TWI656460B - Touch detection device and manufacturing method of touch detection device - Google Patents

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TWI656460B
TWI656460B TW105106074A TW105106074A TWI656460B TW I656460 B TWI656460 B TW I656460B TW 105106074 A TW105106074 A TW 105106074A TW 105106074 A TW105106074 A TW 105106074A TW I656460 B TWI656460 B TW I656460B
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塩尻健史
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日商藤倉股份有限公司
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Abstract

配線體(3)，包括接合層(31)；電極層(320)，設置在接合層(31)的一側的面上；以及引線配線層(324)，設置在接合層(31)的一側的面上，與電極層(320)一體形成；其中，引線配線層(324)具有一層構造，以具有與構成電極層(320)的材料相同組成的材料形成，滿足下列(1)式。
T1<T2...(1)
其中，上述(1)式中，T1是電極層(320)的厚度，T2是引線配線層(324)的厚度。

Description

碰觸偵知器以及碰觸偵知器之製造方法
本發明係關於配線體、配線基板、碰觸偵知器以及配線體之製造方法。
透明基材的一面具有以既定的圖案形成的導電層之電磁波屏蔽材的製造方法是眾所周知的(例如參照專利文件1)。此製造方法，首先準備具有對應導電層圖案的形狀的凹部之凹版，上述凹部內填充導電性組成物。然後，使基材的一面形成的底層貼緊凹版，並硬化上述底層，接著透明基材及底層從凹版剝下後，使導電性組成物硬化。
[先行技術文件] [專利文件]
[專利文件1]專利第4436441號公報
當使用上述技術製造具有電極部與引線配線部的配線體時，因為引線配線部以與電極部相同厚度的導電層形成，上述引線配線部中在某些情況下有電阻值增大的問題。
本發明所欲解決的課題係提供可以抑制引線配線部中電阻值增大的配線體、配線基板、碰觸偵知器以 及配線體之製造方法。
[1]根據本發明的配線體，包括樹脂層；電極層，設置在上述樹脂層的一側的面上，具有至少一第1線狀導體層；引線配線層，設置在上述樹脂層的上述側的面上，具有與上述電極層一體形成的至少一第2線狀導體層；其中，上述引線配線層具有一層構造，以具有與構成上述電極層的材料相同組成的材料形成，滿足下列(1)式。
T1<T2...(1)
其中，上述(1)式中，T1是上述第1線狀導體層的厚度，T2是上述第2線狀導體層的厚度。
[2]上述發明中，也可以滿足下列(2)式。
H1<H2...(2)
其中，上述(2)式中，H1是上述樹脂層的另一側的面到上述第1線狀導體層的上述側的面的高度，H2是上述樹脂層的上述另一側的面到上述第2線狀導體層的上述側的面的高度。
[3]上述發明中，上述第2線狀導體層的剖視圖中的縱橫比(寬/厚)是1以上也可以。
[4]上述發明中，也可以滿足下列(3)式。
W1<W2...(3)
其中，上述(3)式中，W1是上述第1線狀導體層的剖視圖中的寬度，W2是上述第2線狀導體層的剖視圖中的寬度。
[5]上述發明中，上述第1線狀導體層的寬度W1也可以是10μm(微米)以下。
[6]上述發明中，上述第1線狀導體層與上述樹脂層之間的第1接合面，在剖視圖中，向上述第1線狀導體層側彎曲成凸狀，上述第2線狀導體層與上述樹脂層之間的第2接合面，在剖視圖中，向上述第2線狀導體層側彎曲成凸狀，也可以滿足下列(4)式。
R1<R2...(4)
其中，上述(4)式中，R1是上述第1接合面的彎曲率，R2是上述第2接合面的彎曲率。
[7]上述發明中，也可以滿足下列(5)式。
S1<S2...(5)
其中，上述(5)式中，S1是與上述第1線狀導體層的接合部分中的上述樹脂層的厚度，S2是與上述第2線狀導體層的接合部分中的上述樹脂層的厚度。
[8]上述發明中，上述第1線狀導體層的上述側的面，往上述樹脂層的厚度方向中，比上述第2接合面的至少一部分，位於更遠離上述樹脂層側的位置也可以。
[9]上述發明中，上述電極層與上述引線配線層之間的連接部分中，第1線狀導體層與上述第2線狀導體層相連。
上述連接部分中的導體部分，從上述第1線狀導體層往第2線狀導體層連續變厚也可以。
[10]上述發明中，上述電極層具有設置在上述樹脂層的一側的面上的複數的上述第1線狀導體層，上述電極層的平面視圖中的形狀也可以是複數的上述第1線狀導體層構成的網目形狀。
[11]上述發明中，上述引線配線層具有設置在上述樹脂層的一側的面上的複數的上述第2線狀導體層，上述引線配線層的平面視圖中的形狀也可以是複數的上述第2線狀導體層構成的網目形狀。
[12]根據本發明的配線基板，包括上述配線體以及支持上述配線體的支持體。
[13]根據本發明的碰觸偵知器包括上述配線基板。
[14]根據本發明的配線體的製造方法，係具有電極層、以及與上述電極層一體形成的引線配線層之配線體的製造方法，包括下列步驟：第1步驟，凹版的凹部內填充導電性材料；第2步驟，對上述凹部內填充的上述導電性材料進行乾燥、加熱及能量線照射其中至少一項；第3步驟，上述導電性材料上配置樹脂；以及第4步驟，至少上述樹脂及上述導電性材料從上述凹版脫模；其中，上述凹部包括對應上述電極層的形狀的第1凹部與對應上述引線配線層的形狀的第2凹部，上述引線配線層具有一層構造，以具有與構成上述電極層的材料相同組成的材料形成，滿足下列(6)式。
D1<D2...(6)
其中，上述(6)式中，D1是上述第1凹部的深度，D2是上述第2凹部的深度。
根據本發明，樹脂層的一面上設置的電極層及與上述電極層一體形成引線配線層滿足上述(1)式。因此，與 電極層相同厚度的引線配線層相較，因為可以增大引線配線層的剖面積，可以抑制上述引線配線層的電阻值增大。
10‧‧‧碰觸偵知器
1‧‧‧配線基板
2‧‧‧基板
21‧‧‧主面
3‧‧‧配線體
31‧‧‧接合層(樹脂層)
311、311B‧‧‧支持部
312‧‧‧平狀部
32‧‧‧導體層
320、320B‧‧‧電極層
321、322、321B、322B‧‧‧第1線狀導體層
324‧‧‧引線配線層
324a‧‧‧外緣部
324b‧‧‧配線部
324c‧‧‧端子
325、325B、327‧‧‧上面
3251、3271‧‧‧平坦部
326、326B、328‧‧‧側部
3261、3281‧‧‧第1部分
3262、3282‧‧‧第2部分
3263、3263B、3283‧‧‧平坦部
329、329b、329c‧‧‧第2線狀導體層
33、33B‧‧‧第1接合面
34‧‧‧第2接合面
4‧‧‧凹版
41‧‧‧第1凹部
42‧‧‧第2凹部
5‧‧‧導電性材料
51‧‧‧表面
6‧‧‧接合材料
[第1圖]係顯示本發明的實施例中的配線體之平面圖；[第2圖]係沿著第1圖的Ⅱ-Ⅱ線之剖面圖；[第3圖]係用以說明本發明的實施例中的第1線狀導體層之剖面圖；[第4圖]係沿著第1圖的IV-IV線之剖面圖；[第5圖]係顯示本發明的實施例中的電極層與引線配線層之間的連接部分圖，且是沿著第1圖的V-V線之剖面圖；[第6圖]係顯示本發明的實施例中的電極層與引線配線層之間的連接部分之變形例圖，相當於沿著第1圖的V-V線之剖面圖；以及[第7(A)~(E)圖]係用以說明本發明的實施例中的配線體的製造方法之剖面圖。
以下，根據圖面，說明本發明的實施例。
第1圖係顯示本實施例中的配線體之平面圖，第2圖係沿著第1圖的Ⅱ-Ⅱ線之剖面圖，第3圖係用以說明本發明的實施例中的第1線狀導體層之剖面圖，第4圖係沿著第1圖的IV-TV線之剖面圖，第5圖係顯示本發明的實施例中的電極層與引線配線層之間的連接部分圖，而且是沿著第1圖的V-V線之剖面圖，第6圖係顯示本發明的 實施例中的電極層與引線配線層之間的連接部分之變形例圖，相當於沿著第1圖的V-V線之剖面圖。
具有本實施例的配線體3的碰觸偵知器10，例如是使用於靜電電容方式等的碰觸面板或碰觸板之碰觸輸入裝置。碰觸偵知器10包括配線基板1以及上述配線基板1內包含的配線體3上樹脂層介於其間設置的第2配線體。第1圖中，樹脂層及第2配線體省略圖示。本實施例中的上述配線基板1包括基板2、配線體3。本實施例中的「碰觸偵知器10」相當於本發明中的「碰觸偵知器」的一範例，本實施例中的「配線基板1」相當於本發明中的「配線基板」的一範例。
基板2，如第1圖所示，具有矩形，以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)製的薄膜構成。又，構成基板2的材料不特別限定於此。例如，可以例示聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、矽氧樹脂(SI)、丙烯樹脂(acrylic resin)、酚樹脂(Phenol resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、綠片(greensheet)、玻璃等的材料。這些基材形成易接合層或光學調整層也可以。又，例如，顯示器或蓋板(cover panel)用作基板2也可以。又，基板2的形狀不特別限定。基板2的厚度雖不特別限定，但理想是1μm(微米)~2mm(毫米)，更理想是10μm~500μm，又更理想是10μm~100μm。本實施例中的「基板2」相當於本發明中的「支持體」的一範例。
本實施例中的配線體3，包括接合層31及導體 層32。
作為樹脂層的接合層31，係用以互相接合固定基板2與導體層32的層，如第2或3圖所示，設置於基板2中的主面21上全體。作為構成接合層31的接合材料，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。此接合層31，具有支持部311、311B，分別支持第1線狀導體層321、322及第2線狀導體層329、329b(都後述)；以及平狀部312，設置於上述支持部311、311B與基板2的主面21之間，覆蓋上述主面21；其中，這些支持部311、311B及平狀部312一體形成。
本實施例的支持部311、311B的剖面形狀(對於第1線狀導體層321、322或第2線狀導體層329、329b的延伸方向之剖面形狀)，如第2或4圖所示，成為往遠離基板2的方向寬度變窄的形狀。支持部311的上面(支持部311與第1線狀導體層321、322的邊界中的接合面)，在剖視圖中，成為對應第1線狀導體層321、322的下面(第1接合面33(後述))的凹凸形狀之凹凸形狀。又，支持部311B的上面(支持部311B與第2線狀導體層329、329b的邊界中的接合面)，在剖視圖中，成為對應第2線狀導體層329、329b的下面(第2接合面34(後述))的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，係根據第1線狀導體層321、322的第1接合面33的表面粗糙度或第2線狀導體層329、329b 的第2接合面34的表面粗糙度而形成。又，沿著第1線狀導體層321、322的延伸方向之剖面中的支持部311與上述第1線狀導體層321、322的邊界(參照第5圖)及沿著第2線狀導體層329、329b的延伸方向之剖面中的支持部311B與上述第2線狀導體層329、329b的邊界，也成為對應第1接合面33或第2接合面34的凹凸形狀之凹凸形狀。關於第1接合面33及第2接合面34的表面粗糙度，之後詳細說明。第2及4圖中，為了容易理解地說明本實施例中的配線體3，誇張顯示支持部311與上述第1線狀導體層321、322的邊界之凹凸形狀，以及支持部311B與第2線狀導體層329、329b的邊界之凹凸形狀。
平狀部312大體上以均等高度(厚度)設置在基板2的主面21全體上。此平狀部312的厚度不特別限定，但可以設定在5μm~100μm的範圍內。藉由在平狀部312上設置支持部311、311B，支持部311、311B中接合層31突出，上述支持部311、311B中第1線狀導體層321、322及第2線狀導體層329、329b的剛性提高。
又，從接合層31省略平狀部312，只以支持部311、311B構成接合層31也可以。此時，因為提高配線基板1全體的透光性，可以提高碰觸偵知器10的視認性。本實施例中的接合層31相當於本發明的樹脂層的一範例。
導體層32，例如，作用為電極或引線的層，以導電性材料(導電性粒子)、黏合樹脂構成。作為導電性材料，可以舉出銀或銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等的金屬 材料、或石墨、碳黑(爐黑、乙炔黑、超導電碳黑)、碳奈米管、碳奈米纖維等的碳基材料。又，作為導電性材料，使用金屬鹽也可以，作為金屬鹽，可以舉出上述金屬的鹽。
作為此導體層32內包含的導電性粒子，根據形成的導體圖案(第1線狀導體層321、322或第2線狀導體層329、329b)寬度，可以使用具有例如0.5μm~2μm的直徑(0.5μm≦≦2μm)的導電性粒子。又，根據使導體層32中的電阻值穩定的觀點來看，理想是使用具有形成的導體圖案寬度一半以下的平均直徑之導電性粒子。又，作為導電性粒子，理想是使用根據BET法測量的比表面積20m2/g(平方米/克)以上的粒子。
作為導體層32，要求一定以下的較小電阻值時，理想是使用金屬材料作為導電性材料，作為導體層32，容許一定以上的較大電阻值時，作為導電性材料可以使用碳基材料。又，使用碳基材料的話，根據改善網目膜的霧度或全反射率的觀點來看是理想的。
又，本實施例中，為了授予透光性，電極層320形成網目狀。此時，可以使用銀、銅、鎳的金屬材料、或上述碳基材料等導電性優異但不透明的導電性材料(不透明的金屬材料及不透明的碳基材料)作為電極層320的構成材料。
作為黏合樹脂，可以例示丙烯樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、乙烯基樹脂、聚氨甲酸酯樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽氧樹脂、氟樹脂等。
如此的導體層32，係塗佈導電性膏材再硬化而 形成。作為如此的導電性膏材的具體例，可以例示上述導電材料及黏合樹脂混合水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏材。作為導電性膏材內包含的溶劑，可以例示α-松油醇(terpineol)、二甘醇丁醚醋酸酯(Butyl carbitol acetate)、二甘醇一丁醚(butylcarbitol)、1-癸醇(1-Decanol)、丁氧基乙醇(butyl cellosolve)、二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)、十四烷(tetradecane)等。又，從構成導體層32的材料省略黏合樹脂也可以。
本實施例中的導體層32，如第1圖示，具有沿著第1圖中的Y軸方向延伸的電極層320、以及連接至上述電極層320的引線配線層324。本實施例中，沿著第1圖中的X軸方向大致等間隔配置3組電極層320。又，導體層32內包含的電極層320的數量及配置，不特別限定於上述。
電極層320，具有複數的第1線狀導體層321、322。第1線狀導體層321，如第1圖所示，直線狀延伸的同時，第1線狀導體層322也直線狀延伸。又，複數的第1線狀導體層321分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數的第1線狀導體層322也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第1線狀導體層321與第1線狀導體層322互相垂直，因此電極層320成為具有矩形的格子形狀之網目狀。又，電極層320的形狀不特別限定。例如，正方形或長方形、菱形等的網目形狀也可以。又，電極層320的網目形狀，可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是平行四邊形、梯形等的四角形。又，網目的形狀可以是六 角形(蜂巢狀)、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。又，電極層不是網目狀也可以，雖然不特別圖示，但電極層也可以具有框部，圍繞第1線狀導體層321、322形成的網目形狀的至少一部分。
本實施例中，第1線狀導體層321、322對電極層320的延伸方向(第1圖中的Y軸方向)分別45度傾斜配置，但這些分別以其他的角度(例如30度)傾斜配置也可以。又，第1線狀導體層321、322的一方對電極層320的延伸方向(第1圖中的Y軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第1線狀導體層321、322以曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等延伸也可以，直線狀的部分與曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等的部分混合也可以。又，本實施例中，第1線狀導體層321、322具有互相大致相等的線寬，但第1線狀導體層321、322具有互不相同的線寬也可以。
本實施例中的引線配線層324，具有外緣部324a與配線部324b。外緣部324a連接電極層320在第1圖中的下端。此外緣部324a，如第1圖的拉出圖所示，具有網目形狀，以具有比第1線狀導體層321、322粗的線寬之複數的第2線狀導體層329、329b構成。
本實施例中的第2線狀導體層329、329b，分別對第1圖中的Y軸方向45度傾斜配置，但這些分別以其他的角度(例如30度)傾斜配置也可以。第2線狀導體層329、329b的一方對第1圖中的Y軸方向90度傾斜配置也可以。
配線部324b，具有經由端子324c連接電極層 320與驅動電路C的功能，具有與外緣部324a同樣的網目形狀。又，連接至配線部324b的端子324c也可以是與外緣部324a同樣的網目形狀。
附帶一提，從引線配線層324省略外緣部324a也可以。此時，直接連接電極層320與配線部324b。又，外緣部324a或配線部324b不一定具有網目形狀也可以。此時外緣部324a具有與配線部324b大致相等的厚度，也可以是具有比構成配線部324b的線狀導體層大的寬度之線狀的填實圖案。外緣部324a或配線部324b為填實圖案的情況下，上述外緣部324a或配線部324b的全體相當於本發明的第2線狀導體的一範例。
本實施例中，電極層320及引線配線層324，一體形成。又，此所謂的「一體」係指構件之間不分離，且以相同材料(相同粒徑的導電性粒子、黏合樹脂等)形成一體的構造體。因此，本實施例的引線配線層324形成具有與構成電極層320的材料相同組成的材料構成的一層構造。又，如本實施例，外緣部324a與配線部324b一體形成時，理想是配線部324b也是網目狀。又，端子324c與外緣部324a及配線部324b一體形成時，理想是端子324c具有網目形狀。
如第2圖所示，第1線狀導體層321、322的側部326與接合層31中的支持部311的側部，係平滑連續形成1個平面。第1線狀導體層321、322，具有往遠離基板2的側(第2圖中的上側)寬度變窄的錐形，因此第1線 狀導體層321、322的外面的剖面形狀(對第1線狀導體層321、322的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形形。又，第1線狀導體層321、322的外面的剖面形狀不特別限定於此。例如，第1線狀導體層321、322的剖面形狀是正方形、長方形、三角形也可以。
以下，詳細說明本實施例的第1線狀導體層321的剖面形狀。又，第1線狀導體層322，與第1線狀導體層321的基本構成相同。因此，第2圖中顯示第1線狀導體層321，關於第1線狀導體層322，以括弧附上對應的符號，省略重複的說明，援用第1線狀導體層321的說明。
第1線狀導體層321，如第2圖所示，在上述第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，具有第1接合面33、上面325、側部326。
第1接合面33，在本實施例中的第1線狀導體層321在第2圖中的下面，成為凹凸形狀。上面325，位於第1線狀導體層321中與第1接合面33相反側。上面325，成為對基板2的主面21(接合層31的平狀部312的上面)實質上平行。
上面325，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，包含平坦部3251。此平坦部3251，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，係上面325中存在的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。又，平面度，係以JIS法(JIS B0621(1984))定義。
本實施例中，平坦部3251的平面度使用利用雷射光的非接觸式的測量方法求出。具體而言，對測量對象(具 體而言，上面325)照射帶狀的電射光，使其反射光在攝影元件(例如，2次元CMOS)上成像測量平面度。作為平面度的算出方法，使用的方法係在對象的平面中，分別設定通過儘量遠離的3點之平面，算出那些偏差的最大值作為平面度(最大接觸式平面度)。又，平面度的測量方法或算出方法，不特別限定於上述。例如，平面度的測量方法，可以是使用度盤規(dial gauge)等的接觸式的測量方法。又，平面度的算出方法，也可以是算出成為對象的平面以平行的平面夾住時形成的間隙值作為平面度的方法(最大傾斜式平面度)。
本實施例的平坦部3251，在上面325的大致全體中形成。又，不特別限定於上述，平坦部3251在上面325的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上述的寬度至少是1/2以上。
側部326位於上面325和第1接合面33之間。此側部326，在第1部分3261與上面325相連，在第2部分3262與第1接合面33相連。本實施例的第1線狀導體層321，因為具有往遠離接合層25側寬度變窄的錐形，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，第2部分3262比第1部分3261位於更外側。本實施例的側部326，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3261、3262的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側部326的形狀不特別限定於上述。例如，側部326，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中， 也可以是向外側突出的圓弧形狀。此時，側部326存在於比通過第1及第2部分3261、3262的假想直線更外側。即，作為側部326的形狀，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，上述側部326的一部分，理想是不存在於比通過第1及第2部分3261、3262的假想直線更內側的形狀。例如，第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，第1線狀導體層的外形，隨著接近樹脂層逐漸變大的情況下，是側部向內側突入的圓弧形狀(即，第1線狀導體層底邊變寬的形狀)時，入射配線體的光恐怕變得容易亂反射。
本實施例的側部326，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，包含平坦部3263。平坦部3263，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，側部326中存在的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3263的平面度，可以根據與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部326大致全體中形成平坦部3263。又，平坦部3263的形狀，不特別限定於上述，在側部326的一部分中形成也可以。
根據抑制側部326中的光的亂反射之觀點來看，側部326與上面325之間的角度θ1理想是90°~170°(90°≦θ1≦170°)，更理想是90°~120°(90。≦θ1≦120°)。本實施例中，一第1線狀導體層321中，一方的側部326與上面325之間的角度，及另一方的側部326與上面325之間的角度實質上是相同的。又，一第1線狀導體層321中，一方的側部326與上面325之間的角度，及另一方的側部326與上面325 之間的角度是不同的角度也可以。
第1線狀導體層321、322的第1接合面33的表面粗糙度，根據增加第1線狀導體層321、322與接合層31之間的接觸面積，堅固固定第1線狀導體層321、322與接合層31之間的觀點來看，理想是比上述第1線狀導體層321、322在第2圖中的上面325的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面325包含平坦部3251，上述第1線狀導體層321中的表面粗糙度的相對關係(第1接合面33的表面粗糙度對上面325的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。
具體而言，相對於第1線狀導體層321的第1接合面33的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面325的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。第1線狀導體層321的第1接合面33的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面325的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，第1接合面33的表面粗糙度與上面325的表面粗糙度之比(相對於第1接合面33的表面粗糙度之上面325的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面325的表面粗糙度，理想是第1線狀導體層321的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0621(2013年3月21日訂正))測量。上面325及第1接合面33的表面粗糙度的測量，沿著第1線狀導體層321的橫向方向執行也可以，沿著上述第1線狀導體層321的延伸方向執行也可以。
附帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21 日訂正))所記載，在此所謂的「表面粗糙度」，係指「算術平均表面粗糙度Ra」。此所謂「算術平均表面粗糙度Ra」，係指從剖面曲線截斷長波長成分(起伏成分)求得的粗糙度參數。從剖面曲線分離起伏成分，係根據求得形體需要的測量條件(例如對象物的尺寸)執行。
又，本實施例中，側部326包含平坦部3263。因此，第1接合面33的表面粗糙度，相對於側部326的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第1線狀導體層321的第1接合面33的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部326的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部326的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部326的表面粗糙度的測量，沿著第1線狀導體層321的橫向方向執行也可以，沿著上述第1線狀導體層321的延伸方向執行也可以。
本實施例中，因為第1接合面33的表面粗糙度相對於上面325的表面粗糙度及側部326的表面粗糙度相對粗糙，除了上述第1接合面33之外的其他面(即，上面325及側部326)側中的配線體3的亂反射率，相對於上述第1接合面33側中的配線體3的亂反射率相對變小。根據力圖提高配線體3的視認性的觀點來看，此第1接合面33側中的配線體3的亂反射率與除了上述第1接合面33之外的其他面側中的配線體3的亂反射率的比(相對於第1接合面33側中的配線體3的亂反射率之除了上述第1接合面33之外的其他面側中的配線體3的亂反射率)，理想是 未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
關於具有上述第1接合面與除了上述第1接合面之外的其他面之表面粗糙度的相對關係之第1線狀導體層的形狀的一範例，一邊參照第3圖，一邊說明。如第3圖所示，以導電性粒子M與黏合樹脂B構成的第1線狀導體層321B中，複數的導電性粒子M在黏合樹脂B中分散。此第1線狀導體層321B的第1接合面33B，在橫向方向的剖面中，導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出。因此，第1接合面33B具有凹凸形狀。另一方面，上面325B及側部326B中，黏合樹脂B進入導電性粒子M之間，上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，上面325B包含平坦部3251B，側部326B包含平坦部3263B。又，上面325B及側部326B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，提高相鄰的第1線狀導體層321B之間的電性絕緣性，抑制遷移的發生。
第3圖所示的形態中，第1接合面33B具有凹凸形狀，但上面325B包含平坦部3251B。因此，第1接合面33B的表面粗糙度相對於上面325B的表面粗糙度，相對變粗糙。同樣地，第3圖所示的形態中，側部326B包含側部3263B。因此，第1接合面33B的表面粗糙度相對於側部326B的表面粗糙度，相對變粗糙。又，第1線狀導體層中的下面(第1接合面)、上面、及側部的形態不特別限定於上述。
本實施例中，如第2圖所示，構成電極層320的第1線狀導體層321、322具有互為大致相等的寬度(對於第1線狀導體層321、322的延伸方向的剖視圖中的最大 寬度)W1。第1線狀導體層321、322的寬度W1，根據碰觸偵知器10的視認性提高的觀點來看，理想是50nm(毫微米)~1000μm，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又更理想是1μm~5μm。又，第1線狀導體層321、322的高度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是500nm~10μm。
如第4圖所示，第2線狀導體層329、329b的側部328與接合層31中的支持部311B的側部，係平滑連續形成1個平面。第2線狀導體層329、329b，具有往遠離基板2的側(第4圖中的上側)寬度變窄的錐形，因此第2線狀導體層329、329b的外面的剖面形狀(對第2線狀導體層329、329b的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形。又，第2線狀導體層329、329b的外面的剖面形狀不特別限定於此。例如，第2線狀導體層329、329b的剖面形狀也可以是正方形、長方形、三角形。
以下，詳細說明本實施例的第2線狀導體層329的剖面形狀。又，第2線狀導體層329b，與第2線狀導體層329的基本構成相同。因此，第4圖中顯示第2線狀導體層329，關於第2線狀導體層329b，以括弧附上對應的符號，省略重複的說明，援用第2線狀導體層329的說明。
第2線狀導體層329，如第4圖所示，在上述第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，具有第2接合面34、上面327、側部328。
第2接合面34，在第2線狀導體層329、329b 的下面，成為凹凸形狀。上面327，位於第2線狀導體層329中與第2接合面34相反側。上面327，成為對基板2的主面21(接合層31的平狀部312的上面)實質上平行。
上面327，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，包含平坦部3271。此平坦部3271，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，係存在於上面327中的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。又，平坦部3271的平面度，可以根據與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。
本實施例的平坦部3271，在上面327的大致全體中形成。又，不特別限制於上述，平坦部3271，在上面327的一部分中形成也可以。此時，例如，平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部328位於上面327與第2接合面34之間。此側部328，在第1部分3281與上面327相連，在第2部分3282與第2接合面34相連。本實施例的第2線狀導體層329，因為具有往遠離基板2的側寬度變窄的錐形，第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，第2部分3282位於比第1部分3281更外側。本實施例的側部328，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3281、3282的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側部328的形狀，不特別限定於上述。例如，側部328在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中， 可以是向外側突出的圓弧形狀。此時，側部328存在於比通過第1及第2部分3281、3282的假想直線更外側。即，側部328的形狀，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，上述側部328的一部分，理想是不存在於比通過第1及第2部分3281、3282的假想直線更內側的形狀。例如，第2線狀導體層的橫向方向的剖面中，第2線狀導體層的外形，隨著接近樹脂層，逐漸變大的情況下，理想是側部不往內側突入的圓弧形狀(即，第2線狀導體層底邊變寬的形狀)。
本實施例的側部328，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，包含平坦部3283。平坦部3283，在第2線狀導體層329的橫向方向的剖面中，係存在於側部328的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3283的平面度，可以根據與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部328的大致全體中形成平坦部3283。又，平坦部3283的形狀，不特別限定於上述，在側部328的一部分中形成也可以。
側部328與上面327之間的角度θ2理想是90°~170°(90°≦θ2≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ2≦120°)。本實施例中，一第2線狀導體層329中，一方的側部328與上面327之間的角度，及另一方的側部328與上面327之間的角度實質上是相同的。又，一第2線狀導體層329中，一方的側部328與上面327之間的角度，及另一方的側部328與上面327之間的角度也可以是不同的角度。
本實施例的第2線狀導體層329、329b在第4 圖中的第2接合面34的表面粗糙度，根據增加第2線狀導體層329、329b與接合層31之間的接觸面積，堅固固定第2線狀導體層329、329b與接合層31之間的觀點來看，理想是比上述第2線狀導體層329、329b在第4圖中的上面327的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面327包含平坦部3271，上述第2線狀導體層329中的表面粗糙度的相對關係(第2接合面34的表面粗糙度相對於上面327的表面粗糙度之相對粗糙關係)成立。
具體而言，相對於第2線狀導體層329的第2接合面34的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面327的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。第2線狀導體層329的第2接合面34的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面327的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。又，第2接合面34的表面粗糙度與上面327的表面粗糙度之比(相對於第2接合面34的表面粗糙度之上面327的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面327的表面粗糙度，理想是第2線狀導體層329的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面327及第2接合面34的表面粗糙度的測量，沿著第2線狀導體層329的橫向方向執行也可以，沿著上述第2線狀導體層329的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部328包含平坦部3283。因此，第2接合面34的表面粗糙度，相對於側部328的表 面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第2線狀導體層329的第2接合面34的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部328的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部328的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部328的表面粗糙度的測量，沿著第2線狀導體層329的橫向方向執行也可以，沿著上述第2線狀導體層329的延伸方向執行也可以。
以具有上述第2接合面與除了上述第2接合面之外的其他面之間的表面粗糙度相對關係之第2線狀導體層的形狀為例，可以舉出與第3圖所示的第1線狀導體層321B同樣的形狀。即，第2線狀導體層的第2接合面中，上述第2線狀導體層的橫向方向的剖面中，導電性粒子的一部分從黏合樹脂中突出。另一方面，第2線狀導體層的上面及側部中，在上述第2線狀導體層的橫向方向的剖面中，黏合樹脂進入導電性粒子之間，上述黏合樹脂覆蓋導電性粒子。此時，第2接合面具有凹凸形狀，上面包含平坦部。因此，第2線狀導體層的第2接合面的表面粗糙度，相對於上述第2線狀導體層的上面的表面粗糙度，相對變粗糙。又，本例中，第2線狀導體層的側部也包含平坦部。因此，第2線狀導體層的第2接合面的表面粗糙度，相對於上述第2線狀導體層的側部的表面粗糙度，相對變粗糙。又，第2線狀導體層的下面(第2接合面)、上面及側部的形態，不特別限定於上述。
本實施例中，如第4圖所示，具有構成引線配 線層324的第2線狀導體層329、329b互相大致相等的寬度(對於第2線狀導體層329、329b的延伸方向的剖視圖中的最大寬度)W2。第2線狀導體層329、329b的寬度W2，理想是1μm~500μm，根據抑制引線配線層324的電阻值增大的同時使配線體3的耐久性提高的觀點來看，3μm~100μm更理想，5~30μm又更理想。又，第2線狀導體層329、329b的高度，理想是3μm~20μm。
本實施例的第2線狀導體層329、329b中平整下面的凹凸形狀的面，如第4圖所示，相較於第1線狀導體層321、322中平整下面的凹凸形狀的面(參照第2圖)，係往遠離基板2的方向緩和彎曲。
因此，本實施例中，下列(7)式成立。
R1<R2...(7)
其中，上述(7)式中，R1是第1線狀導體層321、322中平整下面的面(第1接合面33)中的彎曲率，R2是第2線狀導體層329、329b中平整下面的面(第2接合面34)中的彎曲率。由於上述(7)式成立，使第2線狀導體層329、329b與接合層31與支持部311B之間的接觸面積相對增大，可以提高上述第2線狀導體層329、329b與接合層31與支持部311B之間的密合性。
又，本實施例中的配線體3，滿足下列(8)式~(11)式。
T1<T2...(8)
H1<H2...(9)
W1<W2...(10)
S1<S2...(11)
其中，上述(8)式中，T1係第1線狀導體層321、322的最大厚度(面內全體的剖視圖中的平均最大厚度)，T2係第2線狀導體層329、329b的最大厚度(面內全體的剖視圖中的平均最大厚度)。上述(9)式中，H1係剖視圖中從接合層31的下面到第1線狀導體層321、322的上面的高度(面內全體的剖視圖中的平均高度)，H2係剖視圖中從接合層31的下面到第2線狀導體層329、329b的上面的高度(面內全體的剖視圖中的平均高度)。又，上述(10)式中，W1係第1線狀導體層321、322的最大寬度(面內全體的剖視圖中的平均最大寬度)，W2係第2線狀導體層329、329b的最大寬度(面內全體的剖視圖中的平均最大寬度)。又，上述(11)式中，S1係剖視圖中與第1線狀導體層321、322的接合部分(接合面)中接合層31的厚度(面內全體的剖視圖中的平均最大厚度)。S2係剖視圖中與第2線狀導體層329、329b的接合部分(接合面)中接合層31的厚度(面內全體的剖視圖中的平均最大厚度)。
又，所謂「面內全體的剖視圖中的平均最大厚度」，係遍及上述導體線的延伸方向全體複數採取沿著各個導體線的橫向方向的剖面，平均求得的每一剖面的最大厚度。又，同樣地，所謂「面內全體的剖視圖中的平均高度」，係遍及上述導體線的延伸方向全體複數採取沿著各個導體線的橫向方向的剖面，平均求得的每一剖面的高度。所謂「面內全體的剖視圖中的平均最大寬度」，係遍及上述導體線的 延伸方向全體複數採取沿著各個導體線的橫向方向的剖面，平均求得的每一剖面的最大寬度。附帶一提，上述導體線中，包含第1線狀導體層321、322及第2線狀導體層329、329b。根據求得的參數，適當選擇上述導體線。
配線體3，未必滿足上述(9)式~(11)式也可以，根據抑制引線配線層324的電阻值增大的效果，以及抑制引線配線層324斷線的效果等，理想是配線體3滿足(9)式~(11)式。
本實施例中，第2線狀導體層329、329b的剖視圖中的縱橫比(W2/T2)為1以上。即，第2線狀導體層329、329b在剖視圖中，沿著基材2的主面21成為橫長形狀。
本實施例中，忽視配線基板1全體歪斜的情況下，第2線狀導體層329、329b的上面相較於第1線狀導體層321、322的上面，相對變高，引線配線層324的上面相對於電極層320的上面相對突出。又，第2線狀導體層329、329b的下面(第2接合面34)的平均面相較於第1線狀導體層321、322的下面(第1接合面33)的平均面，也相對變高。
關於電極層320與引線配線層324(具體而言，外緣部324a)之間的連接部分，一邊參照第5圖，一邊詳細說明。
如第5圖所示，電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，構成電極層320的第1線狀導體層322與構成引線配線層324的第2線狀導體層329c相連。第2線狀導體層329c，沿著電極層320與引線配線層32的邊界延伸。此第2線狀導體層329c，在上述第2線狀導體層329c 的橫向方向的剖面中，具有與上述第2線狀導體層329a同樣的剖面形狀。在此，省略第2線狀導體層329c的剖面形狀的詳細說明，援用上述第2線狀導體層329a的說明。
電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，第1線狀導體層322的上面325與第2線狀導體層329c的上面327相連。又，電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，上述第1線狀導體層322的第1接合面33與上述第2線狀導體層329c的第2接合面34相連。
本實施例中，第2線狀導體層329c的橫向方向的剖面中，上述第2線狀導體層329c，隨著遠離基板2，因為具有往第2線狀導體層329c的中心靠近傾斜的側部，從上面325延續到上面327導體部分逐漸變高。因此，電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，從上述第1線狀導體層322往第2線狀導體層329c，連續地導體部分變厚。又，電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，導體部分急速變厚的話，應力集中在上述連接部分，恐怕變得容易產生斷線。
第1線狀導體層322的上面325，在Z方向中，理想是比第2線狀導體層329的第2接合面34的至少一部分，位於較遠離基板2(接合層31)側。此時，因為可以確保電極層320與引線配線層324之間的連接部分的厚度，可以更確實力圖這些第1線狀導體層322與第2線狀導體層329c的導通。又，本實施例中，第1線狀導體層322的上面325，在Z方向中，比第2線狀導體層329c的第2接 合面34中最突出的部分位於更接近基板2側。此時，抑制第1線狀導體層322的高度，因為抑制入射配線體3的光之亂反射，提高上述配線體3的視認性。
又，關於上面325與第2接合面34之間的相對位置關係，不特別限定於上述。例如，如第6圖所示，第1線狀導體層322B的上面325，在Z方向中，可以比第2線狀導體層329c的第2接合面34中最突出的部分位於更遠離基板2側。此時，電極層320B與引線配線層324之間的連接部分中，因為導體部分變厚，根據降低上述連接部分中的電阻值的觀點來看是理想的。又，根據第1線狀導體層322B與第2線狀導體層329c可以堅固連接的觀點來看是理想的。
本實施例中的碰觸偵知器10中，電極層320延伸的方向交叉配置的第2配線體(不圖示)，經由用以確保與電極層320絕緣的樹脂層，設置在配線體3上。於是，第1及第2配線體的電極層320分別連接至驅動電路C。此驅動電路C在第1及第2配線體的電極層320之間周期性施加既定電壓，根據2個電極層的交點的各靜電電容的變化，判別碰觸偵知器10中的操作者的手指接觸位置。又，電極層320的延伸方向互相垂直地2片配線基板1重疊而構成碰觸偵知器也可以。
其次，說明關於本實施例中的配線體3的製造方法。第7(A)~7(E)圖係用以說明本實施例中的配線體3的製造方法之剖面圖(簡圖)。
首先，如第7(A)圖所示，準備凹版4，形成對 應構成電極層320的第1線狀導體層321、322的形狀之形狀的第1凹部41以及對應構成引線配線層324的第2線狀導體層329、329b的形狀之形狀的第2凹部42。
本實施例中，滿足下列(12)式。
D1<D2...(12)
其中，上述(12)式中，D1是第1凹部41的深度，D2是第2凹部42的深度。
構成凹版4的材料，可以例示鎳、矽、二氧化矽等的玻璃類、有機二氧化矽類、玻璃碳、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等。第1凹部41的寬度，理想是50nm~1000μm，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又更理想是1μm~5μm。又，第1凹部41的深度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是500nm~10μm。另一方面，第2凹部42的寬度，理想是1μm~500μm，更理想是3μm~100μm，又更理想是5μm~30μm。又，第2凹部42的深度，理想是3~20μm。更理想。本實施例中第1及第2凹部41、42的剖面形狀，隨著愈往底部去，形成寬度變窄的錐形。
又，第1及第2凹部41、42的的表面上，為了提高脫模性，理想是預先形成石墨基材料、矽氧樹脂基材料、氟基材料、陶瓷基材料、鋁基材料等構成的脫模層(不圖示)。
對上述凹版4的第1及第2凹部41、42，填充導電性材料5(第1步驟)。使用上述導電性膏材，作為如此的導電性材料5。
填充導電性材料5至凹版4的第1及第2凹部41、42內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮去在第1及第2凹部41、42以外塗佈的導電性材料，或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的形狀等，適當靈活運用。
其次，如第7(B)圖所示，加熱上述凹版4的第1及第2凹部41、42內填充的導電性材料5，形成構成導體層32的導體圖案(第2步驟)。導電性材料5的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料5體積收縮，上述導電性材料5在第2凹部42的表面51上，形成凹凸形狀。又，上述導電性材料5的表面51上，稍微形成凹凸形狀。此時，除了導電性材料5的上面以外的外面，沿著第1及第2凹部41、42的形狀形成。又，導電性材料5的處理方法不限定於加熱。照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。由於表面51的凹凸形狀或彎曲形狀的存在，導體層32與接合層31之間的接觸面積增大，可以更堅固固定導體層32至接合層31。
接著，如第7(C)圖所示，準備在基板2上大致均勻塗佈用以形成接合層31的接合材料6。使用構成接合層31的材料，作為如此的接合材料6。在基板2上塗佈接 合材料6的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
又，接合層31的形成方法不特別限定於上述。例如，形成導體層32的凹版4(第7(B)圖所示的狀態的凹版4)上塗佈接合材料6，接合材料6上配置基板2後，在凹版4上配置壓上上述基板2的狀態下，可以對接合材料6進行加熱、乾燥或照射能量線其中至少1項形成接合層31。又，使用熱可塑性材料作為接合材料6時，加熱熔融後，可以藉由冷卻形成接合層31。
其次，如第7(D)圖所示，上述接合材料6進入凹版4的第1及第2凹部41、42，配置基板2及接合材料6在凹版4上，對凹版4壓下基板2，形成接合層31(第3步驟)。作為形成接合層的方法，可以例示紫外線、紅外線、雷射光等的能量線照射、加熱、加熱冷卻、乾燥等。因此，形成接合層31的同時，經由上述接合層31，基板2與導體層32互相接合固定。
接著，如第7(E)圖所示，基板2、接合層31及導體層32從凹版4脫模，可以得到配線體3(第4步驟)。
其次，說明關於以上述製造方法得到的配線體3的作用。
本實施例中的配線體3中，接合層31上設置的電極層320以及與上述電極層320一體形成的引線配線層324，因為滿足上述(7)式及(8)式，相較於與電極層320相同厚度的引線配線層，可以增大引線配線層324的剖面 積。因此，抑制上述引線配線層324的電阻值增大，可以提高碰觸偵知器10的檢出感度。本實施例中，由於配線體3滿足上述(10)式，因為可以更增大引線配線層324剖面積，可以更提高此效果。
又，本實施例的引線配線層324，具有與構成電極層320的材料相同組成的材料形成的一層構造。因此，引線配線層324的橫向方向的剖面全體中，因為可以均勻流過電流，抑制引線配線層324的電阻值增大，可以更提高碰觸偵知器10的檢出感度。假設，引線配線層以具有不同的組成之材料形成的複數層構成時，電流容易流入相對電阻值小的層。此時，電流集中在相對電阻值小的層，因為相對電阻值大的層不能充分有助於引線配線層的導通，比起根據上述引線配線層的剖面積假設的電阻值，實際的電阻值變大。又，引線配線層以複數層構成時，不同的層間電流流過之際產生接觸電阻，阻礙引線配線層的導通。
又，本實施例中，以網目狀形成電極層320的同時，電極層320與引線配線層324一體形成。此時，作為構成電極層320的材料，可以採用導電性優異的不透明導電性材料。又，作為構成引線配線層324的材料，藉由採用具有與構成電極層320的材料相同組成的材料，在引線配線層324中，也可以抑制電阻值增大。因此，可以更提高碰觸偵知器10的檢出感度。
又，本實施例的配線體3，滿足上述(9)式。此時，由於從接合層31的下面到第2線狀導體層329、329b的上面 的高度H2比從接合層31的下面到第1線狀導體層321、322的高度H1高，相較於電極層320與接合層31之間的剝離強度，可以提高引線配線層324與接合層31之間的剝離強度。
因此，可以抑制引線配線層324從接合層31剝離而引起的上述引線配線層324的斷線。本實施例中，由於滿足上述(7)式，設置引線配線層324的部分中的接合層31的強度，因為比起設置電極層320的部分中的接合層31的強度可以增大，可以更提高上述效果。又，本實施例中的配線體3，由於滿足上述(11)式，相較於電極層320與接合層31之間的接觸面積，因為引線配線層324與接合層31之間的接觸面積可以增大，可以更提高上述效果。
又，本實施例中，第1線狀導體層322的上面325，在Z方向中，比第2線狀導體層329的第2接合面34的至少一部分，位於較遠離基板2側。此時，因為可以確保電極層320與引線配線層324之間的連接部分厚度，可以更確實力圖這些第1線狀導體層322與第2線狀導體層329c的導通。
又，本實施例中，電極層320與引線配線層324之間的連接部分中，第1線狀導體層322與第2線狀導體層329c之間相連，從上述第1線狀導體層322往第2線狀導體層329c，連續地導體部分變厚。因此，抑制應力集中在電極層320與引線配線層324之間的連接部分，這些第1線狀導體層322與第2線狀導體層329c可以不易斷線。
又，使構成引線配線層的第2線狀導體層的寬 度增大比構成電極層的第1線狀導體層的寬度更大之際，使凹版4中用以形成引線配線層的第2凹部的深度與用以形成電極層的第1凹部的深度大致相等時，例如使用刮刀等填充導電性材料至上述凹部內之際，有產生導電性材料填充不良的情況。即，填充導電性材料時，由於上述刮刀的前端接近或接觸寬幅的第2凹部的底部，第2凹部內有不充分填充上述導電性材料的情況。
相對於此，本實施例的配線體3的製造方法中，凹版4的第1及第2凹部41、42滿足上述(12)式，第2凹部42的深度D2變得比第1凹部41的深度D1深。因此，填充導電性材料時，可以抑制產生對第2凹部42的填充不良。
又，本實施例的配線體3，在第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，也著眼於第1線狀導體層321的第1接合面33與上述第1接合面33以外其他的面(包含上面325及側部326的面)之間的表面粗糙度(即，截斷起伏成分的粗糙度參數)的相對關係，上述第1接合面33的表面粗糙度Ra相對於其他的面的表面粗糙度Ra，相對加粗。因此，接合層31與第1線狀導體層321堅固接合的同時，可以抑制從外部入射的光的亂反射。尤其，由於第1線狀導體層321的寬度是1μm~5μm時，第1接合面33與其他的面之間的表面粗糙度的相對關係滿足上述的關係，接合層31與第1線狀導體層321堅固接合的同時，能夠顯著達到可以抑制從外部入射的光的亂反射之效果。
又，本實施例中，側部326延伸，與通過第1 及第2部分3261、3262的假想直線實質上一致。此時，第1線狀導體層321的橫向方向的剖面中，側部的一部分，因為不成為比通過第1及第2部分的假想直線不存在於更內側的形狀，抑制從配線體3的外部入射的光的亂反射。因此，可以更提高配線體3的視認性。
又，本實施例中，由於第1接合面33的表面粗糙度Ra相對於上述第1接合面33以外其他的面(包含上面325及側部326的面)的表面粗糙度Ra相對加粗，上述其他的面側的配線體3的亂反射率相對於第1接合面33側的配線體3的亂反射率相對變小。在此，配線體3的亂反射率小的話，抑制第1線狀導體層321映出白色，在能夠視認上述第1線狀導體層321的區域中可以抑制對比下降。於是，可以力圖更提高本實施例的配線體3的視認性。
又，第1線狀導體層322或第2線狀導體層329、329b，基本構成與第1線狀導體層321相同。因此，由於配線體3包括第1線狀導體層322或第2線狀導體層329、329b，可以更達成上述的作用．效果。
又，以上說明的實施形態，係用以容易理解本發明而記載，不是用以限定本發明而記載。因此，上述實施例揭示的各要素，係包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物之主旨。
例如，上述實施例的碰觸偵知器10，係使用2個配線體的投影型的靜電電容方式的碰觸偵知器，但不特別限定於此，對於使用1個配線體的表面型(電容耦合型) 靜電電容方式的碰觸偵知器也可以應用本發明。
又，作為導體層32的導電性材料，也可以使用金屬材料與碳基材料的混合。此時，例如，以第1線狀導體層321為例說明時，上述第1線狀導體層321的上面325側配置碳基材料，第1接合面33側配置金屬材料也可以。又，相反地，上述第1線狀導體層321的上面325側配置金屬材料，第1接合面33側配置碳基材料也可以。
上述實施例中，說明為配線體用於碰觸偵知器，但不特別限定於此。例如，藉由配線體中通電以電阻加熱等發熱，上述配線體用作加熱器也可以。此時，作為導體層的導電性材料，理想是使用較高電阻值的碳基材料。又，藉由配線體的導體部的一部分接地，上述配線體用作電磁遮蔽屏蔽也可以。又，配線體用作天線也可以。
又，從上述實施例省略接合層31，導體層32直接設置在基板2上也可以。又，從上述實施例省略基板2，說明為接合層31的樹脂層用作基材也可以。

Claims (10)

  1. 一種碰觸偵知器，包括：配線基板，其中上述配線基板包括配線體以及支持上述配線體的支持體，其中上述配線體包括：樹脂層；電極層，設置在上述樹脂層的一側的面上，具有至少一第1線狀導體層；引線配線層，設置在上述樹脂層的上述側的面上，具有與上述電極層一體形成的至少一第2線狀導體層；以及端子，連接到上述引線配線層；其中，上述引線配線層具有一層構造，以具有與構成上述電極層的材料相同組成的材料形成，滿足下列(1)式及(2)式：T1<T2...(1) S1<S2...(2)其中，上述(1)式中，T1是上述第1線狀導體層的厚度，T2是上述第2線狀導體層的厚度，上述(2)式中，S1是與上述第1線狀導體層的接合部分中的上述樹脂層的厚度，S2是與上述第2線狀導體層的接合部分中的上述樹脂層的厚度，上述電極層具有設置在上述樹脂層的一側的面上的複數的上述第1線狀導體層，上述電極層的平面視圖中的形狀是複數的上述第1線狀 導體層構成的網目形狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，滿足下列(3)式：H1<H2...(3)其中，上述(3)式中，H1是上述樹脂層的另一側的面到上述第1線狀導體層的上述側的面的高度，H2是上述樹脂層的上述另一側的面到上述第2線狀導體層的上述側的面的高度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述第2線狀導體層的剖視圖中的縱橫比(寬/厚)是1以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，滿足下列(4)式：W1<W2...(4)其中，上述(4)式中，W1是上述第1線狀導體層的剖視圖中的寬度，W2是上述第2線狀導體層的剖視圖中的寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述第1線狀導體層的剖視圖中的寬度W1是10μm(微米)以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述第1線狀導體層與上述樹脂層之間的第1接合面，在剖視圖中，向上述第1線狀導體層側彎曲成凸狀；上述第2線狀導體層與上述樹脂層之間的第2接合面，在剖視圖中，向上述第2線狀導體層側彎曲成凸狀； 滿足下列(5)式：R1<R2...(5)其中，上述(5)式中，R1是上述第1接合面的彎曲率，R2是上述第2接合面的彎曲率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述第1線狀導體層的上述側的面，在上述樹脂層的厚度方向中，比上述第2線狀導體層與上述樹脂層之間的第2接合面的至少一部分，位於更遠離上述樹脂層側的位置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述電極層與上述引線配線層之間的連接部分中，上述第1線狀導體層與上述第2線狀導體層相連；上述連接部分中的導體部分，從上述第1線狀導體層往第2線狀導體層連續變厚。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器，其中，上述引線配線層具有設置在上述樹脂層的一側的面上的複數的上述第2線狀導體層，上述引線配線層的平面視圖中的形狀是複數的上述第2線狀導體層構成的網目形狀。
  10. 一種碰觸偵知器的製造方法，其係如申請專利範圍第1項中所述的碰觸偵知器的製造方法，包括下列步驟：第1步驟，在凹版的凹部內填充導電性材料；第2步驟，對上述凹部內填充的上述導電性材料進行乾 燥、加熱及能量線照射其中至少一項；第3步驟，在上述導電性材料上配置樹脂；以及第4步驟，將至少上述樹脂及上述導電性材料從上述凹版脫模；其中，上述凹部包括：第1凹部，對應上述電極層的形狀；以及第2凹部，對應上述引線配線層的形狀；其中，上述引線配線層具有一層構造，以具有與構成上述電極層的材料相同組成的材料形成，滿足下列(6)式：D1<D2...(6)其中，上述(6)式中，D1是上述第1凹部的深度，D2是上述第2凹部的深度。
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