者，於導電性光學片材之製作步驟中，與實施例12相同，對於剛成膜之後、及退火後之ITO膜之表面電阻進行測定。

平均配置間距P：240 nm

高度H：200 nm

縱橫比：0.83

(實施例14)

調整曝光步驟及蝕刻步驟之條件，除了如下之構造體之構成以外，與實施例1同樣地製作導電性光學片材。再者，於導電性光學片材之製作步驟中，與實施例12相同地，對於剛成膜之後、及退火後之ITO膜之表面電阻進行測定。

平均配置間距P：220 nm

高度H：250 nm

縱橫比：0.83

(實施例15)

將ITO膜厚設為43.5 nm，除此以外，與實施例1同樣地製作導電性光學片材。再者，於導電性光學片材之製作步驟中，與實施例12相同地，對於剛成膜之後、及退火後之ITO膜之表面電阻進行測定。

(實施例16)

(實施例17)

(穿透率、反射率)

對於以上述方式製作之導電性光學片材之平均穿透率及平均反射率，使用日本分光社製造之評估裝置(V-550)進行評估。其結果示於圖39、圖40中。再者，平均穿透率及平均反射率係400 nm~750 nm之波長帶下的平均穿透率及平均反射率。

(比較例1)

於具有平滑之平面之玻璃基板上，藉由模擬而求出當形成10 nm之ITO膜時的平均穿透率及平均反射率。再者，平均穿透率及平均反射率係400 nm~750 nm之波長帶下之平均穿透率及平均反射率。

(比較例2)

將ITO膜之膜厚設為15 nm，除此以外，與比較例1相同地藉由模擬而求出平均穿透率及平均反射率。

(比較例3)

將ITO膜之膜厚設為20 nm，除此以外，與比較例1相同地藉由模擬而求出平均穿透率及平均反射率。

(比較例4)

將ITO膜之膜厚設為25 nm，除此以外，與比較例1相同地藉由模擬而求出平均穿透率及平均反射率。

(比較例5)

將ITO膜之膜厚設為30 nm，除此以外，與比較例1相同地藉由模擬而求出平均穿透率及平均反射率。

表3及表4中表示實施例12~17中之導電性光學片材之構成及評估結果。表5中表示比較例1~5中之模擬的條件及評估結果。

圖39係表示實施例12~17、比較例1~5中之導電性光學片材之平均反射率的圖表。圖40係表示實施例12~17、比較例1~5中之導電性光學片材之平均穿透率的圖表。

根據表3~表5、圖39、圖40可知以下內容。

比較例1~5中，使ITO膜之膜厚增厚，使表面電阻下降，隨之，平均反射率上升，並且有平均穿透率下降之傾向。相反，實施例12~17中，雖然使ITO膜之膜厚增厚，使表面電阻下降，但平均反射率及平均穿透率幾乎沒有變化之傾向。

以上，已對本發明之實施形態及實施例進行了具體說明，但本發明並不限定於上述實施形態及實施例，可基於本發明之技術思想進行各種變形。

例如，上述實施形態及實施例中所列舉之數值、形狀、材料及構成等僅為示例，亦可根據需要使用與上述實施形態及實施例不同之數值、形狀、材料及構成等。

而且，關於上述實施形態之各構成，只要不脫離本發明之主旨，則可相互組合。

而且，上述實施形態中，光學元件中，亦可於形成有構造體之側的凹凸面上進而設置低折射率層。低折射率層較佳為，以折射率比構成基體、構造體及突出部之材料更低的材料為主成分。作為如此之低折射率層之材料，可列舉例如氟系樹脂等有機系材料、或者LiF、MgF₂ 等無機系低折射率材料。

而且，上述實施形態中，亦可藉由熱轉印而製作光學元件。具體而言，亦可使用如下方法：對以熱可塑性樹脂為主成分之基體進行加熱，且將藉由該加熱而變得足夠柔軟之基體，抵壓於輥式主盤或碟狀主盤等壓模(鑄模)，藉此製作光學元件。

上述實施形態中，已對於針對電阻膜式之觸摸面板採用本發明之示例進行了說明，但本發明並不限定於該示例，亦可適用於電容式、超音波式、或者光學式觸摸面板等。

1．．．光學元件

2．．．基體

3、13．．．構造體

3a．．．下擺部

3b．．．下部

3t．．．頂部

3₁ 、3₂ 、3₃ ．．．橢圓

4．．．透明導電膜

5．．．金屬膜

6．．．突出部

7．．．硬塗佈層

8．．．透明導電層

11．．．輥式主盤

12．．．基體

14．．．光阻層

15．．．雷射光

16．．．潛像

21．．．雷射光源

22．．．電光元件

23、31、38．．．反射鏡

24．．．光二極體

25．．．調變光學系統

26．．．聚光透鏡

27．．．聲光元件

28．．．透鏡

29．．．格式器

30．．．驅動器

32．．．移動光學台

33．．．擴束器

34．．．物鏡

35．．．主軸馬達

36．．．轉盤

37．．．控制機構

41．．．碟狀主盤

42．．．原盤

43．．．構造體

50．．．觸摸面板

51．．．第1導電性光學元件

52．．．第2導電性光學元件

53、55、57、．．．黏合層

54．．．液晶顯示裝置

56、72、73．．．玻璃基板

58．．．偏光元件

59．．．頂板(前面構件)

60、61、74、75 71．．．液晶面板(液晶部)

a．．．第1接合部

a1~a7．．．點

b．．．第2接合部

c．．．交點部

d、H1、H2．．．高度

N．．．彎曲點

P1、P2．．．單位格子Uc之配置間距

Pa．．．第1變化點

Pb．．．第2變化點

r．．．徑

St．．．階梯

T1~T4．．．軌道

Tp．．．軌道間距

Uc．．．單位格子

X、Y、Z．．．軸

θ．．．方向

圖1A係表示本發明之第1實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖1B係放大表示圖1A所示之導電性光學元件之一部分的平面圖。圖1C係圖1B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖1D係圖1B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖1E係表示與圖1B之軌道T1、T3、......對應之潛像形成時使用的雷射光之調變波形的概略線圖。圖1F係表示與圖1B之軌道T2、T4、......對應之潛像形成時使用的雷射光之調變波形的概略線圖。

圖2係放大表示圖1A所示之導電性光學元件之一部分的立體圖。

圖3A係圖1A所示之導電性光學元件之軌道延伸方向的剖面圖。圖3B係圖1A所示之導電性光學元件之θ方向的剖面圖。

圖4係放大表示圖1A所示之導電性光學元件之一部分的立體圖。

圖5係放大表示圖1A所示之導電性光學元件之一部分的立體圖。

圖6係放大表示圖1A所示之導電性光學元件之一部分的立體圖。

圖7係用於對構造體之邊界不明確之情形時的構造體底面之設定方法進行說明的圖。

圖8A~圖8D係表示使構造體之底面之橢圓率變化時的底面形狀之圖。

圖9A係表示具有圓錐形狀或者圓錐梯形狀之構造體之配置的一例之圖。圖9B係表示具有橢圓錐形狀或者橢圓錐梯形狀之構造體之配置的一例之圖。

圖10A係表示用於製作導電性光學元件之輥式主盤的構成之一例之立體圖。圖10B係將圖10A所示之輥式主盤之一部分放大表示的平面圖。

圖11係表示輥式原盤曝光裝置的構成之一例之概略圖。

圖12A~圖12C係用於說明本發明之第1實施形態之導電性光學元件的製造方法之步驟圖。

圖13A~圖13C係用於說明本發明之第1實施形態之導電性光學元件的製造方法之步驟圖。

圖14A~圖14B係用於說明本發明之第1實施形態之導電性光學元件的製造方法之步驟圖。

圖15A係表示本發明之第2實施形態之導電性光學元件的構成之一例的概略平面圖。圖15B係將圖15A所示之導電性光學元件之一部分方法表示的平面圖。圖15C係圖15B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖15D係圖15B之軌道T2、T4、......之剖面圖。圖15E係表示與圖15B之軌道T1、T3、......對應的潛像形成時使用的雷射光之調變波形之概略線圖。圖15F係表示與圖15B之軌道T2、T4、......對應的潛像形成時使用的雷射光之調變波形之概略線圖。

圖16係表示當使構造體之底面之橢圓率變化時的底面形狀之圖。

圖17A係表示用於製作導電性光學元件之輥式主盤的構成之一例之立體圖。圖17B係將圖17A所示之輥式主盤之一部分放大表示的平面圖。

圖18A係表示本發明之第3實施形態之導電性光學元件的構成之一例的概略平面圖。圖18B係將圖18A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖18C係圖18B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖18D係圖18B之軌道T2、T4、......之剖面圖。

圖19A係表示用於製作導電性光學元件之碟狀主盤的構成之一例之平面圖。圖19B係將圖19A所示之碟狀主盤之一部分放大表示的平面圖。

圖20係表示碟狀原盤曝光裝置的構成之一例之概略圖。

圖21A係表示本發明之第4實施形態之導電性光學元件的構成之一例的概略平面圖。圖21B係將圖21A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。

圖22A係表示本發明之第5實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖22B係將圖22A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖22C係圖22B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖22D係圖22B之軌道T2、T4、......之剖面圖。

圖23係將圖22A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的立體圖。

圖24A係表示本發明之第6實施形態之導電性光學元件的構成之一例之概略平面圖。圖24B係將圖24A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的平面圖。圖24C係圖24B之軌道T1、T3、......之剖面圖。圖24D係圖24B之軌道T2、T4、......之剖面圖。

圖25係將圖24A所示之導電性光學元件之一部分放大表示的立體圖。

圖26係表示本發明之第6實施形態之導電性光學元件之折射率分佈的一例之圖表。

圖27係表示構造體之形狀之一例的剖面圖。

圖28A~圖28C係用於說明變化點之定義的圖。

圖29係表示本發明之第7實施形態之導電性光學元件的構成之一例的剖面圖。

圖30係表示本發明之第8實施形態之導電性光學元件的構成之一例的剖面圖。

圖31A係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的構成之一例的立體圖。圖31B係表示本發明之第9實施形態之觸摸面板的構成之一例的剖面圖。

圖33A係表示本發明之第10實施形態之觸摸面板的構成之一例的立體圖。圖33B係表示本發明之第10實施形態之觸摸面板的構成之一例的剖面圖。

圖34係表示第11實施形態之液晶顯示裝置的構成之一例之剖面圖。

圖35係表示實施例1~3中之導電性光學片材的表面電阻與膜厚之關係的圖表。

圖36係表示實施例1~3中之導電性光學片材的穿透特性之圖表。

圖37係表示實施例4~11中之導電性光學片材的「ITO膜厚×表面電阻」與「縱橫比」之關係的圖表。

圖38係表示當將ITO膜之膜厚換算成30 nm時的「ITO膜厚×表面電阻」與「縱橫比」之關係的圖表。

圖39係表示實施例12~17、比較例1~5中之導電性光學片材的平均反射率之圖表。

圖40係表示實施例12~17、比較例1~5中之導電性光學片材的平均穿透率之圖表。

1．．．光學元件

2．．．基體

3．．．構造體

4．．．透明導電膜

5．．．金屬膜

a1~a7．．．點

P1、P2．．．單位格子Uc之配置間距

r．．．徑

T1~T4．．．軌道

Tp．．．軌道間距

Uc．．．單位格子

X、Y、Z．．．軸

θ．．．方向

Claims

一種導電性光學元件，其具有防反射功能，且其包括：基體，其具有表面；構造體，其以可見光之波長以下之微細間距而於上述基體之表面上配置有多個；及透明導電膜，其形成於上述構造體上；且上述透明導電膜之形狀係仿照上述構造體之形狀，上述構造體之縱橫比為0.2以上1.28以下，上述透明導電膜之膜厚為9 nm以上50 nm以下。
如請求項1之導電性光學元件，其中上述透明導電膜之表面電阻為100 Ω/□以上5000 Ω/□以下。
如請求項1之導電性光學元件，其中上述透明導電膜含有銦錫氧化物或者氧化鋅。
如請求項1之導電性光學元件，其中上述透明導電膜為非晶與多晶之混合狀態。
如請求項1之導電性光學元件，其中當將上述構造體之頂部之膜厚設為D1、將上述構造體之傾斜面之膜厚設為D2、將上述構造體間之膜厚設為D3時，滿足D1>D3>D2之關係，上述構造體之傾斜面之膜厚D2為9 nm以上30 nm以下。
如請求項5之導電性光學元件，其中上述構造體之頂部的透明導電膜之膜厚D1係於25 nm以上50 nm以下之範圍內，上述構造體之傾斜面的透明導電膜之膜厚D2係於9 nm以上30 nm以下之範圍內，上述構造體間的透明導電膜之膜厚D3係於9 nm以上50 nm以下之範圍內。
如請求項1之導電性光學元件，其中進而包括形成於上述構造體上之導電膜，上述導電膜包含導電率較高之金屬系之材料，且具有仿照上述構造體形狀之形狀。
如請求項7之導電性光學元件，其中上述金屬含有選自包含Ag、Pt、Al、Au及Cu之群組中之至少一種。
如請求項1之導電性光學元件，其中上述構造體係以形成複數行軌道之方式配置於上述基體之表面，並且形成六方格子圖案、準六方格子圖案、四方格子圖案或者準四方格子圖案，上述構造體為於上述軌道之延伸方向具有長軸方向之橢圓錐或者橢圓錐梯形狀。
一種導電性光學元件，其包括：基體，其具有表面；及透明導電層，其形成於上述基體之表面；且上述透明導電層具有以可見光之波長以下之微細間距而形成有多個構造體的表面，上述構造體具有透明導電性。
如請求項10之導電性光學元件，其中上述透明導電層及上述構造體含有包含導電性高分子、銀系填充料、奈米碳管以及銦錫氧化物粉末之群組中的至少一種材料。